JP6594901B2 - パルス電界を使用した細胞の細胞内効果の選択的調節 - Google Patents

パルス電界を使用した細胞の細胞内効果の選択的調節 Download PDF

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Description

関連出願の相互参照
本願は、2014年5月12日出願の米国仮出願第61/992,023号の開示に依拠し、その出願日の優先権及び利益を主張するものであり、その開示全体が、参照により本明細書に組み込まれる。
背景
本発明は、電気処置エネルギーの適用を伴う内科的処置に関する。本発明の実施形態は、2つの処置領域、すなわち、細胞が非選択的に死滅させられる電極を包囲する第1の領域、及び異常細胞などの細胞が選択的に死滅させられる、第1の領域を包囲する第2の選択的処置領域を作り出すシステム及び方法に関する。特定の実施形態では、パルス長及び連続パルス間の遅延が、細胞内膜電位に対する効果をもたらすように最適化される、電気パルスの列の適用により、癌細胞などの細胞を選択的に処置するためのシステム及び方法が提供される。本発明のシステム及び方法により、腫瘍辺縁内に配置される浸潤腫瘍細胞が効果的に処置され得る一方で、腫瘍辺縁内の健康な組織を残す。
局所アブレーション技術は、典型的には、明確に画定された領域内の癌性細胞を破壊することによって、腫瘍を攻撃する。典型的には、これらの技術は、癌性細胞だけではなく、処置される体積内の細胞及び組織構造の全てを破壊する。局所アブレーション技術の主要な課題は、典型的には、健康な細胞及びいくつかの浸潤性癌性細胞を含有する腫瘍を包囲する領域があることである。これらの浸潤性癌細胞は、処置されない場合、腫瘍の再発をもたらす可能性がある。従来の外科的切除及び局所アブレーションにおける解決法は、これらの浸潤性癌細胞も除去しようとして、腫瘍辺縁を越えて処置することである。これは、典型的には血管及び神経などの重要な構造付近に生じる腫瘍に関する主要な課題を示す。したがって、本技術分野において、これらの制限を克服する新しい電気穿孔プロトコルの必要性がある。
本発明は、腫瘍辺縁内の浸潤性癌細胞を処置するシステム及び方法を提供する。この二峰性増強アブレーション機構(BEAM)プラットフォームは、パルスの細胞内効果を増強する一方で、健康な組織に対する効果を最小限に抑えるように特に最適化されている、高周波電界のバーストを使用する。実施形態では、最適なバーストは、細胞膜の充電時間+核膜の放電時間にほぼ等しい持続時間を有する構成的パルスを含む。パルス間の最適なオフタイムは、細胞膜の充電時間にほぼ等しい。
実施形態では、ある特定の細胞(悪性)細胞は、それらの生物物理学的細胞下構造に基づき、優先的に標的化され得る。それらの悪性度の指標であるより大きい核対細胞質比を有する細胞は、これらのパルスの影響をより受けやすい。細胞に影響を及ぼす機構は、それらの核を破壊することに関連する。細胞サイズは、典型的なIREに対して、細胞が印加された電界下で死滅するときを決定するための一次パラメータであるが、対照的に、本発明の実施形態によると、細胞サイズは、主要な役割を果たさない。
特定の実施形態は、連続パルス間に遅延を伴う複数の電気パルスを組織に印加することを含む、細胞を選択的に処置する方法を提供し、各パルスの長さ及び連続パルス間の遅延は、第1の処置領域及び第2の処置領域を作り出すように最適化され、第1の処置領域内で、癌細胞などの標的細胞及び非癌細胞などの非標的細胞は、死滅させられ、第2の処置領域内で、標的細胞が死滅させられるか、または阻害される一方で、非標的細胞は残される。そのような方法において、印加は、インビトロ、インビボ、またはエクスビボで実施され得る。
実施形態によると、第2の処置領域内で、癌細胞などの標的細胞は、細胞分裂の減速もしくは停止によって阻害されるか、または標的細胞(例えば、癌細胞)は、遊走の減速もしくは停止によって阻害されるか、または標的細胞(例えば、癌細胞)は、血液及び栄養素の輸送の低減によって阻害されるか、または標的細胞(例えば、癌細胞)は、アポトーシスによって死滅させられるか、またはいくつかの標的細胞(例えば、癌細胞)が第2の処置領域内で死滅させられるか、もしくは阻害され、いくつかの非標的細胞(例えば、非癌細胞)が第2の処置領域内で残される。実施形態では、第2の処置領域は、腫瘍を包囲し、標的癌細胞は、腫瘍由来の浸潤性細胞である。組織は、脳組織、及び/または腫瘍神経膠芽腫であってもよい。本開示の任意の実施形態における標的細胞は、例えば、癌細胞、浸潤性細胞、または任意の望ましくない細胞を含む任意の種類の細胞であってもよい。非標的細胞は、同様に任意の種類の細胞であってもよく、典型的には、健康な細胞、正常な細胞、または非癌細胞である。
実施形態によると、第1の処置領域内で、標的細胞及び非標的細胞(例えば、癌細胞及び非癌細胞)は、壊死によって死滅させられるか、またはいくつかの癌細胞及びいくつかの非癌細胞が第1の処置領域内で死滅させられる。
同様に、実施形態によると、標的及び非標的細胞の両方(例えば、癌細胞及び非癌細胞)は、それらの膜内外電位の致死限界値への増加の結果として、第1の処置領域内で死滅させられ得る。
実施形態では、癌細胞は、それらの膜内外電位の致死限界値への増加の結果として、第2の処置領域内で死滅させられる。
実施形態では、連続パルス間の遅延は、各パルスの長さよりも大きくてもよく、または連続パルス間の遅延は、各パルスの長さの分数であってもよく、または各パルスの長さが癌細胞の細胞膜の充電時間+癌細胞の核膜の放電時間に等しくてもよい一方で、連続パルス間の遅延は、癌細胞の細胞膜の充電時間に等しい。同様に、癌細胞の細胞膜の充電時間及び癌細胞の核膜の放電時間は、数値モデリングにより決定され得る。
実施形態では、パルス列は、矩形パルス波、ランプ波、指数関数減衰波、または正弦波である電界波形を含む。実施形態では、電界波形は、単極性もしくは双極性であるか、または第1の周波数調波と第2の周波数調波とを含む重畳二峰性信号であってもよく、第2の周波数調波は、第1の周波数調波の周波数よりも高い周波数を有する。
実施形態では、電界波形は、連続してマイクロ秒オーダのパルスと交互になったナノ秒オーダのパルスを含む。同様に、電界波形は、対称または非対称であってもよい。実施形態における電界波形は、100kHz〜10MHzの範囲内の搬送波周波数を有することができる。波形の搬送波周波数またはパルス持続時間は、癌細胞のクロスオーバ周波数に基づき得る。
実施形態では、各パルスの長さ及び連続パルス間の遅延は、癌細胞の物理的な核対細胞質のサイズ比に基づき最適化される。
本発明の実施形態は、患者内の固形腫瘍を識別することと、固形腫瘍内に、またはそれに隣接して少なくとも1つの電極を挿入することと、連続パルス間に遅延を伴う複数の電気パルスを含むパルス列を印加することと、を含む、患者内の癌を治療する方法を含む。そのような方法はまた、望ましくない細胞または必ずしも癌性ではない標的細胞を処置することにも適用できる。実施形態では、各パルスの長さ及び連続パルス間の遅延は、少なくとも1つの電極の半径内に第1の処置領域、ならびに第1の半径の間及び電極の第2の半径内に第2の処置領域を作り出すように最適化され、第2の処置領域は、第1の処置領域の外側にある。第1の処置領域内で、癌細胞及び健康な細胞が非選択的に死滅させられる一方で、第2の処置領域内で、癌細胞が選択的に死滅させられるか、または阻害され、健康な細胞が残される。患者内の癌を治療する方法は、インビボ、エクスビボ、またはインビトロで実施され得る。
本発明の実施形態では、第2の処置領域内の癌細胞の選択的阻害は、細胞分裂の減速または停止を含む。あるいは、または加えて、第2の処置領域内の癌細胞の選択的阻害は、遊走の減速または停止を含む。あるいは、または加えて、第2の処置領域内の癌細胞の選択的阻害は、血液及び栄養素の輸送の低減を含む。
本発明の実施形態では、癌細胞及び健康な細胞は、壊死によって第1の処置領域内で死滅させられる。あるいは、または加えて、癌細胞は、アポトーシスによって第2の処置領域内で死滅させられる。
本発明の実施形態では、癌細胞及び健康な細胞は、それらの膜内外電位の致死限界値への増加の結果として、第1の処置領域内で死滅させられる。あるいは、または加えて、癌細胞は、それらの膜内外電位の致死限界値への増加の結果として、第2の処置領域内で死滅させられる。
本発明の好ましい実施形態は、核の膜内外電位を標的化して、それが本発明の最適化されたパルスの結果として致死限界値に達するようにし得る。しかしながら、他の実施形態は、膜内外電位に対する効果によるか、または任意の他の機構によるかにかかわらず、ミトコンドリア、滑面小胞体、粗面小胞体、ゴルジ体、エンドソーム、リソソーム、ペルオキシソーム、貯蔵小胞、及び輸送小胞が挙げられるがこれらに限定されない、任意の膜結合細胞内小器官を標的化し得る。
本発明の実施形態では、連続パルス間の遅延は、各パルスの長さよりも大きい。あるいは、連続パルス間の遅延は、各パルスの長さの分数である。
本発明の実施形態では、各パルスの長さが細胞膜の充電時間+核膜の放電時間に等しい一方で、連続パルス間の遅延は、細胞膜の充電時間に等しい。同様に、実施形態は、そのようなタイミングの倍数またはそのようなタイミングの分数さえ含み得る。細胞膜の充電時間及び核膜の放電時間は、数値モデリングにより決定され得る。
本発明の実施形態では、パルス列は、矩形パルス波、ランプ波、指数関数減衰波、または正弦波である電界波形を含む。電界波形は、単極性または双極性であってもよい。電界波形は、第1の周波数調波(低周波調波など)と第2の周波数調波(高周波調波など)とを含む、重畳二峰性信号であってもよい。電界波形は、連続してマイクロ秒オーダのパルスと交互になったナノ秒オーダのパルスを含んでもよい。電界波形は、非対称であってもよい。電界波形は、100kHz〜10MHzの範囲内の搬送波周波数を有してもよい。波形の搬送波周波数またはパルス持続時間は、癌細胞、望ましくない細胞、または別様に標的細胞と称される細胞のクロスオーバ周波数に基づき得る。
実施形態では、各パルスの長さ及び連続パルス間の遅延は、癌細胞の物理的な核対細胞質のサイズ比に基づき最適化される。
本発明の実施形態では、パルスは、双極性方形波であり、各パルスの長さは、250ナノ秒〜50マイクロ秒である。
本発明の実施形態は、患者内の固形腫瘍を識別することと、固形腫瘍内に、またはそれに隣接して少なくとも1つの電極を挿入することと、複数の電気パルスを含むパルス列を印加することと、を含む、患者内の癌を治療する方法を含み、パルスは、双極性方形波であり、各パルスの長さは、250ナノ秒〜50マイクロ秒である。
本発明の実施形態は、患者内の固形腫瘍を識別することと、固形腫瘍内に、またはそれに隣接して少なくとも1つの電極を挿入することと、複数の電気パルスを含むパルス列を印加することと、を含む、患者内の癌を治療する方法を含み、パルス列は、低周波調波及び高周波調波など、第1の周波数調波と第2の周波数調波とを含む重畳二峰性信号である、電界波形を有する。
本発明の実施形態は、少なくとも1つの電極と、電極と動作可能に連結され、かつ複数の電気パルスを含むパルス列を印加するように構成される電圧パルス発生器とを備える、対象における癌を治療するためのシステムを含み、パルス列は、低周波調波と高周波調波とを含む重畳二峰性信号である、電界波形を有する。電圧パルス発生器は、マルチレベル、中性点クランプ形、またはカスケードHブリッジトポロジーで配列される、ソリッドステート切り替えデバイスを備えてもよい。
また、細胞を含有する物質に処置として複数の電気パルスを印加することを含む、細胞を選択的に処置する方法が含まれ、パルスは、双極性方形波であり、各パルスの長さは、250ナノ秒〜50マイクロ秒であり、パルス間の遅延は、250ナノ秒〜50マイクロ秒であり、複数の電気パルスによって、一種類の細胞が処置され、別の種類の細胞は処置されない。実施形態では、処置された細胞は、死滅させられ、未処置の細胞は、死滅させられない。細胞を含有する物質は、例えば、組織、無生物、溶液、身体の一部、または生存もしくは非生存患者、ヒト、動物、もしくは組織であってもよい。
実施形態では、細胞を含有する物質に複数の電気パルスを含むパルス列を印加することを含む、細胞を選択的に処置する方法が提供され、パルス列は、第1の周波数調波と、第1の周波数調波の周波数よりも高い周波数を有する第2の周波数調波とを含む重畳二峰性信号である、電界波形を有する。実施形態では、パルス列は、選択された種類の細胞を選択的に死滅させ、別の種類の細胞を残す。
本発明のシステムは、本発明の1つ以上の方法を実装するように構成される任意のシステムを含む。少なくとも1つの電極と、電極に連結され、かつ複数の電気パルスを含むパルス列を印加するように構成される電圧パルス発生器とを備える、細胞を選択的に処置するためのシステムが含まれ、パルス列は、第1の周波数調波と第2の周波数調波とを含む重畳二峰性信号である、電界波形を有し、第2の周波数調波は、第1の周波数調波の周波数よりも高い周波数を有する。
実施形態では、電圧パルス発生器は、パルス列が選択された種類の細胞を選択的に死滅させ、別の種類の細胞を残すように、二峰性信号を選択するように構成されるか、または電圧パルス発生器は、マルチレベル、中性点クランプ形、またはカスケードHブリッジトポロジーで配列されるソリッドステート切り替えデバイスを備える。
さらなる方法は、細胞を選択的に処置する方法を含み、本方法は、選択された生物物理学的細胞下構造を有する細胞のみを死滅させるのに十分な様式で、細胞を含有する物質に電気パルスを送達することを含む。実施形態では、選択された生物物理学的細胞下構造を有する細胞は、核を有し、細胞は、細胞の核を破壊することによって死滅させられる。選択された生物物理学的細胞下構造を有する細胞は、選択された核対細胞質の面積比を有することができる。
細胞を含有する物質に複数の電気パルスを印加することを含み、複数の電気パルスは、一種類の細胞の標的細胞を処置し、別の種類の細胞の非標的細胞を残すように選択される周波数、振幅、及びパルス波形を有する、細胞を選択的に処置する方法もまた、本発明の範囲内に含まれる。本発明のそのような方法は、癌細胞が処置され、正常な細胞が残される、選択的方法であってもよい。そのような方法は、より悪性の種類の癌細胞が処置され、あまり侵攻性ではない種類の癌細胞が残される、緩和方法であってもよい。
本発明の方法は、標的細胞についての核対細胞質比を決定することと、標的細胞についての核対細胞質比に基づき、周波数、振幅、及びパルス波形を選択することと、をさらに含むことができる。実施形態では、核対細胞質比は、細胞を含有する物質の生検から採取された細胞から測定または別様に決定される。
悪性の細胞を選択的に焼灼する方法が本発明に含まれ、本方法は、組織領域内に存在する悪性の細胞に対する第1の細胞死閾値を決定することと、組織領域内に存在する非悪性の細胞に対する第2の細胞死閾値を決定することと、悪性の細胞を死滅させるために、第1の細胞死閾値以上かつ第2の細胞死閾値未満の電気パルスを、組織領域に適用することと、を含む。本発明の方法の実施形態では、非悪性の細胞は死滅させられない。実施形態では、悪性の細胞はそれぞれ、細胞核を含み、細胞核を破壊するのに十分な様式で電気パルスを適用することによって、死滅させられる。
細胞を含有する物質に複数の電気パルスを印加することを含み、複数の電気パルスは、細胞小器官内への分子の輸送を最適化するように選択される周波数、振幅、及びパルス波形を有する、細胞小器官内への材料の輸送を増強する方法が、実施形態に含まれる。
実施形態によると、複数の電気パルスは、異なるパルス幅を有する正パルス及び負パルスを含むか、または複数の電気パルスは、異なる振幅を有する正パルス及び負パルスを含む。実施形態では、細胞小器官は、核、ミトコンドリア、小胞体、液胞、リソソーム、または葉緑体である。
添付の図面は、本発明の実施形態のある特定の態様を示し、本発明を制限するために使用されるべきではない。明細書と合わせて、図面は、本発明のある特定の原理を説明するのに役立つ。
x及びy軸がメートルでの距離を示す、本発明に従ったアブレーション領域及び選択的処置領域を示す概略図である。 核膜内外電位に対する最適化されたパルス長及びパルス遅延の効果を示すグラフである。 健康な細胞及び癌細胞内の核膜内外電位に対する準最適なパルスの効果を示すグラフである。 非対称パルスによる遺伝子の電気泳動的転移を示す、概略図及び重ね合されたグラフである。 図5B〜5Gに対する重要な要素としての役割を果たす、2つの異なるサイズの核を有する細胞の概略図である。 低周波双極性正弦波信号を示すグラフである。 高周波双極性正弦波信号を示すグラフである。 図5Bの低周波調波と図5Cの高周波調波とを含む二峰性正弦波信号を示すグラフである。 図5Bの低周波双極性正弦波信号の結果としての、2つの異なるサイズの核を有する細胞の核膜内外電位を示すグラフである。 図5Cの高周波双極性正弦波信号の結果としての、2つの異なるサイズの核を有する細胞の核膜内外電位を示すグラフである。 図5Dの二峰性正弦波信号の結果としての、2つの異なるサイズの核を有する細胞の核膜内外電位を示すグラフである。 本発明の代表的なシステムの概略図である。 本発明の処置を実施するための代表的な制御コンピュータの概略図である。 過電流状態及び/または不足電流を検出するための要素を含む、図6のシステムに示される発生器の詳細を示す図である。 1000V/cmのパルス電界の影響下の1.0S/m溶液中に懸濁している細胞の膜内外電位(TMP)の数値シミュレーションの結果を示すグラフである。 膜内外電位(TMP)に対するパラメータ研究で使用されるパラメータ値を示す表である。 400V/cmの電界対周波数の下でのMDA−MB−231細胞についての定常状態の最大膜内外電位(TMP)を示すグラフである。赤い垂直線は、0.01S/mの導電性培地中のMDA−MB−231細胞の第1のクロスオーバ周波数を表す。 100kHz(図12A)及び1MHz(図12B)における1000V/cmの電界への膜内外電位(TMP)応答を示すグラフである。 100kHz(図12A)及び1MHz(図12B)における1000V/cmの電界への膜内外電位(TMP)応答を示すグラフである。 1000V/cmの電界への細胞の脂質二重層に対する過渡応答を示すグラフである。 1000V/cmの電界への細胞の過渡応答を示すグラフである。 0.5:1の核対細胞質比を有する細胞についての膜内外電位(TMP)及び核膜内外電位(nTMP)を示すグラフである。 パルス間のオフタイムが500ナノ秒に保持されるとき、パルス時間が核膜内外電位(nTMP)に対して有する効果を示すグラフである。 核膜内外電位(nTMP)に対するパルス遅延の効果を示すグラフである。 パルス形状が単一のパルス最大値を超えて核膜内外電位(nTMP)を増加させるように最適化され得ることを示すグラフであり、図18Aは、500ナノ秒オン、500ナノ秒オフのパルス療法の結果としてのnTMPを示す。 パルス形状が単一のパルス最大値を超えて核膜内外電位(nTMP)を増加させるように最適化され得ることを示すグラフであり、図18Bは、4マイクロ秒オン、500ナノ秒オフのパルス療法の結果としてのnTMPを示す。 核膜内外電位に対する核サイズの効果を示すグラフである。 正弦波信号に対して達成可能な定常状態の最大膜電位を示すグラフである。 図21B及び21Cに対する重要な要素としての役割を果たす、2つの異なるサイズの核を有する細胞の概略図である。 4000V/cmの電界強度を有する二峰性正弦波信号を印加する結果としての、2つの異なるサイズの核の細胞の核膜内外電位を示すグラフである。 5000V/cmの電界強度を有する二峰性正弦波信号を印加する結果としての、2つの異なるサイズの核の細胞の核膜内外電位を示すグラフである。 核電気穿孔法の選択的領域を示すグラフである。示される電界曲線は、4000V/cm(実線)及び5000V/cm(破線)である。 単一のサブマイクロ秒パルス波形を示すグラフである。 不可逆電気穿孔パルス列を作るために、200回繰り返される図23Aの単一のサブマイクロ秒パルス波形を示すグラフである。 処置の1時間後及び16時間後における1000V/cm、2000V/cm、及び4000V/cmのパルスに関する、細胞生存率に対する図23Bのパルス列の効果のグラフである。 パルス長の関数として、1500V/cmのパルスで処置された細胞の生存率を示すグラフである。 パルス長の関数として、3000V/cmのパルスで処置された細胞の生存率を示すグラフである。 パルス長の関数として、4000V/cmのパルスで処置された細胞の生存率を示すグラフである。 選択的標的化によるアブレーション増強を示す図であり、x及びy軸は、メートルでの距離を示し、アブレーション領域は白色で示され、選択的標的化増強の領域は、オレンジ色で示される(白黒の図中では灰色)。図27Aは、インビトロ値を使用した、1000Vのパルスの結果としてのこれらの領域を示す。 選択的標的化によるアブレーション増強を示す図であり、x及びy軸は、メートルでの距離を示し、アブレーション領域は白色で示され、選択的標的化増強の領域は、オレンジ色で示される(白黒の図中では灰色)。図27Bは、同等のインビボ閾値を使用した、1000Vのパルスの結果としてのこれらの領域を示す。 数値解析で使用されるパラメータを示す表である。 実施例2で使用される実験準備の概略図である。100uLの細胞懸濁液を2mmの電気穿孔キュベットに添加した。差し込み図は、細胞膜及び核膜をシミュレーションするために使用されるメッシュを表す。 実施例2の全ての実験に使用されるプロトコルを表す正極性及び負極性パルスの循環を含む、実験的バーストの概略図である。 時間、t/μsの関数として、印加電圧、U/kV、iをプロットする、実施例2の実験を使用した異なる長さのパルスの例示的な波形を示すグラフである。各バーストは、50μsが各極性で電圧印加されて、100μsの合計オン時間を有する。250ns(図30A)の構成的パルスを有するバーストからの代表的なセグメント。 時間、t/μsの関数として、印加電圧、U/kV、iをプロットする、実施例2の実験を使用した異なる長さのパルスの例示的な波形を示すグラフである。各バーストは、50μsが各極性で電圧印加されて、100μsの合計オン時間を有する。1μs(図30B)の構成的パルスを有するバーストからの代表的なセグメント。 時間、t/μsの関数として、印加電圧、U/kV、iをプロットする、実施例2の実験を使用した異なる長さのパルスの例示的な波形を示すグラフである。各バーストは、50μsが各極性で電圧印加されて、100μsの合計オン時間を有する。5μs(図30C)の構成的パルスを有するバーストからの代表的なセグメント。 有限要素シミュレーションの結果を示すグラフである。印加された電界、E/(kV/cm)、細胞膜にわたる電圧降下、Um/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。図31Aは、50nsの立ち上がり及び立ち下がり時間を有する双極性方形波が、細胞膜(Um)及び(図31C)核膜(Un)の最大(図31B)膜内外電位をシミュレーションするために使用したことを示す。 有限要素シミュレーションの結果を示すグラフである。印加された電界、E/(kV/cm)、細胞膜にわたる電圧降下、Um/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。図31Aは、50nsの立ち上がり及び立ち下がり時間を有する双極性方形波が、細胞膜(Um)及び(図31C)核膜(Un)の最大(図31B)膜内外電位をシミュレーションするために使用したことを示す。 有限要素シミュレーションの結果を示すグラフである。印加された電界、E/(kV/cm)、細胞膜にわたる電圧降下、Um/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。図31Aは、50nsの立ち上がり及び立ち下がり時間を有する双極性方形波が、細胞膜(Um)及び(図31C)核膜(Un)の最大(図31B)膜内外電位をシミュレーションするために使用したことを示す。 細胞膜電位に対するパラメータ解析の結果を示すグラフである。細胞膜にわたる電圧降下、Um/V及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。(図32A)パルス幅、(図32B)培地導電率、(図32C)パルス間遅延時間を変化させる効果が示される。破線は、細胞膜の膜内外電位(Um)を表し、実線は、核膜の膜内外電位(Un)を表す。Um及びUnに対する軸が異なる目盛りを有することに留意されたい。 細胞膜電位に対するパラメータ解析の結果を示すグラフである。細胞膜にわたる電圧降下、Um/V及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。(図32A)パルス幅、(図32B)培地導電率、(図32C)パルス間遅延時間を変化させる効果が示される。破線は、細胞膜の膜内外電位(Um)を表し、実線は、核膜の膜内外電位(Un)を表す。Um及びUnに対する軸が異なる目盛りを有することに留意されたい。 細胞膜電位に対するパラメータ解析の結果を示すグラフである。細胞膜にわたる電圧降下、Um/V及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。(図32A)パルス幅、(図32B)培地導電率、(図32C)パルス間遅延時間を変化させる効果が示される。破線は、細胞膜の膜内外電位(Um)を表し、実線は、核膜の膜内外電位(Un)を表す。Um及びUnに対する軸が異なる目盛りを有することに留意されたい。 細胞特性パラメータ解析を示すグラフである。細胞膜にわたる電圧降下、Um/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。(図33A)核−細胞質比、(図33B)細胞質導電率、及び(図33C)細胞膜誘電率を変化させる効果が示される。良性及び癌性細胞の細胞膜にわたる電圧降下、Um/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vが、図33D及び33Eに示される。Um及びUnに対する軸が異なる目盛りを有することに留意されたい。 細胞特性パラメータ解析を示すグラフである。細胞膜にわたる電圧降下、Um/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。(図33A)核−細胞質比、(図33B)細胞質導電率、及び(図33C)細胞膜誘電率を変化させる効果が示される。良性及び癌性細胞の細胞膜にわたる電圧降下、Um/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vが、図33D及び33Eに示される。Um及びUnに対する軸が異なる目盛りを有することに留意されたい。 細胞特性パラメータ解析を示すグラフである。細胞膜にわたる電圧降下、Um/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。(図33A)核−細胞質比、(図33B)細胞質導電率、及び(図33C)細胞膜誘電率を変化させる効果が示される。良性及び癌性細胞の細胞膜にわたる電圧降下、Um/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vが、図33D及び33Eに示される。Um及びUnに対する軸が異なる目盛りを有することに留意されたい。 細胞特性パラメータ解析を示すグラフである。細胞膜にわたる電圧降下、Um/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。(図33A)核−細胞質比、(図33B)細胞質導電率、及び(図33C)細胞膜誘電率を変化させる効果が示される。良性及び癌性細胞の細胞膜にわたる電圧降下、Um/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vが、図33D及び33Eに示される。Um及びUnに対する軸が異なる目盛りを有することに留意されたい。 細胞特性パラメータ解析を示すグラフである。細胞膜にわたる電圧降下、Um/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。(図33A)核−細胞質比、(図33B)細胞質導電率、及び(図33C)細胞膜誘電率を変化させる効果が示される。良性及び癌性細胞の細胞膜にわたる電圧降下、Um/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vが、図33D及び33Eに示される。Um及びUnに対する軸が異なる目盛りを有することに留意されたい。 250ns及び1μsの実験的パルスによる膜電位のシミュレーションを示すグラフである。印加された電界、E/(kV/cm)、細胞膜にわたる電圧降下、U/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。図34Aは、1.5kV/cmの250nsのインパルスを示し、図34Bは、細胞膜(U)及び核膜(U)の得られる膜内外電位を示す。図34Cは、1.5kV/cmの1μsインパルスを示し、図34Dは、細胞膜(U)及び核膜(U)の得られる膜内外電位を示す。破線は、細胞膜の膜内外電位(U)を表し、実線は、核膜の膜内外電位(U)を表す。 250ns及び1μsの実験的パルスによる膜電位のシミュレーションを示すグラフである。印加された電界、E/(kV/cm)、細胞膜にわたる電圧降下、U/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。図34Aは、1.5kV/cmの250nsのインパルスを示し、図34Bは、細胞膜(U)及び核膜(U)の得られる膜内外電位を示す。図34Cは、1.5kV/cmの1μsインパルスを示し、図34Dは、細胞膜(U)及び核膜(U)の得られる膜内外電位を示す。破線は、細胞膜の膜内外電位(U)を表し、実線は、核膜の膜内外電位(U)を表す。 250ns及び1μsの実験的パルスによる膜電位のシミュレーションを示すグラフである。印加された電界、E/(kV/cm)、細胞膜にわたる電圧降下、U/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。図34Aは、1.5kV/cmの250nsのインパルスを示し、図34Bは、細胞膜(U)及び核膜(U)の得られる膜内外電位を示す。図34Cは、1.5kV/cmの1μsインパルスを示し、図34Dは、細胞膜(U)及び核膜(U)の得られる膜内外電位を示す。破線は、細胞膜の膜内外電位(U)を表し、実線は、核膜の膜内外電位(U)を表す。 250ns及び1μsの実験的パルスによる膜電位のシミュレーションを示すグラフである。印加された電界、E/(kV/cm)、細胞膜にわたる電圧降下、U/V、及び核膜にわたる電圧降下、Un/Vは、時間、t/μsの関数として示される。図34Aは、1.5kV/cmの250nsのインパルスを示し、図34Bは、細胞膜(U)及び核膜(U)の得られる膜内外電位を示す。図34Cは、1.5kV/cmの1μsインパルスを示し、図34Dは、細胞膜(U)及び核膜(U)の得られる膜内外電位を示す。破線は、細胞膜の膜内外電位(U)を表し、実線は、核膜の膜内外電位(U)を表す。 4000V/cmへの曝露中の培地温度の変化を示すグラフである。温度の変化、ΔT/Kは、時間の関数、t/sとして示される。50us及び250nsの構成的パルスを有するバーストは、同様の温度上昇をもたらした。ΔT=T−T基準であり、式中、T基準=20℃である。 細胞死が即時及び遅延機構によって生じることを示すグラフである。相対生存率、r生存率は、パルス幅、Δtp/μsの関数として示される。(図36A)1500V/cm、(図36B)3000V/cm、(図36C)4000V/cmのバーストへの曝露の1時間後及び24時間後の細胞の相対生存率。r生存率=生存/N合計は対照に正規化され、式中、Nは細胞の数である。全実験において、細胞を80回のバーストに曝露し、それぞれは、100μsの電圧印加時間を有する。エラーバーは、最低で3つ(n=3)の無作為化実験後の標準偏差を表す。星印(*)は、1〜24時間の時点の統計的有意性(α≦0.1)を示す。 細胞死が即時及び遅延機構によって生じることを示すグラフである。相対生存率、r生存率は、パルス幅、Δtp/μsの関数として示される。(図36A)1500V/cm、(図36B)3000V/cm、(図36C)4000V/cmのバーストへの曝露の1時間後及び24時間後の細胞の相対生存率。r生存率=生存/N合計は対照に正規化され、式中、Nは細胞の数である。全実験において、細胞を80回のバーストに曝露し、それぞれは、100μsの電圧印加時間を有する。エラーバーは、最低で3つ(n=3)の無作為化実験後の標準偏差を表す。星印(*)は、1〜24時間の時点の統計的有意性(α≦0.1)を示す。 細胞死が即時及び遅延機構によって生じることを示すグラフである。相対生存率、r生存率は、パルス幅、Δtp/μsの関数として示される。(図36A)1500V/cm、(図36B)3000V/cm、(図36C)4000V/cmのバーストへの曝露の1時間後及び24時間後の細胞の相対生存率。r生存率=生存/N合計は対照に正規化され、式中、Nは細胞の数である。全実験において、細胞を80回のバーストに曝露し、それぞれは、100μsの電圧印加時間を有する。エラーバーは、最低で3つ(n=3)の無作為化実験後の標準偏差を表す。星印(*)は、1〜24時間の時点の統計的有意性(α≦0.1)を示す。 バーストが、膜電位が臨界閾値を超える時間に対して累積的影響を有することを示すグラフであり、細胞膜または核膜が臨界閾値よりも大きい時間、t/μsは、パルス幅、Δt/μsの関数として示される。図37A、B、E、F、I、及びJは、細胞膜が1Vよりも大きい電位降下(U)を有する時間を表す。図37C、D、G、H、K、及びLは、核膜が0.5、0.75、または0.9Vよりも大きい電位降下(U)を有する時間を表す。 従来の単極性IREパルスを示す概略図である。 従来の高周波双極性バーストを示す概略図である。 3D組織模倣体に挿入される電極を有する実験準備を示す写真である。 交互パルス間に2μsの遅延を伴う、(図38D)2、(図38E)24、及び(図38F)50の双極性2μsパルスを含む、80回のバーストを用いた処置後の組織模倣体の生存[緑色]及び死滅[赤色]領域の画像である。図38Gは、交互パルス間に20msを有する50の双極性2μsパルスの拡散処置を示す。スケールバーは、2mmを表す。 交互パルス間に2μsの遅延を伴う、(図38D)2、(図38E)24、及び(図38F)50の双極性2μsパルスを含む、80回のバーストを用いた処置後の組織模倣体の生存[緑色]及び死滅[赤色]領域の画像である。図38Gは、交互パルス間に20msを有する50の双極性2μsパルスの拡散処置を示す。スケールバーは、2mmを表す。 交互パルス間に2μsの遅延を伴う、(図38D)2、(図38E)24、及び(図38F)50の双極性2μsパルスを含む、80回のバーストを用いた処置後の組織模倣体の生存[緑色]及び死滅[赤色]領域の画像である。図38Gは、交互パルス間に20msを有する50の双極性2μsパルスの拡散処置を示す。スケールバーは、2mmを表す。 交互パルス間に2μsの遅延を伴う、(図38D)2、(図38E)24、及び(図38F)50の双極性2μsパルスを含む、80回のバーストを用いた処置後の組織模倣体の生存[緑色]及び死滅[赤色]領域の画像である。図38Gは、交互パルス間に20msを有する50の双極性2μsパルスの拡散処置を示す。スケールバーは、2mmを表す。 組織模倣体実験的パラメータを示す表である。 2200V2sの用量に対する組織模倣体中のPPT細胞についての致死電界閾値を示すグラフである。図40Bは、1500V/cmを用いた処置後の培地懸濁液中のPPT細胞の相対生存率を示すグラフである。図40B中のデータは、Sano et al.2014からであり、図40A及びB中でラベル付けされたデータは、Arena et al.2012からである。図40Cは、実験的に測定され、数値的に予測される、組織模倣体の中心における温度プロファイルを示すグラフである。 以下の処置に対する致死電界閾値を示すグラフである。図41A:1処置当たり8または80回のバーストを有する、1バースト当たり540V及び100usの電圧印加時間。2及び50μs群は、双極性パルスを含み、100μs群は、単極性パルスを有した。 以下の処置に対する致死電界閾値を示すグラフである。図41B:1バースト当たり同等のエネルギーを有する、250、540、及び650Vにおける2μs群。図41C:1バースト当たり電圧印加される4、48、または100μsを有する、540Vにおける2μs群。図41D:inter−バースト遅延が1s[バースト]または20ms[拡散]であった、540Vにおける2μs群。図41B〜D:処置群は、80秒間、80回のバーストの処置を受けた[拡散群]。‡とラベル付けされたデータは、Arena et al.2012からである。 以下の処置に対する致死電界閾値を示すグラフである。図41B:1バースト当たり同等のエネルギーを有する、250、540、及び650Vにおける2μs群。図41C:1バースト当たり電圧印加される4、48、または100μsを有する、540Vにおける2μs群。図41D:inter−バースト遅延が1s[バースト]または20ms[拡散]であった、540Vにおける2μs群。図41B〜D:処置群は、80秒間、80回のバーストの処置を受けた[拡散群]。‡とラベル付けされたデータは、Arena et al.2012からである。 以下の処置に対する致死電界閾値を示すグラフである。図41B:1バースト当たり同等のエネルギーを有する、250、540、及び650Vにおける2μs群。図41C:1バースト当たり電圧印加される4、48、または100μsを有する、540Vにおける2μs群。図41D:inter−バースト遅延が1s[バースト]または20ms[拡散]であった、540Vにおける2μs群。図41B〜D:処置群は、80秒間、80回のバーストの処置を受けた[拡散群]。‡とラベル付けされたデータは、Arena et al.2012からである。 (図42A)シャム群に対する処置後の日数の関数としての腫瘍体積を示すグラフである。 (図42B)1μs群に対する処置後の日数の関数としての腫瘍体積を示すグラフである。 (図42C)2μs群に対する処置後の日数の関数としての腫瘍体積を示すグラフである。 (図42D)5μs群に対する処置後の日数の関数としての腫瘍体積を示すグラフである。 各処置群に対する全てのマウスにわたって平均化された腫瘍の体積を示すグラフである。 腫瘍に挿入される針を介して送達されるパルスを示す写真である。 即時の腫瘍白色化を示す写真であり、図43Cは、ほとんどの処置後に観察された24時間後の痂皮形成を示す写真である。 シャム群からの代表的なエンドポイント画像を示す写真である。図43E及び43Gは、5μs群からの代表的なエンドポイント画像を示す写真である。写真は、処置30日後の皮下腫瘍の存在及び非存在を示す。皮膚の表面上に書かれた数字は、組織準備中の組織配向に関する。 シャム群からの代表的なエンドポイント画像を示す写真である。図43E及び43Gは、5μs群からの代表的なエンドポイント画像を示す写真である。写真は、処置30日後の皮下腫瘍の存在及び非存在を示す。皮膚の表面上に書かれた数字は、組織準備中の組織配向に関する。 シャム群からの代表的なエンドポイント画像を示す写真である。図43E及び43Gは、5μs群からの代表的なエンドポイント画像を示す写真である。写真は、処置30日後の皮下腫瘍の存在及び非存在を示す。皮膚の表面上に書かれた数字は、組織準備中の組織配向に関する。 シャム群からの代表的なエンドポイント画像を示す写真である。図43E及び43Gは、5μs群からの代表的なエンドポイント画像を示す写真である。写真は、処置30日後の皮下腫瘍の存在及び非存在を示す。皮膚の表面上に書かれた数字は、組織準備中の組織配向に関する。 疑似マウス表皮(画像の上部)及び下層の腫瘍(画像の下部)を示す顕微鏡画像である。スケールバーは、250μmを表す。 処置されたマウス表皮(画像の上部)及び下層の筋肉組織(画像の下部)を示す顕微鏡画像である。スケールバーは、250μmを表す。 マウス腫瘍アブレーションのための処置マトリクスを示す表である。 IREが細胞サイズに依存する一方で、BEAMが細胞サイズに依存しないことを予測する、2個のパルス波形を使用した有限要素モデリングを示すグラフである。図45A:シミュレーションされた単極性100μs IRE波形及び双極性1μs BEAM波形。図45B:500V/cmを印加するIRE波形に曝露された2つの異なる細胞サイズに対する計算された細胞性TMP応答は、TMPサイズ依存性を示す。図45C:BEAMパルス波形応答は、500V/cmにおけるTMP細胞サイズ依存性を示さない。 IREが細胞サイズに依存する一方で、BEAMが細胞サイズに依存しないことを予測する、2個のパルス波形を使用した有限要素モデリングを示すグラフである。図45B:500V/cmを印加するIRE波形に曝露された2つの異なる細胞サイズに対する計算された細胞性TMP応答は、TMPサイズ依存性を示す。 IREが細胞サイズに依存する一方で、BEAMが細胞サイズに依存しないことを予測する、2個のパルス波形を使用した有限要素モデリングを示すグラフである。図45C:BEAMパルス波形応答は、500V/cmにおけるTMP細胞サイズ依存性を示さない。 ヒドロゲルプラットホーム内の電界及び熱的分布を予測するための有限要素モデルを示す図である。図46A:操作された3Dコラーゲンヒドロゲルは、細胞播種コラーゲン(0.2%または2%w/w)を、制御された形状のPDMSウェル内に添加することによって作製される。それらは、培養培地によって供給される栄養素を有する細胞培養条件下で、ウェルプレート中で保持される。 ヒドロゲルプラットホーム内の電界及び熱的分布を予測するための有限要素モデルを示す図である。図46B:組織模倣体内の電界分布を計算するために使用されるメッシュは、処置試験のための実験準備を示す。 ヒドロゲルプラットホーム内の電界及び熱的分布を予測するための有限要素モデルを示す図である。図46Cのd〜e:450V(図46Cのc)及び700V(図46Cのd)パルスがシミュレーションされるときの電界(V/cm)等高線。図46Cのe:処置直後の温度等高線(700Vの50パルス)は、室温よりも12℃の最大温度上昇を示す。図46Cのf:処置1分後の温度等高線は、細胞がIREまたはBEAMパルスの結果として、何の長期にわたる熱効果にも曝露されないことを確実にする。 細胞サイズ依存性IRE病変及び細胞サイズ非依存性BEAM病変を明らかにする、ECM調整ヒドロゲルを示す画像及びグラフである。図47A:変化した細胞形態及び全体的な細胞サイズは、ヒドロゲルマトリクスの密度を0.2%から2.0%のコラーゲンに変化させることに起因する(n=25、スケールバー20μm)。 細胞サイズ依存性IRE病変及び細胞サイズ非依存性BEAM病変を明らかにする、ECM調整ヒドロゲルを示す画像及びグラフである。図47B:0.2%コラーゲン中のより大きい細胞に対するIRE処置の比較は、2%コラーゲン中のより小さい細胞に対するよりも大きい病変、及びしたがって、より低い細胞死閾値を明らかにする(n=20、p<0.001)(スケールバー1mm)。 細胞サイズ依存性IRE病変及び細胞サイズ非依存性BEAM病変を明らかにする、ECM調整ヒドロゲルを示す画像及びグラフである。図47C:0.2%及び2%コラーゲン中のBEAM処置の比較は、細胞サイズの差にかかわらず、均一な病変、及びしたがって、同等の細胞死閾値を明らかにする。(n=20、p≧0.1)(スケールバー1mm)。(p≦0.0005(***)及びp≦0.0001(****))。 硬さが変化する一定の細胞形態が、IRE及びBEAMに対して同等の致死限界値をもたらすことを示す画像及びグラフである。図48A:アルギン酸塩の密度の変化は、細胞−ECM結合部位の欠如によって細胞形態を変化させず、処置に対する硬さの効果を分離することを可能にする(n=25)。 硬さが変化する一定の細胞形態が、IRE及びBEAMに対して同等の致死限界値をもたらすことを示す画像及びグラフである。図48B:IRE病変及び致死限界値は、同等の細胞形態に対する硬さの差にわたって同等である(n=20、p≧0.1)(スケールバー1mm)。 硬さが変化する一定の細胞形態が、IRE及びBEAMに対して同等の致死限界値をもたらすことを示す画像及びグラフである。図48C:BEAM病変及び致死限界値は、アルギン酸塩の硬さの差にわたって同等である(n=20、p≧0.1)(スケールバー1mm)。 IREで焼灼された正常及び腫瘍性イヌ脳組織の組織形態を示す顕微鏡画像である。a)内包の正常で未処置の大脳皮質灰白質(図49A)及び白質(図49C)。IREアブレーションは、神経細胞(図49B)及びグリア細胞死(図49B及びD)、ならびに空胞変性及び軸索消失(図49D)をもたらす。IREアブレーション前(図49E)及び後(図49F)の多形性膠芽腫の生検。IRE処置は、腫瘍及び間質細胞構築の破壊、ならびに腫瘍細胞死を引き起こす。全ての切片がヘマトキシリン及びエオシンで染色される。 IREで焼灼された正常及び腫瘍性イヌ脳組織の組織形態を示す顕微鏡画像である。a)内包の正常で未処置の大脳皮質灰白質(図49A)及び白質(図49C)。IREアブレーションは、神経細胞(図49B)及びグリア細胞死(図49B及びD)、ならびに空胞変性及び軸索消失(図49D)をもたらす。IREアブレーション前(図49E)及び後(図49F)の多形性膠芽腫の生検。IRE処置は、腫瘍及び間質細胞構築の破壊、ならびに腫瘍細胞死を引き起こす。全ての切片がヘマトキシリン及びエオシンで染色される。 IREで焼灼された正常及び腫瘍性イヌ脳組織の組織形態を示す顕微鏡画像である。a)内包の正常で未処置の大脳皮質灰白質(図49A)及び白質(図49C)。IREアブレーションは、神経細胞(図49B)及びグリア細胞死(図49B及びD)、ならびに空胞変性及び軸索消失(図49D)をもたらす。IREアブレーション前(図49E)及び後(図49F)の多形性膠芽腫の生検。IRE処置は、腫瘍及び間質細胞構築の破壊、ならびに腫瘍細胞死を引き起こす。全ての切片がヘマトキシリン及びエオシンで染色される。 IREで焼灼された正常及び腫瘍性イヌ脳組織の組織形態を示す顕微鏡画像である。a)内包の正常で未処置の大脳皮質灰白質(図49A)及び白質(図49C)。IREアブレーションは、神経細胞(図49B)及びグリア細胞死(図49B及びD)、ならびに空胞変性及び軸索消失(図49D)をもたらす。IREアブレーション前(図49E)及び後(図49F)の多形性膠芽腫の生検。IRE処置は、腫瘍及び間質細胞構築の破壊、ならびに腫瘍細胞死を引き起こす。全ての切片がヘマトキシリン及びエオシンで染色される。 IREで焼灼された正常及び腫瘍性イヌ脳組織の組織形態を示す顕微鏡画像である。a)内包の正常で未処置の大脳皮質灰白質(図49A)及び白質(図49C)。IREアブレーションは、神経細胞(図49B)及びグリア細胞死(図49B及びD)、ならびに空胞変性及び軸索消失(図49D)をもたらす。IREアブレーション前(図49E)及び後(図49F)の多形性膠芽腫の生検。IRE処置は、腫瘍及び間質細胞構築の破壊、ならびに腫瘍細胞死を引き起こす。全ての切片がヘマトキシリン及びエオシンで染色される。 IREで焼灼された正常及び腫瘍性イヌ脳組織の組織形態を示す顕微鏡画像である。a)内包の正常で未処置の大脳皮質灰白質(図49A)及び白質(図49C)。IREアブレーションは、神経細胞(図49B)及びグリア細胞死(図49B及びD)、ならびに空胞変性及び軸索消失(図49D)をもたらす。IREアブレーション前(図49E)及び後(図49F)の多形性膠芽腫の生検。IRE処置は、腫瘍及び間質細胞構築の破壊、ならびに腫瘍細胞死を引き起こす。全ての切片がヘマトキシリン及びエオシンで染色される。 IREパルスによって生成される電界の数値モデリングが、電界がパルス時間の短い持続時間にわたってのみ細胞内の細胞質に到達する一方で、電界の大部分が細胞膜周囲に集まる培地内で保持されることを予測することを示すグラフである。 電界分布の数値モデリングが、BEAMパルスによって生成される電界が、オンタイムのパルスの全持続時間にわたって、原形質膜を通って細胞質内に浸透することを予測することを示すグラフである。 U−87、NHA、C6、及びD1TNC1細胞のそれぞれの一連の蛍光画像であり、それらは、モデリングで使用されるための、及び実験的病変結果と相関するための、形状係数の決定を可能にする。 U−87、NHA、C6、及びD1TNC1細胞が全細胞面積(n=20)の有意差(p≧0.1)を示さないことを示すグラフである。 悪性のグリオーマ細胞(U−87及びC6)の核面積が、非悪性の星状細胞(NHA及びD1TNC1)に対してよりも大きいことを示すグラフである(n=20、p≦0.05(*)及びp≦0.005(**))。 IRE病変サイズが異なる細胞型にわたって有意差を有しないことを示す一連の画像である(n=10、p≧0.1)。 悪性のグリオーマ細胞(U−87及びC6)に対するBEAM病変サイズが、非悪性の星状細胞(NHA及びD1TNC1)よりも大きいことを示す一連の画像である(n=10)。 病変サイズを細胞死閾値と関連付けるCOMSOLモデリングが、異なる細胞型に対するIRE閾値間に有意差を示さず(n=10、p≧0.1)、IRE閾値が主に細胞サイズに依存するという仮説を確認することを示すグラフである。 悪性の細胞についての細胞死閾値が、BEAM処置を用いて正常な細胞よりも小さく、電界値の範囲が、健康な細胞を死滅させることなく、悪性の細胞を死滅させるということを規定することを示すグラフである(n=10、p≦0.0001(****))。 IRE処置に曝露される細胞が、5分の時間経過にわたって3Dヒドロゲル中で培養される細胞からの染色チューブリンの拡散を示し、パルスの結果としての細胞外膜の破壊を示唆することを示す一連の画像である。 BEAM処置に曝露される細胞が、核の急激な崩壊を示し、チューブリン染色が薄暗くなる一方で、それがIREの場合にあるように、元の細胞膜の外側で明確に拡散しないことを示す一連の画像である。これは、IREとBEAMとの間で核及び細胞の両方に対する異なる効果を示唆する。 いかなるパルスにも曝露されない細胞が、対照としての役割を果たして、5分の時間経過にわたって撮像からの光退色効果がないことを確実にすることを示す一連の画像である。 モデリングされたグリオーマ及び星状細胞についてのBEAM実験的致死限界値への予測されたTMP及びnTMP応答が、nTMP効果を示唆することを示すグラフである。図53A:所与の細胞型に対する、シミュレーションされたBEAM実験的致死電界閾値に曝露されたグリオーマ細胞及び星状細胞について、実験的形状を有するモデリングされた細胞が、応答におけるTMP増加の差を示す。 モデリングされたグリオーマ及び星状細胞についてのBEAM実験的致死限界値への予測されたTMP及びnTMP応答が、nTMP効果を示唆することを示すグラフである。図53B:所与の細胞型に対する、シミュレーションされたBEAM実験的致死電界閾値に曝露されたグリオーマ細胞及び星状細胞について、実験的形状を有するモデリングされた細胞が、応答のTMP増加の差を示す。応答における同様のnTMP増加を示し、細胞死を引き起こすnTMP増加に対する値を示唆する。 BEAM処置に対する印加された電界及びTMP(図54A〜B)、ならびにIRE処置に対する印加された電界及びTMP(図54C〜D)を示すグラフである。TMPプロット中、点線は、15umの直径を有する細胞を表し、実線は、10umの直径を有する細胞を表す。外膜にわたる最大TMPは、IRE中ほど、BEAM中に細胞サイズに依存しない。 BEAM処置に対する印加された電界及びTMP(図54A〜B)、ならびにIRE処置に対する印加された電界及びTMP(図54C〜D)を示すグラフである。TMPプロット中、点線は、15umの直径を有する細胞を表し、実線は、10umの直径を有する細胞を表す。外膜にわたる最大TMPは、IRE中ほど、BEAM中に細胞サイズに依存しない。 BEAM処置に対する印加された電界及びTMP(図54A〜B)、ならびにIRE処置に対する印加された電界及びTMP(図54C〜D)を示すグラフである。TMPプロット中、点線は、15umの直径を有する細胞を表し、実線は、10umの直径を有する細胞を表す。外膜にわたる最大TMPは、IRE中ほど、BEAM中に細胞サイズに依存しない。 BEAM処置に対する印加された電界及びTMP(図54A〜B)、ならびにIRE処置に対する印加された電界及びTMP(図54C〜D)を示すグラフである。TMPプロット中、点線は、15umの直径を有する細胞を表し、実線は、10umの直径を有する細胞を表す。外膜にわたる最大TMPは、IRE中ほど、BEAM中に細胞サイズに依存しない。
ここで、本発明の様々な例示的な実施形態を詳細に参照する。本明細書に記載され、かつ図面に示される実施形態は、例示目的のみであり、本発明の範囲を制限することを目的としていない。当業者が本発明の範囲及び趣旨内であると認識する変更が、本明細書及び添付の図面に記載される特定の実施形態に行われ得る。
本教示全体を通して、明示的または黙示的に、本明細書に開示または示唆される特徴及び/または構成要素のうちの全てが、当業者によって理解されるように、適切な時及び場合はいつでも、任意の組み合わせで実施及び/または実装され得る。本明細書に開示される様々な特徴及び/または構成要素は全て、基本的概念の例示であり、したがって、それらの実際の記載を制限しない。実質的に同じ機能を達成するための任意の手段が、予測できる代替物及び均等物と見なされ、したがって、書面により十分に記載され、かつ十分に使用可能である。本明細書に記載される様々な実施例、例示、及び実施形態は、決して、いかなる度合いまたは程度にも、本明細書に示される特許請求された発明の、及び本願に対する優先権を主張する任意の将来の出願における最も広い範囲を制限しない。
本発明者らは、高周波パルス電界が細胞内膜を標的化するように操作及び最適化され得るという驚くべき発見をした。より具体的には、高周波パルス電界を適用する特定のプロトコルが、核などの細胞小器官内の細胞の細胞内膜電位を増加させるために使用され得る。細胞内膜電位を標的化することによって、癌細胞は、健康な組織よりも選択的に標的化され得る。一実施形態では、高周波パルス電界は、腫瘍に適用されて、2つの処置領域、すなわち、アブレーション領域及び選択的処置領域を作る。アブレーション領域内では、健康な細胞及び癌細胞は、壊死細胞死によって死滅する。アブレーション領域外では、癌細胞のみが、細胞内小器官の膜電位の変化の結果としてのプログラム細胞死により死滅する一方で、健康な細胞は残される。したがって、細胞膜は、処置の主な標的ではなく、共鳴する追加の効果が核、ミトコンドリア、及び他の主要な膜結合細胞小器官などの細胞内構成要素を標的化する。実施形態では、これらの効果は、パルス長及び遅延時間の両方の最適化により達成される。例示的な実施形態では、パルス長が細胞膜の充電時間+核膜の放電時間にほぼ等しくなるように最適化される一方で、遅延時間は、細胞膜の充電時間にほぼ等しくなるように最適化される。実施形態では、遅延時間は、パルス長の分数である。
本発明の実施形態は、健康な細胞を保存する一方で、異常細胞の細胞死をもたらす、腫瘍辺縁を越えた電界強度の範囲を生成するように設計されるパルスを含む。腫瘍辺縁内で、電界強度は、全ての細胞型を死滅させるのに十分である。加えて、本発明の実施形態は、健康な細胞に影響を及ぼさない一方で、異常細胞の核透過性の増強をもたらす、腫瘍辺縁を越えた電界強度の範囲を生成するように設計されるパルスを含む。腫瘍辺縁内で、電界強度は、全ての細胞型の核透過性を増強するのに十分である。加えて、本発明の実施形態は、健康な細胞に影響を及ぼさない一方で、異常細胞の分裂を減速させる、または停止する、腫瘍辺縁を越えた電界強度の範囲を生成するように設計されるパルスを含む。腫瘍辺縁内で、電界強度は、全ての細胞型の増殖速度を減速させるのに十分である。加えて、本発明の実施形態は、健康な細胞に影響を及ぼさない一方で、転移を予防するために異常細胞の遊走を停止する、腫瘍辺縁を越えた電界強度の範囲を生成するように設計されるパルスを含む。腫瘍辺縁内で、電界強度は、全ての細胞型の遊走を停止するのに十分である。加えて、本発明の実施形態は、異常細胞への血液及び栄養素の輸送を防止する、腫瘍辺縁を越えた電界強度の範囲を生成するように設計されるパルスを含む。腫瘍辺縁内で、血液及び栄養素の輸送は、全ての細胞型に対して防止される。
実施形態では、腫瘍辺縁内で生成される電界強度は、健康な細胞を保存する一方で、異常細胞に選択的である。電界波形は、矩形パルス波、ランプ波、指数関数減衰波、または正弦波であってもよく、かつ単極性または双極性であってもよい。実施形態では、電界波形は、低周波成分/調波及び高周波成分/調波からなる重畳二峰性信号であってもよい。実施形態では、電界波形は、連続して、長時間のマイクロ秒オーダのパルスと交互になった短時間のナノ秒オーダのパルスからなってもよい。
実施形態では、波形は、非対称であり、透過性膜を通じて外因性物質、化学物質、DNA分子、またはナノ粒子を電気泳動的に駆動する。波形の搬送波周波数は、100kHz〜10MHzの範囲内であってもよい。実施形態では、波形の搬送波周波数またはパルス持続時間は、細胞集団のクロスオーバ周波数に基づき選択される。他の実施形態では、パルスは、選択性を可能にするように、標的化された処置領域内の細胞集団の誘電特性に基づき最適化される。他の実施形態では、パルスは、選択性を可能にするように、標的化された処置領域内の細胞集団の物理的な核対細胞質のサイズ比に基づき最適化される。他の実施形態では、パルスは、選択細胞集団内で電気融合を生成するように設計される。
他の実施形態では、パルスは、核膜及び外膜の膜内外電位の同時調節を生成するように設計される。所望の調節効果は、核及び外膜の両方の可逆電気穿孔を誘発し得る。あるいは、所望の調節効果は、外膜の可逆電気穿孔及び核膜の不可逆電気穿孔を誘発し得る。あるいは、所望の調節効果は、壊死及びアポトーシスの両方を誘発する。あるいは、所望の調節効果は、細胞分裂を減速させる、または停止する。あるいは、所望の調節効果は、浸潤性細胞の転位を予防することである。
本処置は、外部デバイスを使用して、1時間未満続く単一のセッションで適用されてもよい。本処置は、外部または埋め込み型デバイスを使用して、複数日にわたって適用されてもよい。パルス間の静止時間は、異常細胞を選択するための最適化ルーチンの一部として変更されてもよい。パルスは、必要とされる効果的な電界強度を低下させ、かつソリッドステート切り替えデバイスの使用を可能にするために、反復的な様式で送達され得る。
実施形態では、必要とされる効果的な電界強度は、約100〜10,000V/cmである。ソリッドステート切り替えデバイスは、マルチレベル、中性点クランプ形、またはカスケードHブリッジトポロジーで配列されてもよい。
本発明の実施形態は、健康な細胞を保存する一方で、細胞死をもたらし、異常細胞の増殖速度を減速させる、異常細胞の遊走を停止する、または異常細胞への血液及び栄養素の輸送を防止する、異常細胞増殖領域を越えた電界強度の範囲を生成するように設計される電気パルスを含み、異常細胞増殖領域内で、電界強度は、全ての細胞型を死滅させる、全ての細胞型の増殖速度を減速させる、全ての細胞型の遊走を停止する、または全ての細胞型への血液及び栄養素の輸送を防止するのに十分である。腫瘍辺縁内で、電界強度は、全ての細胞型の核透過性を増強するのに十分である。
本発明の実施形態は、対象の体内の異常細胞増殖領域内に、またはそれに隣接して導入されるように構成される少なくとも1つの電極と、電極に連結され、複数の電気パルスを印加して、健康な細胞を保存する一方で、異常細胞を死滅させる、異常細胞の増殖速度を減速させる、異常細胞の遊走を停止する、または異常細胞への血液及び栄養素の輸送を防止するように選択的な電界強度を有する、増殖領域内の電界を生成するように構成される、電圧パルス発生器とを備える、異常細胞増殖を患う対象を治療するシステムを含む。
本発明の実施形態は、対象の体内の異常増殖領域内に、またはそれに隣接して電極を埋め込むことと、複数の電気パルスを電極から異常細胞増殖領域内に放出させて、電界を生成することと、を含む、異常細胞増殖を患う対象を治療する方法を含み、異常細胞増殖領域内で生成される電界強度は、健康な細胞を保存する一方で、異常細胞を死滅させる、異常細胞の増殖速度を減速させる、異常細胞の遊走を停止する、または異常細胞への血液及び栄養素の輸送を防止するように選択的である。本方法の実施形態では、電界は、矩形パルス波、ランプ波、指数関数減衰波、または正弦波の単極性または双極性波形を有する。複数の電気パルスは、低周波成分及び高周波成分からなる重畳二峰性信号の形態をとってもよい。あるいは、複数の電気パルスは、連続して、長時間のマイクロ秒オーダのパルスと交互になった短時間のナノ秒オーダのパルスからなってもよい。本方法の実施形態では、複数の電気パルスの周波数は、100kHz〜10MHzの範囲内であってもよい。本方法の実施形態では、パルスは、非対称であり、透過性膜を通じて外因性物質、化学物質、DNA分子、またはナノ粒子を電気泳動的に駆動する。
本方法の実施形態では、必要とされる効果的な電界強度は、約100〜10,000V/cmである。パルスの搬送波周波数またはパルス持続時間は、細胞集団のクロスオーバ周波数に基づき選択されてもよい。あるいは、または加えて、パルスは、選択性を可能にするように、標的化された処置領域内の細胞集団の誘電特性または物理的な核対細胞質のサイズ比に基づき最適化されてもよい。本方法の実施形態では、パルスは、選択細胞集団内の電気融合を生成するように設計される。本方法の実施形態では、パルスは、核膜及び外膜の膜内外電位の同時調節を生成するように設計される。実施形態では、所望の調節効果は、外膜の可逆電気穿孔及び核膜の不可逆または可逆電気穿孔を誘発する。あるいは、または加えて、所望の調節効果は、壊死及びアポトーシスの両方を誘発する。
本方法の実施形態では、本処置は、外部デバイスまたは埋め込み型デバイスを使用して、少なくとも1つのセッションによって適用される。パルス間の静止時間は、異常細胞を選択するための最適化ルーチンの一部として変更されてもよい。実施形態では、パルスは、必要とされる効果的な電界強度を低下させ、かつソリッドステート切り替えデバイスの使用を可能にするために、反復的な様式で送達される。ソリッドステート切り替えデバイスは、マルチレベル、中性点クランプ形、またはカスケードHブリッジトポロジーで配列されてもよい。
実施形態では、本発明のパルス、システム、及び方法は、生物医学的癌または腫瘍処置に適用され得る。
以下の図面は、本発明をさらに例示する。図1は、本発明の例示的な二重処置領域を示す。2つの黒丸を包囲する白い内側部分は、一対の電極を包囲するアブレーション領域を表す。アブレーション領域内で、健康な細胞及び癌細胞の両方が壊死する。アブレーション領域の外周の外側のオレンジ色の領域(白黒の図中では灰色の領域)は、選択的処置領域を表し、そこでは、癌細胞は死滅し、健康な細胞は残される。二重処置領域は、核膜などの細胞内膜の膜電位を標的化する、本発明の最適化されたパルスパラメータに起因する。
図2は、核膜内外電位に対するパルスパラメータの最適化の効果を示す。図面に見られるように、パルス長の分数である双極性パルス間の短い遅延時間は、単一のパルスの核膜内外電位(単一のパルス最大値)を超える核膜内外電位の増加(最適化されたパルス最大値)をもたらす。
図3は、癌細胞及び健康な細胞の核膜内外電位(nTMP)が、準最適なパルスに異なって応答することを示す。図面に示されるように、癌細胞の核膜内外電位が致死限界値に達する一方で、健康な細胞の核膜内外電位は、癌細胞の核膜内外電位の何分の1かでしかない。理論に束縛されるものではないが、これらの差は、部分的に、癌細胞内の核のより大きいサイズによるものであり得る。実施形態では、変数は、培地、細胞質、及び核質ドメインのそれぞれに対するV培地、V細胞質、V核質として定義される。次いで、変数は、細胞膜(TMP)を(V培地−V細胞質)として、かつ核膜(nTMP)を(V細胞質−V核質)として計算するために定義される。
実施形態では、最適化されたパルスプロトコルは、細胞質と細胞内小器官との間の分子の輸送を増加させるために使用され得る。例えば、本発明の最適化されたパルスプロトコルは、電気遺伝子療法及び電気化学療法を増強し得る。加えて、非対称パルスは、電気泳動的転移を増強し得る。これは、図4に概略的に示される。
実施形態では、二峰性正弦波信号は、増幅効果を達成するために使用され得る。実際に、2つ、3つ、4つ、5つ、または6つの周波数成分を有する信号など、2つ以上の異なる周波数成分を有する任意の信号が使用され得る。例えば、図5Dは、2つの異なる周波数成分、第1の周波数成分(図5B)と、より高い第2の周波数成分(図5C)とを含む、二峰性正弦波信号を示し、核膜内外電位に対するそれらのそれぞれの効果は、図5E〜5Gに示される。図5Aは、異なる核サイズを有する2つの異なる細胞の膜内外電位がどのようにプロットされるのかを示す、図5E〜5Gに対する重要な要素であり、破線は、8マイクロメートルの直径の細胞を表し、実線は、6マイクロメートルの直径の細胞を表す。
加えて、本発明の実施形態は、本方法の1つ以上のステップを実施することが可能な1つ以上のシステムを含んでもよい。本発明の一実施形態は、図6及び7に示される。本発明で使用され得る代表的な構成要素は、図6に示される構成要素のうちの1つ以上を含むことができる。例えば、実施形態では、1つ以上のプローブ22は、処置エネルギーを送達するために使用され得、標的組織の組織細胞を不可逆的に電気穿孔することが可能なパルスなど、処置エネルギーとして高電圧パルスを発生させる電圧パルス発生器10によって電力供給される。示される実施形態では、電圧パルス発生器10は、個々のレセプタクルに差し込まれるように適合される最大で6つの個々のプローブ22を受容するための、6つの別々のレセプタクルを含む。レセプタクルはそれぞれ、順序通りの番号でラベル付けされる。他の実施形態では、電圧パルス発生器は、6つ超または未満のプローブを受容するための任意の数のレセプタクルを有することができる。
例えば、本発明に従った処置プロトコルは、複数の電極のうちの1つ以上を含み得る。所望の処置パターンに従って、複数の電極は、互いに対して様々な位置に配置され得る。特定の実施例では、複数の電極は、ほぼ中心においてなど、円の内部に配置される単一の電極を有する比較的円形のパターン内に配置され得る。電極の任意の構成が可能であり、配列は、円形である必要はないが、凸状または凹状の多角形形状を含む、任意の規則的または不規則的多角形形状を含む、任意の形状周辺部が、処置される範囲に応じて使用され得る。単一の中心に位置する電極が接地電極であってもよい一方で、複数の他の電極は、電圧印加され得る。任意の数の電極は、約1〜20など複数であってもよい。実際に、3つの電極でさえ、1つの接地電極が電圧印加されることが可能な2つの電極間に配置される、複数の電極を形成することができ、または4つの電極が、2つの電極対を提供する様式で配置され得る(各対は、1つの接地及び電圧印加されることが可能な1つの電極を含む)。処置中、処置方法は、例えば、同時に1つ以上の電極に電圧印加すること、及び/または順次に、交互パターンで、スキップパターンでなど、特定の配列の1つ以上の電極に電圧印加する、及び/または同時に全ての電極ではないが複数の電極に電圧印加することなど、任意の配列の電極に電圧印加することを伴い得る。
示される実施形態では、各プローブ22は、絶縁スリーブによって分離される2つの電極を有する、単極性電極または双極性電極のいずれかを含む。一実施形態では、プローブが単極性電極を含む場合、電極の活性部分の曝露の量は、電極に対して絶縁スリーブを後退または前進させることによって調節され得る。例えば、その全体が参照により本明細書に組み込まれる米国特許第7,344,533号を参照されたい。パルス発生器10は、キーボード12及びポインティングデバイス14などの入力デバイスと、安全マージン301によって包囲される病変300などの標的処置範囲の画像を見るための表示デバイス11などの出力デバイスとを有する、処置制御コンピュータ40に接続される。処置エネルギー送達デバイス22は、患者15内の病変300を処置するために使用される。撮像デバイス30は、リアルタイムで患者15内の病変300を見るためのモニタ31を含む。撮像デバイス30の例としては、当該技術分野において既知のような超音波、CT、MRI、及びX線透視デバイスが挙げられる。
本発明は、以下でより詳細に考察されるように、ユーザが医療処置手技を計画し、実行し、その結果を考察することを補助する、コンピュータソフトウェア(処置計画モジュール54)を含む。例えば、処置計画モジュール54は、ユーザが、最も効果的な処置領域を作り出す方法で、病変300と関連付けて処置エネルギー送達デバイス20のプローブ22のそれぞれをより正確に位置付けることを可能にすることによって、ユーザが医療処置手技を計画することを補助する。処置計画モジュール54は、プローブの位置及び処置パラメータに基づき、予想された処置領域を表示することができる。加えて、処置計画モジュール54は、ユーザがIREに対する1つ以上のパラメータを入力することを可能にするユーザインターフェースを有してもよい。
処置計画モジュール54は、リアルタイムで処置の進行を表示することができ、かつ処置手技が完了した後のその結果を表示することができる。この情報は、それが、例えば、処置が成功したかどうか、及び/または患者を再処置することが必要もしくは所望であるかどうかを決定するために、治療医師によって使用され得る様式で表示され得る。
本願の目的で、用語「コード」、「ソフトウェア」、「プログラム」、「アプリケーション」、「ソフトウェアコード」、「コンピュータ可読コード」、「ソフトウェアモジュール」、「モジュール」、及び「ソフトウェアプログラム」は、プロセッサによって実行可能であるソルトウェア命令を意味するようにほとんど同じ意味で使用される。「ユーザ」は、例えば、医師または他の利用専門家を含む、任意のヒトであってもよい。プロセッサによって実行される処置計画モジュール54は、発生器10と関連するモニタ11に、テキスト及びグラフィックデータを含む様々なデータを出力する。
ここで図7を参照すると、本発明の処置制御コンピュータ40は、患者のための処置の計画を管理する。コンピュータ40は、USB(ユニバーサル・シリアル・バス)インターフェースなどのI/Oインターフェース42を介して通信リンク52に接続され、通信リンク52上で電圧発生器10から情報を受信し、かつそこに情報を送信する。コンピュータ40は、全てバス53を介して互いに共通接続される、RAMなどのメモリ記憶44と、プロセッサ(CPU)46と、ROMまたはEEPROMなどのプログラム記憶装置48と、ハードディスクなどのデータ記憶装置50とを含む。プログラム記憶装置48は、とりわけ、処置を計画し、実行し、かつその結果を考察するときにユーザと相互作用する、ユーザインターフェースモジュールを含む、処置計画モジュール54を記憶する。プログラム記憶装置48内のソフトウェアプログラムモジュール及びデータ記憶装置50からのデータのいずれも、必要に応じてメモリ44に転送され、CPU46によって実行され得る。
実施形態では、ユーザインターフェースは、コンピュータ可読コードと併用され得るグラフィカルユーザインターフェースであってもよい。ユーザインターフェースは、ユーザが、IREのための処置プロトコルの設定において、処置計画モジュール54によって使用される1つ以上のパラメータを記録または入力することを可能にし得る。ユーザインターフェースは、テキストフィールド、チェックボックス、プルダウン、スライダ、コマンドボタンなどの入力を可能にし得る。この入力54に基づき、処置計画モジュール54は、標的組織のIREのための閾値電界、及びこの閾値電界を生成するのに十分な様式でIREを適用するための処置プロトコルの1つ以上のパラメータを計算することができる。
実施形態では、処置計画モジュール54は、実施際に記載されるような数値モデリング能力を提供する。モデルは、処置前に、様々なパルスパラメータの核及び細胞の膜内外電位をシミュレーションするために使用されてもよい。ユーザインターフェースは、図10の表に列挙されるパラメータ、ならびにパルス長、パルス間遅延、電界強度などに対する値のうちの1つ以上の入力を可能にし得、これらから、核及び細胞の膜内外電位のグラフ表示がプロットされ得る。加えて、処置計画モジュールは、パラメータのうちの1つ以上の入力に基づき、表示デバイス11上のアブレーション領域及び包囲する選択的処置領域の視覚化を可能にし得る。
一実施形態では、コンピュータ40は、電圧発生器10に内蔵される。別の実施形態では、コンピュータ40は、通信リンク52を介して電圧発生器に接続される分離ユニットである。好ましい実施形態では、通信リンク52は、USBリンクである。一実施形態では、撮像デバイス30は、コンピュータ40に接続されない独立型デバイスである。図6に示される実施形態では、コンピュータ40は、通信リンク53を介して撮像デバイス30に接続される。示されるように、通信リンク53は、USBリンクである。本実施形態では、コンピュータは、撮像デバイス30から受信される画像データなどのデータを解析することによって、病変300のサイズ及び配向を決定することができ、コンピュータ40は、この情報をモニタ11上に表示することができる。本実施形態では、撮像デバイス30によって生成される病変画像は、処置計画モジュール54を実行するコンピュータの表示デバイス(モニタ)11のグリッド(図示せず)上に直接表示され得る。本実施形態は、グリッド上の病変画像の正確な表示を提供し、グリッド上に病変画像を作るために病変の寸法を手動で入力するステップを排除し得る。本実施形態はまた、病変が不規則な形状を有する場合、病変画像の正確な表示を提供するのに有用である。
ソフトウェアがパルス発生器10から独立して使用され得ることが留意されるべきである。ユーザは、以下で説明されるように異なるコンピュータ上で処置を計画し、次いで、処置パラメータをUSBフラッシュドライブなどの外部メモリデバイス(図示せず)に保存することができる。任意の非一時的コンピュータ可読媒体が、特定の処置プロトコルのためのソフトウェア及び/またはソフトウェアの出力を格納するために使用され得る。次いで、処置パラメータに関するメモリデバイスからのデータは、処置のために発生器10と共に使用されるコンピュータ40上にダウンロードされ得る。加えて、ソフトウェアは、電気エネルギーを送達する処置をユーザに教育する目的で、アブレーションの領域、温度閾値またはカットオフ、及び電界閾値またはカットオフの仮説的な説明のために使用され得る。例えば、データは、特定のプロトコルを実行するためのデバイスにプログラミングされるよりもむしろ、特定の患者に対する好ましい処置プロトコルを決定または推定するために、ヒトによって評価され得る。処置プロトコルは、処置計画モジュール54によって計算されたIREを誘発するための最小電界閾値を生成するように設計され得る。
図8は、高電流、低電流、高電圧、または低電圧状態などの印加されたパルスの異常を検出するための回路の一実施形態を示す。この回路は、発生器10内に位置する(図6を参照されたい)。USB接続52は、ユーザコンピュータ40から制御装置71に命令を送信する。制御装置は、図2に示されるように、コンピュータ40と同様のコンピュータであってもよい。制御装置71は、プロセッサ、ASIC(特定用途向け集積回路)、マイクロコントローラ、またはワイヤードロジックを含むことができる。次いで、制御装置71は、パルス発生回路72に命令を送信する。パルス発生回路72は、パルスを発生させ、電気エネルギーをプローブに送信する。明確にするために、一対のプローブ/電極のみが示される。しかしながら、発生器10は、任意の数のプローブ/電極(例えば、6個などの1〜10個のプローブ)を収容し、アブレーション領域の形状をカスタマイズするために、同時に複数の電極に電圧印加することができる。示される実施形態では、パルスは、一度に一対の電極が印加され、次いで、別の対に切り替えられる。パルス発生回路72は、スイッチ、好ましくは、コンピュータ40から受信される命令に基づき、プローブの対を切り替える電子スイッチを含む。センサなどのセンサ73は、リアルタイムでプローブの各対の間の電流または電圧を検知し、そのような情報を制御装置71に通信することができ、制御装置71は、その情報をコンピュータ40に通信する。センサ73が高電流または低電流状態などの処置中の異常な状態を検出する場合、それは、制御装置71及びコンピュータ40と通信し、それによって、制御装置が信号をパルス発生回路72に送信して、その特定のプローブの対に対するパルスを中止し得る。処置計画モジュール54は、処置進行を追跡し、かつユーザに、低パルスもしくは不足パルスまたは過電流パルスに対して自動的に再処置する選択肢を提供する特徴をさらに含むことができる(以下の考察を参照されたい)。また、発生器が何らかの理由により途中で停止する場合、処置計画モジュール54は、それが終了した同じ時点で再開し、同じ処置の一部として不足している処置パルスを適用することができる。他の実施形態では、処置計画モジュール54は、処置中のある特定のエラーを検出することができ、それは、「充電故障」、「ハードウェア故障」、「高電流故障」、及び「低電流故障」を含むがこれらに限定されない。
電気穿孔法による望ましくない組織の破壊(アブレーション)のための一般的な処置プロトコルが既知である。それらは、望ましくない組織の付近に、かつ組織と、望ましくない組織の一領域または全範囲の全体にわたって細胞の不可逆電気穿孔を引き起こす電気パルスのアプリケーションとの間で良好に電気接触して、電気穿孔電極を挿入すること(担持すること)を伴う。膜が不可逆的透過されたであった細胞は、除去されてもよく、または原位置に残されても(除去されなくても)よく、したがって、身体の免疫系によって徐々に除去されてもよい。細胞死は、望ましくない範囲内に不可逆電気穿孔の電気パラメータを誘導することによってもたらされる。
電気穿孔プロトコルは、組織内に電界の生成をもたらし、電気パルスのジュール加熱によって影響を受ける。組織電気穿孔プロトコルを設計するとき、有害な熱効果を誘発することなく、組織透過性を最大化する適切な電気パラメータを決定することが重要である。組織の実質的な体積が、細胞への有害な熱効果を誘発することなく、可逆電気穿孔法で電気穿孔され得、これらの体積が定量化されていることが示されている(Davalos,R.V.,B.Rubinsky,and L.M.Mir,Theoretical analysis of the thermal effects during in vivo tissue electroporation.Bioelectrochemistry,2003.Vol.61(1−2):p.99−107)。
組織内で不可逆電気穿孔を誘発するために使用される電気パルスは、可逆電気穿孔に必要とされる電気パルスより大きさ及び持続時間が典型的には大きい。さらに、不可逆電気穿孔のためのパルスの持続時間及び強度は、細胞内電気操作または熱アブレーションなどの電気パルスを使用した他の方法とは異なる。方法は、細胞内(ナノ秒)電気操作が細胞死を引き起こす、例えば、腫瘍の組織を焼灼するために使用されるとき、または熱効果が細胞に損傷をもたらし、細胞死を引き起こすときでさえ、非常に異なる。
不可逆電気穿孔のためのパルス長に対する典型的な値は、約5マイクロ秒〜約62,000ミリ秒または約75マイクロ秒〜約20,000ミリ秒または約100マイクロ秒±10マイクロ秒の範囲内である。これは、細胞内(ナノ秒)電気操作において一般に使用されるパルス長より有意に長く、1マイクロ秒以下であり、米国公開特許出願第2002/0010491号を参照されたい。
パルスは、典型的には、組織によって経験される局所電界が不可逆電気穿孔に対して約100V/cm〜7,000V/cmまたは200V/cm〜2000V/cmまたは300V/cm〜1000V/cm、約600V/cmであるような電圧で適用される。これは、細胞内電気操作のために使用されるものよりも実質的に低く、約10,000V/cmであり、米国公開特許出願第2002/0010491号を参照されたい。
上記で表現される電圧は、電圧勾配(1センチメートル当たりの電圧)である。電極は、異なる形状及びサイズであってもよく、互いから異なる距離に位置付けられてもよい。形状は、円形、楕円形、正方形、矩形、または不規則などであってもよい。1つの電極からもう1つの電極への距離は、例えば、約0.5〜10cm、1〜5cm、または2〜3cmの範囲内であってもよい。電極は、例えば、0.1〜5平方cmまたは1〜2平方cmの表面積を有してもよい。
電極のサイズ、形状、及び距離は、変化することができ、そのようなものは、使用される電圧及びパルス持続時間を変化させ得る。当業者は、本開示に従ってパラメータを調節して、所望の程度の電気穿孔を得、周囲の細胞への熱損傷を回避する。
電気穿孔手技の効果を決定する主要な要因は、組織が曝露される電界である。しかしながら、IREプロトコルは、処置の毒性にも影響を及ぼし得る様々な電気パルスパラメータを有する。電界に加えて、これらは、パルス形状、パルス数、パルス長、及び反復率を含む。パルス中のIRE処置の熱効果は、組織の導電率及びそれが曝露される電圧の一次関数である。したがって、特定の組織の種類に対する熱効果を最小限に抑えることは、組織内の細胞を死滅させるために、最低限必要な電界、及びしたがって、印加電圧を見つけることによって行われ得る。
この目的で、本発明の実施形態に従ったパルスパラメータ及び電極構成は、以下のうちのいずれかの任意の組み合わせを含むことができる:約1μs〜1msの範囲内のパルス長;約1μs〜1msの範囲のパルス数;約5〜5,000V/cmに及ぶ各導電性ワイヤ対に対する、及び/または処置領域にわたる電界分布;約0.1〜約500mCの各導電性ワイヤ対によって、かつ/または処置領域にわたって送達される総電荷;約0.001〜100Hzの範囲のパルス印加の周波数;約0〜100MHzの範囲のパルス信号の周波数;現在好ましいパルス形状は二相性DCパルスであるが、方形波、指数関数減衰波、のこぎり波、正弦波、または交互極性であるパルス形状、正、負、及び中性電荷パルス(パルス内で極性を変化させる);約0〜約100アンペアの範囲の処置された組織内の得られる電流、1〜20個の電極及び/または導電性ワイヤ、約0.1mm〜約5cmの範囲の電極及び/または導電性ワイヤ分離距離;ならびに結果を特殊化/カスタマイズするために、電極を除去して、それらを組織内の異なる位置に置き換えること、または電極の数を変更することなど、同じ処置内で上記のパラメータのいずれかを変更することを含む、単一の処置のための複数の組のパルス/電極パラメータ。
実施形態では、処置プロトコルは、そのオーダでパルス間に遅延を伴う、約250ns〜50μsの範囲内のパルス長を採用することができる。約5μs〜約0.5ms、または約10μs〜約0.1ms、または約15μs〜約95μsなど、約1μs〜1msの範囲のパルス長もまた可能である。20μs、25μs、30μs、35μs、40μs、45μs、50μs、55μs、60μs、65μs、70μs、75μs、80μs、85μs、90μs、110μs、150μs、または200μsなどのパルス長もまた許容できる。いくつかの実施形態では、電気穿孔による療法のパルス持続時間は、100μsを超え得る。任意の長さのパルスまたはパルス列は、本発明に従った実施形態で適用され得る。例えば、10ピコ秒〜約10秒、または例えば、約100ピコ秒〜約1秒、または1ナノ秒〜100ミリ秒、または約10ナノ秒〜約10ミリ秒、または約100ナノ秒〜約1ミリ秒、または約1マイクロ秒もしくは10マイクロ秒〜約100マイクロ秒など、約1ピコ秒〜100秒のパルス長が使用され得る。いくつかの実施形態は、約110、もしくは120、もしくは130、もしくは140、もしくは150、もしくは200、もしくは300、もしくは350、もしくは400、もしくは500、もしくは600、もしくは700、もしくは800、もしくは900マイクロ秒、または約1、2、3、4、5、6、7、8、9、もしくは10ミリ秒、またはさらには15、20、30、40、50、60、70、80、90、もしくは100ミリ秒、またはさらには、例えば、約200、300、400、500、600、700、800、もしくは900ミリ秒からのパルス長など、約100マイクロ秒〜約1秒の範囲のパルス長を有してもよい。
例示的な実施形態では、パルスは、単極性または双極性であり、パルス長は、0.5、1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、20、30、40、50、60、70、80、及び90μs、またはこれらの値の間の任意の範囲を含む、約0.25マイクロ秒〜約100マイクロ秒の範囲であってもよい。
例示的な実施形態では、連続パルスは、単極性であるか、双極性であるかにかかわらず、0.2マイクロ秒、0.3マイクロ秒、0.4マイクロ秒、0.5マイクロ秒、0.6マイクロ秒、0.7マイクロ秒、0.8マイクロ秒、0.9マイクロ秒、1マイクロ秒、1.5マイクロ秒、2マイクロ秒、2.5マイクロ秒、3マイクロ秒、3.5マイクロ秒、4マイクロ秒、4.5マイクロ秒、5マイクロ秒、5.5マイクロ秒、6マイクロ秒、6.5マイクロ秒、7マイクロ秒、7.5マイクロ秒、8マイクロ秒、8.5マイクロ秒、9マイクロ秒、9.5マイクロ秒、10マイクロ秒、20マイクロ秒、30マイクロ秒、40マイクロ秒、50マイクロ秒、60マイクロ秒、70マイクロ秒、80マイクロ秒、90マイクロ秒、100マイクロ秒、120マイクロ秒、140マイクロ秒、160マイクロ秒、及び180マイクロ秒、またはこれらの値の間の任意の範囲を含む、約0.1マイクロ秒〜約200マイクロ秒のパルス間遅延を有してもよい。
例示的な実施形態では、パルス間遅延は、パルス長の1%、2%、3%、4%、5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、及び95%、またはこれらの値の間の任意の範囲を含む、パルス長の一部分である。例示的な実施形態では、パルス間遅延は、パルス長の1.1×、1.2×、1.3×、1.4×、1.5×、1.6×、1.7×、1.8×、1.9×、2.0×、2.2×、2.4×、2.6×、2.8×、3.0×、3.2×、3.4×、3.6×、3.8×、4.0×、4.2×、4.4×、4.6×、4.8×、5.0×、5.5×、6.0×、6.5×、7.0×、7.5×、8.5×、9.0×、9.5×、及び10.0×、またはこれらの値の間の任意の範囲を含み、パルス長を超える。
パルス数は、例えば、5〜5,000、または約10〜2,000、または約20〜1,000、または約30〜500、または約50〜200、または約75〜150、または約90〜120、または約95〜110、または約100個のパルスに及び得る。他の実施形態によると、パルス数は、約10〜約350パルスなどの約5〜約400パルス、または例えば、約20〜約250パルスを含む、約15〜約300パルス、または約30〜約150パルス、例えば、約50〜約125パルス、約75〜約175パルスなどの約25〜約200パルス、または約100パルスなどの約90〜110パルスに及び得る。
典型的には、各導電性ワイヤ対に対する、及びIREのための処置領域にわたる電界分布は、例えば、1500V/cm〜2000V/cm、2000V/cm〜3000V/cm、3000V/cm〜4000V/cm、2000V/cm〜4000V/cm、2500V/cm〜4000V/cmなどを含む、1500V/cm〜4,000V/cmの範囲の電圧を使用して実施される。約1500V/cm未満を使用することを含む、はるかに低い電力の電圧もまた使用され得る。約500V/cm〜1000V/cm、もしくはさらには約50V/cm〜約200V/cmなどの約10V/cm〜約750V/cmの印加電界、または約75V/cm〜約100V/cmの電界分布が使用され得る。例えば、脳腫瘍の処置において、典型的には、1000V/cm未満の印加電界が使用され得る。使用され得る電気パルス発生器は、例えば、0〜3,000Vを送達することができる、AngioDynamics(登録商標)のNanoKnife(登録商標)システムなど、0〜約5,000Vを送達することが可能である電気パルス発生器を含む。
別の実施形態では、電気穿孔による療法のパルスの振幅は、約2200V/cm、または約3000V/cmなどの2500V/cm、または3500V/cm、または4500V/cmなどの約4000V/cm、または約5500V/cmなどの約5000V/cm、または約6000V/cm、または約7000V/cmなどの約6500V/cm、または8000V/cmなどの約7500V/cm、または9000V/cmを含む約8500V/cm、または約10,000V/cmなどの約9500V/cmなどの振幅を含み、2000V/cmを超える。本明細書の文脈における振幅は、電気パルスを使用して印加され、かつパルスが正または負のいずれかの極性であり得る、電気エネルギーの大きさを指す。
本発明の方法によると、パルスのサイクル時間は、概して約1Hzに設定される。さらに、隣接する電極の交互極性が、電荷蓄積を最小限に抑え、より均一な処置領域を提供することがわかっている。より具体的には、本発明者らによって実施された実験において、ステンレス鋼電極表面上の電荷蓄積を防止するために、組間に交互極性を有する、9組の10の50μsパルス(電圧対距離比2000V/cm)を送達することによって、NanoKnife(登録商標)(Angiodynamics,Queensbury,N.Y.)発生器、先端が丸い双極性電極(Angiodynamics,No.204002XX)を使用して、側頭葉の頭側(シルヴィウス外回)に表在性局所焼灼IRE病変を作った。イヌの脳に対するエクスビボの実験から、これらのパラメータを決定し、手技中に送達される電荷が、電気けいれん療法(大鬱病のためのFDA承認治療)中にヒトの脳に送達される電荷よりも低いことを確実にした。脳への過剰な電荷送達は、記憶喪失を誘発する可能性があり、したがって、好ましくは回避される。
特定の方法の実施形態は、例えば、約10Hz〜20GHzなどの約1Hz〜20GHz、または約50Hz〜500Hz、または100Hz〜1kHz、または10kHz〜100kHz、または250kHz〜10MHz、または900kHz〜2MHzなどの500kHz〜1MHz、または約200MHz〜約15GHzを含む約100MHz〜約10GHzなどのパルス速度を使用して、電気穿孔による療法を適用することを採用してもよい。例示的な実施形態では、パルス速度は、100kHz〜10MHzである。
好ましい実施形態では、約1mC〜約20mC、または約1.5mC〜約15mC、または約2mC〜約10mC、または約5mC〜約8mCなどの、各導電性ワイヤ対によって、かつ/または約0.5〜約25mCの処置領域わたって送達される総電荷が使用され得る。同様に、好ましい実施形態では、処置された組織内の得られる電流は、例えば、4Aなど、約1A〜約8A、または約2A〜約6A、または約3A〜約5Aに及び得る。実際に、ある特定の用途に対して、送達される総電荷は、約10mC〜約200mC、または約15mC〜約150mC、または約20mC〜約100mC、または約50mC〜約80mCなど、約0.5〜約500mCに及び得る。処置された組織内の得られる電流は、例えば、40Aなど、約1A〜約80A、または約20A〜約60A、または約30A〜約50Aに及び得る。IRE処置のための電流が40及び50アンペアに達するか、またはそれを超えることは珍しくはなく、同様にそのような条件下で動作することが可能なパルス発生器を用いて、さらに高い電流下で動作することがさらに実現可能である。電流は、ある特定の用途において、特に、血管中に存在する血液など、組織または培地が高導電性である範囲内で動作するとき、高くなることが予測される。組織内のパルス幅、パルス形状、パルス数、及び得られる電流は、総電荷を制限するための特定の目標を達成するように調節され得、本明細書に開示される特定の値のいずれかが、目標の予測電荷を計算するために使用され得る。
任意の数の導電性ワイヤまたは電極が使用され得る。しかしながら、好ましい実施形態では、3〜16、または約3〜15、または4〜12、または5〜10、または6〜8など、3〜約18個の電極が使用される。電極/ワイヤのうちの任意の1つ以上が、特定の処置結果を達成するために、選択的に電圧印加され得る。さらに、導電性ワイヤ及び/または電極などの導電性表面間の分離距離は、約0.3mm〜約3mm、もしくは約0.4mm〜約2mm、もしくは約0.5mm〜約1mmの範囲などの約0.2mm〜約4mm、または約0.9mm〜約3cm、もしくは約1.2cm〜約2cm、もしくは約1.5cm〜約1.8cmなどの約0.8mm〜約4cmなどに及び得る。
本発明の実施形態で使用され得るプロトコルの追加のパラメータは、米国公開特許出願第US 2007/0043345号、同第2009/0269317号、同第2011/0106221号、同第2012/0109122号、同第2013/0184702号、同第2013/0345697号、同第2014/0039489号、及び同第2015/0088120号、ならびに米国特許第8,926,606号、同第8,992,517号、同第8,814,860号、同第8,465484号に提供され、それらのそれぞれの開示全体が、参照により本明細書に組み込まれる。
実施例
以下の実施例は、本発明をさらに説明するのに役立つ。
実施例1は、健康な組織を残す一方で、癌細胞内の細胞内効果を調節するように特に最適化されている高周波電界の1つ以上のバーストを使用する、二峰性増強アブレーション機構(BEAM)プラットフォームを示す。最適なバーストは、細胞膜の充電時間+核膜の放電時間にほぼ等しい持続時間を有する構成的パルスを含む。この新規の概念は、以下の項でさらに説明され、外部マーカの必要性はないが、医薬化合物に対する同様の特異性を有する、特定の癌の種類を標的化することに関する示唆がある。
実施例2は、高周波双極性バーストのインビトロ効果を示す。バースト内の個々のパルスは、極性が交互になった2μsで連続のパルスによって分離される。バーストは、1秒当たり1回を80秒間繰り返され、各バーストは、細胞を印加電圧に100μs曝露する。細胞膜及び細胞内小器官に対するこれらのパルスの効果を説明するために、本発明者らは、核膜を含む細胞の有限要素モデルを示す。脂質二重層及び核膜の電荷挙動は、250ns〜50μsのパルスへの応答で評価される。細胞内及び細胞外導電率、核対細胞質比、ならびにパルス間遅延時間に対して、パラメータ解析が実施される。インビトロ実験は、プロトコルの非熱性質を確認し、この中間のパルス幅範囲内の不可逆電気穿孔を説明するために示される。
実施例3では、本発明者らは、250ns〜100μsのパルス持続時間間隔を調査し、3D腫瘍模倣体を使用した特定の二峰性増強アブレーション機構(BEAM)プロトコルに対する致死電界強度を計算した。本発明者らは、0.25、0.5、1、2、5、10、及び50μsのパルスを含むバーストに対する公称致死限界値がそれぞれ、2022、1687、1070、755、640、629、及び531V/cmであったことがわかった。インビボでBEAMの有効性を調査するために、マウス腫瘍モデルを使用した。200回のバーストの腫瘍を曝露し、それぞれは、100μs電圧印加され、1、2、または5μsの持続時間の個々のパルスを含んだ。全ての処置群において、平均腫瘍増殖は、対照と対比して実質的に阻害された。14匹の処置されたマウス中6匹が、処置の30日後、腫瘍の測定可能な兆候がなく、全てのプロトコルは、完全な退縮を達成することができた。この研究は、BEAMが局所療法として使用される可能性を示し、より大きい前臨床モデルにおけるその調査の価値がある。
実施例4において、本発明者らは、細胞の電気破壊に基づく物理的処理方法を報告し、その作用は、細胞形態に強く依存する。興味深いことに、数値モデリングは、長いパルス(約100μs)によって誘発される外側の脂質二重層の破壊が、より大きい細胞に対して増強される一方で、短いパルス(約1μs)が細胞内部内に高い電界を優先的にもたらし、その大きさは核サイズに対応することを示唆する。拡大された核が悪性度の信頼性のある指標を示すため、これは、悪性の細胞を優先的に標的化するための一方法を示す。本発明者らは、自然発生イヌGBMを治療するための、パルス電界(PEF)を使用した正常な細胞及び悪性の細胞の両方の死滅を説明する一方で、適切に調整されたPEFが核サイズに基づく標的化アブレーションを提供するために使用され得る。処置試験中の高解像度照合を可能にする、正常な脳組織及び悪性の脳組織の3Dヒドロゲルモデルを使用して、本発明者らは、PEFが癌性細胞を優先的に死滅させるように調整され得ることを確認した。最後に、本発明者らは、PEFから細胞死に必要な核膜電位破壊を推定した。結果は、GBM腫瘍の再発を引き起こす療法抵抗性細胞ニッチを安全に標的化するのに有用であり得る。
実施例1
懸濁液中の細胞の数値モデルをComsol 4.2aで作った。2つのスキームを使用して、膜被覆球として細胞をモデリングした。第1のモデルにおいて、試料流体(細胞の外部)、細胞膜、及び細胞質(細胞の内部)を表す、個々のドメインを作った。細胞膜を表す5nm厚の球形シェルドメインは、デフォルトメッシュパラメータへの有意な修正を必要とし、多数の四面体要素をもたらした。簡潔に、全体的な形状に「極めて粗い」の定義済みの密度を有する単一のメッシュを割り当てた。次いで、817,184個の四面体要素を有する形状をうまくメッシュするために、デフォルトパラメータに対する値を、最小要素サイズ(0.00025)、最大要素増加率(1.2)、曲率の解像度(0.04)、及び狭領域の解像度(0.0001)に対して変化させた。クアッドコア3.0GHzプロセッサ及び8GBのRAMを有するコンピュータは、1,092,902の自由度を有する14μsの過渡モデルを解決するために、15時間の計算時間を必要とした(図9に示される結果)。このモデルは、推定上、最も正確なアプローチであり、0.01〜10S/mの導電率に対するTMPの周波数、正弦波、及びパルス応答を計算するために使用した。しかしながら、計算コストが高く、膜内外電位の解析を細胞外膜に限定した。
双極性方形波のバーストの効果及び核膜に対する効果をモデリングするために、より効率的なインピーダンス境界条件モデルを使用した。この方法において、立方体ドメインは、実験的培地を表し、2つの球体は、細胞質及び核質のそれぞれに対するドメインを表した。各ドメインに対して、別々の電流物理学モジュールを使用し、従属電圧変数を培地、細胞質、及び核質ドメインのそれぞれに対して、V培地、V細胞質、V核質と定義した。次いで、細胞膜(TMP)及び核膜(nTMP)を(V培地−細胞質)及び(V細胞質−核質)のそれぞれとして計算するために、変数を定義した。電流モジュールにおいて、膜を表す境界を、隣接ドメイン中の電圧として規定される基準電圧を有するインピーダンス境界条件として定義した。培地ドメインにおいて、細胞膜を表す境界を、V細胞質の基準電圧を有するインピーダンス境界として定義した。層仕様を「薄層」として定義し、導電率、比誘電率、及び表面厚さを、図10の表に示される値を使用して定義した。
インピーダンス境界条件モデルにおいて、メッシュを、17,825個の四面体要素をもたらす「通常」サイズの要素を有する単一のフリー四面体群として定義した。このモデルの予備研究において、追加のメッシュ細分化ステップ(細分化の数=2)もとった。細分化を用いて、同じ14μsシミュレーションのこの計算を、27分で完了した。細分化なしでは、計算時間をさらに14分まで低減した。物理的境界モデルと比較して、両方のインピーダンス境界構成が同様の結果を十分に再現した。細分化されていないインピーダンス境界条件モデルを使用して、残りのパラメータ研究を実施した。
解析モデリング
電気穿孔法に対する二峰性正弦波の効果を調査するために、求心性の核を有する球状細胞に対する周波数ドメイン中のラプラス方程式を解いた解析モデルを実施した(Yao,C.G.,et al.,Study of transmembrane potentials of inner and outer membranes induced by pulsed−electric−field model and simulation.IEEE Trans Plasma Sci,2007.35(5):p.1541−1549)。各細胞領域を誘電率及び導電率の両方によって特徴付け、周波数でのTMP及びnTMP計算精度がMHz範囲であることを確実にする。簡潔に、時間ドメイン中の低周波(250kHz)及び高周波(1MHz)電界を統合し、ラプラス変換をとることによって信号を周波数ドメインに変換し、信号に細胞の幾何学及び誘電特性を表す伝達関数を掛け(Kotnik,T.and D.Miklavcic,Theoretical evaluation of voltage inducement on internal membranes of biological cells exposed to electric fields.Biophysical Journal,2006.90(2):p.480−491)、逆ラプラス変換をとることによって結果を時間ドメインに変換して戻すことによって、解を得た。最適化されたバーストの臨床的有用性を示すために、標準的な技術に従って、無限組織ドメイン中の2つの針電極(φ1mm)に対して、ラプラス方程式を解いた。電極を0.1cm離間し、印加電圧を20kVに設定した。
細胞調製及び実験
MDA−MB−231ヒト乳癌細胞を、2.5×10細胞/mLの濃度で、0.1S/mの導電率を有する緩衝液中に懸濁させた。各極性において1000Vピークを送達することが可能なカスタムパルス発生システムを使用して、1mmまたは2mm電気穿孔キュベット中で、細胞懸濁液にわたって約1000、2000、及び4000V/cmの電界強度を作った。MDA−MB−231細胞を、1Hzの反復率で、図14(上部及び中央)に示される、1.8μsの不感時間によって分離される700ns幅の200の双極性方形波パルスからなる90回のバーストに曝露した。細胞生存率を、Vi−Cell細胞生存率分析装置(Beckman Coulter)を使用して、処置の1及び16時間後に評価した。16時間後の全生存率を、生存している処置された細胞対生存している未処置(シャム対照)細胞の比として定量化した。
0.2S/mの培地導電率で、5×10個の細胞/mLの濃度において、緩衝液中に懸濁したPPT8182マウス初代膵臓腫瘍細胞を用いて、追加の実験を実施した。100μLの細胞懸濁液を2mmギャップキュベットに添加し、各極性において50マイクロ秒(合計100μs)のオンタイムの80回のバーストを印加した。各バースト内で、個々のパルスは、逆極性において、パルスの終了と次のパルスの開始との間に2μsの遅延を伴う、250ns、500ns、1μs、2μs、5μs、10μs、または50μsのオンタイムを有した。細胞を、1500V/cm、3000V/cm、及び4000V/cmの大きさを有する電界に曝露した。
数値モデリング(外膜)
図11は、1Hz及び100MHzの間の周波数に対する、400V/cmの電界中のMDA−MB−231細胞に対する最大TMPを示す。DC及び低周波正弦波電圧は、平均化された電圧印加時間が細胞膜の充電時間よりもはるかに長いため、細胞膜のTMPの増加において非常に効果的である。結果として、400V/cmの低周波正弦波電圧に対して、TMPは、培地の導電率とは無関係に、上昇し、電気穿孔に対する閾値よりも大きい値で保持される。低導電率溶液中で、細胞膜はよりゆっくりと変化する。周波数が1kHzを超えて増加すると、電圧は、0.01S/mの緩衝液中で細胞膜を完全に充電するのに十分長い間オンではない。結果は、それらの細胞膜を有意に変化させることなく、細胞と相互作用するための最適な周波数範囲が、1kHzを超えると生じることを示す。100kHzを超えて動作するとき、非常に大きい大きさの電界がTMPを有意に増加させることなく使用され得る。
興味深いことに、以前の実験的観察(Sano,M.,J.Caldwell,and R.Davalos,A Low Frequency Contactless Dielectrophoresis Platform for Particle Isolation and Enrichment.2011:USA、Sano,M.B.,J.L.Caldwell,and R.V.Davalos,Modeling and Development of a Low Frequency Contactless Dielectrophoresis(cDEP)Platform to Sort Cancer Cells from Dilute Whole Blood Samples Biosensors&Bioelectronics,2011、及びSano,M.B.,et al.,Contactless Dielectrophoretic Spectroscopy:Examination of the Dielectric Properties of Cells Found in Blood.Electrophoresis,2011.DOI 10.1002/elps.2201100351)は、それらのクラウジウス−モソッティ係数の第1のクロスオーバ周波数未満の細胞のある程度の電気穿孔であるが、この周波数を超える最小電気穿孔を示した(すなわち、細胞は、負のDEPを受けながら電気穿孔されるが、正のDEPを受けるときは最小限の影響を受けた)。図11に示される結果の解析は、クロスオーバ周波数がTMP曲線上の−3dB点と配置されることを示す。これは、クロスオーバ周波数において、細胞が、より低い周波数において吸収されるエネルギーの約半分を吸収していることを示し、DEP及び電気穿孔効果への膜電気特徴の強い依存を示す。
培地の導電率が増加すると、細胞膜の充電時間は、培地導電率が1.0S/mに達するまで減少する。この閾値を超えて、培地導電率の増加は、TMP充電時間にわずかな影響を及ぼす。0.1S/mにおいて、−3dB周波数は、約100kHzまで到達されない。1.0及び10.0S/mにおいて、この周波数は、より高く約300kHzまでシフトされる。より高い導電率の緩衝液がインビトロ実験で使用される場合、周波数範囲はまた、細胞膜の損傷を回避するためにシフトされ得る。
図12A及び12Bは、100kHz及び1MHzのそれぞれの周波数における、1000V/cmの電界に対するTMPの時間依存充電を示す。100kHzにおいて、最大TMPは、培地導電率によってわずかに影響を受ける。0.01S/mにおいて、最大値のわずかな位相シフト及び減少が達成される。1MHzにおいて、TMPは、培地導電率によって大幅な影響を受ける。位相シフト及び減少は、0.01及び0.1S/m導電性培地に対して明らかである。この場合もやはり、これは、低導電性培地が脂質二重層電気穿孔に対する細胞へのある程度の保護を提供することを示す。生理学的基準を超える導電率(1.0S/m)を有する培地において、TMPは、適用された信号と共に有意に(かつ同相で)増加する。
図13及び14は、1000V/cmの大きさを有する2及び20μsのそれぞれのパルス電界へのTMP応答を示す。正弦波信号での結果から予想されるように、TMP増加率は、培地導電率に大きく依存する。最低培地導電率(0.01S/m)に対して、TMPがその最大値に達するのに20μsよりも長くかかる。この充電時間は、1.0S/m以上の導電率に対して約2μsまで減少する。これらの結果は、パルス電界によって引き起こされる指数関数的増加及び減少を示す。生理学的導電率のより遅い充電率は、電流が細胞の周囲よりもむしろ細胞を通って流れることを優先するためである。これは、細胞内構成要素に優先的に影響を及ぼすようにパルスパラメータを最適化する能力を強調する。
数値モデリング(核膜)
細胞がパルス電界に曝露されるとき、細胞膜の容量性の性質は、完全に充電されたときの細胞を通る電流の流れを遮断する。しかしながら、膜は、即座に充電することができず、イオン及び分子が再配列し、電流が細胞の細胞質を通って流れる短い時間がある。この変位電流は、核及び細胞小器官を包囲する膜の膜内外電位を増加させる。これらの細胞構成要素は、細胞よりもはるかに小さく、同じ電界内のそれらの理論的最大TMPは、それらの有効半径と直線的に減少する。加えて、完全に充電された細胞膜が細胞質を通る電流の流れを遮断すると、これらの内部膜は、TMP充電時間よりも短い期間にわたって充電することができる。
図15は、4μsのオンタイム及び2μsのオフタイムを有する双極性パルスに対する細胞及び核膜の充電特徴を示す。最初の500nsにわたって、電流は、細胞質を通って流れ、核膜内外電位(nTMP)は増加する。500ns後、細胞膜は、電流の流れを遮断し始め、nTMPは、ゼロに減衰して戻り始める。立ち上がりパルスがオフになると、細胞膜上の電荷は消失し始め、イオンの再配分は、電流を反対方向に流させ、逆極性において核膜を充電する。このプロセスは、パルスが極性を切り替えるときに反復する。全ての双極性パルスが、パターン++−−++を有するnTMPの4つの増加をもたらす。同じ極性における連続的nTMP増加のこのパターンは、達成可能な最大nTMP値を増加させるための最適なパルス構成が存在することを示唆する。
図16は、パルスオフタイムが500nsで一定に保持されるときのnTMPへのパルスオンタイムの影響を示す。第1の正のパルスの開始時に、nTMPは、それが減衰し始める前の最初の500nsで、最大で最大約0.35Vを充電する。第1のパルスの終了時、細胞質内の変位電流は、nTMPを強制的に負にする。負極性パルスの開始は、負の方向でnTMPの大きさをさらに増加させる。この相加効果は、第1の正のnTMPよりも大きさが大きい、負のnTMP値をもたらす。
非常に短いオンタイムパルスに対して、核膜は、正のパルスがゼロに戻る前に完全に放電していない。これは、達成可能な最大の負のnTMPを減少させる。500nsのオンタイムパルスに対して、第1の正のnTMPが0.35Vに達する一方で、第1の負のnTMPは、−0.47Vに達する。この効果は、正のパルスがオフにされる前に、ゼロに減衰して戻るのに十分長い時間、正のnTMPが与えられる場合に、さらに増強される。パルス長が3.5〜4μsに増加するとき、nTMPは、単一の単極性パルスによって達成される値のほぼ2倍の最大0.62Vの大きさに達する。図16は、パルスパラメータを慎重に調整することによって、印加された電界の大きさを増加させることなく、核膜内外電位が倍増され得ることを示す。
図17は、パルス間の遅延時間の効果を示す。第1の正のパルスの終了時、nTMPは減衰し、約250ns後、負になる。それは、ゼロに向かって減衰して戻る前に、第1の正のパルスの終了の約500ns後、その最大の負の値に達する。負のパルスが、nTMPがゼロに減衰して戻る前に開始される場合、得られるnTMPの増加は、単一の単極性パルスによって達成される増加よりも大きい。最大nTMP値は、パルス間の遅延が500nsであるときに達成される。この最適な時間は、細胞及び核膜に対するRC時定数に寄与する係数の組み合わせによる。図16及び17に示される結果は、パルス特徴が、高周波双極性パルスに対して達成可能な最大nTMPを増加させるように最適化され得ることを示す。
nTMPを最大化するために、最適なパルスオンタイムは、細胞膜の充電時間+核膜の放電時間に等しいように思われる。これは、nTMPが充電し、次いで、それがパルスの立ち下がりエッジにおいて強制的に負にされる前にゼロに戻ることを可能にする。同様に、最適なオフタイムは、細胞膜の充電時間にほぼ等しい。これは、ちょうど第2のパルスが開始されるとき、減衰することなく、その最大の逆極性値まで増加することを可能にする。
図18A及び18Bは、この最適化スキームに従う効果を示す。ほとんどの場合、双極性パルスの列の使用は、単一のパルス最大値を超えてnTMPを増加させる。500nsのオフタイムを有する500nsのパルス(図18A)に対して、第1のパルスnTMPは、約0.33Vである。パルスのバーストを使用して、この値は、0.44Vまで増加する。4μsのオンタイム及び500nsのオフタイムを有する最適化されたパルスの使用(図18B)は、最大nTMPをほぼ0.7Vまで増加させる。この最適化されたパルス構成は、システムに印加される電圧を増加させる必要なく、電界が核膜に対して有する効果を倍増する。
図19は、nTMPに対する核サイズの効果を示す。これは、最適化されたパルスプロトコルの選択性に関する示唆がある。典型的には、細胞が進行すると(正常→良性→悪性→転移性)、核対細胞質比は増加する。結果として、細胞は、最適化された双極性パルスプロトコルに対してより感受性が高くなる。これは、核対細胞質比の増加に伴うピークnTMPの増加によってわかる。臨床的に、これは、転移性、浸潤性癌細胞のみに影響を及ぼし、周囲の健康な細胞を残すアブレーションの領域につながり得る。この実施例は、図21A〜Cで強調される。別の実施形態では、これは、致死未満量での転移性細胞の選択的核導入を可能にし得る。
本発明の実施形態によると、核対細胞質比は、選択された種類の細胞の核面積及び細胞質面積を得て、面積の比を決定することによって決定され得る。核及び細胞質面積を得るための一方法は、組織などの処置される物質の生検を得て、選択された細胞の核面積及び細胞質面積を測定することである。次いで、選択された細胞に対して、核及び細胞質面積の比が決定され得る。処置プロトコルは、処置のための標的として選択された細胞及び他の非標的細胞の核対細胞質比間の差に基づき、最適化され得る。例えば、処置プロトコルは、他の細胞ではなくある特定の細胞を処置するか、または別様にそれに対して効果を有する様式で、電気パルスを印加するように設計され得る。処置パラメータは、ある特定の核対細胞質比またはそれ以上を有する標的細胞に対して所望の効果を有する(例えば、そのような細胞を死滅させる)が、標的細胞の核対細胞質比よりも低い核対細胞質比を有する細胞に対して効果がない(例えば、死滅させない)か、または異なる効果を有するように選択され得る。
図20は、100Hz〜1GHzの搬送波信号を有する信号に対する細胞膜及び核膜の相対的な定常状態の充電挙動を示す。低周波において、細胞膜は、完全に充電し、細胞内構成要素の定常状態の最大膜電位を軽減する。電界がより迅速に振動すると(周波数が増加すると)、細胞膜は、もはや単一のサイクル中に完全に充電することができない。これは、細胞内構成要素の膜がより長い持続時間充電することを可能にし、膜電位の増加をもたらす。約500kHzを超えると、核膜は、細胞膜よりも高い膜電位を生じる。周波数が100MHzを超えて増加すると、内部構成要素は、単一のサイクル中に効果的に充電できず、最大電位の減少をもたらす。これは、パルスが細胞内構成要素に対する効果を最大化する一方で、細胞膜への効果を最小限に抑えるように最適化され得る周波数帯域があることを示す。
解析モデリング
図21B〜Cは、異なる核対細胞質比を有する2つの細胞に関して、nTMPに対する二峰性正弦波の効果を示す。図21Aは、2つの異なる細胞の核膜内外電位がどのようにプロットされるのかを示す、図21B及び21Cに対する重要な要素である。本方法において言及されるように、適用された信号は、重畳された低周波(250kHz)及び高周波(1MHz)電界からなる。各個々の信号のピーク電界は、2000V/cmである。しかしながら、重畳される場合、2つの信号が同相であるとき、振動は最大で4000V/cm増加する。4000V/cmにおいて、より大きい核を有する細胞のみが核電気穿孔を受ける(点線)。より小さい核を有する細胞において同等のレベルの電気穿孔を達成するために、5000V/cmの電界が必要とされる。
上記の二峰性正弦波の臨床的有用性は、図22に示される。2つの針電極を0.1cm離間し、印加電圧を20kVに設定した。実線(5000V/cmの電界等高線)は、全ての細胞が処置によって影響を受ける領域の境界を示す。実線と破線(4000V/cmの等高線)との間の領域は、より大きい核対細胞質比を有する浸潤癌細胞のみが影響を受ける領域を表す。この領域内の健康な細胞は、影響を受けない。
実験結果
図23Cは、0.1S/mの緩衝液中の不可逆電気穿孔パルス列(図23B)を作るために、200回反復される700ns幅のパルスのバースト(図23A)に曝露されるMDA−MB−231細胞の生存率を示す。処置の1及び16時間後に、付着し、懸濁液に浮遊する細胞の数を、対照と比較することによって、生存率を評価した。1000V/cmにおいて、処置の直後及び16時間後、細胞の生存率に対して最小の効果があった。2000V/cm及び4000V/cmにおいて、生存率は、ウェルプレートに付着した細胞のみを考慮したとき、50%及び10%まで低減した。回外の検査は、4000V/cmに対して、細胞の細胞骨格ネットワークが損傷を受けたか、またはそれらが様々な段階のアポトーシスにあったという兆候である、ウェルプレート表面に付着しなかった細胞が多数あったことを明らかにした。
0.2S/mの導電率を有する培地中のPPT8182マウス膵臓癌細胞に対して、広範なパラメータ研究(図24〜26)を実施した。250ns〜50μsの幅を有するパルスからなる、100μsの合計オンタイムを有する80回のバーストを、1500V/cm(図24)、3000V/cm(図25)、及び4000V/cm(図26)の電界強度で送達した。1500V/cmにおいて、2μs以上のパルス幅は、24時間後に50パーセント未満まで全生存率を低減することが可能であった。5マイクロ秒以上のパルスに対して、24時間後の生存率は、有意に低減され、細胞が何らかの形態のアポトーシスまたは遅延細胞死を受けていたことを示す。3000V/cmにおいて、1μs以上のパルスは、細胞生存率を50パーセント未満低減し、2μs以上のパルスは、24時間後に細胞代謝活性の兆候をほぼ完全に排除した。4000V/cmにおいて、500ナノ秒のパルスは、1時間後の即時の細胞死(60%の生存率)及び24時間後の遅延細胞死(30%の生存率)を誘発するように思われる。これよりも大きいパルスは、1時間で即時の細胞死(<30%生存率)を、かつ24時間でさらなる遅延細胞死(<10%生存率)を誘発する。細胞生存率は、全電界強度に対して、250nsのパルス幅によってわずかに影響を受けた。
図24〜26の解析は、2μsよりも長いパルスを有するバーストに対して、1時間及び3000V/cmでの生存率が、24時間及び1500V/cmでの生存率に等しいことを示す。1及び2μsのパルスに対して、1時間及び4000V/cmでの生存率は、24時間及び3000V/cmでの生存率に等しい。インビボで印加されるとき、これは、浸潤性癌細胞が選択的に標的化される選択的標的化増強の領域をもたらす。図27Aは、インビトロ実験で構築された閾値に基づく、予想されるアブレーション及び増強を示す。選択的領域は、アブレーション領域よりも高さ及び幅が約2cm大きい楕円を掃引し、1cmの端内の浸潤性細胞が処置されることを示す。電界閾値が、インビボで観察される電界閾値の約3倍の減少に相当するように調節されるとき、より大きい体積であるが、同様の増強領域が達成される(図27B)。
結論
本発明者らは、印加された電界の周波数及び懸濁培地の導電率がTMPの蓄積において大きな役割を果たすことを示した。電気穿孔が望ましくない場合、最低導電率の生理学的に好適な緩衝液が使用されるべきである。0.01S/mにおいてでさえ、連続正弦波電圧がDCと約10kHzとの間に印加される場合、TMPは増加する。電気穿孔(可逆的及び不可逆的の両方)の程度は、電界強度が一定に保持される場合、この周波数を超えて有意に減少する。これは、細胞内構成要素に対する効果を最大化するための、印加された電界の時間的特性の有意な最適化を可能にする。
組織アブレーションの場合のように、電気穿孔が望ましくない場合、十分に導電性の培地内で動作することが有利でする。細胞膜に対する充電時間の数値解析は、1.0S/mが臨界導電率であることを示す。これを超えると、充電時間が有意に増加しない一方で、これ未満だと、細胞は、短パルスに対してその最大TMPに達しない可能性がある。しかしながら、生理学的組織は、典型的には、0.1〜0.7S/mの導電率を有する。その結果、短い持続時間のパルスは、細胞膜に対する効果を軽減する一方で、細胞内構成要素に対する効果を増強する。理論的に、500nsのオフタイムを有する4μsのパルスのバーストは、核膜内外電位に対する最大の効果をもたらし、高周波パルスの致死率をさらに増加させるのを促し得る。
細胞は、細胞を包囲する流体/培地との複雑な抵抗器−コンデンサ(RC)ネットワークを形成する。細胞膜のコンデンサ性質(C)は、細胞外物質の抵抗(R)と結合し、細胞膜がその理論的最大電位まで充電する速度を制限する。概して、より小さい細胞は、より小さい正味容量を有する。これは、それらがより大きい細胞よりも迅速に充電することを可能にする。この充電挙動は、細胞内細胞質を通る電流の流れを遮断する。組織体積中の最小細胞は、任意のパルス電界の最小の細胞内効果を受ける。同じサイズの非癌性細胞と比較したときでさえ、非常に転移性が高い細胞が、細胞膜の形態の変化によってより高い膜容量を有することが示されている。この生物物理学的変化の結果、浸潤性癌性細胞は、周囲の健康な細胞よりも大きい正味容量を示す。これは、浸潤性細胞の細胞膜の充電と関連するより長い時定数をもたらす。細胞膜充電におけるこのラグは、細胞内構成要素に対する電荷蓄積の増加をもたらし、核及び細胞小器官に対する増幅した電気穿孔効果をもたらす。
その結果、治療用電界は、組織内の癌性細胞のみが治療効果を受けるように、健康な細胞及び癌性細胞を含む組織体積に印加され得る。これは、薬物、遺伝子、もしくはタンパク質送達、またはアポトーシスカスケードの特定の誘発のための細胞内構成要素の選択的電気穿孔であってもよい。これらのパルスはまた、特定の体積の組織が不可逆電気穿孔を受け、追加の外部体積が標的化された癌細胞のみのアポトーシス誘導用量を受けるように設計され得る。この後のシナリオは、腫瘍を包囲する健康な組織に埋め込まれた、顕微鏡的疾病などの浸潤性細胞の選択的標的化を可能にする。
実施例2
方法
数値モデリング
インピーダンス境界条件スキームを使用して、COMSOL 4.2で、懸濁液中の細胞の数値モデルを作った(G.Pucihar,T.Kotnik,B.Valic,D.Miklavcic,Numerical determination of transmembrane voltage induced on irregularly shaped cells,Annals of Biomedical Engineering,34(2006)642−652)。解ドメインは、0.1mmの縁部長さを有する三次元立方体からなった。このドメインの中心において、細胞質及び核質を表す2つの球体を作った。解ドメイン内で、電流モジュールを使用して、以下の方程式について解き、
式中、Uは、電位であり、Eは、電界であり、Jは、電流密度であり、Qは、電流源である。1つの境界に時間依存電位を割り当てた。
対向する境界を相対接地として割り当てた。
残りの境界を電気絶縁として定義し、
式中、nは、表面の法線ベクトルであり、Jは、電流である。
各ドメイン(培地、細胞質、核質)に対して、別個の電流物理学モジュールを使用し、培地、細胞質、及び核質ドメインに対する従属電位変数U培地、U細胞質、U核質を、それぞれ定義した。次いで、これらの変数を定義して、細胞膜(U)及び核膜(U)にわたる電圧を計算した。
各電流モジュールにおいて、膜を表す境界を、隣接(U基準)ドメイン中の電位として規定した基準電圧を有するインピーダンス境界条件として定義した。
式中、σは、導電率であり、εは、誘電率であり、dは、細胞膜または核膜の厚さである。例えば、培地ドメインにおいて、細胞膜を表す境界を、U細胞質の基準電位を有するインピーダンス境界として定義した。細胞質ドメインにおいて、細胞膜を表す同じ境界を、U培地の基準電位を有するインピーダンス境界として定義した。境界を「薄層」として定義し、導電率、比誘電率、及び表面厚さを、表1に示される値を使用して定義した。核膜は、核周囲空間によって分離される2つの個々の脂質膜からなる。モデルの複雑性を制限し、これらの個々の構成要素の電気特性を不適切に評価することを回避するために(文献で容易に入手可能ではない)、本発明者らは、これらの生物学的特徴を、それらの組み合わされた特徴を表す電気特性が利用可能である単一の40nm膜とひとくくりに扱った。
メッシュを、縁部上に1.8〜10μmの要素を有する単一のフリー四面体群として定義し、19353個の四面体要素を得た。このモデルの予備研究において、より細かいメッシュ及びより粗いメッシュを使用した。シミュレーション時間は、連続細分化間で2倍以上に倍増した。ここで示されるメッシュと次の連続細分化との間の平均偏差は、細胞膜及び核膜電位のそれぞれに対して2.0%及び5.5%未満であった。各パラメータに対して、8GBのRAMを有するクアッドコア3.0GHzプロセッサ上で、溶液は、約22分で見られた。図28の表の値を使用した数値シミュレーションの結果を、Kotnik and Miklavcic(T.Kotnik,D.Miklavcic,Theoretical evaluation of voltage inducement on internal membranes of biological cells exposed to electric fields, Biophysical Journal,90(2006)480−491)によって示される解析方法を使用して見られた結果と比較した。細胞膜及び核膜にわたる最大/最小電位を計算するとき、数値溶液と解析溶液との間の誤差はそれぞれ、0.15%/0.15%及び1.97%/0.89%であった。
細胞調製及び実験
全実験において、5.5:1の比の培養培地(DMEM)対低導電率スクロース緩衝液(85gのスクロース、3.0gのグルコース、7.25mLのRPMI、及び992.75mLの脱イオン水)からなる緩衝液中に、細胞を懸濁させた(L.A.Flanagan,J.Lu,L.Wang,S.A.Marchenko,N.L.Jeon,A.P.Lee,E.S.Monuki,Unique dielectric properties distinguish stem cells and their differentiated progeny,Stem Cells,26(2008)656−665)。実験前に、導電率計(Horiba B−173,Cole−Parmer,Vernon Hills,IL)で細胞懸濁液の導電率を測定して、0.2S/mの最終導電率を確認した。Clark et al.は、膵臓組織の導電率が、1kHz〜2MHzの周波数のそれぞれに対して、0.097〜0.44S/mと変化したことを報告した(D.Clark,J.Greenwell,A.Harper,A.M.Sankey,T.Scratcherd,The electrical properties of resting and secreting pancreas,The Journal of Physiology,189(1967)247−260)。試料を通じて送達される電流を最小限に抑える一方で、インビボ組織に見られるような範囲内で導電率値を維持するように、0.2S/mの培地導電率を選択した。本発明者らのパルス発生システムにおける制限によって、より高い導電率の緩衝液は、その安全な動作領域外でパルス送達システムを駆動する。
PPT8182マウス初代膵臓腫瘍細胞(J.von Burstin,S.Eser,M.C.Paul,B.Seidler,M.Brandl,M.Messer,A.von Werder,A.Schmidt,J.Mages,P.Pagel,E−cadherin regulates metastasis of pancreatic cancer in vivo and is suppressed by a SNAIL/HDAC1/HDAC2 repressor complex,Gastroenterology,137(2009)361、von Burstin,2009)を全実験で使用した。これらの細胞は、組織構造、転移、及び遺伝子変化の観点からヒト膵臓癌を複製することが示されている(von Burstin,2009、B.Seidler,A.Schmidt,U.Mayr,H.Nakhai,R.M.Schmid,G.Schneider,D.Saur,A Cre−loxP−based mouse model for conditional somatic gene expression and knockdown in vivo by using avian retroviral vectors,Proceedings of the National Academy of Sciences,105(2008)10137−10142、D.Saur,B.Seidler,G.Schneider,H.Algul,R.Beck,R.Senekowitsch−Schmidtke,M.Schwaiger,R.M.Schmid,CXCR4 expression increases liver and lung metastasis in a mouse model of pancreatic cancer,Gastroenterology,129(2005)1237−1250、及びM.J.PaszeK,N.Zahir,K.R.Johnson,J.N.Lakins,G.I.Rozenberg,A.Gefen,C.A.Reinhart−King,S.S.Margulies,M.Dembo,D.Boettiger,Tensional homeostasis and the malignant phenotype,Cancer cell,8(2005)241−254)。
加湿雰囲気下、5% CO中で、37℃において、10%ウシ胎仔血清(Sigma Aldrich,St.Louis,MO)及びペニシリン/ストレプトマイシンの1%原液(Invitrogen,Carlsbad,CA)を含有するDMEM(L−グルタミンが補充される、ATCC,Manassas,VA)中で、細胞を培養した。全細胞を、80%のコンフルエンスにおいて、トリプシン処理によって、実験のために採取した。懸濁液を2回遠心分離し、5×10個の細胞/mLの濃度で実験緩衝液中に再懸濁させた。パルス送達の直前に、100μLの細胞懸濁液を、2mmギャップキュベット(モデル620,Harvard Apparatus,Holliston,MA)に注入した。実験準備の概略図は、図29Aに示される。
全実験に対するプロトコルは、図29Bに示される波形を使用した。概略図は、個々のパルスの反復配列を含む例示的なバーストを示す。バーストは、正極性パルスで開始し、2μsの休止、次いで、負極性パルスが続き、さらに2μsの休止が続く。この循環は、電圧が合計で100μs(各極性において50μs)送達されるまですぐに反復される。80回のバーストを1Hzの周波数で送達した。各バースト内で、同等の電圧印加時間を得るために、個々のパルスは、250ns、500ns、1、2、5、10、または50μsの単一の持続時間を有し、したがって、バーストはそれぞれ、400、200、100、50、20、10、または2個のパルスを含んだ。2μsの遅延時間を順次の逆極性パルス間でプログラミングして、電子機器がリンギングによる過電圧から保護した。バーストの代表的な実施例は、図30A〜30Cに示される。1500、3000、及び4000V/cmの電圧対距離比(E)を有する電位に、細胞を曝露した。細胞懸濁液中に直接挿入された光ファイバ温度プローブ(Luxtron FOT Lab Kit,LumaSense Technologies,Santa Clara,CA)を使用して、パルシングによる細胞懸濁液中の温度変化を測定した。
インビトロ研究に対して、処置群のそれぞれを最低3回(n=3)繰り返し、各群に対する実験を少なくとも2つの異なる日に実施した。各処置に対して、シャム曝露を含む異なる実験的パラメータをランダム配列で入れ替えた。処置後、試料を、1及び24時間の時点で評価される2つの等しい50μLの試料に分割した。氷上に配置されるか(1時間の群)、またはインキュベータに移動させられる(24時間の群)前に、試料を約20〜30分間、室温で保持した一方で、残りの実験群を完了させた。曝露の約1時間後、トリパンブルー色素排除アッセイを使用して生存率を評価した。不可逆的に電気穿孔された細胞は、色素を除外することが不可能であり、青色に染色された。血球計を使用して細胞を視覚的に計算し、生存率の割合を、

として決定した。
1時間の時間群のシャム対照試料の平均生存率は、85%よりも大きかった。24時間で解析される試料を、合計で1mLの培養培地を含む12ウェルプレート中の別々のウェルに配置し、ウェルプレートがいっぱいになるまで室温で維持した(約30分間)。この時点で、ウェルプレートを24時間、37℃及び5% COで、インキュベータ内に配置した。次いで、製造業者が推奨する手順を使用して、アラマーブルー代謝アッセイ(Life Technologies,Grand Island,NY)を用いて、生存率を評価した。簡潔に、100μL/mLのアラマーブルー原液を各ウェルに添加した。4時間後、570/600nmの波長で、分光光度計を使用して、試料を読み取った。各試料に対して、吸光度を3つの別々のウェルで測定し、平均化した。細胞なしの試料培地、及び電界に曝露しなかった対照細胞試料に対して、追加の測定を行った。生存率の割合を、

として決定し、
式中、Iは、分光光度計からの相対強度測定値である。概して、トリパンブルー解析及び代謝アッセイは、互いを非常にうまく補完する。Ibey et al.は、代謝アッセイが、ナノ秒のパルス電界曝露後のトリパンブルー解析からのアッセイに酷似していたことを以前に示した(B.L.Ibey,A.G.Pakhomov,B.W.Gregory,V.A.Khorokhorina,C.C.Roth,M.A.Rassokhin,J.A.Bernhard,G.J.Wilmink,O.N.Pakhomova,Selective cytotoxicity of intense nanosecond−duration electric pulses in mammalian cells,Biochimica Et Biophysica Acta−General Subjects,1800(2010)1210−1219)。本研究で使用されるアラマーブルーアッセイは、哺乳類細胞内の細胞毒性を測定するために確立されている(J.O’Brien,I.Wilson,T.Orton,F.Pognan,Investigation of the Alamar Blue(resazurin)fluorescent dye for the assessment of mammalian cell cytotoxicity,European Journal of Biochemistry,267(2000)5421−5426)。2.5×10〜2×10個の細胞/mLで播種した細胞に対する減少率を測定して、シャム集団がアラマーブルー溶液を完全に低減しなかったこと(結果は図示せず)を確実にし、2.5×10個の細胞/mLを用いた4時間のインキュベーション時間を最適であると決定した。1時間及び24時間の両方の群に対する生存率データをシャム対照群に正規化した。JMP ProV.10.0(SAS Institute Inc.,Cary,NC)を使用して、データの統計解析を完了した。
電子機器
任意波形発生器(AFG3021C,Tektronix Inc.,Beaverton,Oregon)を使用して、波形を生成し、それを、高インピーダンス負荷による+/−1000Vの出力が可能な特注高電圧パルス発生器(Applied Energetics,Tucson,AZ,USA)によって増幅した。50MHz 1000x高電圧プローブ(P5210A,Tektronix Inc.,Beaverton,Oregon)を使用して、電圧を減衰させ、50MHz電流プローブ上のアクティブクランプ(TCP305,Tektronix Inc.,Beaverton,Oregon)を使用して、電流を測定した後に、オシロスコープ(DPO2002B,Tektronix Inc.,Beaverton,Oregon)を使用して、出力波形を視覚化した。出力上の短絡保護抵抗器は、2mmキュベットを通る最大出力電圧を約800V(4000V/cm)に制限した。
結果及び考察
数値モデリング
図31A〜31Cに示されるように、1500V/cmの電界(図31A)の影響下で、細胞膜(U)(図31B)及び核膜(U)(図31C)にわたる電位降下はそれぞれ、1.47V及び0.28Vの最大値に達する。Uは、0.34μsで最大値の50%、1.11μsで70.7%、及び7.92μsで99.99%の最大値に達する。Uは、145nsで99.99%の最大値に達し、約0.94μsで再び70mVを下回る。核膜のこの短い充電及び放電は、細胞膜が充電しているときに細胞質内を流れる電流による。この過渡電流は、核及び細胞小器官を包囲する膜にわたって電位を増加させる。これらの細胞内構成要素は細胞よりも小さく、それらの電流への曝露は短く、より小さい電位増加をもたらす。
正極性パルスが立ち下がると、細胞膜は、放電し始め、立ち上がりパルスエッジと比較して、反対方向への細胞質内の第2の電流の流れをもたらす。これは、核膜にわたる負電位の形成をもたらす。この負電位は、−0.28Vの最小値に達し、同様の0.94μsで−70mVを下回る。負極性パルスの立ち上がりエッジは、Uの同様の減少をもたらし、核膜の膜電位の興味深い二重ピークをもたらす。この第2のピークは、−0.29Vの値に達する。このピークは、初期パルスによって達成される最大値とは10mVのみ異なるが、それは、パルス長及びパルス間の遅延時間の最適化が、細胞内膜に対する効果の増加をもたらし得たことを示唆する。
本実施例において、本発明者らは、解析を単純化するために、細胞膜に対する電気穿孔の効果を無視することを選択した。しかしながら、電気穿孔の場合、電流は、細胞質を通って流れることができ、持続電位は、細胞内膜にわたって誘発される。
実験パラメータの解析
図32A〜Cは、実験的に制御され得る変数のパラメータ解析を示す。図32Aに示されるパルス持続時間は、達成される最大U及びUが1Vの臨界閾値を超えて上昇する持続時間に直接影響を与える。1μsよりも短いパルスは、この閾値を超えてUを上昇させない。パルス持続時間が1μsを超えて増加すると、Uは、1.47Vの最大値まで飽和する。対照的に、UがUと比較して急上昇するため、核膜に対する効果は、パルス持続時間によって最小限の影響を受ける。パルス幅にかかわらず、Uは、145ns内に最大値に達する。1μs以下のパルスに対して、Uは、正のパルスの立ち下がりエッジ前に完全にゼロに戻らず、負のU応答を弱める。
が1Vを超えて上昇した後1μs以内に、孔形成挙動が生じ、電位のさらなる増加を抑え(K.Kinosita,I.Ashikawa,N.Saita,H.Yoshimura,H.Itoh,K.Nagayama,A.Ikegami,Electroporation of cell membrane visualized under a pulsed−laser fluorescence microscope,Biophysical Journal,53(1988)1015−1019)、その後、新しい孔形成は制限され、孔拡大が支配的現象として引き継ぐ(K.Kinosita,T.Y.Tsong,Formation and resealing of pores of controlled sizes in human erythrocyte membrane,(1977);K.Kinosita,T.Y.Tsong,Voltage−induced pore formation and hemolysis of human erythrocytes,Biochimica et Biophysica Acta(BBA)−Biomembranes,471(1977)227−242)ことが観察されている。ここに示される電界強度において、1μs以下の持続時間のパルスは、効率的に細胞膜内の孔拡大をもたらさない可能性がある(O.M.Nesin,O.N.Pakhomova,S.Xiao,A.G.Pakhomov,Manipulation of cell volume and membrane pore comparison following single cell permeabilization with 60− and 600−ns electric pulses,Biochimica et Biophysica Acta(BBA)−Biomembranes,1808(2011)792−801)。
試料培地の導電率、図32Bは、細胞膜及び核膜の充電−放電挙動に有意に寄与する。低い培地導電率(0.01S/m)において、培地は、電流の流れに有意な抵抗を示し、細胞膜は、ゆっくりと充電する。この低導電性培地は、細胞質を通って流れることができる電流を最小限に抑え、達成される最大Uを弱める。培地導電率が増加すると、細胞膜は、より迅速に充電し、導電率が1S/mを超えて増加すると飽和する。これらのシミュレーションに基づき、0.2S/mの培地導電率は、実験的に、膜充電時間とパルス発生器から必要とされる電流出力との間の妥協である。培地導電率の増加は、わずかにより速い膜充電時間をもたらした可能性がある。
正極性パルスと負極性パルスとの間の遅延、図32Cは、膜内外電位(U)に対してわずかな効果を有するが、それは、核膜(U)に対して有意な影響を有する。正のパルスの立ち下がりエッジは、核膜上の負電位蓄積をもたらす。Uは、各パルスの立ち下がりエッジ後に約100nsの極大値に達する。パルスの長い遅延に対して、この電位は、ゼロに減衰して戻る。対照的に、遅延が短縮されると、Uは、負極性パルスの立ち上がりエッジによって度合いが増す。最終的に、遅延が0.1μsまで減少すると、Uの効果的な倍増が達成される。これらのシミュレーションに基づき、パルス極性の変化間に100nsの遅延を伴うバーストは、核膜にわたって最大の電位を達成する。直観に反した方法で、ゼロのパルス間遅延を含むことは、100nsの場合よりも低いUをもたらす(結果は図示せず)。Uの倍増を達成するために、核膜にわたる電位は、印加電圧がオフにされる前に、ゼロに減衰して戻ることができなければならない。このシナリオにおいて、0.94μs以上の持続時間である全てのパルスが、単一のパルス最大と比べて、Uの約2倍の増加をもたらした。
PEFアポトーシスカスケードにおけるDNA損傷の役割は、完全に理解されておらず、核は、典型的には、PEF療法のための標的ではない。しかしながら、内因性及び外因性アポトーシス細胞死の過程は、ミトコンドリア及び小胞体に対する電界強度依存効果と関連する。図32Cに示されるように、波形最適化を使用して、これらの細胞小器官の膜内外電位の増加を倍増することができる場合、関連するアポトーシスカスケードを誘発するために、より低い振幅電界が必要とされる。あるいは、パルス幅及びパルス間遅延を細かく調整することによって、DNA損傷過程を増強し、PEFアポトーシスカスケードにおけるこの機構のさらなる研究を可能にすることが可能であり得る。残念ながら、よく制御された100〜500nsのパルス間遅延シナリオの実験的調査は、本発明者らの電流システムの出力電圧のリンギングによって阻止され、今後の研究の対象として残っている。
細胞電気特性の解析
細胞膜、核膜、細胞質、及び核質に関する電気特性は、文献で容易に入手可能である(B.Alberts,D.Bray,J.Lewis,M.Raff,K.Roberts,J.D.Watson,Molecular Biology of the Cell,3rd edition,Garland Science,New York,1994、P.R.Gascoyne,R.Pethig,J.P.Burt,F.F.Becker,Membrane changes accompanying the induced differentiation of Friend murine erythroleukemia cells studied by dielectrophoresis,Biochimica et Biophysica Acta(BBA)−Biomembranes,1149(1993)119−126、J.Yang,Y.Huang,X.J.Wang,X.B.Wang,F.F.Becker,P.R.C.Gascoyne,Dielectric properties of human leukocyte subpopulations determined by electrorotation as a cell separation criterion,Biophysical Journal,76(1999) 3307−3314、I.Ermolina,Y.Polevaya,Y.Feldman,B.−Z.Ginzburg,M.Schlesinger,Study of normal and malignant white blood cells by time domain dielectric spectroscopy, Dielectrics and Electrical Insulation,IEEE Transactions on,8(2001)253−261、J.Gimsa,T.Muller,T.Schnelle,G.Fuhr,Dielectric spectroscopy of single human erythrocytes at physiological ionic strength:dispersion of the cytoplasm,Biophysical Journal,71(1996)495−506、及びK.Asami,Y.Takahashi,S.Takashima,Dielectric properties of mouse lymphocytes and erythrocytes,Biochimica et Biophysica Acta(BBA)−Molecular Cell Research,1010(1989)49−55)。Subuncu et al.は、0.3〜0.6S/mの細胞質導電率を報告している(A.C.Sabuncu,J.A.Liu,S.J.Beebe,A.Beskok,Dielectrophoretic separation of mouse melanoma clones,Biomicrofluidics,4(2010)021101)。Labeed et al.は、細胞がアポトーシスを受け始めるときの0.28S/m〜0.45S/mの導電率の増加を報告している(F.H.Labeed,H.M.Coley,M.P.Hughes,Differences in the biophysical properties of membrane and cytoplasm of apoptotic cells revealed using dielectrophoresis,Biochimica et Biophysica Acta(BBA)−General Subjects,1760(2006)922−929)。Ron et al.は、前骨芽細胞及び正常なイヌ腎細胞のそれぞれに対して、0.724S/m及び0.93S/mの導電率の増加を報告している(A.Ron,R.R.Singh,N.Fishelson,I.Shur,R.Socher,D.Benayahu,Y.Shacham−Diamand,Cell−based screening for membranal and cytoplasmatic markers using dielectric spectroscopy,Biophysical chemistry,135(2008))59−68。Mulhall el al.は、正常なケラチン生成細胞、異常なケラチン生成細胞、2つの異なる悪性のケラチン生成細胞のそれぞれに対して、0.71、0.42、0.26、及び0.25S/mの細胞質導電率を得た(H.Mulhall,F.Labeed,B.Kazmi,D.Costea,M.Hughes,M.Lewis,Cancer,pre−cancer and normal oral cells distinguished by dielectrophoresis,Analytical and Bioanalytical Chemistry,401(2011)2455−2463)。加えて、Chen et al.は、薬物耐性細胞が非薬物耐性細胞よりも低い細胞質導電率を有することを示す(J.Chen,Y.Zheng,Q.Tan,E.Shojaei−Baghini,Y.L.Zhang,J.Li,P.Prasad,L.You,X.Y.Wu,Y.Sun,Classification of cell types using a microfluidic device for mechanical and electrical measurement on single cells,Lab on a Chip,11(2011)3174−3181)。これらの結果は、細胞が良性から悪性に移行するときの細胞質導電率の減少の証拠を提供する。
Yuan et al.は、癌細胞が薬物耐性を達成するときの0.45〜0.49及び0.40〜0.49の核対細胞質(NCR)比の増加を示す。同様に、Helczynska et al.は、NCRが腫瘍悪性度の関数として0.3から0.8に増加し、ますます悪性の癌に対してNCRはより高くなることを組織学的に示す(K.Helczynska,Å.Kronblad,A.Jogi,E.Nilsson,S.Beckman,G.Landberg,S.Pahlman,Hypoxia promotes a dedifferentiated phenotype in ductal breast carcinoma in situ,Cancer Research,63(2003)1441−1444)。Salmanzadeh et al.は、細胞が連続的により悪性になると、同系細胞株の特定の膜容量が、15.39mF/mから26.42mF/mまで増加したことを示した(A.Salmanzadeh,M.B.Sano,R.C.Gallo−Villanueva,P.C.Roberts,E.M.Schmelz,R.V.Davalos,Investigating dielectric properties of different stages of syngeneic murine ovarian cancer cells,Biomicrofluidics,7(2013)011809)。これは、8.70から14.92への相対的な膜誘電率の増加につながる。
0.7、0.475、及び0.25S/mの細胞質導電率値、0.3、0.55、及び0.8のNCR、ならびに9、12、及び15の膜誘電率を使用して、パラメータ解析を実施して、良性から中程度、悪性のそれぞれへのこの移行を表した。本発明者らは、0.7S/mの細胞質導電率、0.3のNCR、及び8.7の膜誘電率を有する「良性」細胞の応答をモデリングした。「転移性」細胞を0.25S/mの細胞質導電率、0.8のNCR、及び15の膜誘電率を有するものとしてモデリングした。全ての他の値(表1)を一定に保持した。
核対細胞質比(NCR)、図33Aは、Uに対してわずかな効果、及びUに対して測定可能な効果を有する。電磁理論(P.Marszalek,D.Liu,T.Y.Tsong,Schwan equation and transmembrane potential induced by alternating electric field, Biophysical Journal,58(1990)1053−1058)から予測されるように、核膜にわたる電位は、方程式、
に関し、式中、rは、核の半径であり、Eは、細胞が曝露される電界である。しかしながら、核の他の誘電特性が膜充電時間に影響を及ぼす可能性がある(T.Kotnik,D.Miklavcic,Theoretical evaluation of voltage inducement on internal membranes of biological cells exposed to electric fields,Biophysical Journal,90(2006)480−491、K.H.Schoenbach,S.J.Beebe,E.S.Buescher,Intracellular effect of ultrashort electrical pulses,Bioelectromagnetics,22(2001)440−448)。図33AでNCRが増加すると、Uも増加する。細胞質導電率、図33Bは、U及びUの最大振幅にわずかな影響を有するが、より低い導電率値は、わずかにより高いU値をもたらす。細胞膜の誘電率、図33Cは、細胞膜及び核膜の充電及び放電に影響を及ぼす。より高い誘電率は、Uをより低い誘電率の細胞よりもわずかにゆっくり増加させる。細胞膜のこのよりゆっくりとした充電時間は、わずかにより高い膜内外電位に達する核膜をもたらす。
実験パルスの数値シミュレーション
図31A〜33Cのシミュレーション結果は、10nsの立ち上がり及び立ち下がり時間を有する完全な方形波への理想的な応答を表す。波形は、図34A及び34Cに示されるように、立ち上がりエッジに対する、及び立ち下がりエッジ後のリンギング効果を示した。図34B及び34Dは、実験的な250ns及び1μsのパルスのそれぞれによって生じる膜内外電位(U)及び核膜内外電位(U)を示す。理想的な場合にあるように、パルスの立ち下がりエッジは、逆極性におけるUの増加をもたらす。出力波形のリンギングは、Uのさらなる小さい増加を引き起こす。1500V/cmにおいて、250nsのパルスの第1の立ち上がりエッジは、0.21VのU振幅最大値をもたらす。同じパルスの立ち下がりエッジ及びリンギングは、19%の増加である、0.25Vの最大U振幅をもたらす。
1μsの実験的パルスに対して、|U|が1.24Vの最大値に達する一方で、|U|は、0.32Vの最大値に達する。この実験的パルスに対するUの大きさは、図32Aで予測される理想値(1.21V)にほぼ等しい。しかしながら、この実験的パルスに対するUの大きさ(0.32V)は、図32Aで予測される値(0.29V)よりも大きい。これは、実験的パルスがゼロに低下して戻った後に生じるリンギングによる。
パルス長が増加すると、初期U応答は、ゼロに向かって低下して戻ることができる。その結果、より長いパルスに対して、立ち下がりエッジ及び後続のリンギングは、増加した効果を有する。同様の電界強度に対して、5μsのパルスは、50%の増加である、0.24Vから0.36VへのU振幅変化をもたらす。これらの場合、リンギングのピーク振幅は、パルス振幅の46〜52%であり、200ns未満続く。
実験結果
22〜25℃の初期試料温度で実験を実施した。4000V/cmにおいて、全ての実験群が3.5℃未満の温度上昇をもたらした。50μs及び250nsの構成的パルスを用いた実験に対する代表的な温度プロファイルは、図35に示される。250nsのパルスを有するバーストに対する温度増加は、より長い持続時間のパルスに対する増加と同様である。これは、構成パルスの持続時間にかかわらず、各バーストにおける同等の量のエネルギーの送達によるものである可能性が高い。実験の開始温度は、温度が37℃を超えて上昇せず、温度の細胞の生存率に影響を及ぼす交絡因子として可能性を軽減することを確実にした。
図36A〜36Cは、(図36A)1500V/cm、(図36B)3000V/cm、及び(図36C)4000V/cmの電界強度に対する、処置の1及び24時間後の試料の生存率を示す。構成パルス長と生存率との間には明確な反比例関係があり、より長い持続時間のパルスは、1及び24時間の両方の生存率研究に対して、より低い生存率をもたらす。
具体的に、1500V/cmにおいて、50μsのパルス(2×)を含むバーストは、31%の処置の1時間後の生存率をもたらし、それは、24時間後に3%に低減した。250ns(400×)〜10μs(10×)のパルスを含む1500V/cmのバーストは、50%を超える1時間の生存率をもたらし、とりわけ、2μs(5×)以上のパルスは、シャム処置と同様の85%以上の生存率を有した。1時間と24時間との時点の間で、生存率は、全ての構成パルスにわたって1500V/cmに曝露された細胞に対して、平均20%低下した。この電界強度に対して、10μsのパルスを含むバーストが24時間にわたって生存率の最大変化、49%を有した一方で、250及び500nsのパルスは、対照と比較して生存率のわずかな変化をもたらした。生存率の有意な変化は、2μs以上のパルスを有するバーストに対して、1時間と24時間との時点の間で生じた。10及び50μsのパルスが遅延細胞死をもたらしたが、作用の機構は不明確であることが興味深い。
細胞生存率は、パルス持続時間が1μs以上であったとき、3000V/cm対1500V/cmバーストに対して有意により低かった。24時間後、2〜50μsのパルスに対する生存率は、3000V/cmにおいて5%未満に低減した。3000V/cm〜4000V/cmの間で、生存率に対する最も有意な影響は、500nsのパルスに対して生じた。全電界強度に対して、250nsのパルスは、細胞生存率に対して最小の影響を有した。
250nsのパルスを含むバーストに対して、1500、3000、及び4000V/cmの処置後の生存率の差は、統計的に有意ではなかった(α≦0.1)。全ての他のパルス幅は、各時点において、1500V/cmの処置と3000V/cmの処置との間で統計的に有意な差を有した(α≦0.06)。3000の処置と4000V/cmの処置との間で、5μs(1時間)、500ns(1時間)、及び500ns(24時間)群は、統計的に異なる生存率を有した(α≦0.03)。
興味深いことに、本研究は、生存率が送達されるエネルギー用量と直接的に相関がないことを示す。これは、異なるパルス幅の単極性パルスの電気透過性(A.Macek−Lebar,D.Miklavcic,Cell electropermeabilization to small molecules in vitro:control by pulse parameters,Radiology and Oncology,35(2001))及び致死(B.L.Ibey,A.G.Pakhomov,B.W.Gregory,V.A.Khorokhorina,C.C.Roth,M.A.Rassokhin,J.A.Bernhard,G.J.Wilmink,O.N.Pakhomova,Selective cytotoxicity of intense nanosecond−duration electric pulses in mammalian cells,Biochimica Et Biophysica Acta−General Subjects,1800(2010)1210−1219)効果が、単独で送達されるエネルギーの量と相関し得ない複雑な関係を示すという、他によって示される結果と一致する。示されるパルス長と毒性との間の逆相関は、ここで1.11〜7.92μsとして計算された細胞膜充電時間に関連し得る。図37A〜Lは、U及びUが臨界閾値を超えて上昇する時間に対する各バースト内の複数のパルスの効果を示す。1500V/cm、1つの正及び1つの負の250nsのパルスの単一のサイクルは、合計で200nsのみにわたって、1Vを超えてUを増加させる。しかしながら、1バースト当たり200のサイクル(400の合計パルス)の累積的影響は、約40μsにわたって、1Vを超えてUを増加させる。1500V/cm(図9A及びB)において、1Vの閾値を超える時間は、構成的パルス幅(Δt)が増加するにつれて増加する。このプロセスは、50μsの構成的パルス幅を有するバーストに対して、最大で約99.8μsに達し、それは、1つのサイクルのみを有する。3000及び4000V/cmにおいて、図37E及びF、I及びJは、より短いパルスのバーストは、より長いパルス持続時間を有するバーストよりもより長い持続時間にわたって、1Vを超えてUを上昇させるが、これは、細胞生存率にわずかな影響を有するように思われる。ここで検査されていないが、膜充電時間を下回って電圧印加されるパルスは、制限された孔拡大をもたらし、致死効果を最小限に抑え得る。
1500V/cmにおいて、パルス持続時間のどれも、0.5、0.75、または0.9Vの閾値を超えてUを上昇させなかった(図37C及びD)。0.7及び0.9Vは、最高電圧(4000V)におけるいかなるシミュレーションに対しても到達されなかった1.0Vの閾値の代わりとして示され、可逆電気穿孔の開始に近似するために、0.5Vが使用される(A.M.Lebar,G.C.Troiano,L.Tung,D.Miklavcic,Inter−pulse interval between rectangular voltage pulses affects electroporation threshold of artificial lipid bilayers,NanoBioscience,IEEE Transactions on,1(2002)116−120、A.Polak,D.Bonhenry,F.Dehez,P.Kramar,D.Miklavcic,M.Tarek,On the Electroporation Thresholds of Lipid Bilayers:Molecular Dynamics Simulation Investigations,The Journal of membrane biology,246(2013)843−850)。3000V/cm(図37G及びH)において、全てのパルス持続時間は、0.5Vの閾値を超えてUを増加させることができる。完全バーストの累積的影響は、より短い構成的パルスに対して、実質的により長い持続時間にわたって、0.5Vの閾値を超えて増加するUをもたらす。4000V/cm(図37K及びL)において、いくつかのパルス持続時間は、0.75及び0.9Vの閾値を超えてUを上昇させることができる。興味深いことに、500nsのパルスは、任意の他のパルス持続時間よりも、閾値の全てを超えるより大きい累積時間をもたらす。これは、なぜ500nsのバーストが1時間と24時間との間で生存率の有意な変化をもたらしたが、250nsがもたらさなかったのかを説明するのに役立ち得る。
1μs以上の持続時間のパルスを含む全てのバーストに対して、24時間後の3000V/cmにおける生存率は、1時間後の4000V/cmにおける対応する生存率よりも低い。これは、アブレーションサイズが経時的に大きくなり得ること、及び即座の観察が処置される全体積を予測するのに不十分であり得ることを示すため、インビボの用途に関して興味深い意味合いを有する。数値シミュレーションから、より大きい細胞質−核比を有する細胞が、同様の比を有する同様のサイズの細胞よりも高いU振幅を達成することが予想される。高い核−細胞質比(NCR)は、悪性の細胞の攻撃性と関連しており、癌の悪性度を分類するときのパラメータとして使用される(K.Seibert,S.M.Shafie,T.J.Triche,J.J.Whang−Peng,S.J.O’Brien,J.H.Toney,K.K.Huff,M.E.Lippman,Clonal variation of MCF−7 breast cancer cells in vitro and in athymic nude mice,Cancer research,43(1983)2223−2239、Y.Shimizu,S.Kamoi,S.Amada,F.Akiyama,S.G.Silverberg,Toward the development of a universal grading system for ovarian epithelial carcinoma,Cancer,82(1998)893−901、A.Malpica,M.T.Deavers,K.Lu,D.C.Bodurka,E.N.Atkinson,D.M.Gershenson,E.G.Silva,Grading ovarian serous carcinoma using a two−tier system,The American journal of surgical pathology,28(2004)496−504、及びS.G.Silverberg,Histopathologic grading of ovarian carcinoma:A review and proposal,Inter.J.of Gynecological Pathology,19(2000)7−15)。
加えて、侵襲性及び転移性電位の増加が細胞膜の波打ち現象と相関しており、侵攻性の細胞内のより高い膜容量をもたらすことが示されている(A.Salmanzadeh,M.B.Sano,R.C.Gallo−Villanueva,P.C.Roberts,E.M.Schmelz,R.V.Davalos,Investigating dielectric properties of different stages of syngeneic murine ovarian cancer cells,Biomicrofluidics,7(2013)011809、A.Salmanzadeh,H.Kittur,M.B.Sano,P.C.Roberts,E.M.Schmelz,R.V.Davalos,Dielectrophoretic differentiation of mouse ovarian surface epithelial cells,macrophages,and fibroblasts using contactless dielectrophoresis,Biomicrofluidics,6(2012)024104、及びA.Salmanzadeh,E.S.Elvington,P.C.Roberts,E.M.Schmelz,R.V.Davalos,Sphingolipid Metabolites Modulate Dielectric Characteristics of Cells in a Mouse Ovarian Cancer Progression Model,Integr.Biol.,(2013))。数値シミュレーション(図33D)において、正常な細胞モデルが|U|≒0.14Vを受ける一方で、癌細胞モデルは、|U|≒0.32Vに達する。癌細胞モデル内の核は、NCRの変化の結果として、正常な細胞モデルよりも約2倍高い電位に達する。この効果は、パルス間の遅延が100nsに低減される場合、さらに増幅され(図33E)、癌細胞モデルに対して|U|≒0.6Vである。悪性の細胞が、核−細胞質比の増加に加えて膜容量の増加に起因する、脂質二重層の充電時間の増加によって、双極性パルスへの応答の増加を受けることが予想される。しかしながら、これらのバーストが侵攻性の細胞の標的化において増加した効率性を有するかを決定するために、今後の研究が必要とされる。
結論
本発明者らは、有限要素シミュレーションを通じて、細胞膜の充電−放電挙動が、細胞内構成要素が受ける電界に影響を及ぼすことがわかった。この単純化モデルは、いくつかの制限を有する。細胞を単純な球体としてモデリングして、それらの非付着状態での細胞の形状を反映した。インビボで、細胞は、典型的には、膜内外電位に対するパルス電界の効果を変化させ得るより複雑な、細長い、または紡錘形の形状をとる。加えて、組織内の細胞は、局所不均一性及びそれらのすぐ近くにおける細胞の応答によって影響を受け、それは、ここでは説明されなかった。
細胞質−核比、細胞質導電率、及び細胞膜誘電率は、核膜の充電特徴において重要な役割を果たす。実験的に、本発明者らは、1バースト当たりの総電圧印加時間を100μsで一定に保持し、80回のバーストを送達したとき、双極性方形波のバーストが、3.5℃未満、培地温度を増加させたことがわかった。したがって、得られる細胞応答は、非熱的現象に直接関係する細胞応答に限定される。示される双極性パルスのバーストに対して、同量のエネルギーの送達にもかかわらず、パルス幅と毒性との間に逆相関が存在する。処置後24時間にわたる細胞生存率の変化は、即時及び遅延の両方の細胞死過程の存在を示すが、正確な機構は未知である。
本発明者らが知る限りでは、これは、0.25〜50μsのパルスを有する双極性方形波バーストの効果に対する最初の実験的パラメータ解析である。3000V/cmの処置群において、細胞生存率は、2、5、10、及び50μsのパルスを含むバーストのそれぞれに対して、4.0%、0.5%、0.3%、及び1.0%まで低減した。4000V/cmの処置群において、細胞生存率は、1、2、5、10、及び50μsのパルスを含むバーストのそれぞれに対して、3.8%、1.4%、0.9%、0.8%、及び0.8%まで低減した。Rubinsky et al.(J.Rubinsky,G.Onik,P.Mikus,B.Rubinsky,Optimal Parameters for the Destruction of Prostate Cancer Using Irreversible Electroporation,The Journal of Urology,180(2008)2668−2674)は、2000V/cmにおける10個の100μsの単極性パルスが、70%の生存率をもたらしたことを示した。同じ研究において、彼らは、250V/cmにおける75個の100μsの単極性パルスが、10〜20%の生存率をもたらした一方で、250V/cmにおける90個の100μsの単極性パルスが、0〜10%まで生存率を低減したことを示した。Arena et al.(C.B.Arena,C.S.Szot,P.A.Garcia,M.N.Rylander,R.V.Davalos,A Three−Dimensional In vitro Tumor Platform for Modeling Therapeutic Irreversible Electroporation,Biophysical Journal,103(2012)2033−2042(“Arena et al.,2012”))は、1500V/cmにおける80個の100μsの単極性パルスの後、細胞生存率は約8%であったことを示し、このプロトコルは、前立腺(G.Onik,B.Rubinsky,Irreversible Electroporation:First Patient Experience Focal Therapy of Prostate Cancer,in:B.Rubinsky(Ed.)Irreversible Electroporation,Springer Berlin Heidelberg,2010,pp.235−247)、膵臓(R.C.Martin II,K.McFarland,S.Ellis,V.Velanovich,Irreversible electroporation therapy in the management of locally advanced pancreatic adenocarcinoma,Journal of the American College of Surgeons,215(2012)361−369)、及び肝臓(R.Cannon,S.Ellis,D.Hayes,G.Narayanan,R.C.Martin,Safety and early efficacy of irreversible electroporation for hepatic tumors in proximity to vital structures,Journal of Surgical Oncology,(2012))における不可逆電気穿孔の臨床応用において現在うまく採用されているプロトコルと一致する。ここに示される双極性バーストプロトコルによって生じる毒性の比較可能なレベルは、より長い持続時間の単極性パルスによる筋肉収縮が望ましくないインビボ療法において有利であり得ることを示す。
実施例3
材料及び方法
コラーゲンヒドロゲル腫瘍模倣体
組織構造、転移、及び遺伝子変化の観点からヒト膵臓癌を複製することが示されている(von Burstin,2009、Seidler,B.,et al.A Cre−loxP−based mouse model for conditional somatic gene expression and knockdown in vivo by using avian retroviral vectors.Proceedings of the National Academy of Sciences 105,10137−10142(2008)、Saur,D.,et al.CXCR4 expression increases liver and lung metastasis in a mouse model of pancreatic cancer.Gastroenterology 129,1237−1250(2005)、PaszeK,M.J.,et al.Tensional homeostasis and the malignant phenotype.Cancer cell 8,241−254(2005)、及びSzot,C.S.,Buchanan,C.F.,Freeman,J.W.&Rylander,M.N.3D in vitro bioengineered tumors based on collagen I hydrogels.Biomaterials 32,7905−7912(2011))、PPT8182マウス初代膵臓腫瘍細胞(von Burstin,2009)を、3D腫瘍プラットフォーム実験で使用した。加湿雰囲気下、5% CO中で、37℃において、10%ウシ胎仔血清(FBS;Sigma Aldrich,St.Louis,MO)及び1%ペニシリン/ストレプトマイシン(Invitrogen,Carlsbad,CA)を含有する、L−グルタミンが補充されたダルベッコ改変イーグル培地(DMEM)(ATCC,Manassas,VA)中で、細胞を培養した。全細胞を、80%のコンフルエンスにおいて、トリプシン処理によって、実験のために採取した。
図38A及びBは、高周波BEAM処置が、単一の単極性パルス(図38A)をより高周波の双極性パルスのバースト(図38B)に置き換えることを示す。図38Cに示されるコラーゲンIヒドロゲルをすでに記載されるように生成した(Szot,C.S.,Buchanan,C.F.,Freeman,J.W.&Rylander,M.N.3D in vitro bioengineered tumors based on collagen I hydrogels.Biomaterials 32,7905−7912(2011))。簡潔に、Sprague Dawleyラット尾腱を切除し、室温で、10mMのHCl中で一晩、攪拌下で溶解させた。得られる単量体コラーゲン懸濁液を30分間、22,500×gで遠心分離し、上清を傾けて移し、後の使用まで4℃で保管した。HCl中のコラーゲンIを、10×の濃度のDMEM(4.5g/Lのグルコース、L−グルタミン、ピルビン酸ナトリウム、及び重炭酸ナトリウムが補充される、Mediatech Inc.,Manassas,VA)、1NのNaOH、ならびに脱イオンHOを含有する緩衝液で中和することによって、コラーゲンヒドロゲルを形成して、7.4のpHで8mg/mLの最終濃度を得た。PPT8182細胞を、1×10個の細胞/mLの最終播種密度で中和緩衝液中に懸濁し、次いで、コラーゲンI溶液と混合した。コラーゲン−細胞懸濁液を10mm直径の円筒形の型にピペットで移して、重合後に3mmの厚さを得た。37℃での20分のゲル化期間に続いて、ヒドロゲルを型から除去し、パルス送達前18時間にわたって、完全培地中で培養した。
電子機器及びプロトコル
カスタムパルス発生システムを使用して、250ns、500ns、1μs、2μs、5μs、10μs、及び50μsの構成的パルス幅を有する双極性パルスのバーストを送達した。500Ω抵抗器を負荷と並行に配置して、適切なパルス形状決定を確実にし、かつ開回路へのパルスの送達から保護する。2.0mmの縁間分離距離を有する中空の1.27mm直径の分注針(Howard Electronic Instruments Inc.,El Dorado,KS)から、カスタム電極を作製した。
全てのパルス幅に対して、540Vピーク及び100μsの総電圧印加時間で、予備研究を実施した。このプロトコルは、250ns、500ns、1μs、2μs、5μs、10μs、または50μsのそれぞれの個々のパルス持続時間を有するバーストを含むために、400、200、100、50、20、5、または2個のパルスを使用した。1μs以下のパルスを含むバーストに対する、540Vピークにおけるアブレーション領域は、電極を包囲する形のよい楕円ではなかった。むしろ、死滅細胞は、2つの電極の間に延在するが、接続はしなかった、小さい三角形領域を占めた。電界強度は、この領域内で迅速に変化し、電解閾値の計算の大きな変化をもたらした。これを回避するために、250ns、500ns、1μs、及び2μs群に対して、650Vのより高い電圧を使用した。群間の比較を容易にするために、単純化された電気用量式を使用した。
式中、Vは、印加電圧であり、Tは、パルス幅であり、nは、1バースト当たりのパルス数であり、Nは、一定の80で保持した1処置当たりのバースト数である。540Vピーク群は、2300Vsの近似用量を有した。650Vピークにおいて、250ns、500ns、1μs、及び2μs群のそれぞれに対して、256、128、64、及び32個のパルスを使用した。これは、2200Vsの近似用量をもたらした。216個のパルスを有する250Vピークにおける追加の2μs群、2000Vsの近似用量も実施して、エネルギー及び致死電界閾値の効果を比較した。
バースト電圧印加時間の効果を調査するために、540Vで2μsのパルスを含む80回のバーストを用いて、1組の実験を実施した。2μsのパルス間遅延を伴い、1バースト当たり2、24、または50回、パルスを反復した。パルスの「拡散」及び「バースト」送達を比較するために、1秒当たり50個のパルスの追加の群を試験した。この群において、合計で80秒間、20ms毎に、2μsのパルス間遅延を伴い、1つの正のパルス及び1つの負のパルスを送達した。これは、示される、1秒のバースト間遅延を使用しなかった唯一の群である。
処置時間の効果を調査するために、8回のバーストを用いて、1組の実験を実施した。これらの群は、それぞれ1バースト当たり50、2、または1回反復した2μs、50μs、及び100μsのパルスを有した。実験的パラメータは、図39の表中で要約される。全てのパラメータを最低3(n=3)回反復した。
試料処理
処置の24時間後、正常な培養培地を、4μmのカルセインAM(ライブ染色、λem=515nm、Invitrogen,Eugene,OR)が補充された2.5mLの培地に置き換え、30分間37Cでインキュベータした。視覚化の5分前、75μLの1.5mMヨウ化プロピジウム(PI;デッド染色、λem=617nm、Invitrogen,Eugene,OR)を、培地に5分間補充した。最後に、ヒドロゲルをPBSですすいで、いかなる吸収されていない色素を洗い流し、信号対ノイズ比を増加させた。20×対物レンズを有するLeica DMI 6000蛍光顕微鏡(Leica Microsystems Inc.,Buffalo Grove,IL)を使用して、1組の画像をタイル表示させ、表面のすぐ下の処置された足場の平面全体を再構築した。
組織模倣体における電界閾値の解析
COMSOL Multiphysics(Version 4.2a,COMSOL Inc.,Burlington,MA)で、有限要素モデルを作った。コラーゲンヒドロゲルを、5mmの半径及び1.2S/mの導電率を有する3mm厚のシリンダとしてモデリングした。1.27mmの外径の電極を表すシリンダを、それらの縁間距離が2mmと等しくなるようにオフセットした。解ドメイン内で、電流モジュールを使用して、以下の方程式を解き、
式中、Uは、電位であり、Eは、電界であり、Jは、電流密度であり、Qは、電流源であり、σは、導電率であり、εは、比誘電率であり、εは、真空の誘電率である。1つの電極を包囲する境界に一定の電位を割り当てた。
もう一方の電極の境界を相対接地として割り当てた。
残りの境界を電気絶縁として定義し、
式中、nは、表面の法線ベクトルであり、Jは、電流である。
筋肉収縮なしの非熱アブレーションのための改良したデューティサイクルアプローチ(Arena,C.B.,et al.High−Frequency Irreversible Electroporation(H−FIRE)for Non−thermal Ablation without Muscle Contraction.Biomed Eng Online 10(2011)、Neal,R.E.,2nd,Garcia,P.A.,Robertson,J.L.&Davalos,R.V.Experimental Characterization and Numerical Modeling of Tissue Electrical Conductivity during Pulsed Electric Fields for Irreversible Electroporation Treatment Planning.IEEE Trans Biomed Eng 59,1076−1085(2012))を使用して、80秒にわたって、540V及び100μsの電圧印加時間に対して、ジュール加熱による温度の変化を計算した。修正した熱伝導方程式を一時的に解くことによって、温度分布(T)を得て、
式中、τは、パルス持続時間であり、Pは、パルスの期間であり、kは、熱伝導率であり、cは、定圧比熱であり、ρは、密度である。外側境界を対流冷却として扱い、
22℃の外部温度(T外部)及び25(Wm−2−1)の熱伝達係数(h)を有する。中間の時間ステップを使用して、少なくとも1つの時間ステップが毎秒行われたことを確実にした。540Vにおけるシミュレーションは、熱効果が電界分布に対するわずかな影響をもたらしたことを示し、温度増加による導電率の変化を、計算時間を最小限に抑えるために、後続のモデルにおいて無視した。電気穿孔による導電率の変化も同様に、足場内の細胞の低濃度によって無視した。実験的に測定された値を複製するために、1つの電極上の電圧は、10Vずつ、470〜700V掃引し、もう一方は、接地で保持した。
ImageJ(version 1.43u,National Institutes of Health,USA)を使用して、ヒドロゲルの表面付近のタイル表示された画像(図38D〜Gの代表的な実施例)を検査した。PI(死滅領域)を占めた細胞の領域の幅及び高さを測定した。次いで、これらの値を数値シミュレーションからの電界強度と関連付けて、細胞死に必要とされる電界閾値を決定した(Arena et al.,2012)。99%(α=0.01)の信頼度を有するJMP(Version 10.0 Pro,SAS Institute Inc.,Cary,NC)を使用して、データの統計解析を完了した。
マウス腫瘍モデル
この研究は、Virginia Tech Institutional Animal Care and Use Committeeによって承認された。6〜7週齢のHsd:Athymic Nude−Foxn1nu雄マウス(Harlan,Dublin,VA)を、3%イソフルラン(Abbott Laboratories,Abbott Park,IL)の吸入によって麻酔をかけると同時に、ヒト神経膠芽腫細胞(DBTRG−05MG)を、背側脇腹領域に皮下接種した。マウスを、特定病原体除去条件下で、5匹の群で、個々に換気ケージ内に収容し、随意に、滅菌水及び飼料へのアクセスを可能にした。接種前、細胞を、10%FBS及び1%ペニシリン/ストレプトマイシンを含有するDMEM(L−グルタミンが補充された高グルコース。Thermo Scientific,Logan,UT)中で、標準的な技術を使用して培養した。80%のコンフルエンスに達すると、細胞を、PBS及びマトリゲル(BD Biosciences,San Jose,CA)の85/15の混合物中に、5×10個の細胞/mLの濃度で懸濁させた。各注入のために、この最終懸濁液の200μLのアリコートを使用した(合計で1×10個の細胞)。
カリパスを使用して、腫瘍増殖を経時的に測定し、修正した楕円体計算式(Jensen,M.M.,Jorgensen,J.T.,Binderup,T.&Kjaer,A.Tumor volume in subcutaneous mouse xenografts measured by microCT is more accurate and reproducible than determined by 18FFDG−microPET or external caliper.BMC medical imaging 8,16(2008))に従って、体積(v)を計算し、
式中、lは、縦径の長さであり、wは、横径の幅である。最大直径が約5mmに達したとき、腫瘍を処置した。処置群は、図44の表に示される。マウスに同じイソフルラン吸入プロトコルを実施した後に麻酔をかけ、腫瘍を覆う皮膚を70%イソプロピルアルコールで準備した。次いで、カスタムスチール針電極s(0.4mmφ)を腫瘍の中心に前進させた。全ての処置で0.4cmの間隔(中心間)を使用した。全処置群において、パルス発生システムを、その最大の1000Vピーク出力を送達するように設定した。1バースト当たりの電圧印加時間を100μsに固定し、バーストを2分間、1Hzの反復率で送達した。
処置後、局所用抗生物質軟膏を針挿入創に塗布した。マウスを麻酔から外し、回復のために、1mLのsterile saline溶液中で希釈した5mg/kgのケトプロフェン鎮痛剤を提供した。腫瘍体積が800mm3に達した場合、マウスを人道的な理由で処置後30日またはそれよりも早く安楽死させた。
任意の存在する主要組織の試料を切除し、処理のために切開した。代表的な組織を10%中性緩衝ホルマリン中で保存し、パラフィンに包埋した。ホルマリン保存パラフィン包埋試料を切開し、ヘマトキシリン及びエオシン(H&E)染色を使用して、組織構造に関して処理した。全ての顕微鏡写真を、Leica DMI 6000倒立顕微鏡を用いて得た。
結果
BEAM処置パルス幅、パルス数、及び総電圧印加時間は、致死電界閾値に影響を及ぼす
典型的なIRE処置は、それぞれが1Hz反復率で100μsの持続時間の、80個の単極性パルスの送達を伴う。PPT8182細胞株及び同じ組織模倣体を使用して、Arena et al(Arena et al.,2012)は、この標準的なプロトコルに対する致死限界値が501V/cmであることがわかった。図40Aは、単極性パルスが同等の電気用量を有する双極性パルスのバーストによって置き換えられるときの致死限界値を示す。致死電界閾値は、0.25、0.5、1、2、5、10、及び50μsのパルスを含むバーストのそれぞれに対して、2022、1687、1070、755、640、629、及び531V/cmであることがわかった。
測定される温度プロファイルは、数値的に予測されたプロファイルとよく相関した(図40C)。これらのパルスのシミュレーションは、80個のパルスを送達した後の組織模倣体の中心における約12℃の温度増加を予測する。実験的に、全ての群にわたる平均温度増加は、14.4±2.2℃であった。室温で実験を実施し、実験的に測定された最大温度は、34.8℃であった。最大温度の最大変化、3.2℃は、2μsの群と50μsの群との間で生じた。
2及び50μsのパルスを有するバーストに対して、8及び80回のバーストを用いた処置を実施した。比較のために、100μsの持続時間の8または80個のいずれかの単極性パルスを用いた処置を実施した(図41A)。8個のパルスに対する閾値は、2、50、及び100μs群のそれぞれに対して、1675、1211、及び820V/cmであることがわかった。80個のパルスに対する対応する閾値は、756、531、及び501V/cmであることがわかった。
本発明者らの等価用量近似の制限を調査するために、2μsのパルスを有する一定に保持された80回のバーストを、3つの異なる電圧:250、540、及び650Vで送達した。これらの場合、各バーストは、216、50、及び32個のパルスを含み、2000、2300、及び2200Vsのそれぞれの近似用量を得た。これらの処置に関する細胞死に対する閾値は、663、718、及び822V/cm(図41B)であった。250及び650V群は、99%信頼度(α=0.01)で統計的に異なることがわかった。
2μsのパルスを有するバーストに対して、電圧を540Vで一定に保持したが、1バースト当たりの電圧印加時間が100から48または4μsに低減したとき、電界閾値は、718V/cmから855及び1110V/cmのそれぞれに増加することが分かった(図41C)。100μsと48μsとの間の差は、統計的に有意ではなかった。
図41Dは、致死電界閾値に対するパルス間遅延の効果を示す。540Vにおいて、2μsのパルス間のパルス間遅延は、2μsから200μsに増加した。「バースト」と同様に、この「拡散」処置に1秒当たり100μs電圧印加し、この波形を80秒間送達した。パルス間遅延のこの変化は、718V/cmから770V/cmへの電界閾値の増加をもたらした。この差は、統計的に異ならなかった。
BEAM処置は、インビボで腫瘍増殖を阻害する
処置時、腫瘍は、シャム、5μs、2μs、及び1μs群に対して、平均91、101、45、及び44mmであった。処置の30日後、これらの平均は、332、62、16、及び44mmに変化していた(図42E)。4つのシャム腫瘍のうちの3つが、30日目までにサイズが2倍以上になった(図42A)。4つ目は、サイズが有意に増加せず、研究の終了時に92mmを測定した。1、2、及び5μs群における腫瘍(図42B〜D)は、退縮が観察される前の1〜5日目にわたって異なるサイズの増加を示した。1μs群は、研究の終了時に2つの完全な退縮を有した。他の2つの腫瘍は、30日目に85及び91mmを測定した。2μs群は、1つの完全な退縮を有し、他の腫瘍は、30日目に32.9mmを測定した(図42C)。5μs群は、3つの完全な退縮を有した。残りの腫瘍は、77、77、97、106、及び144mmの体積を有した。図4Eは、30日間の試験にわたる各処置群に対する平均腫瘍体積を示す。
インビボ処置の直後、腫瘍の白色化が生じた。これは、血流の低減と関連し、浮腫の初期段階である(図43B)。電気穿孔による療法のこの特徴的な抗血管作用は、出血性転移を治療するための電気化学療法(ECT)で利用されている(Jarm,T.,Cemazar,M.,Miklavcic,D.&Sersa,G.Antivascular effects of electrochemotherapy:implications in treatment of bleeding metastases.Expert Rev Anticancer Ther 10,729−746(2010))。非絶縁電極の使用により、腫瘍を覆っている皮膚は、腫瘍と共に死滅させられた。これは、処置後1日目以内に痂皮形成(図43C)をもたらし、それは、典型的には2週間以内に消えた。組織採取の直前及び後に撮られたエンドポイント画像は、BEAM処置の30日後の完全な腫瘍退縮の証拠を示す(図43D〜G)。
図43H及びIは、シャム群(図43H)及び5μs処置群(図43I)におけるマウスの研究エンドポイントからの組織切片を示す。処置されたマウスにおいて測定可能な腫瘍が観察されなかったという事実にもかかわらず、生存神経膠芽腫細胞の袋が、筋肉組織の上に位置する血管を包囲して存在していた。同様の特徴が、シャムマウスにおいても見られ、さらに筋肉層の下に生存腫瘤を伴った。生存腫瘍を含む細胞は、はっきりと識別できる細胞質及び明確に画定された細胞膜によって包囲される大きい核を示す。加えて、筋肉と脂肪層との間の接触面における腫瘍の境界に沿って、健康な血管系の証拠がある。
考察
双極性パルスのバーストに対して、細胞死を誘発するために必要とされる電界閾値は、構成的パルスの持続時間と逆相関する(図40A)。致死限界値は、パルス持続時間が50μsから2μsに減少すると、わずかに増加する。1μsのパルスを有するバーストに関する細胞死に対する閾値は、50μsのパルスを有するバーストに対する閾値の約2倍であり、250nsのパルスは、50μsの処置よりも約4倍大きい閾値を有する。図40Aに示される処置は全て、80回のバーストにおいて等価用量を受けた。
図40Bは、培地中に懸濁し、1500V/cmの電圧対距離比で、80個の単極性の100μsのパルス、または250ns〜50μsのパルス(1バースト当たり100μs電圧印加される)を有する、80個の双極性バーストに曝露したPPT8182細胞に対する、Sano et al.(Sano,M.B.,Arena,C.B.,DeWitt,M.R.,Saur,D.&Davalos,R.V.In−vitro bipolar nano− and microsecond electro−pulse bursts for irreversible electroporation therapies.Bioelectrochemistry 100,69−79(2014)及びArena et al.(Arena et al.,2012)出典のデータを示す。懸濁液中、2μs以下のパルスを有するバーストは、細胞生存率に影響を及ぼさない。対照的に、1500V/cmは、1μs以上のパルスを有するバーストに対して、組織模倣体中の細胞の全てを死滅させるのに十分である。
細胞が懸濁液にあるとき、それらは、より球状の外観をとる。対照的に、3D組織模倣体中で増殖されるとき、それらは、広がり始め、より自然な表現型を得る。インビボで、IREは、典型的には、約500〜750V/cmに曝露される領域内で観察され(Garcia,P.A.,et al.Intracranial Nonthermal Irreversible Electroporation:In vivo Analysis.Journal of Membrane Biology 236,127−136 (2010)、Miklavcic,D.,Semrov,D.,Mekid,H.&Mir,L.M.A validated model of in vivo electric field distribution in tissues for electrochemotherapy and for DNA electrotransfer for gene therapy.Biochimica et Biophysica Acta(BBA)−General Subjects 1523,73−83(2000)、及びEdd,J.F.,Horowitz,L.,Davalos,R.V.,Mir,L.M.&Rubinsky,B.In vivo results of a new focal tissue ablation technique:irreversible electroporation.Biomedical Engineering,IEEE Transactions on 53,1409−1415(2006))、これらの3D組織模倣体中で予測された電界強度は、双極性バーストに対するインビボ閾値を表す可能性がより高い。しかしながら、どのようにこれらの閾値が、健康な細胞及び悪性の細胞、血管系、管系、及び結合組織を含む、膵臓腫瘍などの複雑で不均一な組織を焼灼するために必要な閾値に匹敵するのかを決定するために、広範なインビボ評価がなお必要とされる。
電気遺伝子(EGT)及びECTプロトコルは、典型的には、細胞膜を透過するが、細胞死を誘発しないことを目的に、8個のパルスを採用する。図41Aは、8個の単極性の100μsのパルスと双極性の50μsのバーストとの間に有意差があることを示す。これは、これらの群が、バースト数が80に増加したときに有意に異ならなかったため、興味深い。パルス数の増加は、全ての群に対して、致死電界閾値を有意に低減した。8個のパルスと80個のパルスとの間で、閾値は、2μs双極性、50μs双極性、及び100μs単極性群のそれぞれに対して、920V/cm(55%)、679V/cm(56%)、及び319V/cm(39%)低下する。興味深いことに、2μsのパルスを有する80回のバーストに対する致死限界値は、8個の単極性の100μsのパルスと同じであった。ここでは調査されないが、双極性パルスの使用は、調査者が有害な致死効果なしで、EGTまたはECTを使用して、より大きい体積を処置することを可能にする。
1μs、500ns、及び250nsを用いたプロトコルは、電圧が540Vに設定され、1バースト当たりの電圧印加時間が100μsであったとき、組織模倣体中で関連した病変をもたらすことができなかった。これは、致死電界閾値を正確に計算すことを困難にした。本発明者らの初期の予備研究において、本発明者らは、100μsの電圧印加時間で80個のパルスを送達すると同時に、電圧を650Vまで増加させることが、コラーゲンマトリクスの熱変性をもたらしたことがわかった。Arena et al.(Arena et al.,2012)は、IRE中のコラーゲン変性を、45℃を超える温度と関連付けた。540V及び100μsと同様の用量、650Vにおける64μsへの電圧印加時間の低減は、全ての群に対して、形の良い楕円形状の病変をもたらした。本発明者らは、1μs以下のパルスを用いて、全ての群に対して、より高い電圧の等価用量のプロトコルを使用した。
図41Bにおいて、本発明者らは、試験された最低電圧、250Vにおいて関連した病変を形成した、2μsのパルスを有するバーストを使用したこの等価用量仮説の有効性を調査した。650V及び540Vにおける等価用量プロトコル間、または99%信頼度(α=0.01)を有する540Vプロトコルと250Vプロトコルとの間に、統計的な差はなく、95%信頼度(α=0.05)で、3つの群間に統計的な差はない。これは、3D腫瘍模倣体モデルにおいて、等価用量近似が、プロトコルの比較のために十分であることを示す。
等価用量仮説がこの範囲(250〜650V)からどれだけ離れて有効であるかは不明確である。しかしながら、臨床IREシステムは、現在、2700Vの出力に限定される。この電圧において、4μs電圧印加されるバーストは、等価用量及び約750V/cmの致死限界値を有する(図41Bからの値の平均)。図41Cは、バーストが4μsと比べて100μs電圧印加されるときに、致死限界値の35%の低減があることを示す。これらの2つの効果が相加的である場合、1バースト当たり100μs電圧印加される、2μsのパルスの80回のバーストを有するプロトコル(用量≒58,000V2s)は、約460V/cmの致死限界値を有することが予測される。これは、BEAM処置が、現在採用される臨床システムと同様のアブレーション体積を作ることが可能であるべきであることを示す。しかしながら、アブレーション体積の広範なインビボ試験及び測定が、これを検証するために必要とされる。
マウス腫瘍モデルに対する以前のインビボIRE実験は、同様のサイズの腫瘍の完全な退縮を得るために、1000Vピーク以上の振幅を有するパルスの印加を必要とした。Neal et al.(Neal II,R.E.,et al.Treatment of breast cancer through the application of irreversible electroporation using a novel minimally invasive single needle electrode.Breast cancer research and treatment 123,295−301(2010))は、それぞれが100μsの持続時間及び1300Vピーク(5600V/cm)の100個の単極性パルスが、2.3mmの電極間隔を有する双極性プローブを介して印加されるとき、7匹のマウスのうち5匹において完全な退縮を達成した。Al−Sakere et al.(Al−Sakere,B.,et al.Tumor ablation with irreversible electroporation.PloS one 2,e1135(2007))は、それぞれが100μsの持続時間及び1000(2500V/cm)の80個のパルスが、4mm離間した平板電極間で印加されたとき、13匹のマウスのうち12匹において完全な退縮を達成した。
臨床プロトコルを模倣するために、この研究における処置を、2つの針電極を介して適用した。0.4mmの間隔を使用して、本発明者らのパルス発生システムの1000Vピークの限度に相当すると同時に、腫瘍の被覆率を最大化した。これらのインビボ実験で使用される0.4mm直径の電極は、臨床的に使用される1mm直径の電極、及び腫瘍模倣体で使用される1.27mmの電極よりも有意に小さかった。電極直径は、電界分布と密接な関係があり、より小さい電極は、より小さいアブレーション領域をもたらす。これを説明するために、送達されるバースト数を120まで増加して、広範な熱的加熱効果を回避すると同時に、可能な限り最良の結果を提供する。肉眼及び組織学的検査は、熱損傷からの任意の瘢痕形成を示さなかった。
処置群において、測定された腫瘍体積は、処置後最初の1〜5日間にわたって増加した。浮腫の発生と共にかさぶたの形成は、短期間の経過観察中に腫瘍体積の過大評価をもたらした可能性がある。処置送達後2週間以内に、かさぶたは消え、腫瘍退縮の証拠は観察可能であった。
この処置プロトコルは、腫瘍増殖を阻害する。処置群における平均腫瘍体積は、研究の終了時に対照よりも有意に小さかった。IACUCプロトコルの限られた期間により、腫瘍が処置後に指数増殖期に入ったかどうかが不明確であり、本発明者らは、カプランマイヤー生存曲線を得ることができなかった。合計で、14匹の処置されたマウスのうち6匹が、処置の30日後、腫瘍の測定可能な兆候を有さず、全てのプロトコルが、いくつかの完全な退縮を達成することができた。今後の研究は、動物の生涯にわたって腫瘍退縮を監視するための長期研究を含むべきである。
いくつかの処置された動物の組織学的検査は、皮層内の筋肉の筋膜の表面にある腫瘍性細胞の袋を明らかにし、それは、処置中を示す。より高い印加電圧、バースト数の増加、及び/または1バースト当たりのより高い電圧印加時間を有するプロトコルを使用することによって、より良好な退縮結果が得られ得ることが可能である。Al−Sakereによって示される研究が、100%の退縮率を得なかったが、彼らのプロトコルが、有望な結果を伴い、ヒト臨床用途にうまく適応されていることに留意されたい。
結論
この研究は、IRE及びBEAMプロトコルに対する致死限界値の差を示す。等価用量を送達するにもかかわらず、より短い構成パルスを有するバーストは、典型的には、アブレーションのためにより高い電界強度を必要とする。バーストの数、1バースト当たりの電圧印加時間、及びパルス持続時間は全て、致死限界値に影響を及ぼす重要な要因である。80回のバーストを使用して、本発明者らは、1、2、及び5μsのパルスが1070、755、及び640V/cmの電界閾値を有したことがわかった。200回のバーストをインビボで送達したとき、これらのパルスは、腫瘍体積に対して同様の効果を有した。BEAMで処置された全てのマウスが、療法によく耐え、未処置対照と比較して、腫瘍体積が有意に減少した。各群は、少なくとも1つの完全な退縮を達成した。この研究は、BEAMが腫瘍アブレーションのために使用され得るという強い証拠を提供し、今後の調査が保証される。
実施例4
方法
細胞培養
U−87 MG初代ヒト神経膠芽腫細胞(ATCC)、D1TNC1ラット星状細胞(ATCC)、及びC6ラット神経膠芽腫細胞(ATCC)を、加湿インキュベータ内で、5% CO中、37℃において、10%ウシ胎仔血清(FBS)及びペニシリン/ストレプトマイシン(PS)を含有するダルベッコ改変イーグル培地(DMEM)中で培養した。正常なヒト星状細胞(NHA)の細胞(Lonza)を、加湿インキュベータ内で、5% CO中、37℃において、星状細胞増殖培地(Lonza)中で培養した。細胞を、1×10個の細胞/mLの密度でヒドロゲル中に播種した。ヒドロゲルを、加湿インキュベータ内で、5% CO中、37℃において、細胞型に対して適切な増殖培地中に浸漬し、細胞生存率を最大で7日間、ヒドロゲル内に維持した(図46A)。
3Dコラーゲン足場の構築
すでに記載されるように、ラット尾腱を酢酸中に溶解し、続いて、冷凍及び凍結乾燥することによって、I型コラーゲン原料を調製した(Arena et al.2012)。2つの異なるコラーゲン原液濃度:4.5mg/mL及び30mg/mLを作った。2mg/mL及び20mg/mLの最終濃度を有する足場を濃縮コラーゲン原料から作製し、0.2%(w/w)及び2%(w/w)のコラーゲンゲルを作った。7.0−7.4の範囲内のpHが達成されるまで、酸溶解コラーゲンを10X DMEM(10%の全コラーゲン溶液体積)及び十分な体積の1N NaOHと混合することによって、中和されたコラーゲン溶液を作った。中和されたコラーゲンをDMEM中に懸濁している細胞と混合して、最終コラーゲン混合物中で1×10個の細胞/mLの細胞密度を達成した。溶液を、スパチュラを用いて慎重に混合して、細胞を損傷することなく、ゲル全体にわたる均一な分散を確実にした。次いで、コラーゲン溶液を、10mmの直径及び1mmの深さの切り抜きを有するポリジメチルシロキサン(PDMS)型内に分注し、平坦に形作られて、一貫した足場形状を確実にした。腫瘍細胞による酸素(O)消費率に関する本発明者らの以前の数学モデリング及び実験(Verbridge,S.S.et al.Oxygen−Controlled Three−Dimensional Cultures to Analyze Tumor Angiogenesis.Tissue Engineering.Part A 16,2133−2141,doi:10.1089/ten.tea.2009.0670(2010)(“Verbridge et al.,2010”))は、この細胞密度及び足場の厚さにおいて、O濃度が足場の深さ全体にわたって均一であることを確実にする。コラーゲンを、45分間、37℃及び5% COで重合させた。
3Dアルギン酸塩足場の構築
コラーゲンに関するのと同じPDMS型を使用して、アルギン酸カルシウムゲルを作り、直径10mm及び厚さ1mmのディスクを作った。本発明者らがすでに報告しているように、緩衝液中に溶解し、透析し、冷凍及び凍結乾燥し、続いて、無血清DMEM中で再構成した粉末状アルギン酸塩(Protanal LF 10/60,FMC BioPolymer)を使用して、2つのアルギン酸塩ゲル原料濃度(0.4%及び4.0%(w/v)を調製した(Verbridge,S.S.et al.Oxygen−Controlled Three−Dimensional Cultures to Analyze Tumor Angiogenesis.Tissue Engineering.Part A 16,2133−2141,doi:10.1089/ten.tea.2009.0670(2010))。アルギン酸塩濃度を、使用されるコラーゲン濃度と同様に、機械的硬さが広範囲に広がるように選択した。アルギン酸塩溶液を1×10個の細胞/mLの密度で細胞と混合し、PDMS型内に分注し、多孔質膜を有して平坦に形作った。アルギン酸ヒドロゲルを、45分間、多孔質膜の被覆にわたって分注される0.1MのCaClに浸漬することによって架橋した。次いで、アルギン酸ヒドロゲルを、37℃、5% COで、10% FBS及び1% PSが補充されたDMEMを有する24ウェルプレート中で培養した。
形状係数の決定
U−87、NHA、D1TNC1、及びC6細胞を、すでに記載された4つの条件のうちの1つのヒドロゲル中に個々に播種した(0.2%、2%コラーゲン、0.4%、4%アルギン酸塩)。24時間細胞を培養した後、4%ホルマリンを使用してヒドロゲルを固定し、遮断し、40mg/mLウシ血清アルブミン(BSA)及び0.5% Triton−Xを使用して透過した。細胞アクチンをAlexa Flour 568ファロイジン(Life Technologies,Carlsbad,CA)で染色する一方で、細胞核をジアミノフェニルインドール(DAPI;Sigma−Aldrich,St.Louis,MO)で染色した。Zeiss LSM510(Carl Zeiss Microscopy LLC,Thornwood,NY)レーザ走査共焦点顕微鏡を使用して、細胞を視覚化した。次いで、染色した細胞を使用して、4つの条件のそれぞれにおける細胞に対する細胞形状係数を決定した。Image J(NIH,Bethesda,MD)で画像解析を行い、細胞の核面積、核外周、細胞質面積、細胞質外周、ならびに最長及び最短直径を決定した。1ヒドロゲル当たり少なくとも4つの細胞に対して測定を行い、少なくとも5つのヒドロゲルを各条件に対して解析した。
ライブ蛍光イメージング
U−87細胞を通常の培養条件下で培養し、CellLight Nucleus−RFP,Bacman 2.0(Molecular Probes,Eugene,OR)及びCellLight Tubulin−GFP (Molecular Probes,Eugene,OR)を1細胞当たり10個の粒子の濃度で培地に添加して、16時間インキュベータした。次いで、細胞を継代し、1×10個の細胞/mLの密度で、0.2%コラーゲンの最終濃度のヒドロゲルに播種した。細胞を24時間コラーゲンヒドロゲル中で培養した後、Zeiss Observer Z1顕微鏡(Carl Zeiss Microscopy LLC,Thornwood,NY)の台上で、ヒドロゲルの電気穿孔を実施して、処置中の撮像を可能にした。パルス処置を開始する直前、次いで、パルシングが開始した後5分間、30秒毎に、単一細胞の画像を撮った。IRE処置またはBEAM処置への曝露後に、細胞を撮像した。パルスに曝露しなかった細胞もまた、対照として撮像した。
3D足場の電気穿孔
一定の電気特性を有するヒドロゲル中で、パルス電気穿孔実験を実施した。ゲル−細胞混合物のそれぞれの導電率を、導電率計を用いて測定して、同様の電気特性(0.98±0.04S/m)を確実にした。ECM 830パルス発生器(Harvard apparatus,Holliston,MA)を使用して、IREパルスを発生させ、カスタム電極を介して組織に送達した。特注のパルス発生システム(INSPIRE 2.0,VoltMed Inc.,Blacksburg,VA)を使用して、高周波パルスを送達した。直径が0.87mmで、縁間が3.3mm分離した、2つの固体ステンレス鋼シリンダを電極として使用した。
合計で50個の方形波パルス(IRE)または1μsのパルスの50回のバースト(BEAM)を送達して、処置を実施した。IREプロトコルは、1秒当たり1パルスの反復率で、100μsのパルスを送達した。BEAMプロトコルにおいて、5μsのパルス間遅延を伴う100×1μsのパルスからなるバーストを、1秒当たり1バーストの反復率で送達した。IRE処置に対して、パルス振幅を450Vピークに設定した一方で、BEAM処置に対して、IRE群とほぼ同じ体積のアブレーションをもたらすために、700Vピークを使用した。
ヒドロゲル中の有限要素解析
COMSOL Multiphysics(Version 4.3,COMSOL Inc.,Palo Alto,CA)を使用した有限要素モデルを使用して、ラプラス方程式を解いて、使用されるそれぞれ異なる電圧に対するヒドロゲル内の電界分布を見つけた。ジュール加熱方程式を解いて、各処置の結果として、ヒドロゲル中の温度分布を計算するためにも、COMSOL Multiphysicsを使用した。ヒドロゲルの深さに及ぶ2つのスチール電極シリンダ(d=0.87mm)を有する、10mmの直径及び1mmの厚さのシリンダとして、シミュレーション形状をモデリングした。連続細分化間の誤差が1%未満になるまで、メッシュを細分化した。最終メッシュは、47,438個の要素を含み、Pentium i3プロセッサ上で、約3分で解が見つかった。
個々の細胞の有限要素解析
インピーダンス境界条件スキーム(Sano,M.B.,Arena,C.B.,DeWitt,M.R.,Saur,D.&Davalos,R.V.In−vitro bipolar nano− and microsecond electro−pulse bursts for irreversible electroporation therapies.Bioelectrochemistry 100,69−79,doi:DOI 10.1016/j.bioelechem.2014.07.010(2014))を用いた有限要素モデルを使用して、細胞膜及び核膜にわたる膜内外電位をモデリングした。これらの有限要素モデルを使用して、シミュレーションされたIRE and BEAMパルスに対する代表的な細胞形状の応答を数値的に調査した。共焦点顕微鏡画像からImageJ画像解析ソフトウェア(NIH,Bethesda,MD)で行われた平均測定に基づき、細胞形状を決定した。2つの異なるコラーゲン密度(0.2%、2%)でのU−87細胞、ならびに0.2%コラーゲンマトリクス中の4つの異なる細胞型(U−87、NHA、C6、D1TNC1)に対する形状を使用した。COMSOL Multiphysicsの2D−軸対称プラットフォームを使用して、全てのモデルを解いた。別個の電流物理学モジュールを各ドメイン(培地、細胞質、核質)に対して使用した。300μmの辺を有する大きい培地ドメインを使用して、いかなる有意な境界効果を回避した。半楕円形として細胞及び核をモデリングし、それらの長さ及び幅は、共焦点顕微鏡画像からの測定に従って異なった。
電流モジュールを使用して、時間ドメイン内でシミュレーションを解いた。細胞膜及び核膜によってもたらされる抵抗及び容量を説明するために、既存の文献に基づき、核及び細胞質の境界にインピーダンス特性を割り当てた。
致死限界値の決定
処置を送達した24時間後に、ヒドロゲル上でライブ/デッド染色を最初に実施することによって、細胞死に対する閾値を決定した。生存細胞がカルセインAM(Biotium,Hayward,CA)で染色され、緑色の蛍光を発した一方で、死滅細胞は、エチジウムホモダイマーIII(Biotium,Hayward,CA)で染色され、赤色の蛍光を発した。ImageJ画像解析ソフトウェアを使用して、赤色に染色した死滅領域の直径を測定した。アブレーション領域の形状測定を有限要素モデルにマッピングして、足場の処置中の電界を計算した(図46Cのc)。生存及び死滅領域の縁部における電界の大きさを、所与の細胞型に関する細胞死に対する電界閾値と見なした。
インビボでのイヌ処置
全てのイヌのインビボ研究は、動物実験委員会(08−218−CVM)によって承認された。すでに記載された方法(Edd,J.F.&Davalos,R.V.Mathematical Modeling of Irreversible Electroporation for Treatment Planning.Technology in Cancer Research&Treatment 6,275−286,doi:10.1177/153303460700600403(2007)(“Edd and Davalos,2007”)、Garcia,P.A.et al.Non−Thermal Irreversible Electroporation(N−TIRE) and Adjuvant Fractionated Radiotherapeutic Multimodal Therapy for Intracranial Malignant glioma in a Canine Patient.Technology In Cancer Research&Treatment 10,73−83(2011)、Rossmeisl,J.H.,Garcia,P.A.,Roberston,J.L.,Ellis,T.L.&Davalos,R.V.Pathology of non−thermal irreversible electroporation(N−TIRE)−induced ablation of the canine brain.Journal of Veterinary Science 14,433−440,doi:10.4142/jvs.2013.14.4.433(2013)(“Rossmeisl et al.,2013”))に従って、麻酔された正常なイヌ対象の脳において、かつ自然発生悪性神経膠腫を有するイヌにおいて、IRE処置を実施した。担癌イヌにおいて、IREアブレーション前に、脳病変の生検を実施して、腫瘍の病理組織学的診断及び悪性度分類を可能にし、焼灼した領域の追加の生検をIREの24時間以内に得て、IRE処置の効果を特徴付けた。
組織形態学的染色
IREで処置した正常なイヌ及び担癌イヌからの保管された、パラフィン包埋の、横方向に配向した脳切片を回収し、5μmの厚さに切断し、正電荷スライド上に載置し、ヘマトキシリン及びエオシンで定期的に染色した(Edd and Davalos,2007、Rossmeisl et al.,2013)。電荷結合素子デジタルカメラ(Nikon DS−Fi1c,Nikon,Japan)及び市販の画像解析ソフトウェアシステム(NIS Elements AR,Nikon,Japan)を用いて、大脳皮質、皮質下白質、対側の相同皮質、及び白質対照のIRE焼灼領域を表す対象の領域、ならびにIRE処置前及び後のイヌGBMのデジタル顕微鏡写真を撮った。
統計解析
Prism Statistical Software(Version 6,Graphpad,La Jolla,CA)で実施された両側t検定によって、統計的有意性を決定した。有意性をp<0.05として定義して、95%信頼区間を使用した。全ての数値結果は、全ての実験測定の平均及び標準偏差として報告される。異常値を除外しなかった。
結果
パルス電界の細胞サイズ選択性
有限要素モデリングを用いて、電界パルスへの単一細胞応答をシミュレーションした。モデリングされたIREパルス(図45A)への応答した、シミュレーションしたTMP変化は、細胞サイズに非常に依存する(図45B)。対照的に、BEAMパルスに曝露された細胞は、これらのモデルにおける細胞サイズに伴う有意なTMP変化を示さない(図45C)。
細胞死に関する電界閾値に対する細胞サイズの効果を実験的に調査するために、本発明者らは、三次元GBMヒドロゲル腫瘍モデルを使用して、腫瘍微小環境の機械的及び化学的構造を調整し(図46A)、次いで、療法−試験プラットフォームとして使用した(図46B)。本発明者らは、有限要素モデリングを使用して、2つの実験的電圧において、パルス曝露中のヒドロゲル内の電界をシミュレーションすることによって、致死電界閾値を決定した(図46Cのc及びd)。これらのシミュレーションは、電界の大きさが増加すると、ピーナッツ形から円形に変化する、電圧の関数としての予測された病変形状の変化を明らかにする。ヒドロゲル中の処置によって誘発された温度分布の有限要素モデリングは、細胞が生理学的レベルを超える温度に曝露されないため、細胞損傷が熱効果によって生じないことを証明したが(図46Cのe)、長期の温度増加は明らかではない(図46Cのf)。
ヒドロゲル足場内の細胞サイズ及び形状は、足場密度の関数であり、組織モデル中のコラーゲン密度を変化させることによって、本発明者らは、単一の細胞型に対する細胞サイズ及び外膜外周を制御することができた。U−87 MGヒトGBM細胞は、より低い密度(0.2%w/w)コラーゲン(1572±503μm2)と比較して、より高い密度(2%w/w)コラーゲン(920±249μm2)中で有意により小さい面積(p=0.005)を示した(図47A)。このインビトロモデルを使用して、次いで、本発明者らは、これらの細胞形状が、BEAMパルスに対してではなく、IREに対する致死限界値を決定したと判断した。モデルによって予測されるように、0.2%コラーゲン中の細胞に対するIRE病変は、2.0%コラーゲン中の細胞に対する病変よりも大きい(図47B、p<0.0001)。より大きい細胞が428±47V/cmを超える振幅を有するIREパルスによって死滅させられた一方で、より小さい細胞は、細胞死に対してより大きい電界を必要とした(492±41V/cm)。対照的に、BEAM処置は、コラーゲン密度とは無関係であった601±65V/cmの平均致死限界値に対応する、病変サイズの統計的に有意な差をもたらさなかった(図47C)。2つの足場に対する導電率は、実験的に比較可能であり、細胞密度は、2つの条件下で同一であった。
本発明者らは、アルギン酸カルシウムヒドロゲルにおいて追加の実験を実施し、細胞形態は、細胞−ECM結合部位の欠如によって、異なる足場密度に対して比較的一定である(図48A)。アルギン酸ヒドロゲル中、病変サイズ及び致死限界値は、IRE(図48B)及びBEAM(図48C)の両方に対して、ポリマー濃度とは無関係であった。
IREのインビボ選択性
本発明者らは、IRE29を使用して、自然発生悪性神経膠腫を患うイヌ患者をすでに処置した。この処置からの組織構造は、ここに示される本発明者らの3Dインビトロアブレーション結果と、ヒトGBM表現型をよく示す文脈中のインビボの結果との間の重要な比較点を提供する。未処置の大脳皮質灰白質(図49A)をIRE処置に曝露したとき、神経細胞及びグリア細胞が焼灼されると、非識別細胞死が生じた(図49B)。同様に、IREで処置された未処置の内包の白質(図49C)は、空胞変性及び軸索消失に加えて、グリア死をもたらした。悪性の神経膠芽腫細胞(図49E)がIRE処置で焼灼されたが(図49F)、間質細胞構築も焼灼される。細胞サイズに基づき、IRE閾値の統計的に有意であるがそれでもなお小さい差を証明する、本発明者らのインビトロ研究と組み合わせて、イヌGBMにおけるIREアブレーションの比較的非選択的な性質を証明する、これらのインビボの結果に基づき、次に、本発明者らは、細胞特異的標的化を与えるために、パルス電界に対する電位に重点を置いた。イヌ患者からの組織構造画像は、健康な組織(図49A、C)と比較した、GBM細胞の腫大した核を特徴とする、よく知られている腫瘍細胞表現型を示し(図49E)、したがって、処置電界の細胞内局所化が核サイズの差によって腫瘍細胞標的化を可能にし得るという本発明者らの仮説を動機付ける。
パルス電界の細胞内効果
電界の細胞内局所化を介してBEAMパルスの効果を発揮するための、BEAMパルスに対する電位を検査するために、本発明者らは、単一細胞にわたる電界分布の有限要素モデリングを実施した。このモデルは、100μs印加される、500V/cmの電界の大きさを有する、シミュレーションされたIREパルスに対して、外部電界の14%のみが細胞膜を横断し、細胞質内に存在することを予測する(図50A)。対照的に、BEAMパルスは、細胞の外側にそれらのエネルギーのほとんどを送達する(図50B)。細胞質が、各1μsのBEAMパルスの持続時間全体にわたって、400V/cmを超えて充電される一方で、同じことが各100μsのIREパルスの8%のみに当てはまる。BEAMによって作られる強力な細胞内電界のこの予測に関して、腫瘍細胞核に対する効果の意味合いを試験するために、本発明者らは、正常な細胞に対する複数の悪性細胞の比較を含むように選択される、4つの異なる細胞型を使用した3Dモデル(図50C)を構築した。これらの3D培養細胞は、細胞面積の有意差を示さなかったが(図50D)、核面積の有意差を示した(図50E)。ヒト悪性グリオーマ細胞株(U−87)が、正常なヒト星状細胞(NHA)よりも有意に大きい核面積を示した一方で(p=0.0048)、ラット神経膠芽腫株(C6)は、正常なラット星状細胞(D1TNC1)と比較して、核面積の増加を示した(p=0.0140)。
IRE細胞サイズ依存性及び核サイズ非依存性のモデル予測と一致して、4つの細胞型は、同様のIRE病変を示した(図51A)。対照的に、GBM細胞を有する組織模倣体中のBEAM病変は、正常な星状細胞での病変よりも有意に大きかった(図51B)。細胞型にわたる同様の致死IRE閾値(図51C)は、4つ全ての細胞型が同様の外膜面積を有するという事実と一致する。しかしながら、BEAM実験結果は、悪性の細胞に対してより低い致死限界値を明らかにし(図51D)、それらは、それらの正常な細胞対応物と比較して、より大きい核を有する。ヒト細胞へのBEAM処置に対して、U87神経膠芽腫細胞を601+/−71V/cmの閾値で死滅させた一方で、NHAを1006+/−81V/cmの閾値で死滅させた(p<0.0001)。ラット細胞株に対して、C6細胞が752+/−58V/cmの致死限界値を有した一方で、D1TNC1細胞は、1107+/−106V/cmの致死限界値を有した(p<0.0001)。
IRE及びBEAMの死滅機構
IRE及びBEAMによる死滅機構間の差を調査するために、本発明者らは、各処置計画への曝露後に、単一細胞の撮像を実施した。細胞核及びチューブリンをライブ蛍光染色によって染色し、3Dコラーゲンヒドロゲル中で培養した。IREへの曝露の直前、次いで、その後30秒間隔で、これらのヒドロゲル内の原位置での蛍光撮像を実施し、パルシング後1分以内の細胞膜からの色素の外向きの拡散を明らかにした(図52A)。処置後5分のうちに、チューブリン色素が細胞の外にほぼ完全に拡散した一方で、核色素は、核の完全性の破壊を示した。対照的に、BEAMに曝露された細胞は、5分の時間スケールで、核の強い内向きの崩壊、続いて、チューブリン染色細胞質の崩壊を示した(図52B)。同じ時間経過にわたって撮像される処置のいずれにも曝露されない対照細胞は、処置で誘発された変化が光退色と関連していないことを確実にする(図52C)。
核破壊に対する致死限界値の推定
本発明者らは、後続の数学モデルのための入力として実験データを利用して、BEAM致死限界値と核サイズとの間の関係を調査した。このデータに基づき、細胞死が細胞型とは無関係である細胞型において生じる一方で、この核破壊に必要とされる外部電界は、核サイズに反比例して増減するように思われる。致死限界値、核形状、並びにグリオーマ細胞及び星状細胞に対する理想的な細胞形状に関する実験的発見を使用して、本発明者らは、各細胞型に対する最小致死電界への単一細胞応答の有限要素モデリングを実施した。これらの致死条件、NHA細胞に対する1006V/cm、及びU−87細胞に対する601V/cmへの細胞曝露をシミュレーションして、本発明者らは、星状細胞に対するよりもグリオーマ細胞に対する、TMPのより大きい増加を発見したが(図53A)、これらのTMPは、IREに対する予想された1Vの瞬間致死限界値を有意に下回った。対照的に、nTMP応答のシミュレーションは、両方の細胞型に対して、同様のnTMPの増加を予測し、細胞死が、約130mVの破壊において、両方の細胞に対して共通のnTMPの値で生じていることを示す。
考察
全体的な目的は、すでに公開された方法(Verbridge,S.S.et al.Oxygen−Controlled Three−Dimensional Cultures to Analyze Tumor Angiogenesis.Tissue Engineering.Part A 16,2133−2141,doi:10.1089/ten.tea.2009.0670(2010))に基づき、正常な脳微小環境と対比した、腫瘍の組織操作されたモデルを利用して、IRE及びBEAMパルスへの代表的な細胞形状の応答を調査することであった。これらのプラットフォームは、2D実験では可能ではない、電界への応答に対する3D細胞形態の効果を調査するための三次元の生理学的組織コンテクストを大いに提供すると同時に、インビボで見つかった他の交絡変数を排除する。ヒドロゲルは、IREパルスへの組織応答を試験するための関連プラットフォームとしてすでに構築されているが(Arena et al.,2012)、そのようなモデルはまた、2Dモデルと比較して、ヒト腫瘍生理学及び療法応答をよりよく反復することが証明されている(Fischbach,C.et al.Engineering tumors with 3D scaffolds.Nat Meth 4,855−860,(2007)、Fong,E.L.S.et al.Modeling Ewing sarcoma tumors in vitro with 3D scaffolds.Proceedings of the National Academy of Sciences 110,6500−6505,doi:10.1073/pnas.1221403110(2013))。標的化パラメータ及び微小環境を容易に調整する能力で、これらのモデルは、広くは、療法応答に対する、より具体的には、治療用電界へ応答に対する、細胞形態学及び組織物理学の影響を測定するための有益なツールを提供する。
本発明者らの研究が、イヌ患者における自然発生GBMの処置における彼らの経験によって情報が与えられ、かつそれに基づくことに留意することが重要である。自発的な原発性脳腫瘍は、2つの種−イヌ及びヒトにおいて比較的よく見られるだけである。ヒト及びイヌ脳腫瘍は、組織病理学的及び診断的画像特徴を含む多くの特徴を共有し、それは、ヒト臨床実施で使用される、世界保健機関病理分類及び撮像による治療応答評価スキームの適用を可能にする。イヌ及びヒト脳腫瘍はまた、増殖因子受容体の同様の発現パターン、染色体の欠失、及び腫瘍抑制遺伝子の機能の喪失を有することが証明されている。腫瘍が、ヒトに対するよりもイヌにおいて5〜7倍速く進行するため、自然発生脳腫瘍を患うイヌは、新規の脳腫瘍治療法の信頼でき、かつ迅速な評価及び転換のための魅力的なモデルである(Rossmeisl,J.H.New Treatment Modalities for Brain Tumors in Dogs and Cats.Veterinary Clinics of North America:Small Animal Practice 44,1013−1038,doi:http://dx.doi.org/10.1016/j.cvsm.2014.07.003(2014))。
サイズの大きい差に基づき、腫瘍を血液細胞と区別する、PEFを使用したサイズ選択的アブレーションは、細胞懸濁液に関してすでに報告されているが(Eppich,H.M.et al.Pulsed electric fields for selection of hematopoietic cells and depletion of tumor cell contaminants.Nature Biotechnology 18,882−887,doi:http://dx.doi.org/10.1038/78504(2000)(“Eppich et al.,2000”))、生理学的関連組織内で培養される細胞に関してはまだ証明されていない。本発明者らの実験は、IREが3D組織内への細胞サイズ選択的致死限界値をもたらすという概念を支持する。細胞播種ヒドロゲルのバルク電気抵抗特性は、コラーゲン密度の関数として変化せず、したがって、本発明者らは、測定された差が、変化した組織電気特性よりもむしろ細胞形態の結果であると信じている。アルギン酸塩中で実施された対照実験は、コラーゲン中で観察された差が、マトリクス密度の直接検知などのさらなる要素よりもむしろ、細胞サイズの変化によって生じたというこの仮説をさらに支持する。この発見は、結合リガンド密度の変化が病変サイズにも影響を及ぼし得る可能性を排除しないが、このサイズ依存性は、溶液中の細胞に関するすでに公開されたデータと一致する(Eppich et al.,2000)。さらに、細胞サイズとの閾値のこの相関関係は、BEAMに関しては欠けている。本発明者らは、これが細胞の内部の細胞小器官と主に相互作用するBEAM電界によるものであると仮定する。本発明者らの有限要素モデリングは、単一細胞モデルに印加される単一のBEAMバーストがシミュレーションされたIREバーストよりも細胞の内側ではるかに高い電界を生成するため、この仮説を確実にした。BEAM処置は、これらの1μsのパルスのうちの100個を超えた迅速なバーストを送達する。これは、BEAMパルスが細胞内膜を優先的に充電することを可能にし、それは、細胞型の関数としての細胞死に対する重大な効果を有するであろうと本発明者らが予想していた。
本発明者らのインビトロ3Dモデル結果は、細胞サイズへの電界閾値の統計的に有意な依存性を証明するが、インビボで観察された細胞サイズ不均一性は、この依存性が標的化特異性のために利用されることを防止し得る。腫瘍のイヌ脳試料及び健康なイヌ脳試料の本発明者らのH&E染色においてはっきりとわかる、細胞型間のはるかにより明らかな差は、健康な脳組織と比較した、癌細胞の腫大した核である。癌の病理学的指標として使用されて、それらの非悪性の対応物と比較した、腫大した核は、腫瘍細胞の最も信頼できる際立った特徴のうちの1つであるが(Zink,D.,Fischer,A.H.&Nickerson,J.A.Nuclear structure in cancer cells.Nat Rev Cancer 4,677−687(2004))、この特徴に対する抗癌療法の標的化は、一度も証明されていない。
核は、典型的には、最大の隣接する細胞内特徴であり、BEAMによって生成される高い細胞内電界による損傷に対する適切な標的である。処置に対する核面積の効果を実験的に試験するために、本発明者らは、原形質膜面積の有意差なく核サイズの差を示した異なる細胞型を選択し、細胞サイズによる交絡効果を排除した。数値シミュレーションは、核サイズの増加をnTMPの増加に対する重要な変数と見なした。nTMPの増加は、特定の閾値を超えて細胞死を引き起こし得、したがって、悪性の細胞は、核選択性を示さないIREとは対照的に、正常な細胞よりも低いBEAM致死限界値を有するはずである。IRE閾値の類似性は、原形質膜面積の有意差がなかったという事実と一致する。BEAM病変サイズの差は、BEAM閾値の差が、全細胞面積とは対照的に核面積に関連し、より低い致死限界値がより大きい核に対応するということを支持する。BEAMから生成される細胞内電界は、電界の大部分に曝露されるより大きい膜がより小さい膜よりも影響を及ぼすのが容易であるため、IREが原形質膜に影響を及ぼす方法と少なくとも部分的に類似した方法で、細胞間核膜に影響を及ぼすように思われる。
各処置に曝露された単一細胞の時間経過画像は、異なる細胞特徴が2つの処置による重要な変数であるという発見と一致する、BEAMとIREとの間の死滅機構の異なる差を示す。IRE処置後の細胞死の時間経過は、細胞膜による細胞内に元々閉じ込められたチューブリンタンパク質が、IREへの曝露後に細胞の外に拡散し始めるため、細胞死の原因として、細胞膜の即時の破壊を強く暗示する。対照的に、BEAMに曝露された細胞が細胞外膜からの拡散では、なくむしろ核崩壊を示す一方で、チューブリンは、元の細胞面積内で保持される。これらの発見は、外膜がBEAMにおける細胞死の機構において同じくらいの役割を果たさず、むしろ主要な効果は核に対することを示唆する。
本発明者らの結果を所与として、BEAMが、核面積が主要な変数になる方法で、細胞の生物物理学的構造に作用しているように思われる。グリオーマ及び星状細胞の細胞を、それらの個々の致死BEAM閾値(601V/cm対1006V/cm)に対してシミュレーションしたとき、本発明者らは、それぞれ約150〜250mV及び100〜130mVの同様のTMP及びnTMP範囲を発見した。これらのシミュレーションは、興味深いことに、核サイズの関数として、外側TMPの小さい差を予測した。しかしながら、このTMPの大きさ、約150mVは、不可逆電気穿孔による細胞死に対する予想された瞬間閾値(1V)よりも有意に低かった。したがって、BEAMによる死滅の主な機構が、細胞TMPの増加ではなく、むしろ細胞内効果に関係するように思われる。グリオーマ及び星状細胞の細胞に対して、130mVの最大のシミュレーションされたnTMPもまた、外膜破壊によって生じる死滅に対する致死限界値をはるかに下回り、nTMPの小さい破壊が細胞生存に有意に影響を及ぼし得ることを示唆する。細胞死への経路が、細胞膜破壊との組み合わせまたは細胞内効果の別個の連鎖と対比して、核膜に対する効果のみによって支配されるかどうかは不明確である。しかしながら、異なる致死電界強度における、2つの異なる細胞型間のnTMP値の相関関係は、核面積がBEAM処置後に細胞死過程に影響を及ぼすことを示唆する。
本発明者らの数学モデルは、細胞外膜が楕円形に近似され、生理学的細胞の不規則な形状または個々の細胞の電気特性の不均一性を説明しないため、制限を有する。電気穿孔効果による膜導電率の変化を含むことは、本発明者らのシミュレーションの精度を強化すると予測される。実験的証拠が、外膜電気穿孔がBEAM中に生じている(図52A〜C中の時点を超えた時点、データは図示せず)ということも示唆する一方で、本発明者らの実験結果及びモデル結果は、BEAMの作用機構へのnTMP効果の能動的な役割を強く示唆する。短パルスを使用した不可逆電気穿孔における死滅機構が複雑で、十分に理解されておらず、複数の異なる経路をたどり得ることが広く認識される(Weaver,J.C.,Smith,K.C.,Esser,A.T.,Son,R.S.&Gowrishankar,T.R.A brief overview of electroporation pulse strength−duration space:A region where additional intracellular effects are expected.Bioelectrochemistry 87,236−243,doi:http://dx.doi.org/10.1016/j.bioelechem.2012.02.007(2012))。さらに、核穿孔は、癌細胞の核サイズの増加だけではなく、浸潤に必要な核の硬さの減少など、核の他の異常によっても補助され得る(Dahl,K.N.,Ribeiro,A.J.S.&Lammerding,J.Nuclear shape,mechanics,and mechanotransduction.Circulation research 102,1307−1318,doi:10.1161/CIRCRESAHA.108.173989(2008))。別の可能性は、腫大した核の周囲のひずみによって引き起こされる、細胞質に印加される電界の増幅である。これは、ミトコンドリアなどの他の内部の細胞小器官がBEAMパルスによって破壊されることをもたらし得る。本発明者らの結果は、細胞死PEF閾値の決定において、IRE及びBEAMの両方におけるTMP増加、ならびに特にBEAMと関連するnTMP増加の重要性を強調する。
IRE及びBEAMの死滅機構が、化学療法及び腫瘍処置電界を含む多くの現在のGBM療法によって利用される高度に増殖性の表現型を標的化することに基づいていないことに留意することが重要である(Kirson,E.D.et al.Alternating electric fields arrest cell proliferation in animal tumor models and human brain tumors.Proceedings of the National Academy of Sciences 104,10152−10157,doi:10.1073/pnas.0702916104(2007))。これらの療法が再発を引き起こす静止した腫瘍幹細胞を残す一方で、IRE及びBEAMは、巨大腫瘍細胞及び腫瘍幹細胞の両方に対して、膜破壊による死滅応答を引き起こすはずである。細胞を、電界によって誘発される損傷に抵抗性を有するようにするために、多数の遺伝子変異が必要とされる可能性が高いため、この物理的死滅機構が、短い時間スケールで抵抗性亜集団の発生を選択する可能性は低い。
BEAMによる細胞死滅の正確な機構は、まだわかっていないが、本発明者らのモデリング及び実験データは、原形質膜を標的化する長いIREパルスの機構とは異なり、IREとは異なり、同様のサイズの細胞の間で細胞型に依存する機構を示唆する。BEAM死滅機構は、悪性の細胞の生物物理学的構造が、研究された健康な細胞への損傷を誘発しないが、悪性の細胞において死滅応答を引き起こす電界分布の範囲を使用して、これらの細胞の選択的標的化を可能にするようなものである。巨大腫瘍を含む悪性の細胞が、腫瘍を包囲する正常な星状細胞(約930〜1200V/cm)よりも低い細胞死閾値(約530〜810V/cm)を有するため、腫瘍の縁部にこれらの2つの閾値間の電圧を送達する処置計画が、健康な星状細胞を残す一方で、腫瘍細胞のアブレーションをもたらし得るという結果になる。腫瘍の縁部におけるそのような範囲内の閾値は、外科処置をGBM、及びより広くは浸潤性腫瘍に対して効果がないものにする侵襲性神経膠芽腫細胞の死滅において、効果的であり得る。
実施例5
IREパルスより短い1または2桁の大きさの持続時間を有する個々のパルスは、細胞外径にあまり依存しないような方法で、細胞を死滅させることができる(同様のサイズの核を仮定して)。個々のパルスは、筋肉収縮を低減するために、交互極性で印加される。加えて、個々のパルスは、高周波バーストを形成するように反復され、複数のバーストが、典型的には、細胞死を誘発するのに必要である。これは、複数のより長い持続時間のパルスがIRE処置中に印加される方法と同様である。BEAM処置のこの形態は、典型的には、より高い電界閾値を必要とするが、細胞サイズに対する依存性はより小さい。したがって、処置計画は、異なる細胞型がそれらの形態にかかわらず、同じ電界閾値を有するため、有意に縮小される。
図54A〜Dに提供される理論的な実施例において、細胞は、球形であると仮定され、導電率λo及びλiは、0.1S/mに設定され、λmは、3e−7S/mに設定される。図54A〜Dのプロットは、10umの直径を有する細胞(実線)及び15umの直径を有する細胞(点線)に対する、細胞極(θ=0)におけるTMPを示す。図54A及びBに示されるように、細胞は、2000V/cmで印加される500nsの長さのパルスを有するBEAMに曝露される。図54C及びDに示されるように、細胞は、1250V/cmで印加される5usの長さのパルスを有するIREに曝露される。BEAMパルスが膜充電時間よりも短いため、パルスの終了時のピークTMP到達は、両方の細胞直径に対してほぼ同じである。IRE中、外膜は、完全に充電され、TMPは、それぞれに対して有意に異なるプラトーに達する。
本発明は、様々な特徴を有する特定の実施形態を参照して記載されてきた。上記に提供される開示の観点から、本発明の範囲または趣旨から逸脱することなく、本発明の実施に様々な修正及び変更が行われ得ることが、当業者に明らかとなるであろう。当業者は、開示された特徴が単独で、任意の組み合わせで使用され得るか、または所与の用途もしくは設計の要件及び仕様に基づき、省略され得ることを認識するであろう。一実施形態がある特定の特徴を「含むこと」を指すとき、その実施形態は、あるいは、その特徴のうちのいずれか1つ以上「からなる」、または「から本質的になる」ことができることを理解されたい。本発明の他の実施形態は、本発明の明細書及び実施の考慮から、当業者に明らかとなるであろう。
具体的に、値の範囲が本明細書に提供される場合、その範囲の上限と下限との間の各値もまた、具体的に開示されることに留意されたい。これらのより小さい範囲の上限及び下限は、独立して、同様にその範囲内に含まれるか、または除外されてもよい。単数形「a」、「an」、及び「the」は、文脈上そうでないとする明確な指示がない限り、複数指示語を含む。本明細書及び実施例が本質的に例示的であると見なされること、及び本発明の本質から逸脱しない変更が本発明の範囲内に入ることを目的とする。さらに、本記事に列挙される参考文献の全ての全体が、参照によりそれぞれ個々に本明細書に組み込まれ、したがって、本発明の実施可能な程度の開示を補う効率的な方法を提供すること、ならびに当業者のレベルを詳述する背景を提供することを目的とする。

Claims (26)

  1. 電気穿孔システムであって、
    少なくとも1つの電極と、
    前記少なくとも1つの電極に連結され、かつ連続パルス間に遅延を伴う複数の電気パルスを標的領域に印加するように構成される電圧パルス発生器であって、各パルスの長さ及び連続パルス間の前記遅延は、第1の電気穿孔領域及び第2の電気穿孔領域を作り出すように最適化される、電圧パルス発生器と、を備え、
    前記第2の電気穿孔領域において、選択された細胞のみが前記複数の電気パルスの影響を受け、
    前記複数の電気パルスは、矩形パルス波、ランプ波、指数関数減衰波、または正弦波である電界波形を含み、
    前記電界波形は、連続してマイクロ秒オーダのパルスと交互になったナノ秒オーダのパルスを含む、システム。
  2. 前記電圧パルス発生器は、前記第2の電気穿孔領域内で、癌細胞が細胞分裂の減速または停止によって阻害されるように、複数の電気パルスを印加するように構成される、請求項1に記載のシステム。
  3. 前記電圧パルス発生器は、前記第2の電気穿孔領域内で、癌細胞が遊走の減速または停止によって阻害されるように、複数の電気パルスを印加するように構成される、請求項1に記載のシステム。
  4. 前記電圧パルス発生器は、前記第2の電気穿孔領域内で、癌細胞が血液及び栄養素の輸送の低減によって阻害されるように、複数の電気パルスを印加するように構成される、請求項1に記載のシステム。
  5. 前記電圧パルス発生器は、前記第1の電気穿孔領域内で、癌細胞及び非癌細胞が壊死によって死滅させられるように、複数の電気パルスを印加するように構成される、請求項1に記載のシステム。
  6. 前記電圧パルス発生器は、前記第2の電気穿孔領域内で、癌細胞がアポトーシスによって死滅させられるように、複数の電気パルスを印加するように構成される、請求項1に記載のシステム。
  7. 前記電圧パルス発生器は、いくつかの癌細胞及びいくつかの非癌細胞が前記第1の電気穿孔領域内で死滅させられるように、複数の電気パルスを印加するように構成される、請求項1に記載のシステム。
  8. 前記電圧パルス発生器は、いくつかの癌細胞が前記第2の電気穿孔領域内で死滅させられるか、または阻害され、いくつかの非癌細胞が前記第2の電気穿孔領域内で残されるように、複数の電気パルスを印加するように構成される、請求項1に記載のシステム。
  9. 前記電圧パルス発生器は、癌細胞及び非癌細胞の両方が、それらの膜内外電位の致死限界値への増加の結果として、前記第1の電気穿孔領域内で死滅させられるように、複数の電気パルスを印加するように構成される、請求項5に記載のシステム。
  10. 前記電圧パルス発生器は、癌細胞が、それらの核膜内外電位の致死限界値への増加の結果として、前記第2の電気穿孔領域内で死滅させられるように、複数の電気パルスを印加するように構成される、請求項2に記載のシステム。
  11. 連続パルス間の前記遅延は、各パルスの前記長さよりも大きい、請求項1に記載のシステム。
  12. 連続パルス間の前記遅延は、各パルスの前記長さの分数である、請求項1に記載のシステム。
  13. 電気穿孔システムであって、
    少なくとも1つの電極と、
    前記少なくとも1つの電極に連結され、かつ連続パルス間に遅延を伴う複数の電気パルスを標的領域に印加するように構成される電圧パルス発生器であって、各パルスの長さ及び連続パルス間の前記遅延は、第1の電気穿孔領域及び第2の電気穿孔領域を作り出すように最適化される、電圧パルス発生器と、を備え、
    前記第2の電気穿孔領域において、選択された細胞のみが前記複数の電気パルスの影響を受け、
    前記複数の電気パルスの影響を受ける前記選択された細胞は癌細胞であり、各パルスの前記長さが、前記癌細胞の細胞膜の充電時間と前記癌細胞の核膜の放電時間とを足した時間に等しい一方で、連続パルス間の前記遅延は、前記癌細胞の前記細胞膜の前記充電時間に等しい、システム。
  14. 前記複数の電気パルスの影響を受ける前記選択された細胞は癌細胞であり、前記癌細胞の前記細胞膜の前記充電時間及び前記癌細胞の前記核膜の前記放電時間は、数値モデリングにより決定される、請求項13に記載のシステム。
  15. 前記複数の電気パルスは、単極性または双極性の電界波形を含む、請求項1に記載のシステム。
  16. 前記電界波形は、第1の周波数調波と第2の周波数調波とを含む重畳二峰性信号であり、前記第2の周波数調波は、前記第1の周波数調波よりも高い周波数を有する、請求項に記載のシステム。
  17. 前記電界波形は、非対称である、請求項に記載のシステム。
  18. 前記電界波形は、100kHz〜10MHzの範囲内の搬送波周波数を有する、請求項に記載のシステム。
  19. 電気穿孔システムであって、
    少なくとも1つの電極と、
    前記少なくとも1つの電極に連結され、かつ連続パルス間に遅延を伴う複数の電気パルスを標的領域に印加するように構成される電圧パルス発生器であって、各パルスの長さ及び連続パルス間の前記遅延は、第1の電気穿孔領域及び第2の電気穿孔領域を作り出すように最適化される、電圧パルス発生器と、を備え、
    前記第2の電気穿孔領域において、選択された細胞のみが前記複数の電気パルスの影響を受け、
    前記複数の電気パルスは、矩形パルス波、ランプ波、指数関数減衰波、または正弦波である電界波形を含み、
    前記複数の電気パルスの影響を受ける前記選択された細胞は癌細胞であり、前記波形の搬送波周波数またはパルス持続時間は、前記癌細胞のクロスオーバ周波数に基づく、システム。
  20. 電気穿孔システムであって、
    少なくとも1つの電極と、
    前記少なくとも1つの電極に連結され、かつ連続パルス間に遅延を伴う複数の電気パルスを標的領域に印加するように構成される電圧パルス発生器であって、各パルスの長さ及び連続パルス間の前記遅延は、第1の電気穿孔領域及び第2の電気穿孔領域を作り出すように最適化される、電圧パルス発生器と、を備え、
    前記第2の電気穿孔領域において、選択された細胞のみが前記複数の電気パルスの影響を受け、
    前記複数の電気パルスの影響を受ける前記選択された細胞は癌細胞であり、各パルスの前記長さ及び連続パルス間の前記遅延は、前記癌細胞の物理的な核対細胞質のサイズ比に基づき最適化される、システム。
  21. 前記複数の電気パルスは、双極性方形波であり、各パルスの前記長さは、250ナノ秒〜50マイクロ秒である、請求項1に記載のシステム。
  22. 細胞を選択的に処置するための電気穿孔システムであって、
    少なくとも1つの電極と、
    前記少なくとも1つの電極に連結され、かつ細胞を含有する物質に複数の電気パルスを印加するように構成される電圧パルス発生器であって、前記複数の電気パルスは、一種類の細胞の標的細胞を処置し、別の種類の細胞の非標的細胞を残すように選択される周波数、振幅、及びパルス波形を有する、電圧パルス発生器と、を備え、
    前記電圧パルス発生器が、前記標的細胞についての核対細胞質比を決定するように構成され、
    前記電圧パルス発生器が、前記標的細胞についての前記核対細胞質比に基づき、前記周波数、振幅、及びパルス波形を選択するように構成される、システム。
  23. 前記核対細胞質比は、前記細胞を含有する物質の生検から採取された細胞から測定される、請求項22に記載のシステム。
  24. 前記複数の電気パルスは、異なるパルス幅または異なる振幅を有する正パルス及び負パルスを含む、請求項1に記載のシステム。
  25. 電気穿孔システムであって、
    少なくとも1つの電極と、
    前記少なくとも1つの電極に連結され、かつ連続パルス間に遅延を伴う複数の電気パルスを標的領域に印加するように構成される電圧パルス発生器であって、各パルスの長さ及び連続パルス間の前記遅延は、第1の電気穿孔領域及び第2の電気穿孔領域を作り出すように最適化される、電圧パルス発生器と、を備え、
    前記第2の電気穿孔領域において、選択された細胞のみが前記複数の電気パルスの影響を受け、
    前記第2の電気穿孔領域において前記複数の電気パルスの影響を受ける前記選択された細胞は、前記第2の電気穿孔領域において前記複数の電気パルスの影響を受けない細胞より高い核対細胞質比を有する、システム。
  26. 電気穿孔システムであって、
    少なくとも1つの電極と、
    前記少なくとも1つの電極に連結され、かつ連続パルス間に遅延を伴う複数の電気パルスを標的領域に印加するように構成される電圧パルス発生器であって、各パルスの長さ及び連続パルス間の前記遅延は、第1の電気穿孔領域及び第2の電気穿孔領域を作り出すように最適化される、電圧パルス発生器と、を備え、
    前記第2の電気穿孔領域において、選択された細胞のみが前記複数の電気パルスの影響を受け、
    前記電圧パルス発生器は、いくつかの癌細胞が前記第2の電気穿孔領域内で死滅させられるか、または阻害され、いくつかの非癌細胞が前記第2の電気穿孔領域内で残されるように、複数の電気パルスを印加するように構成され、
    前記複数の電気パルスは、選択された閾値を超える核対細胞質比を有する細胞に選択的に影響を及ぼす、システム。
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