JP6576449B2 - タンタルコンデンサの熱処理のための装入装置 - Google Patents
タンタルコンデンサの熱処理のための装入装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6576449B2 JP6576449B2 JP2017527343A JP2017527343A JP6576449B2 JP 6576449 B2 JP6576449 B2 JP 6576449B2 JP 2017527343 A JP2017527343 A JP 2017527343A JP 2017527343 A JP2017527343 A JP 2017527343A JP 6576449 B2 JP6576449 B2 JP 6576449B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- alloy
- mass
- layer
- tool according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 title claims description 11
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 12
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 8
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 8
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims description 6
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 5
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010285 flame spraying Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001146 hypoxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000546 pharmaceutical excipient Substances 0.000 description 1
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/10—Sintering only
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/008—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression characterised by the composition
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B7/00—Rotary-drum furnaces, i.e. horizontal or slightly inclined
- F27B7/20—Details, accessories, or equipment peculiar to rotary-drum furnaces
- F27B7/32—Arrangement of devices for charging
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
- F27D3/0033—Charging; Discharging; Manipulation of charge charging of particulate material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/0029—Processes of manufacture
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
- B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/042—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
装入装置は、有利には、少なくとも1つの領域Aと少なくとも1つの領域Bとからなる。
Ta合金は、有利には、酸化物、炭化物、窒化物、W、Mo及びニオブ(Nb)からなる群から選ばれる1以上の成分を0.001〜10質量%含有していてもよい。W、Mo及びNbは、溶解した形態ではなく分離した粒子として存在するのが有利であり、これにより外部への拡散が減少する。
−Mo、Mo含有量が90質量%、好ましくは95質量%、を超えるMo合金、W、W含有量が90質量%、好ましくは95質量%、を超えるW合金、又はMo+Wの合計含有量が90質量%、好ましくは95質量%、を超えるMo−W合金からなる少なくとも1つの領域Bを含有してなる主要部分を準備する工程、及び
−Ta、又はTa含有量が90質量%、好ましくは95質量%、を超えるTa合金からなる層(領域A)を、前記主要部分が少なくとも部分的にこの層を備えるように、熱溶射により領域Bに塗被する工程。
−領域A及び領域Bは、形態的に及び/又は物質的に結合される。
−領域A及び領域Bは、層複合体を形成する。
−前記層複合体は、領域A/領域B/領域Aの層配列を有する。
−装入装置は、容器又はプレートである。
−装入装置の内側は少なくとも部分的に領域Aで構成される。
−装入装置の外側は少なくとも部分的に領域Bで構成され、内側は少なくとも部分的に領域Aで構成される。
−装入装置の外側は少なくとも部分的に領域Bで構成され、内側は少なくとも部分的に領域Aで構成される。
−装入装置の外側及び内側は少なくとも部分的に領域Aで構成される。領域Bの層は、領域Aの層の間に配列される。
−容器は、カップとして設計される。
−領域Bは、Mo、Mo−0.1〜2質量%のLa2O3、TZM又はMHCで構成される。
−領域Aは、純Taからなる。
−領域Aは、溶射された層として存在し、領域Bは、変形された金属シート又はプレートとして存在する。
−プロセスガス圧:30バール
−プロセスガス流:65m3/h
−Ta粉の供給速度:46g/分
−プロセスガス温度:800℃
−塗被ガン−主要部分の距離:40mm
−密度:99.5%
−O含有量:47.8μg/g
−水素(H)含有量:26μg/g
−N含有量:94μg/g
Claims (17)
- Ta又は90質量%を超えるTa含有量を有するTa合金からなる少なくとも1つの領域A及びMo、Mo含有量が90質量%を超えるMo合金、W、W含有量が90質量%を超えるW合金、又はMoとWとの合計含有量が90質量%を超えるMo−W合金からなる少なくとも1つの領域Bを含有してなり、前記領域A及び前記領域Bによって形成される層複合体を含有してなることを特徴とする収容用具。
- 前記領域A及び前記領域Bが、機械的嵌合結合及び原子間力又は分子間力による結合からなる群から選ばれる少なくとも1つの結合技術を用いて相互に結合されていることを特徴とする請求項1に記載の収容用具。
- 領域A/領域B/領域Aの層配列を有する層複合体を含有してなることを特徴とする請求項1又は2に記載の収容用具。
- 前記領域Aが熱溶射プロセスに依り前記領域Bに適用されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の収容用具。
- 前記熱溶射プロセスがコールドガススプレーであることを特徴とする請求項4に記載の収容用具。
- 容器又はプレートであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の収容用具。
- 前記容器の内側が少なくとも部分的に前記領域Aからなることを特徴とする請求項6に記載の収容用具。
- 前記容器の外側が少なくとも部分的に前記領域Bからなることを特徴とする請求項6又は7に記載の収容用具。
- 前記容器がカップとして設計されていることを特徴とする請求項6〜8のいずれか1項に記載の収容用具。
- 前記領域BがMo、Mo−0.1〜2質量%のLa2O3、TZM又はMHCからなることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の収容用具。
- 前記領域Aが純Taからなることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の収容用具。
- 高温炉で使用するための請求項1〜11のいずれか1項に記載の収容用具。
- 少なくとも下記の工程を有する収容用具の製造方法。
−Mo、Mo含有量が90質量%を超えるMo合金、W、W含有量が90質量%を超えるW合金、又はMo+Wの合計含有量が90質量%を超えるMo−W合金からなる少なくとも1つの領域Bを含有してなる主要部分を準備する工程、及び
−Ta又はTa含有量が90質量%を超えるTa合金からなる層(領域A)を、前記主要部分が少なくとも部分的にこの層を備えるように、熱溶射により領域Bに塗被する工程。 - 請求項1〜12のいずれか1項に記載の収容用具を製造するための請求項13に記載の方法。
- 前記層がコールドガススプレーにより適用されることを特徴とする請求項13又は14に記載の方法。
- 5バールを超える圧力を有するプロセスガスが先細末広ノズル中で加速され、Ta又はTa含有量が90質量%を超えるTa合金からなる粉末が、前記先細末広ノズルの上流で又は前記先細末広ノズル中に又は前記先細末広ノズルの下流で、前記プロセスガス中に注入され、加速され、少なくとも幾つかの領域において前記主要部分上に堆積されて前記領域Aを形成することを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記領域Bが圧延された材料から製造されることを特徴とする請求項13〜16のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT4042014 | 2014-11-21 | ||
ATGM404/2014 | 2014-11-21 | ||
PCT/AT2015/000145 WO2016077853A1 (de) | 2014-11-21 | 2015-11-18 | Chargiervorrichtung für thermische behandlung von tantalkondensatoren |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018503045A JP2018503045A (ja) | 2018-02-01 |
JP2018503045A5 JP2018503045A5 (ja) | 2018-04-26 |
JP6576449B2 true JP6576449B2 (ja) | 2019-09-18 |
Family
ID=56012937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017527343A Active JP6576449B2 (ja) | 2014-11-21 | 2015-11-18 | タンタルコンデンサの熱処理のための装入装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3221874B1 (ja) |
JP (1) | JP6576449B2 (ja) |
IL (1) | IL252376A0 (ja) |
MX (1) | MX2017006590A (ja) |
WO (1) | WO2016077853A1 (ja) |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2218633B1 (ja) * | 1973-02-19 | 1977-07-22 | Lignes Telegraph Telephon | |
JPH04208512A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-30 | Nec Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2855856B2 (ja) * | 1991-01-22 | 1999-02-10 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサの焼結用容器 |
US6105272A (en) * | 1998-06-22 | 2000-08-22 | Cabot Corporation | High temperature rotating vacuum kiln for heat treating solid particulate material under a vacuum |
JP4202023B2 (ja) * | 2002-01-17 | 2008-12-24 | 株式会社アルバック | 搬送トレイ及び熱処理炉 |
JP4276558B2 (ja) * | 2003-02-25 | 2009-06-10 | 株式会社アライドマテリアル | 酸化物皮膜層を備えた高融点金属材料とその製造方法とそれを用いた焼結用板 |
JP2005331215A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Umk Technology Kk | セラミックコンデンサー用金属焼結用支持体 |
CN101574741B (zh) * | 2009-06-25 | 2011-05-18 | 宁夏东方钽业股份有限公司 | 电容器用钽粉的制备方法 |
DE102011109756A1 (de) * | 2011-08-09 | 2013-02-14 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren aus Ventilmetallpulvern |
CN102513538B (zh) | 2011-12-23 | 2014-04-09 | 泰克科技(苏州)有限公司 | 一种钽电容阳极块的烧结方法 |
CN103700504B (zh) | 2013-12-17 | 2016-07-20 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 | 提高钽电容器阳极块钽丝拉力的烧结方法 |
-
2015
- 2015-11-18 JP JP2017527343A patent/JP6576449B2/ja active Active
- 2015-11-18 MX MX2017006590A patent/MX2017006590A/es unknown
- 2015-11-18 EP EP15825902.8A patent/EP3221874B1/de active Active
- 2015-11-18 WO PCT/AT2015/000145 patent/WO2016077853A1/de active Application Filing
-
2017
- 2017-05-18 IL IL252376A patent/IL252376A0/en active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018503045A (ja) | 2018-02-01 |
IL252376A0 (en) | 2017-07-31 |
WO2016077853A1 (de) | 2016-05-26 |
EP3221874A1 (de) | 2017-09-27 |
EP3221874B1 (de) | 2019-03-06 |
MX2017006590A (es) | 2018-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6728389B2 (ja) | 傾斜中間層を有するスパッタリングターゲットアセンブリ及び作製方法 | |
JP6085256B2 (ja) | 損傷した熱機械的部品の局部補修のプロセスおよび該プロセスに従って補修された部品、特に、タービン部品 | |
US7910051B2 (en) | Low-energy method for fabrication of large-area sputtering targets | |
JP5809901B2 (ja) | 積層体及び積層体の製造方法 | |
JP7018603B2 (ja) | クラッド層の製造方法 | |
JP2014513207A5 (ja) | ||
KR101851488B1 (ko) | 적층체의 제조 방법 및 적층체 | |
WO2014116256A1 (en) | Solid state metal powder consolidation for structural components | |
WO2013169342A1 (en) | Multi-block sputtering target with interface portions and associated methods and articles | |
JP6540863B2 (ja) | 溶射成形体 | |
EP3382059A1 (en) | Laminate and method for producing laminate | |
JP2009249645A (ja) | 皮膜の製造方法 | |
JP2950436B2 (ja) | 複合化材料の製造方法 | |
JP6576449B2 (ja) | タンタルコンデンサの熱処理のための装入装置 | |
EP3092097B1 (en) | Solid-state method for forming an alloy | |
WO2008141593A1 (en) | Method for production of sputtering targets | |
JP6006846B1 (ja) | 導電部材、ガス絶縁開閉装置用導電部材およびガス絶縁開閉装置用導電部材の製造方法 | |
JP5548948B2 (ja) | 薄板金属基材上に金属ガラス溶射被膜層が形成された複合材料及びその製造方法 | |
KR101118615B1 (ko) | 마이크로 입자의 표면에 나노 입자를 증착시키기 위한 혼합 분말 제조장치 및 이를 이용하여 제조되는 혼합 분말 | |
JP2018528321A (ja) | 耐熱金属製容器 | |
JP6447859B2 (ja) | 溶射皮膜被覆部材および溶射皮膜の製造方法 | |
JP6404532B1 (ja) | コールドスプレー用ノズル及びコールドスプレー装置 | |
JP2013047359A (ja) | 金属製品の皮膜形成方法 | |
JP6599950B2 (ja) | 積層体及び積層体の製造方法 | |
KR101118614B1 (ko) | 나노 입자를 이용한 이종 소재간 복합체 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 이종 소재간 복합체 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180131 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190418 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6576449 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |