JP6246666B2

JP6246666B2 - 積層体の製造方法

Info

Publication number: JP6246666B2
Application number: JP2014120975A
Authority: JP
Inventors: 智資平野; 淳二口谷; 泰明石岡; 直希伊藤; 洋平伊丹
Original assignee: NHK Spring Co Ltd
Current assignee: NHK Spring Co Ltd
Priority date: 2014-06-11
Filing date: 2014-06-11
Publication date: 2017-12-13
Anticipated expiration: 2034-06-11
Also published as: US10315388B2; WO2015190325A1; EP3156514A1; EP3156514B1; CN106460140B; KR101851488B1; TWI607117B; JP2016000849A; US20170145552A1; CN106460140A; TW201608060A; EP3156514A4; KR20160145146A

Description

本発明は、基材に溶射膜を積層した積層体の製造方法及び積層体に関する。

基材に、該基材と異なる材料を積層した積層体は、材料の組み合わせに応じて種々の用途に利用されている。例えば、アルミニウムの基材にセラミックス又はサーメットを溶射により積層した積層体は、半導体製造過程において半導体基板の温度調整を行う基板支持装置（ステージヒータ）に利用されている。

ところで、基材の熱膨張率と該基材に形成した溶射膜の熱膨張率とが異なる場合、積層体の使用中に基材を加熱すると、応力により溶射膜に割れが発生することがある。このような割れの発生を抑制する、或いは、割れが発生し始める温度を高くするため、基材と溶射膜との間の熱膨張率を有する材料や剛性が低い多孔質材料を中間層として設けることにより応力を緩和する技術が知られている。また、特許文献１には、基板支持装置の実使用温度において割れが発生しない残留応力となるワーク温度でプレート部（基材）に溶射を行うことにより、基材を加熱した際の溶射膜における引張応力の発生を抑制する技術が開示されている。

特開２０１４−１３８７４号公報

上記特許文献１に開示された技術によれば、ある程度の温度まで溶射膜の割れを抑制する効果を得ることができる。しかしながら、積層体の用途によっては、基材をさらに高温に加熱する場合がある。そのため、基材を加熱した際に、溶射膜に割れが発生し始める温度をさらに高くすることできる技術が望まれている。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、基材に、該基材と異なる材料からなる溶射膜を形成した積層体において、基材を加熱した際に溶射膜に割れが発生し始める温度を従来よりも高くすることができる積層体の製造方法及び積層体を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る積層体の製造方法は、基材に、該基材と異なる材料からなる溶射膜を積層した積層体の製造方法において、前記基材を加熱する基材加熱工程と、加熱された前記基材の表面に、前記基材及び前記溶射膜と異なる材料からなる中間層を形成する中間層形成工程と、前記中間層の表面に前記溶射膜を形成する溶射膜形成工程と、を含むことを特徴とする。

上記積層体の製造方法は、前記溶射膜形成工程の開始時において、前記中間層に圧縮応力が蓄積していることを特徴とする。

上記積層体の製造方法は、前記中間層形成工程の後、前記中間層における応力が圧縮応力となるまで、前記基材の温度を低下させる基材冷却工程をさらに含むことを特徴とする。

上記積層体の製造方法において、前記基材加熱工程は、前記基材を、前記基材の融点の５分の１以上前記基材の融点未満に加熱することを特徴とする。

上記積層体の製造方法において、前記中間層形成工程は、空孔率が３％以上となるように前記中間層を形成することを特徴とする。

上記積層体の製造方法において、前記中間層形成工程は、厚さが１００μｍ以上８００μｍ以下となるように前記中間層を形成することを特徴とする。

上記積層体の製造方法において、前記中間層形成工程は、加熱された前記基材の表面に向けて、前記中間層の材料の粉末をガスと共に加速し、前記基材の表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させることを特徴とする。

上記積層体の製造方法において、前記中間層形成工程は、加熱された前記基材の表面に対して前記中間層の材料を溶射することを特徴とする。

本発明に係る積層体は、基材と、前記基材と異なる材料からなる中間層と、前記基材及び前記中間層と異なる材料からなり、前記中間層の表面に形成された溶射膜と、を備え、室温において、前記中間層に圧縮応力が蓄積していることを特徴とする。

上記積層体において、前記中間層の空孔率は３％以上であることを特徴とする。

上記積層体において、前記中間層の厚さは１００μｍ以上８００μｍ以下であることを特徴とする。

上記積層体において、前記基材は金属又は合金からなり、前記溶射膜はセラミックス又はサーメットからなることを特徴とする。

上記積層体において、前記中間層は、前記基材の表面に向けて、前記基材と異なる材料の粉末をガスと共に加速し、前記基材の表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させることにより形成されていることを特徴とする。

上記積層体において、前記中間層は、前記基材の表面に対して前記基材と異なる材料を溶射することにより形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、基材を加熱した状態で該基材上に中間層を形成し、該中間層の表面に溶射膜を形成するので、基材を加熱した際に溶射膜に割れが発生し始める温度を従来よりも高くすることが可能となる。

図１は、本発明の実施の形態に係る積層体の製造方法を示すフローチャートである。図２は、本実施の形態に係る積層体の製造方法及び積層体の応力状態を説明するための模式図である。図３は、コールドスプレー法による成膜装置の構成例を示す模式図である。図４は、従来の方法により作製した積層体における応力状態を示す模式図である。図５は、従来の方法により作製した積層体における応力状態を示す模式図である。図６は、従来の方法により作製した積層体における応力状態を示す模式図である。図７は、本発明に係る実施例及び参考例における試料の作製条件及び評価を示す表である。

以下、本発明を実施するための形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。また、以下の説明において参照する各図は、本発明の内容を理解し得る程度に形状、大きさ、及び位置関係を概略的に示してあるに過ぎない。即ち、本発明は各図で例示された形状、大きさ、及び位置関係のみに限定されるものではない。

（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る積層体の製造方法を示すフローチャートである。また、図２は、本実施の形態に係る積層体の製造方法及び積層体における応力状態を説明するための模式図である。

まず、工程Ｓ１において、積層体の基材１０を用意して加熱する。基材１０の材料は、金属又は合金であれば特に限定されず、例えば、銅、銅合金、亜鉛、亜鉛合金、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、ニッケル、ニッケル合金、鉄、鉄合金、鉄−ニッケル合金、ステンレス、チタン、チタン合金、クロム、クロム合金、ニオブ、ニオブ合金、モリブデン、モリブデン合金、銀、銀合金、錫、錫合金、タンタル、タンタル合金等を、積層体の用途に応じて用いることができる。

基材１０の加熱方法は特に限定されず、簡易的には、所定の温度に設定されたホットプレート上に基材１０を載置すれば良い。また、基材１０を加熱する温度（設定温度）は、基材１０の融点の５分の１以上融点未満の範囲とし、完成した積層体を使用する際に想定される温度まで加熱しておくことが好ましい。このときの基材１０の温度ＴをＴ＝Ｔ０とする。

続く工程Ｓ２において、図２（ａ）に示すように、基材１０を加熱した状態で、基材１０の表面に中間層１１を形成する。本実施の形態においては、中間層１１をコールドスプレー法により形成する。

中間層１１の材料としては、基材１０と後の工程Ｓ４で形成する溶射膜との間の熱膨張係数を有する金属又は合金が用いられる。例えば、銅、銅合金、亜鉛、亜鉛合金、アルミニウム、アルミニウム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、ニッケル、ニッケル合金、ニッケル−アルミニウム合金、鉄、鉄合金、鉄−ニッケル合金、ステンレス、チタン、チタン合金、クロム、クロム合金、ニオブ、ニオブ合金、モリブデン、モリブデン合金、銀、銀合金、錫、錫合金、タンタル、タンタル合金等から、基材１０及び溶射膜の材料の組み合わせに応じて適宜選択すれば良い。

コールドスプレー法とは、融点又は軟化点以下の状態にある金属又は合金の粉末を不活性ガスとともにノズルから噴射し、固相状態のまま基材に衝突させ、基材の表面に皮膜を形成する成膜方法である。コールドスプレー法においては、溶射法が材料の粉末を溶融させて基材に吹き付けるのと比べて、低い温度で成膜が行われる。このため、コールドスプレー法によれば、熱応力の影響を緩和することができ、相変態がなく酸化も抑制された金属皮膜を得ることができる。

図３は、コールドスプレー法による成膜装置（コールドスプレー装置）の構成例を示す模式図である。図３に示すコールドスプレー装置１００は、圧縮ガスを加熱するガス加熱器１０１と、皮膜の材料の粉末を収容してスプレーガン１０３に供給する粉末供給装置１０２と、スプレーガン１０３に供給された材料の粉末を、加熱された圧縮ガスと共に基材１０に向けて噴射するガスノズル１０４と、ガス加熱器１０１及び粉末供給装置１０２に対する圧縮ガスの供給量をそれぞれ調節するバルブ１０５及び１０６とを備える。

圧縮ガスとしては、ヘリウム、窒素、空気など不活性ガスが使用される。ガス加熱器１０１に供給された圧縮ガスは、材料の粉末の融点よりも低い範囲の温度に加熱された後、スプレーガン１０３に供給される。圧縮ガスの加熱温度は、好ましくは３００〜９００℃である。

一方、粉末供給装置１０２に供給された圧縮ガスは、粉末供給装置１０２内の材料の粉末をスプレーガン１０３に所定の吐出量となるように供給する。

加熱された圧縮ガスは、末広形状をなすガスノズル１０４を通過することにより超音速流（約３４０ｍ／ｓ以上）となって噴射される。この際の圧縮ガスのガス圧力は、１〜５ＭＰａ程度とすることが好ましい。圧縮ガスの圧力をこの程度に調整することにより、基材１０に対する皮膜（中間層１１）の密着強度の向上を図ることができるからである。より好ましくは、２〜４ＭＰａ程度の圧力で処理すると良い。

このようなコールドスプレー装置１００において、スプレーガン１０３の噴射方向の下流に基材１０を配置すると共に、中間層１１の材料の粉末を粉末供給装置１０２に投入し、ガス加熱器１０１及び粉末供給装置１０２への圧縮ガスの供給を開始する。それにより、スプレーガン１０３に供給された粉末が、この圧縮ガスの超音速流の中に投入されて加速され、スプレーガン１０３から噴射される。この粉末が、固相状態のまま基材１０に高速で衝突して堆積することにより、中間層１１が形成される。

このようなコールドスプレー法においては、材料の粉末が下層（基材１０や先に形成された皮膜）に衝突した際に塑性変形が生じてアンカー効果が得られると共に、互いの酸化皮膜が破壊されて新生面同士による金属結合が生じるので、基材１０との密着強度の高い中間層１１を形成することができる。従って、中間層１１をコールドスプレー法により形成したか否かについては、基材１０と中間層１１との界面（アンカー層の有無や粉末の積層状態）を観察することにより判別することができる。

ここで、中間層１１を形成している間に、基材１０の温度が工程Ｓ１における設定温度から変化してしまう場合があるが、問題はない。要は、設定温度で加熱を継続すればよく、基材１０自体を一定の温度に厳密に維持している必要はない。

中間層１１の膜厚は、概ね１００μｍ以上８００μｍ以下とすることが好ましい。より好ましくは、概ね２００μｍ以上５００μｍ以下にすると良い。また、中間層１１の膜質（粗密）は比較的粗いことが好ましく、具体的には、空孔率を３％以上、より好ましくは５％以上にすると良い。中間層１１の膜厚や空孔率は、スプレーガン１０３と基材１０との相対的な走査速度、圧縮ガスの圧力、材料の粉末の流量等の成膜条件を適宜調節することにより制御することができる。

なお、コールドスプレー装置としては、材料の粉末を基材１０に向けて固相状態で衝突させて皮膜を形成できる装置であれば、図３に示す構成に限定されるものではない。また、工程Ｓ２においては、上述した範囲の膜厚及び空孔率を有し、且つ、基材１０に対する密着強度が高い金属又は合金の膜（以下、これらをまとめて金属膜という）を形成することができれば、コールドスプレー法以外の方法で中間層１１を形成しても良い。具体的には、溶射法により形成した金属膜を中間層１１としても良い。

続く工程Ｓ３において、図２（ｂ）に示すように、基材１０及び中間層１１を、中間層１１の形成時における温度よりも低い温度Ｔ１（Ｔ１＜Ｔ０、例えば室温）になるまで冷却させる。なお、室温とは２５℃近傍のことである。この際、中間層１１が形成された基材１０に向けて送風するなど積極的に冷却させても良いし、該基材１０を室温中に放置するだけでも良い。基材１０及び中間層１１を冷却させると、中間層１１に圧縮応力（負の応力）が残留した状態となる。

続く工程Ｓ４において、図２（ｃ）に示すように、中間層１１の表面に溶射膜１２を形成する。溶射膜１２の材料としては、セラミックス系材料や、金属とセラミックスとの混合材料が用いられる。

セラミックス系材料としては、例えば、アルミナ、マグネシア、ジルコニア、イットリア、イットリア安定化ジルコニア、ステアタイト、フォルステライト、ムライト、チタニア、シリカ、サイアロン、等の酸化物セラミックスや、窒化アルミニウム、窒化珪素、炭化珪素、窒化チタン、炭化チタン、炭窒化チタン、窒化チタンアルミニウム、窒化チタンクロム、窒化クロム、窒化ジルコニウム、炭化クロム、炭化タングステン等の非酸化物セラミックスや、炭化ホウ素、窒化ホウ素等のＢＣＮ系超硬質材料が挙げられる。

金属とセラミックスとの混合材料としては、酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化物等のセラミックス（例えば、上述したセラミックス系材料）を主成分とし、金属又は合金を結合相（繋ぎ材）とする混合材料（サーメット）が挙げられる。例えば、炭化タングステンの粉末に、コバルトやニッケル等の金属粉末を繋ぎ材として分散させた混合材料を用いても良い。或いは、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）とニッケル（Ｎｉ）−クロム（Ｃｒ）合金との混合組成物といった材料も挙げられる。

溶射膜１２を形成している間、溶射炎によって溶融した材料が中間層１１に吹き付けられるため、基材１０及び中間層１１は加熱された状態となる（例えば７０〜８０℃程度）。そのため、中間層１１に残留した圧縮応力は、図２（ｂ）に示すときよりも若干小さい状態となる。このときの基材１０の温度ＴをＴ＝Ｔ２とする（Ｔ１≦Ｔ２＜Ｔ０）。

ここで、コールドスプレー法により形成された中間層１１の表面は、外側に向かって複雑な凸の形状をなしている。そのため、溶融した溶射膜１２の材料が中間層１１表面の凸と凸との間の狭く凹んだ部分に入り込むことで、溶射膜１２のアンカー効果を向上させる。それにより、中間層１１及び溶射膜１２が互いに強固に結合し、高い密着強度を得ることができる。そのため、中間層１１と溶射膜１２との界面を観察することによっても、中間層１１をコールドスプレー法により形成したか否かを判別することができる。

これにより、図２（ｃ）に示す積層体１３が完成する。ここで、溶射膜１２の形成後、積層体１３の温度が低下すると、中間層１１には圧縮応力が生じる。しかしながら、上述したように、中間層１１と溶射膜１２は互いに強固に結合しているので、高い密着強度が維持される。

次に、図２に示す積層体１３における応力状態を、図４〜図６と対比しながら説明する。図４〜図６は、従来の方法により作製した積層体における応力状態を示す模式図である。なお、各図に示す矢印は、当該矢印が記載された層における内部応力を示している。具体的には、外側に向かう矢印は引張応力を示し、内側に向かう矢印は圧縮応力を示している。

図４（ａ）に示すように、室温状態の基材２０上に直接溶射膜２１を形成することにより積層体２２を作製する場合について検討する。溶射膜２１を形成する際、溶融した材料が基材２０に吹き付けられることにより、基材２０は若干加熱される。このときの基材２０の温度ＴをＴ＝Ｔ２とする。

積層体２２の基材２０側を加熱すると、図４（ｂ）に示すように、基材２０の熱膨張の影響により、溶射膜２１に引張応力が発生する。そして、溶射膜２１の形成時における温度Ｔ２よりも基材２０の温度Ｔが高くなると、溶射膜２１に割れが発生してしまう。

図５（ａ）に示すように、室温状態の基材３０上に中間層３１を形成し、図５（ｂ）に示すように、中間層３１上に溶射膜３２を形成することにより積層体３３を作製する場合について検討する。なお、中間層３１は、上記実施の形態と同様にコールドスプレー法により形成しても良いし、溶射法により形成しても良い。

図５（ｃ）に示すように、積層体３３の基材３０側を加熱すると、基材３０の熱膨張の影響により、中間層３１及び溶射膜３２に引張応力が発生する。このうち、溶射膜３２に発生する引張応力は、基材３０との間に介在する中間層３１によって緩和される。そのため、溶射膜３２の形成時における温度（Ｔ＝Ｔ２）よりも基材３０の温度Ｔを高くした場合であっても（Ｔ＞Ｔ２）、ある程度までは溶射膜３２の割れを防ぐことができる。しかしながら、図５（ｄ）に示すように、基材３０の温度Ｔをさらに高くすると（Ｔ＞Ｔ３＞Ｔ２）、中間層３１による引張応力の緩和作用も限界となり、溶射膜３２に割れが発生してしまう。

図６（ａ）に示すように、基材４０を、積層体４２の使用時における温度Ｔ４に加熱した状態で溶射膜４１を形成する場合について検討する。この場合、図６（ｂ）に示すように、溶射膜４１の形成後に積層体４２を例えば室温付近まで冷却させると、溶射膜４１に圧縮応力が残留した状態となる。

図６（ｃ）に示すように、積層体４２の基材４０側を加熱すると、基材４０の熱膨張の影響により、溶射膜４１に残留した圧縮応力が徐々に減少する。この作用は、基材４０の温度Ｔが溶射膜４１の形成時における温度Ｔ４に至るまで続く。従って、基材４０の温度Ｔが溶射膜４１の形成時における温度Ｔ４に至るまでは、溶射膜４１に割れを生じさせることなく、基材４０を加熱することができる。

しかしながら、図６（ｄ）に示すように、基材４０の温度が温度Ｔ４を超えると、溶射膜４１内の応力が圧縮応力から引張応力に変化する。このため、基材４０の加熱を継続すると、溶射膜４１に割れが発生してしまう。

また、図６（ｃ）のように、積層体４２が温度Ｔ４以下で使用される場合には、中間層を設けることなく、基材４０上に溶射膜４１を直接形成しても問題ないといえる。そのため、積層体４２の使用時における溶射膜４１の耐熱性を高めるためには、溶射膜４１の形成時における基材温度Ｔ４を高くすることが考えられる。しかしながら、溶射膜４１をセラミックにより形成する場合、基材温度Ｔ４を高くすると、溶射膜４１の形成後、積層体４２の温度を室温程度に戻した際に（図６（ｂ）参照）、基材４０の熱収縮の影響により溶射膜４１が基材４０から剥離するおそれがある。この室温に戻した際に剥離が生じる基材温度Ｔ４は、基材４０の材料と溶射膜４１の材料との組み合わせによるが、例えば、アルミニウムの基材に対してアルミナの溶射膜を形成する場合、基材温度Ｔ４を２００℃程度にすると剥離が生じてしまう。そのため、この場合、基材温度Ｔ４をあまり高くすることができない。

これらの従来の方法により作製した積層体２２、３３、４２に対し、本実施の形態に係る積層体１３においては、溶射膜１２に割れを生じさせることなく、基材１０をより高温まで加熱することができる。即ち、上述したように、室温付近では、中間層１１に圧縮応力が残留している（図２（ｃ）参照）。このため、図２（ｄ）に示すように、積層体１３の基材１０側を加熱すると、基材１０の熱膨張の影響により、中間層１１も徐々に膨張し、中間層１１に残留した圧縮応力が徐々に減少する。この作用は、図２（ｅ）に示すように、基材１０の温度が中間層１１の形成時における基材温度Ｔ０に至るまで続く。この間、溶射膜１２においては、中間層１１の熱膨張及び剛性の影響により引張応力が生じ始めるが、この引張応力の増加は、図４〜図６に示す溶射膜２１、３２、４１と比較して非常に緩やかなものとなる。

それにより、本実施の形態に係る積層体１３においては、中間層１１の形成時における基材温度Ｔ０まで、或いはそれを超える温度まで、溶射膜１２に割れを生じさせることなく基材１０を加熱することができるようになる。

溶射膜１２の下地として使用可能な中間層１１の条件としては、基材上に溶射膜を直接形成した場合に剥離が生じるような使用温度（図６（ｄ）参照）まで基材を加熱して中間層を形成した場合であっても、中間層の形成後に基材の温度を室温程度に冷却した際に基材から中間層が剥離しないことが挙げられる。このような中間層としては、上述したコールドスプレー法や溶射法により形成された金属膜が適合する。このうち、溶射法による金属膜は、基材に対する該金属膜の密着強度が、上層となるセラミックの溶射膜の密着強度よりも高い場合に、中間層として使用することができる。

また、溶射膜１２における引張応力の緩和作用、言い換えると、積層体１３を加熱した際の溶射膜１２の割れを抑制する作用は、中間層１１の膜質を疎にするほど、また、中間層１２の膜厚を厚くするほど大きくなる。ただし、中間層１２を厚くし過ぎると、積層体１３自体の厚みが増してしまうため、中間層１２の膜厚を好ましくは１００μｍ〜８００μｍ程度、より好ましくは２００μｍ〜５００μｍ程度にすると良い。

以下、本発明に係る実施例について、図７を参照しながら説明する。図７は、本発明に係る実施例及び参考例における試料の作製条件及び評価を示す表である。

（１）試料の作製
本発明に係る実施例及び参考例として、図７に示す４種類の試料を作製した。各試料を構成する各層の材料は以下のとおりとした。
基材：アルミニウム（融点：約６６０℃）
中間層：Ｎｉ−５ｗｔ％Ａｌ
溶射膜：アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）

実施例１、２及び参考例１においては、中間層の厚み、中間層の形成時における基材の加熱温度、及び中間層の膜質（粗密）を変化させた。図７に示す膜質のうち、「粗」は、中間層の空孔率が３％以上のことであり、「密」は、中間層の空孔率が３％未満のことである。また、溶射膜については、成膜後に１３５μｍの厚みとなるまで切削加工を行った。

（２）試料の評価
各試料をホットプレート上に載置し、基材側から加熱を行った。試料を各設定温度（３００℃、３５０、４００℃、４５０℃）まで加熱した後、室温まで自然冷却し、カラーチェックにより溶射膜における割れの有無を確認した。図７に示す溶射膜耐熱温度の欄における×印は、当該温度において溶射膜に割れが生じたことを示し、○印は、当該温度において溶射膜に割れが生じなかったことを示す。

（実施例１）
実施例１においては、基材を４００℃まで加熱した状態で、膜厚が約１３０μｍ、膜質が密の中間層を形成した。この場合、積層体の基材を３５０℃まで加熱しても、溶射膜に割れが生じることはなかった。

（実施例２）
実施例２においては、基材を４００℃まで加熱した状態で、膜厚が約３００μｍ、膜質が粗の中間層を形成した。この場合、積層体の基材を４００℃まで加熱しても、溶射膜に割れが生じることはなかった。

（参考例１）
参考例１においては、基材を加熱することなく（室温のまま）、膜厚が約１３０μｍ、膜質が密の中間層を形成した。この場合、積層体の基材を３５０℃まで加熱すると、溶射膜に割れが生じてしまった。

これらの実験結果より、基材を加熱した状態で中間層を形成することにより、溶射膜の耐熱温度を向上させることができるといえる。具体的には、実施例１と参考例１とを対比すると、中間層の形成時における基材温度を高くした場合に、溶射膜の耐熱温度が向上することが確認された。

また、実施例１と実施例２とを対比すると、中間層の膜厚を厚くした方が、溶射膜の耐熱温度を向上させることができた。これは、中間層を厚くすることにより、試料を加熱した際に基材の熱膨張が溶射膜に与える影響が、より緩やかになったためと考えられる。さらに、中間層の膜質については、粗とした方が、溶射膜の耐熱温度をより向上させることができた。これは、中間層を粗とすることにより、やはり、基材の熱膨張が溶射膜に与える影響が、より緩やかになったためと考えられる。

１０、２０、３０、４０基材
１１、３１中間層
１２、２１、３２、４１溶射膜
１３、２２、３３、４２積層体
１００コールドスプレー装置
１０１ガス加熱器
１０２粉末供給装置
１０３スプレーガン
１０４ガスノズル
１０５、１０６バルブ

Claims

基材に、該基材と異なる材料からなる溶射膜を積層した積層体の製造方法において、
前記基材を加熱する基材加熱工程と、
加熱された前記基材の表面に、前記基材及び前記溶射膜と異なる材料からなる中間層を形成する中間層形成工程と、
前記中間層形成工程の後、前記中間層における応力が圧縮応力となるまで、前記基材の温度を低下させる基材冷却工程と、
前記基材冷却工程により前記基材の温度が低下した状態において前記中間層の表面に前記溶射膜を形成する溶射膜形成工程と、
を含むことを特徴とする積層体の製造方法。
前記溶射膜形成工程の開始時において、前記中間層に圧縮応力が蓄積していることを特徴とする請求項１に記載の積層体の製造方法。
前記基材加熱工程は、前記基材を、前記基材の融点の５分の１以上前記基材の融点未満に加熱することを特徴とする請求項１又は２に記載の積層体の製造方法。
前記中間層形成工程は、空孔率が３％以上となるように前記中間層を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
前記中間層形成工程は、厚さが１００μｍ以上８００μｍ以下となるように前記中間層を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
前記中間層形成工程は、加熱された前記基材の表面に向けて、前記中間層の材料の粉末をガスと共に加速し、前記基材の表面に固相状態のままで吹き付けて堆積させることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。
前記中間層形成工程は、加熱された前記基材の表面に対して前記中間層の材料を溶射することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。