JPS609867A - 溶射膜形成方法 - Google Patents

溶射膜形成方法

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Publication number
JPS609867A
JPS609867A JP58117859A JP11785983A JPS609867A JP S609867 A JPS609867 A JP S609867A JP 58117859 A JP58117859 A JP 58117859A JP 11785983 A JP11785983 A JP 11785983A JP S609867 A JPS609867 A JP S609867A
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JP
Japan
Prior art keywords
spraying
sprayed film
sprayed
film
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP58117859A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideki Harada
英樹 原田
Yasuo Tsukuda
佃　康夫
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Proterial Ltd
Original Assignee
Hitachi Metals Ltd
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Publication date
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Publication of JPS609867A publication Critical patent/JPS609867A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C4/00—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge
    • C23C4/12—Coating by spraying the coating material in the molten state, e.g. by flame, plasma or electric discharge characterised by the method of spraying

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、基板材上にセラミックス等を溶射し、その溶
射皮膜の特性、特に導電性を利用する場合の溶射抵抗皮
膜の改善に関するものである。
基板上に溶射抵抗体皮膜を形成し、これに通電する方法
によって熱源とするが、この従来法の場合、■熱源とし
て使用するため所定の瀞度に加熱すると室温における比
抵抗値が加熱前に比べて増大する、■抵抗体膜上にデフ
ロン等のコーディング時の熱処理前に比べて室温におけ
る比抵抗値が熱処理前に比べて増大する等の欠点がしば
しば認められ、より高電圧、低電流の方向を辿る現象が
示された。
本発明は、上述の従来技術の問題点を改善することによ
・〕で、実用性の高い溶射抵抗体皮膜を提供しようとす
るものである。
基板を使用温度かコーティング熱処理温度に保持した状
態で溶射を行なう。基板の熱膨張係数が溶射膜より大き
い場合には、溶射膜には圧縮応力のみが加わることにな
るので、溶射膜内に引張り応力によるマイクロクラック
の発生が抑えられ、ヒー１へリーイクルにＪこる抵抗膜
の抵抗値増加は示されない。
スアンレス鋼製基板」−にＡｌ２Ｏ３膜、その土に酸化
ブタン膜を溶射した。デフ［」ンコーテイングのため溶
ＯＡ酸化チタン膜十に７フロン膜を塗布したのち、４０
０℃の加熱硬化処理を施す。抵抗膜溶射時の基板温度を
１００・〜・１００℃に保つと、第１図に示す結果が得
られた。
第１図において、王は溶射時の基板温度、Ｄは室温にお
（プる抵抗膜の比抵抗変化率を示す。溶射時の基板温度
が１００℃の場合には３０％の抵抗増加を示（が、３０
０℃では２０％、４００′Ｃでは０％どなり、溶射時の
加熱の有効なることが実証された。
本発明によって、抵抗体皮膜抵抗値の耐熱性を著しく高
めることができ、溶用抵抗体皮膜の実用化が大きく前進
した。
【図面の簡単な説明】
第１図において、王は溶射時の基板加熱温度。 Ｄは抵抗膜の室温における比抵抗変化率を示す。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、金属、半導体、セラミックス等から作られた基板上
    に熱膨張係数が基板材より高い物質の溶射膜を形成する
    方法において、溶射時の基板温度を使用温度又は、溶射
    後の熱処理温度に保持した状態で溶射することを特徴と
    する溶射膜形成方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、溶射方法をプラズ
    マ溶射とすることを特徴とする溶射膜形成方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、基板材料を金属、
    溶射膜材料を半導体かセラミックスとすることを特徴と
    する溶射膜形成方法。 ４、特許請求の範囲第３項において、溶射方法をプラズ
    マ溶射方法とすることを特徴とする溶射膜形成方法。 ５、特許請求の範囲第４項において、基板材料を金属、
    溶射膜材料を酸化チタン又は、Ａｌ２Ｏ３・ＭｉｌＯ−
    ＮｉＣｒとすることを特徴とする溶射膜形成方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015190325A1 (ja) * 2014-06-11 2015-12-17 日本発條株式会社 積層体の製造方法及び積層体
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