RU2117070C1 - Свч-плазменное осаждение диэлектрических пленок на металлические поверхности - Google Patents
Свч-плазменное осаждение диэлектрических пленок на металлические поверхности Download PDFInfo
- Publication number
- RU2117070C1 RU2117070C1 RU97112303A RU97112303A RU2117070C1 RU 2117070 C1 RU2117070 C1 RU 2117070C1 RU 97112303 A RU97112303 A RU 97112303A RU 97112303 A RU97112303 A RU 97112303A RU 2117070 C1 RU2117070 C1 RU 2117070C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plasma
- deposition
- dielectric films
- metal surfaces
- shf
- Prior art date
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
СВЧ-плазменное осаждение диэлектрических пленок на металлические поверхности с малым радиусом кривизны относится к области осаждения диэлектрических пленок на металлические поверхности и может быть использовано для изоляции проводников различных датчиков, работающих в агрессивных и химически активных средах, для пассивации различных металлических поверхностей, а также при изготовлении волоконно-оптических заготовок с различными показателями преломления по их сечению и протяженных изделий с малым радиусом кривизны. Способ СВЧ-плазменного осаждения диэлектрических пленок SiN4 или SiO2 на металлические поверхности включают синтез их в скрещенных потоках плазмообразующего и кремнийсодержащего газов вблизи (или на) нагретой ИК-излучением до 80 - 200oC обрабатываемой поверхности, причем поток ИК-излучения направлен навстречу плазменному потоку. Для получения равномерных покрытий на протяженных изделиях с малым радиусом кривизны изделия располагают перпендикулярно плазменному потоку и вращают вокруг своей продольной оси. 1 з.п. ф-лы.
Description
Изобретение относится к области осаждения диэлектрических пленок на металлические поверхности и может быть использовано для изоляции проводников различных датчиков, работающих в агрессивных и химически активных средах, для пассивации различных металлических поверхностей, а также при изготовлении волоконно-оптических заготовок с различными показателями преломления по их сечению и протяженных изделий с малым радиусом кривизны.
Известен способ СВЧ-плазменного осаждения диэлектрической пленки нитрида кремния в скрещенных газовых потоках плазмы и кремнийсодержащего газа (SiH4 и N2) на поверхность полупроводникового материала (Dzioba.S., MeikIe.S., Streater R.W., J. Electrochem. Soc. (USA), oct. 1987, vol. 134, N 10, 603-2599). Нагрев подложки проводят с помощью контактного резистивного метода до 250-400oC.
Однако этот способ не позволяет получать покрытия с малым радиусом кривизны, так как невозможно равномерно прогреть обрабатываемую поверхность.
Известен принятый за прототип способ СВЧ-плазменного осаждения диэлектрических пленок на металлические поверхности, включающий синтез их в скрещенных потоках плазмообразующего и кремний содержащего газов (SiH4-NH3 + N2) вблизи (или на) нагретой с помощью резистивного метода до 20 - 250oC обрабатываемой поверхности (Tessier.y., Klemberg-Sapieha J.E., Poulin-Dandurand. S. , Wetheimer M. R., Gujrathi.S. Third Can. Semic. tecnol. conf., Ottawa, Ont., Can., 20-22 aug. 1986.) Однако этот способ также не позволяет осаждать равномерные по толщине пленки на поверхности с малым радиусом кривизны.
Предлагаемое изобретение решает задачу нанесения однородных по толщине диэлектрических покрытий Si3N4 или SiO2 на металлические поверхности с малым радиусом кривизны (иглы 0,1 мкм, границы граней и т.д).
Поставленная задача достигается тем, что в известном способе СВЧ-плазменного осаждения диэлектрических пленок на металлические поверхности, включающем синтез их в скрещенных потоках плазмообразующего и кремнийсодержащего газов вблизи (или на) нагретой обрабатываемой поверхности, новым является то, что нагрев осуществляют ИК-излучением при 80-200oC направленным навстречу плазменному потоку.
Для получения равномерных покрытий на протяженных изделиях с малым радиусом кривизны изделия располагают перпендикулярно плазменному потоку и вращают вокруг своей продольной оси.
Предлагаемое осаждение низкотемпературное (80-200oC) и обеспечивает достаточно высокую скорость осаждения (0,15 мкм/мин) слоев с их высокими качественными показателями - плотными, без пор и трещин. Нанесение достаточно толстых (3 мкм) покрытий на "развитые" поверхности и их длительная сохранность во времени говорит о том, что внутренние напряжения не значительны или вообще отсутствуют ввиду их релаксации в указанных температурных режимах во время осаждения.
Пример 1. Проводился процесс осаждения нитрида кремния (SiN4) на металлические поверхности с малым радиусом кривизны (r ≈ 0,1 мкм, иглы). В качестве плазмообразующего газа использовался азот (N2). В качестве кремнийсодержащего газа использовался 5% раствор моносилана (SiH4) в аргоне (Ar). Кремнийсодержащий газ подавался непосредственно на объект осаждения. Игла подогревалась ИК-излучением до 80oC, причем поток ИК-излучения был направлен навстречу плазменному потоку. Игла располагалась неподвижно параллельно плазменному потоку. Время осаждения составляло 20 мин. Величина подведенной к плазме СВЧ-мощности составляла 600 Вт. Рабочее давление в камере составляло 2•103 Topp. Пленка в виде сферы располагалась на острие, была плотной, без пор.
Пример 2. Проводился процесс осаждения нитрида кремния (SiN4) на металлические поверхности с малым радиусом кривизны (г ≈ 0,1 мкм, иглы). В качестве плазмообразующего газа использовался азот (N2). В качестве кремнийсодержащего газа использовался 5% раствор моносилана (SiH4) в аргоне (Ar). Кремнийсодержащий газ подавался непосредственно на объект осаждения. Игла подогревалась ИК-излучением до 200oC, причем поток ИК-излучения был направлен навстречу плазменному потоку. Игла располагалась перпендикулярно плазменному потоку и вращалась вокруг собственной оси. Время осаждения составляло 20 мин. Величина подведенной к плазме СВЧ-мощности составляла 600 Вт. Рабочее давление в камере составляло 2•10-3 Торр. Толщина образовавшейся пленки Si3N4 составляла 3,0 мкм. Пленка равномерно покрывала поверхность металла, в том числе и острие, была плотной, без пор.
Пример 3. Проводился процесс осаждения двуокиси кремния (SiO2) на металлические поверхности с малым радиусом кривизны (г ≈ 0,1 мкм, иглы). В качестве плазмообразующего газа использовался кислород (O2). В качестве кремнийсодержащего газа использовался 5% раствор моносилана (SiH4) в аргоне (Ar). Кремнийсодержащий газ подавался непосредственно на объект осаждения. Игла подогревалась ИК-излучением до 195oC, причем поток ИК-излучения был направлен навстречу плазменному потоку. Игла располагалась перпендикулярно плазменному потоку и вращалась вокруг собственной оси. Время осаждения составляло 30 мин. Величина подведенной к плазме СВЧ-мощности составляла 800 Вт. Рабочее давление в камере составляло 5•10-3 Торр. Толщина образовавшейся пленки SiO2 составляла 0,8 мкм. Пленка равномерно покрывала поверхность металла, в том числе и острие, была плотной, без пор.
Claims (2)
1. Способ СВЧ-плазменного осаждения диэлектрических пленок на металлические поверхности, включающий синтез в скрещенных потоках плазмообразующего и кремнийсодержащего газов вблизи или на нагретой обрабатываемой поверхности, отличающийся тем, что нагрев осуществляют ИК-излучением при 80 - 200oC, направленным навстречу плазменному потоку.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что для получения равномерных покрытий на протяженных изделиях с малым радиусом кривизны изделия располагают перпендикулярно плазменному потоку и вращают вокруг своей продольной оси.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU97112303A RU2117070C1 (ru) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Свч-плазменное осаждение диэлектрических пленок на металлические поверхности |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU97112303A RU2117070C1 (ru) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Свч-плазменное осаждение диэлектрических пленок на металлические поверхности |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2117070C1 true RU2117070C1 (ru) | 1998-08-10 |
| RU97112303A RU97112303A (ru) | 1998-12-27 |
Family
ID=20195435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU97112303A RU2117070C1 (ru) | 1997-07-17 | 1997-07-17 | Свч-плазменное осаждение диэлектрических пленок на металлические поверхности |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2117070C1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8187964B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-05-29 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device and method |
-
1997
- 1997-07-17 RU RU97112303A patent/RU2117070C1/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Tessier J., Klemberg-Sapieha J.E. etc. Third Can. Semic. technol. conf.-Ottawa, Ont., Can., Aug. 1986, 20-22. * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8187964B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-05-29 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit device and method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5643838A (en) | Low temperature deposition of silicon oxides for device fabrication | |
| EP0154483B1 (en) | Improved pulsed plasma process | |
| US6054735A (en) | Very thin PECVD SiO2 in 0.5 micron and 0.35 micron technologies | |
| US9157151B2 (en) | Elimination of first wafer effect for PECVD films | |
| NZ244055A (en) | Fast plasma enhanced silicon oxide based film vapour deposition | |
| KR970067623A (ko) | 할로겐 도핑된 산화 실리콘막의 막 안정성 개선을 위한 방법 및 그 장치 | |
| RU2117070C1 (ru) | Свч-плазменное осаждение диэлектрических пленок на металлические поверхности | |
| US5368681A (en) | Method for the deposition of diamond on a substrate | |
| CN104120404A (zh) | 一种超薄氧化硅膜材料及其制备方法 | |
| JPS62191447A (ja) | 撥水処理方法 | |
| JPH0382017A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH0366280B2 (ru) | ||
| JPH069187B2 (ja) | 試料加熱装置並びに常圧ｃｖｄ装置および減圧ｃｖｄ装置 | |
| CN104099579A (zh) | 一种超薄氮化硅膜材料及其制备方法 | |
| JP2001240469A (ja) | 誘電体粒子の製造方法および誘電体膜の製造方法 | |
| JPS6025381B2 (ja) | 光ファイバ被膜用炉 | |
| JP3563092B2 (ja) | セルフバイアス・プラズマｃｖｄコーティング法及び装置 | |
| CN108389780B (zh) | 氮化硅薄膜及其制备方法 | |
| RU2215820C2 (ru) | Способ свч-плазменного осаждения диэлектрических пленок на металлические поверхности с малым радиусом кривизны | |
| CN104099581A (zh) | 一种氧化硅膜材料及其制备方法 | |
| JPS60211847A (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
| JPH05218005A (ja) | 薄膜デバイスの絶縁膜形成方法 | |
| Han et al. | Growth and characterization of silicon-nitride films by plasma-enhanced chemical vapor deposition | |
| JPH1060649A (ja) | シリカ系被膜の形成方法 | |
| JPH0355839A (ja) | 薄膜形成方法及び光反応装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20070718 |