JP6523666B2 - 磁気記憶素子および磁気メモリ - Google Patents
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Description
磁気記憶素子においては、消費電力の低減が望まれる。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
一部の図面では、磁性材料を含む構成要素に矢印を付して表し、その磁化方向を例示している。
第1実施形態に係る磁気記憶素子10を、図1を用いて説明する。
図1は、第1実施形態に係る磁気記憶素子10を表す断面模式図である。
磁気記憶素子10は、第1磁性部100と、絶縁部200と、第1領域301と第2領域302を含む第2磁性部300と、第1電極401と、第2電極402と、第3電極403と、電流源501と、電流源502と、を備える。
第1磁性部100は、第1電極401が接続された第1部分110と、第2電極402が接続された第2部分120と、を含む。第1部分110は、X方向において、第2部分120と離間している。すなわち、第2電極402は、第1磁性部100の第1電極401が接続された部分と異なる部分に接続されている。
第1磁性部100の磁化方向は、第2磁性部300の磁化方向よりも容易に変化する。第2磁性部300の磁化方向は、第1磁性部100の磁化方向よりも変化し難く、いわゆる磁化固定層として機能する。
第1領域301は、金属などの導電材料を含む。第2領域302は、絶縁材料を含む。
このため、第2領域302の電気抵抗は、第1領域301の電気抵抗よりも高い。
第1領域301と第2領域302の詳細については後述する。
X方向は、例えば、基板の主面に対して平行な方向である。
ここで、基板の主面に対して平行であり、かつX方向と直交する方向をY方向とし、X方向及びY方向に対して直交する方向をZ方向とする。
第1実施形態に係る磁気記憶素子10における磁壁のシフト動作の例について図2を用いて説明する。
図2は、第1実施形態に係る磁気記憶素子10におけるメモリ動作を説明するための模式図である。
それぞれの磁区の磁化方向を、”0”または”1”と対応付けることで、第1磁性部100を記憶部として機能させることができる。
磁壁703は、上方向に磁化した磁区701と、下方向に磁化した磁区702と、の境界に存在する。
磁区の移動方向は、第1磁性部100の材料や層構成によって、電流に対して同方向および逆方向のいずれにも調整することができる。
次に、第1実施形態に係る磁気記憶素子10における書き込み動作の例について、図2を参照しながら説明する。
この場合、第2電極402から、第3電極403へ電流を流す。電子は電流と逆向きに流れる。従って、電子は、第3電極403から第2電極402へ、第2磁性部300、絶縁部200、および第1磁性部100を通って流れる。
書き込みを行うべき領域と同じ方向のスピンを有するスピン偏極された電子は、書き込み行うべき領域を通過する。
しかし、書き込みを行うべき領域の磁化方向と異なる方向のスピンを有するスピン偏極された電子は、書き込みを行うべき領域の磁化にスピントルクを与える。
書き込みを行うべき領域の磁化に対して与えられたスピントルクは、書き込みを行うべき領域の磁化方向が、第2磁性部300の磁化方向と同じ方向を向くように働く。
このとき、電子は、第2電極402から第3電極403へ、第1磁性部100、絶縁部200、および第2磁性部300を通って流れる。
しかし、第2磁性部300の磁化と異なる方向のスピンを有する電子は、第2磁性部300と絶縁部200の界面で反射され、第1磁性部100の書き込みを行うべき領域に流入する。
書き込み行うべき領域の磁化に対して与えられたスピントルクは、書き込みを行うべき領域の磁化方向が、第2磁性部300の磁化方向と異なる方向を向くように働く。
次に、第1実施形態に係る磁気記憶素子10における読み出し動作の例について、図2を参照しながら説明する。
このとき、第2電極402と、第3電極403と、の間の電気抵抗は、第1磁性部100の読み出しを行うべき領域の磁化方向と、第2磁性部300の磁化方向と、がなす角度によって変化する。
読み出しを行うべき領域の磁化方向と、第2磁性部300の磁化方向と、が異なるときは、上記抵抗値は、相対的に高い値となる。
この現象は、磁気抵抗効果と呼ばれる。この現象を用いて抵抗値を検出することで、読み出しを行うべき領域の磁化方向を検出し、情報の読み出しを行う。
第1磁性部100には、種々の磁性材料を用いることができる。例えば、不規則合金、規則合金、またはフェリ磁性体を用いることが可能である。
上述した各材料を成膜する際の下地層として、Pt、Ru、Pd、Ta、TaN、TiN、またはWを含む層を用いることで、当該下地層の上に形成される第1磁性部100の垂直磁気異方性を調整することができる。
絶縁部200の材料として、ZnO、InMn、GaN、GaAs、TiO2、Zn、Te、またはこれらに遷移金属がドープされたもの、などの非磁性半導体を用いることができる。
絶縁部200の材料として、BaTiO3、SrTiO3、PbTiO3、またはHfO2などの誘電材料を用いることができる。
上述した化合物は、化学量論的にみて完全に正確な組成である必要はなく、酸素、窒素、またはフッ素などの欠損、またはこれらの元素の過不足が存在していてもよい。
この場合、非磁性部710を介して第1磁性部100の磁区が第3磁性部720とカップリングし、第3磁性部720と第2磁性部300の間で磁化方向の読出しおよび書き込みが行われる。このような構成を採用することで、読み出し動作を行う際の出力を向上させ、書き込み動作を行う際に、書き込みエラーが生じる可能性を低減することが可能となる。
第2領域302の材料は、第1領域301の材料と同じであってもよい。第2領域302の材料が、第1領域301の材料と同じ場合であっても、イオン注入などの方法により一方に添加元素を加えることで、一方の導電性に異方性を生じさせることができる。
同様に、第1領域301も、X方向とZ方向において、導電性に異方性を有していてもよい。
このとき、より好ましくは、第1領域301の材料は、導電性を有する磁性材料であり、第2領域302の材料は、絶縁性を有する非磁性材料である。この場合、第1領域301には、第1磁性部100と同様の材料を用いることができ、第2領域302には、絶縁部200と同様の材料を用いることができる。
しかし、第1領域301の材料が、導電性を有する非磁性材料であり、第2領域302の材料が絶縁性を有する磁性材料であってもよい。この場合、第1領域301には、非磁性部710に関する説明で挙げた非磁性材料を用いることができる。第2領域302には、コバルトフェライトなどの酸化物磁性体を用いることができる。
次に、第2磁性部300の詳細について、図4を用いて説明する。
図4は、第2磁性部300における第1領域301と第2領域302を表す模式図である。
図4は、第2磁性部300を上面から見た場合の、第2磁性部300における第1領域301と第2領域302を表している。
この図4(b)に表す第1領域301と第2領域302の構成は、例えば、後述するジブロックコポリマーなどの自己組織化(directed self−assembly:DSA)を用いて作製することができる。EB描画などの方法を用いて、このような構成を作製することも可能である。
図4(b)に表す構成は、図4(a)に表す構成に比べて、ドット状に設けられた第1領域301の間隔がより均一であるため、より好ましい。
第1領域301および第2領域302のいずれか一方が磁性材料の場合は、ストライプのピッチを制御することで、磁気記憶素子における読み出しおよび書き込みの出力を制御することができる。
第1領域301と第2領域302とがストライプ状に並んだ構造は、図4(c)に表すように、第2磁性部300の延在する方向に並ぶのが好ましい。すなわち、第2磁性部300は、複数の第1領域301と、複数の第2領域302と、を含み、第2磁性部300が延在する方向において、第1領域301と第2領域302とが交互に設けられていることが好ましい。
このような構成を採用することで、第1磁性部100の磁壁をシフトさせる際に、第2磁性部300の延在方向に流れる電流をさらに低減することができる。
この結果、磁気記憶素子の動作時における消費電力を低減することが可能となる。
第1実施形態に係る磁気記憶素子10の製造方法の一例について、図5および図6を用いて説明する。
図5および図6は、第1実施形態に係る磁気記憶素子10の製造工程を表す工程断面図である。
第1電極401および第2電極402は、基板600上において、X方向およびY方向に複数配列されていてもよい。
各層の形成には、成膜速度が速く、膜質の制御が比較的容易であり、真空一貫で連続して形成可能な蒸着法やスパッタ法などの、PVD(Physical Vapor Deposition)法を用いることが好ましい。ただし、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、ALD(Atomic Layer Deposition)法、または、めっき(湿式成膜)法を用いることも可能である。
第1磁性部100aの成膜に先立って、磁気特性を調整するための下地層を形成してもよい。下地層の材料として、Pt、Pd、またはRuなどを用いることができる。
第2磁性部300aの成膜後に、形成された積層体を保護するためのキャップ層を形成してもよい。キャップ層の材料として、PtやTaなどを用いることができる。
このマスクを用いて、第1磁性部100a、絶縁部200a、および第2磁性部300aを、RIE(Reactive Ion Etching)法またはイオンミリング法などにより、基板600の表面が露出するまでエッチングまたはミリングを行う。この工程により、図6(a)に表す第1磁性部100、絶縁部200、および第2磁性部300が得られる。
このとき、例えば、基板600上に設けられた第1電極401と第2電極402が、第1磁性部100の両端に位置するように、各部の除去される領域を調整する。
そして、この金属層上にフォトレジストを形成し、マスクを形成する。
その後、当該マスクを用いて、図6(b)に表すように、RIE法またはイオンミリング法などにより、第2磁性部300の表面が露出するまで、金属層を加工する。すなわち、金属層は、第3電極403と絶縁部200の一部との間に、第2磁性部300の一部が位置するように、加工される。
第2磁性部300上にキャップ層が設けられている場合は、キャップ層が露出するまで金属層をエッチングする。
金属層を加工する際は、例えば、基板600上に設けられた第2電極402の近傍に第3電極403が位置するように、金属層の除去される領域を調整する。
第1実施形態に係る磁気記憶素子10の製造方法の他の一例について、図5および図6を参照しながら説明する。
次に、第1電極401と第2電極402を設けた基板600上に、第1磁性部100a、絶縁部200aを形成する。
自己組織化部302は、例えば、ポリスチレン(PS)と、ポリエチレンオキサイド(PEO)―SOG(シリコンオングラス)と、の混合材料を塗布することで形成される。この層を200℃で12時間アニールすると、20nm径のPSスフィアが、PEO−SOGマトリックス中において、互いに分断されたパターンが形成される。
上述の例では、PEO−SOGマトリックス中のPSを、ICPエッチング装置において、酸素プラズマを用いて除去する。酸素ガスを用いる際の条件として、例えば、チャンバー圧0.015Pa、アンテナ電力100W、バイアス電力100Wを用いることができる。この工程により、PEO−SOGマトリックス中においてホール状に形成されていたPSが除去され、複数の開口が設けられたPEO−SOG層が形成される。
自己組織化部のホールに埋め込まれる磁性材料としては、第1磁性部100に用いられる材料と同様の材料を用いることができる。
ここで、実施形態に係る磁気記憶素子による作用および効果と、実施形態に係る磁気記憶素子の製造方法による作用および効果について説明する。
この場合、加工中において、磁化固定部の膜厚が薄くなったときや、絶縁部の表面が露出したときなどに、加工に用いられるイオンなどによって、磁性部に大きなダメージが生じる可能性ある。
さらに、パターニングされた絶縁部および磁化固定部上に金属層を形成し、金属層のみを加工して磁性部へのダメージを低減した場合であっても、磁化固定部が、絶縁材料を含む第2領域を有していないと、シフト電流を流した際に磁化固定部を流れる電流が大きくなってしまう。
これは、第1電極401と第3電極403の距離が離れているほど、第1磁性部100に連続して多くの磁区を書き込むことができるためである。
第2実施形態に係る磁気記憶素子20を、図7を用いて説明する。
図7は、第2実施形態に係る磁気記憶素子20を表す断面模式図である。
磁気記憶素子10では、基板600上に第1電極401と第2電極402が設けられ、これらの電極上に、第1磁性部100、絶縁部200、および第2磁性部300がこの順で設けられていた。
これに対して、磁気記憶素子20では、図7に表すように、まず、基板600上に第3電極403が設けられている。
第3電極403のXY平面における面積は、第2磁性部300のXY平面における面積よりも小さい。
第2磁性部300は、X方向に延在している。第3電極403は、例えば、第2磁性部300のX方向における端部に接続されている。
第2磁性部300は、磁気記憶素子10と同様、第1領域301と第2領域302を有する。
絶縁部200上には、第1磁性部100が設けられている。
第1磁性部100は、X方向に延在しており、X方向において、複数の磁区を有する。
第1磁性部100の第2部分120上には、第2電極402が設けられている。
第2電極402は、第3電極403に近接する位置に設けられている。
磁気記憶素子20における、磁区のシフト動作、磁区の磁化方向の読み出し動作、および磁区の書き込み動作については、第1実施形態の磁気記憶素子10と同様である。
第3実施形態に係る磁気記憶素子30を、図8を用いて説明する。
図8は、第3実施形態に係る磁気記憶素子30を表す断面模式図である。
第1延在部分180は、第1部分110と接続された第1接続領域181と、第2部分120と接続された第2接続領域182と、を含む。第2接続領域182は、Z方向において、第1接続領域181と離間している。
すなわち、第1部分110は、第1延在部分180のZ方向の一端と接続され、第2部分120は、第1延在部分180のZ方向の他端と接続されている。
第1部分110は、複数の磁区を含みうる。第1部分110が複数の磁区を含む場合、これらの複数の磁区は、X方向に並んでいる。第1部分110は、単一の磁区のみを含むものであってもよい。
第2部分120も同様に、複数の磁区を含みうる。第2部分120が複数の磁区を含む場合、これらの複数の磁区は、X方向に並んでいる。第2部分120は、単一の磁区のみを含むものであってもよい。
第1絶縁部分210は、第1部分110の一部上に設けられている。すなわち、第1絶縁部分210は、第1部分110の一部と、Z方向において重なっている。
第2絶縁部分220の一部は、第2部分120上に設けられている。すなわち、第2絶縁部分220の一部は、第2部分120と、Z方向において重なっている。
第2延在部分280の一部は、第1延在部分180上に設けられている。すなわち、第2延在部分280の一部は、第1延在部分180と、X方向において重なっている。第2延在部分280は、Z方向に延在している。
すなわち、第1絶縁部分210は、第2延在部分280のZ方向の一端と接続され、第2絶縁部分220は、第2延在部分280のZ方向の他端と接続されている。
第3部分330は、第1絶縁部分210の一部上に設けられている。すなわち、第3部分330は、第1部分110の一部、第1絶縁部分210の一部、および第1電極401と、Z方向において重なっている。
第4部分340の一部は、第2絶縁部分220上に設けられている。すなわち、第4部分340の一部は、第2部分120、第2絶縁部分220、および第2電極402と、Z方向において重なっている。
第3延在部分380の一部は、第2延在部分280上に設けられている。すなわち、第3延在部分380の一部は、第1延在部分180および第2延在部分280と、X方向において重なっている。第3延在部分380は、Z方向に延在している。
すなわち、第3部分330は、第3延在部分380のZ方向の一端と接続され、第4部分340は、第3延在部分380のZ方向の他端と接続されている。
基板600は、第1基板領域610、第2基板領域620、および第3基板領域630を含む。
第2基板領域620は、第1基板領域610と、X方向において離間している。
第3基板領域630は、第1基板領域610と第2基板領域620との間に設けられている。
基板600の表面S上には、さらに、絶縁部800が設けられている。第1部分110と絶縁部800は、基板600の表面S上において、互いに異なる位置に設けられている。絶縁部800は、Z方向において、第2基板領域620の少なくとも一部と重なっている。
第2部分120は、絶縁部800上に設けられている。第2部分120は、Z方向において、第2基板領域620の少なくとも一部と重なっている。従って、第2部分120の少なくとも一部は、絶縁部200と、絶縁部800と、の間に設けられている。
第1延在部分180は、絶縁部800の側面上に設けられている。第1延在部分180は、X方向において、絶縁部800と重なっている。第1延在部分180は、Z方向において、第3基板領域630の少なくとも一部と重なっている。
第2電極402は、絶縁部800上に設けられている。すなわち、第2電極402は、絶縁部800と、第2部分120と、の間に設けられている。
第3電極403は、第2磁性部300の第4部分340上に設けられている。
なお、ここで、X方向に沿う方向とは、X方向との為す角度が45度未満である方向である。同様に、Z方向に沿う方向とは、Z方向との為す角度が45度未満である方向である。
同様に、第2部分120の磁化容易軸の方向は、X方向に沿う方向またはZ方向に沿う方向である。
このような構成を採用することで、第1部分110と第1延在部分180の接続部分、および第1延在部分180と第2部分120の接続部分、における磁壁のエネルギーを小さくすることができる。この結果、これらの接続部における磁壁の移動を、より小さいエネルギーで行うことが可能となる。
より好ましくは、第2磁性部300の磁化容易軸の方向は、第2部分120の磁化容易軸の方向に対して、平行である。
このような構成を採用することで、第1磁性部100の磁区の読み出し動作、および第1磁性部100への磁区の書き込み動作をより安定して行うことが可能となる。
図9〜図12は、第3実施形態に係る磁気記憶素子30の製造工程を表す工程図である。
このときの様子を図9(b)に表す。
このとき、一例として、平面視において、第2電極402aは、X方向において互いに隣り合う第1電極401の間に位置する。
なお、平面視とは、基板の表面に対して垂直な方向(Z方向)から見た場合を意味している。
第1磁性部100aは、例えば、CVD法またはALD法を用いて行われる。CVD法およびALD法では、各層の材料に含まれる元素を一つ以上含むプリカーサ(Precursor)を用いる。合金層の成膜を行う場合は、複数のプリカーサを用いる。
第1磁性部100aと絶縁部800bとの密着性を改善するための下地層の材料としては、WやTaNなどの、磁性材料よりも表面エネルギーの高い材料が好ましい。第1磁性部100aの磁気特性を調整するための下地層の材料としては、Pt、Pd、またはRuなどを用いることができる。
第2磁性部300aは、第1領域301と第2領域302を含む。
このときの様子を、図10(a)に表す。
このとき、第1磁性部100a、絶縁部200a、および第2磁性部300aは、絶縁部800bと絶縁部801aからなる第1絶縁構造体中802に埋め込まれた構造を有する。
さらに、この工程により、Y方向において互いに分離した、複数の絶縁部800と複数の絶縁部801が形成される。
このとき、第1磁性部100bは、ある第1磁性部100に接続される第2電極402が、X方向において隣り合う他の第1磁性部100と接触しないように、X方向において分離される。
図12(b)に表す例では、第3電極403は、第1磁性部100、絶縁部200、および第2磁性部300を介して第2電極402と対向する位置に形成されている。
以上の工程により、図8に表す、磁気記憶素子30が得られる。
この場合、まず、第2絶縁構造体804上および第2磁性部300b上に金属層を形成する。
そして、この金属層を加工して第3電極403を形成する。
その後に、第1磁性部100b、絶縁部200b、および第2磁性部300bを、X方向において複数に分離し、第1磁性部100、絶縁部200、および第2磁性部300を形成する。
そして、この金属層を加工して第3電極403を形成すると同時に、第1磁性部100b、絶縁部200b、および第2磁性部300bも加工する。
これにより、X方向において互いに分離された、第1磁性部100、絶縁部200、および第2磁性部300が形成される。
第3実施形態の変形例に係る磁気記憶素子31を、図13を用いて説明する。
図13は、第3実施形態の変形例に係る磁気記憶素子31を表す断面模式図である。
磁気記憶素子31において、例えば、第2磁性部300以外の構成は、磁気記憶素子30の構成と同じである。
第3延在部分380のX方向の厚さは、Z方向において、漸増している。すなわち、第3部分330と第3延在部分380との接続部分における厚さは、第4部分340と第3延在部分380との接続部分における厚さよりも薄い。
この場合において、第3延在部分380は、第2延在部分280上の一部にのみ設けられていてもよい。すなわち、第3延在部分380における膜厚は、第4部分340と第3延在部分380の接続部分から−Z方向に向かって徐々に減少し、絶縁部200の第2延在部分280上のある点でゼロになっていてもよい。
図14は、第3実施形態の変形例に係る磁気記憶素子31の製造工程を表す工程図である。
このような第2磁性部300aは、例えば、開口OP1の深さ方向に対して斜向かいに設けられたターゲットを用いてスパッタを行うことで、形成することが可能である。
このような構成を採用することで、第1電極401と第2電極402との間を流れる電流に対する、第2磁性部300の電気抵抗が高くすることが可能となる。
このため、第1磁性部100の磁壁をシフトさせる際に、第2磁性部300を流れる電流をより一層低減することが可能となる。
第4実施形態に係る磁気記憶素子40を、図15を用いて説明する。
図15は、第4実施形態に係る磁気記憶素子40を表す断面模式図である。
このため、第1延在部分180は、第2延在部分280の周りに設けられている。そして、絶縁部800は、第1延在部分180の周りに設けられている。
このとき、平面視において、第1延在部分180は、第2延在部分280と、絶縁部800と、の間に設けられている。
第1部分110は、基板600の表面S上に設けられ、第2部分120は、絶縁部800上に設けられている。
第2電極402は、第1延在部分180のZ方向における少なくとも一部の周りに設けられている。
第3電極403は、平面視において、第1延在部分180と第2延在部分280の周りに設けられている。
第2部分120および第1延在部分180において、例えば、磁区は環状に形成される。この場合、第2部分120および第1延在部分180において、ある磁区の磁化方向は、第2延在部分280から絶縁部800(開口OP3の側壁)に向かう方向であり、別のある磁区の磁化方向は、絶縁部800から第2延在部分280に向かう方向となる。
ただし、第1磁性部100において、第2部分120と第1延在部分180の間で、より安定して磁区の移動を行うためには、第2部分120が第1延在部分180の周りに、環状に設けられていることが好ましい。
第1磁性部100の第2部分120が環状に設けられている場合、第1磁性部100を保護するために、第2絶縁部分220および第4部分340も、同様に、第2部分120上に環状に設けられていることが好ましい。
図16および図17は、第4実施形態に係る磁気記憶素子40の製造工程を表す工程図である。
なお、各構成要素の材料や形成方法については、第3実施形態に係る磁気記憶素子30の製造方法と同様の材料や形成方法を採用可能であるため、説明は適宜省略する。
そして、図16(a)に表すように、第1電極401上に絶縁部800aを形成する。
なお、第2電極402は、絶縁部800aの表面に金属層を形成し、この金属層をパターニングすることで形成してもよい。
開口OP3の平面視における形状は、例えば、四角形や円形など、種々の形状を採用することが可能である。前述した第2電極402の形状は、開口OP3の平面視における形状に合わせて決定される。すなわち、開口OP3の平面視における形状が四角形である場合、第2電極402は、四角を有する環状に形成される。
開口OP3は、例えば、X方向およびY方向に周期的なパターニングが施されたレジストマスクを用いて、RIE法により、形成される。
そして、第1磁性部100a上の少なくとも一部に、絶縁部200aを形成し、絶縁部200a上の少なくとも一部に、第2磁性部300aを形成する。
このときの様子を、図17(a)に表す。
第4実施形態の第1変形例に係る磁気記憶素子41を、図18を用いて説明する。
図18は、第4実施形態の第1変形例に係る磁気記憶素子41を表す断面模式図である。
磁気記憶素子41は、磁気記憶素子40と比較して、例えば、絶縁部800に形成された開口OP3について差異を有する。
第5部分150は、第7部分WP上に設けられており、第6部分160は、第8部分NP上に設けられている。
さらに、第5部分150の、第2延在部分280から絶縁部800に向かう方向の厚さは、第6部分160の、第2延在部分280から絶縁部800に向かう方向の厚さよりも厚い。
図19は、第4実施形態の第1変形例に係る磁気記憶素子41の製造工程を表す工程図である。
基材800fを陽極として電解質溶液(硫酸、シュウ酸、またはリン酸など)の中で通電すると、陽極金属が酸化されて金属イオンとなり融解する。この金属イオンは水の酸素と結合して金属酸化物となり陽極金属表面に残り成長していく。
高い電圧が印加されている間は、陽極酸化が深さ方向に速く進むため、X方向およびY方向の寸法が小さい部分が形成される。このため、高い電圧が印加されていた部分では、相対的に寸法が小さくなり、低い電圧が印加されていた部分では、相対的に寸法が大きくなる。
ここで、ピッチは、開口OP3の径と、隣り合う開口OP3の間の距離と、の和を意味している。
その後は、絶縁部800上に第2電極402を形成し、図17に表す工程と同様の工程を実施することで、磁気記憶素子41が得られる。
第4実施形態の第2変形例に係る磁気記憶素子42を、図20を用いて説明する。
図20は、第4実施形態の第2変形例に係る磁気記憶素子42を表す断面模式図である。
磁気記憶素子42において、例えば、第2磁性部300以外の構成は、磁気記憶素子40の構成と同じである。
第3延在部分380のX方向の厚さは、Z方向において、漸増している。すなわち、第3部分330と第3延在部分380との接続部分における厚さは、第4部分340と第3延在部分380との接続部分における厚さよりも薄い。
図21は、第4実施形態の第2変形例に係る磁気記憶素子42の製造工程を表す工程図である。
第2磁性部300aが第1電極401とZ方向において重なる位置に形成されないように、第2磁性部300aを形成してもよい。
このため、第1磁性部100の磁壁をシフトさせる際に、第2磁性部300を流れる電流をより一層低減することが可能となる。
第5実施形態に係る磁気メモリ50を、図22を用いて説明する。
図22は、第5実施形態に係る磁気メモリ50を表す模式図である。
第5実施形態に係る磁気メモリ50は、前述した各実施形態に係る磁気記憶素子を複数備え、例えば、シフトレジスタ型のメモリを構成している。例えば、磁気メモリ50は、図22に表すように、第3実施形態に係る磁気記憶素子30を複数備えたものである。
第2セレクタ912は、第2ビット線BL2および第3ビット線BL3と接続されている。
第3電極403は、第1ビット線BL1と接続されている。
第2トランジスタ902のゲートは、第2ワード線WL2に接続されている。第2トランジスタ902の第1端子は、第2電極402に接続され、第2端子は、第3ビット線BL3に接続されている。
第1セレクタ911と第2セレクタ912には、抵抗値検出部930が接続されている。抵抗値検出部930は、第1電極401に接続された第2ビット線BL2および第2電極402に接続された第3ビット線BL3と、第3電極403に接続された第1ビット線BL1と、の間の抵抗値の変化を検出可能である。
第1磁性部であって、前記第1磁性部が延在する方向に並ぶ複数の磁区を含む第1磁性部と、
導電材料を含む第1領域と、絶縁材料を含む第2領域と、を含み、前記第1領域と前記第2領域の少なくとも一方は磁性を有する第2磁性部と、
前記第1磁性部と前記第2磁性部との間に設けられた第1絶縁部と、
前記第1磁性部に接続された第1電極と、
前記第1磁性部の前記第1電極が接続された部分と異なる部分に接続された第2電極と、
第3電極であって、前記第3電極と前記第1磁性部の一部との間に、前記第2磁性部の一部及び前記第1絶縁部の一部が設けられた前記第3電極と、
を備えた磁気記憶素子の動作方法であって、
前記第1電極と、前記第2電極と、の間に電流を流すことで、前記複数の磁区を移動させる磁気記憶素子の動作方法。
前記複数の磁区を移動させた後に、前記第2電極と前記第3電極の間に電流を流すことで、前記複数の磁区のうち少なくとも1つの磁区の磁化方向を制御する付記1に記載の磁気記憶素子の動作方法。
前記複数の磁区を移動させた後に、前記第2電極と前記第3電極の間に電流を流すことで、前記複数の磁区のうち少なくとも1つの磁区の磁化方向を検出する付記1に記載の磁気記憶素子の動作方法。
第1磁性部であって、前記第1磁性部が延在する方向に並ぶ複数の磁区を含む第1磁性部と、
導電材料を含む第1領域と、絶縁材料を含む第2領域と、を含み、前記第1領域と前記第2領域の少なくとも一方は磁性を有する第2磁性部と、
前記第1磁性部と前記第2磁性部との間に設けられた第1絶縁部と、
前記第1磁性部に接続された第1電極と、
前記第1磁性部の前記第1電極が接続された部分と異なる部分に接続された第2電極と、
第3電極であって、前記第3電極と前記第1磁性部の一部との間に、前記第2磁性部の一部及び前記第1絶縁部の一部が設けられた前記第3電極と、
を備えた磁気記憶素子の動作方法であって、
前記第2電極と前記第3電極の間に電流を流すことで、前記複数の磁区のうち少なくとも1つの磁区の磁化方向を制御する磁気記憶素子の動作方法。
前記複数の磁区のうち少なくとも1つの磁区の磁化方向を制御した後に、前記第1電極と前記第2電極の間に電流を流すことで、前記複数の磁区を移動させる付記4に記載の磁気記憶素子の動作方法。
第1磁性部であって、前記第1磁性部が延在する方向に並ぶ複数の磁区を含む第1磁性部と、
導電材料を含む第1領域と、絶縁材料を含む第2領域と、を含み、前記第1領域と前記第2領域の少なくとも一方は磁性を有する第2磁性部と、
前記第1磁性部と前記第2磁性部との間に設けられた第1絶縁部と、
前記第1磁性部に接続された第1電極と、
前記第1磁性部の前記第1電極が接続された部分と異なる部分に接続された第2電極と、
第3電極であって、前記第3電極と前記第1磁性部の一部との間に、前記第2磁性部の一部及び前記第1絶縁部の一部が設けられた前記第3電極と、
を備えた磁気記憶素子の動作方法であって、
前記第2電極と前記第3電極の間に電流を流すことで、前記複数の磁区のうち少なくとも1つの磁区の磁化方向を検出する磁気記憶素子の動作方法。
前記複数の磁区のうち少なくとも1つの磁区の磁化方向を検出した後に、前記第1電極と前記第2電極の間に電流を流すことで、前記複数の磁区を移動させる付記6に記載の磁気記憶素子の動作方法。
基板上に第1磁性部を形成し、
前記第1磁性部上の少なくとも一部に絶縁部を形成し、
前記絶縁部上の少なくとも一部に、導電材料を含む第1領域と、絶縁材料を含む第2領域と、を含む第2磁性部を形成し、
前記第2磁性部上に金属層を形成し、
前記金属層を加工することで、前記第2磁性部上の一部に第1電極を形成する磁気記憶素子の製造方法。
前記基板上に第2電極および第3電極を形成した後に、
前記第2電極上および前記第3電極上に前記第1磁性部を形成する付記8記載の磁気記憶素子の製造方法。
前記第1領域および前記第2領域の一方を磁性材料を用いて形成し、他の一方を非磁性材料を用いて形成する付記8または9に記載の磁気記憶素子の製造方法。
前記第1電極を、前記第1磁性部の一部、前記絶縁部の一部、および前記第2磁性部の一部が、前記第1電極と前記第2電極の間に位置するように、前記金属層を加工する付記9記載の磁気記憶素子の製造方法。
基板上に複数の第1電極を形成する工程と、
前記複数の第1電極上に第1絶縁部を形成する工程と、
前記第1絶縁部上に複数の第2電極を形成する工程と、
前記第1絶縁部の前記第2電極が設けられていない領域に、前記基板の表面に対して平行な第1方向に延びる第1開口を形成することで、前記複数の第1電極を露出させる工程と、
前記複数の第1電極上、前記第1絶縁部上、および前記複数の第2電極上に第1磁性部を形成し、
前記第1磁性部上の少なくとも一部に第2絶縁部を形成する工程と、
前記第2絶縁部上の少なくとも一部に、導電材料を含む第1領域と、絶縁材料を含む第2領域と、を含む第2磁性部を形成する工程と、
前記第2磁性部を形成した後に、第3絶縁部を形成することで前記第1開口を埋め込む工程と、
前記第1絶縁部および前記第3絶縁部に、前記基板の表面に対して平行であり、かつ前記第1方向と交差する第2方向に延びる第2開口を形成することで、前記第1方向において前記第1磁性部および前記第2磁性部を複数に分離する工程と、
第4絶縁部を形成することで前記第2開口を埋め込む工程と、
前記第1方向において複数に分離された前記第1磁性部および前記第2磁性部を、前記第2方向において、複数に分離する工程と、
前記第2方向において複数に分離された前記第2磁性部のそれぞれの上に第3電極を形成する工程と、
を備えた磁気記憶素子の製造方法。
基板上に複数の第1電極を形成する工程と、
前記複数の第1電極上に第1絶縁部を形成する工程と、
前記第1絶縁部上に複数の第2電極を形成する工程と、
前記第1絶縁部に、前記基板の表面に平行な第1方向、および前記第1方向と交差する第2方向において複数の開口を形成することで、前記複数の第1電極を露出させる工程と、
前記複数の第1電極上、前記絶縁部上、および前記複数の第2電極上に第1磁性部を形成する工程と、
前記第1磁性部上の少なくとも一部に第2絶縁部を形成する工程と、
前記第2絶縁部上の少なくとも一部に、導電材料を含む第1領域と、絶縁材料を含む第2領域と、を含む第2磁性部を形成する工程と、
前記第2磁性部上に第3絶縁部を形成することで前記開口を埋め込む工程と、
前記第1磁性部および前記第2磁性部を、前記第1方向および前記第2方向において、複数に分離する工程と、
前記複数の第2磁性部のそれぞれの上に第3電極を形成する工程と、
を備えた磁気記憶素子の製造方法。
基板上に複数の第1電極を形成する工程と、
前記複数の第1電極上に基材を形成する工程と、
前記基材に、陽極酸化法を用いて、前記基材を第1絶縁部に変化させるとともに、前記基板の表面に平行な第1方向と、前記基板の表面に平行であり前記第1方向と交差する第2方向と、において複数の開口を形成することで、前記複数の第1電極を露出させる工程と、
前記第1絶縁部上に複数の第2電極を形成する工程と、
前記複数の第1電極上、前記絶縁部上、および前記複数の第2電極上に第1磁性部を形成する工程と、
前記第1磁性部上の少なくとも一部に第2絶縁部を形成する工程と、
前記第2絶縁部上の少なくとも一部に、導電材料を含む第1領域と、絶縁材料を含む第2領域と、を含む第2磁性部を形成する工程と、
前記第2磁性部上に第3絶縁部を形成することで前記開口を埋め込む工程と、
前記第1磁性部および前記第2磁性部を、前記第1方向および前記第2方向において、複数に分離する工程と、
前記複数の第2磁性部のそれぞれの上に第3電極を形成する工程と、
を備えた磁気記憶素子の製造方法。
前記複数の第1電極を露出させる工程において、前記陽極酸化を行う際に、前記基材に対して第1の電圧と、第1の電圧よりも高い第2の電圧を交互に印加する付記14記載の磁気記憶素子の製造方法。
前記複数の第1電極を露出させる工程において、前記開口が、前記第1方向の寸法が第1の値である部分と、前記第1方向の寸法が第1の値よりも小さな第2の値である部分と、を、前記第1方向および前記第2方向に直交する第3方向において、交互にそれぞれ複数有するように、前記開口を形成する付記13〜15のいずれか1つに記載の磁気記憶素子の製造方法。
前記第2電極を形成する工程において、前記第2電極を、前記開口の周りに形成する付記13〜16のいずれか1つに記載の磁気記憶素子の製造方法。
前記第2磁性部を形成する工程において、前記第1領域および前記第2領域の一方を磁性材料を用いて形成し、他の一方を非磁性材料を用いて形成する付記12〜17のいずれか1つに記載の磁気記憶素子の製造方法。
前記第3電極を形成する工程において、前記第1磁性部の一部、前記絶縁部の一部、および前記第2磁性部の一部が、前記第2電極と前記第3電極の間に位置するように、前記第3電極を形成する付記12〜18のいずれか1つに記載の磁気記憶素子の製造方法。
前記第2磁性部を形成する工程において、前記第1電極の上に位置する部分の膜厚が、前記第2電極の上に位置する部分の膜厚よりも薄くなるように、前記第2磁性部を形成する付記12〜19のいずれか1つに記載の磁気記憶素子の製造方法。
前記第2磁性部を形成する工程において、前記第2磁性部を、前記第1方向および前記第2方向に対して直交する第3方向において前記第2電極と重なる位置に形成し、前記第3方向において前記第1電極の少なくとも一部と重なる位置には形成しない付記12〜20のいずれか1つに記載の磁気記憶素子の製造方法。
前記第2磁性部を形成する工程において、前記第2磁性部が面内方向に磁化容易軸を有するように形成する付記12〜21のいずれか1つに記載の磁気記憶素子の製造方法。
Claims (19)
- 第1部分と、前記第1部分から離れた第2部分と、を含む第1磁性部であって、前記第1磁性部が延在する方向に並ぶ複数の磁区を含む前記第1磁性部と、
導電材料を含む第1領域と、絶縁材料を含む第2領域と、を含み、前記第1領域と前記第2領域の少なくとも一方は磁性を有する第2磁性部と、
前記第1磁性部と前記第2磁性部との間に設けられた第1絶縁部と、
前記第1部分に接続された第1電極と、
前記第2部分に接続された第2電極と、
第3電極であって、前記第3電極と前記第2電極との間に、前記第1磁性部の一部、前記第2磁性部の一部、及び前記第1絶縁部の一部が設けられた前記第3電極と、
を備えた磁気記憶素子。 - 第1部分と、前記第1部分から離れた第2部分と、を含む第1磁性部であって、前記第1磁性部が延在する方向に並ぶ複数の磁区を含む前記第1磁性部と、
導電材料を含む第1領域と、絶縁材料を含む第2領域と、を含み、前記第1領域と前記第2領域の少なくとも一方は磁性を有する第2磁性部と、
前記第1磁性部と前記第2磁性部との間に設けられた第1絶縁部と、
前記第1部分に接続された第1電極と、
前記第2部分に接続された第2電極と、
第3電極であって、前記第3電極と前記第1磁性部の一部との間に、前記第2磁性部の一部及び前記第1絶縁部の一部が設けられた前記第3電極と、
前記第2電極及び前記第3電極と接続され、前記第2電極から前記第3電極へ電流を流す動作と、前記第3電極から前記第2電極へ電流を流す動作と、を実行可能な電流源と、
を備えた磁気記憶素子。 - 第1部分と、前記第1部分から離れた第2部分と、を含む第1磁性部であって、前記第1磁性部が延在する方向に並ぶ複数の磁区を含む前記第1磁性部と、
導電材料を含む第1領域と、絶縁材料を含む第2領域と、を含み、前記第1領域と前記第2領域の少なくとも一方は磁性を有する第2磁性部と、
前記第1磁性部と前記第2磁性部との間に設けられた第1絶縁部と、
前記第1部分に接続された第1電極と、
前記第2部分に接続された第2電極と、
第3電極であって、前記第3電極と前記第1磁性部の一部との間に、前記第2磁性部の一部及び前記第1絶縁部の一部が設けられた前記第3電極と、
前記第1電極と前記第3電極との間又は前記第2電極と前記第3電極との間の抵抗値の変化を検出可能な抵抗値検出部と、
を備えた磁気記憶素子。 - 基板と、
前記基板上に設けられた第2絶縁部と、
をさらに備え、
前記第1部分は、前記基板上に設けられ、
前記第2部分は、前記第2絶縁部上に設けられ、
前記第1磁性部は、前記基板の表面と交差する第1方向に延びた第1延在部分を含み、
前記第1延在部分は、前記第1方向に並ぶ前記複数の磁区を含み、
前記第1延在部分の前記第1方向における一端は、前記第1部分に接続され、
前記第1延在部分の前記第1方向における他端は、前記第2部分に接続された請求項1〜3のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。 - 基板と、
前記基板上に設けられた第2絶縁部と、
第1磁性部であって、
前記基板上に設けられた第1部分と、
前記第2絶縁部上に設けられた第2部分と、
前記基板の表面と交差する第1方向に延び、前記第1方向に並ぶ複数の磁区を含み、前記第1方向において、一端が前記第1部分に接続され、他端が前記第2部分に接続された第1延在部分と、
を含む前記第1磁性部と、
導電材料を含む第1領域と、絶縁材料を含む第2領域と、を含み、前記第1領域と前記第2領域の少なくとも一方は磁性を有する第2磁性部と、
前記第1磁性部と前記第2磁性部との間に設けられた第1絶縁部と、
前記第1部分に接続された第1電極と、
前記第2絶縁部と前記第1磁性部との間に設けられ、前記第2部分に接続された第2電極と、
第3電極であって、前記第2電極と前記第3電極との間に、前記第1磁性部の一部、前記第1絶縁部の一部、および前記第2磁性部の一部が設けられた前記第3電極と、
を備えた磁気記憶素子。 - 基板と、
前記基板上に設けられた第2絶縁部と、
第1磁性部であって、
前記基板上に設けられた第1部分と、
前記第2絶縁部上に設けられた第2部分と、
前記基板の表面と交差する第1方向に延び、前記第1方向に並ぶ複数の磁区を含み、前記第1方向において、一端が前記第1部分に接続され、他端が前記第2部分に接続された第1延在部分と、
を含む前記第1磁性部と、
導電材料を含む第1領域と、絶縁材料を含む第2領域と、を含み、前記第1領域と前記第2領域の少なくとも一方は磁性を有する第2磁性部であって、
前記第1方向において前記第1部分の少なくとも一部と重なる第3部分と、
前記第1方向において前記第2部分の少なくとも一部と重なる第4部分と、
を含み、前記第3部分の前記第1方向の厚さは前記第4部分の前記第1方向の厚さよりも薄い前記第2磁性部と、
前記第1磁性部と前記第2磁性部との間に設けられた第1絶縁部と、
前記第1部分に接続された第1電極と、
前記第2部分に接続された第2電極と、
第3電極であって、前記第3電極と前記第1磁性部の一部との間に、前記第2磁性部の一部及び前記第1絶縁部の一部が設けられた前記第3電極と、
を備えた磁気記憶素子。 - 基板と、
前記基板上に設けられた第2絶縁部と、
第1磁性部であって、
前記基板上に設けられた第1部分と、
前記第2絶縁部上に設けられた第2部分と、
前記基板の表面と交差する第1方向に延び、前記第1方向に並ぶ複数の磁区を含み、前記第1方向において、一端が前記第1部分に接続され、他端が前記第2部分に接続された第1延在部分と、
を含む前記第1磁性部と、
導電材料を含む第1領域と、絶縁材料を含む第2領域と、を含み、前記第1方向において前記第2部分と重なり、前記第1方向において前記第1部分と重ならず、前記第1領域と前記第2領域の少なくとも一方は磁性を有する第2磁性部と、
前記第1磁性部と前記第2磁性部との間に設けられた第1絶縁部と、
前記第1部分に接続された第1電極と、
前記第2部分に接続された第2電極と、
第3電極であって、前記第3電極と前記第1磁性部の一部との間に、前記第2磁性部の一部及び前記第1絶縁部の一部が設けられた前記第3電極と、
を備えた磁気記憶素子。 - 基板と、
前記基板上に設けられた第2絶縁部と、
第1磁性部であって、
前記基板上に設けられた第1部分と、
前記第2絶縁部上に設けられた第2部分と、
前記基板の表面と交差する第1方向に延び、前記第1方向に並ぶ複数の磁区を含み、前記第1方向において、一端が前記第1部分に接続され、他端が前記第2部分に接続され、前記第2絶縁部に囲まれた第1延在部分と、
を含む前記第1磁性部と、
導電材料を含む第1領域と、絶縁材料を含む第2領域と、を含み、前記第1領域と前記第2領域の少なくとも一方は磁性を有する第2磁性部と、
前記第1方向に延在し且つ前記第1延在部分に囲まれた第2延在部分を有し、前記第1磁性部と前記第2磁性部との間に設けられた第1絶縁部と、
前記第1部分に接続された第1電極と、
前記第2部分に接続された第2電極と、
第3電極であって、前記第3電極と前記第1磁性部の一部との間に、前記第2磁性部の一部及び前記第1絶縁部の一部が設けられた前記第3電極と、
を備えた磁気記憶素子。 - 前記第1延在部分は、
前記第1方向と交差する第2方向における一端から他端までの距離が第1の値である、複数の第5部分と、
前記第2方向における一端から他端までの距離が、前記第1の値よりも小さい第2の値である、複数の第6部分と、
を含み、
前記第5部分と前記第6部分は、前記第1方向に沿って交互に並んだ請求項8記載の磁気記憶素子。 - 前記第1延在部分の磁化容易軸は、前記第1方向と交差する第2方向に沿う請求項4〜9のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。
- 前記第1部分の磁化容易軸は、前記第2方向に沿い、
前記第2部分の磁化容易軸は、前記第2方向に沿う請求項10記載の磁気記憶素子。 - 前記第2磁性部は、複数の前記第1領域を含み、
複数の前記第1領域は、前記第2領域中に、互いに離間して設けられた請求項1〜11のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。 - 前記第1領域は、磁性材料を含み、
前記第2領域は、非磁性材料を含む請求項1〜12のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。 - 前記第2磁性部は、前記複数の磁区が並ぶ方向と交差する方向において、前記第1磁性部に含まれる前記複数の磁区と重なる請求項1〜13のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。
- 前記第1磁性部の磁化方向は、前記第2磁性部の磁化方向よりも容易に変化する請求項1〜14のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。
- 前記第2電極と前記第3電極との間の距離は、前記第1電極と前記第3電極との間の距離よりも短い請求項1〜15のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。
- 前記第1磁性部と前記第1絶縁部との間に設けられた非磁性部と、
前記非磁性部と前記第1絶縁部との間に設けられ、磁化方向が可変である第3磁性部と、
をさらに備えた請求項1〜16のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。 - 前記第1電極と前記第2電極とに接続された第1電流源と、
前記第2電極と前記第3電極とに接続された第2電流源と、
をさらに備えた、請求項1及び3〜17のいずれか1つに記載の磁気記憶素子。 - 請求項1〜18のいずれか1つに記載の複数の前記磁気記憶素子と、
第1ゲートと、前記複数の磁気記憶素子の1つの前記第1電極に接続された第1端子と、第2端子と、を含む、第1トランジスタと、
第2ゲートと、前記複数の磁気記憶素子の前記1つの前記第2電極に接続された第3端子と、第4端子と、を含む、第2トランジスタと、
前記第1ゲートに接続された第1ワード線と、
前記第2ゲートに接続された第2ワード線と、
前記複数の磁気記憶素子の前記1つの前記第3電極に接続された第1ビット線と、
前記第2端子に接続された第2ビット線と、
前記第4端子に接続された第3ビット線と、
を備えた磁気メモリ。
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