JP7186115B2 - 磁気メモリ - Google Patents
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Description
第1実施形態による磁気メモリを図1に示す。図1は、第1実施形態の磁気メモリを示す断面図である。この第1実施形態に磁気メモリは、中空部110を有する筒状の磁性体部101を備えている。この磁性体部101は垂直磁化材料から構成される。すなわち、磁化容易軸はz方向に垂直な平面内にある。本実施形態および他の実施形態においては、磁性体部101をx-y平面で切断した断面は、円環形状を有しているが、この形状に限られるものではない。なお、中空部110は、後述する製造方法で示すように、非磁性絶縁体(例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ等)で満たされていてもよい。
この磁性体部101へのデータの書き込みは、磁気抵抗素子103を介して電極104と第3電極106との間に書き込み電流を流すことにより行う。この書き込み電流は回路300から供給される。磁化固定層103aの磁化方向と同じ向きの磁化方向(情報)を磁性層102に書き込む場合は、電極104から磁気抵抗素子103を介して第3電極106に書き込み電流を流す。この場合、電子は第3電極106から磁気抵抗素子103の磁化固定層103aに流れ、スピン偏極される。このスピン偏極された電子は、磁化固定層103aの磁化方向と同じスピンを持つ電子がマジョリティスピンとなり、このマジョリティスピンが非磁性層103bを通って磁性層102に流れ、磁性層102のスピンに作用して磁性層102の磁化方向を磁化固定層103aの磁化方向と同じにする。
電極104から電極105に駆動電流を供給し、読み出すべき情報(データ)を磁性層102に移動(シフト)させる。駆動電流は回路300から供給される。また、駆動電流は、回路300を用いて電極105と電極106との間に供給してもよい。
図3Aは中空部110を有する柱状の磁性体部101Aを備えた比較例の磁気メモリを示す断面図である。この比較例における磁性体部101Aは、図1に示す第1実施形態における磁性体部101とは、端部101aに最も近い領域101cの磁性層102が接続された部分(書き込み位置)101gと反対側の角部(101e(図3A参照)がz方向に垂直な平面内に位置する。すなわち、比較例の磁性体部101Aの端面は磁性体101の端面101fと異なり、第1面101f1を有するが第2面101f2を備えていない。したがって、比較例の磁性体部101Aは、第2面101f2の占有割合は「0」となる。
第2実施形態による磁気メモリを図11に示す。この第2実施形態の磁気メモリは、図1に示す第1実施形態の磁気メモリにおいて、磁気抵抗素子103の代わりに、フィールドラインFLを設けた構成を備えている。フィールドラインFLを用いて磁性層102に書き込みを行うのは、図5で説明した場合と同様に行う。この第2実施形態の磁気メモリも、第1実施形態と同じ磁性体部101を備えているので、磁性体部の一端を放射状に安定的に磁化することが可能な書き込みを行うことができる。なお、本実施形態においても、読み出しのための磁気抵抗素子103を磁性層102上に設けることができる。
次に、第2実施形態の磁気メモリの製造方法について図12A乃至12Gを参照して説明する。
第3実施形態による磁気メモリを図13に示す。この第3実施形態の磁気メモリは、図11に示す第2実施形態の磁気メモリにおいて、磁性層102を削除し、電極104を磁性体部101に直接接続した構成を有している。この場合、フィールドラインFLは、磁性体部101の最上部の領域101cに近接して設けられる。この第3実施形態の磁気メモリの書き込みは、図6で説明した場合と同様に行う。
第4実施形態による磁気メモリについて図14Aおよび図14Bを参照して説明する。図14Aは第4実施形態の磁気メモリを示す断面図であり、図14Bは、第4実施形態の磁気メモリの上面図である。
この磁気メモリのレイアウトの第1例を図17Aに示す。この第1例は、磁性体部101が六方最密充填構造(平面構造)となるように配列されている。すなわち、第1行に配列された磁性体部101の間に第2行の磁性体部101が配置され、第2行に配列された磁性体部101の間に第3行の磁性体部101が配列され、第1列に配置された磁性体部101の間に第2列の磁性体部101が配置され、第2列に配置された磁性体部101の間に第3列の磁性体部101が配列された平面構造を備えている。磁性体部101をこのような配置にすることにより、最小の占有面積で磁気メモリを製造することができる。
磁気メモリのレイアウトの第2例を図17Bに示す。この第2例は、磁性体部101は図17Aに示す第1例と同じ六方最密充填構造(平面構造)となるように配列されるが、磁気抵抗素子103または磁気抵抗素子103Aは対角線方向(図17Bにおいて、行方向および列方向に交差する方向)に沿って設けられる。この第2例も最小の占有面積で磁気メモリを製造することができる。
磁気メモリのレイアウトの第3例を図17Cに示す。この第3例は、第2または第3実施形態の磁気メモリのレイアウトであって、磁性体部101は図17Aに示す第1例と同じ六方最密充填構造(平面構造)となるように配列される。フィールドラインFLが各行に配列された磁性体部101に対して共通に設けられる。なお、第3例では、フィールドラインFLは各行に設けられたが、各列に配列された磁性体部101に対して共通に設けてもよい。また、対角線方向に配列された磁性体部101に対して共通に設けてもよい。この第3例も最小の占有面積で磁気メモリを製造することができる。
磁気メモリのレイアウトの第4例を図17Dに示す。この第4例は、磁性体部101Aがマトリクス状に配列される。そして、磁気抵抗素子103または磁気抵抗素子103Aが各磁性体部101の一方の側(図では左側)に配置される。なお、磁気抵抗素子103または磁気抵抗素子103Aは図17Bで説明した場合と同様に対角線方向に設けてよい。また、磁気抵抗素子103または磁気抵抗素子103Aとともに、或いは磁気抵抗素子103または磁気抵抗素子103Aの代わりにフィールドラインFLを設けてよい。この場合、フィールドラインFLは、図17Cで説明した場合と同様に、各行に配列された磁性体部101に対して共通に設けてもよいし、各列に配列された磁性体部101に対して共通に設けてもよいし、各対角線に配列された磁性体部101に対して共通に設けてもよい。
Claims (20)
- 第1方向に沿って延び第1端部と第2端部を有する筒状の磁性体部を備え、前記第1端部は端面を有し、前記端面は前記第1方向に交差する第1面と、前記第1方向に交差し前記第1面と異なる第2面と、前記第1面および前記第2面と異なる第3面を有し、前記第3面は前記第1面と前記第2面にそれぞれ接続する磁気メモリ。
- 第1方向に沿って延びた非磁性絶縁体部と、前記第1方向に沿って延び前記非磁性絶縁体部の周囲を取り囲む磁性体部と、を備え、前記磁性体部は第1端部と第2端部を有し、前記第1端部は端面を有し、前記端面は前記第1方向に交差する第1面と、前記第1方向に交差し前記第1面と異なる第2面と、前記第1面および前記第2面と異なる第3面を有し、前記第3面は前記第1面と前記第2面にそれぞれ接続する磁気メモリ。
- 第1方向に沿って延び第1端部と第2端部を有する筒状の磁性体部を備え、前記第1端部は端面を有し、前記端面は前記第1方向に垂直な面に対して傾いた面を有し、
前記第1端部は、第1部分と、前記第1方向に沿って前記第1部分よりも前記第2端部側に配置された第2部分とを有し、前記第1部分の前記第1方向に垂直な面における第1断面積が前記第2部分の前記第1方向に垂直な面における第2断面積よりも小さい磁気メモリ。 - 第1方向に沿って延び第1端部と第2端部を有する筒状の磁性体部を備え、前記第1端部は端面を有し、前記端面は前記第1方向に交差する第1面と、前記第1方向に交差し前記第1面と異なる第2面と、を有し、
前記第1端部は、第1部分と、前記第1方向に沿って前記第1部分よりも前記第2端部側に配置された第2部分とを有し、前記第1部分の前記第1方向に垂直な面における第1断面積が前記第2部分の前記第1方向に垂直な面における第2断面積よりも小さい磁気メモリ。 - 第1方向に沿って延びた非磁性絶縁体部と、前記第1方向に沿って延び前記非磁性絶縁体部の周囲を取り囲む磁性体部と、を備え、前記磁性体部は第1端部と第2端部を有し、前記第1端部は端面を有し、前記端面は前記第1方向に垂直な面に対して傾いた面を有し、
前記第1端部は、第1部分と、前記第1方向に沿って前記第1部分よりも前記第2端部側に配置された第2部分とを有し、前記第1部分の前記第1方向に垂直な面における第1断面積が前記第2部分の前記第1方向に垂直な面における第2断面積よりも小さい磁気メモリ。 - 第1方向に沿って延びた非磁性絶縁体部と、前記第1方向に沿って延び前記非磁性絶縁体部の周囲を取り囲む磁性体部と、を備え、前記磁性体部は第1端部と第2端部を有し、前記第1端部は端面を有し、前記端面は前記第1方向に交差する第1面と、前記第1方向に交差し前記第1面と異なる第2面と、を有し、
前記第1端部は、第1部分と、前記第1方向に沿って前記第1部分よりも前記第2端部側に配置された第2部分とを有し、前記第1部分の前記第1方向に垂直な面における第1断面積が前記第2部分の前記第1方向に垂直な面における第2断面積よりも小さい磁気メモリ。 - 前記第1面と前記第2面は接続し、前記第1面が前記第1方向に交差する角度と前記第2面が前記第1方向に交差する角度は互いに異なる請求項4または6に記載の磁気メモリ。
- 前記端面は、前記第1面および前記第2面と異なる第3面を更に有し、前記第3面は前記第1面と前記第2面にそれぞれ接続する請求項4または6に記載の磁気メモリ。
- 前記第1端部は、前記第1方向に沿って前記第1部分から前記第2部分に向かうにつれて前記第1方向に垂直な面における断面積が同じである部分を有する請求項3乃至8のいずれか一項に記載の磁気メモリ。
- 前記第1端部は、前記第1方向に沿って前記第1部分から前記第2部分に向かうにつれて前記第1方向に垂直な面における断面積が減少する部分を有する請求項3乃至8のいずれか一項に記載の磁気メモリ。
- 前記磁性体部は、前記第1端部と前記第2端部との間の部分における前記第1方向に垂直な面における断面の外周の形状が円、楕円、または多角形のいずれかである請求項1乃至10のいずれか一項に記載の磁気メモリ。
- 前記第1方向に交差する第2方向に沿って延び前記第1端部に接続された第1磁性層と、前記第1磁性層の少なくとも一部分に対向して配置された第2磁性層と、前記第1磁性層の前記少なくとも一部分と前記第2磁性層との間に配置された非磁性層と、を更に備えた請求項1乃至11のいずれか一項に記載の磁気メモリ。
- 前記第1方向に交差する第2方向に沿って延び前記第1端部に接続された磁性層と、前記磁性層に情報を書き込むフィールドラインと、を更に備えた請求項1乃至12のいずれか一項に記載の磁気メモリ。
- 前記第1磁性層および前記第2磁性層の一方に電気的に接続された第1電極と、前記第2端部に電気的に接続された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極を介して前記磁性体部に電流を供給する回路と、を更に備えた請求項12に記載の磁気メモリ。
- 前記第1端部の内表面に対向して配置された磁性層と、前記磁性層と前記第1端部の内表面との間に配置された非磁性層と、を更に備えた請求項1乃至11のいずれか一項に記載の磁気メモリ。
- 第1方向に沿って延び第1端部と第2端部を有する筒状の磁性体部を備え、前記第1端部は端面を有し、前記端面は前記第1方向に垂直な面に対して傾いた面を有し、
前記第1端部の内表面に対向して配置された磁性層と、前記磁性層と前記第1端部の内表面との間に配置された非磁性層と、を更に備えた磁気メモリ。 - 第1方向に沿って延び第1端部と第2端部を有する筒状の磁性体部を備え、前記第1端部は端面を有し、前記端面は前記第1方向に交差する第1面と、前記第1方向に交差し前記第1面と異なる第2面とを有し、
前記第1端部の内表面に対向して配置された磁性層と、前記磁性層と前記第1端部の内表面との間に配置された非磁性層と、を更に備えた磁気メモリ。 - 第1方向に沿って延びた非磁性絶縁体部と、前記第1方向に沿って延び前記非磁性絶縁体部の周囲を取り囲む磁性体部と、を備え、前記磁性体部は第1端部と第2端部を有し、前記第1端部は端面を有し、前記端面は前記第1方向に垂直な面に対して傾いた面を有し、
前記第1端部の内表面に対向して配置された磁性層と、前記磁性層と前記第1端部の内表面との間に配置された非磁性層と、を更に備えた磁気メモリ。 - 第1方向に沿って延びた非磁性絶縁体部と、前記第1方向に沿って延び前記非磁性絶縁体部の周囲を取り囲む磁性体部と、を備え、前記磁性体部は第1端部と第2端部を有し、前記第1端部は端面を有し、前記端面は前記第1方向に交差する第1面と、前記第1方向に交差し前記第1面と異なる第2面とを有し、
前記第1端部の内表面に対向して配置された磁性層と、前記磁性層と前記第1端部の内表面との間に配置された非磁性層と、を更に備えた磁気メモリ。 - 前記第1端部に情報を書き込むフィールドラインを更に備えた請求項15乃至19のいずれか一項に記載の磁気メモリ。
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