JP2010080848A - 抵抗変化メモリ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】抵抗変化メモリは、半導体基板上に形成され、段差部14aを有する層間絶縁膜11と、段差部を含む層間絶縁膜上に形成された下部電極層15と、下部電極層上に形成された固定層16と、固定層上に形成された第1の絶縁膜17と、第1の絶縁膜の一部上に形成された記録層18と、記録層を覆い、第1の絶縁膜に接する第2の絶縁膜19と、第2の絶縁膜上に形成された導電層20と、導電層に接続された配線23とを具備する。
【選択図】 図1
Description
ISSCC2000 Technical Digest p.128 "A 10ns Read and Write Non-Volatile Memory Array Using a Magnetic Tunnel Junction and FET Switch in each Cell" M.Durlam et al., "A 0.18um 4Mb Toggling MRAM", IEDM 2003 Proceedings,34.6,Dec.2003
第1の実施形態は、セル毎に分離したMTJ素子を凝集によって形成するに際し、MTJ素子の下地に凸型の段差部を形成する。
図1(a)及び(b)は、本発明の第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの断面図及び平面図を示す。以下に、第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの構造について説明する。
図2(a)及び(b)乃至図5(a)及び(b)は、本発明の第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造工程の断面図を示す。以下に、第1の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造方法について説明する。
上記第1の実施形態によれば、MTJ素子MTJの下地に凸型の段差部14aを設けることで、熱処理によって記録層18を凝集した際に、この段差部14aに凝集粒が集まるようにする。これにより、セル毎に分離した記録層18を形成することができる。このような方法を用いることによって、通常のフォトリソグラフィ技術の限界を超えた微細かつ高い結晶性を有するMTJ素子MTJを、ビット毎に形成したい領域に制御性よく形成することができる。このため、より安定して低電流書き込み動作が可能なMRAMセル用のMTJ素子MTJを提供することができる。
上記第1の実施形態では、MTJ素子下の段差部が凸型であったのに対し、第2の実施形態では、MTJ素子下の段差部を凹型にする。尚、第2の実施形態において、第1の実施形態と同様の点については、説明を省略する。
図7(a)及び(b)は、本発明の第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの断面図及び平面図を示す。以下に、第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの構造について説明する。
図8(a)及び(b)乃至図11(a)及び(b)は、本発明の第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造工程の断面図及び平面図を示す。以下に、第2の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造方法について説明する。
上記第2の実施形態によれば、MTJ素子MTJの下地に凹型の段差部14bを設けることで、記録層18を凝集した際に、この段差部14bに凝集粒が集まるようにする。これにより、第1の実施形態と同様の効果を得ることができる。
第3の実施形態は、上記第1の実施形態と同様、凸型の段差部を形成する。但し、第3の実施形態は、上記第1の実施形態よりも、記録層に対してコンタクトプラグを大きくすることで、段差部を大きくする。尚、第3の実施形態において、第1の実施形態と同様の点については、説明を省略する。
図13(a)及び(b)は、本発明の第3の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの断面図及び平面図を示す。以下に、第3の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの構造について説明する。
図14(a)及び(b)乃至図17(a)及び(b)は、本発明の第3の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造工程の断面図及び平面図を示す。以下に、第3の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造方法について説明する。
上記第3の実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果を得ることができるだけでなく、第1の実施形態よりも大きな段差部14aを形成することで、さらに制御性よく記録層18の凝集粒を形成できる。このため、プロセスの安定性が増し、歩留まりが向上し、コスト低減が可能となる。
第4の実施形態は、上記第2の実施形態と同様、凹型の段差部を形成する。但し、第4の実施形態は、上記第2の実施形態よりも、記録層に対してコンタクトプラグを大きくすることで、段差部を大きくする。尚、第4の実施形態において、第1及び第2の実施形態と同様の点については、説明を省略する。
図19(a)及び(b)は、本発明の第4の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの断面図及び平面図を示す。以下に、第4の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの構造について説明する。
図20(a)及び(b)乃至図23(a)及び(b)は、本発明の第4の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造工程の断面図及び平面図を示す。以下に、第4の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造方法について説明する。
上記第4の実施形態によれば、第2の実施形態と同様の効果を得ることができるだけでなく、第2の実施形態よりも大きな段差部14aを形成することで、さらに制御性よく記録層18の凝集粒を形成できる。このため、プロセスの安定性が増し、歩留まりが向上し、コスト低減が可能となる。
上記第1乃至第4の実施形態では、固定層が記録層より下に形成されたボトムピン構造であったのに対し、第5の実施形態では、固定層が記録層より上に形成されたトップピン構造を採用する。尚、第5の実施形態は、第3の実施形態と同様、凸型の突出部であって、コンタクトプラグが記録層よりも大きな例であるが、第1、第2の実施形態にも変更可能である。ここでは、上記各実施形態と同様の点については、説明を省略する。
図25は、本発明の第5の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの断面図を示す。以下に、第5の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリについて説明する。
図26乃至図29は、本発明の第5の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造工程の断面図を示す。以下に、第5の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造方法について説明する。
上記第5の実施形態によれば、上記第1及び第3の実施形態と同様の効果を得ることができる。
上記第5の実施形態では、MTJ素子下の段差部が凸型であったのに対し、第6の実施形態では、MTJ素子下の段差部を凹型にする。尚、第6の実施形態において、第5の実施形態と同様の点については、説明を省略する。
図30は、本発明の第6の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの断面図を示す。以下に、第6の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリについて説明する。
図31乃至図34は、本発明の第6の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造工程の断面図を示す。以下に、第6の実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリの製造方法について説明する。
上記第6の実施形態によれば、MTJ素子MTJの下地に凹型の段差部14bを設けることで、記録層18を凝集した際に、この段差部14bに凝集粒が集まるようにする。これにより、第5の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図35を用いて、本発明の各実施形態に係る磁気ランダムアクセスメモリのメモリセルの構造について説明する。
上記各実施形態に係るMTJ素子は、以下のような材料で構成される。
面内磁化型の1重トンネル接合構造又は2重トンネル接合構造のMTJ素子は、例えば以下の材料を用いて形成される。
トンネル絶縁膜17に関しては、面内磁化型磁気トンネル接合と同じである。
「Fe(鉄)、Co(コバルト)、Ni(ニッケル)のうちの少なくとも1つと、Cr(クロム)、Pt(白金)、Pd(パラジウム)のうちの少なくとも1つとを含む合金からなるもの」
規則合金としては、Fe(50)Pt(50)、Fe(50)Pd(50)、Co(50)Pt(50)などがある。不規則合金としては、CoCr合金、CoPt合金、CoCrPt合金、CoCrPtTa合金、CoCrNb合金などがある。
「Fe、Co、Niのうちの少なくとも1つ又はこれらのうちの1つを含む合金と、Pd、Ptのうちの1つ又はこれらのうちの1つを含む合金とが、交互に積層された構造を持つもの」
例えば、Co/Pt人工格子、Co/Pd人工格子、CoCr/Pt人工格子などがある。Co/Pt人工格子を使用した場合及びCo/Pd人工格子を使用した場合においては、抵抗変化率(MR比)は、約40%、という大きな値を実現できる。
「希土類金属のうちの少なくとも1つ、例えば、Tb(テルビウム)、Dy(ジスプロシウム)、又は、Gd(ガドリニウム)と、遷移金属のうちの少なくとも1つとからなるアモルファス合金」
例えば、TbFe、TbCo、TbFeCo、DyTbFeCo、GdTbCoなどがある。
「Fe、Co、Niのうちの少なくとも1つと、Cr、Pt、Pdのうちの少なくとも1つとを含む合金に、不純物を添加したもの」
規則合金としては、Fe(50)Pt(50)、Fe(50)Pd(50)、又は、Co(50)Pt(50)に、Cu、Cr、Agなどの不純物を加えて磁気異方性エネルギー密度を低下させたものなどがある。不規則合金としては、CoCr合金、CoPt合金、CoCrPt合金、CoCrPtTa合金、又は、CoCrNb合金について、非磁性元素の割合を増加させて磁気異方性エネルギー密度を低下させたものなどがある。
「Fe、Co、Niのうちの少なくとも1つ又はこれらのうちの1つを含む合金と、Pd、Ptのうちの1つ又はこれらのうちの1つを含む合金とが、交互に積層された構造を持つものであって、前者の元素若しくは合金からなる層の厚さ、又は、後者の元素若しくは合金からなる層の厚さを調整したもの」
Fe、Co、Niのうちの少なくとも1つ又はこれらのうちの1つを含む合金についての厚さの最適値と、Pd、Ptのうちの1つ又はこれらのうちの1つを含む合金についての厚さの最適値とが存在し、厚さがこれら最適値から離れるに従い、磁気異方性エネルギー密度は、次第に低下する。
「希土類金属のうちの少なくとも1つ、例えば、Tb(テルビウム)、Dy(ジスプロシウム)、又は、Gd(ガドリニウム)と、遷移金属のうちの少なくとも1つとからなるアモルファス合金の組成比を調整したもの」
例えば、TbFe、TbCo、TbFeCo、DyTbFeCo、GdTbCoなどのアモルファス合金の組成比を調整し、磁気異方性エネルギー密度を小さくしたものがある。
図36(a)及び(b)、図37(a)及び(b)を用いて、本実施形態に係るスピン注入による磁化反転の原理について説明する。
図38(a)及び(b)、図39(a)及び(b)を用いて、本実施形態に係るMTJ素子のTMR効果の概念を説明する。
Pα=(Dα↑(Ef))−Dα↓(Ef))/(Dα↑(Ef))+Dα↓(Ef))
α=1,2
ここで、Pはスピン分極率と呼ばれる量であり、電極のフェルミレベルEfにおけるマジョリティ−スピンバンドの状態密度D↑(Ef)とマイノリティ−スピンバンドの状態密度D↓(Ef)によって定義される。
Claims (5)
- 半導体基板上に形成され、段差部を有する層間絶縁膜と、
前記段差部を含む前記層間絶縁膜上に形成された下部電極層と、
前記下部電極層上に形成された固定層と、
前記固定層上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の一部上に形成された記録層と、
前記記録層を覆い、前記第1の絶縁膜に接する第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上に形成された導電層と、
前記導電層に接続された配線と
を具備することを特徴とする抵抗変化メモリ。 - 前記記録層と前記固定層との間に形成された前記第1の絶縁膜の厚さは、前記導電層と前記固定層との間に形成された前記第1及び第2の絶縁膜の合計の厚さより薄いことを特徴とする請求項1に記載の抵抗変化メモリ。
- 半導体基板上に形成され、段差部を有する層間絶縁膜と、
前記段差部を含む前記層間絶縁膜上に形成された下部電極層と、
前記下部電極層上に形成された固定層と、
前記固定層上に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜の一部上に形成された記録層と、
前記記録層を覆い、前記第1の絶縁膜に接する第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜の側面上に形成された第3の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜を介して前記記録層に接続された配線と
を具備することを特徴とする抵抗変化メモリ。 - 半導体基板上に段差部を有する第1の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記段差部上に下部電極層を形成する工程と、
前記下部電極層上に固定層、第1の絶縁膜及び記録層を順に積層する工程と、
熱処理により前記段差部に前記記録層を凝集させる工程と、
前記記録層及び前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜及び導電層を順に積層する工程と、
前記第2の絶縁膜及び前記導電層を前記段差部に残るように加工する工程と、
前記第1の絶縁膜、前記固定層及び前記下部電極層を前記段差部に残るように加工し、抵抗変化素子を形成する工程と、
前記抵抗変化素子を覆う第2の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の層間絶縁膜を平坦化し、前記導電層を露出させる工程と、
前記導電層の露出した上面上に配線を形成する工程と
を具備することを特徴とする抵抗変化メモリの製造方法。 - 半導体基板上に段差部を有する第1の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記段差部上に下部電極層を形成する工程と、
前記下部電極層上に固定層、第1の絶縁膜及び記録層を順に積層する工程と、
熱処理により前記段差部に前記記録層を凝集させる工程と、
前記記録層及び前記第1の絶縁膜上に第2及び第3の絶縁膜を順に積層する工程と、
前記第2及び第3の絶縁膜を前記段差部に残るように加工する工程と、
前記第1の絶縁膜、前記固定層及び前記下部電極層を前記段差部に残るように加工し、抵抗変化素子を形成する工程と、
前記抵抗変化素子を覆う第2の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の層間絶縁膜を平坦化し、前記第2の絶縁膜又は前記記録層を露出させる工程と、
前記第2の絶縁膜又は前記記録層の露出した上面上に配線を形成する工程と
を具備することを特徴とする抵抗変化メモリの製造方法。
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