JP6518330B2 - 配列基板及びその配列基板の断線補修方法 - Google Patents

Description

本発明は、ディスプレイ技術に関し、特に、配列基板及び配列基板の断線補修方法に関する。

ディスプレイ技術の発展に伴い、液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）などの平面ディスプレイ装置は、高画質かつ省電力であり、機械の本体が薄く、活用範囲が広いなどの優れた点を備えているため、テレビ、個人向けの情報端末（ＰＤＡ）、デジタルカメラ、ノートパソコン、デスクトップコンピューターなどの各種家電製品に広く活用されており、ディスプレイ装置において主流となっている。

現在市場に出回っている液晶ディスプレイの大部分は、バックライト形式の液晶ディスプレイであり、ケースと、ケース内に設けられた液晶ディスプレイパネルと、ケース内に設けられたバックライトモジュールと、からなっている。液晶ディスプレイパネルは液晶ディスプレイの主要な部品であるが、液晶ディスプレイパネルそのものが光を発するわけではなく、正しく映像を映し出すためには、バックライトモジュールの光源が必要である。

通常、液晶ディスプレイパネルは二枚のガラス基板を貼り合わせてなり、さらに二枚のガラス基板の間には、液晶が注入されている。二枚のガラス基板それぞれの向かい合う内側には、画素電極と共通電極線が設けられ、通電の有無により液晶分子の方向を変え、バックライトモジュールの光線が屈折して出てくることで画面となる。

液晶パネルにおいて、液晶の画素電極電圧は主に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）スイッチを通して制御されている。ＴＦＴのスイッチ部品の中で、とりわけ超高解像度の液晶パネルは、映像信号のデータ線の線幅を狭くするが、製造加工の過程において断線が発生しやすく、レーザー光を用いて断線を補修することが必要である。広視野角な液晶パネルの技術上、口径比及び液晶の反応速度を高めるためには、通常は液晶パネルの配列基板上に色レジスト層または平坦層などの有機層を作り出す。データ線が断線の異常を起こすと、有機層の厚さが厚く、直接断線補修を行うことができないため、まずある種のレーザーを用いて有機層を取り除く作業が必要であり、そののち溶接して線をつなげる作業が必要である。それゆえ、レーザーを消耗し、時間の無駄であり、レーザーを用いて接触面の凸凹を取り除くと、接触不良を招きやすく、製品の歩留まり率にも直接影響するのである。

本発明は、ソースドレイン電極データ線と共通電極線の交差する箇所で対応する有機層に通し穴を設けることにより、前記第二不動態化層において通り穴に堆積している箇所に開口部を形成し、断線補修時のレーザー熔接点とすることができる配列基板を提供することを目的とする。

また、本発明は、有機層を取り除く工程を減らすことができ、断線補修の効率を上げることができ、レーザーの消耗量を減らすことができ、かつレーザー熔接時に、接触する界面が平坦であるため、効果的に断線補修の成功率を高めることができる配列基板の断線補修方法を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するため、本発明による配列基板は、基板と、基板に設けられたゲート電極走査線及び共通電極線と、前記ゲート電極走査線及び共通電極線に設けられたゲート電極絶縁層と、前記ゲート電極絶縁層に設けられたソースドレイン電極データ線と、前記ソースドレイン電極データ線に設けられた第一不動態化層と、前記第一不動態化層に設けられた有機層と、前記有機層と第一不動態化層に設けられた第二不動態化層と、からなる。

前記共通電極線は複数個のクローズドループと複数本の連結回路からなり、前記複数個のクローズドループは複数本の連結回路で連結され、前記クローズドループとソースドレイン電極データ線は交差して設けられ、前記有機層の対応する交差点ごとに一つずつ通り穴が設けられ、第二不動態化層の通り穴に堆積している箇所は開口部を形成し、前記開口部はソースドレイン電極データ線断線時にレーザーの熔接点として用いる。

前記開口部の大きさは７μｍ×７μｍである。

前記有機層は、色レジスト層または平坦層である。

前記第一不動態化層と及び第二不動態化層は、無機質の材料からなる。

前記有機層の厚さは、前記第一不動態化層及び第二不動態化層の厚さよりも厚い。

また、本発明による配列基板は、基板と、基板に設けられたゲート電極走査線及び共通電極線と、前記ゲート電極走査線及び共通電極線に設けられたゲート電極絶縁層と、前記ゲート電極絶縁層に設けられたソースドレイン電極データ線と、前記ソースドレイン電極データ線に設けられた第一不動態化層と、前記第一不動態化層に設けられた有機層と、前記有機層と第一不動態化層に設けられた第二不動態化層と、からなる。

前記共通電極線は、複数本のクローズドループと複数本の連結回路とからなり、前記複数本のクローズドループは、複数本の連結回路によって連結され、前記クローズドループとソースドレイン電極データ線は交差して設けられ、前記有機層の対応する一つの交差点ごとに一つの通り穴が設けられ、前記第二不動態化層における通り穴に堆積している箇所は開口部を形成し、前記開口部はソースドレイン電極データ線断線時にレーザーの熔接点とする。

そのうち、前記開口部の大きさは７μｍ×７μｍである。

そのうち、前記有機層は、色レジスト層または平坦層である。

また、本発明による配列基板の断線補修方法は、以下の手順からなる。

手順１、基板と、基板に設けたゲート電極走査線及び共通電極線と、前記ゲート電極走査線及び共通電極線に設けたゲート電極絶縁層と、前記ゲート電極絶縁層に設けたソースドレイン電極データ線と、前記ソースドレイン電極データ線に設けた第一不動態化層と、前記第一不動態化層に設けられた有機層と、前記有機層及び第一不動態化層に設けられた第二不動態化層とからなる配列基板を提供する。

前記共通電極線は複数個のクローズドループと複数本の連結回路からなり、前記複数個のクローズドループは、複数本の連結回路によって連結され、前記クローズドループとソースドレイン電極データ線は交差して設けられ、前記有機層の対応する一つの交差点ごとに一つの通り穴を設けられ、前記第二不動態化層における通り穴に堆積している箇所は開口部を形成し、前記開口部はソースドレイン電極データ線が断線した時のレーザーの熔接点とする。

手順２、ソースドレイン電極データ線の断線位置を検出し、断線箇所の両端の開口部にレーザー熔接を行い、ソースドレイン電極データ線と共通電極線のクローズドループを継ぎ合わせる。

手順３、共通電極線のクローズドループ両側の連結回路をレーザーで切断し、共通電極線のクローズドループを利用してソースドレイン電極データ線の断線部分の代わりとして、ソースドレイン電極データ線の断線修復を達成する。

前記手順１において、前記開口部の大きさは７μｍ×７μｍである。

前記手順１において、前記有機層は、色レジスト層または平坦層である。

前記手順１において、前記第一不動態化層と第二不動態化層は、無機材料からなる。

前記手順１において、前記有機層の厚さは、前記第一不動態化層と第二不動態化層の厚さより厚い。

本発明の効果：本発明の配列基板及び配列基板の断線補修方法は、ソースドレイン電極データ線と共通電極線の交差点で対応する有機層に一つの通り穴を開け、前記第二不動態化層における通り穴に堆積している箇所は開口部を形成し、断線補修時のレーザーの熔接点とし、前記ソースドレイン電極データ線の断線箇所を検出してから、ソースドレイン電極データ線断線箇所の両側の開口部でレーザー熔接を行うことで、ソースドレイン電極データ線と共通電極線のクローズドループを継ぎ合わせ、同時に共通電極線のクローズドループの両側の連結回路をレーザーで切断し、共通電極線のクローズドループを用いてソースドレイン電極データ線の断線部分を修復することができる。前記開口部ソースドレイン電極データ線上方には大きな有機層を設けていないので、断線補修時、レーザーで有機層を取り除く工程を減らし、現存の工程中のレーザーの消耗、時間の無駄、レーザーを用いて有機層を除いた後の接触部の凸凹や、接触不良を招きやすいこと、それによる製品の歩留まり率に直接与える影響などの問題を解決し、有効的に断線補修の効率と成功率を高めることができる。

さらに詳しく本発明の特徴及び技術内容が理解できるように、以下の本発明に関する詳しい説明図を参照。しかし図は参考及び説明用として提供するに過ぎず、決して本発明の請求範囲を限定するものではない。

以下の図において、本発明の具体的な実施方式について詳しく説明することで、本発明の技術考案及びその他有用な効果をはっきりと示す。

本発明の配列基板を示した概略図である。 図１に示した配列基板開口部５のＡ−Ａ線における断面図である。 本発明の配列基板の断線補修方法を示した概略図である。 本発明の配列基板の断線補修方法手順２の断面概略図である。

本発明が採用している技術手段及びその効果について、以下では、最適な実施例と図を示して、本発明についてさらに詳しく説明する。

図１と図２を参照する。本発明による配列基板は、基板１０と、基板１０に設けられたゲート電極走査線４及び共通電極線２と、前記ゲート電極走査線４及び共通電極線２に設けられたゲート電極絶縁層７と、前記ゲート電極絶縁層７に設けられたソースドレイン電極データ線１と、前記ソースドレイン電極データ線１に設けられた第一不動態化層８と、前記第一不動態化層８に設けられた有機層６と、前記有機層６及び第一不動態化層８に設けられた第二不動態化層９と、からなる。

具体的には、前記共通電極線２は複数個のクローズドループ２１と複数本の連結回路２２とからなり、前記複数個のクローズドループ２１は複数本の連結回路２２によって連結され、前記クローズドループ２１とソースドレイン電極データ線１は交差して設けられ、前記有機層６の対応する交差点ごとに一つずつ通り穴が設けられ、前記第二不動態化層９における前記通り穴に堆積している箇所は開口部５を形成し、前記開口部５をソースドレイン電極データ線１の断線時にレーザーの熔接点とし、連結ソースドレイン電極データ線１と共通電極線２のクローズドループ２１を接合させる。

前記開口部５の最適な大きさは７μｍ×７μｍである。

具体的には、前記有機層６は、色レジスト層、または平坦層であり、前記第一不動態化層８及び第二不動態化層９は無機材料からなり、前記有機層６の厚さは前記第一不動態化層８及び第二不動態化層９の厚さより厚い。

ソースドレイン電極データ線１と共通電極線２との交差点で対応する有機層６に一つの通り穴を開け、前記第二不動態化層９における前記通り穴に堆積している箇所は開口部５を形成し、断線補修時のレーザー熔接点とし、開口部５の箇所、前記ソースドレイン電極データ線１の上方には厚さの厚い有機層６が設けられていないため、断線補修の作業時、レーザーで有機層６を取り除く工程を減らすことができ、既存の工程中に見られる、レーザーの消耗、時間の無駄、レーザーを用いて有機層６の接着面の凸凹を除くと発生しやすい接触不良や、それに伴う製品の歩留まり率にも直接影響する問題をも解決することができ、断線補修の効率及び成功率を効果的に高めることができる。

図３、図４を参照する。本発明は以下の手順からなる配列基板の断線補修方法を提供する。

手順１、配列基板を提供する。前記配列基板は基板１０と、基板１０に設けたゲート電極走査線４及び共通電極線２と、前記ゲート電極走査線４及び共通電極線２に設けたゲート電極絶縁層７と、前記ゲート電極絶縁層７に設けたソースドレイン電極データ線１と、前記ソースドレイン電極データ線１に設けた第一不動態化層８と、前記第一不動態化層８に設けた有機層６と、前記有機層６及び第一不動態化層８に設けた第二不動態化層９と、からなる。

具体的には、前記共通電極線２は複数個のクローズドループ２１及び複数本の連結回路２２とからなり、前記複数個のクローズドループ２１は複数本の連結回路２２によって連結され、前記クローズドループ２１とソースドレイン電極データ線１は交差して設けられ、前記有機層６に対応する交差点ごとに一つの通り穴が設けられ、第二不動態化層９における前記通り穴に堆積している箇所は開口部５を形成し、前記開口部５は、ソースドレイン電極データ線１の断線時にレーザーの熔接点とし、ソースドレイン電極データ線１と共通電極線２を接合させる。

前記開口部５の適切な大きさは７μｍ×７μｍである。

具体的には、前記有機層６は色レジスト層または平坦層であり、前記第一不動態化層８及び第二不動態化層９は無機材料からなり、前記有機層６の厚さは、前記第一不動態化層８と第二不動態化層９の厚さより厚い。

手順２、ソースドレイン電極データ線１の断線位置を検出し、断線箇所の両端の開口部５においてレーザー熔接を行い、ソースドレイン電極データ線１と共通電極線２のクローズドループ２１を継ぎ合わせて、断線したソースドレイン電極データ線を修復することにより連続したソースドレイン電極データ線とする。

手順３、共通電極線２のクローズドループ２１両側の連結回路２２をレーザーで切断するが、切断位置は図３が示す位置２０であり、共通電極線２のクローズドループ２１を使ってソースドレイン電極データ線１の断線部分１１の代わりとし、ソースドレイン電極データ線１の断線修復を可能とし、ソースドレイン電極データ線の断線していない部分及びクローズドループ２１が形成する新しいソースドレイン電極データ線を通してデータ信号が伝送され、さらにクローズドループ２１両側の連結回路２２を切断することによって、修復後の新しいソースドレイン電極データ線の信号伝送経路と設計経路が同じであることが保証されるため、その他の信号に干渉することがない。

前記配列基板の断線補修方法はＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ、インプレイン・スイッチング型）方式、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ， フリンジ・フィールド・スィッチング）方式、及びＣＯＡ（Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ Ｏｎ Ａｒｒａｙ、カラーフィルター・オン・アレイ）方式の液晶パネルの断線補修において用いることができる。

本発明の配列基板の断線補修方法は、ソースドレイン電極データ線１断線箇所の両側の開口部５でレーザー熔接を行い、ソースドレイン電極データ線１と共通電極線２のクローズドループ２１を継ぎ合わせ、同時に共通電極線２のクローズドループ２１両側の連結回路２２をレーザーで切断し、共通電極線２のクローズドループ２１を用いてソースドレイン電極データ線１断線部分を修復することにより行う。前記開口部５にあるソースドレイン電極データ線１上方には大きな有機層６を設けていないので、断線補修を行うとき、レーザーで有機層６を取り除く工程を減らすことができ、既存の工程中の、レーザーの消耗、時間の無駄、レーザーを用いて有機層６の接着面の凸凹を除くと発生しやすい接触不良や、それに伴う製品の歩留まり率にも直接影響する問題をも解決し、有効的に断線補修の効率及び成功率を高めることができる。

以上前記は、本領域の一般的な技術者にとって、本発明の技術考案と技術構想に基づいてその他各種適切な変更と修正が可能なものであり、これらすべての変更と修正はすべて本発明の権利請求の保護範囲内に含まれる。

１ ソースドレイン電極データ線
２ 共通電極線
４ ゲート電極走査線
５ 開口部
６ 有機層
７ ゲート電極絶縁層
８ 第一不動態化層
９ 第二不動態化層
１０ 基板
１１ 断線部分
２０ 切断箇所
２１ クローズドループ
２２ 連結回路

Claims (5)

1. 配列基板の断線補修方法であって、
   前記配列基板は、
   基板１０と、
   前記基板１０上において、第１方向に延在し、かつ、前記第１方向に直交する第２方向に間隔をあけて複数本設けられたゲート電極走査線４と、
   前記基板１０上に設けられた共通電極線２と、
   前記ゲート電極走査線４と前記共通電極線2との上に設けられたゲート電極絶縁層７と、
   前記ゲート電極絶縁層７上に設けられ、前記第２方向に延在し、かつ、前記第１方向に間隔をあけて複数本設けられたソースドレイン電極データ線１と、
   前記ソースドレイン電極データ線１の上に設けられた第一不動態化層８と、
   前記第一不動態化層８に設けられた有機層６と、
   前記第一不動態化層８と前記有機層６との上に設けられた第二不動態化層9と、からなり、
   前記共通電極線２は、
   複数個のクローズドループ２１と、
   複数本の連結回路２２と、からなり、
   各前記クローズドループ２１は、隣り合う二本の前記ゲート電極走査線４の間にあって、かつ、前記ゲート電極絶縁層7を間にして前記ソースドレイン電極データ線１の直下にあり、
   各前記クローズドループ２１は、閉じた矩形状のループ配線であって、
   各前記クローズドループ２１は、
   前記第１方向に平行であって前記第２方向に互いに離間した第１辺配線および第２辺配線と、
   前記第２方向に平行であって前記第１方向に互いに離間し、前記第１辺配線の端点と前記第２辺配線の端点とを繋ぐ第３辺配線および第４辺配線と、を有し、
   平面視したときに、前記第１辺配線および前記第２辺配線は前記ソースドレイン電極データ線１に重なり、かつ、前記第３辺配線と前記第４辺配線とは前記ソースドレイン電極データ線１を間にして反対側にあり、
   各前記連結回路22は、前記第１方向に平行な配線であり、かつ、隣り合う二本の前記ゲート電極走査線４の間にあって、互いに隣り合う二つの前記クローズドループ21同士を連結しており、
   前記有機層６は、平面視したときに前記クローズドループ２１と前記ソースドレイン電極データ線１とが交差する点の直上に対応する位置ごとに一つの通り穴５を有し、
   前記通り穴５の部分において前記有機層を介さずに前記ソースドレイン電極データ線１の直上に前記第一不動態化層8と前記第二不動態化層9とが堆積していて、この箇所を開口部５とし、
   当該配列基板の断線補修方法は、
   前記ソースドレイン電極データ線1の断線位置を検出し、
   平面視したときに前記断線位置を内側に含む前記クローズドループ21を特定し、当該クローズドループ21の前記第１辺配線と前記第２辺配線とを特定するとともに当該第１辺配線および当該第２辺配線の直上にある前記開口部5にレーザー熔接を行って前記ソースドレイン電極データ線1と当該クローズドループ21を継ぎ合わせ、さらに、当該クローズドループ21の両側にある前記連結回路22をレーザーで切断し、当該クローズドループ21を用いて前記ソースドレイン電極データ線1の断線位置をバイパスし、
   前記ソースドレイン電極データ線1の断線修復を達成する
   ことを特徴とする配列基板の断線補修方法。
2. 請求項１に記載の配列基板の断線補修方法において、
   前記開口部の大きさは７μｍ×７μｍである
   ことを特徴とする配列基板の断線補修方法。
3. 請求項１に記載の配列基板の断線補修方法において、
   前記有機層は色レジスト層または平坦層である
   ことを特徴とする配列基板の断線補修方法。
4. 請求項１に記載の配列基板の断線補修方法において、
   前記第一不動態化層と前記第二不動態化層は無機材料からなる
   ことを特徴とする配列基板の断線補修方法。
5. 請求項１に記載の配列基板の断線補修方法において、
   前記有機層の厚さは前記第一不動態化層と前記第二不動態化層の厚さより厚い
   ことを特徴とする配列基板の断線補修方法。