WO2016119303A1 - 阵列基板及该阵列基板的断线修补方法 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板及该阵列基板的断线修补方法，通过在源漏极数据线(1)与共用电极线(2)交叉点处对应的有机层(6)上预留一通孔，第二钝化层(9)沉积于该通孔处形成开口，作为断线修补时的镭射熔接点，当检测到所述源漏极数据线(1)的断线位置后，通过在源漏极数据线(1)断线处两端的开口处进行镭射熔接，将源漏极数据线(1)和共用电极线(2)的封闭环搭接，同时将共用电极线(2)上封闭环两侧的连接线路用镭射进行切断，利用共用电极线(2)的封闭环修复源漏极数据线(1)的断线部分；由于所述开口处源漏极数据线(1)上方未设置厚度较大的有机层，从而在进行断线修补时，减少了镭射去除有机层的工序，有效地提高断线修补的效率及成功率。

Description

阵列基板及该阵列基板的断线修补方法 技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及该阵列基板的断线修补方法。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组。液晶显示面板是液晶显示器的主要组件，但液晶显示面板本身不发光，需要借由背光模组提供的光源来正常显示影像。
通常液晶显示面板由两片玻璃基板贴合而成，且在两片玻璃基板之间灌入液晶，分别在两片玻璃基板的相对内侧设置像素电极、共用电极线，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
在液晶面板中，液晶的像素电极电压主要是通过薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)开关进行控制的。在TFT开关组件中，尤其是超高分辨率的液晶面板，提供图像信号的数据线线宽很窄，在制造工艺过程中容易发生断线，需要采用激光进行断线修补动作。在广视角的液晶面板技术上，为了提高开开口率及液晶的响应速度，通常会在液晶面板的阵列基板上制作有机层如色阻层或平坦层。当数据线产生断线缺陷时，由于有机层的厚度较大，无法直接进行断线修补，需要先用一种镭射进行去除有机层动作，然后再进行熔接补线动作。因此，镭射能量能耗大，耗费时间长，采用镭射去除后接触面凹凸不平，容易导致接触不良，进而直接影响产品的良率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板，通过在位于源漏极数据线与共用电极线交叉点处对应的有机层上预留一通孔，所述第二钝化层沉积于该通孔处形成开口，作为断线修补时的镭射熔接点。
本发明的目的还在于提供一种阵列基板的断线修补方法，能够减少去除有机层的工序，提高断线的修补效率，减少镭射损耗量，且进行镭射熔接时，接触界面平缓，有效地提高断线修补成功率。
为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，包括：基板、设于基板上的栅极扫描线与共用电极线、设于所述栅极扫描线与共用电极线上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的源漏极数据线、设于所述源漏极数据线上的第一钝化层、设于所述第一钝化层上的有机层、及设于所述有机层及第一钝化层上的第二钝化层；
所述共用电极线包括数个封闭环与数条连接线路，所述数个封闭环由数条连接线路连接在一起，所述封闭环与源漏极数据线交叉设置，所述有机层上对应每一交叉点设有一通孔，所述第二钝化层沉积于该通孔处形成开口，所述开口用于在源漏极数据线断线时作为镭射熔接点。
所述开口的大小为7μm×7μm。
所述有机层为色阻层或平坦层。
所述第一钝化层和第二钝化层的材料为无机材料。
所述有机层的厚度大于所述第一钝化层和第二钝化层的厚度。
本发明还提供一种阵列基板，包括：基板、设于基板上的栅极扫描线与共用电极线、设于所述栅极扫描线与共用电极线上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的源漏极数据线、设于所述源漏极数据线上的第一钝化层、设于所述第一钝化层上的有机层、及设于所述有机层及第一钝化层上的第二钝化层；
所述共用电极线包括数个封闭环与数条连接线路，所述数个封闭环由数条连接线路连接在一起，所述封闭环与源漏极数据线交叉设置，所述有机层上对应每一交叉点设有一通孔，所述第二钝化层沉积于该通孔处形成开口，所述开口用于在源漏极数据线断线时作为镭射熔接点；
其中，所述开口的大小为7μm×7μm；
其中，所述有机层为色阻层或平坦层。
本发明还提供一种阵列基板的断线修补方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一阵列基板，所述阵列基板包括：基板、设于基板上的栅极扫描线与共用电极线、设于所述栅极扫描线与共用电极线上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的源漏极数据线、设于所述源漏极数据线上的第一钝化层、设于所述第一钝化层上的有机层、及设于所述有机层及第一钝化层上的第二钝化层；
所述共用电极线包括数个封闭环与数条连接线路，所述数个封闭环由 数条连接线路连接在一起，所述封闭环与源漏极数据线交叉设置，所述有机层上对应每一交叉点设有一通孔，所述第二钝化层沉积于该通孔处形成开口，所述开口用于在源漏极数据线断线时作为镭射熔接点；
步骤2、检测源漏极数据线断线的位置，对断线处两端的开口处进行镭射熔接，将源漏极数据线和共用电极线的封闭环搭接；
步骤3、将共用电极线的封闭环两侧的连接线路用镭射进行切断，利用共用电极线的封闭环取代源漏极数据线的断线部分，实现源漏极数据线的断线修复。
所述步骤1中，所述开口的大小为7μm×7μm。
所述步骤1中，所述有机层为色阻层或平坦层。
所述步骤1中，所述第一钝化层和第二钝化层的材料为无机材料。
所述步骤1中，所述有机层的厚度大于所述第一钝化层和第二钝化层的厚度。
本发明的有益效果：本发明的阵列基板及该阵列基板的断线修补方法，通过在位于源漏极数据线与共用电极线交叉点处对应的有机层上预留一通孔，所述第二钝化层沉积于该通孔处形成开口，作为断线修补时的镭射熔接点，当检测到所述源漏极数据线的断线位置后，通过在源漏极数据线断线处两端的开口处进行镭射熔接，将源漏极数据线和共用电极线的封闭环搭接，同时将共用电极线上封闭环两侧的连接线路用镭射进行切断，利用共用电极线的封闭环修复源漏极数据线的断线部分；由于所述开口处源漏极数据线上方未设置厚度较大的有机层，从而在进行断线修补时，减少了镭射去除有机层的工序，解决了现有制程中镭射能量能耗大，耗费时间长，采用镭射去除有机层后接触面凹凸不平，容易导致接触不良，进而直接影响产品的良率的问题，有效地提高断线修补的效率及成功率。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的阵列基板的的结构示意图；
图2为图1所示的阵列基板开口5处沿A-A线的剖面图；
图3为本发明的阵列基板的断线修补方法的示意图；
图4为本发明的阵列基板的断线修补方法步骤2的剖面示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1、图2，本发明首先提供一种阵列基板，包括：基板10、设于基板10上的栅极扫描线4与共用电极线2、设于所述栅极扫描线4与共用电极线2上的栅极绝缘层7、设于所述栅极绝缘层7上的源漏极数据线1、设于所述源漏极数据线1上的第一钝化层8、设于所述第一钝化层8上的有机层6、及设于所述有机层6及第一钝化层8上的第二钝化层9；
具体的，所述共用电极线2包括数个封闭环21与数条连接线路22，所述数个封闭环21由数条连接线路22连接在一起，所述封闭环21与源漏极数据线1交叉设置，所述有机层6上对应每一交叉点设有一通孔，所述第二钝化层9沉积于该通孔处形成开口5，所述开口5用于在源漏极数据线1断线时作为镭射熔接点，连接源漏极数据线1与共用电极线2的封闭环21。
优选的，所述开口5的大小为7μm×7μm。
具体的，所述有机层6为色阻层或平坦层；所述第一钝化层8和第二钝化层9的材料为无机材料；所述有机层6的厚度大于所述第一钝化层8和第二钝化层9的厚度。
通过在源漏极数据线1与共用电极线2交叉点处对应的有机层6上预留一通孔，所述第二钝化层9沉积于该通孔处形成开口5，作为断线修补时的镭射熔接点，由于在开口5处，所述源漏极数据线1上方未设置厚度较大的有机层6，从而在进行断线修补时，减少了镭射去除有机层6的工序，解决了现有制程中镭射能量能耗大，耗费时间长，采用镭射去除有机层6后接触面凹凸不平，容易导致接触不良，进而直接影响产品的良率的问题，有效地提高断线修补的效率及成功率。
请参阅图3、图4，本发明还提供一种阵列基板的断线修补方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一阵列基板，所述阵列基板包括：基板10、设于基板10上的栅极扫描线4与共用电极线2、设于所述栅极扫描线4与共用电极线2上的栅极绝缘层7、设于所述栅极绝缘层7上的源漏极数据线1、设于所述源漏极数据线1上的第一钝化层8、及设于所述第一钝化层8上的有机层6、设于所述有机层6及第一钝化层8上的第二钝化层9；
具体的，所述共用电极线2包括数个封闭环21与数条连接线路22，所述数个封闭环21由数条连接线路22连接在一起，所述封闭环21与源漏极数据线1交叉设置，所述有机层6上对应每一交叉点设有一通孔，所述第二钝化层9沉积于该通孔处形成开口5，所述开口5用于在源漏极数据线1断线时作为镭射熔接点，连接源漏极数据线1与共用电极线2。
优选的，所述开口5的大小为7μm×7μm。
具体的，所述有机层6为色阻层或平坦层；所述第一钝化层8和第二钝化层9的材料为无机材料；所述有机层6的厚度大于所述第一钝化层8和第二钝化层9的厚度。
步骤2、检测源漏极数据线1断线的位置，对断线处两端的开口5处进行镭射熔接，将源漏极数据线1和共用电极线2的封闭环21搭接，以实现将断线的源漏极数据线修复为连续的源漏极数据线。
步骤3、将共用电极线2的封闭环21两侧的连接线路22用镭射进行切断，切断位置如图3所示的位置20，利用共用电极线2的封闭环21取代源漏极数据线1的断线部分11，实现源漏极数据线1的断线修复，数据信号通过由源漏极数据线的未断线部分及封闭环21组成的新的源漏极数据线传递，且由于切断了封闭环21两侧的连接线路22，保证了修复后新的源漏极数据线的信号传递路径与设计路径相同，不会干扰其他信号。
所述阵列基板的断线修补方法可用于IPS(In-Plane Switching，平面转换)型、FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关技术)型、及COA(Color Filter On Array，色彩滤镜矩阵)型液晶面板的断线修补。
本发明的阵列基板的断线修补方法，通过在源漏极数据线1断线处两端的开口5处进行镭射熔接，将源漏极数据线1和共用电极线2的封闭环21搭接，同时将共用电极线2上封闭环21两侧的连接线路22用镭射进行切断，利用共用电极线2的封闭环21修复源漏极数据线1的断线部分；由于所述开口5处源漏极数据线1上方未设置厚度较大的有机层6，从而在进行断线修补时，减少了镭射去除有机层6的工序，解决了现有制程中镭射能量能耗大，耗费时间长，采用镭射去除有机层6后接触面凹凸不平，容易导致接触不良，进而直接影响产品的良率的问题，有效地提高断线修补的效率及成功率。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (13)

  1. 一种阵列基板，包括：基板、设于基板上的栅极扫描线与共用电极线、设于所述栅极扫描线与共用电极线上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的源漏极数据线、设于所述源漏极数据线上的第一钝化层、设于所述第一钝化层上的有机层、及设于所述有机层及第一钝化层上的第二钝化层；
    所述共用电极线包括数个封闭环与数条连接线路，所述数个封闭环由数条连接线路连接在一起，所述封闭环与源漏极数据线交叉设置，所述有机层上对应每一交叉点设有一通孔，所述第二钝化层沉积于该通孔处形成开口，所述开口用于在源漏极数据线断线时作为镭射熔接点。
  2. 如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述开口的大小为7μm×7μm。
  3. 如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述有机层为色阻层或平坦层。
  4. 如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一钝化层和第二钝化层的材料为无机材料。
  5. 如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述有机层的厚度大于所述第一钝化层和第二钝化层的厚度。
  6. 一种阵列基板，包括：基板、设于基板上的栅极扫描线与共用电极线、设于所述栅极扫描线与共用电极线上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的源漏极数据线、设于所述源漏极数据线上的第一钝化层、设于所述第一钝化层上的有机层、及设于所述有机层及第一钝化层上的第二钝化层；
    所述共用电极线包括数个封闭环与数条连接线路，所述数个封闭环由数条连接线路连接在一起，所述封闭环与源漏极数据线交叉设置，所述有机层上对应每一交叉点设有一通孔，所述第二钝化层沉积于该通孔处形成开口，所述开口用于在源漏极数据线断线时作为镭射熔接点；
    其中，所述开口的大小为7μm×7μm；
    其中，所述有机层为色阻层或平坦层。
  7. 如权利要求6所述的阵列基板，其中，所述第一钝化层和第二钝化层的材料为无机材料。
  8. 如权利要求6所述的阵列基板，其中，所述有机层的厚度大于所述 第一钝化层和第二钝化层的厚度。
  9. 一种阵列基板的断线修补方法，包括如下步骤：
    步骤1、提供一阵列基板，所述阵列基板包括：基板、设于基板上的栅极扫描线与共用电极线、设于所述栅极扫描线与共用电极线上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的源漏极数据线、设于所述源漏极数据线上的第一钝化层、设于所述第一钝化层上的有机层、及设于所述有机层及第一钝化层上的第二钝化层；
    所述共用电极线包括数个封闭环与数条连接线路，所述数个封闭环由数条连接线路连接在一起，所述封闭环与源漏极数据线交叉设置，所述有机层上对应每一交叉点设有一通孔，所述第二钝化层沉积于该通孔处形成开口，所述开口用于在源漏极数据线断线时作为镭射熔接点；
    步骤2、检测源漏极数据线断线的位置，对断线处两端的开口处进行镭射熔接，将源漏极数据线和共用电极线的封闭环搭接；
    步骤3、将共用电极线的封闭环两侧的连接线路用镭射进行切断，利用共用电极线的封闭环取代源漏极数据线的断线部分，实现源漏极数据线的断线修复。
  10. 如权利要求9所述的阵列基板的断线修补方法，其中，所述步骤1中，所述开口的大小为7μm×7μm。
  11. 如权利要求9所述的阵列基板的断线修补方法，其中，所述步骤1中，所述有机层为色阻层或平坦层。
  12. 如权利要求9所述的阵列基板的断线修补方法，其中，所述步骤1中，所述第一钝化层和第二钝化层的材料为无机材料。
  13. 如权利要求9所述的阵列基板的断线修补方法，其中，所述步骤1中，所述有机层的厚度大于所述第一钝化层和第二钝化层的厚度。
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