KR20040035181A

KR20040035181A - 액정표시소자 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20040035181A
Application number: KR1020020063933A
Authority: KR
Inventors: 윤주연; 윤원균
Original assignee: 엘지.필립스 엘시디 주식회사
Priority date: 2002-10-18
Filing date: 2002-10-18
Publication date: 2004-04-29
Also published as: KR100885844B1

Abstract

본 발명에서는 액정표시소자의 패드 위에 형성되는 금속층을 이방성 도전필름으로 형성한다. 패드 위에 적층되는 보호층은 유기보호층으로서, 이방성 도전필름을 접촉한 상태에서 고온으로 압력을 가함에 따라 용융되며, 이와 동시에 이방성 도전필름이 패드에 부착되어 패드의 산화를 방지하기 위한 금속층이 형성된다. 이와 같이 유기보호층과 이방성 도전필름을 사용함에 따라 사용되는 마스크의 숫자를 감소시킬 수 있게 되며, 그 결과 단순화된 제조공정이 가능하게 된다.

Description

액정표시소자 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF}

본 발명은 액정표시소자에 관한 것으로, 특히 보호막을 유기물질로 형성하며 이방성 도전필름을 패드 위의 유기 보호막에 접촉한 후 고온으로 압력을 가하여 상기 패드 위에 금속층을 형성함으로써 제조공정을 단순화할 수 있는 액정표시소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.

근래, 핸드폰(Mobile Phone), PDA, 노트북컴퓨터와 같은 각종 휴대용 전자기기가 발전함에 따라 이에 적용할 수 있는 경박단소용의 평판표시장치(Flat Panel Display Device)에 대한 요구가 점차 증대되고 있다. 이러한 평판표시장치로는 LCD(Liquid Crystal Display), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display), VFD(Vacuum Fluorescent Display) 등이 활발히 연구되고 있지만, 양산화 기술, 구동수단의 용이성, 고화질의 구현이라는 이유로 인해 현재에는 액정표시소자(LCD)가 각광을 받고 있다.

이러한 액정표시소자는 액정분자의 배열에 따라 다양한 표시모드가 존재하지만, 현재에는 흑백표시가 용이하고 응답속도가 빠르며 구동전압이 낮다는 장점때문에 주로 TN모드의 액정표시소자가 사용되고 있다. 이러한 TN모드 액정표시소자에서는 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직으로 배향된다. 따라서, 액정분자의 굴절율 이방성(refractive anisotropy)에 의해 전압의인가시 시야각이 좁아진다는 문제가 있었다.

이러한 시야각문제를 해결하기 위해, 근래 광시야각특성(wide viewing angle characteristic)을 갖는 각종 모드의 액정표시소자가 제안되고 있지만, 그중에서도 횡전계모드(In Plane Switching Mode)의 액정표시소자가 실제 양산에 적용되어 생산되고 있다. 상기 IPS모드 액정표시소자는 화소내에 평행으로 배열된 적어도 한쌍의 전극을 형성하여 기판과 실질적으로 평행한 횡전계를 형성함으로써 액정분자를 평면상으로 배향시키는 것이다.

도 1에 종래 IPS모드 액정표시소자의 구조가 도시되어 있다. 도면에 도시된 바와 같이, 액정패널(1)의 화소는 종횡으로 배치된 게이트라인(3) 및 데이터라인(4)에 의해 정의된다. 도면에는 비록 (n,m)번째의 화소만을 도시하고 있지만 실제의 액정패널(1)에는 상기한 게이트라인(3)과 데이터라인(4)이 각각 n개 및 m개 배치되어 액정패널(1) 전체에 걸쳐서 n×m개의 화소를 형성한다. 상기 화소내의 게이트라인(3)과 데이터트라인(4)의 교차영역에는 박막트랜지스터(10)가 형성되어 있다. 상기 박막트랜지스터(10)는 게이트라인(3)으로부터 주사신호가 인가되는 게이트전극(11)과, 상기 게이트전극(11) 위에 형성되어 주사신호가 인가됨에 따라 활성화되어 채널층을 형성하는 반도체층(12)과, 상기 반도체층(12) 위에 형성되어 데이터라인(4)을 통해 화상신호가 인가되는 소스전극(13) 및 드레인전극(14)으로 구성되어 외부로부터 입력되는 화상신호를 액정층에 인가한다.

화소내에는 데이터라인(4)과 실질적으로 평행하게 배열된 복수의 공통전극(5)과 화소전극(7)이 배치되어 있다. 또한, 화소의 중간에는 상기 공통전극(5)과 접속되는 공통라인(16)이 배치되어 있으며, 상기 공통라인(16) 위에는 화소전극(7)과 접속되는 화소전극라인(18)이 배치되어 상기 공통라인(16)과 오버랩되어 있다. 상기 공통라인(16)과 화소전극라인(18)의 오버랩에 의해 횡전계모드 액정표시소자에는 축적용량(storage capacitance)이 형성된다.

상기와 같이, 구성된 IPS모드 액정표시소자에서 액정분자는 공통전극(5) 및 화소전극(7)과 실질적으로 평행하게 배향되어 있다. 박막트랜지스터(10)가 작동하여 화소전극(7)에 신호가 인가되면, 공통전극(5)과 화소전극(7) 사이에는 액정패널(1)과 실질적으로 평행한 횡전계가 발생하게 된다. 액정분자는 상기 횡전계를 따라 동일 평면상에서 회전하게 되므로, 액정분자의 굴절율 이방성에 의한 계조반전을 방지할 수 있게 된다.

도 2a는 도 1의 I-I'선 단면도이다. 도 2a에 도시된 바와 같이, 제1기판(20) 위에는 게이트전극(11)이 형성되어 있으며, 상기 제1기판(20) 전체에 걸쳐 게이트절연층(22)이 적층되어 있다. 상기 게이트절연층(22) 위에는 반도체층(12)이 형성되어 있으며, 그 위에 소스전극(13) 및 드레인전극(14)이 형성되어 있다. 또한, 상기 제1기판(20) 전체에 걸쳐 보호층(passivation layer;24)이 형성되어 있다.

또한, 상기 제1기판(20) 위에는 복수의 공통전극(5)이 형성되어 있고 게이트절연층(22) 위에는 화소전극(7)이 형성되어, 상기 공통전극(5)과 화소전극(7) 사이에 횡전계가 발생한다.

제2기판(30)에는 블랙매트릭스(32)와 컬러필터층(34)이 형성되어 있다. 상기 블랙매트릭스(32)는 액정분자가 동작하지 않는 영역으로 광이 누설되는 것을 방지하기 위한 것으로, 도면에 도시한 바와 같이 박막트랜지스터(10) 영역 및 화소와 화소 사이(즉, 게이트라인 및 데이터라인 영역)에 주로 형성된다. 컬러필터층(34)은 R(Red), B(Blue), G(Green)로 구성되어 실제 컬러를 구현하기 위한 것이다.

상기 제1기판(20) 및 제2기판(30) 사이에는 액정층(40)이 형성되어 액정패널(1)이 완성된다.

한편, 도 2b는 횡전계모드 액정표시소자의 패드영역을 나타내는 도면이다. 도면에 도시된 바와 같이, 게이트절연층(22) 위에는 패드(8)가 형성되어 있으며, 상기 패드(8) 위에는 보호층(24)이 형성되어 있다. 상기 보호층(24)은 SiO₂나 SiNx와 같은 무기물질로 이루어져 있는데, 상기 패드(8) 위의 보호층(24)에는 컨택홀(27)이 형성되어 상기 패드(8)가 외부로 오픈된다. 상기 오픈된 패드(8)가 외부의 구동소자에 접속되어 화소에 신호가 인가된다. 보호층(24)의 컨택홀(27)에는 금속층(29)이 형성되어 있다. 패드(8)는 IPS모드 액정표시소자의 제조공정중 외부로 노출되어 공기와의 접촉에 의해 산화되는 것을 방지하기 위한 것으로, ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명한 물질로 이루어진다.

도 3a∼3(d)에 상기와 같은 구조의 IPS모드 액정표시소자의 제조방법이 도시되어 있다. 이때, 설명의 편의를 위해 IPS모드 액정표시소자를 화소영역과 패드영역으로 분할하여 설명한다.

우선, 도 3a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 물질로 이루어진 제1기판(20) 위에 금속을 적층하고 에칭하여 화소영역에 게이트전극(11)과 공통전극(5)을 형성한 후, 제1기판(20) 전체에 걸쳐서 게이트절연층(22)을 적층한다. 이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트절연층(22)의 화소영역에 반도체물질을 적층하고 에칭하여 반도체층(12)을 형성한 후 상기 반도체층(12) 위에 소스전극(13) 및 드레인전극(14)을 형성한다. 또한, 상기 소스전극(13)과 드레인전극(14)의 형성과 동시에, 화소영역에 화소전극(7)을 형성하고 패드영역에 패드(8)를 형성한다.

그후, 도 3(c)에 도시된 바와 같이, 제1기판(20) 전체에 걸쳐서 무기물질로 이루어진 보호막(24)을 형성한 후 패드영역에 형성된 패드(8)위의 보호층(24)에 컨택홀(27)을 형성하여 상기 패드(8)를 오픈한다. 이어서, 상기 보호층(24) 위에 ITO와 같은 투명물질을 적층하고 에칭하여 상기 패드(8) 위의 컨택홀(27)에 금속층(29)을 형성한다.

한편, 제2기판(30)에는 블랙매트릭스(32) 및 컬러필터층(34)을 형성하며, 도 3(d)에 도시된 바와 같이, 상기 제1기판(20) 및 제2기판(30)을 합착하고 그 사이에 액정을 주입하여 액정층(40)을 형성함으로써 IPS모드 액정표시소자를 완성한다.

상기한 IPS모드 액정표시소자 제조방법에서는 게이트전극 및 공통전극 형성용 마스크, 반도체층 형성용 마스크, 소스/드레인전극 및 화소전극 형성용 마스크, 보호층 에칭용 마스크를 사용하며, 패드의 산화방지를 위한 ITO 금속층 형성용 마스크가 필요하게 된다. 이와 같이, 종래 IPS모드 액정표시소자에서는 총 5개의 마스크가 필요하게 되므로, 제조공정이 복잡하게 된다. IPS모드 액정표시소자의 제조공정을 단순화하기 위해, 마스크의 숫자를 감소시키는 연구가 진행되고 있지만 현재까지 마스크의 숫자를 감소시킬 수 있는 효과적인 방법이 제시되지 못하고 있는실정이다.

본 발명은 상기한 점을 감안하여 이루어진 것으로, 보호층을 유기보호층으로 형성하고 유기보호층을 용융해서 도전필름을 패드에 부착하여 패드의 산화방지용 금속층을 형성함으로써 제조공정을 단순화시킬 수 있는 액정표시소자 및 그 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 액정표시소자는 게이트라인 및 데이터라인에 의해 정의되며 박막트랜지스터가 형성되어 화소전극과 공통전극 사이에 전계가 형성되는 복수의 화소로 이루어진 화소영역과, 상기 화소영역 외곽부에 형성되어 외부의 신호를 상기 화소영역에 인가하는 패드를 포함하는 패드영역과, 도전필름으로 이루어지며, 상기 패드 위에 형성되어 패드의 산화를 방지하는 금속층으로 구성된다.

패드영역의 패드 위에는 유기물질로 이루어진 유기보호층이 형성되어 있으며, 도전필름은 내부에 도전볼이 산포된 이방성 도전필름이다. 상기 도전필름을 패드 위의 유기보호층에 접촉한 상태에서 고온의 열을 가하면서 도전필름에 압력을 가하면, 패드 위의 유기 보호층이 융용됨과 동시에 상기 이방성 도전필름이 패드에 부착하여 산화방지용 금속층이 형성되는 것이다.

본 발명의 액정표시소자는 특정 모드나 구조의 액정표시소자에 한정되지 않는다. 예를 들어, IPS모드 액정표시소자나 TN모드 액정표시소자, VA모드 액정표시소자와 같은 다양한 모드의 액정표시소자나 다양한 구조의 액정표시소자에서도 본발명이 적용될 수 있다.

또한, 본 발명의 액정표시소자 제조방법은 화소영역 및 패드영역으로 이루어진 기판을 준비하는 단계와, 상기 기판의 화소영역에 복수의 게이트라인 및 데이터라인을 형성하는 단계와, 상기 화소영역에 복수의 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 패드영역에 패드를 형성하는 단계와, 기판 전체에 걸쳐서 보호층을 형성하는 단계와, 상기 패드 위에 도전필름으로 이루어진 금속층을 형성하는 단계로 구성된다.

도 1은 횡전계모드 액정표시소자의 구조를 나타내는 평면도.

도 2a는 도 1의 I-I'선 단면도.

도 2b는 횡전계모드 액정표시소자의 패드영역의 구조를 나타내는 단면도.

도 3a∼3(d)는 종래 횡전계모드 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 도면.

도 4a∼4(d)는 본 발명에 따른 횡전계모드 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 도면.

도 5a 및 도 5b는 패드영역의 산화방지용 금속층을 형성하는 방법을 나타내는 도면.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

105 : 공통전극 107 : 화소전극

108 : 패드 111 : 게이트전극

112 : 반도체층 113 : 소스전극

114 : 드레인전극 120,130 : 기판

122 : 게이트절연층 124 : 보호층

129 : 산화방지용 금속층 132 : 블랙매트릭스

134 : 컬러필터층 140 : 액정층

본 발명에서는 단순화된 액정표시소자의 방법을 제공한다. 또한, 본 발명에서는 단순화된 방법에 의해 제작된 액정표시소자의 구조를 제공한다. 특히, 본 발명에서는 패드의 산화를 방지하기 위해 형성되는 ITO층을 제거함으로써 마스크의 숫자를 감소시킨다.

패드는 액정패널의 전극과 외부의 구동소자를 연결시킨다. 또한, 상기 패드는 액정패널의 하부기판에 형성되어 액정패널 외부에 위치하게 된다. 따라서, 상기 패드는 패널 내부의 화소와는 달리 외부와 노출되기 때문에, 외부의 공기와 접촉하여 산화된다. 패드가 산화되면 외부의 구동소자와의 접촉이 나빠지게 되며, 그 결과 구동소자의 신호가 패널 내부의 전극으로 인가되지 않게 된다. 따라서, 상기 패드 위에 패드의 산화를 방지하기 위한 금속층이 형성되는데, 본 발명에서는 이러한 금속층을 이방성 도전필름으로 형성함으로써 금속층 형성용 마스크를 사용하지 않게 된다. 이를 위해, 본 발명에서는 보호층을 유기물질로 형성하며, 상기 이방성도전필름을 보호층에 접촉한 후 고온에서 압력을 인가하여 패드 위의 보호층을 제거한 상기 이방성 도전필름을 패드에 부착시킴으로써 금속층을 형성하는 것이다.

상기와 같이, 본 발명의 액정표시소자에서는 금속층 형성용 마스크를 사용하지 않음으로써 사용되는 마스크의 수를 감소시키며, 그 결과 액정표시소자의 제조공정을 단순화시킬 수 있게 되는 것이다.

이러한 본 발명에 따른 액정표시소자의 구조나 제조방법은 특정 구조의 액정표시소자에 한정되지 않는다. 예를 들어, TN(Twisted Nematic)모드 액정표시소자나 IPS모드 액정표시소자, VA(Vertial alignment)모드 액정표시소자와 같은 다양한 구조의 액정표시소자에 적용될 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시소자 및 그 제조방법에 대해 더욱 상세히 설명한다. 이하의 설명에서는 IPS모드 액정표시소자를 본 발명의 한례로서 설명하지만, 이것은 설명의 편의를 위한 것으로 본 발명은 특정 구조의 액정표시소자에 한정되는 것이 아니라 다양한 구조의 액정표시소자에 적용 가능한 것이다.

도 4a∼4(d)는 본 발명에 따른 IPS모드 액정표시소자의 제조방법을 나타내는 도면이다. 이때, 설명의 편의를 위해 도면을 화소영역 및 패드영역으로 분할하여 설명한다.

우선, 도 4a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 제1기판(120)의 화소영역에 Cu, Mo, Ta, Cr, Ti, Al 또는 Al합금과 같은 금속을 증착(evaporation)이나 스퍼터링(sputtering)방법에 의해 적층한 후에천트(etchant)로 에칭하여 게이트전극(111) 및 복수의 공통전극(105)을 형성한다. 이어서, 제1기판(120) 전체에 걸쳐서 절연층(122)을 형성한 후, 화소영역에 a-Si, n⁺a-Si과 같은 반도체물질을 적층하고 에칭하여 반도체층(112)을 형성한다. 이후, 상기 반도체층(112) 위에 Cr, Mo, Cu, Ta, Ti, Al 또는 Al합금 등의 금속을 증착이나 스퍼터링방법에 의해 적층하고 에칭하여 소스전극(113) 및 드레인전극(114)을 형성하여 박막트랜지스터를 형성함과 동시에 화소영역내에 상기 소스전극(113) 및 드레인전극(114)과 동일 금속으로 복수의 화소전극(107)을 형성한다. 이때, 패드영역에 패드(108)를 형성한다.

이어서, 도 4b에 도시된 바와 같이, 상기 제1기판(120)상에 투명한 유기물질로 이루어진 보호층(124)을 적층한다. 상기 유기물질로는 BCB(Benzo Cyclo Butene), 포토아크릴, 폴리이미드, 셀룰로오스, 플라스틱계, 에폭시수지 등을 사용할 수 있다. 그 후, 도 4(c)에 도시된 바와 같이, 패드영역의 패드(108) 위에 금속층(129)을 형성한다. 상기 금속층(129)은 패드(108)가 외부로 오픈되어 산화되는 것을 방지하기 위한 것으로, 이방성 도전필름(anisotropic conductive film)으로 이루어진다. 이러한 이방성 도전필름을 사용함으로써 유기보호층(124)의 에칭공정없이(즉, 에칭용 마스크의 사용없이) 패드(108) 위에 산화방지용 금속층(129)을 형성할 수 있게 된다.

또한, 상기 금속층(129)은 패드영역의 보호층(124)의 에칭없이 상기 금속층(129) 위에 형성할 수 있다.

도 5a 및 도 5b에 상기 금속층(129)을 형성하는 방법이 도시되어 있다. 우선, 도 5a에 도시된 바와 같이, 패드영역의 패드(108) 위에 형성된 유기보호층(124) 위에 이방성 도전필름(129a)을 접촉시킨 상태에서 고온으로 압력을 인가하면, 도 5b에 도시된 바와 같이 패드(108)위의 유기보호층(124)이 용해됨과 동시에 이방성 도전필름(129a)이 상기 패드(108)와 합착하게 되어 패드(108) 위에 금속층(129)이 형성된다. 도면에는 도시하지 않았지만, 이방성 도전필름(129a)은 접착제로 이루어져 있으며 그 내부에는 도전볼이 포함되어 있다. 따라서, 압력이 인가됨에 따라 상기 이방성 도전필름(129a)이 패드(108)에 부착되며, 내부의 도전볼들은 서로 접촉하여 전체적으로 도전성을 갖게 되는 것이다.

한편, 제2기판(30) 위에는 블랙매트릭스(132)가 형성된다. 상기 블랙매트릭스(132)는 Cr/CrOx 또는 블랙수지로 이루어지는 것으로, 비표시영역인 게이트라인 영역과 데이터라인영역, 박막트랜지스터 영역 및 패드영역에 형성되어 상기 비표시영역으로 광이 누설되는 것을 방지한다. 또한, 제2기판(130)의 화소영역에는 실제 컬러를 구현하기 위한 R(Red), G(Green), B(Blue)의 컬러필터층(134)이 형성된다. 도면에 도시하지 않았지만, 상기 컬러필터층(134) 위에는 제2기판(130)의 평탄성을 향상시키기 위한 오버코트층(overcoat layer)을 형성할 수도 있다.

도 4(d)에 도시된 바와 같이, 박막트랜지스터가 형성된 제1기판(120)과 컬러필터층(134)이 형성된 제2기판(130)을 실링재(도면표시하지 않음)에 의해 합착한 후 상기 제1기판(120)과 제2기판(130) 사이에 액정을 주입(액정주입방식)하여 액정층(140)을 형성함으로써 액정표시소자가 완성된다. 이때, 상기 액정층(140)은 액정주입방식이 아니라 제1기판(120) 또는 제2기판(140) 상에 직접 액정을적하(dropping)한 후 상기 제1기판(120) 및 제2기판(140)의 합착에 의해 기판(120,140) 전체에 걸쳐서 액정을 균일하게 분포시키는 액정적하방식(liquid dispening method)에 의해 형성할 수도 있다.

상기한 IPS모드 액정표시소자 제조방법에서는 게이트전극(111) 및 복수의 공통전극(105) 형성용 마스크, 소스/드레인전극(113,114), 화소전극(107) 및 패드(108) 형성용 마스크, 반도체층(112) 형성용 마스크가 필요하게 된다. 즉, 3개의 마스크가 필요하게 된다. 이것을 종래 IPS모드 액정표시소자와 비교하면, 종래 IPS모드 액정표시소자에서는 5개의 마스크가 사용되는 반면에 본 발명의 IPS모드 액정표시소자에서는 3개의 마스크만이 사용되므로, 2개의 마스크 사용이 불필요하게 된다. 이와 같이, 사용되는 마스크 숫자의 감소는 실행되는 공정의 감소를 의미한다. 따라서, 본 발명의 IPS모드 액정표시소자에서는 종래의 IPS모드 액정표시소자에 비해 제조공정이 대폭 단순화되었음을 알 수 있게 된다.

상기한 본 발명의 액정표시소자의 구조 및 제조방법에서는 IPS모드 액정표시소자를 예를 들어 설명하였다. 그러나, 본 발명의 액정표시소자가 상기와 같은 특정 구조의 액정표시소자에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, TN모드 액정표시소자의 구조는 공통전극과 화소전극을 제외하고는 그 구조가 IPS모드 액정표시소자의 구조와 유사하다. 즉, 화소전극이 보호층 위의 화소영역 전체에 걸쳐 형성되고 공통전극이 제2기판에 형성되어 기판과 수직의 전계가 인가된다는 점만을 제외하고는 그 구조가 IPS모드 액정표시소자와 유사하다. 또한, 패드영역의 구조 역시 IPS모드 액정표시소자의 실질적으로 동일한 구조로 되어 있다. 따라서, 상기 TN모드 액정표시소자의 경우에도 보호층을 유기보호층으로 형성하고 이방성 도전필름을 사용함으로써 신속한 액정표시소자의 제조가 가능하게 된다.

또한, 본 발명은 특정 구조의 액정표시소자에만 한정되는 것이 아니라 모든 구조의 액정표시소자에 적용 가능하며, 이에 따른 다양한 제조방법에 적용 가능할 것이다. 예를 들어, 공통전극과 화소전극을 지그재그형상으로 형성하여 구조의 IPS모드 액정표시소자 역시 본 발명에 훌륭하게 적용될 수 있을 것이다.

상술한 바와 같이, 본 발명에서는 보호층을 유기물질로 형성하고 상기 이방성 도전필름을 상기 유기물질에 접촉시켜 고온에서 압력을 가하여 패드 산화방지용 금속층을 형성하므로, 액정표시소자 제조용 마스크가 총 3개만 필요하게 된다. 따라서, 신속한 액정표시소자의 제조가 가능하게 되며 제조비용도 대폭 절감할 수 있게 된다.

Claims

게이트라인 및 데이터라인에 의해 정의되며 박막트랜지스터가 형성되어 화소전극과 공통전극 사이에 전계가 형성되는 복수의 화소로 이루어진 화소영역;

상기 화소영역 외곽부에 형성되어 외부의 신호를 상기 화소영역에 인가하는 패드를 포함하는 패드영역; 및

도전필름으로 이루어지며, 상기 패드 위에 형성되어 패드의 산화를 방지하는 금속층으로 구성된 액정표시소자.
제1항에 있어서, 상기 도전성 필름은 이방성 도전필름인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
제1항에 있어서, 상기 박막트랜지스터는,

기판 위에 형성된 게이트전극;

상기 게이트전극이 형성된 기판 전체에 걸쳐 적층된 절연층;

상기 절연층 위에 형성된 반도체층;

상기 반도체층 위에 형성된 소스전극 및 드레인전극; 및

상기 소스전극 및 드레인전극이 형성된 기판 전체에 걸쳐 적층된 보호층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
제3항에 있어서, 상기 보호층은 유기보호층인 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
제4항에 있어서, 상기 유기보호층은 패드 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
제5항에 있어서, 상기 패드 위의 유기보호층은 도전필름과 접촉하여 고온에서 압력이 인가됨에 따라 제거되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
제1항에 있어서, 상기 공통전극과 화소전극은 동일 기판상에 형성되어 횡전계를 생성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
제1항에 있어서, 상기 공통전극과 화소전극은 서로 다른 기판상에 형성되어 기판과 수직한 전계를 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자.
액정패널의 외곽부에 형성된 패드;

상기 액정패널 외곽부에 적층된 보호층; 및

상기 패드 위에 형성된 도전필름으로 이루어진 금속층으로 구성된 액정표시소자의 패드구조.
제9항에 있어서, 상기 보호층은 유기보호층인 것을 특징으로 하는 패드구조.
제10항에 있어서, 상기 패드 위의 유기보호층은 도전필름과 접촉하여 고온에서 압력이 인가됨에 따라 제거되는 것을 특징으로 하는 패드구조.
제9항에 있어서, 상기 도전필름은 이방성 도전필름인 것을 특징으로 하는 패드구조.
화소영역 및 패드영역으로 이루어진 기판을 준비하는 단계;

상기 기판의 화소영역에 복수의 게이트라인 및 데이터라인을 형성하는 단계;

상기 화소영역에 복수의 박막트랜지스터를 형성하는 단계;

상기 패드영역에 패드를 형성하는 단계;

기판 전체에 걸쳐서 보호층을 형성하는 단계; 및

상기 패드 위에 도전필름으로 이루어진 금속층을 형성하는 단계로 구성된 액정표시소자 제조방법.
제13항에 있어서, 상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는,

기판 위의 화소영역에 게이트전극을 형성하는 단계;

상기 기판 전체에 걸쳐 절연층을 적층하는 단계;

상기 화소영역의 절연층 위에 반도체층을 형성하는 단계; 및

상기 반도체층 위에 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법.
제13항에 있어서, 상기 화소영역의 보호층 위에 기판과 실질적으로 수직한 전계를 형성하는 공통전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제13항에 있어서, 상기 화소영역에 기판과 실질적으로 평행한 횡전계를 발생하는 복수의 공통전극 및 화소전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
제16항에 있어서, 상기 공통전극은 게이트전극과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
제16항에 있어서, 상기 화소전극은 소스전극 및 드레인전극과 동시에에 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
제13항에 있어서, 상기 보호층은 유기보호층인 것을 특징으로 하는 방법.
제13항에 있어서, 상기 금속층을 형성하는 단계는,

상기 보호층에 열을 인가하는 단계; 및

상기 도전필름을 보호층에 접촉한 상태에서 압력을 인가하여 상기 패드 위의 보호층을 용융함과 동시에 상기 도전필름을 패드에 부착시키는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 방법.