CN114755866A - 阵列基板及该阵列基板的异常修补方法、显示面板 - Google Patents
阵列基板及该阵列基板的异常修补方法、显示面板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114755866A CN114755866A CN202210470407.5A CN202210470407A CN114755866A CN 114755866 A CN114755866 A CN 114755866A CN 202210470407 A CN202210470407 A CN 202210470407A CN 114755866 A CN114755866 A CN 114755866A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- shielding
- array substrate
- line
- substrate
- lines
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 title claims abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 35
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 12
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 7
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 106
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本申请实施例提供一种阵列基板及该阵列基板的异常修补方法、显示面板，该阵列基板包括衬底、数据线、色阻层以及屏蔽线，屏蔽线设置于数据线上，屏蔽线与对应的数据线至少部分重叠设置，其中，色阻层包括多个过孔，过孔在数据线上的正投影至少部分位于对应的数据线内，屏蔽线的至少部分分别收容于多个过孔内；当数据线异常时，对靠近异常处的过孔进行镭射熔接，同时将这部分屏蔽线与剩余的另一部分屏蔽线绝缘设置，利用了现有制程中已有的屏蔽线对数据线的异常进行搭接修补，可以减去长膜修补步骤，用镭射打点的方式代替，进而节省了长膜修补耗材，更进一步提高了对数据线的异常的修补成功率。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及该阵列基板的异常修补方法、显示面板。
背景技术
在液晶面板中，液晶的像素电极电压主要是通过薄膜晶体管开关进行控制的。在薄膜晶体管开关组件中，尤其是超高分辨率的液晶面板，提供图像信号的数据线线宽很窄，在制造工艺过程中容易发生断线，需要采用激光进行断线修补动作。在广视角的液晶面板技术上，为了提高开口率及液晶的响应速度，通常会在液晶面板的阵列基板上制作色阻层。当数据线产生断线缺陷时，由于有机层的厚度较大，无法直接进行断线修补，需要先用一种镭射进行去除色阻层动作，然后再通过钨粉长膜的形式进行熔接补线动作。然而，钨粉长膜质量难以把控，且镭射能量能耗大，耗费时间长，修补过程较为复杂且对作业者要求较高，进而直接影响产品的良率。
因此，亟需一种阵列基板及该阵列基板的异常修补方法以解决上述技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及该阵列基板的异常修补方法，可以改善当前的阵列基板在数据线断线时修补效率过低的技术问题。
本申请实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括衬底、多条数据线、色阻层以及多条屏蔽线，多条所述数据线设置于所述衬底上，所述色阻层设置于所述衬底上，所述屏蔽线设置于所述数据线上，所述屏蔽线与对应的所述数据线至少部分重叠设置；
其中，所述色阻层包括多个过孔，所述过孔在所述数据线上的正投影至少部分位于对应的数据线内，所述屏蔽线的至少部分分别收容于所述多个过孔内。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述色阻层包括多个不同颜色的色阻单元，相邻的两个所述色阻单元之间具有交叠区，所述过孔在所述衬底上的正投影与所述交叠区重合。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括第一钝化层，所述第一钝化层设置于所述衬底上并完全覆盖所述数据线。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括第二钝化层，所述第二钝化层设置于所述色阻层与所述屏蔽线之间；
其中，所述第二钝化层未覆盖所述过孔。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述过孔的宽度小于所述数据线的宽度。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述屏蔽线包括第一屏蔽部以及位于所述第一屏蔽部两侧的第二屏蔽部，所述第一屏蔽部填充所述过孔，所述第二屏蔽部设置于所述第二钝化层上；
其中，所述第二屏蔽部的厚度在一预设阈值范围内。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括像素电极层，所述像素电极层与所述屏蔽线同层且绝缘设置。
相应地，本申请实施例还提供一种阵列基板的异常修补方法，所述方法包括：
提供一如上任一项所述的阵列基板；
检测所述数据线异常的位置，对靠近异常处的所述过孔进行镭射熔接，使所述数据线与部分所述屏蔽线搭接；
对所述屏蔽线上的镭射熔接位置远离异常位置的相对两侧的所述屏蔽线用镭射进行分别切断。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述屏蔽线包括第一屏蔽部以及位于所述第一屏蔽部两侧的第二屏蔽部，所述第一屏蔽部填充所述过孔，所述第二屏蔽部设置于所述第二钝化层上；
其中，所述第二屏蔽部的厚度在一预设阈值范围内。
相应地，本申请实施例又提供一种显示面板，包括如上任一项所述的阵列基板、与所述阵列基板相对设置的对位基板以及设置于所述阵列基板与所述对位基板之间的液晶层；
其中，所述对位基板上靠近所述阵列基板的一侧设置有公共电极层，所述屏蔽线与所述公共电极层电性连接。
本申请实施例提供一种阵列基板及该阵列基板的异常修补方法、显示面板，该阵列基板包括衬底、多条数据线、色阻层以及多条屏蔽线，多条所述数据线设置于所述衬底上，所述色阻层设置于所述衬底上，，所述屏蔽线设置于所述数据线上，所述屏蔽线与对应的所述数据线至少部分重叠设置，其中，所述色阻层包括多个过孔，所述过孔在所述数据线上的正投影至少部分位于对应的数据线内，所述屏蔽线的至少部分分别收容于所述多个过孔内；上述阵列基板通过在所述色阻层内设置多个过孔，且所述过孔在所述数据线上的正投影至少部分位于对应的数据线内，所述屏蔽线的至少部分分别收容于所述多个过孔内，从而使得当所述数据线异常时，对靠近异常处的所述过孔进行镭射熔接，使所述数据线与部分所述屏蔽线搭接，同时将这部分所述屏蔽线与剩余的另一部分所述屏蔽线绝缘设置；由于所述过孔对应于所述数据线上方未设置厚度较大的所述色阻层，从而在进行修补时，减少了镭射去除所述色阻层的工序，同时利用现有制程中已有的屏蔽线进行搭接修补，可以减去长膜修补步骤，用镭射打点的方式代替，进而节省了长膜修补耗材，更进一步提高了所述数据线的修补成功率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的阵列基板在图5中A1A2处的截面结构示意图；
图2为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法流程图；
图3A-图3D1为本申请实施例提供的阵列基板的制备方法中在图5中A1A2处的具体流程结构示意图；
图3D2为本申请另一种实施例提供的阵列基板的制备方法中在图5中A1A2处的具体流程结构示意图；
图4为本申请实施例提供的阵列基板的异常修补方法流程图；
图5为本申请实施例提供的阵列基板在修补前的平面示意图；
图6为本申请实施例提供的阵列基板在修补后的平面示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请实施例针对当前的阵列基板在数据线断线时修补效率过低的技术问题，本申请实施例可以改善上述技术问题。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1至图6，本申请实施例提供一种阵列基板100，该阵列基板100包括衬底、多条数据线12、色阻层14以及多条屏蔽线16，多条所述数据线12设置于所述衬底上，所述色阻层14设置于所述衬底上，所述色阻层14包括多个不同颜色的色阻单元，所述屏蔽线16设置于所述数据线12上，所述屏蔽线16与对应的所述数据线12至少部分重叠设置，其中，所述色阻层14包括多个过孔151，所述过孔151在所述数据线12上的正投影至少部分位于对应的所述数据线12内，所述屏蔽线16的至少部分分别收容于所述多个过孔151内；本申请实施例提供的上述阵列基板100通过在所述色阻层14内设置多个过孔151，且所述过孔151在所述数据线12上的正投影至少部分位于对应的数据线12内，所述屏蔽线16的至少部分分别收容于所述多个过孔151内，从而使得当所述数据线12异常时，对靠近异常处的所述过孔151进行镭射熔接，使所述数据线12与部分所述屏蔽线16搭接，同时将这部分所述屏蔽线16与剩余的另一部分所述屏蔽线16绝缘设置；由于所述过孔151对应于所述数据线上方未设置厚度较大的所述色阻层14，从而在进行修补时，减少了镭射去除所述色阻层14的工序，同时利用现有制程中已有的所述屏蔽线16进行搭接修补，可以减去长膜修补步骤，用镭射打点的方式代替，进而节省了长膜修补耗材，更进一步提高了所述数据线12的修补成功率。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
实施例一
如图1所示，为本申请实施例提供的阵列基板100在图5中A1A2处的截面结构示意图；其中，所述阵列基板100包括衬底、多条数据线12、色阻层14以及多条屏蔽线16，多条所述数据线12设置于所述衬底上，所述色阻层14设置于所述衬底上，所述色阻层14包括多个不同颜色的色阻单元，所述屏蔽线16设置于所述数据线12上，所述屏蔽线16与对应的所述数据线12重叠设置；
其中，所述色阻层14包括多个过孔151，所述过孔151在所述数据线12上的正投影至少部分位于对应的所述数据线12内，所述屏蔽线16的至少部分分别收容于所述多个过孔151内。
在本申请实施例中，所述屏蔽线16用于对所述数据线12起到了遮光的作用，从而不需要在所述数据线12的上方设置黑色矩阵来遮光；
进一步地，所述屏蔽线16与对侧基板上的公共电极层在电位上通常设置成等电位，以使工作时液晶分子保持不偏转的状态，从而起到遮光的目的；同时所述屏蔽线16还用于屏蔽其他电信号对所述数据线12的干扰。
在本申请实施例中，相邻的两个所述色阻单元之间对应于所述数据线12的位置具有交叠区，所述过孔151在所述衬底上的正投影与所述交叠区重合。在相邻的两个所述色阻单元之间的交叠区设置所述过孔151的目的是为了挖空设置于所述数据线12与所述屏蔽线16之间的所述色阻层14，减少了镭射去除所述色阻层14的工序。
进一步地，由于相邻的两个所述色阻单元之间对应于所述数据线12的位置具有交叠区，使得所述色阻单元覆盖于另一所述色阻单元上，从而导致后续制程中，相邻的两个所述色阻单元之间并不齐平。
在本申请实施例中，所述阵列基板100还包括第一钝化层13，所述第一钝化层13设置于所述衬底上并完全覆盖所述数据线12；
优选地，所述色阻层14的厚度大于所述第一钝化层13的厚度。
进一步地，所述阵列基板100还包括第二钝化层15，所述第二钝化层15设置于所述色阻层14与所述屏蔽线16之间，其中，所述第二钝化层15未覆盖所述过孔151；设置所述第二钝化层15的目的是为了将所述屏蔽线16与所述色阻层14隔绝开，防止有机材质的所述色阻层14腐蚀所述屏蔽线16。
进一步地，请参阅图1，所述过孔151沿第一方向D1的尺寸小于所述数据线12的沿第一方向D1的尺寸；优选地，所述过孔151的深度大于所述第二钝化层15的厚度。这样设计是为了不影响所述阵列基板100的像素区域。
在本申请实施例中，所述屏蔽线16包括第一屏蔽部161以及位于所述第一屏蔽部161两端的第二屏蔽部162，所述第一屏蔽部161填充所述过孔151，所述第二屏蔽部162设置于所述第二钝化层15上；
其中，所述第二屏蔽部162的厚度在一预设阈值范围内；这样设计是为了使得相邻的两个所述色阻单元之间的交叠区平齐，进而可以使在后续制程制备的配向膜平整，防止因相邻的两个所述色阻单元之间的交叠区的坡度较大导致配向膜扩散不均，液晶分子预倾角紊乱的问题。
进一步地，所述第一屏蔽部161的厚度小于第一厚度，所述第一厚度为对应设置于所述数据线12上的部分所述色阻单元以及部分所述第二钝化层15的厚度之和。这样设计的目的是为了在减少所述屏蔽线16的制作成本的同时，有利于所述屏蔽线16与所述数据线12的搭接。在本申请实施例中，所述阵列基板100还包括像素电极层21，所述像素电极层21与所述屏蔽线16同层且绝缘设置；这样设计是为了防止所述屏蔽线16与所述像素电极层21发生短路，因此它们之间必须保证最小间距。
在本申请的上述实施例中，所述色阻单元包括呈矩阵式排布的红色色阻单元、绿色色阻单元、及蓝色色阻单元中的任意一种。
在本申请实施例中，所述衬底可以是聚酰亚胺薄膜，所述衬底可以由一层或多层聚酰亚胺薄膜构成。所述栅极绝缘层11的材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或二氧化硅等无机材料中的一种或多种，以起到绝缘保护的作用。所述第一钝化层13以及所述第二钝化层15的材料可以是氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或二氧化硅等无机材料中的一种或多种，起到隔绝水氧的作用。所述数据线12的材料可以是钼、铜以及铝等具有优异导电性的金属材料。
在本申请实施例中，所述像素电极层21以及所述屏蔽线16的材料为氧化铟锡以及氧化铟镓锡中的至少一种。
具体地，如图2所示，为本申请实施例提供的阵列基板100的制备方法流程图；其中，所述方法包括：
S10，在一衬底上沉积栅极绝缘层11。
S20，在所述栅极绝缘层11沉积一层金属层，所述金属层经图案化后形成数据线12。
S30，在所述栅极绝缘层11上依次沉积第一钝化层13、色阻层14以及第二钝化层15，所述色阻层14包括多个不同颜色的色阻单元，相邻的两个所述色阻单元之间具有交叠区。
具体地，所述S30还包括：
首先，在所述栅极绝缘层11上依次沉积第一钝化层13，所述第一钝化层13完全覆盖所述数据线12。
之后，在所述栅极绝缘层11以及所述第一钝化层13上形成色阻层14，其中，所述色阻层14包括多个不同颜色的色阻单元，相邻的两个所述色阻单元之间具有交叠区；然后在所述色阻层14对应于所述交叠区的部分进行开口处理，形成第一预留孔141，所述第一预留孔141暴露出所述第一钝化层13，如图3A所示。
最后，在所述色阻层14上形成第二钝化层15，所述第二钝化层15覆盖所述第一预留孔141，如图3B所示。
S40，对所述第二钝化层15对应于所述交叠区的位置进行图案化处理，形成过孔151。
具体地，所述S40还包括：
对所述第二钝化层15对应于所述交叠区的位置通过半曝光、显影、以及蚀刻的方式形成所述过孔151，除去位于所述第一预留孔141内的部分所述第二钝化层15，如图3C所示。
S50，在所述色阻层14上形成屏蔽线16，所述屏蔽线16覆盖所述过孔151。
具体地，所述S50还包括：
在所述色阻层14上沉积透明电极层，所述透明电极层经图案化后形成屏蔽线16，所述屏蔽线16覆盖所述过孔151。其中，所述屏蔽线16的膜厚应做适当加厚处理，以防止所述屏蔽线16不能完全填充所述过孔151，如图3D1所示。
在本申请另一实施例中，所述S50进一步包括：
在所述透明电极层成膜结束后，在所述屏蔽线16对应于所述过孔151位置之外的部分进行半色调光罩处理，使得所述色阻层14的交叠区齐平，可实现随后形成的配向膜平整，防止因所述色阻层14的交叠区坡度较大导致配向膜扩散不均，液晶分子预倾角紊乱的问题，如图3D2所示。如图4所示，为本申请实施例提供的阵列基板100的异常修补方法流程图；其中，所述方法包括：
S10，提供一如上述任一项所述的阵列基板100；
S20，检测所述数据线12异常的位置，对靠近异常处的所述过孔151进行镭射熔接，使所述数据线12与部分所述屏蔽线16搭接；
其中，所述数据线12异常的位置可能为存在异物的位置，可也能为存在断线的位置。
S30，对所述屏蔽线16上的镭射熔接位置远离异常位置的相对两侧的所述屏蔽线16用镭射进行分别切断；
其中，对所述屏蔽线16上的镭射熔接位置远离异常位置的相对两侧的所述屏蔽线16用镭射进行分别切断，以利用与所述数据线12搭接的部分所述屏蔽线16作为修补线取代所述数据线12的异常部分，进而实现对所述数据线12的异常位置进行修复。在本申请实施例中，所述检测所述数据线12异常的位置，对靠近异常处的所述过孔151进行镭射熔接，使所述数据线12与部分所述屏蔽线16搭接的步骤中，所述屏蔽线16上的镭射熔接位置至异常位置的间距小于或等于所述屏蔽线16上其他未被镭射熔接的所述过孔151至所述异常位置的间距。这样设计是为了选取离异常位置最近的所述过孔151充当镭射熔接点，从而使所述数据线12与部分所述屏蔽线16搭接。
如图5所示，为本申请实施例提供的阵列基板100在修补前的平面示意图；如图6所示，为本申请实施例提供的阵列基板100在修补后的平面示意图。其中，由图5可知，所述阵列基板100还包括多条扫描线22、薄膜晶体管以及所述像素电极层21；其中，所述薄膜晶体管的源极23与所述数据线12电性连接，所述薄膜晶体管的漏极24与所述像素电极层21电性连接；
其中，所述屏蔽线16设置于所述数据线12上且与所述像素电极层21绝缘设置。
由图5可知，多个所述过孔151在所述屏蔽线16上的正投影位于对应的屏蔽线16内。其中，由于多个所述过孔151经过半曝光处理后，使得所述数据线12和所述第一钝化层13之间仅仅隔着所述第一钝化层13。因此，在正常情况下，所述数据线12和所述屏蔽线16之间互不接触。
如图5以及图6可知，当所述数据线12具有异常位置20时，只需要在最接近所述异常位置20的两个所述过孔151作为镭射熔接点对其进行镭射处理，使得所述数据线12与这部分所述屏蔽线16短接；同时，将第一修补位置1511以及第二修补位置1512远离所述异常位置20的一侧的部分所述屏蔽线16被移除(图6中移除位置30)，使用于搭接的这部分所述屏蔽线16被完全隔离出来，即可完成对所述数据线12的异常进行修补。
本申请实施例提供的阵列基板100的异常修补方法，可以减去所述数据线12的断线长膜修补步骤，用镭射打点的方式代替，节省长膜修补耗材，降低修补成本和修补耗时，提高修补成功率。
相应地，本申请实施例还提供一种显示面板，包括如上任一项所述的阵列基板100、与所述阵列基板100相对设置的对位基板以及设置于所述阵列基板100与所述对位基板之间的液晶层；
其中，所述对位基板上靠近所述阵列基板100的一侧设置有公共电极层，所述屏蔽线16与所述公共电极层电性连接。
进一步地，所述显示面板可以用于制备手机、电脑和智能穿戴显示设备等，本实施例对此不作特殊限定。
本申请实施例提供一种阵列基板100以及该阵列基板100的异常修补方法，该阵列基板100包括衬底、多条数据线12、色阻层14以及多条屏蔽线16，多条所述数据线12设置于所述衬底上，所述色阻层14设置于所述衬底上，所述色阻层14包括多个不同颜色的色阻单元，所述屏蔽线16设置于所述数据线12上，所述屏蔽线16与对应的所述数据线12至少部分重叠设置，其中，所述色阻层14包括多个过孔151，所述过孔151在所述数据线12上的正投影至少部分位于对应的所述数据线12内，所述屏蔽线16的至少部分分别收容于所述多个过孔151内；本申请实施例提供的上述阵列基板100通过在所述色阻层14内设置多个过孔151，且所述过孔151在所述数据线12上的正投影至少部分位于对应的数据线12内，所述屏蔽线16的至少部分分别收容于所述多个过孔151内，从而使得当所述数据线12异常时，对靠近异常处的所述过孔151进行镭射熔接，使所述数据线12与部分所述屏蔽线16搭接，同时将这部分所述屏蔽线16与剩余的另一部分所述屏蔽线16绝缘设置；由于所述过孔151对应于所述数据线上方未设置厚度较大的所述色阻层14，从而在进行修补时，减少了镭射去除所述色阻层14的工序，同时利用现有制程中已有的所述屏蔽线16进行搭接修补，可以减去长膜修补步骤，用镭射打点的方式代替，进而节省了长膜修补耗材，更进一步提高了所述数据线12的修补成功率。以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板100及该阵列基板100的异常修补方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
多条数据线，设置于所述衬底上；
色阻层，设置于所述衬底上；
多条屏蔽线，设置于多条所述数据线上，所述屏蔽线与对应的数据线至少部分重叠设置；
其中，所述色阻层包括多个过孔，所述过孔在所述数据线上的正投影至少部分位于对应的数据线内，所述屏蔽线的至少部分分别收容于所述多个过孔内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述色阻层包括多个不同颜色的色阻单元，相邻的两个所述色阻单元之间具有交叠区，所述过孔在所述衬底上的正投影与所述交叠区重合。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第一钝化层，所述第一钝化层设置于所述衬底上并完全覆盖所述数据线。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括第二钝化层，所述第二钝化层设置于所述色阻层与所述屏蔽线之间；
其中，所述第二钝化层未覆盖所述过孔。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔的宽度小于所述数据线的宽度。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述屏蔽线包括第一屏蔽部以及位于所述第一屏蔽部两侧的第二屏蔽部，所述第一屏蔽部填充所述过孔，所述第二屏蔽部设置于所述第二钝化层上；
其中，所述第二屏蔽部的厚度在一预设阈值范围内。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极层，所述像素电极层与所述屏蔽线同层且绝缘设置。
8.一种阵列基板的异常修补方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一如上述权利要求1至7任一项所述的阵列基板；
检测所述数据线异常的位置，对靠近异常处的所述过孔进行镭射熔接，使所述数据线与部分所述屏蔽线搭接；
对所述屏蔽线上的镭射熔接位置远离异常位置的相对两侧的所述屏蔽线用镭射进行分别切断。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的异常修补方法，其特征在于，所述屏蔽线包括第一屏蔽部以及位于所述第一屏蔽部两侧的第二屏蔽部，所述第一屏蔽部填充所述过孔，所述第二屏蔽部设置于所述第二钝化层上；
其中，所述第二屏蔽部的厚度在一预设阈值范围内。
10.一种显示面板，包括如权利要求1至7任一项所述的阵列基板、与所述阵列基板相对设置的对位基板以及设置于所述阵列基板与所述对位基板之间的液晶层；
其中，所述对位基板上靠近所述阵列基板的一侧设置有公共电极层，所述屏蔽线与所述公共电极层电性连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210470407.5A CN114755866A (zh) | 2022-04-28 | 2022-04-28 | 阵列基板及该阵列基板的异常修补方法、显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202210470407.5A CN114755866A (zh) | 2022-04-28 | 2022-04-28 | 阵列基板及该阵列基板的异常修补方法、显示面板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN114755866A true CN114755866A (zh) | 2022-07-15 |
Family
ID=82333592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202210470407.5A Pending CN114755866A (zh) | 2022-04-28 | 2022-04-28 | 阵列基板及该阵列基板的异常修补方法、显示面板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114755866A (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005215455A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置とその製造方法 |
| CN103309099A (zh) * | 2012-03-08 | 2013-09-18 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示器阵列基板及其制造方法 |
| CN104516133A (zh) * | 2015-01-27 | 2015-04-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及该阵列基板的断线修补方法 |
-
2022
- 2022-04-28 CN CN202210470407.5A patent/CN114755866A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005215455A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Advanced Display Inc | 液晶表示装置とその製造方法 |
| CN103309099A (zh) * | 2012-03-08 | 2013-09-18 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示器阵列基板及其制造方法 |
| CN104516133A (zh) * | 2015-01-27 | 2015-04-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 阵列基板及该阵列基板的断线修补方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100382456B1 (ko) | 액정표시장치의 리페어 패턴 형성방법 | |
| KR100278547B1 (ko) | 액정표시패널, 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| US8223288B2 (en) | Flat panel display and fabricating method thereof | |
| US7295257B2 (en) | Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
| US6310669B1 (en) | TFT substrate having connecting line connect to bus lines through different contact holes | |
| US6798442B1 (en) | Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
| JPH1026771A (ja) | 液晶表示パネルおよびその補修方法 | |
| KR100405236B1 (ko) | 매트릭스 어레이기판 | |
| US20170146874A1 (en) | Array substrate, display device, method for maintaining the same and method for manufacturing the same | |
| US6822701B1 (en) | Liquid crystal display apparatus | |
| US7253851B2 (en) | Pixel and method for pixel repair | |
| JP2010102220A (ja) | 液晶装置の製造方法および液晶装置 | |
| US6515301B2 (en) | Structure and fabrication method of flat panel display comprising address line with mending layer | |
| CN114755866A (zh) | 阵列基板及该阵列基板的异常修补方法、显示面板 | |
| JPH09325363A (ja) | 液晶表示装置の修復方法 | |
| US6621536B1 (en) | Matrix wiring substrate having an auxiliary line connected to a bundling line | |
| US20060146221A1 (en) | Liquid crystal display device and manufacturing method therefor | |
| JPH11119253A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその欠陥修正方法 | |
| KR100695614B1 (ko) | 레이저 화학증착장비를 이용한 원 픽셀 리페어 방법 및 이를 이용하여 리페어된 액정표시소자의 기판 | |
| KR100488942B1 (ko) | 차광 및 리페어 겸용 더미 패턴이 구비된 박막 트랜지스터액정표시장치 | |
| JP2021026166A (ja) | 電子素子と液晶表示装置 | |
| KR100804322B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치 | |
| KR100772939B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이기판의 수리방법 | |
| CN112882297A (zh) | 液晶面板及液晶面板修补方法 | |
| KR20040026929A (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |