CN113764436B - 阵列基板的修补方法及修补装置 - Google Patents

阵列基板的修补方法及修补装置 Download PDF

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Abstract

本申请实施例公开了一种阵列基板的修补方法及修补装置,在进行封装之前,对阵列基板进行检测。若钝化保护层位于非显示区的部分出现破洞,则采用修补材料对破洞进行修补,从而避免因钝化保护层位于非显示区的部分出现破洞造成金属层裸露而导致金属层边缘处的绝缘层被侧向腐蚀,从而避免满屏或半屏水平线、黑屏等不良现象的发生,进而提高产品的良率。

Description

阵列基板的修补方法及修补装置
技术领域
本申请涉及显示领域,具体涉及一种阵列基板的修补方法及修补装置。
背景技术
目前,薄膜晶体管显示器因其具备轻薄、环保以及高性能等优点,已经成为目前广泛使用的显示器之一,且已广泛应用于各种电子产品中,尤其是大尺寸显示。
其中,为了提升人们的视觉效果,扩宽可视范围,边框宽度要求越来越窄,即窄边框设计。窄边框通常要求将电极驱动电路设置在阵列基板上,从而减少制作程序,降低产品成本,使面板更加轻薄。但是由于制备工艺的影响,易造成钝化保护层出现破洞现象。而当电极驱动电路区域的钝化保护层出现破洞时,由于电极驱动电路区域的钝化保护层没有色阻层保护,会导致金属层裸露,从而导致金属层边缘处的绝缘层被侧向腐蚀,造成满屏或半屏水平线、黑屏等不良现象的发生,进而降低产品良率。
因此,如何防止因电极驱动电路区域的钝化保护层出现破洞而影响产品的良率是面板厂家需要攻克的难关。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板的断线的修补方法及修补装置,以解决现有技术中,因电极驱动电路区域的钝化保护层出现破洞而影响产品的良率的技术问题。
本申请实施例提供一种阵列基板的修补方法,所述阵列基板包括显示区和位于所述显示区一侧的非显示区,所述修补方法包括:
提供一衬底,并在所述衬底上依次形成金属层、色阻层以及钝化保护层,其中,所述色阻层位于所述显示区,所述钝化保护层覆盖所述色阻层;
检测所述钝化保护层位于所述非显示区的部分是否出现破洞;
若所述钝化保护层位于所述非显示区的部分出现破洞,则采用修补材料对所述钝化保护层进行修补。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述提供一衬底,并在所述衬底上依次形成金属层、色阻层以及钝化保护层,其中,所述色阻层位于所述显示区的具体步骤,包括:
提供一衬底,并在所述衬底上形成第一子金属层;
在所述第一金属层上形成绝缘层;
在所述绝缘层上形成第二子金属层;
在所述第二金属层上形成钝化层;
在所述钝化层上形成色阻层,所述色阻层位于所述显示区;
在所述色阻层上形成钝化保护层,所述钝化保护层覆盖所述钝化层以及所述色阻层。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述检测所述钝化保护层位于所述非显示区的部分是否出现破洞的具体步骤,包括:
获取所述钝化保护层位于所述非显示区的部分的图像;
检测所述图像是否存在暗点;
若所述图像存在暗点,则所述钝化保护层位于所述非显示区的部分存在破洞。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述若所述钝化保护层位于所述非显示区的部分出现破洞,则采用修补材料对所述钝化保护层进行修补的具体步骤,包括:
若所述钝化保护层位于所述非显示区的部分出现破洞,则确定所述破洞的位置;
在所述破洞中填充修补材料,以修补所述钝化保护层。
可选的,在本申请的一些实施例中,采用针头喷涂的工艺在所述破洞中填充修补材料。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述修补材料为色阻材料。
可选的,在本申请的一些实施例中,所所述色阻材料为蓝色色阻材料。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述若所述钝化保护层位于所述非显示区的部分出现破洞,则采用修补材料对所述钝化保护层进行修补的步骤之后,还包括:
在所述钝化保护层上形成封装层。
相应的,本申请实施例还提供一种阵列基板的修补装置,包括:
形成单元,所述形成单元用于提供一衬底,并在所述衬底上依次形成金属层、色阻层以及钝化保护层,其中,所述色阻层位于所述显示区,所述钝化保护层覆盖所述色阻层;
检测单元,所述检测单元用于检测所述钝化保护层位于所述非显示区的部分是否出现破洞;
修补单元,所述修补单元用于若所述钝化保护层位于所述非显示区的部分出现破洞,则采用修补材料对所述钝化保护层进行修补。
可选的,在本申请的一些实施例中,所述修补材料为色阻材料。
本申请实施例采用一种阵列基板的修补方法及修补装置,在进行封装之前,对阵列基板进行检测。若钝化保护层位于非显示区的部分出现破洞,则采用修补材料对破洞进行修补,从而避免因钝化保护层位于非显示区的部分出现破洞造成金属层裸露而导致金属层边缘处的绝缘层被侧向腐蚀,从而避免满屏或半屏水平线、黑屏等不良现象的发生,进而提高产品的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的第一种实施方式的流程示意图。
图2为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。
图3为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的步骤101的第一结构示意图。
图4为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的步骤101的第二结构示意图。
图5为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第一种实施方式的第一子流程示意图。
图6为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的步骤1016的第一结构示意图。
图7为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的步骤1016的第二结构示意图。
图8为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第一种实施方式的第二子流程示意图。
图9为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第一种实施方式的第三子流程示意图。
图10为本申请实施例提供的阵列基板的断线的修补方法的第二种实施方式的流程示意图。
图11为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的步骤104对应的结构示意图。
图12为本申请实施例提供的阵列基板的修补装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“第一”和“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”和“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征,因此不能理解为对本申请的限制。
本申请实施例提供一种阵列基板的断线的修补方法及修补装置。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
请参阅图1-图9,图1为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的第一种实施方式的流程示意图。如图1所示,本申请实施例提供的阵列基板的修补方法包括以下步骤:
步骤101、提供一衬底201,并在衬底201上依次形成金属层202、色阻层203以及钝化保护层204。其中,色阻层203位于显示区20a,钝化保护层204覆盖色阻层203。
图2为本申请实施例提供的阵列基板的结构示意图。如图2所示,阵列基板20包括显示区20a和设置在显示区20a一侧的非显示区20b。
其中,需要说明的是,非显示区20b为阵列基板行驱动(Gate Driver on Array,GOA)区以及走线区。色阻层203仅设置在显示区20a,在非显示区20b中未设置色阻层203。
图3为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的步骤101的第一结构示意图。图4为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的步骤101的第二结构示意图。如图3,图4所示,本申请实施例提供的阵列基板20包括衬底201、金属层202、色阻层203以及钝化保护层204。图3为阵列基板20在显示区20a的结构,图4为阵列基板20在非显示区20b的结构。
需要说明的是,由于在非显示区20b中,金属层202上方未设置色阻层203,因此,当钝化保护层204出现破洞时,就会导致金属层202裸露,从而出现满屏或半屏水平线、黑屏等不良现象,进而降低产品的良率。因此,需要对钝化保护层204出现的破洞进行修补。
图5为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的第一种实施方式的第一子流程示意图。如图5所示,步骤101包括:
步骤1011、提供一衬底201,并在衬底201上形成第一金属子层202a。
步骤1012、在第一金属子层202a上形成绝缘层205。
步骤1013、在绝缘层205上形成第二金属子层202b。
步骤1014、在第二金属子层202b上形成钝化层206。
步骤1015、在钝化层206上形成色阻层203,色阻层203位于显示区20a。
步骤1016、在色阻层203上形成钝化保护层204,钝化保护层覆盖钝化层206以及色阻层203。
图6为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的步骤1016的第一结构示意图。图7为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的步骤1016的第二结构示意图。如图6,图7所示,本申请实施例提供的阵列基板20包括衬底201、第一金属子层202a、绝缘层205、第二金属子层202b、钝化层206、色阻层203以及钝化保护层204。其中,阵列基板20包括显示区20a和设置在显示区20a一侧的非显示区20b。图6为阵列基板20在显示区20a的结构,图7为阵列基板20在非显示区20b的结构。
需要说明的是,由于在非显示区20b中,第二金属子层202b上方未设置色阻层203,因此,当钝化保护层204出现破洞现象时,第二金属子层202b上方的保护层厚度较薄或没有,从而导致第二金属子层202b裸露,第二金属子层202b边缘处的绝缘层205被侧向腐蚀,从而出现满屏或半屏水平线、黑屏等不良现象,进而降低产品的良率。因此,需要对钝化保护层204出现的破洞进行修补。
步骤102、检测钝化保护层204位于非显示区20b的部分是否出现破洞。
需要说明的是,当钝化保护层204位于显示区20a的部分出现破洞时,由于阵列基板20位于显示区20a的金属层202上方有色阻层203保护,不会导致金属层202裸露,因此只需要对钝化保护层204位于非显示区20b的部分是否出现破洞进行检测即可。
图8为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的第一种实施方式的第二子流程示意图。如图8所示,本申请实施例提供的步骤102包括:
步骤1021、获取钝化保护层204位于非显示区20b的部分的图像。
需要说明的是,采用自动光学检测(Automated Optical Inspection,AOI)设备来获取钝化保护层204位于非显示区20b的部分的图像。
需要说明的是,在采用AOI设备检测钝化保护层204是否存在破洞时,由于相邻的基板的制程条件基本相同,因此可以每隔10片板,获取一次钝化保护层204位于非显示区20b的部分的图像20,从而可以降低生产成本以及提高生产效率。当然,也可以每隔5片板,获取一次钝化保护层204位于非显示区20b的部分的图像20。
需要说明的是,具体间隔多少块板获取一次钝化保护层204位于非显示区20b的部分的图像依据工艺需求所确定。其中,如果想要降低成本,可以提高间隔的板的数量,比如每间隔20片板,获取一次钝化保护层204位于非显示区20b的部分的图像。其中,如果想要提高检测的精度,可以降低间隔的板的数量,比如每间隔3片板,获取一次钝化保护层204位于非显示区20b的部分的图像。
步骤1022、检测图像是否存在暗点。
步骤1023、若图像存在暗点,则钝化保护层204位于非显示区20b的部分存在破洞。
需要说明的,当钝化保护层204出现破洞时,采用AOI设备获取到的钝化保护层204位于非显示区20b的部分的图像,会在破洞处呈现暗点。因此,图像上暗点的位置即为钝化保护层204破洞的位置。
其中,当检测到钝化保护层204位于非显示区20b的部分存在破洞时,还需要把破洞的位置坐标存储起来,以便后续的修补制程调用。
步骤103、若钝化保护层204位于非显示区20b的部分出现破洞,则采用修补材料对钝化保护层204进行修补。
其中,需要说明的是,钝化保护层204的材料为非金属氧化物或树脂。修补材料为色阻材料。
其中,当钝化保护层204的材料为非金属氧化物时,此时钝化保护层204是采用气相沉积的方法形成,因此,无法采用非金属氧化物材料来对钝化保护层204进行修补。因此,需要采用色阻材料来对钝化保护层204进行修补。
其中,当钝化保护层204的材料为树脂时,此时虽然可以采用树脂材料来对钝化保护层204进行修补,但是树脂材料相对于色阻材料来说价格较高,因此采用色阻材料来对钝化保护层204进行修补,从而降低修补成本。
具体地说,修补材料为蓝色色阻材料。需要说明的是,在红色色阻材料、蓝色色阻材料以及绿色色阻材料中,蓝色色阻材料与周围膜层的颜色差异最小,因此采用蓝色色阻材料作为钝化保护层204的修补材料。
图9为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的第三子流程示意图。如图9所示,本申请实施例提供的阵列基本的修补方法的步骤103包括:
步骤1031、若钝化保护层204位于非显示区20b的部分出现破洞,则确定破洞的位置;
需要说明的是,可以调取在检测钝化保护层204位于非显示区20b的部分是否存在破洞时存储起来的破洞的位置坐标,从而确定破洞的位置。
步骤1032、在破洞中填充修补材料,以修补钝化保护层204。
其中,需要说明的是,采用针头喷涂的工艺在所述破洞中填充修补材料,从而可以保证修补后的钝化保护层204表面的平整性,有助于后续的封装制程。
请参阅图10-图11,图10为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的第二种实施方式的流程示意图。图10所示的阵列基板的修补方法与图1所示的阵列基板的修补方法的区别在于:在步骤103之后还包括:
104、在钝化保护层204上形成封装层207。
其中,需要说明的是,由于需要采用AOI检测设备检测钝化保护层204位于非显示区20b的部分是否存在破洞,而AOI检测设备发出的光线不能贯穿封装层207获取钝化保护层204位于非显示区20b的部分的图像,因此,需要在对钝化保护层204进行修补之后再形成封装层207。
图11为本申请实施例提供的阵列基板的修补方法的步骤104的结构示意图。图11所示的为阵列基板的非显示区20b的结构。
在本申请实施例提供的阵列基板的修补方法中,在进行封装之前,对阵列基板进行检测。若钝化保护层位于非显示区的部分出现破洞,则采用修补材料对破洞进行修补,从而避免因钝化保护层位于非显示区的部分出现破洞造成金属层裸露而导致金属层边缘处的绝缘层被侧向腐蚀,从而避免满屏或半屏水平线、黑屏等不良现象的发生,进而提高产品的良率。
本申请实施例还提供一种阵列基板的的修补装置。请参阅图12,图12为本申请实施例提供的阵列基板的修补装置的结构示意图。如图12所示,本申请实施提供的阵列基板的修补装置30包括形成单元301、检测单元302和修补单元303。
其中,形成单元301用于提供一衬底,并在衬底上依次形成金属层、色阻层以及钝化保护层,其中,色阻层位于显示区,钝化保护层覆盖色阻层。检测单元302用于检测钝化保护层位于非显示区的部分是否出现破洞。修补单元303用于若钝化保护层位于非显示区的部分出现破洞,则采用修补材料对钝化保护层进行修补。
需要说明的是,修补材料为色阻材料。其中,当钝化保护层的材料为非金属氧化物时,此时钝化保护层是采用气相沉积的方法形成,因此,无法采用非金属氧化物材料来对钝化保护层进行修补。因此,需要采用色阻材料来对钝化保护层进行修补。其中,当钝化保护层的材料为树脂时,此时可以采用树脂材料来对钝化保护层进行修补。但是树脂材料相对于色阻材料来说价格较高,因此采用色阻材料来对钝化保护层进行修补,从而降低修补成本。
具体地说,修补材料为蓝色色阻材料。需要说明的是,在红色色阻材料、蓝色色阻材料以及绿色色阻材料中,蓝色色阻材料与周围膜层的颜色差异最小,因此采用蓝色色阻材料作为钝化保护层的修补材料。
其中,上述实施例已经对阵列基板的修补方法进行了详细描述,因此,本申请实施例中,对阵列基板的修补方法不做过多赘述。
在本申请实施例提供的阵列基板的修补装置中,在进行封装之前,对阵列基板进行检测。若钝化保护层位于非显示区的部分出现破洞,则采用修补材料对破洞进行修补,从而避免因钝化保护层位于非显示区的部分出现破洞造成金属层裸露而导致金属层边缘处的绝缘层被侧向腐蚀,从而避免满屏或半屏水平线、黑屏等不良现象的发生,进而提高产品的良率。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板的修补方法及修补装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (8)

1.一种阵列基板的修补方法,其特征在于,所述阵列基板包括非显示区和位于所述非显示区一侧的显示区,所述修补方法包括:
提供一衬底,并在所述衬底上依次形成金属层、色阻层以及钝化保护层,其中,所述色阻层位于所述显示区,所述钝化保护层覆盖所述色阻层;
检测所述钝化保护层位于所述非显示区的部分是否出现破洞;
若所述钝化保护层位于所述非显示区的部分出现破洞,则采用修补材料对所述钝化保护层进行修补,所述修补材料为色阻材料。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的修补方法,其特征在于,所述提供一衬底,并在所述衬底上依次形成金属层、色阻层以及钝化保护层,其中,所述色阻层位于所述显示区的具体步骤,包括:
提供一衬底;
在所述衬底上形成第一子金属层;
在所述第一子金属层上形成绝缘层;
在所述绝缘层上形成第二子金属层;
在所述第二子金属层上形成钝化层;
在所述钝化层上形成色阻层,所述色阻层位于所述显示区;
在所述色阻层上形成钝化保护层,所述钝化保护层覆盖所述钝化层以及所述色阻层。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的修补方法,其特征在于,所述检测所述钝化保护层位于所述非显示区的部分是否出现破洞的具体步骤,包括:
获取所述钝化保护层位于所述非显示区的部分的图像;
检测所述图像是否存在暗点;
若所述图像存在暗点,则所述钝化保护层位于所述非显示区的部分存在破洞。
4.根据权利要求1所述的阵列基板的修补方法,其特征在于,所述若所述钝化保护层位于所述非显示区的部分出现破洞,则采用修补材料对所述钝化保护层进行修补的具体步骤,包括:
若所述钝化保护层位于所述非显示区的部分出现破洞,则确定所述破洞的位置;
在所述破洞中填充修补材料,以修补所述钝化保护层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的修补方法,其特征在于,采用针头喷涂的工艺在所述破洞中填充修补材料。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的修补方法,其特征在于,所述色阻材料为蓝色色阻材料。
7.根据权利要求1所述的阵列基板的修补方法,其特征在于,所述若所述钝化保护层位于所述非显示区的部分出现破洞,则采用修补材料对所述钝化保护层进行修补的步骤之后,还包括:
在所述钝化保护层上形成封装层。
8.一种阵列基板的修补装置,其特征在于,所述阵列基板包括非显示区和位于所述非显示区一侧的显示区,所述修补装置包括:
形成单元,所述形成单元用于提供一衬底,并在所述衬底上依次形成金属层、色阻层以及钝化保护层,其中,所述色阻层位于所述显示区,所述钝化保护层覆盖所述色阻层;
检测单元,所述检测单元用于检测所述钝化保护层位于所述非显示区的部分是否出现破洞;
修补单元,所述修补单元用于若所述钝化保护层位于所述非显示区的部分出现破洞,则采用修补材料对所述钝化保护层进行修补,所述修补材料为色阻材料。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104247078A (zh) * 2011-11-28 2014-12-24 荷兰应用自然科学研究组织Tno 密封的薄膜器件以及修复方法、修复系统和计算机程序产品
CN105093734A (zh) * 2015-06-26 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制造方法
CN112992935A (zh) * 2021-02-09 2021-06-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板中绝缘层的修补结构及修补方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104516133B (zh) * 2015-01-27 2017-12-29 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及该阵列基板的断线修补方法
JP6714898B2 (ja) * 2016-03-30 2020-07-01 三菱電機株式会社 カラーフィルタ基板、およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104247078A (zh) * 2011-11-28 2014-12-24 荷兰应用自然科学研究组织Tno 密封的薄膜器件以及修复方法、修复系统和计算机程序产品
CN105093734A (zh) * 2015-06-26 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制造方法
CN112992935A (zh) * 2021-02-09 2021-06-18 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板中绝缘层的修补结构及修补方法

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