CN103616786A - 薄膜晶体管基板及其修护方法 - Google Patents
薄膜晶体管基板及其修护方法 Download PDFInfo
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Abstract
一种薄膜晶体管基板及其修护方法包括：一基板；复数条扫描线，设置于该基板上；复数条数据线，与该些扫描线相交叉而设置；一扫描线绝缘层设置于该些扫描线与该些数据线之间；复数个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管相对设置于每一扫描线与每一数据线的相互交叉区域；一数据线绝缘层，设置于该扫描线绝缘层的一上表面，并覆盖该些数据线；以及一共同电极，设置于该数据线绝缘层上，并包括复数个定位通孔，其中该些定位通孔裸露出该数据线绝缘层，并位在该些数据线的正上方。
Description
技术领域
本发明是有关于一种薄膜晶体管基板及其修护方法，特别是有关于一种平面内切换(In Plane Switching，IPS)广视角技术及边缘电场切换(Fringe Field Switching，FFS)技术的薄膜晶体管基板及其修护方法。
背景技术
液晶显示面板通常包括一薄膜晶体管基板、一彩色滤光片基板及夹于该二基板之间的液晶层，其藉由分别施加电压至该二基板，控制其间液晶分子扭转而实现光的通过或不通过，从而达到显示的目的。传统液晶显示面板的液晶驱动方式为扭转向列模式，然而其视角范围比较窄，即，从不同角度观测画面时，将观测到不同的显示效果。
平面内切换(In Plane Switching，IPS)广视角技术及边缘电场切换(Fringe Field Switching，FFS)技术是基于传统液晶显示面板的视角狭小等问题而提出的解决方案。举例，边缘电场切换技术主要是藉由透明导电层形成所形成的共同电极(Vcom)置于像素电极上方，从而获得高效的边缘电场，提高了开口率，并减少光泄漏。
另外为求共同电极的稳定性，故共同电极为网状设计(上下左右串连)，但若在形成数据线绝缘层或共同电极的制程中，发生微粒(particle)或光阻残落于资料在线时，会导致共同电极与数据线电性短路，而产生画面显示不良。传统边缘电场切换技术设计是无法对上述问题进行修补。
因此，便有需要提供一种薄膜晶体管基板及修护薄膜晶体管基板的共同电极与数据线电性短路的方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可修补可视不良点问题的薄膜晶体管基板及其修护方法。
为达成上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管基板，包括：一基板；复数条扫描线，设置于该基板上；复数条数据线，与该些扫描线相交叉而设置；一扫描线绝缘层设置于该些扫描线与该些数据线之间；复数个薄膜晶体管，每一该薄膜晶体管相对设置于每一该扫描线与每一该数据线的相互交叉区域；一数据线绝缘层，设置该扫描线绝缘层的一上表面，并覆盖该些数据线；以及一共同电极，设置于该数据线绝缘层上，并包括复数个定位通孔，其中该些定位通孔裸露出该数据线绝缘层，并位在该些数据线的正上方。
为达成上述目的，本发明再提供一种薄膜晶体管基板的修护方法，包括下列步骤：提供一薄膜晶体管基板；检测该薄膜晶体管基板，并发现可视不良点；寻找该共同电极与该数据线发生电性短路的电性短路处；以及切断电性短路处附近的该共同电极的一部份，其中该些定位通孔用以作为切断该共同电极的电性短路处的定位点。
本发明的另一目的在于提供一种可避免微粒落于数据线时与共同电极相互电性连接的薄膜晶体管基板。
为达成上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管基板，包括：一基板；复数条扫描线，设置于该基板上；复数条数据线，与该些扫描线相交叉而设置；一扫描线绝缘层设置于该些扫描线与该些数据线之间；复数个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管相对设置于每一扫描线与每一数据线的相互交叉区域；一数据线绝缘层，设置该扫描线绝缘层的一上表面，并覆盖该些数据线；一透明导体层，设置于该数据线绝缘层的一上表面；一透明导体保护层，设置于该透明导体层的一上表面；以及一共同电极，设置于该数据线绝缘层的一上表面。
本发明中所述的薄膜晶体管基板可适用于平面内切换(InPlane Switching，IPS)广视角技术及边缘电场切换(Fringe Field Switching，FFS)技术，其利用该些定位通孔用以作为切断该共同电极的电性短路处的定位点，并切断该电性短路处附近的该共同电极的该部份的上下位置(例如将该共同电极的该部份的上下位置由该定位通孔切割至该条形通孔)，使该共同电极的该部份电性绝缘该共同电极的另一部份，以进行修补可视点不良的问题。或者，利用该透明导体层及该透明导体保护层作为缓冲层使用，以避免微粒落于数据线时与共同电极相互电性连接。
为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显，下文将配合所附图示，作详细说明如下。
附图说明
图1为本发明的一第一实施例的薄膜晶体管基板的局部平面示意图；
图2为图1所示的薄膜晶体管基板沿剖线V1-V1’方向的剖面示意图；
图3为本发明的一种薄膜晶体管基板的修护方法流程图；
图4为本发明的一第二实施例的薄膜晶体管基板的局部平面示意图；
图5为图4所示确薄膜晶体管基板沿剖线V2-V2’方向的剖面示意图；
图6为本发明的一第三实施例的薄膜晶体管基板的局部平面示意图；
图7为图6所示的薄膜晶体管基板沿剖线V3-V3’方向的剖面示意图。
【主要组件符号说明】
100、200、300 薄膜晶体管基板
110 基板
120 扫描线
130、230、330 数据线
140 薄膜晶体管
150、250、350 数据线绝缘层
160、260、360 共同电极
160a、360a 共同电极的部份
160b、360b 共同电极的另一部份
161、 161a 定位通孔
162、162a 条形通孔
170 扫描线绝缘层
180 像素区域
280、380 透明导体层
290、390 透明导体保护层
910 微粒
D1 直径
W1、W2 宽度
S100-S104 步骤。
具体实施方式
图1为本发明的一第一实施例的薄膜晶体管基板的局部平面示意图。图2为图1所示的薄膜晶体管基板沿剖线V1-V1’方向的剖面示意图。
该薄膜晶体管基板100包括：一基板110、复数条扫描线120、复数条数据线130、复数个薄膜晶体管140、一数据线绝缘层150、一共同电极160及一扫描线绝缘层170。该些扫描线120设置于该基板110上。该些数据线130与该些扫描线120相交叉而设置。该扫描线绝缘层170设置于该些扫描线120与该些数据线130之间，并位于该基板110与该些数据线130之间。每一薄膜晶体管140相对设置于每一扫描线120与每一数据线130的相互交叉区域。该数据线绝缘层150设置于该扫描线绝缘层170的一上表面，并覆盖该些数据线130。该共同电极160设置于该数据线绝缘层150上，并包括复数个定位通孔161，其裸露出该数据线绝缘层150。该些定位通孔161皆须位在该些数据线130的正上方。较佳的，该些定位通孔161的上视外形可为矩形，该矩形的宽度W1大于该些数据线130的宽度W2。或者，该些定位通孔161的上视外形可为圆形，该圆形的直径D1大于该些数据线130的宽度W2。
每相邻两条的该些扫描线120及每相邻两条的该些数据线130所围成的区域定义为一像素区域180。较佳的，相邻两像素区域180之间具有两个定位通孔161。共同电极160还包括复数个条形通孔162，该些条形通孔162位于该像素区域180上方。该共同电极160的材质为透明导体，例如铟锡氧化物(ITO)。
在形成该数据线绝缘层150或共同电极160的制程过程中，可能会发生微粒(particle)910或光阻残落于数据线130上方。当该共同电极160受到压力或该数据线绝缘层150发生裂缝时，微粒910将使该共同电极的部份160a与该数据线130发生电性短路。此时，可藉由本发明的薄膜晶体管基板的修护方法，先判断出微粒910的位置(亦即该共同电极160与该数据线130发生电性短路的电性短路处)，然后再将微粒910附近的该共同电极的部份160a进行电性绝缘的动作，例如切断与该数据线130发生电性短路的共同电极的部份160a，使该共同电极的部份160a电性绝缘于该共同电极的另一部份160b电性短路。
图3为本发明的一种薄膜晶体管基板的修护方法流程图，包括下列步骤：
步骤S100：检测薄膜晶体管基板，并发现可视不良点。在本步骤中，请再参考图1及图2，当薄膜晶体管基板100制造完成后，对该些数据线130发出以一检测信号，以发现可视不良点，并预测薄膜晶体管基板100上的该些数据线130与共同电极160发生电性短路。
步骤S102：寻找共同电极与数据线发生电性短路的电性短路处。在本步骤中，当发现该可视不良点时，可利用显微镜寻找该共同电极160与该数据线130发生电性短路的电性短路处。
步骤S104：切断电性短路处附近的共同电极的一部份。在本步骤中，切断该电性短路处附近的该共同电极的部份160a的上下位置，使该共同电极的部份160a电性绝缘该共同电极的另一部份160b。较佳地，可以利用该些定位通孔161用以作为切断该共同电极160的电性短路处的定位点。例如，切断的方法可利用雷射切割的方式，将该共同电极的部份160a的上下位置由该定位通孔161切割至该条形通孔162，使部份的该些条形通孔162a连通部份的该些定位通孔161a，且该共同电极的部份160a电性绝缘该共同电极的另一部份160b。
图4为本发明的一第二实施例的薄膜晶体管基板的局部平面示意图。图5为图4所示的薄膜晶体管基板沿剖线V2-V2’方向的剖面示意图。第二实施例的薄膜晶体管基板200大体上类似于第一实施例的薄膜晶体管基板100，类似的组件标示类似的标号。第二实施例的薄膜晶体管基板200与第一实施例的薄膜晶体管基板100不同的地方在于，该薄膜晶体管基板200还包括一透明导体层280及一透明导体保护层290，且该薄膜晶体管基板200的共同电极260并没有定位通孔。该透明导体层280设置于该数据线绝缘层250的一上表面。该透明导体保护层290设置于该透明导体层280的一上表面。该共同电极260设置于该数据线绝缘层250的一上表面，使该透明导体层280及该透明导体保护层290位在该数据线绝缘层250及该共同电极260之间。该透明导体层280及该透明导体保护层290可作为缓冲层使用，可避免微粒落于数据线230时与共同电极260相互电性连接。该透明导体层280与该共同电极260可为相同材质，例如铟锡氧化物(ITO)。当该共同电极260受到压力或该数据线绝缘层250发生裂缝时，因增加该透明导体层280及该透明导体保护层290，使微粒不会使共同电极260与该数据线230发生电性短路，进而较不会产生视点不良的问题。
图6为本发明的一第三实施例的薄膜晶体管基板的局部平面示意图。图7为图6所示的薄膜晶体管基板沿剖线V3-V3’方向的剖面示意图。第三实施例的薄膜晶体管基板300大体上类似于第一实施例的薄膜晶体管基板100，类似的组件标示类似的标号。第三实施例的薄膜晶体管基板300与第一实施例的薄膜晶体管基板100不同的地方在于，第三实施例的薄膜晶体管基板300还包括一透明导体层380及一透明导体保护层390。该透明导体层380设置于该数据线绝缘层350的一上表面，以及该透明导体保护层390设置于该透明导体层380的一上表面，使该透明导体层380及该透明导体保护层390位在该数据线绝缘层350及该共同电极360之间。该透明导体层380及该共同电极360的材质为铟锡氧化物。该透明导体层380及该透明导体保护层390可作为缓冲层使用，可避免微粒910落于数据线330时与共同电极360相互电性连接。若是微粒过大，导致该共同电极360受到压力或该数据线绝缘层350、 透明导体层380及透明导体保护层390发生裂缝时，微粒910将使该共同电极的部份360a与该数据线330发生电性短路。此时，可藉由上述中的薄膜晶体管基板的修护方法，先判断出微粒910的位置(亦即该共同电极360与该数据线330发生电性短路的电性短路处)，然后再将微粒910附近的该共同电极的部份360a进行电性绝缘的动作，例如切断与该数据线330发生电性短路的共同电极的部份360a，使该共同电极的部份360a电性绝缘于该共同电极360的另一部份360b。
综上可知，本发明的薄膜晶体管基板可适用于平面内切换(In Plane Switching，IPS)广视角技术及边缘电场切换(Fringe Field Switching，FFS)技术，其利用该些定位通孔用以作为切断该共同电极的电性短路处的定位点，并切断该电性短路处附近的该共同电极的该部份的上下位置(例如将该共同电极的该部份的上下位置由该定位通孔切割至该条形通孔)，使该共同电极的该部份电性绝缘该共同电极的另一部份，以进行修补可视点不良的问题。或者，利用该透明导体层及该透明导体保护层作为缓冲层使用，以避免微粒落于数据线时与共同电极相互电性连接。
综上所述，乃仅记载本发明为呈现解决问题所采用的技术手段的实施方式或实施例而已，并非用来限定本发明专利实施的范围。即凡与本发明专利申请范围文义相符，或依本发明专利范围所做的均等变化与修饰，皆为本发明专利范围所涵盖。
Claims (10)
1.一种薄膜晶体管基板，包括：
一基板；
复数条扫描线，设置于该基板上；
复数条数据线，与该些扫描线相交叉而设置；
一扫描线绝缘层设置于该些扫描线与该些数据线之间；
复数个薄膜晶体管，每一该薄膜晶体管相对设置于每一该扫描线与每一该数据线的相互交叉区域；
一数据线绝缘层，设置于该扫描线绝缘层的一上表面，并覆盖该些数据线；以及
一共同电极，设置于该数据线绝缘层上，并包括复数个定位通孔，其中该些定位通孔裸露出该数据线绝缘层，并位在该些数据线的正上方。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，每相邻两条的该些扫描线及每相邻两条的该些数据线所围成的区域定义为一像素区域，且相邻两像素区域之间具有两个该定位通孔。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该些定位通孔的上视外形为矩形，且该些定位通孔的宽度大于该些数据线的宽度。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该些定位通孔的上视外形为圆形，且该些定位通孔的直径大于该些数据线的宽度。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，还包括一透明导体层及一透明导体保护层，该透明导体层设置于该数据线绝缘层的一上表面，以及该透明导体保护层设置于该透明导体层的一上表面，使该透明导体层及该透明导体保护层位在该数据线绝缘层及该共同电极之间。
6.如权利要求1或5所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该共同电极还包括复数个条形通孔，该些条形通孔位于该像素区域上方，部份的该些条形通孔连通部份的该些定位通孔，且该共同电极的一部份电性绝缘于该共同电极的一另一部份。
7.一种薄膜晶体管基板的修护方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供一薄膜晶体管基板，该薄膜晶体管基板为权利要求1-5中的任一项所述的薄膜晶体管基板；
检测该薄膜晶体管基板，并发现可视不良点；
寻找该共同电极与该数据线发生电性短路的电性短路处；以及
切断电性短路处附近的该共同电极的一部份，其中该些定位通孔用以作为切断该共同电极的电性短路处的定位点。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管基板的修护方法，其特征在于，该共同电极还包括复数个条形通孔，其位于该像素区域上方，该薄膜晶体管基板的修护方法更包括利用雷射切割的方式，将该共同电极的该部份的上下位置由该定位通孔切割至该条形通孔。
9.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：
一基板；
复数条扫描线，设置于该基板上；
复数条数据线，与该些扫描线相交叉而设置；
一扫描线绝缘层设置于该些扫描线与该些数据线之间；
复数个薄膜晶体管，每一薄膜晶体管相对设置于每一扫描线与每一数据线的相互交叉区域；
一数据线绝缘层，设置该扫描线绝缘层的一上表面，并覆盖该些数据线；
一透明导体层，设置于该数据线绝缘层的一上表面；
一透明导体保护层，设置于该透明导体层的一上表面；以及
一共同电极，设置于该数据线绝缘层的一上表面。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，该透明导体层及该共同电极的材质为铟锡氧化物。
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