JP6458590B2 - シリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
図1に示したシリコン単結晶引き上げ装置1を用いて直径約300mmのシリコン単結晶の引き上げを行った。上部ヒータ15aに対する下部ヒータ15bのパワー比を常に1とし、分割ヒータを単一ヒータとして機能させて引き上げを行った。その後、得られたシリコン単結晶インゴットから厚さ約0.8mmのシリコンウェーハ609419枚を切り出し、ピンホールの有無を検査した。ピンホールの有無の検査はシリコンウェーハの両面の外観を目視で確認することにより行った。ピンホール発生率は、1本のシリコン単結晶インゴットから得られる全ウェーハ中に含まれるピンホールの総数をそのウェーハの全枚数で割った値である。そして、この検査の結果で得られたピンホール発生率を基準値とした。
シリコン融液生成工程において上部ヒータ15aに対する下部ヒータ15bのパワー比は1.1とし、ボディー部育成工程におけるパワー比は0.5とした点以外は上記比較例1と同一条件下で直径約300mmのシリコン単結晶の引き上げを行った。その後、得られたシリコン単結晶インゴットから厚さ約0.8mmのシリコンウェーハ76999枚を切り出し、ピンホールの有無を検査した。この検査の結果、実施例1のピンホール発生率(比較例1と比べた正規化値)は0.3以下となった。
2 シリコン単結晶
2a ネック部
2b ショルダー部
2c ボディー部
2d テール部
3 シリコン融液
10 チャンバー
10A メインチャンバー
10B プルチャンバー
11 断熱材
12 石英ルツボ
13 サセプタ
14 回転支持軸
15 ヒータ(分割ヒータ)
15a 上部ヒータ
15b 下部ヒータ
16 熱遮蔽体
17 ワイヤー
18 ワイヤー巻き取り機構
19a ガス吸気口
19b ガス排気口
Claims (7)
- 上下にそれぞれ配置された上部ヒータと下部ヒータとを用いて、石英ルツボ内のシリコン融液を加熱し、前記シリコン融液から単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造方法であって、
前記石英ルツボ内のシリコン原料を加熱してシリコン融液を生成するシリコン融液生成工程と、
前記シリコン融液に種結晶を着液させる着液工程と、
結晶直径が徐々に増加したショルダー部を育成するショルダー部育成工程と、
結晶直径が一定に維持されたボディー部を育成するボディー部育成工程とを備え、
前記シリコン融液生成工程における前記上部ヒータに対する前記下部ヒータの第1のパワー比は、前記ボディー部育成工程における前記上部ヒータに対する前記下部ヒータの第2のパワー比よりも大きく、前記第1のパワー比は1.1以上1.5以下であり、前記第2のパワー比は0.5以上0.9以下であることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 - 前記着液工程後であって前記ショルダー部育成工程前に、結晶直径が細く絞られたネック部を育成するネッキング工程をさらに備え、
前記ネッキング工程における前記上部ヒータに対する前記下部ヒータの第3のパワー比は、前記第2のパワー比よりも大きく、前記第3のパワー比は1.1以上1.5以下であることを特徴とする請求項1のシリコン単結晶の製造方法。 - 前記着液工程から前記ショルダー部育成工程の途中あるいは完了までの期間における前記上部ヒータに対する前記下部ヒータの第4のパワー比は、前記第2のパワー比よりも大きく、前記第4のパワー比は1.1以上1.5以下であることを特徴とする請求項1又は2のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記シリコン融液生成工程は、前記石英ルツボ内のシリコン原料を溶融する溶融工程と、前記石英ルツボ内の全てのシリコン原料が溶融した後、前記シリコン融液を一定期間放置して前記シリコン融液を安定化させる融液安定化工程を含み、前記融液安定化工程における前記上部ヒータに対する前記下部ヒータの第5のパワー比は、前記第2のパワー比よりも大きく、前記第5のパワー比は1.1以上1.5以下であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記融液安定化工程における前記一定期間が15時間以上であることを特徴とする請求項4に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記ボディー部育成工程開始時よりも前の工程において、前記第2のパワー比よりも大きなパワー比が採用される時間の合計が51時間以上であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
- 前記上部ヒータ及び前記下部ヒータはともに、前記石英ルツボの周囲を取り囲むように配置された略円筒状の部材であり、前記石英ルツボの直径よりも大きな開口径を有し、前記上部ヒータ及び前記下部ヒータの内側に前記石英ルツボが配置されている、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
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