JP6453871B2 - 有機電子装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、有機電子装置の製造方法、その有機電子装置および前記装置の用途に関するものである。

有機電子装置（ＯＥＤ；Ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅ）の種類には有機発光素子（ＯＬＥＤ、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ）、有機太陽電池、有機感光体（ＯＰＣ）または有機トランジスターなどが含まれる。

有機電子装置は水分などのような外部因子に脆弱な有機層を含んでいるので、例えば、特許文献１〜４等は外来物質の浸透を遮断できる構造を提案している。

特に、基板としてバリア性に優れているガラス基板を用いる場合とは異なり、基板として高分子フィルムなどを用いるフレキシブル構造の場合、前記のような外来物質の浸透遮断がより重要なイシューである。

これに伴い、前記フレキシブル構造では、素子の製作過程において素子の上部全面にバリア層を形成する工程が要求されることがある。

ところで、上部全面にバリア層を形成する場合にも外部回路などと連結されるパッド領域は露出させる必要がある。したがって、前記露出のためにバリア層を形成する際にマスクなどを用いることが考えられるが、これに伴い、工程数が増加して、均一なバリア層の形成が難しくなるという問題もある。特にバリア性の優秀なバリア層を形成するための方法として、いわゆるＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式を適用するようになれば、工程の属性上、マスキング工程を適用すること自体が容易ではない。これに対する代案として、バリア層の形成前に粘着シートなどを前記パッド領域に付着して、バリア層形成後に前記粘着シートを除去する工程も考えられる（例えば、特許文献６）。

ところが、前記工程によれば、粘着シートなどによるパッド領域の汚染が発生する可能性が非常に高く、それにより素子の性能が大きく低下する問題がある。

米国特許第６２２６８９０号明細書 米国特許第６８０８８２８号明細書 特開第２０００−１４５６２７号公報 特開第２００１−２５２５０５号公報 特許第３８６１７５８号明細書 韓国特許第２０１２−００７２７１０号公報

本発明は、有機電子装置の製造方法、その有機電子装置およびその用途を提供する。本発明では、有機電子装置の製造工程におけるパッド領域の露出を単純な工程により効率的に遂行でき、それにより汚染物質の流入なども防止できる方法、その方法により製造された有機電子装置およびその用途を提供することを主な目的とする。

本発明の製造方法は、素子領域とパッド領域とが形成されている基板上にバリア層のような無機物層を形成する過程で、前記パッド領域上に前記パッド領域との密着性が低い高分子層を形成してマスキングし、無機物層の形成後に前記高分子層の除去を通してパッド領域を露出させることを主要内容の一つとする。

本発明の製造方法は、順次積層されている第１電極層；有機層および第２電極層を含む素子領域と、前記第１および第２電極層中の一つ以上と電気的に連結されているパッド領域とが上部に形成されている基板の、少なくとも前記パッド領域上に第１高分子膜を形成する段階；前記基板上に無機物層を形成する段階および前記第１高分子膜を除去してパッド領域を露出させる段階を含むことができる。

前記において、素子領域とパッド領域とが形成されている基板の形態は特に制限されず、公知の内容が適用され得る。

図１は、例示的な前記基板１０１であって、上部に第１電極層２０１１、有機層２０１２および第２電極層２０１３を含む素子領域２０１とパッド領域３０１とが形成されている基板１０１を示している。前記基板には公知の内容により活性領域（例えば、発光領域）を規定する絶縁層が形成されていることもある。

本発明において用語、上部とは特に規定しない限り、第１電極層から第２電極層に向かった方向を意味し、用語、下部とは特に規定しない限り、第２電極層から第１電極層に向かった方向を意味することもある。

以下、明細書では説明の便宜を図るために、前記構造で第１電極層の下部に存在するすべての要素を含む領域を基板領域と称し、第１電極層と第２電極層およびその間に存在するすべての要素を含む領域を素子領域と称することとする。

基板領域に含まれる前記基板１０１としては特に制限されず、公知の素材を用いることができる。例えば、有機電子装置としてフレキシブル装置を実現しようとする場合、基板としては、業界で通常フレキシブル素子の実現に使用できるものとして知られているものを用いることができる。フレキシブル素子の実現に使用できるものとして知られている基板の代表的な例としては、薄膜のガラスフィルムや高分子フィルムなどがある。ガラスフィルムとしては、ソーダ石灰ガラス、バリウム／ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、硼ケイ酸ガラス、バリウム硼ケイ酸ガラスまたは石英などで形成されたフィルムが挙げられ、高分子フィルムとしては、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＥＮ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ））、ＰＥＳ（ｐｏｌｙ（ｅｔｈｅｒ ｓｕｌｆｉｄｅ））またはＰＳ（ｐｏｌｙｓｕｌｆｏｎｅ）等を含むフィルムが挙げられるが、これに制限されるものではない。

有機電子装置が有機発光装置であり、有機層から生成された光が基板領域側に放出されるように設計される装置であれば、前記基板としては透光性フィルムを用いることができる。用語、透光性フィルムとは、例えば、可視光領域のうちいずれか一つの光または全可視光領域の光に対する透過率が５０％以上、６０％以上、７０％以上または８０％以上であるフィルムを意味することもある。ただし、光が基板領域ではなく他の方向に放出されるように設計される場合には、基材フィルムが必ずしも透光性フィルムである必要はない。必要であれば、フィルムの表面などにはアルミニウムなどの反射性物質を使って反射層が形成されていることもある。必要に応じて前記基材フィルムは、駆動用ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）が存在するＴＦＴ基材フィルムであってもよい。

基板として高分子フィルムを用いる場合、前記フィルムとしては熱膨張係数（ＣＴＥ）が５ｐｐｍ／℃〜７０ｐｐｍ／℃の範囲内にあるものを用いることができる。有機電子装置を構成する各層は互いに特性、例えば、膨張または収縮挙動が異なる素材からなり、これにより、温度や湿度などの外部要因または素子の曲げ（ｂｅｎｄｉｎｇ）等によって欠陥（ｄｅｆｅｃｔ）が発生する可能性があるが、このような欠陥の緩和または防止のために基材フィルムの熱膨張係数を調節することができる。前記において、熱膨張係数（ＣＴＥ）の他の下限は、１０ｐｐｍ／℃程度でもよく、他の上限は、例えば、６５ｐｐｍ／℃、６０ｐｐｍ／℃、５５ｐｐｍ／℃または５０ｐｐｍ／℃程度であってもよい。

基板として高分子フィルムを用いる場合、前記フィルムとしてはガラス転移温度が２００℃以上のものを用いることができる。基材フィルム上には高温で進行され得る蒸着やパターン工程などが遂行され、このような場合には最終装置の性能を考慮して基材フィルムのガラス転移温度を前記範囲内に調節することができる。ガラス転移温度は、他の例示においては２１０℃以上、２２０℃以上、２３０℃以上、２４０℃以上または２５０℃以上であり得る。ガラス転移温度の上限は特に制限されず、例えば、４００℃、３５０℃または３００℃程度であり得る。

基板の表面粗さ（ＲＭＳ、Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ）は０．１ｎｍ〜５ｎｍの範囲内に調節され得る。有機電子素子の構造においては、前記基板上部にバリア層を含むことにより耐久性を確保することができるが、基板上部に直接バリア層を形成する場合、ＲＭＳが前記範囲内にある基板表面にバリア層を形成することによって、バリア層の性能を改善することができる。ＲＭＳは、他の例示においては４ｎｍ以下、３ｎｍ以下、２．５ｎｍ以下または２ｎｍ以下であり得る。

有機電子装置が有機発光装置であり、有機層から生成された光が基板領域側に放出されるように設計される装置であれば、基板としては、屈折率が約１．５以上、約１．６以上、約１．７以上または約１．７５以上のものを用いることができる。本明細書において用語、屈折率とは、特に規定しない限り、約５５０ｎｍ波長の光に対して測定した屈折率である。基板の屈折率を前記範囲に調節して、例えば、有機層での光の進行する過程において発生し得る全反射の確率を減らすなどの方式で高い光抽出効率を維持することができる。基板の屈折率の上限は特に制限されず、例えば、２．０程度であり得る。

必要であれば、基板としてはヘイズ（ｈａｚｅ）があるものを用いることができる。ヘイズを持つ場合に基板のヘイズは３％〜９０％の範囲内であり得る。ヘイズの他の下限は、例えば、５％または１０％程度であり得る。また、ヘイズの他の上限は、例えば、８５％、８０％、７５％、７０％、６５％、６０％、５５％、５０％、４５％、４０％、３５％または３０％程度であり得る。基板にヘイズを持たせる方法は特に制限されず、ヘイズを発生させるために通常適用されている方式を適用できる。例えば、高分子フィルムの場合、周辺の高分子マトリックスとは異なる屈折率を有し、適切な平均粒径を有する散乱粒子を添加する方式や、高分子自体にヘイズを表せるようにする単量体、例えば、高分子の主鎖とは異なる範囲の屈折率を表す単量体を重合させて、このような高分子を使ってフィルムを形成する方法などを適用することができる。

基板の厚さは特に制限されず、目的とする性能、例えば、可撓性や光抽出効率またはバリア性を考慮して適正範囲で選択できる。例えば、基板の厚さは１０ｕｍ〜５０ｕｍの範囲内または２０ｕｍ〜３０ｕｍの範囲内であり得る。

基板領域はバリア層を含むことができる。ガラス基板のように、材料の属性上、バリア性の優秀な基板が適用されるリジッド（ｒｉｇｉｄ）素子とは異なり、バリア性の劣る高分子フィルムなどが適用されるフレキシブル素子構造の特性上、基板領域には基材フィルム側から浸透する水分などの外部因子を遮断できるバリア層が要求されることもある。用語、バリア性とは、水分または湿気などのように、有機層などの素子の性能に悪影響を与える恐れがある外部因子の浸透を遮断、抑制または緩和できる性能を意味する。

例えば、バリア層は、ＷＶＴＲ（ｗａｔｅｒ ｖａｐｏｒ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｒａｔｅ、ＷＶＴＲ）が１０^−４ｇ／ｍ^２／ｄａｙ以下であり得る。本明細書でＷＶＴＲは、４０℃および９０％相対湿度条件で測定機（例えば、ＰＥＲＭＡＴＲＡＮ−Ｗ３／３１、ＭＯＣＯＮ、Ｉｎｃ．）を使って測定される数値であり得る。

バリア層の材料としては、水分および酸素などの外部因子の浸透を緩和、防止または抑制できるものとして知られたものを用いることができる。このような素材としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、ＴｉおよびＮｉなどの金属；ＴｉＯ、ＴｉＯ_２、Ｔｉ_３Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_３および、ＣｅＯ_２などの金属酸化物；ＳｉＮなどの金属窒化物；ＳｉＯＮなどの金属酸窒化物；ＭｇＦ_２、ＬｉＦ、ＡｌＦ_３およびＣａＦ_２等の金属フッ化物；ポリエチレンまたはポリプロピレンなどのポリオレフィン；ポリメチル（メタ）クリレートなどのポリ（（メタ）アクリレート）；ポリイミド；ポリウレア；ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、またはクロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンの共重合体などのフッ素系ポリマー；Ｖ３Ｄ３（ｔｒｉｖｉｎｙｌｔｒｉｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｔｒｉｓｉｌｏｘａｎｅ）、ＨＶＤＳＯ（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ）またはＴＶＴＳＯ（１、３、５−ｔｒｉｖｉｎｙｌ−１、１、３、５、５−ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｔｒｉｓｉｌｏｘａｎｅ）等の素材から形成される有機シリコン；主鎖に環状構造を持つフッ素系ポリマー；または前記ポリマーを形成する単量体の中で２種以上の共重合体などやその他吸収率１％以上の吸水性材料や吸収係数０．１％以下の防湿性材料などとして知られた材料を含むことができる。

バリア層は断層構造や多層構造であり得る。多層構造である場合にバリア層は、同種または異種の無機物層や有機物層が積層された構造であるか、あるいは無機物層と有機物層とが積層された構造を含むことができる。多層構造の場合、必ずしも各層がすべてバリア性を持つ材料で形成されなくてもよく、最終的に形成された多層構造が目的とするバリア性を表すことができるのであれば、多層構造のうち一部の層はバリア性がない層で形成することもできる。本発明において用語、無機物層または有機物層は、必ずしも無機物または有機物だけで形成される層を意味するものではなく、それぞれ無機物または有機物を主成分、例えば、重量を基準として６０重量％以上または６０重量％を超過する量で含む層を意味することもある。バリア層の形成過程において発生し得るピンホール（ｐｉｎ ｈｏｌｅ）などのような結合の増殖（ｐｒｏｐａｒｇａｔｉｏｎ）等を防止して、より優秀なバリア性を持つ層を形成する側面からバリア層を多層構造に形成することが好ましい。また、多層構造のバリア層は、後述する屈折率が確保されるバリア層の形成にも有利である。

バリア層は下部に存在する基板との屈折率の差ができる限り小さい方が好ましい。例えば、バリア層と基板との屈折率の差の絶対値は、約１以下、０．７以下、０．５以下または０．３以下であり得る。したがって、基板が前述の通り、高い屈折率を持つ場合にはバリア層もそれと同等な水準の屈折率が確保できる。例えば、バリア層の屈折率は、約１．５以上、約１．６以上、約１．７以上または約１．７５以上であり得る。バリア層の屈折率を前記範囲で調節して、例えば、有機層での光の進行する過程において発生し得る全反射の可能性を減らすなどの方式で高い光抽出効率を維持することができる。バリア層の屈折率の上限は特に制限されず、例えば、２．０程度であり得る。

バリア層は、例えば、第１屈折率を持つ第１サブ層と前記第１屈折率とは異なる第２屈折率を持つ第２サブ層の積層構造を含むことができる。必要な場合、前記積層構造は２回以上繰り返してもよい。例えば、前述の通り、高い屈折率の確保のために、前記第１サブ層としては屈折率が１．４〜１．９の範囲内にある層を形成し、前記第２サブ層としては屈折率が２．０〜２．６である層を形成することができる。このような層がそれぞれ一つ以上形成されて前述した屈折率のバリア層を形成することができる。このような構造の例としては、Ａｌ_２Ｏ_３層およびＴｉＯ_２層の積層構造が挙げられるが、これに制限されるものではない。

バリア層の厚さは特に限定されず、意図した用途に応じて適宜選択できる。例えば、バリア層の厚さは５ｎｍ〜６０ｎｍの範囲内または１０ｎｍ〜５５ｎｍの範囲内であり得る。バリア層が多層構造である場合、多層構造内の各サブ層の厚さの範囲は、例えば約０．５ｎｍ〜１０ｎｍまたは約０．５ｎｍ〜５ｎｍの範囲内であり得る。

優秀なバリア性そして必要な場合に高い屈折率の達成のためにバリア層を形成する条件を調節できる。高いバリア性を確保する方法としては、バリア層を平坦面、例えば、表面粗さ（ＲＭＳ、Ｒｏｏｔ Ｍｅａｎ Ｓｑｕａｒｅ）が５ｎｍ以下、４．５ｎｍ以下、４．０ｎｍ以下、３．５ｎｍ以下、３．０ｎｍ以下、２．５ｎｍ以下、２．０ｎｍ以下、１．５ｎｍ以下、１．０ｎｍ以下または０．５ｎｍ以下の面に形成する方式が挙げられる。バリア層を前記のような平坦面上に形成することによって、優秀な膜質を持ち高いバリア性を確保できる層を得ることができる。バリア層が形成される面の表面粗さは、それ自体の平坦度が優秀な素材を用いて調節するか、あるいは後述するようにバッファー層等を通して調節することができる。高いバリア性を確保する他の方式としては、バリア層の形成過程での温度を調節する方式がある。すなわち、通常、バリア層は物理的または化学的蒸着方式を用いて形成することができるが、この過程において蒸着温度を高温、例えば、２００℃以上の水準に調節する場合に、バリア層が形成される面の平坦度が前記の通りに調節されない場合にも優秀なバリア性を確保することができる。

高いバリア性を確保する他の方式としてはバリア層またはそのバリア層が形成される面となるバッファー層を形成する方式を調節する方式がある。すなわち、通常、バリア層またはバッファー層は、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、ＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、電子ビーム蒸着（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはＬ−ＭＢＥ（Ｌａｓｅｒ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）などのようなＰＶＤ（ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＨＶＰＥ（Ｈｙｄｒｉｄｅ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔａｘｙ）、ｉＣＶＤ（ｉｎｉｔｉａｔｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＥＣＶＤ（Ｐｌａｓｍａ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）またはＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＭＬＤ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）等の方式で形成できるが、用いられる素材により適した形成方式を選択することによって、バリア層またはバッファー層の性能を極大化することができる。前記本発明に係る材料を用いた層の形成にはＣＶＤ方式を適用することができ、特にＡＬＤまたはｉＣＶＤ方式を適用することができる。より適した性能の確保のために無機物層の形成にはＡＬＤ方式を適用し、有機物層の形成にはｉＣＶＤ方式を適用することができる。本明細書において用語、ＡＬＤ層とは、ＡＬＤ方式で形成された層を指し、ｉＣＶＤ層はｉＣＶＤ方式で形成された層を指す。

基板領域は、追加の層を含むことができる。基板領域に追加的に存在できる層としては、散乱層、バッファー層、キャリア基板、バリアフィルムまたは接着層などが挙げられる。

バッファー層は、層間密着性の確保またはバリア層の形成時のように平坦面が要求される場合に形成することができる。バッファー層が形成され得る位置としては、前記基板の上部、後述する散乱層が形成される場合にその上部またはバリア層と第１電極層の間などが挙げられるが、これに制限されるものではない。後述するように必要な場合には上部領域にもバッファー層を形成することができ、本明細書においては、区別の便宜を図るために基板領域に形成されるバッファー層を第１バッファー層とし、上部領域に形成されるバッファー層を第２バッファー層とする。

有機層から光が発生し、発生した光が基板領域側に放出されるように設計される場合に、前記バッファー層は高屈折層に形成され得る。本明細書において用語、高屈折層とは、屈折率が１．６以上、１．６５以上、１．７以上または１．７５以上である層を意味することもある。高屈折層の屈折率の上限は特に制限されず、例えば、約２．５または２．０程度であり得る。

バッファー層を形成する素材は、効率的な形成が可能で、層間密着性や平坦度を適切に確保できるものであれば特に制限されない。バッファー層は、例えば、Ａｌなどの金属、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｖ、ＳｉＮｘ、ＡｌＯｘ、ＺｎＳｎＯｘ、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ、ＺｎＳ、ＭｇＯまたはＳｎＯｘなどの無機素材、ポリイミド、フルオレン環を持つカルド系樹脂（ｃａｌｄｏ ｒｅｓｉｎ）、ウレタン、エポキシド、ポリエステル、ポリアミック酸、ポリイミド、ポリエチレンイミン、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリチオール、ポリ（（メタ）アクリレート）またはＶ３Ｄ３（ｔｒｉｖｉｎｙｌｔｒｉｍｅｔｈｙｌｃｙｃｌｏｔｒｉｓｉｌｏｘａｎｅ）、ＨＶＤＳＯ（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌｏｘａｎｅ）またはＴＶＴＳＯ（１、３、５−ｔｒｉｖｉｎｙｌ−１、１、３、５、５−ｐｅｎｔａｍｅｔｈｙｌｔｒｉｓｉｌｏｘａｎｅ）等の素材から形成される有機シリコンなどのような有機素材などを用いて形成することができる。他の例示においてバッファー層は、ジルコニウム、チタンまたはセリウムなどの金属のアルコキシドまたはアシレート（ａｃｙｌａｔｅ）等の化合物をカルボキシル基またはヒドロキシ基などの極性基を持つバインダーと配合した素材を用いて形成することもできる。前記アルコキシドまたはアシレートなどの化合物はバインダーにある極性基と縮合反応して、バインダーの骨格内に前記金属を含ませて高屈折率を実現することができる。前記アルコキシドまたはアシレート化合物の例としては、テトラ−ｎ−ブトキシチタン、テトライソプロポキシチタン、テトラ−ｎ−プロポキシチタンまたはテトラエトキシチタンなどのチタンアルコキシド、チタンステアレート（ｓｔｅａｒａｔｅ）等のチタンアシレート、チタンキレート類、テトラ−ｎ−ブトキシジルコニウム、テトラ−ｎ−プロポキシジルコニウム、テトライソプロポキシジルコニウムまたはテトラエトキシジルコニウムなどのジルコニウムアルコキシド、ジルコニウムトリブトキシステアレートなどのジルコニウムアシレート、ジルコニウムキレート類などが挙げられる。

バッファー層を、前述した素材の中で適切な素材を選択して形成することができる。バッファー層が高い屈折率を持つことが要求される場合に、前述した素材の中でそれ自体の屈折率が高い素材を選択するか、あるいは前記において、選択された適切な素材と高屈折粒子を配合し、あるいは素材のうちにＴｉ前駆体（Ｔｉ ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）などのような高屈折物質を導入した素材を用いることができる。前記において、用語「高屈折粒子」とは、例えば、屈折率が１．５以上、２．０以上２．５以上、２．６以上または２．７以上である粒子を意味することもある。高屈折粒子の屈折率の上限は、例えば、目的とする屈折率を満足させることができる範囲で選択することができる。高屈折粒子は、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍ、１０ｎｍ〜９０ｎｍ、１０ｎｍ〜８０ｎｍ、１０ｎｍ〜７０ｎｍ、１０ｎｍ〜６０ｎｍ、１０ｎｍ〜５０ｎｍまたは１０ｎｍ〜４５ｎｍ程度の平均粒径を有することができる。高屈折粒子としては、アルミナ、アルミノシリケート、酸化チタンまたは酸化ジルコニウムなどが挙げられる。高屈折粒子としては、例えば、屈折率が２．５以上である粒子として、ルチル型酸化チタンを用いることができる。ルチル型の酸化チタンはその他の粒子に比べて高い屈折率を持っており、したがって相対的に少ない比率でも目的とする屈折率への調節が可能である。

バッファー層を形成する方式は特に制限されず、例えば、前述したＰＶＤまたはＣＶＤ中で適切な方式を適用することができる。他の例示においてバッファー層は、チタンアルコキシドまたはジルコニウムアルコキシドなどの金属アルコキシドおよびアルコールまたは水などの溶媒を配合してコーティング液を製造して、これを塗布した後に適正な温度で焼成するゾルゲルコート方式などを含む多様な湿式または乾式コート方式で形成することもできる。

バッファー層の厚さは特に制限されず、バッファー層が形成される位置およびその要求機能などを考慮して適宜選択することができる。例えば、バッファー層が平坦面を確保するために散乱層上に形成される場合には、平坦面の確保のために基板上に形成される場合に比べて多少高い厚さが要求されることもある。

基板領域の適切なヘイズの確保のために、基板領域は散乱層をさらに含むことができる。本発明において用語、散乱層とは、例えば、前記層に入射される光を散乱、屈折または回折させることができるように形成されるすべての種類の層を意味することもある。散乱層は前記のような機能を遂行できるように具現される限り、具現形態は特に制限されず、公知の素材および方式を通して具現され得る。

基板領域に含まれ得る他の層としては、バリアフィルムが挙げられる。ガラス基板などのように材料属性上、バリア性の優秀な基板が用いられるリジッド構造に比べてフレキシブル構造ではバリア性が相対的に低い基板が適用され、これにより、バリア性の補完のために追加のバリアフィルムが例えば基板の下部に存在することができる。バリアフィルムとしては特に制限されず、適切なバリア性と必要な場合に透光性が確保できるものを用いることができる。

バリアフィルムは例えば、接着層によって基板に付着されていることができる。本発明において用語、接着層とは、通常、接着剤として呼称されている物質はもちろん、いわゆる粘着剤として呼称される素材または粘接着剤として呼称される素材などを用いて形成された層も包括する用語である。前記接着層を形成する素材は特に制限されず、例えば、アクリルポリマー、シリコンポリマー、ゴム系ポリマー、ＥＶＡ（Ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｖｉｎｙｌ ａｃｅｔａｔｅ）ポリマーまたはＰＩＢ（ｐｏｌｙｉｓｏｂｕｔｙｌｅｎｅ）などのようなオレフィンポリマーなどのような公知の粘／接着素材を用いて形成することができる。

必要な場合には前記接着層には適切な水分遮断素材が配合され得る。以下、本明細書において水分遮断素材が配合された接着層は遮断性接着層と称することがある。本明細書において用語、「水分遮断素材」とは、物理的または化学的反応等を通して、外部から流入する水分または湿気などを吸着または除去できる成分を総称する意味で使われることがある。接着層に配合され得る水分遮断素材の具体的な種類は特に制限されず、例えば、金属酸化物、有機金属酸化物、金属塩または五酸化燐（Ｐ_２Ｏ_５）等の一種または２種以上の混合物が挙げられる。前記において、金属酸化物の具体的な例としては、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）、酸化ナトリウム（Ｎａ_２Ｏ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）または酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等が挙げられ、金属塩の例としては、硫酸リチウム（Ｌｉ_２ＳＯ_４）、硫酸ナトリウム（Ｎａ_２ＳＯ_４）、硫酸カルシウム（ＣａＳＯ_４）、硫酸マグネシウム（ＭｇＳＯ_４）、硫酸コバルト（ＣｏＳＯ_４）、硫酸ガリウム（Ｇａ_２（ＳＯ_４）_３）、硫酸チタン（Ｔｉ（ＳＯ_４）_２）または硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ_４）などのような硫酸塩、塩化カルシウム（ＣａＣｌ_２）、塩化マグネシウム（ＭｇＣｌ_２）、塩化ストロンチウム（ＳｒＣｌ_２）、塩化イットリウム（ＹＣｌ_３）、塩化銅（ＣｕＣｌ_２）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化タンタリウム（ＴａＦ_５）、フッ化ニオブ（ＮｂＦ_５）、臭化リチウム（ＬｉＢｒ）、臭化カルシウム（ＣａＢｒ_２）、臭化セシウム（ＣｅＢｒ_３）、臭化セレニウム（ＳｅＢｒ_４）、臭化バナジウム（ＶＢｒ_３）、臭化マグネシウム（ＭｇＢｒ_２）、ヨード化バリウム（ＢａＩ_２）またはヨード化マグネシウム（ＭｇＩ_２）などのような金属ハロゲン化物；または過塩素酸バリウム（Ｂａ（ＣｌＯ_４）_２）または過塩素酸マグネシウム（Ｍｇ（ＣｌＯ_４）_２）などのような金属塩素酸塩などが挙げられるが、これに制限されるものではない。

必要な場合に前記接着層には適切な散乱粒子が配合されていることもでき、これにより、接着層自体が適切なヘイズを表すこともできる。接着層にヘイズを表せるようにする場合には光抽出効率が改善され得る。接着層に配合され得る散乱粒子の種類は特に制限されず、接着層を形成する樹脂の屈折率を考慮して前記散乱層に含まれる散乱粒子の中で適切な種類を選択して用いることができる。

さらに、基板領域に存在できる他の層としては、前記基板の下部に一時的または永久的に付着されていることができるキャリア基板が挙げられる。通常キャリア基板としてはガラス基板のような剛性基板が適用され得る。

前記のような各構成を含むことができる基板領域は、多様な構造で形成され得る。例えば、基板領域は、下部方向にバリア層と基板が順次形成された構造、下部方向にバリア層とバッファー層と基板が順次形成された構造、下部方向にバリア層と散乱層と基板が順次形成された構造または下部方向にバリア層とバッファー層と散乱層と基板が順次形成された構造を含むことができる。また、基板領域は基板の下部にキャリア基板が形成されている構造または基板の下部に水分遮断素材および／または散乱粒子を含むことができる接着層とバリアフィルムが順次形成されている構造を含むこともできる。

基板領域の上部に存在する素子領域は第１電極層と第２電極層を含み、前記第１および第２電極層の間に存在する有機層をさらに含むことができる。前記において、第１および第２電極層は、有機電子装置で通常使われる正孔注入性または電子注入性電極層であり得る。通常、第１および第２電極層中のいずれか一つは正孔注入性電極層で形成され、他の一つは電子注入性電極層で形成され得る。また、通常、第１および第２電極層中のいずれか一つは透明電極層で形成され、他の一つは反射電極層で形成され得る。

正孔注入性である電極層は、例えば、相対的に高い仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）を持つ材料を用いて形成することができ、必要な場合に透明または反射材料を用いて形成することができる。例えば、正孔注入性電極層は、仕事関数が約４．０ｅＶ以上の金属、合金、電気伝導性化合物または前記のうち２種以上の混合物を含むことができる。このような材料としては、金などの金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺＴＯ（Ｚｉｎｃ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、アルミニウムまたはインジウムがドープされた亜鉛オキシド、マグネシウムインジウムオキシド、ニッケルタングステンオキシド、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２またはＩｎ_２Ｏ_３等の酸化物材料や、ガリウムニトライドのような金属ニトライド、亜鉛セレニドなどのような金属セレニド、亜鉛スルフィドのような金属スルフィドなどが挙げられる。透明な正孔注入性電極層は、また、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕなどの金属薄膜とＺｎＳ、ＴｉＯ_２またはＩＴＯなどのような高屈折の透明物質の積層体などを用いて形成することもできる。

正孔注入性電極層は、蒸着、スパッタリング、化学蒸着または電気化学的手段などの任意の手段によって形成され得る。また、必要に応じて形成された電極層は公知されたフォトリソグラフィやシャドーマスクなどを用いた工程を通してパターン化することもできる。

電子注入性電極層は、例えば、相対的に小さい仕事関数を持つ材料を用いて形成することができ、例えば、前記正孔注入性電極層の形成のために用いられる素材の中で適切な透明または反射素材を用いて形成することができるが、これに制限されるものではない。電子注入性電極層も、例えば、蒸着法またはスパッタリング法などを用いて形成することができ、必要な場合に適切にパターニングすることができる。

電極層の厚さは、例えば、約９０ｎｍ〜２００ｎｍ、９０ｎｍ〜１８０ｎｍまたは約９０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度の厚さを持つように形成することができる。

第１および第２電極層の間には有機層が存在する。前記有機層は少なくとも２個の発光ユニットを含むことができる。このような構造において、発光ユニットから発生した光は反射電極層によって反射する過程などを経て透明電極層側に放出することができる。

有機層は、第１発光中心波長を持つ第１発光ユニットと第２発光中心波長を持つ第２発光ユニットを含むことができ、必要であれば、それ以上の発光ユニットを含むこともできる。また、有機層が前記の通りに複数の発光ユニットを含む構造である場合、適切な発光のために各発光ユニットの間には中間電極層または電荷発生層がさらに存在することができる。したがって発光ユニットは電荷発生特性を持つ中間電極層や電荷発生層（ＣＧＬ；Ｃｈａｒｇｅ Ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ Ｌａｙｅｒ）等によって分割されている構造を有することもできる。

発光ユニットを構成する材料は特に制限されない。業界では多様な発光中心波長を有する蛍光または燐光有機材料が公知されていて、このような公知材料の中で適切な種類を選択して前記発光ユニットを形成することができる。発光ユニットの材料としては、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（ｔｒｉｓ（４−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ（ＩＩＩ））（Ａｌｇ３）、４−ＭＡｌｑ３またはＧａｑ３等のＡｌｑ系列の材料、Ｃ−５４５Ｔ（Ｃ_２６Ｈ_２６Ｎ_２Ｏ_２Ｓ）、ＤＳＡ−アミン、ＴＢＳＡ、ＢＴＰ、ＰＡＰ−ＮＰＡ、スピロ−ＦＰＡ、Ｐｈ_３Ｓｉ（ＰｈＴＤＡＯＸＤ）、ＰＰＣＰ（１、２、３、４、５−ｐｅｎｔａｐｈｅｎｙｌ−１、３−ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）などのようなシクロペナジエン（ｃｙｃｌｏｐｅｎａｄｉｅｎｅ）誘導体、ＤＰＶＢｉ（４、４’−ｂｉｓ（２、２’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｙｉｎｙｌ）−１、１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ジスチリルベンゼンまたはその誘導体またはＤＣＪＴＢ（４−（Ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−６−（１、１、７、７、−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｊｕｌｏｌｉｄｙｌ−９−ｅｎｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）、ＤＤＰ、ＡＡＡＰ、ＮＰＡＭＬＩ、；またはＦｉｒｐｉｃ、ｍ−Ｆｉｒｐｉｃ、Ｎ−Ｆｉｒｐｉｃ、ｂｏｎ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、（Ｃ_６）_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｂｔ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｄｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｂｚｑ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｂｏ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、Ｆ_２Ｉｒ（ｂｐｙ）、Ｆ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｏｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｐｐｙ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ｔｐｙ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ＦＩｒｐｐｙ（ｆａｃ−ｔｒｉｓ［２−（４、５’−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎｅ−Ｃ’２、Ｎ］ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ））またはＢｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（２−（２’−ｂｅｎｚｏ［４、５−ａ］ｔｈｉｅｎｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ、Ｃ３’）ｉｒｉｄｉｕｍ（ａｃｅｔｙｌａｃｔｏｎａｔｅ））などのような燐光材料などが挙げられるが、これに制限されるものではない。発光ユニットは、前記材料をホスト（ｈｏｓｔ）として含み、またペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ジスチリルビフェニル（ｄｉｓｔｙｒｙｌｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＤＰＴ、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）、ルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）、ＢＴＸ、ＡＢＴＸまたはＤＣＪＴＢなどをドーパントで含むホスト−ドーパントシステム（Ｈｏｓｔ−Ｄｏｐａｎｔ ｓｙｓｔｅｍ）を有することもできる。

発光ユニットはさらに後述する電子受容性有機化合物または電子供与性有機化合物の中で発光特性を表す種類を適切に採用して形成することもできる。

有機層は、発光ユニットを含む限り、当該分野に公知された他の多様な機能性層をさらに含む多様な構造で形成することができる。有機層に含まれ得る層としては、電子注入層、正孔阻止層、電子輸送層、正孔輸送層および正孔注入層などが挙げられる。

電子注入層または電子輸送層は、例えば、電子受容性有機化合物（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ａｃｃｅｐｔｉｎｇ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を用いて形成することができる。前記において、電子受容性有機化合物としては、特に制限されず、公知された任意の化合物を用いることができる。このような有機化合物としては、ｐ−ターフェニル（ｐ−ｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）またはクオターフェニル（ｑｕａｔｅｒｐｈｅｎｙｌ）などのような多環化合物またはその誘導体、ナフタレン（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）、テトラセン（ｔｅｔｒａｃｅｎｅ）、ピレン（ｐｙｒｅｎｅ）、コロネン（ｃｏｒｏｎｅｎｅ）、クリセン（ｃｈｒｙｓｅｎｅ）、アントラセン（ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ジフェニルアントラセン（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ナフタセン（ｎａｐｈｔｈａｃｅｎｅ）またはフェナントレン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｅｎｅ）などのような多環炭化水素化合物またはその誘導体、フェナントロリン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、バソフェナントロリン（ｂａｔｈｏｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、フェナントリジン（ｐｈｅｎａｎｔｈｒｉｄｉｎｅ）、アクリジン（ａｃｒｉｄｉｎｅ）、キノリン（ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）、キノキサリン（ｑｕｉｎｏｘａｌｉｎｅ）またはフェナジン（ｐｈｅｎａｚｉｎｅ）等の複素還化合物またはその誘導体などが挙げられる。また、フルオレセイン（ｆｌｕｏｒｏｃｅｉｎｅ）、ペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）、フタロペリレン（ｐｈｔｈａｌｏｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ナフタロペリレン（ｎａｐｈｔｈａｌｏｐｅｒｙｌｅｎｅ）、ペリノン（ｐｅｒｙｎｏｎｅ）、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン（ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、テトラフェニルブタジエン（ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｂｕｔａｄｉｅｎｅ）、オキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、アルダジン（ａｌｄａｚｉｎｅ）、ビスベンゾオキサゾリン（ｂｉｓｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｉｎｅ）、ピススチリル（ｂｉｓｓｔｙｒｙｌ）、ピラジン（ｐｙｒａｚｉｎｅ）、シクロペンタジエン（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｅ）、オキシン（ｏｘｉｎｅ）、アミノキノリン（ａｍｉｎｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）、イミン（ｉｍｉｎｅ）、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール（ｄｉａｍｉｎｏｃａｒｂａｚｏｌｅ）、ピラン（ｐｙｒａｎｅ）、チオピラン（ｔｈｉｏｐｙｒａｎｅ）、ポリメチン（ｐｏｌｙｍｅｔｈｉｎｅ）、メロシアニン（ｍｅｒｏｃｙａｎｉｎｅ）、キナクリドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）またはルブレン（ｒｕｂｒｅｎｅ）等やその誘導体、特開第１９８８−２９５６９５号公報、特開第１９９６−２２５５７号公報、特開第１９９６−８１４７２号公報、特開第１９９３−００９４７０号公報または特開第１９９３−０１７７６４号公報などの公報で開示する金属キレート錯体化合物、例えば、金属キレート化オキサノイド化合物であるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム［ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ］、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス［ベンゾ（エフ）−８−キノリノラト］亜鉛｛ｂｉｓ［ｂｅｎｚｏ（ｆ）−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ］ｚｉｎｃ｝、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、トリス（８−キノリノラト）インジウム［ｔｒｉｓ（８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ）ｉｎｄｉｕｍ］、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウムなどの８−キノリノラトまたはその誘導体を一つ以上持つ金属錯体、特開第１９９３−２０２０１１号公報、特開第１９９５−１７９３９４号公報、特開第１９９５−２７８１２４号公報または特開第１９９５−２２８５７９号公報などの公報に開示されたオキサジアゾール（ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）化合物、特開第１９９５−１５７４７３号公報などに開示されたトリアジン（ｔｒｉａｚｉｎｅ）化合物、特開第１９９４−２０３９６３号公報などに開示されたスチルベン（ｓｔｉｌｂｅｎｅ）誘導体や、ジスチリルアリーレン（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）誘導体、特開第１９９４−１３２０８０号公報または日本特開第１９９４−８８０７２号公報などに開示されたスチリル誘導体、特開第１９９４−１００８５７号公報や特開第１９９４−２０７１７０号公報などに開示されたジオレフィン誘導体；ベンゾオキサソール（ｂｅｎｚｏｏｘａｚｏｌｅ）化合物、ベンゾチアゾール（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｅ）化合物またはベンゾイミダゾール（ｂｅｎｚｏｉｍｉｄａｚｏｌｅ）化合物などの蛍光増白剤；１、４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１、４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン、１、４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１、４−ビス（２−エチルスチリル）ベンジル、１、４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１、４−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼンまたは１、４−ビス（２−メチルスチリル）−２−エチルベンゼンなどのようなジスチリルベンゼン（ｄｉｓｔｙｒｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）化合物；２、５−ビス（４−メチルスチリル）ピラジン、２、５−ビス（４−エチルスチリル）ピラジン、２、５−ビス［２−（１−ナフチル）ビニル］ピラジン、２、５−ビス（４−メトキシスチリル）ピラジン、２、５−ビス［２−（４−ビフェニル）ビニル］ピラジンまたは２、５−ビス［２−（１−ピレニル）ビニル］ピラジンなどのジスチリルピラジン（ｄｉｓｔｙｒｙｌｐｙｒａｚｉｎｅ）化合物、１、４−フェニレンジメチルリジン、４、４’−フェニレンジメチルリジン、２、５−キシレンジメチルリジン、２、６−ナフチレンジメチルリジン、１、４−ビフェニレンジメチルリジン、１、４−パラ−ターフェニレンジメチルリジン、９、１０−アントラセンジイルジメチルリジン（９、１０−ａｎｔｈｒａｃｅｎｅｄｉｙｌｄｉｍｅｔｈｙｌｉｄｉｎｅ）または４、４’−（２、２−ジ−ティ−ブチルフェニルビニル）ビフェニル、４、４’−（２、２−ジフェニルビニル）ビフェニルなどのようなジメチルリジン（ｄｉｍｅｔｈｙｌｉｄｉｎｅ）化合物またはその誘導体、特開第１９９４−４９０７９号公報または特開第１９９４−２９３７７８号公報などに開示されたシラナミン（ｓｉｌａｎａｍｉｎｅ）誘導体、特開第１９９４−２７９３２２号公報または特開第１９９４−２７９３２３号公報などに開示された多官能スチリル化合物、特開第１９９４−１０７６４８号公報または特開第１９９４−０９２９４７号公報などに開示されているオキサジアゾール誘導体、特開第１９９４−２０６８６５号公報などに開示されたアントラセン化合物、特開第１９９４−１４５１４６号公報などに開示されたオキシネート（ｏｘｙｎａｔｅ）誘導体、特開第１９９２−９６９９０号公報などに開示されたテトラフェニルブタジエン化合物、特開第１９９１−２９６５９５号公報などに開示された有機３官能化合物、特開第１９９０−１９１６９４号公報などに開示されたクマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）誘導体、特開第１９９０−１９６８８５号公報などに開示されたペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）誘導体、特開第１９９０−２５５７８９号公報などに開示されたナフタレン誘導体、特開第１９９０−２８９６７６号公報や特開第１９９０−８８６８９号公報などに開示されたフタロペリノン（ｐｈｔｈａｌｏｐｅｒｙｎｏｎｅ）誘導体または特開第１９９０−２５０２９２号公報などに開示されたスチリルアミン誘導体なども低屈折層に含まれる電子受容性有機化合物として用いることができる。また、前記において、電子注入層は、例えば、ＬｉＦまたはＣｓＦなどのような材料を用いて形成することもできる。

正孔阻止層は、注入された正孔この発光ユニットを通って電子注入性電極層に進入することを防止して素子の寿命と効率を向上させることができる層であり、必要な場合に公知の材料を使用して発光ユニットと電子注入性電極層の間の適切な部分に形成することができる。

正孔注入層または正孔輸送層は、例えば、電子供与性有機化合物（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｄｏｎａｔｉｎｇ ｏｒｇａｎｉｃ ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含むことができる。電子供与性有機化合物としては、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニル−４、４’−ジアミノフェニル、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−４、４’−ジアミノビフェニル、２、２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−４、４’−ジアミノビフェニル、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−４、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニル−４、４’−ジアミノジフェニルエーテル、４、４’−ビス（ジフェニルアミノ）クアドリフェニル［４、４’−ｂｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｑｕａｄｒｉｐｈｅｎｙｌ］、４−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４’−Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン、Ｎ−フェニルカルバゾール、１、１−ビス（４−ジ−ｐ−トリアミノフェニル）シクロヘキサン、１、１−ビス（４−ジ−ｐ−トリアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、Ｎ、Ｎ、Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニル−４、４’−ジアミノビフェニルＮ−フェニルカルバゾール、４、４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル、４、４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ｐ−ターフェニル、４、４’−ビス［Ｎ−（２−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４、４’−ビス［Ｎ−（３−アセナフテニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、１、５−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ナフタレン、４、４’−ビス［Ｎ−（９−アントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルフェニルアミノ］ビフェニル、４、４’−ビス［Ｎ−（１−アントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］−ｐ−ターフェニル、４、４’−ビス［Ｎ−（２−フェナントリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４、４’−ビス［Ｎ−（８−フルオランテニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４、４’−ビス［Ｎ−（２−ピレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４、４’−ビス［Ｎ−（２−ペリレニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４、４’−ビス［Ｎ−（１−コロネニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（４、４’−ｂｉｓ［Ｎ−（１−ｃｏｒｏｎｅｎｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ］ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、２、６−ビス（ジ−ｐ−トリルアミノ）ナフタレン、２、６−ビス［ジ−（１−ナフチル）アミノ］ナフタレン、２、６−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ］ナフタレン、４、４’−ビス［Ｎ、Ｎ−ジ（２−ナフチル）アミノ］ターフェニル、４、４’−ビス｛Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（１−ナフチル）フェニル］アミノ｝ビフェニル、４、４’−ビス［Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ピレニル）アミノ］ビフェニル、２、６−ビス［Ｎ、Ｎ−ジ−（２−ナフチル）アミノ］フルオレンまたは４、４’−ビス（Ｎ、Ｎ−ジ−ｐ−トリルアミノ）ターフェニル、およびビス（Ｎ−１−ナフチル）（Ｎ−２−ナフチル）アミンなどのようなアリールアミン化合物が代表的に例示されるが、これに制限されるものではない。

正孔注入層や正孔輸送層は、有機化合物を高分子中に分散させるか、前記有機化合物から由来した高分子を用いて形成することもできる。また、ポリパラフェニレンビニレンおよびその誘導体などのように、いわゆるｐ−共役高分子（ｐ−ｃｏｎｊｕｇａｔｅｄ ｐｏｌｙｍｅｒｓ）、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）等の正孔輸送性非共役高分子またはポリシランのｓ−共役高分子なども用いることができる。

正孔注入層は、銅フタロシアニンのような金属フタロシアニンや非金属フタロシアニン、カーボン膜およびポリアニリンなどの電気的に伝導性の高分子を用いて形成するか、前記アリールアミン化合物を酸化剤としてルイス酸（Ｌｅｗｉｓ ａｃｉｄ）と反応させて形成することもできる。

前記のような素材で形成される有機層の具体的な構造は特に制限されない。この分野では正孔または電子注入電極層と有機層、例えば、発光ユニット、電子注入または輸送層、正孔注入または輸送層を形成するための多様な素材およびその形成方法が公知されていて、前記有機電子装置の製造には前記のような方式をすべて適用することができる。

本発明の製造方法においては、前記のような素子領域とパッド領域とが形成されている基板の上部に第１高分子膜を形成する過程を含む。この時、前記高分子膜は素子領域とパッド領域とを含むすべての基板の表面に形成することができ、パッド領域の上部にのみ形成することもできるが、工程効率の側面からパッド領域の上部にのみ形成した方が良い。パッド領域の上部にのみ第１高分子膜を形成するためには、例えば、後述する高分子膜の形成過程で適切なマスキング工程を適用する方式を用いることができる。

前記第１高分子膜はパッド領域との接着力が低い素材、あるいはパッド領域とは接着しない素材を用いて形成することができる。

通常、パッド領域が前記言及した第１または第２電極層の延長により形成されている点を考慮すれば、前記のような素材としては疏水性を持つ高分子素材が挙げられる。

疏水性を持ち、パッド領域との接着力が低い、あるいは接着力を示さない高分子素材は業界で容易に認識することができ、例えば、前記素材としては、ハロゲンで置換された炭化水素基（ハロゲン化炭化水素基）または炭化水素基のような疏水性の官能基を含む高分子素材が挙げられる。

本明細書において用語、炭化水素基は、特に規定しない限り、炭素と水素からなる化合物またはそのような化合物の誘導体から誘導される１価残基を意味することがある。例えば、炭化水素基は、１個〜２５個の炭素原子を含むことができる。炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基またはアリール基などが挙げられる。前記のような炭化水素基にハロゲン原子が少なくとも１個置換されている官能基、すなわちハロゲン化炭化水素基を適正比率含む高分子は疏水性を示し、通常、パッド領域の製作に適用される素材と低い接着性を示す。前記において、炭化水素基に置換されていることができるハロゲン原子の種類は特に制限されず、例えば、フッ素基が置換されていてもよい。

一方、本明細書において用語、アルキル基とは、特に規定しない限り、炭素数１〜２０、炭素数１〜１６、炭素数１〜１２、炭素数１〜８または炭素数１〜４のアルキル基を意味することもある。前記アルキル基は直鎖型、分枝鎖型または環型であり得る。また、前記アルキル基は任意的に一つ以上の置換基で置換されていてもよい。

本明細書において用語、アルケニル基は、特に規定しない限り、炭素数２〜２０、炭素数２〜１６、炭素数２〜１２、炭素数２〜８または炭素数２〜４のアルケニル基を意味することもできる。前記アルケニル基は直鎖型、分枝鎖型または環型であり、任意的に一つ以上の置換基で置換されていてもよい。

本明細書において用語、アルキニル基は、特に規定しない限り、炭素数２〜２０、炭素数２〜１６、炭素数２〜１２、炭素数２〜８または炭素数２〜４のアルキニル基を意味することもある。前記アルキニル基は直鎖型、分枝鎖型または環型であり、任意的に一つ以上の置換基で置換されていてもよい。

本明細書において用語、アリール基は、特に規定しない限り、ベンゼン環または２個以上のベンゼン環が連結されているか、一つまたは２個以上の炭素原子を共有しつつ縮合または結合した構造を含む化合物またはその誘導体から由来する１価残基を意味することもある。本明細書におけるアリール基の範囲には通常、アリール基と呼称される官能基はもちろん、いわゆるアラルキル基（ａｒａｌｋｙｌ ｇｒｏｕｐ）またはアリールアルキル基なども含まれ得る。アリール基は、例えば、炭素数６〜２５、炭素数６〜２１、炭素数６〜１８または炭素数６〜１２のアリール基であり得る。アリール基としては、フェニル基、ジクロロフェニル、クロロフェニル、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基（ｘｙｌｙｌ ｇｒｏｕｐ）またはナフチル基などが挙げられる。

前記のような高分子の主鎖骨格またはハロゲン化炭化水素基などの置換基の比率は特に制限されず、パッド領域に対する接着性などを考慮して適宜選択することができる。

例えば、前記高分子は、下記の化学式１の化合物などを単量体成分として用いて形成した高分子であり得る。

化学式１でＲ_１は水素またはアルキル基であり、Ｒ_２は少なくとも一つのハロゲン原子に置換されているか非置換された炭化水素基である。

本発明の方法において、前記のような高分子を形成する方式は特に制限されない。ただし、均一な高分子膜の形成に繋がる除去工程の容易性などを考慮すれば、前記高分子膜はｉＣＶＤ（ｉｎｉｔｉａｔｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式で形成した方が好ましい。ｉＣＶＤ方式は開始剤を用いた高分子の気相蒸着方式で、この方式を適用して均一な高分子膜を容易に形成することができる。本発明でｉＣＶＤ方式を通して前記高分子膜を形成する方式は特に制限されず、公知の方式により進行することができる。ただし、外部物質の流入などによる汚染防止などの観点から前記ｉＣＶＤ工程は真空の条件で進めた方が有利である。この時、前記真空条件は、完全な真空条件を意味するのではなく、通常の真空条件と見なされている真空条件も含まれ、例えば、圧力が約２００ｍＴ〜１Ｔ程度である条件が含まれ得る。しかしながら、前記条件は例示的なものであって、これは外部汚染を防止できる範囲で維持することができる限り特に制限されるものではない。

前記のようなｉＣＶＤ方式によって前記高分子膜を形成することによって、効率的に目的とする高分子膜を、少なくともパッド領域上に形成することができる。

適切なマスキング効果と後の除去の容易性などを考慮して前記高分子膜の厚さを調節することができる。例えば、前記高分子膜は約１００ｎｍ以上または約１５０ｎｍ以上に形成され得る。また、前記高分子膜は約１，０００ｎｍ以下、９００ｎｍ以下、８００ｎｍ以下、７００ｎｍ以下または６００ｎｍ以下の厚さを持つことができる。前記厚さの範囲は目的とするマスキング効果または除去過程の容易性などを考慮して変更され得る。

図２は、前記のような方式でパッド領域上に高分子膜４０１を形成した場合を例示的に示している。

前記のような工程後に無機物層を形成することができる。前記において、無機物層は、例えば、バリア層であり得るが、その他にも要求される機能により多様な無機物層が形成され得る。一方、本明細書において用語、無機物層は、例えば、重量を基準として無機物を５０％以上または６０％含む層であり得る。無機物層は、無機物だけを含むか、前記範囲内で無機物を含むのであれば有機物のような他の成分を含むこともできる。

無機物層は、前記第１高分子膜を含む基板上の全体領域に形成することもできる。

無機物層を形成する方式は特に制限されず、公知の方式により形成することができる。例えば、無機物層でバリア層を形成しようとする場合に、前記基板領域で言及した素子および方式により前記無機物層を形成することができ、好ましくは、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式で前記無機物層を形成することができる。

図３は、前記のような方式で無機物層５０１を形成した場合を例示的に示している。

前記過程に引き続き第１高分子膜を除去してパッド領域を露出させる。すなわち、前記のような方式で無機物層を形成すると、パッド領域と前記無機物層の間は第１高分子膜が存在して、これはパッド領域から容易に除去することができる部分であるので、効率的にパッド領域だけを露出させることができる。

前記過程で第１高分子膜を除去する方式は特に制限されず、例えば、形成された無機物層の上部に粘着シートまたは接着シートなどを付着した後に剥離する方式、前記第１高分子膜だけを選択的にエッチングできるエッチャントを使用したエッチング方式またはレーザーパターニング方式などを適用することができる。

図４は、前記のような過程を経てパッド領域を露出させた場合を例示的に示している図面である。

前記のような製造方法では、追加の工程により無機物層を形成する前に素子領域に第２高分子膜を形成する過程を遂行することができる。すなわち、例えば、第１高分子膜とは異なって前記無機物層との優秀な密着性を示すことができる他の高分子膜を素子領域に形成して前記工程の効率性を高めて、より耐久性などが優秀な素子の製作が可能である。

この時、使用できる素材としては、無機物層との密着性が優秀なものであれば特に制限されない。例えば、無機物層がＡＬＤ方式で形成される場合には前記ＡＬＤ層との密着性が優秀なものとして知られている、親水性素材を用いて第２高分子膜を形成することができる。

このような高分子膜は、例えば、ヒドロキシ基、エポキシ基、アミノ基またはカルボキシル基などの官能基を含む高分子膜が挙げられる。

前記のような高分子の主鎖骨格またはヒドロキシ基などのような置換基の比率は特に制限されず、無機物などとの接着性などを考慮して適宜選択することができる。

例えば、前記第２高分子膜は、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、６−ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリレートまたは８−ヒドロキシオクチル（メタ）アクリレートなどのようなヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレートまたは２−ヒドロキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレートなどのヒドロキシポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、２−（メタ）アクリロイルオキシ酢酸、３−（メタ）アクリロイルオキシプロピル酸、４−（メタ）アクリロイルオキシブチル酸、アクリル酸二量体、イタコンサン、マレイン酸およびマレイン酸無水物などのカルボキシル基含有単量体；グリシジル（メタ）アクリレートなどのようなグリシジル基を有する単量体または（メタ）アクリルアミドなどのようなアミド系単量体などを用いて形成することができるが、これに制限されるものではない。

本発明で前記のような第２高分子膜を形成する方式も特に制限されず、例えば、第１高分子膜の場合と同一にｉＣＶＤ方式で形成することができる。

本発明の製造工程は、前記のような主要段階を含む限り、有機電子装置の性能改善のために適用できるものとして公知された他の工程なども必要な場合に含むことができる。

本発明はさらに前記のような方式で製造された有機電子装置に関するものである。前記方式の場合、パッド領域に第１高分子層を形成した後にそれを通してパッド領域を露出させる過程が実行されるので、前記製造された有機電子装置は少なくともパッド領域に前記第１高分子層を含むこともできる。

したがって、前記有機電子装置は、順次積層されている第１電極層；有機層および第２電極層を含む素子領域と前記第１または第２電極層と電気的に連結されているパッド領域とが上部に形成されている基板；前記基板上の素子領域の上部に形成されている無機物層および前記基板のパッド領域に形成されている前記第１高分子を含むことができる。

前記有機電子装置の詳細は前述した通りである。

したがって、前記有機電子装置で前記無機物層はＡＬＤ膜であることもあり、一実施例において、バリア層であり得る。

また、前記有機電子装置で前記第１高分子は、前述したハロゲン置換された炭化水素基または炭化水素基などを含むことができる。また、前記第２高分子膜、すなわち前記化学式１の化合物またはその重合単位を含む高分子膜も前記有機電子装置に形成されていることもある。

また、前記有機電子装置は、素子領域と無機物層の間に前記第２高分子膜を含むことができる。

その他の前記装置に対する事項は前記記述した内容を同様に適用することができる。

本発明はさらに、前記有機電子装置、例えば、有機発光装置の用途に関するものである。前記有機発光装置は、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ；Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）のバックライト、照明、各種センサー、プリンタ、コピー機などの光源、車両用計器の光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾または各種ライトなどに効果的に適用することができる。一実施例において、本発明は、前記有機発光素子を含む照明装置に関するものである。前記照明装置またはその他の用途に前記有機発光素子が適用される場合に、前記装置などを構成する他の部品やその装置の構成方法は特に制限されず、前記有機発光素子が用いられる限り、該当分野に公知されている任意の材料や方式をすべて採用することができる。

本発明では、有機電子装置の製造工程におけるパッド領域の露出を単純な工程により効率的に遂行でき、それにより汚染物質の流入なども防止できる方法、その方法により製造された有機電子装置およびその用途を提供することができる。

本発明の例示的な有機電子装置の製造方法の各段階を示す模式図。 本発明の例示的な有機電子装置の製造方法の各段階を示す模式図。 本発明の例示的な有機電子装置の製造方法の各段階を示す模式図。 本発明の例示的な有機電子装置の製造方法の各段階を示す模式図。 実施例での結果を示しているＳＥＭ写真である。 実施例１と比較例１のＪ−Ｖ曲線の比較グラフである。 実施例１と比較例１のＪ−Ｖ曲線の比較グラフである。

以下、本発明による実施例および本発明によらない比較例を通して本発明をより具体的に説明するが、本発明の範囲は下記提示された実施例によって制限されるものではない。

［実施例１］
図１のように順次積層されている第１電極層２０１１、有機層２０１２および第２電極層２０１３を含む素子領域２０１とパッド領域３０１が上部に形成されている基板１０１を用いた。前記において、素子領域とパッド領域は公知の方式で製造した。まず、基板１０１としてフレキシブル基板であるＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）フィルムをキャリア基板であるガラス基板上に位置させて、ＰＩフィルム上にバリア層を形成した。バリア層は、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式で、単独蒸着時に屈折率が約１．６〜１．８程度の範囲内であるＡｌ_２Ｏ_３の層と単独蒸着時に屈折率が約２．０〜２．４程度の範囲内であるＴｉＯ_２の層を交互に蒸着して、最終的に屈折率が約１．８程度となるように形成した。Ａｌ_２Ｏ_３の層は公知のＡＬＤ方式にしたがって約２００℃の温度で前駆体としてトリメチルアルミニウム層と水（Ｈ_２Ｏ）層を交互に吸着させて形成し、ＴｉＯ_２の層も公知されたＡＬＤ方式により約２００℃の温度で前駆体としてＴｉＣｌ_４の層と水（Ｈ_２Ｏ）層交互に吸着させて形成した。形成時に、各Ａｌ_２Ｏ_３の層およびＴｉＯ_２の層の厚さはそれぞれ約２ｎｍ〜５ｎｍの範囲内となるようにして最終的に約４０ｎｍ程度の厚さのバリア層を形成した。引き続きバリア層上に公知の素材を用いて正孔注入性透明電極層、正孔輸送層、発光波長が約３８０〜５００ｎｍの範囲内にある第１発光ユニット、ｎ型有機半導体層、ｐ型有機半導体層、発光波長が約５００〜７００ｎｍの範囲内にある第２発光ユニット、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層および電子注入性反射電極層を順次形成して素子領域およびパッド領域を形成した。

引き続き、図２のように、マスキング工程を適用して前記パッド領域上に第１高分子層４０１をｉＣＶＤ方式で形成した。ｉＣＶＤ層は単量体として下記の化学式Ａの化合物を使用し、開始剤としてＴＢＰＯ（ｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｏｃｔｏａｔｅ）を用いて形成した。ｉＣＶＤ層は約３５０℃の温度で維持されたフィラメントで前記単量体と開始剤の混合物から開始剤を熱分解させて、重合反応を、温度が約３０℃〜５０℃程度に維持されている真空チェンバー内部にある前記パッド領域の表面で誘導して約２００ｎｍの厚さに形成した。

引き続き第１高分子層を含む基板の全面に図３のようにＡＬＤ方式でバリア層である無機物層５０１を形成した。バリア層は前記言及した方式に準じてＡｌ_２Ｏ_３の層を形成して製造した。その後、前記ＡＬＤ層の表面に粘着テープを付着した後、剥離してパッド領域上の第１高分子層と共に前記ＡＬＤ層を除去することによって図４のような形態の装置を製造した。

図４は、前記のような過程を撮影したＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。図４の上部図面は第１高分子層と共にＡＬＤ層を除去する前の図面で、下部図面は第１高分子層と共にＡＬＤ層を除去した後の図面である。

各図面において、点線の部分は第１高分子層が形成された部分と形成されていない部分の境界を表示し、点線の上部の部分は第１高分子層と共にＡＬＤ層が形成された部分で、下部の部分はＡＬＤ層だけが形成された部分である。

図面から分かるように、パッド領域上に形成された第１高分子層はＡＬＤ層と共にきれいに除去されたが、第１高分子層が形成されていない部分のＡＬＤ層は残存している。

前記図４の下部の部分に対してＥＤＳ元素分析器で元素分析を行った結果を下記の表１に整理した。

下記表１に示されたように、第１高分子層と共にＡＬＤ層が除去された領域（パッド領域）はＡＬＤ層の成分であるアルミニウム（Ａｌ）が観察されず、したがって、該当成分の除去が良好に行われたことを確認できた。

［実施例２］
実施例１と同一の方式で有機電子装置を製造するものの、第１高分子層の蒸着後、マスキング工程を通して前記第１高分子層が蒸着されていない領域にＧＭＡ（ｇｌｙｃｉｄｙｌ ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）を単量体として用いたｉＣＶＤ方式で第２高分子層を形成し、その後、ＡＬＤ層の形成を進行して、粘着シートを通して第１高分子層を剥離した。実施例１と同一の方式で結果を検討した結果、実施例１のように第１高分子層が形成されていた部位のＡＬＤ層だけがきれいに除去されたことを確認することができた。

［比較例１］
パッド領域上にｉＣＶＤ膜を形成せず、その代わり粘着パッドを裏当てした後、ＡＬＤ膜を形成して前記粘着パッドを剥離してパッド領域を露出させたことを除いては、実施例１と同様にして有機電子装置を製造した。前記の通りに製造された比較例１の装置と実施例１の装置の性能を比較したものを図６および図７に示した。図６は実施例の場合のＪ−Ｖ曲線であり、図７は比較例１の場合のＪ−Ｖ曲線である。図６および図７の比較から確認できるように、実施例１の場合、安定したＪ−Ｖ曲線が得られたが、比較例１の場合には粘着パッドによる外部物質の流入によりＪ−Ｖ曲線が非常に不安定であることを確認することができる。

１０１：基板
２０１：素子領域
３０１：パッド領域
２０１１：第１電極層
２０１２：有機層
２０１３：第２電極層
２０１４：絶縁層
４０１：第１高分子膜
５０１：無機物層

Claims (10)

1. 順次積層されている第１電極層、有機層および第２電極層を含む素子領域と、前記第１または第２電極層と電気的に連結されているパッド領域と、が上部に形成されている基板の少なくとも前記パッド領域上に第１高分子膜を形成する段階；
   前記基板のパッド領域と素子領域上に無機物層を形成する段階；
   前記第１高分子膜と、前記第１高分子膜上の無機物層の一部とを除去してパッド領域を露出させる段階；および
   無機物層を形成する前に前記素子領域上に第２高分子膜を形成する段階を含み、
   第１高分子膜は疎水性材を含み、第２高分子膜は親水性材を含む、有機電子装置の製造方法。
2. 第１高分子膜はｉＣＶＤ方式で形成される、請求項１に記載の有機電子装置の製造方法。
3. 第１高分子膜は２００ｍＴ〜１Ｔの範囲内の圧力下で形成される、請求項２に記載の有機電子装置の製造方法。
4. 第１高分子膜は１００ｎｍ以上の厚さに形成される、請求項１に記載の有機電子装置の製造方法。
5. 第１高分子膜は炭化水素基またはハロゲン化炭化水素基を含む、請求項１に記載の有機電子装置の製造方法。
6. 第１高分子膜は、下記の化学式１の化合物を用いて形成される、請求項１に記載の有機電子装置の製造方法。
   化学式１でＲ_１は水素またはアルキル基で、Ｒ_２は少なくとも一つのハロゲン原子で置換または非置換されている炭化水素基である。
7. 無機物層はＡＬＤ方式で形成される、請求項１に記載の有機電子装置の製造方法。
8. 無機物層は、バリア層である、請求項１に記載の有機電子装置の製造方法。
9. 第２高分子膜はヒドロキシ基、エポキシ基、アミノ基またはカルボキシル基を含む、請求項１に記載の有機電子装置の製造方法。
10. 第２高分子膜はヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート、ヒドロキシポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート、カルボキシル基含有単量体；グリシジル基を有する単量体またはアミド系単量体を用いて形成される、請求項１に記載の有機電子装置の製造方法。