KR100415616B1 - 유기발광소자의 제조방법 - Google Patents

유기발광소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하부막의 손상을 방지하면서 전도성 고분자층을 제거할 수 있는 유기발광소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 전계발광을 이용하여 화상을 표시하는 표시영역과; 상기 표시영역을 제외한 패드영역에 형성되어 상기 표시영역에 구동전압을 공급하는 패드들과; 상기 패드들 위에 형성됨과 아울러 이산화탄소(CO2)에 의해 패터닝되는 전도성 고분자층을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 이산화탄소(CO2)를 사용함으로써 하부막의 손상을 방지하면서 전도성 고분자층을 제거할 수 있다.

Description

유기발광소자의 제조방법{FABRICATING METHOD OF ELECTROLUMINESCENCE DISPLAY DEVICE}
본 발명은 유기발광소자에 관한 것으로, 특히 하부막의 손상을 방지하면서 전도성 고분자층을 제거할 수 있는 유기발광소자에 관한 것이다.
최근들어, 음극선관(Cothode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판표시장치들이 개발되고 있다. 이러한 평판표시장치는 액정표시장치(Liquid Crystal Display : 이하 "LCD"라 함), 전계방출 표시장치(Field Emission Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel) 및 일렉트로 루미네센스(Electro-Luminescence : 이하 "EL"라 함) 표시장치 등이 있다.
이와 같은 평판 표시장치의 표시품질을 높이고 대화면화를 시도하는 연구들이 활발히 진행되고 있다. 이들 중 EL소자는 발광층의 재료 및 구조에 따라 무기 EL과 유기 EL로 나뉘며 전자가 형광물질을 여기시킴으로써 스스로 발광하는 자발광소자이다.
이 중에서 유기 EL소자는 수분 및 산소에 쉽게 열화되는 특성을 가지고 있으며 낮은 온도에서 비정질상에서 결정상으로 바뀌는 물질로 구성된다.
도 1을 참조하면, 유기 EL소자는 캐소드전극(10)과, 캐소드전극(10) 상에 형성되는 유기 발광층(12)과, 유기 발광층(12)과 애노드전극(16) 사이에 형성되는 전도성 고분자층(14)을 구비한다.
캐소드전극(10)은 주사전극으로서 일함수가 낮은 금속물질, 예를 들면 알루미늄(Al), 칼슘(Ca)으로 형성된다. 유기 발광층(12)은 Alq3, AIP(PBI)3, Balq, BeBq2, Zn(BTZ)2, DPVBi, PtOEP, Ir(ppy)3, PPV, MEH-PPV, CN-PPV, LPPP, PAF, PPP, PAT, ZnS, Mn 등으로 형성되며 전자에 의해 여기되어 발광하게 된다. 애노드전극(16)은 데이터전극으로서 데이터전압이 인가되게 되며 광투과율이 좋은 투명전도성물질, 예를 들면 인듐-틴-옥사이드(Indium-Tin-Oxide : 이하 "ITO"라 함) 혹은 인듐-징크-옥사이드(Indium-Zinc-Oxide : 이하 "IZO"라 함)로 형성된다.
캐소드전극(10)과 애노드전극(16)에 전압이 인가되면 캐소드전극(10)은 전자를 유기 발광층(12)으로 가속시키며 애노드전극(16)은 정공을 유기 발광층(12)으로 가속시킨다. 여기서, 전도성 고분자층(14)은 애노드전극(16)으로부터의 정공 방출효율을 증대시키는 역할을 한다. 유기 발광층(12)에는 캐소드전극(10)으로부터의전자와 애노드전극(16)으로부터의 정공이 충돌하여 여기된 후 기저상태로 천이되면서 가시광을 방출시킨다.
도 2를 참조하면, 유기 EL 소자를 포함하는 패널은 기판(20) 상에 서로 교차되게 배열되어진 게이트라인들(GL1 내지 GLm) 및 데이터라인들(DL1 내지 DLn)과, 게이트라인들(GL1 내지 GLm)과 데이터라인들(DL1 내지 DLn)의 교차부들 각각에 배열되어진 화소 소자들(PE)과, 게이트라인들(GL1 내지 GLm)과 데이터라인들(DL1 내지 DLn)에 접속되는 게이트패드부(24)와 데이터패드부(22)를 구비한다.
화소 소자들(PE) 각각은 게이트 라인들(GL1 내지 GLm)의 게이트 신호들이 인에이블될 때에 구동되어 데이터 라인(DL) 상의 화소 신호의 크기에 상응하는 빛을 발하게 된다.
이러한 EL 패널을 구동하기 위하여, 도시되지 않은 게이트 드라이버가 게이트패드부(24)를 경유하여 게이트 라인들(GL1 내지 GLm)에 접속됨과 아울러 도시되지 않은 데이터 드라이버가 데이터패드부(22)를 경유하여 데이터 라인들(DL1 내지 DLn)에 접속되게 된다. 게이트 드라이버는 게이트 라인들(GL1 내지 GLm)을 순차적으로 구동시키게 된다. 데이터 드라이버는 데이터 라인들(DL1 내지 DLn)을 통해 화소들(PE)에 화소신호를 공급하게 된다.
도 3a는 도 2에 도시된 데이터 패드부(22)를 선 "A-A'"을 따라 절취한 단면도이다.
도 3a를 참조하면, 데이터 패드부(22)는 기판(20) 상에 형성된 버퍼절연막(28)과, 버퍼절연막(28) 상에 형성된 게이트절연막(30)과,게이트절연막(30) 상에 형성된 층간 절연막(32)과, 층간 절연막(32) 상에 형성된 데이터라인(38)과, 데이터라인(38) 상에 패터닝되어 형성된 보호층(34)과, 데이터라인(38)의 드레인전극과 접속되는 투명전극(40)과, 투명전극(40) 상에 형성된 전도성 고분자층(36)을 구비한다.
버퍼절연막(28), 게이트절연막(30), 층간 절연막(32), 보호층(34)은 산화실리콘(SiO2) 등의 절연물질을 증착하여 적층됨으로써 형성된다. 데이터라인(38)은 전도성이 좋은 금속물질, 예를 들면 몰리(Mo)로 형성된다. 투명전극(40)은 광투과율이 좋은 투명전도성물질, 예를 들면 ITO, IZO로 형성된다. 전도성 고분자층(36)은 금속을 스핀 코팅방법으로 증착함으로써 형성된다.
게이트 및 데이터 패드부(22, 24)는 전도성 고분자층(40)에 의해 인접한 패드부끼리 전기적으로 쇼트되게 된다. 이를 방지하기 위해 도 3b에 도시된 바와 같이 게이트 및 데이터 패드부(22, 24)에 형성된 전도성 고분자층(36)을 레이저(laser)나 포토리쏘그래피 방법으로 제거한다.
그러나, 레이저를 사용하여 전도성 고분자층(36)을 제거하는 경우 투명전극(40)을 형성하는 ITO물질은 해당 레이저의 파장영역에 약하므로 결합구조가 쉽게 깨져 기화되게 된다. 또한, 습식식각을 포함하는 포토리쏘그래피 방법의 경우 수분을 사용하게 되는데, 투명전극(40)을 형성하는 ITO물질은 수분에 약하여 이중결합 고리가 깨져 분해되게 된다. 즉, 전도성 고분자층(36)을 제거하면서 하부막인 투명전극(40)이 손상을 입게 된다.
따라서, 본 발명의 목적은 하부막의 손상을 방지하면서 전도성 고분자층을 제거할 수 있는 유기발광소자를 제공하는데 있다.
도 1은 유기발광소자를 나타내는 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 유기발광소자를 포함하는 패널을 나타내는 평면도.
도 3a 및 도 3b는 도 2에 도시된 데이터패드부를 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광소자를 포함하는 패널을 나타내는 평면도.
도 5는 도 4에 도시된 유기발광소자의 구동회로도.
도 6은 도 5에 도시된 유기발광소자에 공급되는 구동파형도.
도 7은 도 4에 도시된 유기발광소자의 다른 구동회로도.
도 8a 및 도 8b는 도 4에 도시된 데이터패드부를 나타내는 단면도.
도 9는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광소자를 포함하는 패널을 나타내는 평면도.
도 10a 및 도 10b는 도 9에 도시된 데이터패드부를 나타내는 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 캐소드전극 12 : 유기 발광층
14,36,64,88 : 전도성 고분자층 16 : 애노드전극
20,42,70 : 기판 22,44,72 : 데이터패드부
24,46,74 : 게이트패드부 28,52,76 : 버퍼절연막
30,54,78 : 게이트절연막 32,56,80 : 층간 절연막
34,58,82 : 보호층 38,60,84 : 데이터라인
40,62,86 : 투명전극
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 유기발광소자는 전계발광을 이용하여 화상을 표시하는 표시영역과; 상기 표시영역을 제외한 패드영역에 형성되어 상기 표시영역에 구동전압을 공급하는 패드들과; 상기 패드들 위에 형성됨과 아울러 이산화탄소(CO2)에 의해 패터닝되는 전도성 고분자층을 구비하는 것을 특징으로 한다.상기 표시영역은 서로 교차되게 형성되며 상기 패드들 각각과 접속된 다수의 게이트라인 및 데이터라인과, 상기 게이트라인과 데이터라인의 교차부에 형성되며 상기 게이트라인과 데이터라인에 접속되게 형성되는 유기발광셀을 구비하는 것을 특징으로 한다.상기 표시영역은 제2 구동전압을 공급하는 공급전압라인과; 상기 유기발광셀과 공급전압라인 사이에 각각 제1 입력전극과 제1 출력전극이 접속되어 제어신호가 공급되는 제1 제어전극을 가지는 제1 박막트랜지스터와, 상기 제1 제어전극과 상기 공급전압원 사이에 접속된 캐패시터와, 상기 제1 제어전극에 접속되는 제2 출력전극과 상기 데이터라인에 접속된 제2 입력전극 및 상기 게이트라인에 접속되는 제2 제어전극을 가지는 제2 박막트랜지스터를 갖는 셀구동회로를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.상기 표시영역은 제2 구동전압을 공급하는 공급전압라인과; 상기 유기발광셀과 공급전압라인 사이에 전류 미러를 형성하게 접속된 제1 및 제2 스위치소자와, 상기 제1 및 제2 스위치소자의 게이트전극과 상기 공급전압라인 사이에 접속된 캐패시터와, 상기 데이터라인과 제1 및 제2 스위치 소자의 게이트 전극 사이에 접속되어 상기 게이트라인의 신호에 응답하는 제3 스위치소자와, 상기 제1 및 제2 스위치 소자의 게이트 전극과, 상기 게이트라인 및 제3 스위치소자에 접속된 제4 스위치소자를 갖는 셀구동회로를 추가로 구비하는 것을 특징으로 한다.본 발명의 따른 유기발광소자의 제조방법은 기판 상에 적어도 두개의 절연막을 형성하는 단계와, 상기 절연막 상에 투명전극을 형성하는 단계와, 상기 투명전극 상에 보호층을 증착하여 패터닝하는 단계와, 상기 투명전극과 보호층 상에 전도성 고분자층을 형성하는 단계와, 이산화탄소(CO2)를 분사하여 패드영역의 상기 전도성 고분자층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적 외에 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 첨부도면을 참조한 실시 예에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다.
이하, 도 4 내지 도 10b를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 설명하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기 EL소자를 포함하는 패널은 기판(42) 상에 서로 교차되게 배열되어진 게이트 라인들(GL1 내지 GLm) 및 데이터 라인들(DL1 내지 DLn)과, 게이트 라인들(GL1 내지 GLm)과 데이터 라인(DL1 내지 DLn)의 교차부들 각각에 배열되어진 화소 소자들(PE)과, 게이트라인들(GL1 내지 GLm)과 데이터라인들(DL1 내지 DLn)에 접속되는 게이트 패드부(46)와 데이터 패드부(44)를 구비한다.
화소 소자들(PE) 각각은 게이트 라인들(GL1 내지 GLn)의 게이트 신호들이 인에이블될 때에 구동되어 데이터 라인(DL)상의 화소 신호의 크기에 상응하는 빛을 발하게 된다.
이러한 EL 패널을 구동하기 위하여, 도시되지 않은 게이트 드라이버가 게이트 패드부(44)를 경유하여 게이트 라인들(GL1 내지 GLm)에 접속됨과 아울러 도시되지 않은 데이터 드라이버가 데이터 패드부(46)를 경유하여 데이터 라인들(DL1 내지 DLn)에 접속되게 된다. 게이트 드라이버는 게이트 라인들(GL1 내지 GLm)을 순차적으로 구동시키게 된다. 데이터 드라이버는 데이터 라인들(DL1 내지 DLn)을 통해 화소들(PE)에 화소신호를 공급하게 된다.
도 5를 참조하면, 화소 소자(PE)는 기저전압원(GND)에 접속되어진 EL 셀(OLED)과, EL 셀(OLED) 및 데이터 라인(DL) 사이에 접속되어진 EL 셀(OLED) 구동회로(50)를 구비한다.
EL 셀(OLED) 구동회로(50)는 데이터 라인(DL)과 제2 PMOS TFT(T2)의 게이트 전극 사이에 접속되어 EL 셀(OLED)의 스위치 역할을 하는 제1 PMOS TFT(T1)와, EL 셀(OLED)과 공급전압라인(VDD) 사이에 접속되어 구동역할을 하는 제2 PMOS TFT(T2)와, 제1 PMOS TFT(T1)의 드레인 전극과 공급전압라인(VDD)사이에 접속되어진 캐패시터(Cst)를 구비한다.
이를 도 6의 구동파형도를 이용하여 동작을 살펴보면, 게이트 라인(GL)에 로우(LOW) 입력신호가 입력되면 제1 PMOS TFT(T1)가 턴-온 된다. 제1 PMOS TFT(T1)가 턴온되면 데이터라인(DL)으로부터 스캔신호와 동기되게 입력되는 일정한 크기를 가진 비디오 신호가 제1 PMOS TFT(T1)를 통하여 흐르게 되고, 이 비디오 신호는 캐패시터(Cst)에 충전된다. 캐패시터(Cst)는 제1 PMOS TFT(T1)의 드레인 전극과 공급전압(VDD)에 접속되며 게이트라인(GL)의 로우신호 입력시간동안 데이터라인(DL)으로부터 공급되는 비디오전압을 충전한다. 충전된 비디오전압과 공급전압(VDD)으로부터 공급되는 전압이 더해지게 되어 제2 PMOS TFT(T2)에는 전류가 흐르게 된다. 이에 따라, EL 셀(OLED)에 전류가 흐르게 되어 EL 셀(OLED)이 발광하게 된다. 여기서, 캐패시터(Cst)는 데이터라인(DL)으로부터 공급되어 충전된 비디오신호를 1 프레임 동안 홀딩(Holding) 시킨다. 이러한 홀딩시간으로 인해 데이터라인(DL)에서 공급되는 비디오신호가 EL 셀(OLED)에 공급되는 것을 캐패시터(Cst)에 의해 유지하게 된다.
도 7은 도 4의 화소 소자(PE)를 도시한 다른 형태의 회로도로서, 게이트 라인(GL)과 데이터 라인(DL)의 교차부에 적용된 구동회로로 4개의 TFT(T3, T4, T5, T6)로 구성된다.
도 7을 참조하면, 화소 소자(PE)는 기저전위원(GND)에 접속되어진 EL 셀(OLED)과, EL 셀(OLED) 및 데이터 라인(DL) 사이에 접속되어진 EL 셀(OLED) 구동회로를 구비한다.
EL 셀 구동회로는 EL 셀(OLED), 공급전압라인(VDD)에 전류 미러를 형성하게 접속되어진 제3 및 제4 PMOS TFT(T3, T4)와; 제4 PMOS TFT(T4), 데이터 라인(DL) 및 게이트 라인(GL)에 접속되어 게이트 라인(GL) 상의 신호에 응답되는 제5 PMOS TFT(T5)와; 제3 PMOS TFT(T3) 및 제4 PMOS TFT(T4)의 게이트 전극, 게이트 라인(GL) 및 제5 PMOS TFT(T5)에 접속되는 제6 PMOS TFT(T6); 제3 PMOS TFT(T3) 및제4 PMOS TFT(T4)의 게이트 전극과 공급전압라인(VDD) 사이에 접속되어진 캐패시터(CST)를 구비한다.
이의 동작을 살펴보면, 게이트 라인(GL)에 로우(LOW) 입력신호가 입력되면 제5 PMOS TFT(T5)와 제6 PMOS TFT(T6)이 턴-온된다. 제5 PMOS TFT(T5)와 제6 PMOS TFT(T6)가 턴-온되면 데이터 라인(DL)으로부터 스캔신호와 동기되게 입력되는 일정한 크기를 가진 비디오 신호가 제5 PMOS TFT(T5)와 제6 PMOS TFT(T6)를 통하여 캐패시터(Cst)에 충전된다.
캐패시터(Cst)는 제3 PMOS TFT(T3) 및 제4 PMOS TFT(T4)의 게이트 전극과 공급전압(VDD)에 접속되어 게이트 라인(GL)의 로우 입력시간동안 데이터 라인(DL)으로부터 공급되는 비디오 신호를 충전한다.
캐패시터(Cst)는 데이터라인(DL)으로부터 공급되어 충전된 비디오신호를 1 프레임 동안 홀딩(Holding) 시킨다. 이러한 홀딩시간으로 인해 데이터라인(DL)에서 공급되는 비디오신호가 EL 셀(OLED)에 공급되는 것을 캐패시터(Cst)에 의해 유지하게 된다. 또한 이러한 구조에서도 RGB 등의 각 비디오신호가 입력되는 만큼 각 화상신호를 입력하는 데이터 라인(DL)의 수가 구비되어야 한다. 1프레임 동안 홀드된 후 캐패시터(Cst)에 충전된 비디오 신호는 EL셀(OLED)에 공급되어 표시패널 상에 영상을 표시하게 된다.
도 8a 및 도 8b는 도 4에 도시된 패드부를 선 "B-B'"을 따라 절취한 단면도이다.
도 8a를 참조하면, 데이터 패드부(44)는 기판(42) 상에 형성된 버퍼절연막(52)과, 버퍼절연막(52) 상에 형성된 게이트절연막(54)과, 게이트절연막(54) 상에 형성된 층간 절연막(56)과, 층간 절연막(56) 상에 형성된 데이터라인(60)과, 데이터라인(60) 상에 패터닝되어 형성된 보호층(58)과, 데이터라인(60)의 드레인전극과 접속되는 투명전극(62)과, 투명전극(62) 상에 형성된 전도성 고분자층(64)을 구비한다.
버퍼절연막(52), 게이트절연막(54), 층간 절연막(56), 보호층(58)은 산화실리콘(SiO2) 등의 절연물질을 증착하여 적층됨으로써 형성된다. 데이터라인(60)은 전도성이 좋은 금속물질, 예를 들면 몰리(Mo)로 형성된다. 투명전극(62)은 광투과율이 좋은 투명전도성물질, 예를 들면 ITO 혹은 IZO로 형성된다. 전도성 고분자층(64)은 고분자물질을 스핀 코팅방법으로 증착함으로써 형성된다.
게이트 및 데이터 패드부(44, 46)는 전도성 고분자층(64)에 의해 인접한 패드부끼리 전기적으로 쇼트되게 된다. 이를 방지하기 위해 도 8b에 도시된 바와 같이 게이트 및 데이터 패드부(44, 46)에 형성된 전도성 고분자층(64)을 상온에서 승화되는 드라이 아이스(66), 즉 이산화탄소(CO2)를 분사시킴으로써 전도성 고분자층(64)을 제거한다. 즉, 드라이 아이스(66)는 전도성 고분자층(64)의 고분자물질들과 반응하여 하부막들에 손상을 주지 않으면서 전도성 고분자층(64)을 없앤다. 나아가, 드라이 아이스(66)를 사용함으로써 전도성 고분자의 특성을 손상시키지 않으면서 패드부의 불필요한 영역만을 제거하게 된다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기 EL소자는 기판(70) 상에 서로 교차되게 배열되어진 게이트 라인들(GL1 내지 GLm) 및 데이터 라인들(DL1 내지 DLn)과, 게이트 라인들(GL1 내지 GLm)과 데이터 라인(DL1 내지 DLn)의 교차부들 각각에 배열되어진 화소 소자들(76)과, 게이트라인들(GL1 내지 GLm)과 데이터라인들(DL1 내지 DLn)에 접속되는 게이트 패드부(74)와 데이터 패드부(72)를 구비한다.
화소 소자들(76) 각각은 게이트라인들(GL1 내지 GLn)과 데이터라인(DL)에 연결된다. EL 패널을 구동하기 위하여, 도시되지 않은 게이트 드라이버가 게이트 패드부(74)를 경유하여 게이트 라인들(GL1 내지 GLm)에 접속됨과 아울러 도시되지 않은 데이터 드라이버가 데이터 패드부(72)를 경유하여 데이터 라인들(DL1 내지 DLn)에 접속되게 된다. 게이트 드라이버는 게이트 라인들(GL1 내지 GLm)을 순차적으로 구동시키게 된다. 데이터 드라이버는 데이터 라인들(DL1 내지 DLn)을 통해 화소 소자들(76)에 비디오신호를 공급하게 된다.
게이트라인들(GL1 내지 GLn)에 순차적으로 공급되는 스캔펄스와 동기되어 데이터 라인들(DL1 내지 DLn)에 비디오신호가 공급되면 화소 소자들(76)의 캐소드전극과 애노드전극에 전압 차이가 나게 된다. 이에 따라, 정공과 전자가 충돌하게 도어 화소 소자들(76)이 발광하게 된다.
도 10a 및 도 10b는 도 9에 도시된 데이터 패드부(72)를 선 "C-C'"을 따라 절취한 단면도이다.
도 10a를 참조하면, 데이터 패드부(72)는 기판(70) 상에 형성된버퍼절연막(76)과, 버퍼절연막(76) 상에 형성된 게이트절연막(78)과, 게이트절연막(78) 상에 형성된 층간 절연막(80)과, 층간 절연막(80) 상에 형성된 데이터라인(84)과, 데이터라인(84) 상에 패터닝되어 형성된 보호층(82)과, 데이터라인(84)의 드레인전극과 접속되는 투명전극(86)과, 투명전극(86) 상에 형성된 전도성 고분자층(88)을 구비한다.
버퍼절연막(76), 게이트절연막(78), 층간 절연막(80), 보호층(82)은 산화실리콘(SiO2) 등의 절연물질을 증착하여 적층됨으로써 형성된다. 데이터라인(84)은 전도성이 좋은 금속물질, 예를 들면 몰리(Mo)로 형성된다. 투명전극(86)은 좋은 투명전도성물질, 예를 들면 ITO 혹은 IZO로 형성된다. 전도성 고분자층(88)은 고분자 물질을 스핀 코팅방법으로 증착함으로써 형성된다.
게이트 및 데이터 패드부(72, 74)는 전도성 고분자층(88)에 의해 인접한 패드부끼리 전기적으로 쇼트되게 된다. 이를 방지하기 위해 도 10b에 도시된 바와 같이 게이트 및 데이터 패드부(72, 74)에 형성된 전도성 고분자층(88)을 상온에서 승화되는 드라이 아이스, 즉 이산화탄소(CO2)를 분사시킴으로써 전도성 고분자층(88)을 제거한다. 즉, 드라이 아이스는 전도성 고분자층(88)의 고분자물질들과 반응하여 하부막들에 손상을 주지 않으면서 전도성 고분자층(88)을 없앤다. 나아가, 드라이 아이스를 사용함으로써 전도성 고분자의 특성을 손상시키지 않으면서 패드부의 불필요한 영역만을 제거하게 된다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기발광소자는 이산화탄소(CO2)를 사용하여 전도성 고분자층을 제거하게 되므로 전도성 고분자층의 하부막에 손상을 방지할 수 있다. 나아가, 본 발명에 따른 유기발광소자는 이산화탄소(CO2)를 사용함으로써 전도성 고분자층의 특성을 유지하면서 패드부의 불필요한 영역만을 제거할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여 져야만 할 것이다.

Claims (5)

  1. 전계발광을 이용하여 화상을 표시하는 표시영역과;
    상기 표시영역을 제외한 패드영역에 형성되어 상기 표시영역에 구동전압을 공급하는 패드들과;
    상기 패드들 위에 형성됨과 아울러 이산화탄소(CO2)에 의해 패터닝되는 전도성 고분자층을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 표시영역은
    서로 교차되게 형성되며 상기 패드들 각각과 접속된 다수의 게이트라인 및 데이터라인과,
    상기 게이트라인과 데이터라인의 교차부에 형성되며 상기 게이트라인과 데이터라인에 접속되게 형성되는 유기발광셀을 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시영역은
    제2 구동전압을 공급하는 공급전압라인과;
    상기 유기발광셀과 공급전압라인 사이에 각각 제1 입력전극과 제1 출력전극이 접속되어 제어신호가 공급되는 제1 제어전극을 가지는 제1 박막트랜지스터와,
    상기 제1 제어전극과 상기 공급전압원 사이에 접속된 캐패시터와,
    상기 제1 제어전극에 접속되는 제2 출력전극과 상기 데이터라인에 접속된 제2 입력전극 및 상기 게이트라인에 접속되는 제2 제어전극을 가지는 제2 박막트랜지스터를 갖는 셀구동회로를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 표시영역은
    제2 구동전압을 공급하는 공급전압라인과;
    상기 유기발광셀과 공급전압라인 사이에 전류 미러를 형성하게 접속된 제1 및 제2 스위치소자와,
    상기 제1 및 제2 스위치소자의 게이트전극과 상기 공급전압라인 사이에 접속된 캐패시터와,
    상기 데이터라인과 제1 및 제2 스위치 소자의 게이트 전극 사이에 접속되어 상기 게이트라인의 신호에 응답하는 제3 스위치소자와,
    상기 제1 및 제2 스위치 소자의 게이트 전극과, 상기 게이트라인 및 제3 스위치소자에 접속된 제4 스위치소자를 갖는 셀구동회로를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  5. 기판 상에 적어도 두개의 절연막을 형성하는 단계와,
    상기 절연막 상에 투명전극을 형성하는 단계와,
    상기 투명전극 상에 보호층을 증착하여 패터닝하는 단계와,
    상기 투명전극과 보호층 상에 전도성 고분자층을 형성하는 단계와,
    이산화탄소(CO2)를 분사하여 패드영역의 상기 전도성 고분자층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조방법.
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