CN105264685A - 有机电子器件的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本申请涉及一种有机电子器件的制造方法、由此制造的有机电子器件、以及所述有机电子器件的用途。在制造有机电子器件的工艺中，以简单的工艺使垫片区域的暴露可以有效地进行，从而阻止污染等的渗入，并且提供通过所述方法制造的有机电子器件以及所述有机电子器件的用途。

Description

有机电子器件的制造方法
技术领域
本发明涉及一种有机电子器件的制造方法，由此制造的有机电子器件，以及所述有机电子器件的用途。
背景技术
有机电子器件(OED；OrganicElectronicDevice)的类型包括有机发光器件(OLED；OrganicLightEmittingDevice)、有机太阳能电池、有机光导体(OPC)、或有机晶体管等。
由于有机电子器件包括易受外界因素如水分等影响的有机层，因此例如在专利文献1至4等中公开了能够阻止外界物质渗入的结构。
尤其是，与使用具有优异的阻挡性作为基板的玻璃基板的结构不同，在使用聚合物膜等作为基板的柔性结构中，阻止这类外界物质的渗入是一个更重要的问题。
因此，在柔性结构中，在制造器件的过程中，可能需要在器件的整个表面形成阻挡层的工艺。
然而，即使在整个表面形成阻挡层时，也必须将与外界电路等连接的垫片区域(padregion)暴露。因此，在考虑使用遮罩(mask)等来形成阻挡层以便于暴露时，由于工艺数量的增加，从而难以形成均匀的阻挡层。尤其是，当应用原子层沉积(ALD(AtomicLayerDeposition))作为形成具有优异阻挡性的阻挡层的方法时，由于所述工艺的特征，应用遮罩工艺是不容易的。可替代地，可以考虑在形成阻挡层之前将压敏粘合剂片等与垫片区域粘合，以及在形成阻挡层之后除去压敏粘合剂片层的工艺(例如，参照参考6)。
然而，根据所述工艺，由压敏粘合剂片等所产生的对垫片区域的污染发生的可能性非常高，从而使器件的性能大大降低。
[现有技术文献]
专利文献
专利文献1：美国专利第6,226,890号
专利文献2：美国专利第6,808,828号
专利文献3：日本公开专利第2000-145627号
专利文献4：日本公开专利第2001-252505号
专利文献5：日本专利第3861758号
专利文献6：韩国公开专利第2012-0072710号
发明内容
发明要解决的课题
本发明提供一种有机电子器件的制造方法、由此制造的有机电子器件、以及所述有机电子器件的用途。本申请中，在制造有机电子器件的工艺期间，可以通过简单的工艺来有效地进行垫片区域的暴露，从而阻止污染物的渗入等，并且提供了由所述方法制造的有机电子器件、和所述有机电子器件的用途。
解决课题的方法
一方面，根据本申请的有机电子器件的制造方法，在形成有器件区域和垫片区域的基板上形成无机材料层(如阻挡层)的过程中，通过在垫片区域上形成具有与垫片区域的粘合性低的聚合物层来进行遮罩，以及在形成无机材料层之后通过除去聚合物层来使垫片区域暴露。
因此，本申请的方法可以包括：至少在基板的垫片区域中形成第一聚合物膜的步骤，在所述基板上形成有包括依次叠加的第一电极层、有机层和第二电极层的器件区域以及与第一电极层和第二电极层中至少一个进行电连接的垫片区域；在基板上形成无机材料层的步骤；以及除去第一聚合物膜而暴露垫片区域的步骤。
在这里，对形成有器件区域和垫片区域的基板的类型没有特别的限制，可以应用已知的类型。
图1示出了示例性的基板101，在其上部形成有器件区域201和垫片区域301，所述器件区域201包括第一电极层2011、有机层2012、和第二电极层2013。定义为有源区(activeregion)(例如，发光区域)的绝缘层可以根据本领域已知方法在基板上形成。
在这里所用术语“上部”，除非另有特别定义，可指从第一电极层朝向第二电极层的方向；在这里所用术语“下部”，除非另有特别定义，可指从第二电极层朝向第一电极层的方向。
下文中，在说明书中，为便于说明，在上述结构中，将包括存在于第一电极层下部的所有因素的区域称为基板区域，将包括存在于第一电极层、第二电极板层以及它们之间的所有因素称为器件区域。
对于包括于基板区域的基板101而言，可以使用已知的材料而没有特别的限制。例如，在制作柔性器件作为有机电子器件时，可以使用本领域中制作柔性器件时常规使用的已知材料来形成基板。作为在制作柔性器件中所用的已知基板的代表性实例，使用玻璃薄膜和聚合物薄膜。作为玻璃膜，可使用钠钙玻璃、含钡/锶的玻璃、铅玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼硅酸玻璃、钡硼硅酸玻璃、或石英等；并且作为聚合物膜，可使用包括聚酰亚胺(PI，polyimide)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN，Polyethlenenaphthalate)、聚碳酸酯(PC，polycarbonate)、丙烯酸树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET，poly(ethyleneterephthatle))、聚(醚硫化物)(PES，poly(ethersulfide))、或聚砜(PS，polysulfone)等的聚合膜，但本申请不限于此。
当将有机电子器件设计为有机发光器件且从有机层产生的光线向基板区域侧发射时，作为基板可以使用透光膜。术语“透光膜”可以是，例如，具有透光度相对于可见光区域的任意一种光或整个可见光区域中的光为50、60、70、80％或更多的膜。然而，当将设计为光线向非基板区域的不同方向发射时，基础膜(basefilm)不一定是透光膜。当需要时，反射层可以由反射材料(如铝)在膜的表面等形成。当需要时，基础膜可以是具有驱动TFT(ThinFilmTransistor)的薄膜晶体管(TFT)基础膜。
在使用聚合物膜作为基底时，该膜可以是具有热膨胀系数(CTE)为5ppm/℃至70ppm/℃的范围内的膜。由于构成有机电子器件的各层可以由具有不同特性如膨胀或收缩行为的材料形成，由此由器件的弯曲(bending)或者外界因素如温度或湿度等而产生缺陷。因此，为了减少或阻止这类缺陷，可以控制基础膜的热膨胀系数。在这里，热膨胀系数(CTE)的另一下限可以为约10ppm/℃，另一上限例如可以为，约65ppm/℃、60ppm/℃、55ppm/℃或50ppm/℃左右。
当使用聚合物膜作为基板时，该膜的玻璃化转变温度为200℃或更高。在高温下可进行的沉积或图案化的工艺等，也可在基础膜上进行，并且在这种情况下，考虑到最终器件的性能而将基础膜的玻璃化转变温度调节在上述范围内。在另一实施例中，玻璃化转变温度可以为约210℃以上、220℃以上、230℃以上、240℃以上或250℃以上。对玻璃化转变温度的上限没有特别限制，例如为400℃、350℃或300℃左右。
基板的均方根(RMS，RootMeanSquare)可控制在0.1至5nm的范围内。有机电子器件的结构中，在基板上包括阻挡层以确保耐久性。当阻挡层直接在基板上形成时，通过将阻挡层形成在RMS处于上述范围内的基板表面上，由此可以改善阻挡层的性能。在另一实施例中，RMS可以为4nm以下、3nm以下、2.5nm以下、或2nm以下。
当将有机电子器件设计为有机发光器件且从有机层产生的光线向基板区域侧发射时，基板的折射率为约1.5以上、约1.6以上、约1.7以上、或约1.75以上。在这里所用的术语“折射率”，除非另有特别定义，折射率是相对于波长约550纳米的光线进行测量的。将基板的反射率控制在上述范围内，例如，通过降低光在有机层传播过程中发生的全反射概率的方法，可维持高的光提取效率。基板的折射率的上限无特别限制，例如约为2.0。
当需要时，基板可以具有霾度(haze)。在这种情况下，基板的霾度可以在3％至90％的范围内。霾度的另一下限可以为，例如约5％或10％。此外，霾度的另一上限可以为，例如约85％、80％、75％、70％、65％、60％、55％、50％、45％、40％、35％、或30％。对使基板具有霾度的方法没有特别限制，可以应用常规用于产生霾度的方法。例如，在聚合物膜的情况下，可以应用使与周边聚合物基质不同的折射率和合适的平均粒径的散射颗粒增加的方法，或聚合单体以允许聚合物自身表现出霾度的方法，例如单体表现出的折射率的范围不同于聚合物主链的折射率，并且使用这类聚合物形成膜。
对基板的厚度没有特别限制，考虑到所需的性能(例如柔性、光提取效率、或阻挡性)，可在适合的范围内进行选择。例如，基板的厚度可以在约10μm至50μm或20μm至30μm范围内。
基板区域可包括阻挡层。由于材料(如玻璃基板)的特性，与在刚性器件中将具有优异阻挡性的基板应用到刚性器件中不同，在柔性器件中将具有差阻挡性的聚合物应用到柔性器件中，基板区域需要能够阻挡外界因素如水从基础膜渗入的阻挡层。术语“阻挡性”可意指阻止、抑制或减少外界因素(如水分或湿气等)渗入的性能，其可能对器件如有机层的性能具有不良的影响。
例如，阻挡层的水蒸气透过率(WVTR，watervaportransmissionrate)为10-4g/m2/天以下。在本说明书中，WVTR为在40℃和相对湿度90％的条件下，使用测量仪器(例如PERMATRAN-W3/31，MOCON,Inc.)来测量得到的数值。
阻挡层可由任意一种能够减少、阻止或抑制外界因素(如水分和氧气等)渗入的材料形成。该材料可以为：金属，如In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、Al、Ti或Ni等；金属氧化物，如TiO、TiO2、Ti3O3、Al2O3、MgO、SiO、SiO2、GeO、NiO、CaO、BaO、Fe2O3、Y2O3、ZrO2、Nb2O3或CeO2等；金属氮化物，如SiN等；金属氮氧化物，如SiON等；金属氟化物，如MgF2、LiF、AlF3、或CaF2等；聚烯烃，如聚乙烯或聚丙烯等；聚((甲基)丙烯酸酯)如聚(甲基)丙烯酸酯等；聚酰亚胺；聚脲；基于氟的聚合物如聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚二氯二氟乙烯、或氯二氟乙烯和二氯二氟乙烯的共聚物等；由例如三乙烯基三甲基环三硅氧烷(V3D3，trivinyltrimethylcyclotrisiloxane)、六甲基二硅氧烷(HVDSO，hexamethyldisiloxane)或1,3,5-三乙烯基-1,1,3,5,5-五甲基三硅氧烷(TVTSO，1,3,5-trivinyl-1,1,3,5,5-pentamethyltrisiloxane)等材料形成的有机硅；在主链中具有环结构的基于氟的聚合物；形成上述聚合物的至少两种单体的共聚物等；或已知材料，如吸收率为1％以上的吸收材料、或吸收系数为0.1％或更小的防水材料等。
阻挡层可以单层或多层结构形成。在多层结构的情况下，阻挡层可包括以相同类型或不同类型的无机材料层、或有机材料层进行叠加的结构，或以无机材料层和有机材料层进行叠加的结构。多层结构不一定全部是由具有阻挡性的材料形成，只要最终形成的多层结构表现出所需的阻挡性，多层结构中的某些层可以不具有阻挡性。在这里所用的“无机材料层或有机材料层”不是是指必须仅由无机材料或有机材料形成的层，可以是指包含无机或有机材料作为主要组分(例如，以重量计的60重量％以上，大于60重量％的量)的层。阻挡层可以在多层结构中形成从防止连结(如在阻挡层的形成过程中可能会产生的针孔(pinhole)等)的扩散，从而形成具有更优异的阻挡性的一层。此外，多层结构阻挡层有利于形成具有折射率的阻挡层，这将在下面描述。
如果可能，阻挡层的折射率与位于下部的基板的折射率之差较小是合适的。例如，阻挡层和基板之间的折射率之差的绝对值可以约为1以下、0.7以下、0.5以下、或0.3以下。因此，当基板具有如上所述的高折射率时，阻挡层也具有相同水平的折射率。例如，阻挡层的折射率可以约为1.5以上、1.6以上、1.7以上、或1.75以上。通过控制阻挡层的折射率在上述范围内——例如通过降低有机层的光在传播过程中全反射的可能性——来维持高的光提取效率。阻挡层的折射率的上限无特别限制例如可以约为2.0左右。
例如，阻挡层可以具有叠加结构，其中包括具有第一折射率的第一子层、和具有与第一折射率不同的第二折射率的第二子层。当需要时，叠加结构可重复两次或更多。例如，为确保如上所述的高折射率，作为第一子层，可形成折射率为1.4至1.9的范围的层；并且作为第二子层，可形成折射率为2.0至2.6的范围的层。具有上述折射率的阻挡层，可通过一层以上的第一子层和一层以上的第二子层形成。上述结构的实例可以是Al2O3层和TiO2层的叠加结构，但是本申请不限于此。
阻挡层的厚度没有特别地限制，可以根据预期的用途进行合适地选择。例如，阻挡层的厚度可以为5nm至60nm的范围或10nm至55nm的范围。当阻挡层为多层结构时，多层结构中各子层的厚度例如可以为约0.5nm至10nm的范围或0.5至5nm的范围。
为了得到优异的阻挡层并且根据需要达到高的折射率，可对阻挡层的形成条件进行控制。作为用于确保高的阻挡性的方法，可将阻挡层在平坦面上、例如平坦面的RMS为5nm以下、4.5nm以下、4.0nm以下、3.5nm以下、3.0nm以下、2.5nm以下、2.0nm以下、1.5nm以下、1.0nm以下、或0.5nm以下。由于该阻挡层是在如上所述的平坦面上形成的，所以可获得优异的膜的品质，从而形成具有优异阻挡性的层。用于形成阻挡层的表面的表面粗糙度，可以使用具有优异平坦度的材料来进行调整、或使用下面将会描述的缓冲层等来进行调整。作为确保高的阻挡性的另一方法，还有调整阻挡层的形成过程中的温度的方法。即，通常阻挡层可以通过物理的或化学的沉积来形成，并且在这种方法中，当将沉积温度控制为高温、例如200℃以上时，即使没有对用于形成阻挡层的所述表面的平坦度进行如上所述的控制，也可确保优异的阻挡性。
作为确保高的阻挡性的又一方法，可以使用控制阻挡层的形成方法或缓冲层的形成方法，所述阻挡层或缓冲层成为在表面上形成阻挡层的所述的表面。即，通常阻挡层或缓冲层可以通过物理气相沉积(PVD，PhysicalVaporDeposition)形成，如溅射(sputtering)、脉冲激光沉积(PLD，PulsedLaserDeposition)、电子束沉积(Electronbeamevaporation)、热沉积(thermalevaporation)、或激光分子束外延(L-MBE，LaserMolecularBeamEpitaxy)等；或者通过化学气相沉积(CVD，ChemicalVaporDeposition)形成，如金属有机化学气相沉积(MOCVD，MetalOrganicChemicalVaporDeposition)、氢化物气相外延(HVPE，HydridevaporPhaseEpitaxy)、引发的化学气相沉积(iCVD，initiatedchemicalvapordeposition)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD，plasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)、或者原子层沉积(ALD，AtomicLayerDeposition)、或分子层沉积(MLD，MolecularLayerDeposition)等。根据所用的材料，选择合适的形成方法，由此可以使阻挡层或缓冲层的性能达到最大化。为了在本申请中使用上述材料来形成层，可以应用CVD方式、尤其是ALD或iCVD方式。为确保更合适的性能，可应用ALD方式来形成无机材料层，并且可应用iCVD方式来形成有机材料层。在这里所用的术语“ALD层”是指由ALD方式所形成的层，并且在这里所用的术语“iCVD层”是指由iCVD方式所形成的层。
基板区域可包括附加层。作为存在于基板区域中附加的一层，可以例示出散射层、缓冲层、载体基板、阻挡膜、或粘合剂层等。
为确保层间粘合性或形成阻挡层而需要平坦面时可形成缓冲层。可以形成缓冲层的位置，可以例示出：基板的上部；在形成后述的散射层时的散射层的上部；或在阻挡层和第一电极层之间，但本申请不限于此。如下面将要描述那样，当需要时，缓冲层也可以在上部区域形成，并且在本说明书中，为了便于区别，在基板区域所形成的缓冲层可以称为第一缓冲层，以及在上部区域所形成的缓冲层可以称为第二缓冲层。
当光线是在有机层产生时，并且将所产生的光线设计成向基板区域侧发射的情况下，缓冲层可以形成为高折射层。在这里所用的术语“高折射层”可以是折射率为1.6以上、1.65以上、1.7以上、或1.75以上的层。高折射层的折射率的上限无特别限制，可以约为2.5或2.0左右。
对用于形成缓冲层的材料没有特别限制，只要能有效地形成缓冲层，并且可适当地确保层间粘合性或平坦度。缓冲层可以由以下材料形成，例如，金属(如铝等)；无机材料，如SiOx、SiOxNv、SiNx、AlOx、ZnSnOx、ITO、ZnO、IZO、ZnS、MgO、或SnOx等；聚酰亚胺；具有芴环的caldo树脂(caldoresin)；氨基甲酸酯；环氧化物；聚酯；聚(酰胺酸)；聚酰亚胺；聚乙烯亚胺；聚乙烯醇；聚酰胺；聚硫醇；聚(丙烯酸甲酯)；或有机材料，如由三乙烯基三甲基环三硅氧烷(V3D3，trivinyltrimethylcyclotrisiloxane)、六甲基二硅氧烷(HVDSO，hexamethyldisiloxane)、1,3,5-三乙烯基-1,1,3,5,5-五甲基三硅氧烷(TVTSO，1,3,5-trivinyl-1,1,3,5,5-pentamethyltrisiloxane)等形成的有机硅等。在另一实施例中，缓冲层可以是通过将金属(如锆、钛、铈等)的醇盐或酰化物(acylate)等的化合物与具有极性基团(如羧基或羟基等)的粘合剂掺杂而制备的材料而形成。醇盐或酰化的化合物可与粘合剂的极性基团缩合，并且将金属包括在结合剂的主链中，从而实现高的折射率。作为醇盐或酰化的化合物的实例，可以使用：钛醇盐，如四正丁氧基钛、四异丙氧基钛、四正丙氧基钛、或四乙氧基钛；钛酰化物，如硬脂酸钛；钛螯合物；锆醇盐，如四正丁氧基锆、四正丙氧基锆、四异丙氧基锆、或四乙氧基锆；锆酰化物，如锆三丁氧基硬脂酸；或锆螯合物。
缓冲层可以通过从上述材料中选择合适的材料而形成。当缓冲层需要具有高的折射率时，可以使用的材料为：选自上述材料的高折射率的材料；或选自通过使由此选择的合适的材料与高折射率的颗粒掺杂而制备的材料；或通过使高折射的材料如Ti前体(Tiprecursor)等引入至上述材料中而制备的材料。在这里所用术语“高折射颗粒”例如可以为，折射率为1.5以上、2.0以上、2.5以上、2.6以上、或2.7以上的颗粒。高折射颗粒的折射率的上限例如可以为，选自可满足所需的折射率的范围。高折射颗粒的平均粒径例如为，约1nm至100nm、10nm至90nm、10nm至80nm、10nm至70nm、10nm至60nm、10nm至50nm、或10nm至45nm左右。高折射率颗粒可以是铝、硅酸铝、氧化钛、或氧化锆等。作为高折射率的颗粒，例如可以使用折射率为2.5以上的金红石型氧化钛的颗粒。与普通的颗粒比较，金红石型氧化钛可以具有相对高的折射率，因此即使所用比例较低，也可以将其进行控制以具有所需的折射率。
对形成缓冲层的方法无特别限制，例如可以使用PVD和CVD中的适当的方式。在另一实施例中，缓冲层可以通过以下步骤形成：将金属醇盐(如钛醇盐或锆醇盐等)与溶剂(如醇或水等)配置而制备涂料溶液、施用涂料溶液、以及进行各种湿法或干法涂层方法，其包括在涂覆涂料溶液后，在适当的温度下，使经涂覆的溶液塑化的溶胶-凝胶涂层法。
对缓冲层的厚度没有特别限制，并且考虑到缓冲层的形成位置以及所需的功能等可进行合适地选择。例如，与在基底上形成的缓冲层比较，当缓冲层在散射层上形成以确保平坦面时，它具有相对较大的厚度。
基板区域可进一步地包括散射层以确保基板区域的合适的霾度。在这里所用的术语“散射层”可以是，所形成的能使入射与所述层的光散射、照射、或衍射的所有类型的层。对得到的具有上述功能的散射层的形状没有特别的限制，并且使用已知的材料和方法可得到散射层。
作为可包括于基板区域的另一层，可以使用阻挡层。与使用具有优异阻挡性的特性的材料(如玻璃基板等)的刚性基底比较，可以应用具有相对低的阻挡性的基底，因此，为了补偿阻挡性，附加的阻挡膜(barrierfilm)可以存在于例如基板下。作为阻挡膜，当需要时，可以使用能确保合适的阻挡性和透光率的阻挡膜，并没有特别限制。
阻挡膜例如可通过粘合层来粘附在基板。在这里所用术语“粘合层”可包括：通常称为粘合剂的材料，并且由称为压敏粘合剂的材料或称为压敏粘合剂/粘合剂的材料所形成的一层。对形成粘合层的材料无特别限定，例如可以为已知的压敏粘合剂/粘合剂材料，如丙烯酸聚合物、硅聚合物、基于橡胶的聚合物、乙烯醋酸乙烯酯(EVA，Ethylenevinylacetate)聚合物，或烯烃聚合物，如聚异丁烯(PIB，polyisobutylene)等。
当需要时，可将合适的防水材料掺入至粘合层中。以下，在本说明书中，将掺入有防水材料的粘合层称为具有阻挡性的粘合层。在这里所用术语“防水材料”，可以为通过物理或化学反应等来能够使从外界环境中流入的水或水蒸气等吸收或除去的组分。能够掺入至粘合层中的防水材料的具体类型没有特别限定，例如可以为金属氧化物、有机金属氧化物、金属盐、和五氧化二磷(P2O5)等中的一种或两种以上的混合物。在这里，金属氧化物的具体实例为，氧化锂(Li2O)、氧化钠(Na2O)、氧化钡(BaO)、氧化钙(CaO)、或氧化镁(MgO)等；以及金属盐可以为，硫酸盐如硫酸锂(Li2SO4)、硫酸钠(Na2SO4)、硫酸钙(CaSO4)、硫酸镁(MgSO4)、硫酸钴(CoSO4)、硫酸镓(Ga2(SO4)3)、硫酸钛(Ti(SO4)2)、或硫酸镍(NiSO4)；金属卤化物如氯化钙(CaCl2)、氯化镁(MgCl2)、氯化锶(SrCl2)、氯化钇(YCl3)、氯化铜(CuCl2)、氟化铯(CsF)、氟化钽(TaF5)、氟化铌(NbF5)、溴化锂(LiBr)、溴化钙(CaBr2)、溴化铯(CeBr3)、溴化硒(SeBr4)、溴化钒(VBr3)、溴化镁(MgBr2)、碘化钡(BaI2)、或碘化镁(MgI2)；或金属氯化物如高氯酸钡(Ba(ClO4)2)或高氯酸镁(Mg(ClO4)2)等，但并不限于此。
当需要时，合适的散射颗粒可以掺入至粘合层中，从而使粘合层表现出合适的霾度。当粘合层表现出霾度时，可改善光的提取效率。对掺入至粘合层中的散射颗粒的类型没有特别的限制，并且考虑到形成粘合层的树脂的折射率，合适的类型可以从包括在散射层中的散射颗粒中进行选择。
作为可存在于基板区域的另一层，可以例示出可临时地或永久地粘附于基板下部的载体基板。通常，作为载体基板，可以使用刚性基板如玻璃基板。
可包括如上所述的各个结构的基板区域可以以各种结构形成。例如，基板区域可以包括：阻挡层和基板依次向下部方向形成的结构；阻挡层、缓冲层和基板依次向下部方向形成的结构；阻挡层、散光层、和基板依次向下部方向形成的结构；或阻挡层、缓冲层、散光层和基板依次向下部方向形成的结构。此外，基板区域也可包括：载体基板形成于基板下部的结构；或可包括防水材料和/或散射颗粒的粘合层和阻挡层依次形成于基板下部的结构。
存在于基板区域上部的器件区域可包括第一电极层和第二电极层，还包括存在于第一和第二电极层之间的有机层。在这里，第一和第二电极层中的各层可以是通常在有机电子器件中使用的空穴注入或电子注入电极层。通常，第一和第二电极层中的任意一个可形成为空穴注入电极层，而另一个可形成为电子注入电极层。此外，通常第一和第二电极层中的任意一个可形成为透明电极层，其另一个可形成为反射电极层。
所述空穴注入电极层例如可由具有相对高的功函数(workfunction)的材料而形成，或当需要时，可由透明或反射材料形成。例如，空穴注入电极层可包括功函数约为4.0eV以上的金属、合金、导电化合物、或其中至少两种的混合物。这类材料可以为金属如金、碘化亚铜(CuI)、铟锡氧化物(ITO，IndiumTinOxide)、铟锌氧化物(IZO，IndiumZincOxide)、锌锡氧化物(ZTO，ZincTinOxide)、铝掺杂或铟掺杂的氧化锌、镁铟氧化物、镍钨氧化物；氧化物材料如ZnO、SnO2或In2O3；金属氮化物如氮化镓；金属硒化物如硒化锌；或金属硫化物如硫化锌。透明的空穴注入电极层也可以使用金属薄膜(例如Au、Ag或Cu等)以及高折射透明材料(ZnS、TiO2或ITO等)的叠加结构形成。
所述空穴注入电极层可通过沉积、溅射、化学沉积、或电化学方式等的任意方式形成。此外，当需要时，所形成的电极层可以通过已知的光刻法或使用遮罩等的方法进行图案化。
所述电子注入电极层例如可以使用具有相对较低的功函数的材料来形成，并且可使用用于形成空穴注入电极层的材料中的合适的透明或折射材料形成，但并不限于此。所述电子注入电极层还例如可使用沉积法或溅射法等形成，或当需要时，可进行合适地图案化。
所形成的电极层的厚度例如可以约为90nm至200nm、90nm至180nm、或90nm至150nm。
有机层存在于第一和第二电极层之间。有机层可包括至少两个发光单元。在这类结构中，从发光单元产生的光线可以通过反射电极层的反射来发射至透明电极层侧。
所述有机层可以包括具有第一发光中心波长的第一发光单元、以及具有第二发光中心波长的第二发光单元，并且在需要时，还可以包括这些以上的发光单元。此外，当所述有机层在包括如上所述的数个发光单元的结构中形成时，为了合适的发光，中间电极层或电荷产生层(CGL；ChargeGeneratingLayer)等可附加地存在于发光单元之间。因此，发光单元可以通过中间电极层或具有产生电荷特性的电荷产生层分开。
构成发光单元的材料没有特别的限制。本领域中已知的具有各种发光中心波长的荧光或磷光有机材料，以及可以在这类已知的材料中选择合适的类型，从而形成发光单元。用于发光单元的材料可以为，但不限于此，基于Alq的材料，如三(4-甲基-8-喹啉)铝(III)(Alg3)、4-MAlq3、或Gaq3；环戊二烯衍生物，如C-545T(C26H26N2O2S)、DSA-胺、TBSA、BTP、PAP-NPA、螺环-FPA、PhTDAOXD(Ph3Si)、或1,2,3,4,5-五苯基-1,3-环戊二烯(PPCP)；4,4’-双(2,2’-二苯基乙烯基)-1,1’-二苯基(DPVBi)、二苯乙烯基苯、或其衍生物；4-(二腈亚甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7,-四甲基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、DDP、AAAP、或NPAMLI；或磷光性材料如Firpic、m-Firpic、N-Firpic、bon2Ir(acac)、(C6)2Ir(acac)、bt2Ir(acac)、dp2Ir(acac)、bzq2Ir(acac)、bo2Ir(acac)、F2Ir(bpy)、F2Ir(acac)、op2Ir(acac)、ppy2Ir(acac)、tpy2Ir(acac)、fac-三[2-(4,5’-二氟苯基)吡啶-C’2,N]銥(III)(FIrppy)、或双(2-(2’-苯并[4,5-a]噻吩基)吡啶根合-N,C3’)銥(乙酰丙酮)(Btp2Ir(acac))。发光单元可包括上述材料作为主体，以及主体-掺杂剂系统(Host-Dopantsystem)包括苝、二苯乙烯基联苯、DPT、喹吖啶酮、红荧烯、BTX、ABTX或DCJTB作为掺杂剂。
所述发光单元还可通过利用合适的一种具有发光特征的化合物形成，所述化合物选自电子接收有机化合物或给电子的有机化合物，其将在下面进行描述。
只要它包括发光单元，形成于各种结构中的有机层可进一步包括本领域中已知的各种功能层。作为能够包括于有机层中一层，可以使用电子注入层、空穴阻挡层、电子传输层、空穴传输层、或空穴注入层。
所述电子注入层或电子传输层可以例如使用电子接收有机化合物(electronacceptingorganiccompound)而形成。在这里，作为电子接收有机化合物，可以施用已知的任选的化合物，没有特别的限制。作为这类有机化合物，可以使用多环化合物，如对三联苯或四联苯、或其衍生物；多环烃化合物，如萘、并四苯(tetracene)、芘、蔻、屈、蒽、二苯基蒽、并四苯(naphthacene)、或菲、或其衍生物；或杂环化合物，如菲咯啉、红菲咯啉、菲啶、吖啶、喹啉、喹喔啉、或吩嗪、或其衍生物。此外，荧光素、苝、酞菁苝、萘酞菁苝、苝酮、酞菁苝酮、萘酞菁苝酮、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、噁二唑、醛连氮、二苯并噁唑啉、联苯乙烯、吡嗪、环戊二烯、喔星、氨基喹啉、亚胺、二苯基乙烯、乙烯基蒽、二氨基咔唑、吡喃、硫代吡喃、聚甲炔、部花青、喹吖啶酮、红荧烯或其衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1988-295695号、日本专利公开申请第1996-22557号、日本专利公开申请第1996-81472号、日本专利公开申请第1993-009470号、或日本专利公开申请第1993-017764号中公开了金属螯合配位化合物，例如，具有至少一种金属螯合喔星化合物的金属络合物，如作为配体(coordinator)的8-羟基喹啉，包括三(8-羟基喹啉)铝,双(8-羟基喹啉)镁、双[苯并(f)-8-羟基喹啉]锌,双(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)铟、三(5-甲基-8-羟基喹啉)铝、8-羟基喹啉锂、三(5-氯-8-羟基喹啉)镓、双(5-氯-8-羟基喹啉)钙、及其衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1993-202011号、日本专利公开申请第1995-179394号、日本专利公开申请第1995-278124号、或日本专利公开申请第1995-228579号中公开了噁二唑化合物；在专利公开如日本专利公开申请第1995-157473号中公开了三嗪化合物；在专利公开如日本专利公开申请1994-203963号中公开了二苯乙烯衍生物；二苯乙烯亚芳基衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-132080号或日本专利公开申请第1994-88072号中公开了苯乙烯基衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-100857号或日本专利公开申请第1994-207170号中公开了二烯烃衍生物；荧光剂，如苯并噁唑化合物、苯并噻唑化合物、或苯并咪唑化合物；二苯乙烯基苯化合物，如1,4-双(2-甲基苯乙烯基)苯,1,4-双(3-甲基苯乙烯基)苯、1,4-双(4-甲基苯乙烯基)苯、二苯乙烯基苯、4-双(2-乙基苯乙烯基)苯甲基、1,4-双(3-乙基苯乙烯基)苯、1,4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-甲基苯、或1,4-双(2-甲基苯乙烯基)-2-乙基苯；二苯乙烯基吡嗪化合物，如2,5-双(4-甲基苯乙烯基吡嗪、2,5-双(4-乙基苯乙烯基)吡嗪、2,5-双[2-(1-萘基)乙烯基]吡嗪、2,5-双(4-甲氧基苯乙烯基)吡嗪、2,5-双[2-(4-联苯基)乙烯基]吡嗪、或2,5-双[2-(1-苝基)乙烯基]吡嗪；二亚甲基化合物，如1,4-亚苯基二亚甲基、4,4’-亚苯基二亚甲基、2,5-二甲苯二亚甲基、2,6-亚萘基二亚甲基、1,4-二亚苯基二亚甲基、1,4-对-四亚苯基二亚甲基、9,10-蒽二基二亚甲基、或4,4’-(2,2-二-叔丁基苯基乙烯基)二苯基或4,4’-(2,2-二苯基乙烯基)联苯、或其衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-49079号或日本专利公开申请第1994-293778号中公开了硅烷胺(silanamine)衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-279322号或日本专利公开申请第1994-279323号中公开了多官能苯乙烯基化合物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-107648号或日本专利公开申请第1994-092947号中公开了噁二唑衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-206865号中公开了蒽衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1994-145146号中公开了8-羟基喹啉(oxinate)衍生物；在专利公开如日本专利公开申第请1992-96990号中公开了四苯基丁二烯衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1991-296595号中公开了有机三官能化合物；在专利公开如日本专利公开申请第1990-191694号中公开了香豆素衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1990-196885号中公开了苝衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1990-255789号中公开了萘衍生物；在专利公开如日本专利公开申请第1990-289676号或日本专利公开申请第1990-88689号中公开了酞紫环酮(phthaloperynone)衍生物；或在专利公开如日本专利公开申请第1990-250292号中公开了苯乙烯基胺衍生物，还可用作包括于低折射层中的电子接收有机化合物。此外，在这里，所述电子注入层可使用例如，如LiF或CsF的材料而形成。
空穴阻挡层可以是通过阻止注入空穴经由发光单元接近电子注入电极层而提高寿命和器件效率的一层，并且在需要时，可以使用已知材料来在发光单元和电子注入电极层之间的适当部分形成。
空穴注入层或空穴传输层可包括例如给电子有机化合物。作为给电子有机化合物(electrondonatingorganiccompound)，可以使用N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基苯基、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-4,4’-二氨基联苯基、2,2-双(4-二-对-甲苯基氨基苯基)丙烷、N,N,N’,N’-四-对-甲苯基-4,4’-二氨基联苯基、双(4-di-p-甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、N,N’-二苯基-N,N’-二(4-甲氧基苯基)-4,4’-二氨基联苯基、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基二苯基醚、4,4’-双(二苯基氨基)四苯基、4-N,N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧基-4’-N,N-二苯基氨基苯乙烯基苯、N-苯基咔唑、1,1-双(4-二-对-三氨基苯基)环己烷、1,1-双(4-二-对-三氨基苯基)-4-苯基环己烷、双(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、N,N,N-三(p-甲苯基)胺、4-(二-对-甲苯基氨基)-4’-[4-(二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯、N,N,N’,N’-四苯基-4,4’-二氨基联苯基N-苯基咔唑、4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基-氨基]联苯基、4,4”-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]对-三联苯、4,4’-双[N-(2-萘基)-N-苯基氨基]联苯基、4,4’-双[N-(3-苊基)-N-苯基氨基]联苯基、1,5-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]萘、4,4’-双[N-(9-蒽基)-N-苯基氨基]联苯基苯基氨基]联苯基、4,4”-双[N-(1-蒽基)-N-苯基氨基]-p-三联苯基、4,4’-双[N-(2-菲基)-N-苯基氨基]联苯基、4,4’-双[N-(8-荧蒽基)-N-苯基氨基]联苯基、4,4’-双[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]联苯基、4,4’-双[N-(2-芘基)-N-苯基氨基]联苯基、4,4’-双[N-(1-蔻基)-N-苯基氨基]联苯基、2,6-双(二-对-甲苯基氨基)萘、2,6-双[二-(1-萘基)氨基]萘、2,6-双[N-(1-萘基)-N-(2-萘基)氨基]萘、4,4”-双[N,N-二(2-萘基)氨基]三联苯基、4,4’-双{N-苯基-N-[4-(1-萘基)苯基]氨基}联苯基、4,4’-双[N-对苯基-N-(2-芘基)氨基]联苯基、2,6-双[N,N-二-(2-萘基)氨基]芴、或4,4”-双(N,N-二-对-甲苯基氨基)三联苯基,或氨基胺化合物如双(N-1-萘基)(N-2-萘基)胺，但本申请不限于此。
所述空穴注入层或空穴传输层可以通过将有机化合物分散于聚合物中来形成，或者可以使用由有机化合物衍生的聚合物来形成。此外，也可使用π-共轭聚合物如聚对亚苯基亚乙烯基或其衍生物，空穴传输非共轭聚合物如聚(N-乙烯基咔唑)、或聚硅烷的σ-共轭聚合物。
所述空穴注入层可使用导电聚合物如金属酞菁(如铜酞菁)、或非金属酞菁、碳膜、和聚苯胺而形成，或通过将芳基氨化合物用作氧化剂而与路易斯酸反应而形成。
所述有机层的具体结构没有特别的限制。用于形成空穴或电子注入电极层、和有机层(例如发射层、电子注入层或传输层、或空穴注入或传输层)的各种材料和方法是本领域中已知的，并且对于制造有机电子器件而言，可以使用所有的方法。
在本申请的制造方法中，包括如上所述在具有器件区域和垫片区域的基板上部形成第一聚合物膜的方法。在这里，聚合物膜可以在包括器件区域和垫片区域的整个基板表面形成，或仅在垫片区域的上部形成，但是从工艺效率方面来看，仅在垫片区域的上部形成是优选的。为了仅在垫片区域上部形成第一聚合物膜，例如在形成聚合物膜的过程中使用合适的遮罩工艺，以下将进行描述。
所述第一聚合物膜可以使用与垫片区域的粘合强度较低或不粘附到垫片区域的材料形成。
考虑到垫片区域是通过延伸所述的第一或第二电极层而形成的，通常可以使用具有疏水性的聚合物材料作为上述材料。
在本领域中可以轻易地考虑到因具有疏水性而表现出的低的粘合强度的聚合物材料，或不表现出粘合强度的聚合物材料，例如，这类材料可以是包括被卤素取代的烃基(卤代烃基)或疏水性官能团如烃基的聚合物材料。
除非另有特别定义，在这里所用的术语“烃基”可以是衍生于由碳和氢组成的化合物或其衍生物的一价残基。例如，烃基可包括1至25个碳原子。作为烃基，可以使用烷基、烯基、炔基、或芳基等。包括如上所述的合适比例的官能团(其中至少一个卤原子取代至烃基中，即卤代烃基)的聚合物表现出疏水性，并且对应用于制造垫片区域的通常材料表现出低的粘合性。在这里，取代至烃基中的卤原子的类型没有特别限制，例如，氟原子也可取代至烃基中。
同时，在这里所用的“烷基”，除非另有特别定义，可以为具有1至20、1至16、1至12、1至8、或1至4个碳原子的烷基。所述烷基可以是直链、支链或环状的。此外，烷基可以任选地被至少一个取代基取代。
同时，在这里所用的“烯基”，除非另有特别定义，可以为具有2至20、2至16、2至12、2至8、或2至4个碳原子的烯基。所述烯基可以是直链、支链或环状的，并且可以任选地被至少一个取代基取代。
同时，在这里所用的“炔基”，除非另有特别定义，可以为具有2至20、2至16、2至12、2至8、或2至4个碳原子的炔基。所述炔基可以是直链、支链或环状的，并且可以任选地被至少一个取代基取代。
在这里所用的“芳基”，除非另有特别定义，可以是由包括以下结构的化合物衍生的一价残基：包括苯环、或至少两个连接的苯环、或至少两个彼此缩合或键合的苯环而共用一个或至少两个碳原子、或其衍生物。本说明书中所述的芳基范围可以包括通常称为芳基(aralkylgroup)、芳烷基或芳基烷基等的官能团。所述芳基可以为，例如，具有6至25、6至21、6至18、6至12个碳原子的芳基。所述芳基可以是苯基、二氯苯基、氯苯基、苯基乙基、苯基丙基、苄基、甲苯基、二甲苯基(xylylgroup)或萘基。
考虑到与垫片区域的粘合性等，可以对聚合物主链的取代基的比例或卤代烷基的比例进行合适地选择，但并没有特别限制。
例如，所述聚合物可以是将如式1的化合物等作为单体组分而形成的。
[式1]
式1中，R1为氢或烷基，并且R2为未取代或被至少一个卤原子取代的烃基。
在本申请的方法中对形成聚合物的方法没有特别地限制。然而，考虑到形成均匀聚合物膜的工艺以及随后的除去工艺的容易性，所述聚合物膜可以通过化学气相沉积(iCVD，initiatedchemicalvapordeposition)而形成。iCVD是使用引发剂的聚合物的气相沉积，从而可以容易地形成均匀的聚合物膜。在本申请中，对通过iCVD来成聚合物膜的方法无特别限制，可以通过已知的方法进行。然而，为了防止污染通过外界材料渗入，优选iCVD工艺在真空下进行。在这里，所述真空条件并不是表示完全真空条件，而是包括通常认为真空条件的真空条件，例如，包括压力约为200mT至1T的条件。然而，所述条件是示例性的，没有特别的限制，只要维持在能够阻止外界污染的范围内即可。
由于聚合物膜是通过上述的iCVD形成的，因此所需的聚合物膜可以至少在垫片区域中有效地形成。
考虑到合适的遮罩效果和随后除去的容易性，可以调节聚合物膜的厚度。例如，形成的聚合物膜的厚度可以约为100nm以上或150nm以上。此外，聚合物膜的厚度可以约为1,000nm以下、900nm以下、800nm以下、700nm以下、或600nm以下。考虑到所需的遮罩效果或除去过程的容易性等，厚度的范围可以改变。
图2示出通过上述方法在垫片区域中形成的聚合物膜401。
无机材料层可以在如上所述的工艺之后形成。在这里，所述无机材料层例如可以是阻挡层，以及根据所需功能可附加形成的各种无机材料层。同时，在这里所用的术语“无机材料层”例如可以是包括无机材料为50重量％以上或60重量％的层。所述无机材料层可仅包括无机材料，或者只要包括所述范围内的无机材料，还可以包括如有机材料的其他组分。
所述无机材料层可在包括第一聚合物膜的基板的整个区域中形成。
形成无机材料层的方法可通过已知的方法形成，但没有特别的限制。例如，在将所形成的阻挡层作为无机材料层时，无机材料层可以使用上述器件和方法在基板区域中形成，优选无机材料层可以通过原子层沉积(ALD，AtomicLayerDeposition)而形成。
图3示出通过上述方法形成的无机材料层501。
在该工艺中，接着除去第一聚合物膜而使垫片区域暴露。即，在通过上述方法形成无机材料层时，可从垫片区域中轻易除去存在于垫片区域和无机材料区域之间的第一聚合物膜，因此仅有垫片区域可以有效地暴露。
对在该工艺中除去第一聚合物膜的方法没有特别地限制，例如可以使用：使压敏粘合剂片或粘合剂片在已形成的无机材料层粘附后进行剥离的方法、使用蚀刻剂用于选择性地蚀刻第一聚合物膜的蚀刻法、或激光图案法。
图4示出通过上述方法使垫片区域暴露的简图。
在上述的制造方法中，作为附加的工艺，可以在形成无机材料层之前进行在器件区域中形成第二聚合物膜的工艺。即，例如，不同于第一聚合物膜，能够对无机材料层表现出优异粘合性的其他聚合物膜形成于器件区域中，从而提高该工艺的效率，以及使得制造的器件具有更优异的耐久性。
作为能够在该方法中使用的材料，可以使用对无机材料层具有优异粘合性的任何材料，但没有特别的限制。例如，在通过ALD形成无机材料层时，可使用已知的对ALD层具有优异粘合性的亲水性材料来形成第二聚合物膜。
这类聚合物膜可以是包括官能团如羟基、环氧基、氨基或羟基的聚合物膜。
考虑到所述无机材料的粘合性，可以适当地选择取代基(如聚合物主链)或羟基的比例，没有特别的限制。
例如，第二聚合物膜可以是含羧基的单体如(甲基)丙烯酸羟基烷基酯，如(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、或(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯；羟基聚亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯，如2-羟基聚亚乙基二醇(甲基)丙烯酸酯或2-羟基聚亚丙基二醇(甲基)丙烯酸酯，(甲基)丙烯酸、2-(甲基)丙烯酰氧基乙酸、3-(甲基)丙烯酰氧基丙酸、4-(甲基)丙烯酰氧基丁酸、丙烯酸二聚体、衣康酸、马来酸、或马来酸酐；含缩水甘油基的单体如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；或酰胺类单体，如(甲基)丙烯酰胺，但并不限于此。
在本申请中，对形成第二聚合物膜的方法没有特别限制，例如与形成第一聚合物膜的方法相同地以iCVD形成。
只要包括如上所述的主要步骤，本申请的制造工艺也可以包括在需要时应用于改善有机电子器件性能的其他工艺。
另一方面，本申请提供了通过上述方法制造的有机电子器件。在本方法中，由于垫片区域是在第一聚合物膜于垫片区域形成之后暴露的，因此有机电子器件可包括至少在垫片区域内的第一聚合物膜。
因此，所述有机电子器件可包括：基板，在其上部有器件区域和垫片区域，所述器件区域包括依次叠加的第一电极层、有机层、和第二电极层，并且所形成的垫片区域与第一或第二电极层电连接；在基板的器件区域中所形成的无机材料层；以及在基板的垫片区域中形成的第一聚合物层。
所述有机电子器件的详细描述与上述相同。
因此，在所述有机电子器件中，无机材料层可以是ALD膜，并且在另一实施方案中，可以是阻挡层。
此外，在所述有机电子器件中，第一聚合物膜可包括上述卤素取代的烃基或烃基。此外，第二聚合物膜，即，包括式1化合物或其聚合单元的聚合物膜也可形成于有机电子器件中。
此外，所述有机电子器件可包括在器件区域和无机材料层之间的第二聚合物膜。
所述器件中的其他事项的描述可如上所述地进行应用。
在另一方面，本申请提供所述有机电子器件的用途，例如，OLED。所述OLED可有效地应用到液晶显示器(LCD；LiquidCrystalDisplay)的背光源、照明、传感器、打印机的光源或复印机的光源、汽车仪表的光源、信号光、指示灯、平面发光器件的光源、显示器、装饰或其他种类的灯具。在一实施方案中，本申请涉及包括OLED的照明器件。在将OLED应用于照明器件或不同的用途时，对构成器件的其他组分或构成器件的方法没有特别地限制，但可应用相应领域中所有已知的任选材料或方法，只要使用了OLED即可。
有益效果
本申请提供了一种在制造有机电子器件的简单工艺(process)中使垫片区域有效地暴露的方法，从而阻止污染的渗入等；并且通过所述方法制造的有机电子器件；以及所述有机电子器件的用途。
附图说明
图1至4示出本申请中的示例性的有机电子器件的制造方法的各个步骤的示意图。
图5示出显示本实施例结果的扫描电镜图像(SEM)。
图6和7示出比较实施例1和对比实施例1中J-V曲线的图表。
具体实施方式
在下文中，本申请的示例性实施方案将参照本申请的实施例和非本申请中的对比实施例进行详细地描述。然而，本申请的范围不受以下将要公开的实施方案的限制。
实施例1
如图1所示，使用基板101，在其上部形成了器件区域201和垫片区域301，所述器件区域201包括依次叠加的第一电极层2011、有机层2012、以及第二电极层2013。在这里，器件区域和垫片区域通过已知的方法制造。首先，将作为基板101的柔性基板(即聚亚酰胺(PI，polyimide)膜)沉积于载体基板(即玻璃基板)上，并在所述PI膜上形成了阻挡层。通过ALD(AtomicLayerDeposition)将单独沉积折射率约为1.6至1.8的Al2O3层和单独沉积折射率约为2.0至2.4的TiO2层进行交替沉积，从而最终获得了折射率约为1.8。所述Al2O3层是在约200℃下，通过已知ALD使三甲基铝层和水(H2O)层交替吸附作为前体而形成的，所述TiO2层是在约200℃下，通过已知ALD使TiCl4层和水(H2O)层交替吸附作为前体而形成的。在形成期间，由于所形成的各Al2O3层和各TiO2层的厚度约为2nm至5nm，因此最终形成的阻挡层的厚度约为40nm。随后使用已知的材料将空穴注入透明电极层、空穴传输层、发射波长为约380至500nm的第一发光单元、n型有机半导体、p型有机半导体、发射波长为约500至700nm的第二发光单元、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、以及电子注入反射电极层依次形成于阻挡层上，从而形成器件区域和垫片区域。
随后，如图2所示，使用遮罩工艺通过iCVD在垫片区域中形成第一聚合物层401。所述iCVD层是通过使用式A化合物作为单体，并且过辛酸叔丁酯(TBPO，t-butylperoctoate)作为引发剂而形成的。通过使用温度保持为约350℃的电热丝使单体混合物中的引发剂和引发剂进行热分解，并且在温度约为30℃至50℃的真空箱中诱导垫片区域上的聚合而形成的iCVD层的厚度约为200nm。
随后，如图3所示，通过ALD方式在包括第一聚合物膜的基板的整个表面形成了作为阻挡层的无机材料层501。所述阻挡层是通过上述方法形成的Al2O3层制造的。之后，将压敏胶带粘附在ALD层和剥离的表面上，从而除去了垫片区域中的ALC层和第一聚合物层，得到如图4所示的制造器件。
[式A]
图4示出以上工艺的SEM(Scanningelectronmicroscope)图像。图4中的上方图像示出在将ALD层随同除去第一聚合物层之前的状态，以及图4中的下方图像示出在将ALD层随同第一聚合物层除去之后的状态。
在该图中，虚线部分表示形成第一聚合物层的部分和未形成第一聚合物层的部分之间的分界线，被虚线分开的图的上方部分表示ALD层随同第一聚合物层形成的部分，被虚线分开的图的下方部分表示仅只有ALD层形成的部分。
如图中可见，形成于垫片区域中的第一聚合物层可随同ALD层完全地除去，但是在未形成第一聚合物膜的部分中，ALD层保留。
使用EDS元素分析仪对图5中下方部分的元素分析结果归纳于表1中。
如表1所示，在随同第一聚合物膜除去的ALD层的区域(垫片区域)中，没有观察到作为ALD层的组分的铝(Al)，从而可证实相应的组分已完全除去。
[表1]
实施例2
通过与实施例1中的相同方法制造有机电子器件，但是在使第一聚合物层沉积之后，也通过iCVD使用丙烯酸缩水甘油酯(GMA)作为单体，将第二聚合物层形成于未通过遮罩工艺沉积第一聚合物膜，并且形成有ALD层的区域中。随后使用压敏粘合剂片使第一聚合物层剥离。通过如实施例1中所述的相同的方法分析结果，并且可证实仅ALD层从具有如实施例1中所述的形成第一聚合物层的部分中完全除去。
对比实施例1
除了将压敏胶带加到没有iCVD膜的垫片区域中，并且通过剥离压敏胶带使垫片区域暴露之外，有机电子器件是通过与实施例1所述的相同的方法制造的。图6和7示出对比实施例1制造的器件和实施例1制造的器件之间的比较。图6为实施例1的J-V曲线，图7为对比实施例1的J-V曲线。如通过比较图6和图7中所证实的，实施例1获得的是稳定的J-V曲线，但是由于压敏胶带所造成的外界污染的渗入，因此对比实施例1获得的是不稳定的J-V曲线。
附图标记说明
101：基板
201：器件区域
301：垫片区域
2011：第一电极层
2012：有机层
2013：第二电极层
2014：绝缘层
401：第一聚合物膜
501：无机层

Claims (16)

1.一种有机电子器件的制造方法，包括：
至少在基板的垫片区域中形成第一聚合物膜的步骤，在所述基板上形成器件区域和与第一或第二电极层电连接的垫片区域，所述器件区域包括依次叠加的第一电极层、有机层、和第二电极层；
在所述基板上形成无机材料层的步骤；以及
除去所述第一聚合物膜而暴露垫片区域的步骤。
2.根据权利要求1所述的有机电子器件的制造方法，其中第一聚合物膜是通过化学气相沉积(iCVD)形成的。
3.根据权利要求2所述的有机电子器件的制造方法，其中第一聚合物膜是在压力为200mT至1T的范围内形成的。
4.根据权利要求1所述的有机电子器件的制造方法，其中形成的第一聚合物膜的厚度为100nm以上。
5.根据权利要求1所述的有机电子器件的制造方法，其中第一聚合物膜包括烃基或卤代烃基。
6.根据权利要求1所述的有机电子器件的制造方法，其中第一聚合物膜是使用式1化合物形成的：
[式1]
其中R1为氢或烷基，并且R2为未取代或被至少一个卤原子取代的烃基。
7.根据权利要求1所述的有机电子器件的制造方法，其中无机材料层是通过原子层沉积(ALD)形成的。
8.根据权利要求1所述的有机电子器件的制造方法，其中无机材料层为阻挡层。
9.根据权利要求1所述的有机电子器件的制造方法，进一步包括：在无机材料层形成之前，第二聚合物膜形成于器件区域中的步骤。
10.根据权利要求9所述的有机电子器件的制造方法，其中第二聚合物膜包括羟基、环氧基、氨基、或羧基。
11.根据权利要求9所述的方法，其中第二聚合物膜是由如(甲基)丙烯酸羟基烷基酯、羟基聚亚烷基二醇(甲基)丙烯酸酯的含羧基的单体、含缩水甘油基的单体、或酰胺类单体形成的。
12.一种有机电子器件，包括：
基板；
器件区域，其在基板上形成，并且包括依次叠加的第一电极层、有机层、和第二电极层；
垫片区域，其在基板上形成，并且与第一或第二电极层电连接；
无机材料层，其在器件区域上形成；以及
第一聚合物膜，其在垫片区域上存在，并且包括卤代烃基或烃基。
13.根据权利要求12所述的有机电子器件，其包括形成于器件区域和无机材料层之间的第二聚合物膜。
14.根据权利要求13所述的有机电子器件，其中第二聚合物膜包括羟基、环氧基、氨基、或羧基。
15.一种用于显示器的光源，其包括权利要求12所述的有机电子器件。
16.一种照明器件，其包括权利要求12所述的有机电子器件。
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