JP6430303B2 - Afx型ゼオライトの製法 - Google Patents
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Description
これまでのAFX型ゼオライト結晶は有機の鋳型剤(SDA)として1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン(DABCO)やキヌクリジンの誘導体を用いて得られることが知られていたが(特許文献1、2、非特許文献1等)、その合成法では結晶化度が必ずしも高くない。またこのようにして作られたAFX型ゼオライト結晶は、結晶性が低いため、SCR触媒としては、SSZ-13やZSM-5といった汎用ゼオライトと比べて、寿命が短いという欠点があった(非特許文献2)。
なお、本発明で鋳型として用いたN,N,N',N'−テトラアルキルビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3:5,6−ジピロリジニウムは、MSE型ゼオライト等の合成に使用されている公知の鋳型である(特許文献3,4等)。
本発明は、高い結晶化度を有するAFX型ゼオライトを製造する方法を提供すること目的とする。
即ち、本発明は、(1)シリカ源、(2)アルミナ源、(3)鋳型としてN,N,N',N'−テトラアルキルビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3:5,6−ジピロリジニウム(但し、アルキル基は、同じであっても異なってもよい。)の水酸化物又はハロゲン化物、(4)アルカリ金属水酸化物又はアルカリ土類金属水酸化物、及び(5)水から成る原料混合物を、水熱処理することから成り、該シリカ源及びアルミナ源中のシリカ(SiO2に換算)100モルに対するアルミナ(Alに換算)の量が5〜25モルであるAFX型ゼオライト(合成したまま、as-synthesized)の製法である。
(A)原料混合物
本願で用いる原料混合物は、(1)シリカ源、(2)アルミナ源、(3)鋳型としてN,N,N',N'−テトラアルキルビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3:5,6−ジピロリジニウムの水酸化物又はハロゲン化物、(4)アルカリ金属水酸化物又はアルカリ土類金属水酸化物、及び(5)水から成る。
本発明で用いるアルミナ源として、Y型ゼオライト、水酸化アルミニウム、アルミン酸ナトリウム、水酸化酸化アルミニウム、酸化アルミニウムなど、好ましくはY型ゼオライトが挙げられる。
なお、Y型ゼオライトを使用して、シリカ源とアルミナ源の両者を兼ねてもよい。
式中、R1及びR2(これらはいずれもアルキル基である)は、それぞれ、同じであっても異なってもよく、その炭素数は、好ましくは1〜6、より好ましくは1〜4であり、R1及びR2の炭素数の合計は、好ましくは2〜8、より好ましくは2〜4である。また、R1及びR2はそれらが結合する窒素原子と共同して環を形成してもよく、この環の炭素数は、好ましくは3〜7、より好ましくは4〜5である。
このアルキル基としては、例えば、CH3-、CH3CH2-、CH3CH2CH2-、(CH3)2CH-、
CH3CH2CH2CH2-、(CH3)2CHCH2-、CH3CH2(CH3)CH-、(CH3)3C-、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル等を挙げることができる。
この化合物(鋳型)は、通常水酸化物又はハロゲン化物(ヨウ化物、臭化物、塩化物、フッ化物)として用いる。
用いる水は高純度の水、例えば、イオン交換水(脱イオン水)が好ましい。
また、シリカ(SiO2)100モルに対して、鋳型を10〜50モル、好ましくは10〜30モル、アルカリ金属水酸化物又はアルカリ土類金属水酸化物を1〜30モル、好ましくは10〜30モル、水を500〜10000モル、好ましくは2000〜7000モルの割合で用いる。
水熱処理は以下の条件で行われる。
−温度:加熱温度は、100〜200℃、好ましくは150〜175℃である。加熱時間は一般に20〜400時間、好ましくは40〜200時間である。この温度が低すぎると縮合が進まず、一方この温度が高すぎて鋳型などの有機物が分解すると、AFX型ゼオライトが得られない。
−時間:通常2〜16日 この範囲よりも短いと結晶化が不十分になり、一方長いと別の相(例えば、ANA相)が副生することがある。
水熱反応は好ましくはオートクレーブを用いて行う。
水熱反応終了後、固液分離、洗浄、乾燥を行うことにより、合成したまま(as-synthesized)のAFX型ゼオライトが得られる。
この工程で得られる合成したままのAFX型ゼオライトは、以下の組成式で表される。
M(n−2m)/lQmSi48−nAlnO96
(式中、nは6〜18、mは1.5〜2.5、Mは金属カチオン (典型的にはNa) 、lはMの価数、またQは鋳型(化1)に由来する陽イオンを示す。)
また、X線回折データは以下の値を含む。(強度比10%以上のピーク)
2θ=7.46±0.15,8.68±0.15,11.56±0.15,12.98±0.15,15.00±0.15,15.64±0.15,17.42±0.15,17.66±0.15,19.90±0.15,20.38±0.15,21.80±0.15,22.60±0.15,23.40±0.15,26.16±0.15,27.72±0.15,30.64±0.15,31.62±0.15,33.50±0.15
得られた結晶性シリケートを、その後焼成してもよい。焼成は、通常、マッフル炉又は管状炉を用いて、O2:N2=0:100〜100:0、好ましくは20:80〜30:70の雰囲気で、0.1〜100ml/分の流量で1〜12時間流通させて行う。温度は400〜800℃、好ましくは550〜650℃である。
焼成後(calcined)のAFX型ゼオライトは、以下の組成式で表される。
M(n−2m)/lH2mSi48−nAlnO96
(式中、n、m、M及びlは上記と同様を表す。)
この結晶性多孔質シリケートは、上述のAFX構造を持ち、上記表1の空間群と原子座標で特定される骨格トポロジーを有する。
2θ=7.46±0.15,8.70±0.15,11.64±0.15,12.94±0.15,14.94±0.15,15.60±0.15,17.44±0.15,17.90±0.15,19.82±0.15,20.32±0.15,21.78±0.15,23.68±0.15,26.04±0.15,28.08±0.15,30.14±0.15,30.52±0.15,31.52±0.15,33.72±0.15
焼成後のAFX型ゼオライトは,長軸(c軸)方向の長さLが400〜600nm、短軸(a又はb軸)方向の長さDが300〜500nmの六方両錐型粒子である。
X線回折(XRD)は以下の条件で測定した。
使用装置 : リガク社製Ultima IV粉末X線解析装置
X線源 : CuKα=1.5405Å, 印加電圧 : 40 kV, 管電流: 20 mA
測定範囲 : 2θ=2.040〜52.000deg
スキャン速度 : 2.000 deg. / min, サンプリング間隔 : 0.040 deg.
発散スリット: 1.00 deg, 散乱スリット: 1.00 deg, 受光スリット: 0.30 mm
縦型ゴニオメータ, モノクロメータ使用
測定方法:連続法, 通常法
なお、X線回折測定において、試料台は20 mm×20 mm×0.2 mmの溝があるガラス製のものを使い、粉末試料がこの溝に収まるように、ガラス板で押し付けながらセッティングをした。
走査型電子顕微鏡(SEM)写真は以下の条件で測定した。
使用装置:JEOL社製 JSM-7001F
加速電圧:3.00 kV
本製造例では、後記の実施例1で用いる鋳型を合成した。
まず、下式で示すようにN,N'-ジエチルビシクロ[2.2.2]オクト-7-エン-2,3:5,6-テトラカルボキシジイミドを合成した。
生成物の分析値を以下に示す。
1H NMR(400 MHz, D2O) δ: 1.25 (12H, t, J=7.2Hz, -CH3), 2.82 (8H, s, CH-CH 2-N+), 2.89 (2H, s, -CH=CH-), 3.28 (8H, q, J=7.5Hz, CH3-CH 2-N+), 3.78 (4H,d, CH-CH-CH2), 6.42 (2H, t, J=3.8 Hz, -CH-CH=)
13C NMR(100 MHz, D2O) δ: 8.14, 8.99, 33.71, 40.59, 53.32, 56.24, 65.05, 134.75
1H NMR(400 MHz, D2O) δ: 1.21 (12H, t, J=7.3Hz, -CH3), 2.77 (8H, s, CH-CH 2-N+), 2.84 (2H, s, -CH=CH-), 3.24 (8H, q, J=7.5Hz, CH3-CH 2-N+), 3.73 (4H,d, CH-CH-CH2), 6.37 (2H, t, J=3.8 Hz, -CH-CH=)
13C NMR(100 MHz, D2O) δ: 7.93, 8.81, 33.62, 40.54, 53.17, 56.16, 64.95, 134.61
本製造例では、後記の比較例1で用いる鋳型(1,1'-テトラメチレンビス(1-アゾニア-4-アザビシクロ[2.2.2]オクタン) ジヒドロキシド、「Dab-4-OH」という。)を合成した。
まず、下式で示すように1,1'-テトラメチレンビス(1-アゾニア-4-アザビシクロ[2.2.2]オクタン) ジブロミド(Dab-4-Br)を合成した。
1H-NMR (400 MHz, D2O) : δ1.91~1.94(m, 4H, C-CH 2 -CH 2 -C), 3.26(t, J=7.4 Hz, 12H, NCH2), 3.36~3.45(m, 4H, N+CH2), 3.48(t, J=7.4 Hz, 12H, N+CH2)
13C-NMR (100 MHz, D2O) : δ19.46, 45.03, 53.07 and 64.20(CH2)
IR (KBr) [cm-1] 596, 704, 793, 845, 901, 988, 1057, 1101, 1325, 1383, 1468, 1641, 2893, 2963, 3425
内容積23 mLのフッ素樹脂(PTFE)製容器にY型ゼオライト (H30.5Al30.5Si161.5O384、東ソー、HSZ-350HUA)を1.84 g (20 mmol, SiO2)入れ、2.87 gのH2O (Milli-Q)、製造例1で得たTEBOP2+(OH-)2水溶液 (0.489 mmol/g) を4.09 g、0.543 gのNaOH水溶液 (3.68 mmol/g) を順次加えた。得られた混合物の組成は1.0 SiO2−0.094 Al2O3−0.10 TEBOP2+(OH-)2−0.10 NaOH−20 H2Oとなる。Y型ゼオライトを液中によく分散させたのち、オートクレーブを用いて160℃のオーブンに10日間静置した。得られた固体生成物はろ過で回収し、100℃オーブン中で90分間乾燥させた。得られた白色粉末(合成したまま;XRDを図3に示す)の重量は1.89 gであった。このうち1.15 gをアルミナ製のシャーレにとり、マッフル炉中空気雰囲気下で室温から毎分1℃の速度で昇温し、600℃で2時間保持し、その後放冷した。こうして白色粉末(焼成後)0.975 gを得た。
得られた焼成後の結晶のSEM写真を図2(a)に、X線回折分析結果を図3及び図4並びに表2に示す。この表2は焼成後の結晶のX線回折分析結果を示し、比較のため、AFX型ゼオライトの公知データ(特許文献1)を載せる。XRDパターンよりAFX相のみが認められた(図3、4、表2)。元素分析によるSi/Al値は6.1であった。SEM観察によれば、粒子径約500 nmの六方両錐型の粒子が確認された(図2(a))。
製造例2で得たDAB-4-OHの水溶液(0.574 mmol/g) 31.37 gを125 mLフッ素樹脂(PTFE)製容器に入れ、6.77 gのNaOH水溶液(3.68 mmol/g)、10.40 gのH2O (Milli-Q)、42.41 gのケイ酸ナトリウム水溶液 (SiO2:23.1wt%, Na2O:5.96wt%) を順次加えた。
容器を軽くゆすって混合物を均一にしたのち、30分間室温で放置した。つぎに3.89 gのY型ゼオライト (H50.5Al50.5Si141.5O384、東ソー、HSZ-320HOA) を加え、容器を軽くゆすることで液中に分散させた。得られた混合物の組成は1.0 SiO2−0.033 Al2O3−0.09 Dab-4-OH−0.55NaOH−20 H2Oとなる。つぎにオートクレーブを用いて140℃オーブンに43時間静置した。得られた固体生成物は遠心分離で回収し、100℃オーブン中で一晩乾燥させた。得られた白色粉末(合成したまま)の重量は5.19 gであった。このうち4.59 gをアルミナ製のシャーレにとり、マッフル炉中空気雰囲気下で室温から1 ℃毎分の速度で昇温し、520℃で3時間保持し、その後放冷した。こうして得られた白色粉末(焼成後)は4.35 gであった。
得られた焼成後の結晶のSEM写真を図2(b)に、X線回折分析結果を図5及び図6並びに表2に示す。合成したまま及び焼成後のサンプルのXRDパターンよりAFX相のみが認められた (図5、6、表2)。元素分析によるSi/Al値は4.4であった。SEM観察によれば、粒子は粒子径約200 nmの不明瞭なモルフォロジーであった (図2(b))。
また、実施例1で得た結晶と比較例1で得た結晶のX線回折分析は同じ条件で行っており、それらの焼成後のX線回折の各ピークのピーク強度と半値幅の比較を表2に示す。実施例1で得た結晶は、比較例1で得た結晶に比べて、各ピークのピーク強度は強く、かつ半値幅は小さい。即ち、実施例1で得た結晶は、比較例1で得た結晶に比べて、結晶性が高いといえる。
本発明のAFX型ゼオライトは結晶性が高いため、触媒反応で用いる場合、水熱安定性や触媒寿命が良好になると考えられる。
Claims (6)
- (1)シリカ源、(2)アルミナ源、(3)鋳型としてN,N,N',N'−テトラアルキルビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3:5,6−ジピロリジニウム(但し、アルキル基は、同じであっても異なってもよい。)の水酸化物又はハロゲン化物、(4)アルカリ金属水酸化物又はアルカリ土類金属水酸化物、及び(5)水から成る原料混合物を、水熱処理することから成り、該シリカ源及びアルミナ源中のシリカ(SiO2に換算)100モルに対するアルミナ(Alに換算)の量が5〜25モルであるAFX型ゼオライトの製法。
- 製造されたAFX型ゼオライトが、下記組成式で表され、
M(n−2m)/lQmSi48−nAlnO96
(式中、nは6〜18、mは1.5〜2.5、Mは金属カチオン、lはMの価数、Qは鋳型に由来する陽イオンを示す。)、X線回折データが以下の値を含む、
2θ=7.46±0.15,8.68±0.15,11.56±0.15,12.98±0.15,15.00±0.15,15.64±0.15,17.42±0.15,17.66±0.15,19.90±0.15,20.38±0.15,21.80±0.15,22.60±0.15,23.40±0.15,26.16±0.15,27.72±0.15,30.64±0.15,31.62±0.15,33.50±0.15
請求項1に記載の製法。 - 前記水熱処理することが、オートクレーブ中で行われる請求項1又は2に記載の製法。
- 請求項1〜3のいずれか一項の製法で得られたAFX型ゼオライトを更に焼成することから成るAFX型ゼオライトの製法。
- 前記焼成することが、前記得られたAFX型ゼオライトを400〜800℃で加熱することである請求項4に記載の製法。
- 製造されたAFX型ゼオライトが、下記組成式で表され、
M(n−2m)/lH2mSi48−nAlnO96
(式中、n、m、M及びlは上記と同様を表す。)、X線回折データが以下の値を含む、
2θ=7.46±0.15,8.70±0.15,11.64±0.15,12.94±0.15,14.94±0.15,15.60±0.15,17.44±0.15,17.90±0.15,19.82±0.15,20.32±0.15,21.78±0.15,23.68±0.15,26.04±0.15,28.08±0.15,30.14±0.15,30.52±0.15,31.52±0.15,33.72±0.15
請求項4又は5に記載の製法。
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