JP6309983B2 - 薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法 - Google Patents
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Description
1.薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法
図1は、実施形態に係る薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法を実施するための製造装置10を示す図である。
実施形態に係る薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法を説明する。
まず、モノマー蒸着装置18により回転ドラム14の外周にモノマー層を形成し、当該モノマー層を電子線照射装置20により硬化させて樹脂薄膜層とする(樹脂薄膜層形成工程)。次に、第1プラズマ処理装置22により樹脂薄膜層の表面を酸素プラズマ処理により活性化する(第1プラズマ処理工程)。次に、金属薄膜層パターニング装置24により樹脂薄膜層上にパターニング材料を帯状に堆積させる。次に、金属蒸着装置26により樹脂薄膜層上に金属薄膜層を形成する(金属薄膜層形成工程)。この際、パターニング材料が堆積された箇所には金属薄膜層は形成されず、この箇所が積層体の電気的絶縁部分となる。樹脂薄膜層の層厚は、例えば100nm〜1500nmであり、金属薄膜層の層厚は、例えば10nm〜40nmである。
以上のように構成された、実施形態に係る薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法によれば、モノマーとして、一般的なメタクリレート化合物ではなく、上記した化学式(1)で表される脂環式炭化水素骨格を有するジメタクリレート化合物を用いることとしたことから、上述したように、また、後述する試験例1からも明らかなように、得られる樹脂薄膜層の硬化度を十分に高くすることが可能となり、その結果、所望の性能を有する薄膜高分子積層フィルムコンデンサを製造することが可能となる。従って、実施形態に係る薄膜高分子積層フィルムコンデンサは、所望の性能を有する薄膜高分子積層フィルムコンデンサとなる。
試験例1は、「本発明の薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法により製造された薄膜高分子積層フィルムコンデンサは、樹脂薄膜層の硬化度が高く、所望の性能を有する薄膜高分子積層フィルムコンデンサである」ことを示す試験例である。試験例2は、「本発明の薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法により製造された薄膜高分子積層フィルムコンデンサは、高温・高湿環境下における寿命が長い」ことを示す試験例である。試験例3は、「本発明の薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法により製造された薄膜高分子積層フィルムコンデンサは、吸湿量が小さい」ことを示す試験例である。試験例4は、「本発明の薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法により製造された薄膜高分子積層フィルムコンデンサは、誘電正接(tanδ)が小さい」ことを示す試験例である。
[1]試料1(実施例)
基本的には実施形態に係る薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法の場合と同様の積層体製造工程により積層体を作製し、当該積層体を用いて薄膜高分子積層フィルムコンデンサ(樹脂薄膜層の層厚:0.5μm、容量:1μF、チップサイズ:4532)を作製し、試料1とした。但し、モノマーとして、上記の化学式(2)で表されるトリシクロデカンジメタノールジメタクリレートを用いた。また、電子線照射の条件として、樹脂薄膜層の層厚1μm当たりの加速電圧が14kV/μm、かつ、「電子線の電流値(mA)」を「回転ドラムのドラム幅(m)×回転ドラムの回転速度(m/s)×樹脂薄膜層の層厚(μm)」で除して得られる値(電子線の電流値条件に関する値)が667となる条件を採用した。
電子線照射の条件として、樹脂薄膜層の層厚1μm当たりの加速電圧が8kV/μm、かつ、「電子線の電流値(mA)」を「回転ドラムのドラム幅(m)×回転ドラムの回転速度(m/s)×樹脂薄膜層の層厚(μm)」で除して得られる値(電子線の電流値条件に関する値)が117となる条件を採用したこと以外は試料1の製造方法と同様の方法により積層体を作製し、当該積層体を用いて薄膜高分子積層フィルムコンデンサを作製し、試料2とした。
モノマーとして、トリシクロデカンジメタノールジアクリレートを用いたこと、及び、樹脂薄膜層の層厚1μm当たりの加速電圧が8kV/μm、かつ、「電子線の電流値(mA)」を「回転ドラムのドラム幅(m)×回転ドラムの回転速度(m/s)×樹脂薄膜層の層厚(μm)」で除して得られる値(電子線の電流値条件に関する値)が117となる条件を採用した以外は試料1の製造方法と同様の方法により積層体を作製し、当該積層体を用いて薄膜高分子積層フィルムコンデンサを作製し、試料3とした。
[1]試験例1(硬化度)
積層体を製造した直後に樹脂薄膜層の硬化度を測定した。その測定は、赤外分光光度計で、積層体の樹脂薄膜層及び原料モノマーにおけるC=O基の吸光度とC=C基の吸光度を測定するとともに、樹脂薄膜層におけるC=O基の吸光度とC=C基の吸光度との第1比率と、原料モノマーにおけるC=O基の吸光度とC=C基の吸光度との第2比率とを用いて算出した。
各試料のそれぞれを高温・高湿(85℃・85%RH)環境下で、直流電圧50Vを印加して500時間放置した。その後、各試料を取り出して容量(高温・高湿環境下においたときの容量)を測定し、当該容量を、試料を高温・高湿環境下に置く前に測定した容量を基準として、容量がどれくらい減少しているかを測定した(高温・高湿環境下においたときの容量変化率)。試験例2においては、容量減少量が小さいほど、高温・高湿環境下における寿命が長いと判断できる。なお、試料2については、硬化度が低すぎて積層体自体の層間が剥離してしまい、薄膜高分子積層フィルムコンデンサを作製することができなかったため、試料1及び試料3についてのみ、試験例2に係る試験を行った。
各試料のそれぞれを「30℃・60%RH」の環境下で250時間放置した。その後、各試料を取り出して容量(「30℃・60%RH」の環境下においたときの容量)を測定し、当該容量を、試料を「30℃・60%RH」の環境下に置く前に測定した容量を基準として、容量がどれくらい増加しているかを測定した(「30℃・60%RH」の環境下においたときの容量変化率)。試験例3においては、容量増加量が小さいほど、吸湿量が低いと判断できる。なお、上述したように、試料2については、硬化度が低すぎて薄膜高分子積層フィルムコンデンサを作製することができなかったため、試料1及び試料3についてのみ、試験例3に係る試験を行った。
各試料のそれぞれについてLCRメータにより1kHzの誘電正接(tanδ)を測定した。なお、上述したように、試料2については、硬化度が低すぎて薄膜高分子積層フィルムコンデンサを作製することができなかったため、試料1及び試料3についてのみ、試験例4に係る試験を行った。
Claims (5)
- 真空チャンバー内で、モノマーを蒸着してモノマー層を形成した後当該モノマー層に電子線を照射して前記モノマー層を硬化することにより樹脂薄膜層を形成する樹脂薄膜層形成工程と、金属材料を蒸着して金属薄膜層を形成する金属薄膜層形成工程とを回転ドラム上で交互に繰り返して行うことにより、前記回転ドラム上に前記樹脂薄膜層と前記金属薄膜層とが交互に積層された積層体を製造する積層体製造工程を含む薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法であって、
前記樹脂薄膜層形成工程においては、前記モノマーとして、下記の化学式(2)で表されるトリシクロデカンジメタノールジメタクリレートを用いて前記モノマー層を形成するとともに、前記樹脂薄膜層の層厚1μm当たりの加速電圧が10kV/μm〜25kV/μmの範囲内、かつ、「電子線の電流値(mA)」を「前記回転ドラムのドラム幅(m)×前記回転ドラムの回転速度(m/s)×前記樹脂薄膜層の層厚(μm)」で除して得られる値が100〜2500の範囲内となる条件で前記モノマー層に電子線を照射することを特徴とする薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法。
- 前記樹脂薄膜層形成工程と前記金属薄膜層形成工程との間に、前記樹脂薄膜層形成工程で形成された前記樹脂薄膜層を50W〜1000Wの範囲内の条件でプラズマ処理する第1プラズマ処理工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法。
- 前記金属薄膜層形成工程と前記樹脂薄膜層形成工程との間に、前記金属薄膜層形成工程で形成された前記金属薄膜層を50W〜1000Wの範囲内の条件でプラズマ処理する第2プラズマ処理工程を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法。
- 前記金属薄膜層形成工程においては、蒸発源と前記回転ドラムとの距離が50mm〜300mmの範囲内となる条件で金属材料を蒸着して前記金属薄膜層を形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法。
- 前記積層体製造工程においては、前記樹脂薄膜層形成工程と前記金属薄膜層形成工程とを0℃〜20℃の範囲内にある所定温度に冷却した回転ドラム上で交互に繰り返して行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の薄膜高分子積層フィルムコンデンサの製造方法。
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