JP6290650B2 - 加熱装置 - Google Patents

Description

本発明は、例えば、半導体ウェハ等を加熱するための加熱装置に関する。

従来、半導体製造装置では、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）に対し、ＣＶＤ等の方法を用いてシランガス等の原料ガスから半導体薄膜を形成する工程が行われる。そのため、半導体製造装置は、半導体薄膜を形成する際にその基板となる半導体ウェハを加熱する加熱装置を備えている。

加熱装置としては、例えば、半導体ウェハ（被加熱物）を載置する載置面を有する本体部と、その本体部を支持する中空の支持部とを備えたものがある（特許文献１、２参照）。本体部の内部には、半導体ウェハを加熱するためのヒータが設けられている。また、支持部内には、本体部のヒータに接続された金属製のヒータ端子が配設されている。

特開２００３−１３３１９５号公報 特開２００４−１７１８３４号公報

前述の加熱装置では、ＣＶＤ等の方法を用いて半導体ウェハに半導体薄膜を精度良く形成するため、半導体ウェハを加熱する際、半導体ウェハを載置する本体部の載置面の温度分布のばらつきをできるだけ小さくし、載置面の温度を全体的に均一にすることが求められている。

しかしながら、従来の加熱装置の構造では、ヒータの発熱時にヒータの熱が支持部内の金属製のヒータ端子へと逃げてしまう、いわゆる熱引きが生じ、半導体ウェハを載置する本体部の載置面（ヒータ端子直上部分）に、周囲よりも温度が低い領域（温度特異点）が発生してしまう。

また、従来の加熱装置の構造では、ヒータの発熱時に支持部内の大気が加熱され、支持部内の雰囲気温度が高くなった場合に、半導体ウェハを載置する本体部の載置面のうち、支持部直上部分の温度がその外周部分よりも高くなり、載置面の温度ばらつき（温度ムラ）が生じてしまう。

本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、被加熱物を載置する載置面における、温度特異点発生の防止及び温度ばらつきの抑制が可能であり、被加熱物をより均一に加熱することができる加熱装置を提供しようとするものである。

本発明の加熱装置は、被加熱物を載置する載置面を有し、前記被加熱物を加熱するためのヒータ部が設けられた本体部と、該本体部よりも外径が小さく、前記本体部の前記載置面とは反対側において前記本体部を支持する中空の支持部とを備え、前記ヒータ部は、内側ヒータと該内側ヒータよりも径方向の外側に配置された外側ヒータとを有しており、前記内側ヒータと前記外側ヒータとは、互いに独立して制御可能に構成されており、前記支持部内には、前記内側ヒータに接続された内側ヒータ端子と前記外側ヒータに接続された
外側ヒータ端子とが配設されており、前記本体部の内部には、該本体部の厚み方向において前記内側ヒータと前記支持部との間に配置され、前記本体部よりも熱伝導率が低い断熱層が設けられており、前記外側ヒータの少なくとも一部は、前記断熱層よりも径方向の外側に配置されていることを特徴とする。

本発明の加熱装置において、本体部の内部には、その本体部の厚み方向において内側ヒータと支持部との間に配置され、本体部よりも熱伝導率が低い断熱層が設けられている。すなわち、内側ヒータと支持部内に配設された内側ヒータ端子及び外側ヒータ端子との間に、断熱層が配置されている。

そのため、ヒータ部の発熱時に、ヒータ部（内側ヒータ）から支持部内の内側ヒータ端子及び外側ヒータ端子への直接的な熱引きを断熱層によって抑制することができる。これにより、被加熱物を載置する本体部の載置面（内側ヒータ端子及び外側ヒータ端子直上部分）における温度特異点の発生を防止することができる。

また、ヒータ部の発熱時に支持部内の大気が加熱され、支持部内の雰囲気温度が高くなった場合でも、本体部に設けた断熱層によって載置面への影響、つまり載置面における支持部直上部分の温度がその外周部分よりも高くなることを抑制することができる。これにより、本体部の載置面における温度ばらつき（温度ムラ）を抑制することができる。

一方、本体部において、内側ヒータと支持部との間に断熱層を配置したことにより、ヒータ部の熱が断熱層の径方向外側、つまり本体部の外周部分を経由して支持部に伝わり、載置面の内側と外側で温度ばらつきが生じるおそれがある。そこで、ヒータ部は、互いに独立して制御可能に構成された内側ヒータ及び外側ヒータを有している。

そのため、例えば、本体部から支持部への熱引きが大きくなる本体部の外周部分において、その部分に対応する外側ヒータの発熱量を大きくしたり、本体部の載置面の温度分布に合わせて内側ヒータ及び外側ヒータの発熱温度、発熱量、ワット密度等を制御したりすることができる。これにより、本体部の載置面の温度を精度良く調整することができ、載置面における温度ばらつきを抑制することができる。

このように、本発明によれば、被加熱物を載置する載置面における、温度特異点発生の防止及び温度ばらつきの抑制が可能であり、被加熱物をより均一に加熱することができる加熱装置を提供することができる。

ここで、前記加熱装置において、前記支持部は、前記本体部よりも外径が小さい。これは、支持部において、本体部を支持している部分の外径が本体部の外径よりも小さいことをいう。

また、前記断熱層は、前記本体部よりも熱伝導率が低い。すなわち、本体部は、断熱層よりも熱伝導率が高い。これは、本体部を構成する部材が全て断熱層よりも熱伝導率が高いということではなく、例えば、本体部を構成する主要な部分（例えば、後述する実施形態において、本体部を構成するセラミック製の第１層及び第２層）が断熱層よりも熱伝導率が高いことをいう。

また、前記断熱層の外径は、前記支持部の外径よりも大きいことが好ましい。この場合には、本体部に断熱層を設けたことによる効果、特に本体部の載置面における支持部直上部分の温度上昇を抑制する効果をより一層高めることができる。なお、ここでの支持部の外径も、前述と同様に、本体部を支持している部分の外径をいう。

また、前記断熱層の外径は、前記内側ヒータの外径よりも大きいことが好ましい。この場合には、本体部に断熱層を設けたことによる効果、特にヒータ部（内側ヒータ）から支持部内の内側ヒータ端子及び外側ヒータ端子への熱引きを抑制する効果をより一層高めることができる。

また、前記断熱層は、空間により形成されていてもよい。この場合には、本体部に比べて断熱層の熱伝導率をより小さくすることが可能となる。これにより、本体部に断熱層を設けたことによる効果、すなわちヒータ部（内側ヒータ）から支持部内の内側ヒータ端子及び外側ヒータ端子への熱引き、本体部の載置面における支持部直上部分の温度上昇を抑制する効果をより一層高めることができる。

また、前記断熱層は、空間により形成されている場合、その空間が真空状態であることが好ましい。この場合には、断熱層を設けたことによる前述の効果をより一層高めることができる。なお、断熱層は、空間により形成されていてもよいし、本体部よりも熱伝導率が低い材料により形成されていてもよい。この場合、断熱層を構成する材料としては、例えば、アルミナ等の多孔質セラミック、アルミナやシリカ等のセラミックファイバー等を用いることができる。

また、前記本体部には、該本体部の厚み方向に突出して形成され、かつ前記載置面を有する突出凸部が設けられており、該突出凸部には、前記内側ヒータが設けられていてもよい。この場合には、被加熱物を載置する載置面を有し、内側ヒータが設けられた突出凸部に対して、本体部から支持部への熱引きが大きくなる本体部の外周部分の温度ばらつきの影響が及ぶことを抑制することができる。

また、前記本体部の厚みは、１５ｍｍ以下であることが好ましい。すなわち、本体部の厚みが小さいほど、ヒータ部（内側ヒータ）から支持部内の内側ヒータ端子及び外側ヒータ端子への熱引きが大きくなり、本体部の載置面における支持部直上部分の温度が上昇しやすくなる。よって、この場合には、本体部に断熱層を設けたことによる前述の効果をより有効に発揮することができる。

また、前記本体部を構成する材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、イットリウム等のセラミック等を用いることができる。また、前記ヒータ部（発熱体）を構成する材料としては、例えば、タングステン、モリブデン、タンタル、白金等を用いることができる。また、前記ヒータ部（発熱体）の形態としては、特に限定されるものではなく、従来公知の種々様々な形態（例えば、導体ペーストを焼成して形成したもの等）を採用することができる。

実施形態１における、加熱装置の構造を示す断面説明図である。 図１のＡ−Ａ線矢視断面説明図である。 図１のＢ−Ｂ線矢視断面説明図である。 実施形態２における、加熱装置の構造を示す断面説明図である。 実施形態３における、加熱装置の構造を示す断面説明図である。 図５のＣ−Ｃ線矢視断面説明図である。 （ａ）及び（ｂ）は、その他の実施形態における、断熱層の大きさを変更した例を示す断面説明図である。 （ａ）及び（ｂ）は、その他の実施形態における、外側ヒータの配設位置を変更した例を示す断面説明図である。 ポリイミドヒータを用いた加熱装置の構造を示す断面説明図である。

以下、本発明の実施形態を図面と共に説明する。
（実施形態１）
図１〜図３に示すように、本実施形態の加熱装置１は、被加熱物８を載置する載置面２０１を有し、被加熱物８を加熱するためのヒータ部４が設けられた本体部２と、本体部２よりも外径が小さく、本体部２の載置面２０１とは反対側において本体部２を支持する中空の支持部３とを備えている。ヒータ部４は、内側ヒータ４１と内側ヒータ４１よりも径方向の外側に配置された外側ヒータ４２とを有しており、内側ヒータ４１と外側ヒータ４２とは、互いに独立して制御可能に構成されている。

同図に示すように、支持部３内には、内側ヒータ４１に接続された内側ヒータ端子４１２と外側ヒータ４２に接続された外側ヒータ端子４２２とが配設されている。本体部２の内部には、本体部２の厚み方向において内側ヒータ４１と支持部３との間に配置され、本体部２よりも熱伝導率が低い断熱層５が設けられている。以下、これを詳説する。

図１に示すように、加熱装置１は、半導体製造装置に用いられ、被加熱物８である半導体ウェハを加熱するためのものである。加熱装置１は、円形板状の本体部２と、その本体部２を支持する円筒状の支持部３とを備えている。以下、説明の便宜上、本体部２側を上側、支持部３側を下側として説明する。

同図に示すように、本体部２は、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体からなる。本体部２の厚みは、１５ｍｍ以下である。本体部２の一方の主面（上面）は、被加熱物８を載置するための載置面２０１である。本体部２の他方の主面（下面）は、支持部３の一方の端部（上端部３１）に支持される被支持面２０２である。また、本体部２は、その厚み方向（上下方向）Ｘに積層された第１層２１及び第２層２２を有している。

第１層２１は、円形板状を呈している。第１層２１の上面は、前述の載置面２０１である。第２層２２は、円形板状の底部２２１と、底部２２１の外周部から立設された円筒状の立設部２２２とを有している。立設部２２２は、第１層２１に対してロウ付けにより接合されている。なお、接合方法は、これに限定されるものではなく、他の接合方法により接合されていてもよい。

第１層２１と第２層２２との間には、円柱状の空間である断熱層５が形成されている。断熱層５は、本体部２（第１層２１及び第２層２２）よりも熱伝導率が低くなっている。また、断熱層５は、本体部２の厚み方向（上下方向）Ｘにおいて、後述する内側ヒータ４１と支持部３との間に配置されている。

同図に示すように、支持部３は、本体部２と同様に、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体からなる。また、支持部３は、中空状となっており、内部に空間（内部空間３０）が形成されている。支持部３の一方の端面（上端面３１１）は、本体部２の被支持面２０２に対してロウ付けにより接合されている。なお、接合方法は、これに限定されるものではなく、他の接合方法により接合されていてもよい。

本体部２を支持する支持部３の上端部３１の外径Ｄ３１（図３）は、本体部２の外径Ｄ２（図３）よりも小さくなっている。支持部３の他方の端部（下端部３２）には、フランジ部３２１が形成されている。フランジ部３２１は、半導体製造装置の他の部材（図示略）に対して固定されている。

図１、図２に示すように、本体部２の第１層２１の内部には、ヒータ部４が配設されている。ヒータ部４は、第１層２１の中央部分（内側領域２１１）に配設された内側ヒータ４１と、内側ヒータ４１よりも径方向外側（外側領域２１２）に配設された外側ヒータ４２とを有している。内側ヒータ４１及び外側ヒータ４２は、略同一平面上において複数の同心円が描かれるように、発熱体を所定のパターンで配設してなる。

図１、図３に示すように、支持部３の上端部３１の内側には、２つの内側ヒータ端子４１２及び２つの外側ヒータ端子４２２が配設されている。内側ヒータ４１の両端部４１１（図２参照）は、本体部２の第１層２１から第２層２２（立設部２２２、底部２２１）を介して、支持部３内の２つの内側ヒータ端子４１２に接続されている。また、同様に、外側ヒータ４２の両端部４２１（図２参照）は、本体部２の第１層２１から第２層２２（立設部２２２、底部２２１）を介して、支持部３内の２つの外側ヒータ端子４２２に接続されている。

また、内側ヒータ端子４１２は、電源接続部材４１３を介して内側ヒータ用電源（図示略）に接続されている。また、同様に、外側ヒータ端子４２２は、電源接続部材４２３を介して外側ヒータ用電源（図示略）に接続されている。そして、内側ヒータ４１と外側ヒータ４２とは、互いに独立して制御可能に構成されている。すなわち、投入する電力量等によって発熱温度、発熱量、ワット密度等を制御可能に構成されている。

そして、本実施形態では、図１に示すように、本体部２の内部に設けられた断熱層５の外径Ｄ５（図３）は、内側ヒータ４１の外径Ｄ４１よりも大きく、また支持部３（支持部３の上端部３１）の外径Ｄ３１よりも大きい。そして、本体部２の厚み方向（上下方向）Ｘにおいて、内側ヒータ４１全体及び支持部３（支持部３の上端部３１）は、断熱層５と重なる位置に配置されている。なお、外側ヒータ４２は、断熱層５と重なる位置に配置されていない（断熱層５よりも径方向外側に配置されている）。

また、同図に示すように、内側ヒータ４１の外径Ｄ４１は、本体部２の載置面２０１に載置される被加熱物８の外径（例えば３００ｍｍ）よりも大きくなるように設定されている。また、断熱層５の外径Ｄ５も、本体部２の載置面２０１に載置される被加熱物８の外径よりも大きくなるように設定されている。また、外側ヒータ４２は、本体部２の載置面２０１に載置される被加熱物８よりも外側となるように配置されている。

次に、本実施形態の加熱装置１における作用効果について説明する。
本実施形態の加熱装置１において、本体部２の内部には、その本体部２の厚み方向Ｘにおいて内側ヒータ４１と支持部３との間に配置され、本体部２よりも熱伝導率が低い断熱層５が設けられている。すなわち、内側ヒータ４１と支持部３内に配設された内側ヒータ端子４１２及び外側ヒータ端子４２２との間に、断熱層５が配置されている。

そのため、ヒータ部４の発熱時に、ヒータ部４（内側ヒータ４１）から支持部３内の内側ヒータ端子４１２及び外側ヒータ端子４２２への直接的な熱引きを断熱層５によって抑制することができる。これにより、被加熱物８を載置する本体部２の載置面２０１（内側ヒータ端子４１２及び外側ヒータ端子４２２直上部分）における温度特異点の発生を防止することができる。

また、ヒータ部４の発熱時に支持部３内（内部空間３０）の大気が加熱され、支持部３内（内部空間３０）の雰囲気温度が高くなった場合でも、本体部２に設けた断熱層５によって載置面２０１への影響、つまり載置面２０１における支持部３直上部分の温度がその外周部分よりも高くなることを抑制することができる。これにより、本体部２の載置面２０１における温度ばらつき（温度ムラ）を抑制することができる。

一方、本体部２において、内側ヒータ４１と支持部３との間に断熱層５を配置したことにより、ヒータ部４の熱が断熱層５の径方向外側、つまり本体部２の外周部分を経由して支持部３に伝わり、載置面２０１の内側と外側で温度ばらつきが生じるおそれがある。そこで、ヒータ部４は、互いに独立して制御可能に構成された内側ヒータ４１及び外側ヒータ４２を有している。

そのため、例えば、本体部２から支持部３への熱引きが大きくなる本体部２の外周部分において、その部分に対応する外側ヒータ４２の発熱量を大きくしたり、本体部２の載置面２０１の温度分布に合わせて内側ヒータ４１及び外側ヒータ４２の発熱温度、発熱量、ワット密度等を制御したりすることができる。これにより、本体部２の載置面２０１の温度を精度良く調整することができ、載置面２０１における温度ばらつきを抑制することができる。

また、本実施形態の加熱装置１において、断熱層５の外径Ｄ５は、支持部３（支持部３の上端部３１）の外径Ｄ３１よりも大きい。そのため、本体部２に断熱層５を設けたことによる効果、特に本体部２の載置面２０１における支持部３直上部分の温度上昇を抑制する効果をより一層高めることができる。

また、断熱層５の外径Ｄ５は、内側ヒータ４１の外径Ｄ４１よりも大きい。そのため、本体部２に断熱層５を設けたことによる効果、特にヒータ部４（内側ヒータ４１）から支持部３内の内側ヒータ端子４１２及び外側ヒータ端子４２２への熱引きを抑制する効果をより一層高めることができる。

また、断熱層５は、空間により形成されている。そのため、本体部２に比べて断熱層５の熱伝導率をより小さくすることが可能となる。これにより、本体部２に断熱層５を設けたことによる効果、すなわちヒータ部４（内側ヒータ４１）から支持部３内の内側ヒータ端子４１２及び外側ヒータ端子４２２への熱引き、本体部２の載置面２０１における支持部３直上部分の温度上昇を抑制する効果をより一層高めることができる。

また、前記本体部２の厚みは、１５ｍｍ以下である。すなわち、本体部２の厚みが小さいほど、ヒータ部４（内側ヒータ４１）から支持部３内の内側ヒータ端子４１２及び外側ヒータ端子４２２への熱引きが大きくなり、本体部２の載置面２０１における支持部３直上部分の温度が上昇しやすくなる。よって、本体部２に断熱層５を設けたことによる前述の効果をより有効に発揮することができる。

このように、本実施形態によれば、被加熱物８を載置する載置面２０１における、温度特異点発生の防止及び温度ばらつきの抑制が可能であり、被加熱物８をより均一に加熱することができる加熱装置１を提供することができる。

（実施形態２）
本実施形態は、図４に示すように、加熱装置１における本体部２（第１層２１）の形状を変更したものである。

同図に示すように、本体部２の第１層２１には、本体部２の厚み方向Ｘ（具体的には上方）に突出して形成された突出凸部２１３が設けられている。突出凸部２１３の先端面は、被加熱物８を載置するための載置面２０１である。突出凸部２１３の外径は、被加熱物８の外径（例えば３００ｍｍ）と同じ又はそれよりも少し大きく設定されている。また、突出凸部２１３の内部には、ヒータ部４の内側ヒータ４１が配設されている。その他の基本的な構成は、前述の実施形態１と同様である。

本実施形態の場合には、被加熱物８を載置する載置面２０１を有し、内側ヒータ４１が設けられた突出凸部２１３に対して、本体部２から支持部３への熱引きが大きくなる本体部２の外周部分の温度ばらつきの影響が及ぶことを抑制することができる。その他の基本的な作用効果は、前述の実施形態１と同様である。

（実施形態３）
本実施形態は、図５、図６に示すように、加熱装置１における本体部２（第１層２１）の内部に吸着用電極６を設けたものである。

同図に示すように、本体部２の第１層２１の内部には、吸着用電極６が配設されている。吸着用電極６の両端部（図示略）は、本体部２の第１層２１から第２層２２（立設部２２２、底部２２１）を介して、支持部３内に配設された２つの吸着用電極端子６２に接続されている。吸着用電極端子６２は、電源接続部材６３を介して電極用電源（図示略）に接続されている。

そして、吸着用電極６は、直流高電圧が印加されることで静電引力を発生し、この静電引力によって被加熱物８を本体部２の載置面２０１に吸着して固定することができる。吸着用電極６は、タングステンからなる。なお、吸着用電極６を構成する材料は、これに限定されるものではない。その他の基本的な構成は、前述の実施形態１と同様である。

本実施形態の場合には、吸着用電極６によって被加熱物８を本体部２の載置面２０１に吸着して確実に固定することができる。そのため、例えば、半導体製造装置を用いてＣＶＤ等の方法により、被加熱物８である半導体ウェハに対して半導体薄膜等を形成する場合に、その精度を高めることができる。

また、支持部３内には、内側ヒータ端子４１２及び外側ヒータ端子４２２に加えて吸着用電極端子６２が配設されている。そのため、ヒータ部４の発熱時に、ヒータ部４（内側ヒータ４１）から支持部３内の吸着用電極端子６２への直接的な熱引きを断熱層５によって抑制することができる。これにより、本体部２の載置面２０１（吸着用電極端子６２直上部分）における温度特異点の発生を防止することができる。その他の基本的な作用効果は、前述の実施形態１と同様である。

（その他の実施形態）
本発明は、前述の実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。

（１）前述の実施形態では、図１に示すように、本体部２の厚み方向（上下方向）Ｘにおいて、外側ヒータ４２全体が断熱層５と重なる位置に配置されていないが、例えば、図７（ａ）に示すように、外側ヒータ４２の一部が断熱層５と重なる位置に配置されていてもよい。この場合も、内側ヒータ４１全体が断熱層５と重なる位置に配置されていることには変わりないため、断熱層５を設けたことによる効果を十分に得ることができる。

（２）前述の実施形態では、図１に示すように、本体部２の厚み方向（上下方向）Ｘにおいて、内側ヒータ４１全体が断熱層５と重なる位置に配置されているが、例えば、図７（ｂ）に示すように、内側ヒータ４１の一部が断熱層５と重ならない位置に配置されていてもよい。この場合には、被加熱物８の外径に対して内側ヒータ４１の外径４１を十分に大きくしてやれば、断熱層５を設けたことによる効果を十分に得ることができる。

（３）前述の実施形態では、図１に示すように、ヒータ部４の外側ヒータ４２を本体部２の第１層２１（断熱層５よりも上側）に設けたが、例えば、図８（ａ）に示すように、本体部２の第２層２２の立設部２２２（断熱層５の径方向外側）に設けてもよいし、図８（ｂ）に示すように、本体部２の第２層２２の底部２２１（断熱層５よりも下側）に設けてもよい。

（４）前述の実施形態では、ヒータ部４を内側ヒータ４１及び外側ヒータ４２の２つの領域（ゾーン）に分け、互いに独立して制御可能に構成されているが、例えば、さらに、内側ヒータ４１や外側ヒータ４２を複数の領域に分け、各領域が独立して制御可能に構成されていてもよい。この場合には、本体部２の載置面２０１における温度ばらつきをさらに精度良く抑制することができる。

（５）前述の実施形態では、本体部２は、別体で形成した第１層２１及び第２層２２を接合して構成されているが、例えば、第１層２１及び第２層２２を一体焼成等によって一体的に形成してもよい。また、本体部２の第２層２２は、一体的に形成された底部２２１及び立設部２２２により構成されているが、例えば、底部２２１と立設部２２２とを別体で形成し、両者を接合する構成としてもよい。また、本体部２は、第１層２１及び第２層２２の２つの層により構成されているが、例えば、３つ以上の層により構成されていてもよい。

（６）前述の実施形態では、本体部２に１つの断熱層５が設けられているが、例えば、複数の断熱層５が設けられていてもよい。また、複数の断熱層５が本体部２の厚み方向（上下方向）Ｘに並んで配置されていてもよいし、本体部２の径方向に並んで配置されていてもよい。また、断熱層５は、空間により形成されているが、例えば、本体部２よりも熱伝導率が低い材料により形成されていてもよい。

（７）前述の実施形態では、本体部２の内部にヒータ部４や吸着用電極６を設けたが、例えば、ヒータ部４や吸着用電極６を本体部２の表面（例えば載置面２０１等）に設けることもできる。この場合、例えばヒータ部４としては、ポリイミド等からなる絶縁フィルムに発熱体を設けたフィルムヒータ等を用いることができる。

ここで、図９に、ポリイミドヒータ７を用いた加熱装置１の例を示す。本体部２の第１層２１と第２層２２との間には、円柱状の空間２９が形成されている。空間２９には、ポリイミドヒータ７が配置されている。ポリイミドヒータ７は、ヒータ部４の内側ヒータ４１を内蔵する内側部７１と、ヒータ部４の外側ヒータ４２を内蔵する外側部７２とを有している。内側部７１及び外側部７２は、本体部２の第１層２１の下面に接着材等を用いて貼り付けられている。なお、本体部２の第１層２１と第２層２２とは、ポリイミドヒータ７を構成するポリイミド樹脂の耐熱性を考慮し、ロウ付けではなく、接着材やネジ止め等により接合する。

ヒータ部４の内側ヒータ４１は、リード線４１４を介して、本体部２の第２層２２の上面に配設された端子パッド４１５に接続されている。リード線４１４は、端子パッド４１５に対して半田付けされている。端子パッド４１５は、支持部３内の内側ヒータ端子４１２に接続されている。また、外側ヒータ４２は、リード線４２４を介して、本体部２の第２層２２の上面に配設された端子パッド４２５に接続されている。リード線４２４は、端子パッド４２５に対して半田付けされている。端子パッド４２５は、支持部３内の外側ヒータ端子４２２に接続されている。

そして、断熱層５は、本体部２の厚み方向（上下方向）Ｘにおいて、ポリイミドヒータ７の内側部７１に内蔵されたヒータ部４の内側ヒータ４１と支持部３との間に配置されている。すなわち、本体部２の第１層２１と第２層２２との間に形成された空間２９のうち、ポリイミドヒータ７の内側部７１の下方部分が断熱層５となる。その他の基本的な構成や作用効果は、前述の実施形態と同様である。

１…加熱装置
２…本体部
２０１…載置面
３…支持部
４…ヒータ部
４１…内側ヒータ
４１２…内側ヒータ端子
４２…外側ヒータ
４２２…外側ヒータ端子
５…断熱層
８…被加熱物
Ｘ…厚み方向（本体部の厚み方向）

Claims (6)

1. 被加熱物を載置する載置面を有し、前記被加熱物を加熱するためのヒータ部が設けられた本体部と、
   該本体部よりも外径が小さく、前記本体部の前記載置面とは反対側において前記本体部を支持する中空の支持部とを備え、
   前記ヒータ部は、内側ヒータと該内側ヒータよりも径方向の外側に配置された外側ヒータとを有しており、
   前記内側ヒータと前記外側ヒータとは、互いに独立して制御可能に構成されており、
   前記支持部内には、前記内側ヒータに接続された内側ヒータ端子と前記外側ヒータに接続された外側ヒータ端子とが配設されており、
   前記本体部の内部には、該本体部の厚み方向において前記内側ヒータと前記支持部との間に配置され、前記本体部よりも熱伝導率が低い断熱層が設けられており、
   前記外側ヒータの少なくとも一部は、前記断熱層よりも径方向の外側に配置されていることを特徴とする加熱装置。
2. 前記断熱層の外径は、前記支持部の外径よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の加熱装置。
3. 前記断熱層の外径は、前記内側ヒータの外径よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２に記載の加熱装置。
4. 前記断熱層は、空間により形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の加熱装置。
5. 前記本体部には、該本体部の厚み方向に突出して形成され、かつ前記載置面を有する突出凸部が設けられており、該突出凸部には、前記内側ヒータが設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の加熱装置。
6. 前記本体部の厚みは、１５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の加熱装置。

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