JP6247308B2 - 半導体デバイス上のハイブリッド変圧器構造 - Google Patents
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Description
いくつかの新規の特徴は、複数の層を有する半導体ダイ内に形成されたハイブリッド変圧器に関する。ハイブリッド変圧器は、巻線の第1の組と巻線の第2の組とを含む。巻線の第1の組は、ダイの少なくとも第1の層上に位置する。第1の層は、ダイの基板よりも上に位置する。巻線の第1の組は、第1のポートおよび第2のポートを含む。巻線の第1の組は、第1のインダクタとして動作するように構成される。巻線の第2の組は、ダイの少なくとも第2の層上に位置する。第2の層は、基板よりも上に位置する。巻線の第2の組は、第3のポート、第4のポート、および第5のポートを含む。巻線の第2の組は、第2のインダクタおよび第3のインダクタとして動作するように構成される。巻線の第1の組および巻線の第2の組は、垂直結合ハイブリッド変圧器として動作するように構成される。
図3は、いくつかの実装形態における、ダイ内の変圧器300の一例を示す。図3に示すように、変圧器300は、第1の巻線302および第2の巻線304を含む。第1の巻線302は、第1のポート306および第2のポート308を含む。第1の巻線302は、第1の回路の一部であり得る。第2の巻線304は、第3のポート310および第4のポート312を含む。第2の巻線304は、第2の回路の一部であり得る。第2の巻線304は、第1の巻線302よりも上に(垂直方向に)位置する。図3にさらに示すように、第1の巻線302と第2の巻線304との間の垂直エネルギー結合/垂直結合が存在する。すなわち、ダイの異なる層上にある巻線間でエネルギーが伝達される。より詳細には、ダイの1つの層上の第1の回路の第1の巻線から、ダイの別の層上の第2の回路の第2の巻線にエネルギーが伝達されている。
上述のように、垂直結合ハイブリッド変圧器がダイ内に製造され得る。図11は、ハイブリッド変圧器を含むダイを製造するための一般的な詳細な方法1100を示す。方法1100は、ダイがどのように製造されるかの一般化であり、ダイを製造するあらゆる単一のステップを捕らえることを意図していない。図11の方法は、垂直結合ハイブリッド変圧器を含むダイを製造するために使用され得る。いくつかの実装形態では、図11の方法は、相補型金属酸化物半導体(CMOS)バックエンドオブライン(BEOL)プロセス技術と呼ばれる。
102 第1のコイル
104 第1のポート
106 第2のポート
108 第2のコイル
110 第3のコイル
112 第3のポート
114 第4のポート
116 第5のポート
200 ハイブリッド変圧器
202 巻線の第1の組
204 巻線の第2の組
206 第1のポート
208 第2のポート
210 相互接続部の第1の組
212 第3のポート
214 第4のポート
300 変圧器
302 第1の巻線
304 第2の巻線
306 第1のポート
308 第2のポート
310 第3のポート
312 第4のポート
400 ダイ
402 基板
404 第1の金属層
406 ビア
408 第1の誘電体層
410 第2の金属層
412 第2の誘電体層
414 第3の金属層
416 第2のビア
418 第3の誘電体層
420 第4の金属層
422 パッシベーション層
500 垂直結合ハイブリッド変圧器
502 巻線の第1の組
504 巻線の第2の組
506 第1のポート
508 第2のポート
510 第3のポート
512 第4のポート
514 第5のポート
516 相互接続部の組
600 垂直結合ハイブリッド変圧器
602 巻線の第1の組
604 巻線の第2の組
606 第1のポート
608 第2のポート
610 第3のポート
612 第4のポート
614 第1のビア
616 第2のビア
700 垂直結合ハイブリッド変圧器
702 巻線の第1の組
704 巻線の第2の組
706 第1のポート
708 第2のポート
710 第3のポート
712 第4のポート
714 第5のポート
800 ダイ
802 基板
804 第1の金属層
806 第1のビア
808 第1の誘電体層
810 第2の金属層
812 第2のビア
814 第2の誘電体層
816 第3の金属層
818 第3の誘電体層
820 第4の金属層
822 第3のビア
824 第4の誘電体層
826 第5の金属層
828 第4のビア
830 第5の誘電体層
832 第6の金属層
834 パッシベーション層
900 垂直結合変圧器
902 巻線の第1の組
904 巻線の第2の組
906 第1のポート
908 第2のポート
910 第3のポート
912 第4のポート
1000 垂直結合ハイブリッド変圧器
1002 巻線の第1の組
1004 巻線の第2の組
1006 第1のポート
1008 第2のポート
1010 第3のポート
1012 第4のポート
1014 第5のポート
1300 ダイ
1302 基板
1304 第1の金属層
1306 第1の誘電体層
1307 ビア
1308 第2の金属層
1310 第2の誘電体層
1312 第3の金属層
1314 第3の誘電体層
1315 ビア
1316 第4の金属層
1318 パッシベーション層
1319 ビア
1500 集積回路
1502 携帯電話
1504 ラップトップコンピュータ
1506 固定位置端末
Claims (33)
- 複数の層を有する半導体ダイ内に形成されたハイブリッド変圧器であって、
巻線の第1の組であって、前記巻線の第1の組は、第1のポートおよび第2のポートを含み、前記巻線の第1の組は、第1のインダクタとして動作するように構成されている、巻線の第1の組と、
巻線の第2の組であって、前記巻線の第2の組は、第3のポート、第4のポートおよび第5のポートを含み、前記巻線の第2の組は、第2のインダクタおよび第3のインダクタとして動作するように構成されている、巻線の第2の組と
を含み、
前記半導体ダイは、前記半導体ダイの基板よりも上に位置する第1の層、前記第1の層に隣接する第3の層、前記半導体ダイの基板よりも上に位置する第2の層および前記第2の層に隣接する第4の層を含み、
前記巻線の第1の組の第1の部分および前記巻線の第2の組の第1の部分は、前記第1の層上に位置し、前記巻線の第1の組の第2の部分および前記巻線の第2の組の第2の部分は、前記第3の層上に位置し、前記巻線の第1の組の第3の部分および前記巻線の第2の組の第3の部分は、前記第2の層上に位置し、前記巻線の第1の組の第4の部分および前記巻線の第2の組の第4の部分は、前記第4の層上に位置し、
前記巻線の第1の組および前記巻線の第2の組は、垂直結合ハイブリッド変圧器として動作するように構成されている、
ハイブリッド変圧器。 - 前記垂直結合ハイブリッド変圧器として動作するように構成されている前記巻線の第1の組及び前記巻線の第2の組は、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間でエネルギーを伝達するように構成されており、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間で伝達される総エネルギーの大部分は、前記半導体ダイの異なる層上の巻線間で生じる、請求項1に記載のハイブリッド変圧器。
- 前記垂直結合ハイブリッド変圧器として動作するように構成されている前記巻線の第1の組および前記巻線の第2の組は、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間でエネルギーを伝達するように構成されており、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間で伝達される総エネルギーの相当な量は、前記半導体ダイの異なる層上の巻線間で生じる、請求項1に記載のハイブリッド変圧器。
- 前記基板は、絶縁無線周波数(RF)基板である、請求項1に記載のハイブリッド変圧器。
- 前記基板はガラス基板である、請求項1に記載のハイブリッド変圧器。
- 前記半導体ダイは、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間に位置する誘電体層を含む、請求項1に記載のハイブリッド変圧器。
- 前記誘電体層は低k誘電体、低損失誘電体、またはそれらの組合せを含む、請求項6に記載のハイブリッド変圧器。
- 前記誘電体層は、ポリイミド材料、アクリル材料、ポリベンゾオキサゾール(PBO)材料、ベンゾシクロブテン(BCB)材料、またはそれらの組合せを含む、請求項6に記載のハイブリッド変圧器。
- 前記巻線の第1の組は、導電性トレースの第1の組を含む、請求項1に記載のハイブリッド変圧器。
- 前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組とは同軸上にある、請求項1に記載のハイブリッド変圧器。
- 前記巻線の第1の組は、第1の数のループを有し、前記巻線の第2の組は、第2の数のループを有している、請求項1に記載のハイブリッド変圧器。
- 前記ハイブリッド変圧器は、信号デュプレクサとして動作する、請求項1に記載のハイブリッド変圧器。
- 半導体ダイ内にハイブリッド変圧器を製造するための方法であって、
巻線の第1の組を形成するステップであって、前記巻線の第1の組は、第1のポートおよび第2のポートを含み、前記巻線の第1の組は、第1のインダクタとして動作するように構成される、ステップと、
巻線の第2の組を形成するステップであって、前記巻線の第2の組は、第3のポート、第4のポートおよび第5のポートを含み、前記巻線の第2の組は、第2のインダクタおよび第3のインダクタとして動作するように構成される、ステップと
を含み、
前記半導体ダイは、前記半導体ダイの基板よりも上に位置する第1の層、前記第1の層に隣接する第3の層、前記半導体ダイの基板よりも上に位置する第2の層および前記第2の層に隣接する第4の層を含み、
前記巻線の第1の組の第1の部分および前記巻線の第2の組の第1の部分は、前記第1の層上に位置し、前記巻線の第1の組の第2の部分および前記巻線の第2の組の第2の部分は、前記第3の層上に位置し、前記巻線の第1の組の第3の部分および前記巻線の第2の組の第3の部分は、前記第2の層上に位置し、前記巻線の第1の組の第4の部分および前記巻線の第2の組の第4の部分は、前記第4の層上に位置し、
前記巻線の第1の組および前記巻線の第2の組は、垂直結合ハイブリッド変圧器として動作するように構成される、
方法。 - 前記垂直結合ハイブリッド変圧器として動作するように構成されている前記巻線の第1の組及び前記巻線の第2の組は、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間でエネルギーを伝達するように構成されており、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間で伝達される総エネルギーの大部分は、前記半導体ダイの異なる層上の巻線間で生じる、請求項13に記載の方法。
- 前記垂直結合ハイブリッド変圧器として動作するように構成されている前記巻線の第1の組及び前記巻線の第2の組は、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間でエネルギーを伝達するように構成されており、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間で伝達される総エネルギーの相当な量は、前記半導体ダイの異なる層上の巻線間で生じる、請求項13に記載の方法。
- 前記基板は、絶縁無線周波数(RF)基板である、請求項13に記載の方法。
- 前記基板は、ガラス基板である、請求項13に記載の方法。
- 誘電体層が、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間に位置する、請求項13に記載の方法。
- 前記誘電体層は、低k誘電体、低損失誘電体、またはそれらの組合せを含む、請求項18に記載の方法。
- 前記誘電体層は、ポリイミド材料、アクリル材料、ポリベンゾオキサゾール(PBO)材料、ベンゾシクロブテン(BCB)材料、またはそれらの組合せを含む、請求項18に記載の方法。
- ダイ内にハイブリッド変圧器を製造するための装置であって、
巻線の第1の組を製造するための手段であって、前記巻線の第1の組は、第1のポートおよび第2のポートを含み、前記巻線の第1の組は、第1のインダクタとして動作するように構成されている、手段と、
巻線の第2の組を製造するための手段であって、前記巻線の第2の組は第3のポート、第4のポートおよび第5のポートを含み、前記巻線の第2の組は、第2のインダクタおよび第3のインダクタとして動作するように構成されている、手段と
を含み、
前記ダイは、前記ダイの基板よりも上に位置する第1の層、前記第1の層に隣接する第3の層、前記ダイの基板よりも上に位置する第2の層および前記第2の層に隣接する第4の層を含み、
前記巻線の第1の組の第1の部分および前記巻線の第2の組の第1の部分は、前記第1の層上に位置し、前記巻線の第1の組の第2の部分および前記巻線の第2の組の第2の部分は、前記第3の層上に位置し、前記巻線の第1の組の第3の部分および前記巻線の第2の組の第3の部分は、前記第2の層上に位置し、前記巻線の第1の組の第4の部分および前記巻線の第2の組の第4の部分は、前記第4の層上に位置し、
前記巻線の第1の組および前記巻線の第2の組は、垂直結合ハイブリッド変圧器として動作するように構成されている、
装置。 - 前記垂直結合ハイブリッド変圧器として動作するように構成されている前記巻線の第1の組および前記巻線の第2の組は、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間でエネルギーを伝達するように構成され、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間で伝達される総エネルギーの大部分は、前記ダイの異なる層上の巻線間で生じる、請求項21に記載の装置。
- 前記垂直結合ハイブリッド変圧器として動作するように構成されている前記巻線の第1の組および前記巻線の第2の組は、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間でエネルギーを伝達するように構成され、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間で伝達される総エネルギーの相当な量は、前記ダイの異なる層上の巻線間で生じる、請求項21に記載の装置。
- 前記基板は、絶縁無線周波数(RF)基板である、請求項21に記載の装置。
- 前記基板は、ガラス基板である、請求項21に記載の装置。
- 前記巻線の第1の組と前記第2の巻線との間に誘電体層を堆積させるための手段をさらに含む、請求項21に記載の装置。
- 前記誘電体層は、低k誘電体、低損失誘電体、またはそれらの組合せを含む、請求項26に記載の装置。
- 前記誘電体層は、ポリイミド材料、アクリル材料、ポリベンゾオキサゾール(PBO)材料、ベンゾシクロブテン(BCB)材料、またはそれらの組合せを含む、請求項26に記載の装置。
- 半導体ダイであって、
基板と、
前記基板よりも上に位置する第1の層、前記基板よりも上に位置する第2の層、前記第1の層に隣接する第3の層、および前記第2の層に隣接する第4の層を含む複数の層と、
前記基板に結合されたハイブリッド変圧器であって、
巻線の第1の組であって、前記巻線の第1の組は、第1のポートおよび第2のポートを含み、前記巻線の第1の組は、第1のインダクタとして動作するように構成されている、巻線の第1の組と、
巻線の第2の組であって、前記巻線の第2の組は、第3のポート、第4のポートおよび第5のポートを含み、前記巻線の第2の組は、第2のインダクタおよび第3のインダクタとして動作するように構成されている、巻線の第2の組と
を含む、ハイブリッド変圧器と
を含み、
前記巻線の第1の組の第1の部分および前記巻線の第2の組の第1の部分は、前記第1の層上に位置し、前記巻線の第1の組の第2の部分および前記巻線の第2の組の第2の部分は、前記第3の層上に位置し、前記巻線の第1の組の第3の部分および前記巻線の第2の組の第3の部分は、前記第2の層上に位置し、前記巻線の第1の組の第4の部分および前記巻線の第2の組の第4の部分は、前記第4の層上に位置し、
前記巻線の第1の組および前記巻線の第2の組は、垂直結合ハイブリッド変圧器として動作するように構成されている、
半導体ダイ。 - 前記垂直結合ハイブリッド変圧器として動作するように構成された前記巻線の第1の組および前記巻線の第2の組は、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間でエネルギーを伝達するように構成され、前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間で伝達される総エネルギーの大部分は、前記ダイの異なる層間で生じる、請求項29に記載の半導体ダイ。
- 前記巻線の第1の組は、前記複数の層上の前記巻線の第2の組と交互配置される、請求項29に記載の半導体ダイ。
- 前記基板は、ガラス基板である、請求項29に記載の半導体ダイ。
- 前記巻線の第1の組と前記巻線の第2の組との間に誘電体層をさらに含む、請求項29に記載の半導体ダイ。
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JP2017098334A (ja) * | 2015-11-19 | 2017-06-01 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
TWI619128B (zh) * | 2015-12-08 | 2018-03-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 螺旋狀堆疊式積體電感及變壓器 |
WO2017111910A1 (en) | 2015-12-21 | 2017-06-29 | Intel Corporation | High performance integrated rf passives using dual lithography process |
CN106876379B (zh) | 2016-07-07 | 2019-10-08 | 威盛电子股份有限公司 | 半导体装置 |
TWI610451B (zh) * | 2016-07-07 | 2018-01-01 | 威盛電子股份有限公司 | 半導體裝置 |
TWI645428B (zh) * | 2016-11-25 | 2018-12-21 | 瑞昱半導體股份有限公司 | 積體電感 |
CN110024062B (zh) * | 2016-12-01 | 2021-08-24 | 康明斯发电Ip公司 | 高电流半匝绕组 |
EP3471140B1 (en) | 2017-10-11 | 2022-05-18 | Nxp B.V. | Integrated circuit including a plurality of components including a transformer |
US10643985B2 (en) | 2017-12-15 | 2020-05-05 | Qualcomm Incorporated | Capacitor array overlapped by on-chip inductor/transformer |
US11011461B2 (en) * | 2018-02-12 | 2021-05-18 | Qualcomm Incorporated | Perpendicular inductors integrated in a substrate |
US10600731B2 (en) * | 2018-02-20 | 2020-03-24 | Qualcomm Incorporated | Folded metal-oxide-metal capacitor overlapped by on-chip inductor/transformer |
CN110676028B (zh) * | 2018-07-03 | 2021-08-03 | 瑞昱半导体股份有限公司 | 变压器装置 |
CN216528275U (zh) | 2019-02-22 | 2022-05-13 | 株式会社村田制作所 | 线圈器件、移相电路及通信装置 |
US11823831B2 (en) | 2019-05-24 | 2023-11-21 | Qualcomm Incorporated | Substrate comprising an inductive coupler for signal leakage reduction |
JP6721146B1 (ja) * | 2019-08-05 | 2020-07-08 | 国立大学法人北海道大学 | プレーナ型コイル、およびプレーナ型トランス |
KR20210145938A (ko) | 2020-05-26 | 2021-12-03 | 삼성전자주식회사 | 완전 대칭성을 가지는 3차원 적층 병렬-병렬 전력 결합기 및 이를 포함하는 통신 시스템 |
US11901315B2 (en) * | 2021-03-04 | 2024-02-13 | Innolux Corporation | Package device |
Family Cites Families (150)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3798059A (en) | 1970-04-20 | 1974-03-19 | Rca Corp | Thick film inductor with ferromagnetic core |
US4815128A (en) * | 1986-07-03 | 1989-03-21 | Motorola, Inc. | Gateway system and method for interconnecting telephone calls with a digital voice protected radio network |
US4841253A (en) | 1987-04-15 | 1989-06-20 | Harris Corporation | Multiple spiral inductors for DC biasing of an amplifier |
US4816784A (en) * | 1988-01-19 | 1989-03-28 | Northern Telecom Limited | Balanced planar transformers |
US5111169A (en) | 1989-03-23 | 1992-05-05 | Takeshi Ikeda | Lc noise filter |
US5015972A (en) * | 1989-08-17 | 1991-05-14 | Motorola, Inc. | Broadband RF transformer |
JPH0377360A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US5038104A (en) | 1990-02-05 | 1991-08-06 | Vanderbilt University | Magnetometer flux pick-up coil with non-uniform interturn spacing optimized for spatial resolution |
FR2662869B1 (fr) | 1990-06-01 | 1995-06-16 | Europ Agence Spatiale | Procede de limitation d'une surcharge base sur la technique de controle pwm (ou lc3) et dispositif electronique de mise en óoeuvre de ce procede. |
JPH0484501A (ja) | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分波器 |
ATE269588T1 (de) | 1993-02-04 | 2004-07-15 | Cornell Res Foundation Inc | Mikrostrukturen und einzelmask, einkristall- herstellungsverfahren |
JPH08148354A (ja) * | 1994-11-18 | 1996-06-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層コモンモードチョークコイル |
TW362222B (en) | 1995-11-27 | 1999-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Coiled component and its production method |
US5831331A (en) | 1996-11-22 | 1998-11-03 | Philips Electronics North America Corporation | Self-shielding inductor for multi-layer semiconductor integrated circuits |
JP4030028B2 (ja) | 1996-12-26 | 2008-01-09 | シチズン電子株式会社 | Smd型回路装置及びその製造方法 |
US5969582A (en) | 1997-07-03 | 1999-10-19 | Ericsson Inc. | Impedance matching circuit for power amplifier |
US6025261A (en) | 1998-04-29 | 2000-02-15 | Micron Technology, Inc. | Method for making high-Q inductive elements |
US5986617A (en) | 1998-08-31 | 1999-11-16 | Lucent Technologies | Multiband antenna matching unit |
US6985035B1 (en) | 1998-11-12 | 2006-01-10 | Broadcom Corporation | System and method for linearizing a CMOS differential pair |
JP3571247B2 (ja) | 1999-03-31 | 2004-09-29 | 太陽誘電株式会社 | 積層電子部品 |
JP3776281B2 (ja) | 1999-04-13 | 2006-05-17 | アルプス電気株式会社 | インダクティブ素子 |
JP2001085230A (ja) | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Murata Mfg Co Ltd | インダクタ |
US6501363B1 (en) * | 1999-11-03 | 2002-12-31 | Innosys, Inc. | Vertical transformer |
US6429763B1 (en) | 2000-02-01 | 2002-08-06 | Compaq Information Technologies Group, L.P. | Apparatus and method for PCB winding planar magnetic devices |
US7370403B1 (en) | 2000-06-06 | 2008-05-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of fabricating a planar spiral inductor structure having an enhanced Q value |
US7606547B1 (en) | 2000-07-31 | 2009-10-20 | Marvell International Ltd. | Active resistance summer for a transformer hybrid |
JP4051878B2 (ja) | 2000-11-08 | 2008-02-27 | 株式会社豊田自動織機 | 非接触給電装置 |
SE519893C2 (sv) | 2000-11-09 | 2003-04-22 | Ericsson Telefon Ab L M | Induktorstruktur hos integrerad krets samt icke-förstörande mätning av etsningsdjup |
US6437965B1 (en) | 2000-11-28 | 2002-08-20 | Harris Corporation | Electronic device including multiple capacitance value MEMS capacitor and associated methods |
SE0004794L (sv) * | 2000-12-22 | 2002-06-23 | Ericsson Telefon Ab L M | En flerskikts-symmetreringstransformatorstruktur |
SG142160A1 (en) | 2001-03-19 | 2008-05-28 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing a semiconductor device |
KR100368930B1 (ko) | 2001-03-29 | 2003-01-24 | 한국과학기술원 | 반도체 기판 위에 높이 떠 있는 3차원 금속 소자, 그 회로모델, 및 그 제조방법 |
KR100382765B1 (ko) | 2001-06-15 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 송수신용 수동소자와 그 집적모듈 및 그 제조방법 |
US6801114B2 (en) * | 2002-01-23 | 2004-10-05 | Broadcom Corp. | Integrated radio having on-chip transformer balun |
US20030151485A1 (en) | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Charles Lewis | Surface mounted inductance element |
US6816784B1 (en) | 2002-03-08 | 2004-11-09 | Navteq North America, Llc | Method and system using delivery trucks to collect address location data |
US6714112B2 (en) | 2002-05-10 | 2004-03-30 | Chartered Semiconductor Manufacturing Limited | Silicon-based inductor with varying metal-to-metal conductor spacing |
JP3754406B2 (ja) | 2002-09-13 | 2006-03-15 | 富士通株式会社 | 可変インダクタおよびそのインダクタンス調整方法 |
TWI287239B (en) * | 2002-12-10 | 2007-09-21 | Univ Nat Central | Symmetric three-dimension type inductor |
JP3800540B2 (ja) * | 2003-01-31 | 2006-07-26 | Tdk株式会社 | インダクタンス素子の製造方法と積層電子部品と積層電子部品モジュ−ルとこれらの製造方法 |
US6952153B2 (en) * | 2003-02-04 | 2005-10-04 | Raytheon Company | Electrical transformer |
DE10392479T5 (de) | 2003-02-04 | 2005-12-29 | Mitsubishi Denki K.K. | Spiralförmige Induktionsspule und Übertrager |
JP4448298B2 (ja) | 2003-07-14 | 2010-04-07 | アルプス電気株式会社 | スパイラルインダクタ |
US20050104158A1 (en) | 2003-11-19 | 2005-05-19 | Scintera Networks, Inc. | Compact, high q inductor for integrated circuit |
JP2005223261A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Mitsubishi Materials Corp | 積層型コモンモードチョークコイル及びその製造方法 |
CN1930776B (zh) | 2004-03-16 | 2012-02-01 | 日立金属株式会社 | 高频电路以及高频部件 |
KR101161361B1 (ko) | 2004-03-26 | 2012-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
KR100548388B1 (ko) | 2004-07-20 | 2006-02-02 | 삼성전자주식회사 | 저손실 인덕터소자 및 그의 제조방법 |
US7808356B2 (en) * | 2004-08-31 | 2010-10-05 | Theta Microelectronics, Inc. | Integrated high frequency BALUN and inductors |
US7526256B2 (en) * | 2005-05-25 | 2009-04-28 | Broadcom Corporation | Transformer-based multi-band RF front-end architecture |
TWI280593B (en) | 2005-06-16 | 2007-05-01 | Via Tech Inc | Inductor |
JP4764668B2 (ja) | 2005-07-05 | 2011-09-07 | セイコーエプソン株式会社 | 電子基板の製造方法および電子基板 |
US7280810B2 (en) | 2005-08-03 | 2007-10-09 | Kamilo Feher | Multimode communication system |
WO2007019280A2 (en) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | The Regents Of The University Of California | Interleaved three-dimensional on-chip differential inductors and transformers |
US7570129B2 (en) | 2005-09-02 | 2009-08-04 | Northrop Grumman Corporation | 3D MMIC balun and methods of making the same |
KR100760915B1 (ko) | 2005-12-29 | 2007-09-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 인덕터 구조 및 그 제조 방법 |
US7411283B2 (en) | 2006-02-14 | 2008-08-12 | Sun Microsystems, Inc. | Interconnect design for reducing radiated emissions |
US20070249078A1 (en) | 2006-04-19 | 2007-10-25 | Ming-Hau Tung | Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems |
JP2008042609A (ja) | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Toshiba Corp | 分波器および無線受信機 |
TWI315580B (en) | 2006-09-11 | 2009-10-01 | Via Tech Inc | Symmetrical inductor |
US20080076354A1 (en) | 2006-09-26 | 2008-03-27 | Broadcom Corporation, A California Corporation | Cable modem with programmable antenna and methods for use therewith |
US7524731B2 (en) | 2006-09-29 | 2009-04-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Process of forming an electronic device including an inductor |
US7616934B2 (en) | 2006-12-11 | 2009-11-10 | Sige Semiconductor (Europe) Limited | Switched impedance transformer for semiconductor circuits |
KR100869741B1 (ko) | 2006-12-29 | 2008-11-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 나선형 인덕터 |
US7675365B2 (en) | 2007-01-10 | 2010-03-09 | Samsung Electro-Mechanics | Systems and methods for power amplifiers with voltage boosting multi-primary transformers |
TWI336922B (en) | 2007-01-12 | 2011-02-01 | Via Tech Inc | Spiral inductor with multi-trace structure |
US7304558B1 (en) | 2007-01-18 | 2007-12-04 | Harris Corporation | Toroidal inductor design for improved Q |
US20080174397A1 (en) | 2007-01-19 | 2008-07-24 | General Electric Company | High quality factor, low volume, air-core inductor |
KR100886351B1 (ko) | 2007-01-24 | 2009-03-03 | 삼성전자주식회사 | 변압기 및 밸룬 |
US7894205B2 (en) | 2007-04-05 | 2011-02-22 | Mitsubishi Electric Corporation | Variable device circuit and method for manufacturing the same |
US7935607B2 (en) | 2007-04-09 | 2011-05-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated passive device with a high resistivity substrate and method for forming the same |
US8224400B2 (en) | 2007-05-31 | 2012-07-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Systems and techniques for reducing power consumption in a mobile computing device |
KR100862489B1 (ko) | 2007-06-11 | 2008-10-08 | 삼성전기주식회사 | 스파이럴 인덕터 |
US7566627B2 (en) | 2007-06-29 | 2009-07-28 | Texas Instruments Incorporated | Air gap in integrated circuit inductor fabrication |
JP4953132B2 (ja) * | 2007-09-13 | 2012-06-13 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP2009088161A (ja) | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Fujitsu Media Device Kk | 電子部品 |
TW200926218A (en) | 2007-12-10 | 2009-06-16 | Ind Tech Res Inst | Planar-like inductor coupling structure |
US8072287B2 (en) * | 2008-03-27 | 2011-12-06 | Broadcom Corporation | Method and system for configurable differential or single-ended signaling in an integrated circuit |
JP2009246159A (ja) | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 多出力磁気誘導素子およびそれを備えた多出力超小型電力変換装置 |
JP2009272360A (ja) | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Panasonic Corp | インダクタおよびその製造方法 |
US8169050B2 (en) | 2008-06-26 | 2012-05-01 | International Business Machines Corporation | BEOL wiring structures that include an on-chip inductor and an on-chip capacitor, and design structures for a radiofrequency integrated circuit |
WO2010007858A1 (ja) | 2008-07-15 | 2010-01-21 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
US9108880B2 (en) | 2008-08-18 | 2015-08-18 | The Regents Of The University Of California | Nanostructured superhydrophobic, superoleophobic and/or superomniphobic coatings, methods for fabrication, and applications thereof |
TWI360254B (en) * | 2008-09-10 | 2012-03-11 | Advanced Semiconductor Eng | Balun circuit manufactured by integrate passive de |
US8049589B2 (en) | 2008-09-10 | 2011-11-01 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Balun circuit manufactured by integrate passive device process |
US8183673B2 (en) | 2008-10-21 | 2012-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Through-silicon via structures providing reduced solder spreading and methods of fabricating the same |
US8446243B2 (en) | 2008-10-31 | 2013-05-21 | Infineon Technologies Austria Ag | Method of constructing inductors and transformers |
US8233870B2 (en) | 2008-12-04 | 2012-07-31 | Broadcom Corporation | Multiple frequency band multiple standard transceiver |
US7821372B2 (en) * | 2008-12-31 | 2010-10-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | On-chip transformer BALUN structures |
US9721715B2 (en) | 2009-01-22 | 2017-08-01 | 2Sentient Inc. | Solid state components having an air core |
US9190201B2 (en) | 2009-03-04 | 2015-11-17 | Qualcomm Incorporated | Magnetic film enhanced inductor |
JP5252212B2 (ja) | 2009-03-12 | 2013-07-31 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 信号増幅用半導体装置 |
US8229367B2 (en) | 2009-04-14 | 2012-07-24 | Qualcomm, Incorporated | Low noise amplifier with combined input matching, balun, and transmit/receive switch |
TWI411353B (zh) * | 2009-04-27 | 2013-10-01 | Delta Electronics Inc | 多組直流負載之電流平衡供電電路 |
KR101215303B1 (ko) | 2009-07-21 | 2012-12-26 | 한국전자통신연구원 | 엘티씨씨 인덕터를 포함하는 전자 장치 |
US8350639B2 (en) | 2009-08-26 | 2013-01-08 | Qualcomm Incorporated | Transformer signal coupling for flip-chip integration |
WO2011033496A1 (en) | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Maradin Technologies Ltd. | Micro coil apparatus and manufacturing methods therefor |
WO2011045312A1 (en) * | 2009-10-12 | 2011-04-21 | St-Ericsson (France) Sas | Integrated transformer with multiple transformation ratios |
US8368481B2 (en) | 2009-10-14 | 2013-02-05 | Microsemi Corporation | RF switchable balun |
CN102087995A (zh) | 2009-12-04 | 2011-06-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 集成电路电感及其制作方法 |
CN102231313B (zh) | 2009-12-08 | 2014-04-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 利用金属并联的多层堆叠电感 |
CN102087911A (zh) | 2009-12-08 | 2011-06-08 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 金属厚度不相等的不等宽片上叠层电感 |
CN102103923A (zh) | 2009-12-18 | 2011-06-22 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 平面变压器 |
KR101597214B1 (ko) | 2010-01-14 | 2016-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
US20110217657A1 (en) | 2010-02-10 | 2011-09-08 | Life Bioscience, Inc. | Methods to fabricate a photoactive substrate suitable for microfabrication |
US8068003B2 (en) | 2010-03-10 | 2011-11-29 | Altera Corporation | Integrated circuits with series-connected inductors |
US20110229687A1 (en) | 2010-03-19 | 2011-09-22 | Qualcomm Incorporated | Through Glass Via Manufacturing Process |
US8631368B2 (en) | 2010-03-30 | 2014-01-14 | Qualcomm Incorporated | Method and circuit to generate race condition test data at multiple supply voltages |
US8384507B2 (en) | 2010-06-01 | 2013-02-26 | Qualcomm Incorporated | Through via inductor or transformer in a high-resistance substrate with programmability |
US8571489B2 (en) | 2010-06-03 | 2013-10-29 | Broadcom Corporation | Front end module with tone injection |
US8493126B2 (en) | 2010-07-15 | 2013-07-23 | Qualcomm Incorporated | Wideband balun having a single primary and multiple secondaries |
US8591262B2 (en) | 2010-09-03 | 2013-11-26 | Pulse Electronics, Inc. | Substrate inductive devices and methods |
US8970516B2 (en) | 2010-09-23 | 2015-03-03 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Integrated passives and power amplifier |
CN102569249B (zh) | 2010-12-08 | 2014-01-22 | 财团法人工业技术研究院 | 立体式电感 |
US8552812B2 (en) * | 2010-12-09 | 2013-10-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Transformer with bypass capacitor |
EP2650915B1 (en) | 2010-12-10 | 2017-07-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Conducting path and semiconductor device |
KR101127478B1 (ko) | 2010-12-21 | 2012-03-22 | 한국과학기술원 | 관통 실리콘 비아를 이용한 전류 측정 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 전류 측정 회로 |
US9027229B2 (en) | 2011-01-04 | 2015-05-12 | ÅAC Microtec AB | Coil assembly comprising planar coil |
US8754736B2 (en) | 2011-01-24 | 2014-06-17 | International Business Machines Corporation | Inductor structure having increased inductance density and quality factor |
US9105381B2 (en) | 2011-01-24 | 2015-08-11 | International Business Machines Corporation | High frequency inductor structure having increased inductance density and quality factor |
US20120235969A1 (en) | 2011-03-15 | 2012-09-20 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Thin film through-glass via and methods for forming same |
US20120244802A1 (en) | 2011-03-24 | 2012-09-27 | Lei Feng | On chip inductor |
TWI454052B (zh) | 2011-04-01 | 2014-09-21 | Realtek Semiconductor Corp | 單端轉雙端電路 |
US20120249281A1 (en) | 2011-04-04 | 2012-10-04 | General Electric Company | Inductor and eddy current sensor including an inductor |
US9319036B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-04-19 | Apple Inc. | Gate signal adjustment circuit |
US8354325B1 (en) | 2011-06-29 | 2013-01-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for forming a toroidal inductor in a semiconductor substrate |
US20130016633A1 (en) | 2011-07-14 | 2013-01-17 | Lum Nicholas W | Wireless Circuitry for Simultaneously Receiving Radio-frequency Transmissions in Different Frequency Bands |
US8737376B2 (en) | 2011-08-12 | 2014-05-27 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Frontend module for time division duplex (TDD) carrier aggregation |
US20130050226A1 (en) | 2011-08-30 | 2013-02-28 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Die-cut through-glass via and methods for forming same |
JP5719259B2 (ja) | 2011-09-06 | 2015-05-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 高周波電力増幅装置 |
KR101325549B1 (ko) | 2011-12-22 | 2013-11-07 | (주)그린파워 | 전류변압기 기반의 전자기장 차폐장치를 구비한 무선 전력전송 장치 |
CN102522181B (zh) | 2012-01-04 | 2013-08-14 | 西安电子科技大学 | 线宽间距交变结构型平面螺旋电感 |
US9166640B2 (en) | 2012-02-10 | 2015-10-20 | Infineon Technologies Ag | Adjustable impedance matching network |
US20130207745A1 (en) | 2012-02-13 | 2013-08-15 | Qualcomm Incorporated | 3d rf l-c filters using through glass vias |
US8716871B2 (en) | 2012-02-15 | 2014-05-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Big via structure |
KR101789836B1 (ko) | 2012-02-27 | 2017-10-25 | 한국전자통신연구원 | 누설 에너지 수집 장치 |
GB2513725B (en) | 2012-02-29 | 2016-01-13 | Murata Manufacturing Co | Multilayer inductor and power supply circuit module |
JP5942530B2 (ja) | 2012-03-28 | 2016-06-29 | カシオ計算機株式会社 | 非接触充電システム及び電子機器 |
US9001031B2 (en) | 2012-07-30 | 2015-04-07 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Complex passive design with special via implementation |
KR20140068391A (ko) | 2012-11-28 | 2014-06-09 | 엘지전자 주식회사 | 자기장의 자유도를 향상하기 위한 코일의 구조 |
US9203373B2 (en) | 2013-01-11 | 2015-12-01 | Qualcomm Incorporated | Diplexer design using through glass via technology |
US9172441B2 (en) | 2013-02-08 | 2015-10-27 | Rf Micro Devices, Inc. | Front end circuitry for carrier aggregation configurations |
US10002700B2 (en) | 2013-02-27 | 2018-06-19 | Qualcomm Incorporated | Vertical-coupling transformer with an air-gap structure |
US9634645B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-04-25 | Qualcomm Incorporated | Integration of a replica circuit and a transformer above a dielectric substrate |
GB2512586B (en) | 2013-04-02 | 2015-08-12 | Broadcom Corp | Switch arrangement |
US20140327510A1 (en) | 2013-05-06 | 2014-11-06 | Qualcomm Incorporated | Electronic device having asymmetrical through glass vias |
US9449753B2 (en) | 2013-08-30 | 2016-09-20 | Qualcomm Incorporated | Varying thickness inductor |
US20150092314A1 (en) | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Qualcomm Incorporated | Connector placement for a substrate integrated with a toroidal inductor |
US20150130579A1 (en) | 2013-11-12 | 2015-05-14 | Qualcomm Incorporated | Multi spiral inductor |
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