JP6224317B2 - チップインダクタ及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、チップインダクタ及びその製造方法に関し、特に、ＩＴデバイスなどに設けられ、雑音を除去することができるチップインダクタ及びその製造方法に関する。

最近、各種通信デバイスまたはディスプレイデバイスなどのＩＴデバイスの小型化及び薄膜化が加速化されているが、このようなＩＴデバイスに採用されるインダクタ、キャパシタ、トランジスタなどの各種素子に対しても小型化及び薄型化のための研究が進められている。

このような素子のうち、チップインダクタは、ＩＴデバイスなどで発生する雑音を除去する用途として広く使われている。従来のチップインダクタは、磁性体シートに配線パターンが形成されている複数層を積層し、高温環境で押圧焼成し、各層の配線をビアホールで接続する方法によって大量生産が可能になった。特許文献１には、前述のような積層型チップインダクタに関する技術が示されている。

一方、スマトホン、タブレットＰＣなどＩＴデバイスの高性能化に伴って電流許容値の高いインダクタへの要求が高くなっている。これによって、高インダクタンス及び低直流抵抗特性を具現すると共に直流重畳特性が改善されたインダクタを開発するための労力が持続して行われている。

しかしながら、特許文献１に示されているような従来のインダクタは、磁性体シートに配線パターンが形成されるため、絶縁性の確保及び加工上の限界によってある程度のレベル以上の配線間隙が必要になった。

また、配線パターンの断面積を狭くする場合、配線パターンの直流抵抗が増加することになる。

特開２００５-１０９０９７号公報

そのため、従来のインダクタでは、一層に形成される巻線の数に限界があり、また高インダクタンスを具現するためには、配線パターンの形成された層の数を増加させなければならないため、小型化や薄膜化に限界があった。

加えて、従来のインダクタでは、磁性体を具現する材料などの限界によって磁気飽和現象が発生する。このような磁気飽和現象は、インダクタ特性の向上に障害になっていた。

本発明は上記の問題に鑑みて成されたものであって、 磁気飽和を解決し、特性の向上に加えて、大量生産方式で小型化及び薄膜化が可能なチップインダクタ及びその製造方法を提供することに、その目的がある。

上記目的を解決するために、本発明によるチップインダクタは、金属粒子とポリマとが混合された金属−ポリマ複合体と、この金属−ポリマ複合体の内部に設けられコイルを形成する配線パターンと、前記金属−ポリマ複合体の外周面一部に設けられる外部電極と、前記金属−ポリマ複合体と前記配線パターンとの間及び前記金属−ポリマ複合体と前記外部電極との間に設けられる絶縁部と、を含む。

前記ポリマは、エポキシ、ポリイミド及び液晶ポリマ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ：ＬＣＰ）よりなる郡から選ばれる少なくとも一つを含む。

また、前記金属粒子は、鉄（Ｆｅ）を含む。

前記金属粒子の直径は、望ましくは、数百ｎｍ〜数十μｍ範囲にある。

また、前記配線パターンは複数の層で形成され、前記一層に２回以上の巻線がなされて配線パターンが形成される。

また、上記目的を解決するために、本発明によるチップインダクタは、ベース基板と、このベース基板の上面に設けられ、コイルを形成する配線パターンと、前記ベース基板の上面に設けられ、金属粒子とポリマとが混合された金属−ポリマ複合体と、前記ベース基板及び金属−ポリマ複合体の外周面一部に設けられる外部電極と、前記金属−ポリマ複合体と前記配線パターンとの間及び前記金属−ポリマ複合体と前記外部電極との間に設けられる絶縁部と、を含む。

また、上記目的を解決するために、本発明の他の実施形態によるチップインダクタ製造方法は、ベース基板の表面に配線パターンを形成するステップと、前記配線パターン及び前記ベース基板の表面を覆う絶縁層を形成するステップと、この絶縁層で前記配線パターンの形成された領域を除いた領域を除去して絶縁部を形成するステップと、該絶縁部を除いた領域に金属−ポリマ複合体を充填するステップと、を含む。

前記ベース基板の表面に配線パターンを形成するステップは、プリンティングまたはめっき方式によって行われる。

また、前記絶縁層で前記配線パターンの形成された領域を除いた領域を除去して絶縁部を形成するステップは、前記配線パターンの形成された領域を露出するマスクを通じて露光硬化させた後、硬化されない領域を除去する。

また、前記絶縁層で前記配線パターンの形成された領域を除いた領域を除去して絶縁部を形成するステップは、前記配線パターンの形成された領域を除いた領域を露出するマスクを通じて露光させた後、除去する。

また、前記金属−ポリマ複合体を充填するステップ後、前記絶縁部の一部を除去して前記配線パターンの上面が露出するようにビアホールを形成するステップと、前記絶縁部の上面に第２の配線パターンを形成するステップと、前記第２の配線パターン及び金属−ポリマ複合体の表面を覆う第２の絶縁層を形成するステップと、前記第２の絶縁層で前記配線パターンの形成された領域を除いた領域を除去して第２の絶縁部を形成するステップと、前記第２の絶縁部を除いた領域に金属−ポリマ複合体を充填するステップと、をさらに含む。

また、前記絶縁層で前記配線パターンの形成された領域を除いた領域を除去して絶縁部を形成するステップは、前記配線パターン一部の上面が露出するようにビアホールを形成する過程をさらに含む。また、前記金属−ポリマ複合体を充填するステップ後に、前記絶縁部の上面に第２の配線パターンを形成するステップと、前記第２の配線パターン及び金属−ポリマ複合体の表面を覆う第２の絶縁層を形成するステップと、前記第２の絶縁層で前記配線パターンの形成された領域を除いた領域を除去して第２の絶縁部を形成するステップと、前記第２の絶縁部を除いた領域に金属−ポリマ複合体を充填するステップとをさらに含む。

前記絶縁層で前記配線パターンの形成された領域を除いた領域を除去して絶縁部を形成するステップは、前記配線パターンの形成された領域の中で前記ビアホールの形成される領域を除いた領域を露出するマスクを通じて露光硬化させた後、硬化されない領域を除去する。

また、前記絶縁層で前記配線パターンの形成された領域を除いた領域を除去して絶縁部を形成するステップは、前記配線パターンの形成された領域を除いた領域と前記ビアホールの形成される領域とを露出するマスクを通じて露光させた後、除去する。

本発明のさらに他の実施形態によるチップインダクタ製造方法は、ベース基板の表面に第１の配線パターンを形成するステップと、前記第１の配線パターン及び前記ベース基板の表面を覆う第１の絶縁層を形成するステップと、前記第１の配線パターン一部の上面が露出するように第１の絶縁層の一部を除去してビアホールを形成するステップと、前記第１の絶縁層上に第２の配線パターンを形成するステップと、前記第２の配線パターン及び第２の絶縁層の表面を覆う第２の絶縁層を形成するステップと、前記第１の絶縁層及び第２の絶縁層で前記配線パターンの形成された領域を除いた領域を除去して絶縁部を形成するステップと、該絶縁部を除いた領域に金属−ポリマ複合体を充填するステップと、を含む。

前記金属−ポリマ複合体は、エポキシ、ポリイミド及び液晶ポリマ（ＬＣＰ）よりなる郡から選ばれる少なくとも一つを含む。

また、前記金属−ポリマ複合体は、鉄（Ｆｅ）を含む。

また、前記金属粒子の直径は、望ましくは、数百ｎｍ〜数十μｍ範囲にある。

前述のように、本発明によれば、直流抵抗を低め、高インダクタンスを具現すると共に磁気飽和の問題が解消されたチップインダクタを具現することができるという効果を奏する。

また、本発明によれば、チップインダクタを従来より低温環境で大量生産が可能で、工程単価が節減され、製造効率を向上することができるという効果を奏する。

本発明の一実施形態によるチップインダクタを概略的に例示した断面図である。 本発明の他の実施形態によるチップインダクタを概略的に例示した断面図である。 本発明の一実施形態による配線パターンを概略的に例示した斜視図である。 本発明のさらに他の実施形態によるチップインダクタ製造方法を概略的に例示した工程図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に例示した工程図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に例示した工程図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に例示した工程図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に例示した工程図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に例示した工程図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に例示した工程図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に例示した工程図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に例示した工程図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に例示した工程図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に例示した工程図である。 本発明の変形例によるチップインダクタ製造方法を概略的に示す断面図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に示す断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるチップインダクタ製造方法を概略的に示す断面図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に示す断面図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に示す断面図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に示す断面図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に示す断面図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に示す断面図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に示す断面図である。 同じく、チップインダクタ製造方法を概略的に示す断面図である。

以下、本発明の好適な実施の形態は図面を参考にして詳細に説明する。次に示される各実施の形態は当業者にとって本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために例として挙げられるものである。従って、本発明は以下示している各実施の形態に限定されることなく他の形態で具体化されることができる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜上誇張して表現されることができる。明細書全体に渡って同一の参照符号は同一の構成要素を示している。

本明細書で使われた用語は、実摘形態を説明するためのものであって、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数形は文句で特別に言及しない限り複数形も含む。明細書で使われる「含む」とは、言及された構成要素、ステップ、動作及び/又は素子は、一つ以上の他の構成要素、ステップ、動作及び／又は素子の存在または追加を排除しないことに理解されたい。

以下、添付の図面を参照して、本発明の構成及び作用効果について詳記する。

図１は、本発明の一実施形態によるチップインダクタ１００を概略的に例示した断面図である。

図１に示すように、本発明の一実施形態によるチップインダクタ１００は、金属−ポリマ複合体１４０と、配線パターン１２０と、外部電極１５０と、絶縁部１３０とを含む。

まず、金属−ポリマ複合体１４０は、金属粒子とポリマとが混合されたもので、従来の磁性体の代わり、チップインダクタ１００に設けられる。

金属粒子には、鉄（Ｆｅ）が使われてもよい。該金属粒子の直径は、望ましくは数百ｎｍ〜数十μｍ範囲にある。

また、ポリマには、エポキシ（Ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、液晶ポリマ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ：ＬＣＰ）などが挙げられる。

本発明の一実施形態によるチップインダクタ１００は、このような金属−ポリマ複合体１４０を磁性体の代わり備えることによって、磁気飽和特性が向上する。

配線パターン１２０は、導電性材料から成り、外部電極１５０に接続され電子の移動経路になる。

配線パターン１２０は、複数の層からなり、一層に２回以上の巻線が行われる。

前述のように、従来には、絶縁性の確保、直流抵抗特性の確保、磁気飽和問題による限界などによって、一層に２回以上の巻線を具現する場合、チップインダクタ１００の広さを減らすのに限界があった。このような問題を解決するために、本発明では、金属−ポリマ複合体１４０及び絶縁部１３０を設けることによって、配線パターン１２０が従来より密な間隔で巻線されるようにした。

これによって、チップインダクタ１００の広さが同じであると仮定する時、本発明の一実施形態による配線パターン１２０は、従来のチップインダクタ１００の配線パターン１２０に比べてより広い幅を有すると共により多い巻線数を確保するようになる。

一方、配線パターン１２０が複数の層で形成されるにつれ、ある一層の配線パターン１２０と他層の配線パターン１２０とはビアを介して電気的に接続される。各々の外部電極１５０、例えば＋電極と−電極との間で電気的に接続されたコイル形態を成すことができる。

次に、絶縁部１３０は、金属−ポリマ複合体１４０と外部電極１５０との間及び金属−ポリマ複合体１４０と配線パターン１２０との間に設けられ、絶縁性を確保する役割をする。

本発明の一実施形態によるチップインダクタ１００では、従来の磁性体の代わり、金属−ポリマ複合体１４０を備える。この金属−ポリマ複合体１４０を成す金属粒子によって電流が流れるため、絶縁部１３０が設けられなければならない。

絶縁部１３０は、絶縁性の確保及びチップインダクタ１００の小型化のために、配線パターン１２０、外部電極１５０など金属−ポリマ複合体１４０に露出する導電体の外面から数μｍ〜数百μｍ厚さで形成されることが望ましい。

図２は、本発明の他の実施形態によるチップインダクタ２００を概略的に例示した断面図である。

図２に示すように、本発明の他の実施形態によるチップインダクタ２００は、ベース基板１１０、配線パターン１２０、金属−ポリマ複合体１４０、外部電極１５０及び絶縁部１３０を含む。

本発明の他の実施形態によるチップインダクタ２００は、従来の積層・焼成工程の代わりに、フォトレジスト工程を適用して具現される。

このようなフォトレジスト工程を適用する場合、ベース基板１１０上に配線パターン１２０、絶縁部１３０及び金属−ポリマ複合体１４０を順次に形成することによってチップインダクタ１００、２００を具現する。この場合、ベース基板１１０を除去した後、配線パターン１２０と外部電極１５０とを接続するハブ電極を別に設けてチップインダクタ１００を具現してもよい。また、ベース基板１１０上に下部電極からフォトレジスト工程で形成し、ベース基板１１０を除去することなくチップインダクタ２００に含ませてもよい。

一方、ベース基板１１０を除去してチップインダクタ１００を具現する場合、ベース基板１１０とチップインダクタ１００の最下層との間に所定の離型層を設けてもよい。

図３は、本発明の一実施形態による配線パターン１２０を概略的に例示した斜視図である。

図３に示すように、配線パターン１２０が３層から成り、各層の巻線数が３になることを分かる。また、各層の配線パターン１２０は、ビア１２５、１２６によって接続される。

図４ａ〜図４ｋは各々、本発明の他の実施形態によるチップインダクタ１００、２００の製造方法を概略的に例示した工程図である。

以下、図４ａ〜図４ｋを参照して、本発明の一実施形態によるチップインダクタ１００、２００の製造方法について詳記する。

本発明の他の実施形態によるチップインダクタ１００、２００の製造方法は大きく、配線パターン１２０の形成、絶縁部１３０の形成、金属−ポリマ複合体１４０の充填のような三つの工程からなる。勿論、その後に適当な大きさにカットされ、外部電極１５０を結合してチップインダクタ１００、２００が製造されてもよい。また、配線パターン１２０の形成、絶縁部１３０の形成及び金属−ポリマ複合体１４０の充填工程を繰り返して、配線パターン１２０を複数の層で具現してもよい。

まず、図４ａに示すように、配線パターン１２０の形成工程は、ベース基板１１０の一面に第１の配線パターン１２１を形成することによって行われる。この第１の配線パターン１２１の形成では、プリンティングまたはめっき方式が用いられる。

続いて、図４ｂに示すように、第１の絶縁層１３１-１を形成する。この第１の絶縁層１３１-１は、第１の配線パターン１２１の形成されたベース基板１１０上に絶縁材料を塗布する方式によって設けられる。

続いて、図４ｃに示すように、マスクＭを用いて第１の絶縁部１３１が形成されるべき箇所を露出させる。

このマスクＭには、ガラスマスク（Ｇｌａｓｓ Ｍａｓｋ）、フィルムマスク（Ｆｉｌｍ ｍａｓｋ）などが挙げられる。第１の絶縁層１３１-１は、ネガ感光性ポリマ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ Ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｐｏｌｙｍｅｒ）を絶縁材料として使わなければならない。

続いて、図４ｄに示すように、光に露出した部分は硬化され、光に露出しない部分は硬化されなく、該硬化されない部分を除去することによって、第１の絶縁部１３１を形成する。

一方、図４ｃでは、ネガ感光性ポリマを絶縁材料として用いる場合を例示したが、ポジ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）感光性ポリマで絶縁層を具現してもよい。この場合、第１の絶縁部を形成する部分を除いた残りの領域が光に露出するようにするマスクを使ってもよい。

続いて、図４ｅに示すように、露光及び現象工程によって第１の絶縁層１３１-１の除去された領域１６１には、第１の金属−ポリマ複合体１４１が充填される。

続いて、図４ｆに示すように、第１の絶縁部１３１にビアホール１３５を形成する。このビアホール１３５は、ＣＯ_２レーザを用いるエッチング方法など多様な方法によって設けられる。

続いて、図４ｇに示すように、第１の絶縁部１３１の上面に第２の配線パターン１２２を形成する。この絶縁部１３０に設けられたビアホール１３５に第２の配線パターン１２２を形成するための導電材料が充填されることによって、第１の配線パターン１２１と第２配線パターン１２２とが電気的に接続される。

続いて、図４ｈに示すように、第２の配線パターン１２２及び第１金属−ポリマ複合体１４１の表面を覆う第２の絶縁層１３２-１を形成する。

続いて、図４ｉ及び図４ｊに示すように、第２の絶縁層１３２-１で前記第２の配線パターン１２２の形成された領域を除いた領域を除去して第２の絶縁部１３２を形成する。

続いて、図４ｋに示すように、第２の絶縁部１３２を除いた領域１６２に第２の金属−ポリマ複合体１４２を充填する。

一方、示されていないが、第２の絶縁部１３２にビアホール１３５を形成した後、図４ｇ〜図４ｋに示すような工程を繰り返すことによって、配線パターン１２０を３層以上で形成してもよい。

図５ａ及び図５ｂは各々、本発明の変形例によるチップインダクタ１００、２００の製造方法を概略的に示す断面図である。

図５ａ及び図５ｂに示すように、ビアホール１３５を形成する方法が前述の実施形態と異なる。この差異点を中心に本発明の変形例によるチップインダクタ１００、２００の製造方法について詳記する。

図５ａに示すように、第１の絶縁層１３１-１で第１の配線パターン１２１の形成された領域を露光するマスクＭは、第１の配線パターン１２１の一部の上面が露出するようなビアホール１３５を形成するために、該ビアホール１３５が形成されるべき箇所に光が至らないようにする。

続いて、図５ｂに示すように、第１の絶縁層１３１-１で第１の配線パターン１２１の形成された領域を除いた領域が除去され、この過程でビアホール１３５が形成される。なお、上述のとおり、絶縁部はポジ感光性ポリマを用いて形成されてもよい。この場合、第１の配線パターンの形成された領域を除いた領域及びビアホールの形成される領域を露出するマスクを用いてよく、第１の配線パターンの形成された領域を除いた領域及びビアホールの形成される領域が露光されて、除去される。

その他は、図４ａ〜図４ｋを参照して示した説明と同様で、重複する説明は省略することにする。

また、この変形例に示すように、ビアホール１３５が形成された後に第１の金属−ポリマ複合体１４１を充填する場合、外ビアホール１３５に第１の金属−ポリマ複合体１４１が流れ込まないように別途の手段を適用してもよい。

図６ａ〜図６ｈは各々、本発明のさらに他の実施形態によるチップインダクタ１００、２００の製造方法を概略的に示す断面図である。

以下、図６ａ〜図６ｈを参照して、本発明のさらに他の実施形態によるチップインダクタ１００、２００の製造方法について詳記する。

本発明のさらに他の実施形態によるチップインダクタ１００、２００の製造方法では、配線パターン１２０の形成、絶縁層１３１-１の形成及びビアホール１３５の形成工程を２回以上繰り返して絶縁部１３０を形成し、該絶縁部１３０を除いた領域に金属−ポリマ複合体１４０を充填することによって、チップインダクタ１００、２００を製造する。

まず、図６ａに示すように、配線パターン１２０の形成工程は、ベース基板１１０の一面に第１の配線パターン１２１を形成することによって行われる。この第１の配線パターン１２１の形成方式には、プリンティングまたはめっき方式が挙げられる。

続いて、図６ｂに示すように、第１の絶縁層１３１-１を形成する。この第１の絶縁層１３１-１は、第１の配線パターン１２１が形成されたベース基板１１０上に絶縁材料を塗布する方式によって設けられる。

続いて、図６ｃに示すように、第１の絶縁層１３１-１にビアホール１３５を形成する。このビアホール１３５は、ＣＯ_２レーザを用いるエッチング方法など多様な方法によって設けられる。

続いて、図６ｄに示すように、第１の絶縁層１３１-１の上面に第２の配線パターン１２２を形成する。この第１の絶縁層１３１-１に設けられたビアホール１３５に第２の配線パターン１２２を形成するための導電材料が充填されることによって、第１の配線パターン１２１と第２配線パターン１２２とが電気的に接続される。

続いて、図６ｅに示すように、第２の配線パターン１２２及び第１絶縁層１３１-１の表面を覆う第２の絶縁層１３２-１を形成する。

続いて、図６ｆ及び図６ｇに示すように、第１の絶縁層１３１-１及び第２の絶縁層１３２-１で前記第１の配線パターン１２１及び第２配線パターン１２２の形成された領域を除いた領域を除去して絶縁部１３０を形成する。

続いて、図６ｈに示すように、絶縁部１３０を除いた領域に金属−ポリマ複合体１４０を充填する。

一方、示されていないが、前述のような工程を繰り返すことによって配線パターン１２０を３層以上で形成してもよい。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、前記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１００、２００ チップインダクタ
１１０ ベース基板
１２０ 配線パターン
１２１ 第１の配線パターン
１２２ 第２の配線パターン
１３０ 絶縁部
１３１ 第１の絶縁部
１３１-１ 第１の絶縁層
１３２ 第２の絶縁部
１３２-１ 第２の絶縁層
１３５ ビアホール
１４０ 金属−ポリマ複合体
１４１ 第１の金属−ポリマ複合体
１４２ 第２の金属−ポリマ複合体
１５０ 外部電極
Ｍ マスク

Claims (19)

1. 金属粒子とポリマとが混合された金属−ポリマ複合体と、
   前記金属−ポリマ複合体の内部に設けられ、コイルを形成する配線パターンと、
   前記金属−ポリマ複合体の外周面の一部に設けられる外部電極と、
   前記金属−ポリマ複合体と前記配線パターンとの間及び前記金属−ポリマ複合体と前記外部電極との間に設けられる絶縁部と
   を含み、
   前記金属−ポリマ複合体の少なくとも一部が、前記金属−ポリマ複合体と前記配線パターンとの間から連続する前記絶縁部によって前記外部電極と電気的に絶縁されつつ、前記配線パターンと前記外部電極との間に配置されるチップインダクタ。
2. 前記ポリマは、エポキシ、ポリイミド及び液晶ポリマ（ＬＣＰ）よりなる郡から選ばれる少なくとも一つを含む請求項１に記載のチップインダクタ。
3. 前記金属粒子は、鉄（Ｆｅ）を含む請求項１または２に記載のチップインダクタ。
4. 前記金属粒子の直径は、数百ｎｍ〜数十μｍ範囲にある請求項１から３の何れか１項に記載のチップインダクタ。
5. 前記配線パターンは、複数の層で形成される請求項１から４の何れか１項に記載のチップインダクタ。
6. 前記配線パターンは、一層に２回以上の巻線から成る請求項５に記載のチップインダクタ。
7. ベース基板と、
   前記ベース基板に設けられた、コイルを形成する配線パターンと、
   前記ベース基板に設けられた、金属粒子とポリマとが混合された金属−ポリマ複合体と、
   前記ベース基板及び金属−ポリマ複合体の外周面の一部に設けられる外部電極と、
   前記金属−ポリマ複合体と前記配線パターンとの間及び前記金属−ポリマ複合体と前記外部電極との間に設けられる絶縁部と
   を含み、
   前記金属−ポリマ複合体の少なくとも一部が、前記金属−ポリマ複合体と前記配線パターンとの間から連続する前記絶縁部によって前記外部電極と電気的に絶縁されつつ、前記配線パターンと前記外部電極との間に配置されるチップインダクタ。
8. ベース基板の表面に第１の配線パターンを形成するステップと、
   前記第１の配線パターン及び前記ベース基板の表面を覆う第１の絶縁層を形成するステップと、
   前記第１の絶縁層のうち前記第１の配線パターンの形成された領域を除いた領域を除去して第１の絶縁部を形成するステップと、
   前記第１の絶縁部が形成されない領域に金属−ポリマ複合体を充填するステップと、
   前記金属−ポリマ複合体の外周面の一部に外部電極を形成するステップと
   を含み、
   前記金属−ポリマ複合体の少なくとも一部が、前記金属−ポリマ複合体と前記第１の配線パターンとの間から連続する前記第１の絶縁部によって、前記外部電極と電気的に絶縁されつつ、前記第１の配線パターンと前記外部電極との間に配置されるチップインダクタ製造方法。
9. 前記ベース基板の表面に第１の配線パターンを形成するステップは、プリンティングまたはめっき方式によって行われる請求項８に記載のチップインダクタ製造方法。
10. 前記第１の絶縁部を形成するステップは、
    前記第１の配線パターンの形成された領域を露出するマスクを通じて露光硬化させた後、硬化されない領域を除去する請求項８または９に記載のチップインダクタ製造方法。
11. 前記第１の絶縁部を形成するステップは、
    前記第１の配線パターンの形成された領域を除いた領域を露出するマスクを通じて露光させた後、除去する請求項８または９に記載のチップインダクタ製造方法。
12. 前記金属−ポリマ複合体を充填するステップ後、
    前記第１の絶縁部の一部を除去して前記第１の配線パターンが露出するビアホールを形成するステップと、
    前記第１の絶縁部に第２の配線パターンを形成するステップと、
    前記第２の配線パターン及び金属−ポリマ複合体の表面を覆う第２の絶縁層を形成するステップと、
    前記第２の絶縁層のうち前記第２の配線パターンの形成された領域を除いた領域を除去して第２の絶縁部を形成するステップと、
    前記第２の絶縁部が形成されない領域に金属−ポリマ複合体を充填するステップと
    をさらに含む請求項８から１１の何れか１項に記載のチップインダクタ製造方法。
13. 前記第１の絶縁部を形成するステップは、
    前記第１の配線パターンの一部が露出するビアホールを形成する工程をさらに含み、
    前記金属−ポリマ複合体を充填するステップ後に、
    前記第１の絶縁部に第２の配線パターンを形成するステップと、
    前記第２の配線パターン及び金属−ポリマ複合体の表面を覆う第２の絶縁層を形成するステップと、
    前記第２の絶縁層のうち前記第２の配線パターンの形成された領域を除いた領域を除去して第２の絶縁部を形成するステップと、
    前記第２の絶縁部が形成されない領域に金属−ポリマ複合体を充填するステップと
    をさらに含む請求項８から１１の何れか１項に記載のチップインダクタ製造方法。
14. 前記第１の絶縁部を形成するステップは、
    前記第１の配線パターンの形成された領域の中で前記ビアホールの形成される領域を除いた領域を露出するマスクを通じて露光硬化させた後、硬化されない領域を除去する請求項１３に記載のチップインダクタ製造方法。
15. 前記第１の絶縁部を形成するステップは、
    前記第１の配線パターンの形成された領域を除いた領域と前記ビアホールの形成される領域を露出するマスクを通じて露光させた後、除去する請求項１３に記載のチップインダクタ製造方法。
16. ベース基板の表面に第１の配線パターンを形成するステップと、
    前記第１の配線パターン及び前記ベース基板の表面を覆う第１の絶縁層を形成するステップと、
    前記第１の配線パターンの一部が露出するように前記第１の絶縁層の一部を除去してビアホールを形成するステップと、
    前記第１の絶縁層上に第２の配線パターンを形成するステップと、
    前記第２の配線パターン及び前記第１の絶縁層の表面を覆う第２の絶縁層を形成するステップと、
    前記第１の絶縁層及び前記第２の絶縁層のうち前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンの形成された領域を除いた領域を除去して絶縁部を形成するステップと、
    前記絶縁部が形成されない領域に金属−ポリマ複合体を充填するステップと、
    前記金属−ポリマ複合体の外周面の一部に外部電極を形成するステップと
    を含み、
    前記金属−ポリマ複合体の少なくとも一部が、前記金属−ポリマ複合体と前記第１の配線パターン及び前記第２の配線パターンとの間から連続する前記絶縁部によって、前記外部電極と電気的に絶縁されつつ、前記第１の配線パターンおよび前記第２の配線パターンと前記外部電極との間に配置されるチップインダクタ製造方法。
17. 前記金属−ポリマ複合体は、エポキシ、ポリイミド及び液晶ポリマ（ＬＣＰ）よりなる郡から選ばれる少なくとも一つを含む請求項１６に記載のチップインダクタ製造方法。
18. 前記金属−ポリマ複合体は、鉄（Ｆｅ）を含む請求項１６または１７に記載のチップインダクタ製造方法。
19. 前記金属−ポリマ複合体に含まれる金属の直径は、数百ｎｍ〜数十μｍ範囲にある請求項１６から１８の何れか１項に記載のチップインダクタ製造方法。

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