JP6210986B2

JP6210986B2 - 低表面エネルギー基板上にレリーフパターンを製作するためのエポキシ配合物及び方法

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Publication number: JP6210986B2
Application number: JP2014529809A
Authority: JP
Inventors: ノウロッキ、ダニエル、ジェイ．; ゴールデン、ジェレミー、ブイ．; ウェーバー、ウィリアム、ディー．
Original assignee: マイクロケムコーポレイション
Priority date: 2011-09-07
Filing date: 2012-09-05
Publication date: 2017-10-11
Anticipated expiration: 2032-09-05
Also published as: CN103874731A; KR20140068144A; TW201319159A; CN103874731B; US20140302430A1; KR102002280B1; EP2753662A1; TWI622618B; WO2013036502A1; JP2014528095A; EP2753662B1; EP2753662A4

Description

本発明は、永久光カチオン重合性エポキシフィルム組成物及び低表面エネルギー基板上のレリーフ構造の製作においてそれらを使用するための方法を対象とする。

光画像形成性コーティングは、多種多様の微小電気機械システム（ＭＥＭ）技術及び用途において現在使用されている。マイクロフルイディクスは、約１０^−９から１０^−１５リットルの小容量のエレメント中で幾何学的に拘束されている小容量の流体の挙動、精密制御及び操作を処理するＭＥＭｓ技術の一分野である。マイクロフルイディクスは、技術領域としては１９８０年代初めに出現し、インクジェットプリントヘッドの製作、ＤＮＡ配列チップ、ラブオンチップ（ｌａｂ−ｏｎ−ａ−ｃｈｉｐ）技術、マイクロ推進、適応レンズ、ピクセルで構成された光学フィルター、そして最近になって、コンピューターのディスプレー技術及び携帯機器用途において応用されている。

エレクトロウェッティング効果は、いくつかのマイクロフルイディクス装置のデザイン及びコンセプトに対する基礎を提供する。このエレクトロウェッティング効果は、固体と電解質溶液との間に加えられる電位又は電圧の適用による固体−電解液の接触角の変化と定義される。一例として、疎水性絶縁フィルム上にある水滴は、表面張力の不釣合いにより大きい接触角を示す。疎水性絶縁フィルムが電極上にそれと接触して配置され、その場合に水滴が別の電極と接触すると、水滴の疎水性表面との接触角は、電位が２つの電極の間にかけられたときに低下し、水滴は広がって、疎水性フィルム表面のより大きい面積を覆う。このエレクトロウェッティング効果は可逆的であり、従って、加えられた電位が除去されると、水滴の接触角は偏りのない値に戻る。

エレクトロウェッティング効果は、エレクトロウェッティングディスプレー装置のための運転基準を形成するマイクロ流体光スイッチ中に同化されている（米国特許第７，８１３，０３０号、同第７，３５９，１０８号、同第７，３５９，１０８号、及び同第７，８００，８１６号に開示）。これら従来技術のディスプレー装置のピクセル素子は、図１ａ及び１ｂ（米国特許第７，８００，８１６号中の図１ａ及び１ｂからの再描画）に示されているようにして組み立てられたマイクロ流体の光スイッチをそれぞれ含む。

図１は、エレクトロウェッティングディスプレー装置のベースとなる原理を示すディスプレー装置のピクセル素子１の図表の断面を示している。ガラス又はプラスチックであり得る２つの透明な基板又は支持板３及び４の間に、互いに混合することのできない第１の流体５及び第２の流体６が供給される。例えば、第１の流体５は、ヘキサデカンのようなアルカン又は着色油であり得る。第２の流体６は、導電性又は極性であり、水又は塩溶液であり得る。オフ状態の装置において、外部電圧がかけられていないとき（図１ａ）、流体５及び６は、第１及び第２の透明な支持板３及び４に隣接している。第１の支持板３の上には、透明な電極７、例えば、インジウム（スズ）酸化物が設けられ、中間にある湿潤性がより低い（疎水性の）層８、例えば、非晶質のフルオロポリマーが、透明電極７上にコーティングとして形成される。

電圧が、２０と２１の相互接続によってかけられる（電圧源９）と、流体５の層は、脇へ移動するか又は壊れて小さい液滴になる（図１ｂ、オン状態）。これは、静電エネルギー利得が曲面の生成による表面エネルギー損失より大きいときに起こる。非常に重要な態様として、支持板３を覆っている流体５の連続フィルムとピクセル壁２と隣接している流体５のフィルムとの間で可逆的なスイッチングが、電気的スイッチング手段（電圧源９）によって達成されることが見出された。

光スイッチングは、図１による装置に投射される光が、図１ｂにおけるように反射体１０から反射されて反射光１２を生成するときに得られる。図１ｂによるオフ状態の装置においては、入射光は反射されず、ピクセルは観察者に暗く見える。

ネガティブトーンの感光性エポキシコーティング組成物、例えば、ＭｉｃｒｏＣｈｅｍＣｏｒｐ．の製品のＳＵ−８などは、Ｈｅｉｋｅｎｆｅｌｄ，Ｊ．ら、Ｊ．Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈ．Ｍｉｃｒｏｅｎｇ．、１９（２００９年）１〜１２頁に記載されているように、エレクトロウェッティングが可能なディスプレーピクセルの側壁（図１ａ中の２）を組み立てるための材料としての有用性を見出している。ピクセル側壁を作るためには、該感光性エポキシ組成物は、疎水性層（図１ｂ中の８）上にコーティングしなければならない。ほとんどのエレクトロウェッティングが可能なディスプレーの実装において、疎水性層は、低表面エネルギーポリマーであり、フルオロポリマーが通常使用される。その結果、エポキシ組成物と疎水性基板との間に表面エネルギーの大きなミスマッチがあり、これがコーティング欠陥及び不十分なコーティングの接着をもたらすため、そのような低表面エネルギー基板上に溶媒流延感光性エポキシ組成物のコーティングを形成することは困難である。この問題は、疎水性層の表面エネルギーを増し、それによって活性化表面を生成してフォトエポキシ組成物のウェッティング及び接着性を促進する方法、例えば、コロナ放電、紫外オゾン又は酸素反応性イオンエッチを用いて、疎水性層を処理することによって軽減されてきた。そのような処理の結果は、活性化された疎水性層の表面エネルギーが、疎水性層の表面エネルギーをエレクトロウェッティングデバイスの適切な機能を可能にする値まで復元するように、低下されなければならないということである。これは、疎水性層を高温で焼付けることによって達成され得る。注目すべきは、焼付け温度が、透明な支持板３の特性によって制約され得ることであり、それは、ポリエチレンテレフタラート及びポリエチレンナフタラートのようなプラスチックの場合、焼付け温度をそのようなプラスチック支持板材料の変形温度より低い値に制約する。

疎水性層活性化及びその後のアニーリングのプロセスステップは、プロセスの複雑さ及びコストを増す。従って、疎水性層上における処理に疎水性層表面活性化方法を使用しなくてよいネガティブトーンの感光性エポキシ組成物が必要である。従って、本発明の目的は、疎水性層活性化を必要としないネガティブトーンの感光である。

本発明は、永久エポキシフォトレジスト組成物及びそれらの永久硬化生成物に関し、これらは、フォトレジストレリーフ構造を低表面エネルギーポリマー基板上に形成し得る紫外線リソグラフィー法を用いてパターン化されることが可能な、ＭＥＭＳ（微小電気機械システム）コンポーネント、マイクロマシンコンポーネント、μ−ＴＡＳ（マイクロトータルアナリティカルシステム）コンポーネント、マイクロリアクターコンポーネント、誘電体層、エレクトロウェッティングマイクロ流体デバイスなどの製作において有用である。本発明は、さらに、永久エポキシフォトレジスト組成物とそれらの硬化生成物であって、前記硬化生成物が、高い強度、優れた接着性、亀裂及びひび割れに対する耐性、酸、塩基、及び溶媒に対する優れた耐化学薬品性、良好な耐熱性、並びに良好な電気的性質を有する上記硬化生成物とに関する。

従って、本発明の１つの態様は、低表面エネルギーポリマー基板上にネガティブトーンの永久フォトレジストレリーフパターンを作製するのに有用な永久エポキシフォトレジスト組成物であって、
（Ａ）１種又は複数のエポキシ樹脂と、
（Ｂ）１種又は複数のカチオン性光開始剤と、
（Ｃ）１種又は複数のフィルムキャスティング溶媒と、
（Ｄ）１種又は複数のフッ素化化合物と
を含む上記組成物を提供することを対象とする。

成分（Ａ）から（Ｄ）を含むことに加えて、本発明による組成物は、１種又は複数の以下の添加材料、（Ｅ）１種又は複数の界面活性剤、（Ｆ）１種又は複数の任意的なエポキシ樹脂、（Ｇ）１種又は複数の反応性モノマー、（Ｈ）１種又は複数の光増感剤、（Ｉ）１種又は複数の接着促進剤、及び（Ｊ）１種又は複数の光吸収性化合物、例えば、染料及び顔料を場合によって含むことができる。成分（Ａ）から（Ｊ）を含むことに加えて、本発明による組成物は、熱酸発生剤化合物、流れ調整剤、熱可塑性及び熱硬化性有機ポリマー及び樹脂、無機充填材、並びにラジカル光開始剤を含むがこれらに限定されない追加の材料を場合によって含むこともできる。

エポキシ樹脂（Ａ）は、例えば、式Ｉから式ＶＩ：

（式中、各基Ｒは、グリシジル又は水素から個別に選択され、式Ｉ中のｋは、０から約３０までの範囲の実数である）、

（式中、各Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、水素又は１から４までの炭素原子を有するアルキル基からなる群から独立して選択され、ｐの値は、１から約３０までの範囲の実数である）、

（式中、各Ｒ_４及びＲ_５は、水素、１から４までの炭素原子を有するアルキル基又はトリフルオロメチル基からなる群から独立して選択され、ｎ及びｍの値は独立して、１から約３０までの範囲の実数である）、

（式中、ｘは、１から約３０までの範囲の実数である）、

（式中、Ｒ_１は、ｚ個の活性水素原子を有する有機化合物の残基を表し、ｎ_１からｎ_ｚは、０又は１から１００までの整数をそれぞれ表わし、ｎ_１からｎ_ｚによって表わされる整数の和は、１から１００までであり、ｚは、１から１００までの整数を表わし、Ｅは、基Ｅ_１又はＥ_２のいずれかを別々に表わしている）、
及び

（式中、各基Ｒは、グリシジル又は水素から個別に選択され、ｘは、０から約３０まで変化する実数である）
の１種又は複数のエポキシ樹脂を含むことができる。

本発明の別の態様は、永久フォトレジストレリーフパターンを低表面エネルギーポリマー基板上に形成する方法であって、（１）低表面エネルギーポリマー溶液を基板上にコーティングすることによって低表面エネルギーポリマー層を基板上に生成するプロセスステップと、（２）低表面エネルギーポリマー基板上に本発明による任意のフォトレジスト組成物の層を形成するプロセスステップと、（３）コーティングされた基板を加熱することによってフォトレジスト層から溶媒のほとんどを蒸発させて、基板上にフォトレジスト組成物のフィルムを形成するプロセスステップと、（４）フォトレジストフィルムにマスクを通して活性放射線を照射するプロセスステップと、（５）照射したフォトレジストフィルムセグメントを加熱によって架橋させるプロセスステップと、（６）フォトレジストフィルム中のマスク像を溶媒により現像して、フォトレジストフィルム中にマスクのネガティブトーンのレリーフ像を形成するプロセスステップと、（７）フォトレジストレリーフ構造を熱処理して、フォトレジスト及び低表面エネルギーポリマー層をさらに硬化させるプロセスステップとを含む、上記方法を対象とする。

本発明のさらに別の態様は、フォトレジストレリーフパターンによって覆われていない基板領域がエレクトロウェッティングデバイスの成功裏の操作に必要な疎水性表面活性を保持するフォトレジストレリーフ構造を低表面エネルギーポリマー基板上に提供することを対象とする。

以下の本発明の説明は、以下の図面との連結を取り入れるときにより良く理解されよう。

従来技術のエレクトロウェッティング可能なディスプレーピクセル素子のオフ状態の概略の断面を示す図である。従来技術のエレクトロウェッティング可能なディスプレーピクセル素子のオン状態の概略の断面を示す図である。本発明による組成物及び本発明による組成物を用いるための方法を用いてＴｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ表面に形成されたピクセル壁パターンのＳＥＭ画像を示す図である。図２ａに示されているピクセル壁パターンのより高い倍率の図を示す図である。比較組成物を用いてＴｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ表面に形成され、組成物のＴｅｆｌｏｎＡＦ表面に対する大きい接着損失が起っているピクセル壁パターンのＳＥＭ画像を示す図である。図３ａに示されているピクセル壁パターンのより高い倍率の図を示す図である。

光画像形成性組成物に関連する技術において、フォトレジストは、基板の１つの領域を、その後のプロセスの作業がフォトレジストによって覆われていない基板の領域においてのみ起るように、別の領域から選択的に防御するために使用される一時的なコーティングであると一般に理解される。このその後の作業が完了すると、フォトレジストは除去される。従って、そのような一時的なフォトレジストコーティングの特性の必要性は、所要の画像プロファイルを得てその後のプロセスステップの作用に耐性を示すことを必要とすることのみである。しかしながら、本発明は、フォトレジスト層が除去されず、作製されるデバイスの永久構造部材として使用される用途に向けるものである。フォトレジストが永久層として使用される場合、フォトレジストフィルムの材料特性は、デバイスの意図された機能及び最終使用に適合しなければならない。従って、デバイスの永久部品として残る光画像形成性層は、本明細書では永久フォトレジストと称される。

本発明のこの永久フォトレジスト組成物は、１種又は複数のエポキシ樹脂（Ａ）、例えば、式ＩからＶＩによって記載されているような樹脂、１種又は複数のカチオン性光開始剤（Ｂ）、１種又は複数のフィルムキャスティング溶媒（Ｃ）、及び１種又は複数のフッ素化化合物（Ｄ）並びに任意的な添加剤を含む。

一つの実施形態において、該エポキシ樹脂（Ａ）は、式Ｉ：

（式中、各基Ｒは、グリシジル又は水素から個別に選択され、ｋは、０から約３０までの範囲の実数である）
に示されている構造を有することができる。

本発明において使用するのに適する式Ｉによるエポキシ樹脂（Ａ）は、ビスフェノールＡノボラック樹脂とエピクロルヒドリンとを反応させることによって得ることができるビスフェノールＡノボラックエポキシ樹脂である。２０００から１１０００までの範囲の重量平均分子量を有する樹脂が好ましく、４０００から７０００までの範囲の重量平均分子量を有する樹脂が特に好ましい。Ｅｐｉｃｏａｔ（登録商標）１５７（日本国東京のジャパンエポキシレジン株式会社製で、１８０から２５０のエポキシド当量及び８０〜９０℃の軟化点）及びＥＰＯＮ（登録商標）ＳＵ−８樹脂（オハイオ州コロンバスのＭｏｍｅｎｔｉｖｅＳｐｅｃｉａｌｔｙＣｈｅｍｉｃａｌｓ製で、１９５から２３０ｇ／当量のエポキシ当量及び８０〜９０℃の軟化点）等が、本発明において使用するのに適するビスフェノールＡノボラックエポキシ樹脂の好ましい例として挙げられる。

別の実施形態において、このエポキシ樹脂（Ａ）は、式ＩＩ：

（式中、各Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、水素又は１から４までの炭素原子を有するアルキル基からなる群から独立して選択され、ｐの値は、１から約３０までの範囲の実数である）
及び式ＩＩＩ：

（式中、各Ｒ_４及びＲ_５は、水素、１から４までの炭素原子を有するアルキル基又はトリフルオロメチル基からなる群から独立して選択され、ｎ及びｍの値は独立して、１から約３０までの範囲の実数である）
に示されている構造を有することができる。

式ＩＩ及びＩＩＩによるエポキシ樹脂（Ａ）は、柔軟で頑丈であり、これらの同じ特性をパターン化されたフォトレジストフィルムに与えることができる。本発明において使用することができる式ＩＩによるエポキシ樹脂の例は、ジ（メトキシメチルフェニル）とフェノールを反応させ、次いで得られた樹脂とエピクロルヒドリンを反応させることによって得ることができる、特開平０９−１６９，８３４号によるエポキシ樹脂である。式ＩＩによる市販のエポキシ樹脂の例は、日本国東京の日本化薬株式会社製のエポキシ樹脂ＮＣ−３０００（２７０〜３００ｇ／当量のエポキシド当量及び５５〜７５℃の軟化点）であり、同様のものが例として挙げられる。注目すべきは、式ＩＩ中のｎの値は、樹脂エポキシ当量からの逆算によって計算され、１以上の数、好ましくは１〜１０の数が平均値である。式ＩＩによる複数のエポキシ樹脂が使用され得ることを理解すべきである。

式ＩＩＩのエポキシ樹脂は、ビスフェノール−エピクロルヒドリン重縮合物のアルコール性ヒドロキシル基のエピクロルヒドリンとの反応によって得ることができる。本発明において使用され得るエポキシ樹脂ＩＩＩの具体例は、日本国東京の日本化薬株式会社により製造されたＮＥＲ−７６０４、ＮＥＲ−７４０３、ＮＥＲ−１３０２、及びＮＥＲ−７５１６樹脂並びにＥｐｏｘｏｎｉｃｓ，ＧｍｂＨにより製造されたＥＸ２１７７樹脂である。式ＩＩＩによるエポキシ樹脂のエポキシド当量は、好ましくは２００から約６００であり、それらの軟化点は、好ましくは４０〜９０℃である。式ＩＩＩによる複数のエポキシ樹脂が使用され得ることを理解すべきである。

別の実施形態において、該エポキシ樹脂（Ａ）は、式ＩＶ：

（式中、ｘは、１から約３０までの範囲の実数である）
で示される構造を有することができる。

式ＩＶのエポキシ樹脂としては、日本国東京の日本化薬株式会社により製造されたＸＤ−１０００が挙げられる。ＸＤ−１０００樹脂は、約２５２のエポキシド当量及び７４℃の軟化点を有する。

別の実施形態において、該エポキシ樹脂（Ａ）は、式Ｖ：

（式中、Ｒ_１は、ｚ個の活性水素原子を有する有機化合物の残基を表し、ｎ_１からｎ_ｚは、０又は１から１００までの整数をそれぞれ表わし、ｎ_１からｎ_ｚによって表わされている整数の和は、１から１００までであり、ｚは、１から１００までの整数を表わし、Ｅは、基Ｅ_１又はＥ_２のいずれかを別々に表わしている）
に示されている構造を有することができる。

式Ｖのエポキシ樹脂は、ビニル置換された脂環式エポキシドモノマーが少なくとも１つの活性水素原子を含有している化合物と共重合して、その後に過酸により酸化されて脂環式エポキシ樹脂を生成するビニル置換されたポリエーテルを生成する米国特許第４，５６５，８５９号及び同第４，８４１，０１７号に開示されている脂環式エポキシ化合物である。好ましい市販品の例は、エポキシド当量が１７０〜１９０ｇ／当量であり日本国大阪の株式会社ダイセルによって製造されたＥＨＰＥ３１５０エポキシ樹脂である。

さらに別の実施形態において、該エポキシ樹脂（Ａ）は、式ＶＩ：

（式中、各基Ｒは、グリシジル又は水素から個別に選択され、ｘは、０から約３０までの範囲の実数である）
に示されている構造を有することができる。

式ＶＩのエポキシ樹脂は、改良された酸化安定性を必要とする組成物において有用である。好ましい市販品の例は、日本国東京の日本化薬株式会社によって製造されたＮＣ６３００Ｈである。

式Ｉ〜ＶＩによって記載されているエポキシ樹脂（Ａ）は、単独又は２種以上の組合せで使用することができる。

活性放射線、例えば、紫外線、Ｘ線、可視光などにより照射されたとき、酸性種を発生する化合物は、本発明において使用されるカチオン性光開始剤（Ｂ）として好ましい。このカチオン性光開始剤化合物（Ｂ）はまた、製剤技術において光酸発生剤又はＰＡＧ（ｓ）と称される。芳香族ヨードニウム錯塩及び芳香族スルホニウム錯塩が例として挙げられる。ジ−（ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフラート、ジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスファート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモナート、ジ（４−ノニルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロホスファート、［４−（オクチルオキシ）フェニル］フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモナートなどが使用することができる芳香族ヨードニウム錯塩の具体例として挙げられる。さらに、トリフェニルスルホニウムトリフラート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスファート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナート、トリフェニルスルホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラート、４，４’−ビス［ジフェニルスルホニウム］ジフェニルスルフィドビス−ヘキサフルオロホスファート、４，４’−ビス［ジ（β−ヒドロキシエトキシ）フェニルスルホニウム］ジフェニルスルフィドビス−ヘキサフルオロアンチモナート、４，４’−ビス［ジ（β−ヒドロキシエトキシ）（フェニルスルホニウム）ジフェニルスルフィド−ビスヘキサフルオロホスファート７−［ジ（ｐ−トリル）スルホニウム］−２−イソプロピルチオキサントンヘキサフルオロホスファート、７−［ジ（ｐ−トリル）スルホニオ−２−イソプロピルチオキサントンヘキサフルオロアンチモナート、７−［ジ（ｐ−トリル）スルホニウム］−２−イソプロピルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、フェニルカルボニル−４’−ジフェニルスルホニウムジフェニルスルフィドヘキサフルオロホスファート、フェニルカルボニル−４’−ジフェニルスルホニウムジフェニルスルフィドヘキサフルオロアンチモナート、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルカルボニル−４’−ジフェニルスルホニウムジフェニルスルフィドヘキサフルオロホスファート、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルカルボニル−４’−ジフェニルスルホニウムジフェニルスルフィドヘキサフルオロアンチモナート、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルカルボニル−４’−ジフェニルスルホニウムジフェニルスルフィドテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジフェニル［４−（フェニルチオ）フェニル］スルホニウムヘキサフルオロアンチモナートなどが、使用することができる芳香族スルホニウム錯塩の具体例として挙げられ得る。Ｄｏｗから入手できるＣＹＲＡＣＵＲＥ６９７６（混合芳香族スルホニウムヘキサフルオロアンチモナート塩）は、有用な光酸発生剤の一例である。ＢＡＳＦから入手できるＩｒｇａｃｕｒｅＰＡＧ２９０及びＧＳＩＤ２６−１は、アンチモンを含んでいない有用な光酸発生剤化合物の例である。その他の適切な光カチオン性開始剤としてはスルホン化エステル及びスルホニルオキシケトンが挙げられ、同様に使用され得る。ベンゾイントシラート、ｔ−ブチルフェニルα−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−アセタート及びｔ−ブチルα−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）−アセタートを含めた適切なスルホナートＰＡＧＳの開示については、Ｊ．ＰｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、４（３）：３３７〜３４０（１９９１）を参照されたい。好ましいスルホン化カチオン性光開始剤はまた、米国特許第５，３４４，７４２号に開示されている。

その他の有用な酸発生剤としては、ニトロベンジルエステル及びｓ−トリアジン誘導体が挙げられる。適切なｓ−トリアジン酸発生剤は、例えば、米国特許第４，１８９，３２３号に開示されている。ハロゲン化された非イオン性の光酸発生化合物、例えば、１，１−ビス［ｐ−クロロフェニル］−２，２，２−トリクロロエタン（ＤＤＴ）；１，１−ビス［ｐ−メトキシフェニル］−２，２，２−トリクロロエタン；１，２，５，６，９，１０−ヘキサブロモシクロデカン；１，１０−ジブロモデカン；１，１−ビス［ｐ−クロロフェニル］−２，２−ジクロロエタン；４，４−ジクロロ−２−（トリクロロメチル）ベンズヒドロール（ケルタン）：ヘキサクロロジメチルスルホン；２−クロロ−６−（トリクロロメチル）ピリジン；ｏ，ｏ−ジエチル−ｏ−（３，５，６−トリクロロ−２−ピリジル）ホスホロチオナート；１，２，３，４，５，６−ヘキサクロロシクロヘキサン；Ｎ−（１、１−ビス［ｐ−クロロフェニル］−２，２，２−トリクロロエチル）アセトアミド、トリス［２，３−ジブロモプロピル］イソシアヌラート；２，２−ビス［ｐ−クロロフェニル］１，１−ジクロロエチレン；トリス［トリクロロメチル］−ｓ−トリアジン；及びそれらの異性体、類似体、同族体、並びに残留化合物なども適切であり得る。適切な光酸発生剤はまた、欧州特許出願公開第０１６４２４８号及び同第０２３２９７２号に開示されている。

このカチオン性光開始剤（Ｂ）は、単独又は２種以上の化合物の混合物として使用することができる。

本発明において、フィルムキャスティング溶媒（Ｃ）を使用するが、組成物中に他の成分を溶解させ、それによってコーティングを基板上に形成し及び乾燥することができる有機溶媒であれば、任意の溶媒を使用し得る。使用することができるケトン溶媒の例としては、アセトン、２−ブタノン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、メチルイソブチルケトン、メチルｔ−ブチルケトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンなどが挙げられる。使用することができるエーテル溶媒の例としては、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，３−ジオキソラン、１，４−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、及びダイグライムが挙げられる。使用することができるエステル溶媒の例としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセタート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセタート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート、γ−ブチロラクトンなどが挙げられる。使用することができる炭酸エステル溶媒の例としては、炭酸ジメチル及び炭酸プロピレンが挙げられる。ケトン、エステル又はエーテル溶媒を含む群から選択される１種又は複数の溶媒の主要量を含んでいる溶媒混合物中で少ない方の量で使用することができる芳香族及び脂肪族炭化水素溶媒の例としては、トルエン、キシレン、１，２，４，５−テトラメチルベンゼン、オクタン、デカン、石油蒸留物などが挙げられる。ケトン、エステル又はエーテル溶媒との組合せで使用されるとき、これらの炭化水素溶媒は、単独で又は２種以上の炭化水素溶媒の混合物として使用することができる。

溶媒及び溶媒混合物は、望ましい組成物粘度及び乾燥性が得られるように、特定の用途の工学的要求及び利用できるプロセス用機器に応じて選択される。

フッ素化化合物（Ｄ）が、本発明においては使用される。使用に適するフッ素化化合物は、一般に、炭素−炭素結合を含まない炭素原子価の全て又は大部分が炭素−フッ素結合である有機化合物である。このフッ素化化合物は、一般に、２０ダイン／ｃｍ未満の表面張力を有しており、フッ素化化合物の分散溶解度パラメーター（δ_Ｄ）が８から約１５までの範囲であり、フッ素化化合物の極性溶解度パラメーター（δ_Ｐ）が０から約２までの範囲であり且つフッ素化化合物の水素結合溶解度パラメーター（δ_Ｄ）が０から約２までの範囲であるそれらのハンセン溶解度パラメーターによってさらに特徴づけることができる液体である。適切なフッ素化化合物としては、ペルフルオロヘキサン、ペルフルオロオクタン、ペルフルオロデカリン、２，３−ジヒドロフルオロペンタン、ヘキサフルオロベンゼン、ＨＦＣ３３８ｐｃｃ（オクタフルロブタン）、ＨＦＣ−３６５ｍｆｃ（ペンタフルロブタン）、ペルフルオロジメチルシクロヘキサン、ペルフルオロヘプタン、ペルフルオロメチルシクロヘキサン、ペルフルオロペンタン、フラン、２，２，３，４，４，５−ヘキサフルオロテトラヒドロ−３−（ペンタフルオロエチル）−５−（トリフルオロメチル）−ｃｉｓ−、フラン、２，２，３，４，４，５−ヘキサフルオロテトラヒドロ−３−（ペンタフルオロエチル）−５−（トリフルオロメチル）−、ｔｒａｎｓ−、フラン、２，２，３，４，４，５−ヘキサフルオロテトラヒドロ−５−（ペンタフルオロエチル）−３−（トリフルオロメチル）−、ｔｒａｎｓ−、フラン、２，２，３，４，４，５−ヘキサフルオロテトラヒドロ−５−（ペンタフルオロエチル）−３−（トリフルオロメチル）−、ｃｉｓ−、フラン、２，３，３，４，４，５−ヘキサフルオロテトラヒドロ−２−（ペンタフルオロエチル）−５−（トリフルオロメチル）−、２ｈ−シクロペンタ［ｂ］フラン、２，２，３，３ａ，４，４，５，５，６，６，６ａ−ウンデカフルオロヘキサヒドロ−３−（トリフルオロメチル）−、フラン、２，２，３，４，４，５−ヘキサフルオロテトラヒドロ−３，５−ビス（ペンタフルオロエチル）−、フラン、２，２，３，４，４，５−ヘキサフルオロ−３−（ヘプタフルオロプロピル）テトラヒドロ−５−（トリフルオロメチル）−、フラン、２，２，３，４，４，５−ヘキサフルオロ−５−（ヘプタフルオロプロピル）テトラヒドロ−３−（トリフルオロメチル）−、ｔｒａｎｓ−、フラン、２，２，３，４，４，５−ヘキサフルオロ−５−（ヘプタフルオロプロピル）テトラヒドロ−３−（トリフルオロメチル）−、ｃｉｓ−、フラン、２，３，３，４，４，５−ヘキサフルオロ−２−（ヘプタフルオロプロピル）テトラヒドロ−５−（トリフルオロメチル）−、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロヘキサン、ペルフルオロメチルシクロペンタン、ドデカフルオロジメチルシクロブタン、１ｈ，１ｈ，２ｈ−ペルフルオロ−１−デセン、ペルフルオロ−１，３−ジメチルシクロヘキサン、１ｈ−ペルフルオロヘプタン、ペルフルオロヘプテン−１、６ｈ−ペルフルオロヘキサン、ペルフルオロメチルデカリン、ペルフルオロオクテン−１、１ｈ，１ｈ，２ｈ−ペルフルオロ−１−オクテン、ペルフルオロノナン、ペルフルオロデカン、１，１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−トリデカフルオロ−６−メトキシ−ヘキサン、２−ジフルオロメチルペルフルオロオキソラン、並びにフッ素化された液体、例えば、３ＭＣｏｍｐａｎｙによって製造された商標名がＦＣ−４０、ＦＣ−４３、ＦＣ−７２、ＦＣ−７７、ＦＣ−８４；Ｎｏｖｅｃ（登録商標）ＨＦＥ−７１００、Ｎｏｖｅｃ（登録商標）ＨＦＥ−７２００、及びＮｏｖｅｃ（登録商標）ＨＦＥ−７３００（メチルノナフルオロイソブチルエーテルとメチルノナフルオロブチルエーテルとの混合物）のもとで販売されているペルフルオロカーボン液体などが挙げられるがこれらに限定されない。本発明に従うこのフッ素化化合物は、２種以上の化合物の混合物の状態で使用することができる。

場合によっては、特定の実施形態において、コーティングの均一性及び表面の仕上がりを改良するために組成物中に界面活性剤化合物（Ｅ）を含めることができる。適切な界面活性剤の例としては、ＯｍｎｏｖａＳｏｌｕｔｉｏｎｓからのフッ素化ポリ（オキセタン）ポリマー類が挙げられ、具体例としては、商標名ＰＦ−６３２０、ＰＦ−６５２０、及びＰＦ−７００２のもとで販売されているフッ素化ポリ（オキセタン）ポリマーが挙げられる。その他の適切な材料は、ＤｕｐｏｎｔＣｏｍｐａｎｙ製の商標名ＦＳ−２２、ＦＳ−６５、及びＦＳ−８３のもとで販売されているＣａｐｓｔｏｎｅ（登録商標）フッ素系界面活性剤、商標名ＦＳＡ、ＦＳＪ、ＦＳＮ、ＦＳＯ、及びＦＳＰのもとで販売されているＺｏｎｙｌ（登録商標）フッ素系界面活性剤、並びに商標名Ｄｉｓｐａｒｌｏｎ（登録商標）１９７０及び２３０のもとで販売されており、日本国東京の楠本化成株式会社により製造されたアクリル系表面レベリング剤である。

任意的に、特定の実施形態において、追加のエポキシ樹脂（Ｆ）を組成物中で使用することが有益であり得、ここで任意的なエポキシ樹脂（Ｆ）は、式ＩからＶＩによって表現される樹脂以外のエポキシ樹脂である。任意的なエポキシ樹脂Ｆは、その化学構造によって、フォトレジストのリソグラフィックコントラストを調節するため又はフォトレジストフィルムの光学的吸収を修正するために使用され得る。この任意的なエポキシ樹脂Ｆは、エポキシドの当量当り１６０から８００グラムまでの範囲の樹脂のエポキシド当量を有することができる。使用に適する任意的なエポキシ樹脂の例としては、日本国東京の日本化薬株式会社製の約１９５ｇ／当量のエポキシド当量を有するエポキシクレゾール−ノボラック樹脂のＥＯＣＮ４４００が挙げられる。

場合によっては、特定の実施形態において、本発明による組成物中に反応性モノマー化合物（Ｇ）を使用することが有益であり得る。組成物中に反応性モノマーを含めることは未硬化のフィルムの柔軟性を増す助けになる。２個以上のグリシジルエーテル基を含有しているグリシジルエーテルが使用することができる反応性モノマー（Ｇ）の例である。２つ以上のグリシジル基を有する化合物が好ましく、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテルなどが例として挙げられる。これらのグリシジルエーテルは、単独で又は２種以上の混合物として使用され得る。トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル及びプロピレングリコールジグリシジルエーテルは、本発明で使用することができる反応性モノマー（Ｈ）の好ましい例である。

特定のグリシド化ポリシルセスキオキサン化合物、例えば、商標名ＥＰ０４３５の下でＨｙｂｒｉｄＰｌａｓｔｉｃｓＩｎｃ．によって製造されたオクタグリシジルジメチルシリルポリヘドラルオリゴマーシルセスキオキサンなどが、本発明で使用することができる反応性モノマー（Ｇ）の別の群である。

脂肪族及び芳香族の単官能基及び／又は多官能基のオキセタン化合物は、本発明で使用することができる任意的な反応性モノマー（Ｇ）の別の群である。使用することができる脂肪族又は芳香族のオキセタン反応性モノマーの具体例としては、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン、３−エチル−３−フェノキシメチルオキセタン、キシリレンジオキセタン、ビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、東亞合成株式会社製のＯＸＴ２２１などが挙げられる。これらの単官能基及び／又は多官能基のオキセタン化合物は、単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。

脂環式エポキシ化合物も本発明における反応性モノマー（Ｇ）として使用することができ、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタクリラート及び３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシラートが例として挙げられ得る。

この任意的な反応性モノマー化合物（Ｇ）は、単独で又は２種以上の化合物の混合物として使用することができる。

場合によって、より多くの紫外線が吸収され、吸収されたエネルギーがカチオン性光重合開始剤（ＰＡＧ）に移されるように該組成物中に光増感剤化合物（Ｈ）を含ませることが有用であり得る。その結果として、露光のための工程所要時間は減少される。アントラセン、Ｎ−アルキルカルバゾール、及びハロ−フルオロン化合物が、本発明で使用することができる光増感剤の例である。

９及び１０の位置にアルコキシ基を有するアントラセン化合物（９，１０−ジアルコキシアントラセン）は、好ましい光増感剤（Ｈ）である。Ｃ１〜Ｃ４アルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、及びブトキシ基などは、好ましいアルコキシ基として挙げられる。この９，１０−ジアルコキシアントラセンはまた、置換基を有することもできる。ハロゲン原子、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子など、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基、例えば、メチル基、エチル基、及びプロピル基など、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、カルボン酸アルキルエステル基などが置換基の例として挙げられる。Ｃ１〜Ｃ４アルキル、例えば、メチル、エチル、及びプロピルなどは、スルホン酸アルキルエステル基及びカルボン酸アルキルエステル基におけるアルキル部分の例として与えられる。これらの置換基の置換位置は、アントラセン環系の好ましくは２の位置である。９，１０−ジメトキシアントラセン、９，１０−ジエトキシアントラセン、９，１０−ジプロポキシアントラセン、９，１０−ジメトキシ−２−エチルアントラセン、９，１０−ジエトキシ−２−エチルアントラセン、９，１０−ジプロポキシ−２−エチルアントラセン、９，１０−ジメトキシ−２−クロロアントラセン、９，１０−ジメトキシアントラセン−２−スルホン酸、９，１０−ジメトキシアントラセン−２−スルホン酸メチルエステル、９，１０−ジエトキシアントラセン−２−スルホン酸メチルエステル、９，１０−ジメトキシアントラセン−２−カルボン酸、９，１０−ジメトキシアントラセン−２−カルボン酸メチルエステルなどが、本発明で使用することができる９，１０−ジアルコキシアントラセンの具体例として挙げられ得る。

ＳｐｅｃｔｒａＧｒｏｕｐＬｉｍｉｔｅｄの製品のＡＮ９１０Ｅと称される光増感剤は、適切な光増感剤のさらなる例である。

本発明で有用なＮ−アルキルカルバゾール化合物の例としては、Ｎ−エチルカルバゾール、Ｎ−エチル−３−フォルミル−カルバゾール、１，４，５，８，９−ペンタメチル−カルバゾール、Ｎ−エチル−３，６−ジベンゾイル−９−エチルカルバゾール及び９，９’−ジエチル−３，３’−ビカルバゾールが挙げられる。ハロ−フルオロン光増感剤の例としては、５，７−ジヨード−３−ブトキシ−６−フルオロン、３−ヒドロキシ−２，４，５，７−テトラヨード−６−フルオロン、及び９−シアノ−３−ヒドロキシ−２，３，５，７−テトラヨード−６−フルオロンが挙げられ、そしてさらなるフルオロン化合物が、参照により本明細書に組み込まれている米国特許第５，３９５，８６２号及び同第５，４５１，３４３号に開示されている。これらの増感剤化合物（Ｈ）は、単独又は２種以上の混合物の状態で使用することができる。

本発明において使用することができる任意的な接着促進化合物（Ｉ）としては、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどが挙げられる。

場合によっては、化学線を吸収する化合物（Ｊ）を含めることが有用であり得る。そのような化合物は、画像の最上部で画像化された材料が画像の底辺の画像化材料より幅広であるように逆先細りの形状を有するレリーフ像横断面を提供するために使用することができる。ベンゾフェノン化合物、例えば、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン及び２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノンなど、サリチル酸化合物、例えば、サリチル酸フェニル及びサリチル酸４−ｔ−ブチルフェニルなど、フェニルアクリラート化合物、例えば、エチル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリラート及び２’−エチルヘキシル−２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリラートなど、ベンゾトリアゾール化合物、例えば、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール及び２−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−５−クロロ−２Ｈ−ベンゾトリアゾールなど、アゾ染料、例えば、ｐ−フェニルアゾレゾルシノール及び４，４’［オキシビス（ｐ−フェノレンアゾ（ｐ−ｐｈｅｎｏｌｅｎｅａｚｏ））］ジフェノールなど、クマリン化合物、例えば、４−メチル−７−ジエチルアミノ−１−ベンゾピラン−２−オンなど、チオキサントン化合物、例えば、ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、及び４−イソプロピルチオキサントン、１−クロロ−４−プロポキシ−チオキサントン、参照により本明細書に組み込まれる米国特許第４，５８５．８７６号及び同第４，６８１，９５９号によるチオキサントン化合物など、スチルベン化合物、ナフタル酸化合物などが、本発明において単独で又は混合物としてのいずれかで使用され得る化合物（Ｊ）の具体例として挙げられる。

特定の実施形態においては、本発明の組成物からつくられる最終構造に不透明性を添える任意的な染料成分（Ｊ）を含めることが有利であり得る。この目的のために使用される染料成分Ｊは、イオン性であり、Ｃ^＋がカチオン種でありＤ⁻がアニオン種である一般構造Ｃ^＋Ｄ⁻を有する。この染料のための適切なカチオン種としては、シアニンカチオン、アミノアントロキノンカチオン、アジンカチオン、ローダミンカチオン、フシン（ｆｕｓｈｉｎ）カチオン、キサンテンカチオン、及びそれらの組合せが挙げられる。フィルムの光遮断要件に応じて好ましい極大波長で又は幅広い極大波長範囲にわたる、技術用途に応じて０．０５／ミクロンから４／ミクロン以下の光学濃度（Ｏ．Ｄ．）の光吸収性染料が、パターニングの配合物中に組み込まれる。

有用なカチオン性染料種の例としては、式ＶＩＩ及び式ＶＩＩＩ：

によるカチオンシアニン染料が挙げられる。

式ＶＩＩ及びＶＩＩＩにおいて、Ｒ_１及びＲ_２は、独立して、Ｈ又は任意のアルキル若しくはイソアルキル基、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチルなどであり得る。Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６及びＲ_７は、独立して、Ｈ又は任意のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル若しくはイソアルキル基、芳香族（例えば、Ｃ_６Ｈ_５）基、或いは１つ又は複数のＣ_１〜Ｃ_１８アルキル置換基及び／又は１つ又は複数のハロゲン置換基により置換されている芳香族基であり得る。

上記の式ＶＩＩ及びＶＩＩＩ中の２つの芳香環構造の間の架橋構造は、式ＩＸ、式Ｘ、及び式ＸＩに示されているように長さがさまざまであり得る。上記の架橋構造の長さは、合成の機能として変化させることができ、染料構造から必要とされる必須の波長吸収度を与える。架橋構造が長いほど、染料構造の吸収波長（λ_ｍａｘ）はより長い。

さらなる有用なカチオン性染料種としては、式ＸＩＩによるトリフェニルメタンのカチオン性シアニン、式ＸＩＩＩによるチアジンのカチオン性シアニン、及び式ＸＩＶによるオキサジンのカチオン性シアニンが挙げられる。

上記の式ＸＩＩ〜ＸＩＶにおいて、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６、Ｒ_７、Ｒ_８、Ｒ_９及びＲ_１０のそれぞれは、独立して、Ｈ、Ｃ_１〜Ｃ_１２アルキル、アルカリル、ハロアルキル、チオアルキル、チオアルカリル、ハロアルカリル、ヒドロキシアルキル、ヒドロキシアルカリル、アルコキシ、アルコキシアリール、分岐Ｃ_１〜Ｃ_１２ポリアルコキシ、及び分岐Ｃ_１〜Ｃ_１２ポリアルコキシアリールから選択される。

染料成分のアニオン種Ｄ⁻は、例えば、ＳｂＦ_６ ⁻、ＢＦ_４ ⁻、ＰＦ_６ ⁻、ＡｓＦ_６ ⁻、（ＣＦ_３ＳＯ_２）_３Ｃ⁻、（ＣＦ_３ＣＦ_２）_３ＰＦ_３ ⁻、（Ｃ_６Ｆ_５）_４Ｂ⁻、並びにそれらの組合せから選択され得る。当業者には当然のことであるが、２種、３種、４種又はそれ以上の染料の組合せが本発明において同様に使用され得る。

本発明によれば、染料成分のアニオン種（Ｄ⁻）は、光分解中に生成される酸が、染料のより強力な塩基性対イオンによって損なわれないように、ＰＡＧ成分のアニオン種（Ｂ⁻）と構造的に全く同等であるか、等価の塩基性度を有するのものでなければならない。本明細書で定義される「等価の塩基性度」とは、３６５ｎｍで増大されたフィルム吸光度から期待されるものを超えるリソグラフィックフィルムのフォトスピードを遅らせることのない染料アニオンを使用することを意味する。従って、例えば、ヘキサフルオロアンチモナートアニオンを、光酸発生剤のためのアニオン種として選択するならば、染料成分はまた、アニオン種としてのヘキサフルオロアンチモナート又はその塩基性当量を有さなければならない。染料は好ましくは、２９０から１５００ｎｍまでの吸光度範囲を有し、これは、吸収される光の波長に相当する。染料はまた、用途の要求に対応する選択された範囲の波長において透明である。本明細書で定義される「透明」とは、＞７０％の紫外−可視透過率を意味する。本発明の組成物中のイオン性染料成分の役に立つ量は、エポキシ−フェノール系樹脂の全体重量を基準として、好ましくは、０．２５〜５０重量％、より好ましくは、０．５〜２０重量％の範囲である。

適切なカチオン染料の市販品の例は、ＦａｂｒｉｃｏｌｏｒＨｏｌｄｉｎｇＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，ＬＬＣ製のＦＨＩ５４８２である。

別法では、そして特定の実施形態において、熱酸発生剤化合物又はＴＡＧを組成物中の任意的な成分として含めることが有利であり得る。さまざまな既知のＴＡＧ化合物をこの目的で使用してもよく、例としては、ＣＸＣ１６１２、２，４，４，６−テトラブロモシクロヘキサジエノン、ベンゾイントシラート、２−ニトロベンジルトシラート及びその他の有機スルホン酸のアルキルエステルが挙げられる。熱活性化と同時にスルホン酸を発生する化合物が一般に適する。

使用され得るエポキシ樹脂（Ａ）の量は、成分Ａ及びＢ並びに、存在する場合は、任意的なエポキシ樹脂Ｆ、任意的な反応性モノマーＧ、及び任意的な接着促進剤Ｉの全体重量の５〜９９．９重量％、より好ましくは２０〜９９．９重量％、そして最も好ましくは４０〜９９．９％である。式Ｉ〜ＩＶによるエポキシ樹脂は特に好ましいが、式Ｉ〜ＩＶにより表されるそれらの樹脂以外のエポキシ樹脂が本発明による組成物中で使用され得ることが理解されるべきである。

使用され得る光酸発生剤化合物（Ｂ）の量は、エポキシ樹脂成分（Ａ）と、存在する場合は、任意的なエポキシ樹脂Ｆ、任意的な反応性モノマーＧ、及び任意的な接着促進剤Ｉの全体重量の０．１〜１０重量％である。１〜８重量％のＢを使用することがより好ましく、２〜８重量％を使用することが最も好ましい。

使用することができる溶媒成分Ｃの量は、全組成物の５〜９９重量パーセントである。５〜９０重量パーセントの溶媒を使用することがより好ましく、１０〜８５重量％の溶媒を使用することが最も好ましい。使用することができる溶媒の正確な量は、所望のコーティング厚さによって異なる。より少量の溶媒を含有している組成物は、より高い固体濃度を提供して厚膜を調製するために役立ち、一方、より多量の溶媒は固形分を減少し、そのような組成物は薄膜を調製するために役立つ。

この溶媒成分Ｃは、２種以上の溶媒の混合物を含むことができる。溶媒混合物は、該組成物の粘度及び乾燥特性を修正するために使用することができる。溶媒の混合物が好ましく、最も好ましいのは、アセトン、酢酸メチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン及び炭酸ジメチルと他の溶媒との混合物であって、アセトン、酢酸メチル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン及び炭酸ジメチル以外の溶媒を合計１〜２５重量％含有する混合物である。

使用することができるフッ素化化合物（Ｄ）の合計量は、エポキシ樹脂成分Ａ及びカチオン性光開始剤Ｂと、存在する場合は、任意的なエポキシ樹脂Ｆ、任意的な反応性モノマーＧ及び任意的な接着促進剤Ｉの合計の０．０１〜１０重量パーセントである。３〜８重量％のＤを使用することがより好ましく、３〜５％を使用することが最も好ましい。

使用することができる任意的な界面活性剤（Ｅ）の合計量は、エポキシ樹脂成分Ａ及びカチオン性光開始剤Ｂと、存在する場合は、任意的なエポキシ樹脂Ｆ、任意的な反応性モノマーＧ及び任意的な接着促進剤Ｉの合計の０．００１〜５重量パーセントである。０．０１〜１重量％のＥを使用することがより好ましく、０．０５〜０．５％を使用することが最も好ましい。

任意的なエポキシ樹脂Ｆが使用されるとき、使用することができる樹脂Ｆの量は、成分Ａ及びＢと、存在する場合は、任意的なエポキシ樹脂Ｆ、任意的な反応性モノマーＧ及び任意的な接着促進剤Ｉの総重量の５〜４０重量％、より好ましくは１０〜３０重量％、そして最も好ましくは１５〜３０重量％である。

任意的な反応性モノマーＧが使用されるとき、使用することができるＧの量は、成分Ａ及びＢと、存在する場合は、任意的なエポキシ樹脂Ｆ、反応性モノマーＧ及び接着促進剤Ｉの総重量の１〜２０重量％、より好ましくは２〜１５重量％、そして最も好ましくは４〜１０重量％である。

使用されるとき、任意的な光増感剤成分Ｈは、光開始剤成分Ｂに対して０．０５〜５０重量％である量で存在することができ、０．５〜５０重量％を使用することがより好ましく、１〜２５重量％を使用することが最も好ましい。

任意的な接着促進剤Ｉが使用されるとき、使用することができるＩの量は、成分Ａ及びＢと、存在する場合は任意的なエポキシ樹脂Ｆ、反応性モノマーＧ及び接着促進剤Ｉの総重量の０．１〜３重量％、より好ましくは、０．５〜２．５重量％、そして最も好ましくは、１〜２．５重量％である。

任意的な光吸収性化合物Ｊが使用されるとき、使用することができるＪの量は、成分Ａの重量の０．０５〜１５重量％、より好ましくは０．０５〜１０重量％である。

場合によっては、成分Ａ及びＧ以外のエポキシ樹脂、エポキシアクリラート及びメタクリラート樹脂、並びにアクリラート及びメタクリラートホモポリマー及びコポリマーを、本発明において使用し得る。フェノール−ノボラックエポキシ樹脂、トリスフェノールメタンエポキシ樹脂などが、そのような代替のエポキシ樹脂の例として挙げられ、メタクリラートモノマー、例えば、ペンタエリスリトールテトラメタクリラート及びジペンタエリスリトールペンタ−及びヘキサ−メタクリラートなど、メタクリラートオリゴマー、例えば、エポキシメタクリラート、ウレタンメタクリラート、ポリエステルポリメタクリラートなどが、メタクリラート化合物の例として挙げられる。使用する量は、成分Ａ、Ｂ及びＦの総重量の好ましくは０〜５０重量％である。

加えて、任意的な無機充填剤、例えば、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素、非晶質シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、モンモリロナイト粘土、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、グラフェンナノ粒子、及びマイカ粉末、並びにさまざまな金属粉、例えば、銀、アルミニウム、金、鉄、ＣｕＢｉＳｒ合金などを、本発明において使用し得る。無機充填剤の含量は、該組成物の０．１〜８０重量％であり得る。同じく、有機充填剤、例えば、ポリメチルメタクリル酸エステル、ゴム、フルオロポリマー、架橋エポキシ、ポリウレタン粉末などを同様に組み込むことができる。使用する場合、有機充填材は、溶媒成分Ｃ中に溶解しない。

必要に応じて、さまざまな材料、例えば、架橋剤、熱可塑性樹脂、着色剤、及び増粘剤などを、本発明において使用し得る。架橋剤としては、例えば、メトキシ化メラミン、ブトキシ化メラミン、及びアルコキシ化グリコウリル化合物を挙げることができる。ニュージャージー州ウッドランドパークのＣｙｔｅｃＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓからのＣｙｍｅｌ（登録商標）３０３は、適切なメトキシ化メラミン化合物の具体例である。ニュージャージー州ウッドランドパークのＣｙｔｅｃＩｎｄｕｓｔｒｉｅｓからのＰｏｗｄｅｒｌｉｎｋ（登録商標）１１７４は、アルコキシ化グリコウリル化合物の具体例である。ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、ポリカルボナートなどは、熱可塑性樹脂の例として挙げられ；フタロシアニンブルー、フタロシアニングリーン、ヨウ素グリーン、クリスタルバイオレット、酸化チタン、カーボンブラック、ナフタレンブラックなどは、着色剤の例として挙げられ；アスベスト、オーベン（ｏｒｂｅｎ）、ベントナイト、及びモンモリロナイトが増粘剤の例として挙げられる。これらの添加剤などが使用されるとき、本発明の組成物中のそれらの一般的な含量は、それぞれ０．０５〜１０重量％であるが、これは適用の目的に従って必要に応じて増加又は減少され得る。

本発明の樹脂組成物は、成分ＡからＤ及び任意的な成分ＥからＪと、必要なときは、無機充填剤及びその他の添加剤とを、好ましくは上記の比率で、配合技術で知られているロールミル、パドルミキサー又は類似の装置により均一に混合、溶解、分散などをして組み合わせることによって調製することができる。溶媒成分Ｃを除く成分ＡからＪが、溶媒成分Ｃにより希釈されて該組成物の使用目的に適合する粘度に調整されることが特に好ましい。

本発明の感光性エポキシ組成物を使用する場合、組成物は、低表面エネルギー基板に、スロットコーティング、ドクターバーコーティング、ローラーコーティング、ディップコーティング、グラビア印刷、スクリーン印刷、スピンコーティングなどのコーティング方法を用いて適用することができる。乾燥焼付け条件は、フォトレジストの被膜を形成するように選択され、担体溶媒（成分Ｃ）、基板温度、排気速度、配合物温度、及びコーティング分野の当業者には周知の関連する要因に対する修正を含むことができる。固体フォトレジストコーティングは、次に、紫外線、電子線、及びｘ線放射の形で化学線を提供する露光ツールを用いてフォトリソグラフィー的にパターン化又は露光し得る。中圧若しくは高圧水銀ランプ又は紫外線ダイオードから３００〜５００ｎｍの紫外線放射を不透明及び透明領域のパターンを含むフォトマスクを通して提供する露光ツールを使用することが好ましい。密着、近接又は投影露光モードを使用し得る。露光後、コーティングの露光された領域におけるカチオン重合反応を加速するために、露光後焼付けを行う。コーティング中のフォトマスクのレリーフ像は現像プロセスによって形成する。現像プロセスにおいては、コーティングした基板を有機溶媒現像液中に浸漬して、コーティングの非重合領域を溶解させる。典型的な浸漬条件は、室内周囲温度で攪拌しながらの現像液との２〜５分間の接触である。現像液溶媒との接触時間は、コーティングの厚さ、現像液溶媒の溶媒強度、及びレリーフパターンの幾何学的特性により変化する。現像された像は、残った現像液を除去するためにすすぎ溶媒の適用によってすすぐ。残った現像液は除去することが必要である。これは、残った現像液は溶解したフォトレジスト成分を含んでおり、残った現像液を基板上で乾燥させた場合にレリーフ像中に析出物を形成するためである。

場合によって、現像液溶媒は、噴霧スプレーノズル又は細かいシャワーヘッドタイプのスプレーノズルのいずれかを使用する吹付けによって適用し得る。像を現像するさらに別の方法は、フォトレジスト技術においてパドル処理として知られるものを使用して現像液を適用することを含み、その場合、現像されるべき基板は、回転しているツールヘッド上に配置し、次いで、全体の基板領域上に固定層又は固定パドルを形成するために十分な現像液の量を基板上に施して、一定時間放置する。この時間の後、基板は、使用済みの現像液を振り落とすために回転を加速し、その後回転が停止するまで減速する。この一連の操作を、必要に応じて、透明なレリーフ像が得られるまで繰り返す。２つから４つの溶媒パドルが形成される方法を使用するのが普通である。

適切な現像液溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）、γ−ブチロラクトン、アセトン、シクロペンタノン、ジアセトンアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、Ｎ−メチルピロリドン、アニソール、乳酸エチルなどが挙げられるがこれらに限定されない。この現像液溶媒は、単独で又は混合物として使用し得る。未露光のフォトレジスト成分に対する溶解性が良好であり且つ比較的低コストであるため、プロピレングリコールメチルエーテルアセタートが特に好ましい。

適切なすすぎ溶媒としては、上で述べた任意の現像液溶媒並びにメタノール、エタノール、イソプロパノール、及び酢酸ｎ−ブチルが挙げられる。このすすぎ溶媒は、急速に乾燥することが好ましく、この点で、アセトン、メタノール、エタノール、及びイソプロパノールが特に好ましい。

場合によっては、より高い転化率まで重合反応を推進することによって材料をより十分に固めるために、現像後の焼付けを、得られた像に対して実施してもよい。

エレクトロウェッティングデバイス用途のために使用され得る基板材料は、疎水性ポリマーであり、フルオロポリマー、例えば、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ（ＤｕＰｏｎｔＣｏｍｐａｎｙ）、Ｃｙｔｏｐ（登録商標）（旭ガラス株式会社）、及びＦｌｕｏｒｏｐｅｌ（商標）１６０１Ｖ（ＣｙｔｏｎｉｘＣｏｒｐ．）などが特に好ましい。しかしながら、半導体及びＭＥＭｓ製作において普通に出会うその他の基板もまた使用することができ、例としては、以下に限定はされないが、シリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、アルミナ、ガラス、ガラス−セラミックス、ガリウムヒ素、リン化インジウム、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、スチール、銅−シリコン合金、インジウム−スズ酸化物コートガラス、ポリイミド、ポリエステル等の有機フィルム、並びに、金属、半導体、及び絶縁体のパターンのあ
る領域を有する任意の基板などが挙げられる。場合によって、フォトレジストコーティングの適用前に吸収された水分を除去するために、焼付けステップが基板に対して実施されてもよい。

本発明による組成物をフルオロポリマー層に直接適用する場合には、フォトレジスト組成物の適用前にフルオロポリマー層をフルオロポリマーのガラス転移温度より高い温度で加熱することは避けるのが有利である。

本発明の組成物は、圧電性、熱又はレーザーインクジェットプリンターを用いて適用することもできる。圧電性プリンターにおいて該組成物を使用するためには、以下のステップを行う：

圧電式プリンターカートリッジ、例えば、Ｄｉｍａｔｉｘ材料カートリッジモデル＃ＤＭＣ−１１６１０が、約１．５ｍｌの該組成物を重点したシリンジから針を注入口の中に注意深く挿入することによって充填する。材料を、ゆっくり注入して、流体モジュールを満たす。流体モジュールの圧力孔及びジェッティングモジュールの開口部は、一列に並べ、かみ合わせる。次いで、充填したカートリッジを３０分間静置して、閉じ込められた空気をノズルから出て行かせる。

その溶液に対する適切な波形が選択され、ジェッティングの際の特定のインク組成物に対する最適な落下速度を獲得するためにそれぞれのプリントヘッドに対する適切な電圧設定もまた選択される。

インクジェットプリンティングのための基板は、必要とされる用途によって異なるが、典型的な半導体基板、例えば、シリコン、ガリウムヒ素、その他のＩＩＩ〜ＩＶ族及びＩＩＩ〜Ｖ族半導体、金属、ガラス、及びセラミックなども含めることができる。フレキシブル基板も使用することができ、例としては、さまざまなプラスチック類、例えば、ＰＥＴ、ＰＥＴＧ、ＰＥＮ、カプトン及びマイラーなどが挙げられる。これらの基板には、さまざまな金属、例えば、金、銀、及び銅など、又はさまざまな金属酸化化合物、例えば、インジウム−スズ酸化物、アンチモンスズ酸化物、及び二酸化チタンなどをさらにコーティングすることができる。

ポリマー組成物のインクジェット堆積後、コーティングは、紫外線放射への露光によって硬化させることができる（紫外線硬化）。組成物及び／又は組成物中の溶媒系の蒸発速度によっては、紫外線硬化したインクは、最初の露光後に系を十分に硬化させるためにさらなる熱焼付けを必要とすることがある。高温（＞１２０℃）の硬化は、場合によってはコーティングの硬化の割合又は耐薬品性を増大させる。

さらなる実施形態において、本発明の組成物を用いるインクジェットプリンティングにより形成されたレリーフパターンは、フォトトリミングとして知られる処理をさらに受けることができる。この処理は、インクジェットでパターン化された基板を高解像度のリソグラフィックマスクを通した紫外線に曝露することを含む。このフォトトリミング処理は、インクジェット印刷された形体についてのパターンエッジの明瞭度を改善するために使用することができ、インクジェットプロセスによってそれまでにパターン化された基板上に、高解像度の形体を選択的にパターン化するためにも使用し得る。

本発明の組成物はまた、基板を結合する接着剤として使用できる。この組成物をコーティングした基板を第２の基板と接触させて、熱及び圧力の適切な条件下で２つの基板の間に接着結合が形成するようにする。使用する熱及び圧力の条件によって、この接着結合は、仮接着結合又は永久接着結合のいずれかであり得る。この使用において、仮接着結合は、結合された基板の溶媒処理によって破壊し得る接着結合であるが、永久結合は、溶媒処理によって弱まられない接着結合である。

レリーフパターンは、該組成物をコーティングした層中にインプリンティング法によって形成することができる。インプリンティングは、パターンをテンプレートから基板に物理的接触によって移す処理である。本発明の組成物は、組成物を表面にコーティングし、次に、ウェットコーティングを焼付けてフィルムを乾燥させてインプリンティング基板を提供することによって、インプリンティングにおいて使用することができる。次に、ミクロンサイズ又はサブミクロンサイズのどちらかの形体を有することができる隆起した形体を有するテンプレートが、インプリンティング基板と物理的に接触する。圧力が、その時、テンプレートの隆起した形体が永久レジストコーティング組成物のかさの中を貫くことを引き起こすやり方で、テンプレートに、又はインプリンティング基板に、又はテンプレート及びインプリンティング基板の両方にかけられる。インプリンティング処理の効果は、インプリンティング基板に熱を加えて永久レジストコーティングを軟化させることによって促進し得る。テンプレートは、次にインプリンティング基板から分離されてパターン化された基板を提供し、そこでテンプレートの隆起した形体は永久フォトレジストコーティング中に埋め込まれた像となる。このプロセスは、その形体サイズがミクロン範囲のときはマイクロインプリンティングと、その形体サイズがミクロン未満であるときは、ナノインプリンティングのように表現される。移されたパターンの基板フィルムへの固定は、パターンをフォトレジスト組成物のカチオン重合を開始させるために紫外線に曝露し、次いで重合及びフィルムの架橋を完了させるためにその後の焼付けステップを実施することによって行うことができる。別法において、インプリントされた基板からテンプレートを分離する前又は後に紫外線又はその他の活性放射線を使用せずに、パターン化された基板を、ＰＡＧの分解及びその後のカチオン重合を始動させるための十分な温度に加熱し、それによって永久フォトレジスト層を提供することができる。上記のような像に関する紫外線リソグラフィーのプロセスを像に関するインプリンティングリソグラフィーと組合せて、パターン化された永久フォトレジストコーティングを基板上に提供することが可能であり、この場合、レリーフパターンの一部分は写真平版プロセスにより形成され、一部分はインプリンティングプロセスにより形成される。

本発明のフォトレジスト組成物は、乾燥被膜のフォトレジストを製造するために使用することができる。乾燥被膜フォトレジストを調製するために、本発明によるフォトレジスト組成物を、コーティング法、例えば、ローラーコーティング、ドクターバーコーティング、スロットコーティング、ディップコーティング、スピンコーティング、グラビアコーティングなどを用いて基膜材料に適用する。次に、コーティングした基膜を、６０〜１６０℃に設定した乾燥オーブン中で所望の量の溶媒を除去するのに十分な時間乾燥する。次いで、コーティングした被膜のフォトレジスト側にカバー被膜を適用して、被膜を損傷から保護し、コーティングした材料のシートが互いにくっつきあうのを防止する。基膜上のフォトレジストの厚さは、溶媒、フォトレジスト固形分、及びコーティングパラメーターの適切な選択によって、約１から約１００μｍに調整することができる。有機ポリマー被膜材料、例えば、ポリエチレンテレフタラート、ポリプロピレン、及びポリイミドなどが、基膜として使用することができ、有機ポリマー類、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、及びポリエチレンテレフタラートなどがカバーシート材料として使用することができる。

乾燥被膜フォトレジストの使用は、保護カバーシートをフォトレジスト層から最初にはがし、フォトレジスト側が基板と接触するようにして基板上に乾燥被膜を配置し、ラミネーション装置を用いて熱及び圧力を加えることによって基板にフォトレジストをラミネートし、次に基膜をフォトレジストからはがすことによって行う。これらの操作により、本明細書に記載されている方法を用いて像に関して後で処理することができる基板上のフォトレジスト層が形成される。

本発明によるフォトレジスト組成物は、優れたイメージング特性を有しており、硬化生成物は、溶媒、アルカリ、及び酸に対する優れた耐薬品性を有しており、そして良好な熱安定性及び電気特性を示す。

本発明を、以下の例及び比較例によってさらに詳細に説明する。層でないことが明確に記載されていない限りは、全ての部及び百分率は、重量基準であり、温度は全て摂氏温度である。

配合組成物の調製及び試験のための一般的な実験手順
組成物例１から２１並びに比較例１及び２のための一般的な配合方法
本発明による全ての組成物は、組成物の成分を、４オンスの琥珀色の広口瓶中に個々に計量することによって調製した。瓶はしっかりと蓋をし、次いでローラーミル上で、全ての成分が完全に溶解するまで４〜８時間回転させた。それら試料は、室温に均衡させ、さらなる操作を行わずに評価した。

本発明による組成物の調製に使用する材料の化学名又は商標名、供給源、機能、及び成分タイプを、表１に記載する。

フルオロポリマー基板を調製するための方法
Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆フルオロポリマー基板の調製は、ＴｅｆｌｏｎＡＦ１６００溶液（ＤｕＰｏｎｔＣｏｍｐａｎｙ）を＜１００＞シリコンウエハー上にスピンコーティングし、次いでウェットコーティングを１３５℃で３０秒間ホットプレート上で焼き付けることによって行った。得られたコーティングは、０．５μｍの厚さ及び１２０〜１２５°の水接触角（液滴法）を有した。

Ｃｙｔｏｐ（登録商標）被覆フルオロポリマー基板の調製は、ＣｙｔｏｐＣＴＸ−８０９ＳＰ２溶液（旭硝子株式会社）を＜１００＞シリコンウエハー上にスピンコーティングし、次いでウェットコーティングをホットプレート上９０℃で６０秒間又は１８０秒間焼付けることによって行った。得られたコーティングは、１．３μｍの厚さ及び１１６°の水接触角（液滴法）を有した。

接着性評価のための方法及び尺度
本発明の組成物を用いて作製されたリソグラフィックパターンの接着性は、以下のような数字のランク付け尺度を用いて評価した：

接触角を測定するための方法
液滴接触角測定法を、ＢｉｏｌｉｎＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃＡｔｔｅｎｓｉｏｎＴｈｅｔａゴニオメーターを用いて実施した。測定流体として水を使用した。５μＬ／秒の速度で計量分配される５μＬの滴径を使用した。４個の液滴を、試験基板を横切って計量分配し、各液滴について１秒間隔で１０回の測定を実施した。各液滴についての測定値を平均し、次いで全ての液滴の平均値が計し、結果として報告した。

膜厚を測定するための方法
膜厚測定は、ＦｉｌｍＴｅｋ光学膜厚測定器を用いて、又は走査型電子顕微鏡を用いる目盛付きライン測定によって実施した。

（例１）
６１．５４％のＢＮＥＲ（成分Ａ）、０．４６２％のＩｒｇａｃｕｒｅ２９０（成分Ｂ）、３６．１０％のアセトン（成分Ｃ）、０．５７％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、１．３３％のＤＰＦ（成分Ｄ）及び０．０６１５％のＰＦ７００２（成分Ｅ）を含有している感光性エポキシ組成物を一般的な配合方法に従って調製した。

この組成物を、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ１６００フルオロポリマー基板（フルオロポリマー基板を調製するための一般的な方法を用いて調製した）に、モーター駆動のドクターブレード装置を用いて約２０ｍｍ／秒のコーティングバー速度でコーティングした。ウェットコーティングを１５分間放置し、次に、コーティングした基板を対流式オーブン中６５℃で３分間焼き付けることによって乾燥させ、続いて１５分間かけて室温まで冷却した。組成物の膜厚は、７〜８ミクロンであった。被膜に、３６５ｎｍ放射線を用いて８０ｍＪ／ｃｍ^２の放射線量でピクセル壁パターンマスクを通して照射した。照射した基板は、対流式オーブン中１３５℃で３分間、露光後の焼付けをした。レリーフ潜像は、基板を室内周囲温度のＰＧＭＥＡ溶媒中に２分間浸漬し、続いて新鮮なＰＧＭＥＡ溶媒の流れですすぎ、続いて穏やかな気流の下で約１分間最後に乾燥させることによって現像した。パターン化基板をホットプレート上１７５℃で５分間焼き付けることによって処理は完了した。

現像されたパターンは、図２ａ及び図２ｂに示されている走査型電子顕微鏡写真像にはっきり示されているように、５の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２２°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメ（ｐｒｏｃｅｓｓｒｅｇｉｍｅ）によって変化しなかったことをはっきりと示している。

（例２）
６０．４０％のＳＵ−８（成分Ａ）、３．０２％のＣｙｒａｃｕｒｅ６９７６（成分Ｂ）、３２．５３％のアセトン（成分Ｃ）、３．０２％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、１．０１％のＤＰＦ（成分Ｄ）及び０．０３０％のＰＦ７００２（成分Ｅ）を含有している感光性エポキシ組成物を一般的な配合方法に従って調製した。

照射線量が１００ｍＪ／ｃｍ^２であり且つ露光後の焼付けを対流式オーブン中９５℃で１５分間行う以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、５の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２２°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって変化しなかったことをはっきりと示している。

（例３）
５９．８％のＢＮＥＲ（成分Ａ）、２．０９％のＯＰＰＩ（成分Ｂ）、３５．５２％のアセトン（成分Ｃ）、０．５７％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、１．６５％のＤＰＦ（成分Ｄ）、０．０６０％のＰＦ７００２（成分Ｅ）及び０．３１％のＡＮ９１０Ｅ（成分Ｈ）を含有している感光性エポキシ組成物を一般的な配合方法に従って調製した。

照射線量が１５０ｍＪ／ｃｍ^２である以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、５の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２１°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって変化しなかったことをはっきりと示している。

（例４）
３０．６３％のＢＮＥＲ（成分Ａ）、１３．５０％のＮ７６０４（成分Ａ）、１３．５０％のＥ３１５０（成分Ａ）、０．６１％のＩｒｇａｃｕｒｅ２９０（成分Ｂ）、３５．８４％のアセトン（成分Ｃ）、０．５７％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、１．３３％のＤＰＦ（成分Ｄ）、０．０６１５％のＰＦ７００２（成分Ｅ）、２．４６％のＥＤ５０６（成分Ｇ）及び１．２３％のＺ６０４０（成分Ｉ）を含有している感光性エポキシ組成物を一般的な配合方法に従って調製した。

ウェットコーティング焼付け条件が対流式オーブン中で７５℃３分間であり、照射線量が１００ｍＪ／ｃｍ^２であり、露光後の焼付け条件が対流オーブン中で１３５℃４分間である以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、５の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２３°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって変化しなかったことをはっきりと示している。

（例５）
６４．４７％のＢＮＥＲ（成分Ａ）、１．１０％のＩｒｇａｃｕｒｅ２９０（成分Ｂ）、３３．３５％のアセトン（成分Ｃ）、１．０５％のＤＰＦ（成分Ｄ）及び０．０３０％のＰＦ７００２（成分Ｅ）を含有している感光性エポキシ組成物を一般的な配合方法に従って調製した。

ウェットコーティング焼付け条件が対流式オーブン中で６５℃３０分間であり、照射線量が１５０ｍＪ／ｃｍ^２であり且つ露光後の焼付け条件が対流オーブン中で６５℃３０分間である以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、５の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２２°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって変化しなかったことをはっきりと示している。

（例６）
ウェットコーティング焼付け条件が６５℃４分間であり且つ照射線量が１００ｍＪ／ｃｍ^２である以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｃｙｔｏｐ被覆基板上で例１の組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、５の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１１６°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって著しくは変化しなかったことをはっきりと示している。

（例７）
６０．０％のＳＵ−８（成分Ａ）、３．０％のＣｙｒａｃｕｒｅ６９７６（成分Ｂ）、３２．５％の酢酸メチル（成分Ｃ）、３．０％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、１．５％のＮｏｖｅｃ７２００（成分Ｄ）を含有している感光性エポキシ配合物を一般的な配合方法に従って調製した。

ウェットコーティングを室内周囲条件で１０分間放置し、後対流式オーブン中７５℃で４分間乾燥して７〜８ミクロンの厚さの乾燥被膜を形成し、乾燥被膜を２００ｍＪ／ｃｍ^２の照射線量に曝露する以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られた被膜は、５の接着性尺度ランクを有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２３．１°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって変化しなかったことをはっきりと示している。

（例８）
６０．０％のＳＵ−８（成分Ａ）、３．０％のＣｙｒａｃｕｒｅ６９７６（成分Ｂ）、３２．５％の酢酸メチル（成分Ｃ）、３．０％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、及び１．５％のＮｏｖｅｃ７３００（成分Ｄ）を含有している感光性エポキシ配合物を一般的な配合方法に従って調製した。

ウェットコーティングを室内周囲条件で１０分間放置し、後対流式オーブン中７５℃で４分間乾燥して７〜８ミクロンの厚さの乾燥被膜を形成し、乾燥被膜を２００ｍＪ／ｃｍ^２の照射線量に曝露する以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られた被膜は、５の接着性尺度ランクを有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２３．４°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって変化しなかったことをはっきりと示している。

（例９）
６０．０％のＳＵ−８（成分Ａ）、３．０％のＣｙｒａｃｕｒｅ６９７６（成分Ｂ）、３２．５％の酢酸メチル（成分Ｃ）、３．０％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、０．７５％のＮｏｖｅｃ７２００（成分Ｄ）及び０．７５％のＮｏｖｅｃ７３００（成分Ｄ）を含有している感光性エポキシ配合物を一般的な配合方法に従って調製した。

ウェットコーティングを室内周囲条件で１０分間放置し、後対流式オーブン中７５℃で４分間乾燥して７〜８ミクロンの厚さの乾燥被膜を形成し、乾燥被膜を２００ｍＪ／ｃｍ^２の照射線量に曝露する以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦを塗装した基板上で組成物を処理した。得られた被膜は、５の接着性尺度ランクを有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２４．１°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって変化しなかったことをはっきりと示している。

（例１０）
６１．９０％のＢＮＥＲ（成分Ａ）、３．０９％のＣｙｒａｃｕｒｅ６９７６（成分Ｂ）、３０．５１％の酢酸メチル（成分Ｃ）、３．０９％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、及び１．４１％のＤＰＦ（成分Ｄ）を含有している感光性エポキシ組成物を一般的な配合方法に従って調製した。

ウェットコーティングを対流式オーブン中６５℃で４分間乾燥し、照射線量が２００ｍＪ／ｃｍ^２である以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、５の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２２．７°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって変化しなかったことをはっきりと示している。

（例１１）
６６．６６％のＢＮＥＲ（成分Ａ）、３．３３％のＣｙｒａｃｕｒｅ６９７６（成分Ｂ）、２５．４７％の酢酸エチル（成分Ｃ）、３．３３％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、及び１．１９％のＤＰＦ（成分Ｄ）を含有している感光性エポキシ組成物を一般的な配合方法に従って調製した。

ウェットコーティングが対流式オーブン中８０℃で４分間乾燥し、照射線量が２００ｍＪ／ｃｍ^２である以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、４の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。

（例１２）
６６．６６％のＢＮＥＲ（成分Ａ）、３．３３％のＣｙｒａｃｕｒｅ６９７６（成分Ｂ）、２５．４７％の炭酸ジメチル（成分Ｃ）、３．３３％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、及び１．１９％のＤＰＦ（成分Ｄ）を含有している感光性エポキシ組成物を一般的な配合方法に従って調製した。

ウェットコーティングを対流式オーブン中８０℃で４分間乾燥し、照射線量が２００ｍＪ／ｃｍ^２である以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、４の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。

（例１３）
５７．１５％のＮＣ６３００Ｈ（成分Ａ）、２．８６％％のＣｙｒａｃｕｒｅ６９７６（成分Ｂ）、３５．７２％の酢酸メチル（成分Ｃ）、２．８６％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、１．４０％のＮｏｖｅｃＨＦＣ−７２００（成分Ｄ）、及び０．０１％のＰＦ６３２０（成分Ｅ）を含有している感光性エポキシ組成物を一般的な配合方法に従って調製した。

ウェットコーティングをホットプレート上７０℃で１．５分間乾燥し、照射線量が１７５ｍＪ／ｃｍ^２であり、現像パターンをホットプレート上２００℃で１０分間焼き付けた以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、５の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。フルオロポリマー表面の付着水滴接触角は、組成物のコーティング前は１２２．７°であり、処理の完了後は１２２．７°であった。

（例１４）
照射線量が２００ｍＪ／ｃｍ^２である以外は例１に記載された処理条件を用いて、ＴｅｆｌｏｎＡＦ１６００被覆ガラス基板上で例１の組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、３〜４の接着性尺度ランクを有する優れたリソグラフィー解像度を示した。フルオロポリマー表面の付着水滴接触角は、組成物のコーティング前は１２２．９°であり、処理の完了後は１２２．４°であった。この結果は、接着性能が、フルオロポリマーを塗装した基板の性質（ガラス対シリコン）又はパターンを印刷するために使用した照射線量によって影響されないことを示している。

（例１５）
３０．７１％のＢＮＥＲ（成分Ａ）、１３．５４％のＮ７６０４（成分Ａ）、１３．５４％のＮＣ−３０００Ｈ（成分Ａ）、０．６１％のＩｒｇａｃｕｒｅ２９０（成分Ｂ）、３５．９４％のアセトン（成分Ｃ）、０．５７％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、１．３３％のＮｏｖｅｃ７２００（成分Ｄ）、０．０６１％のＰＦ７００２（成分Ｅ）、２．４７％のＥＤ５０６（成分Ｇ）及び１．２３％のＺ６０４０（成分Ｉ）を含有している感光性エポキシ組成物を一般的な配合方法に従って調製した。

ウェットコーティングを５分間放置し、ホットプレート上７５℃で５分間乾燥し、乾燥被膜を１５０ｍＪ／ｃｍ^２で照射され、照射後の焼付け条件が１３５℃３０秒である以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、５の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２３°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって変化しなかったことをはっきりと示している。

（例１６）
５７．１４％のＳＵ−８（成分Ａ）、２．８６％のＣｙｒａｃｕｒｅ６９７６（成分Ｂ）、３５．７３％の酢酸メチル（成分Ｃ）、２．８６％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、及び１．４１％のＮｏｖｅｃ７２００（成分Ｄ）を含有している感光性エポキシ配合物を一般的な配合方法に従って調製した。

感光性エポキシ配合物をコーティングする前に、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦコーティングを１７５℃で６０秒間焼付け、まだ乾いていない感光性エポキシ被膜を室内周囲条件で５分間放置し、その後ホットプレート上７５℃で４分間乾燥させて７〜８ミクロンの厚さの乾燥被膜を形成させ、乾燥被膜を１５０ｍＪ／ｃｍ^２の線量で照射し、照射後の焼付けをホットプレート上１３５℃で３０秒間行う以外は例１に記載された処理条件を用いて、ＴｅｆｌｏｎＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られた被膜は、４．５の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセス完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２３．１°であった。これは、フルオロポリマーが、約１５０〜１６０℃のフルオロポリマーのガラス転移温度よりｘ度高い温度で処理されたときにフルオロポリマーに対するエポキシ被膜の有用な接着が得られることをはっきりと示している。

（例１７）
５７．１４％のＳＵ−８（成分Ａ）、２．８６％のＣｙｒａｃｕｒｅ６９７６（成分Ｂ）、３５．７３％の酢酸メチル（成分Ｃ）、２．８６％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、１．４１％のＮｏｖｅｃ７２００（成分Ｄ）を含有している感光性エポキシ配合物を一般的な配合方法に従って調製した。

感光性エポキシ配合物をコーティングする前に、まだ乾いていない感光性エポキシ被膜を室内周囲条件で５分間放置し、その後ホットプレート上７５℃で４分間乾燥させて７〜８ミクロンの厚さの乾燥被膜を形成させ、乾燥被膜を１５０ｍＪ／ｃｍ^２の線量で照射し、照射後の焼付けをホットプレート上１３５℃で３０秒間行う以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られた被膜は、５の接着性尺度ランクを有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセス完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２３．８８°であった。これは、例１６と比較して、フルオロポリマーが、約１５０〜１６０℃のフルオロポリマーのガラス転移温度より低い温度で処理されたときにフルオロポリマーに対するエポキシ被膜の改良された接着が得られることをはっきりと示している。

（例１８）
３０．７１％のＢＮＥＲ（成分Ａ）、１３．５４％のＮ７６０４（成分Ａ）、１３．５４％のＮＣ−３００Ｈ（成分Ａ）、０．６１％のＩｒｇａｃｕｒｅ２９０（成分Ｂ）、３５．９４％のアセトン（成分Ｃ）、０．５７％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、１．３３％のＮｏｖｅｃ７２００（成分Ｄ）、０．０６％のＰＦ７００２（成分Ｅ）、２．４７％のＯＸＴ２２１（成分Ｇ）及び１．２３％のＺ６０４０（成分Ｉ）を含有している感光性エポキシ組成物を一般的な配合方法に従って調製した。

ウェットコーティングの放置時間が５分間であり、ウェットコーティングの焼付け条件がホットプレート上７５℃で５分間であり、照射線量が１５０ｍＪ／ｃｍ^２であり且つ照射後の焼付け条件がホットプレート上１３５℃で３０秒間である以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、５の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２４．４°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって変化しなかったことをはっきりと示している。

（例１９）
５７．０１％のＳＵ−８（成分Ａ）、２．８５％のＣｙｒａｃｕｒｅ６９７６（成分Ｂ）、３５．８６％の酢酸メチル（成分Ｃ）、２．８５％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、１．１４％のＮｏｖｅｃ７２００（成分Ｄ）、及び０．２８５％のＤａｒｏｃｕｒＩＴＸ（成分Ｈ）を含有している感光性エポキシ配合物を一般的な配合方法に従って調製した。

ウェットコーティングの放置時間が５分間であり、ウェットコーティングの焼付け条件がホットプレート上７５℃で５分間であり、照射線量が８０ｍＪ／ｃｍ^２であり且つ照射後の焼付け条件が１３５℃で３０秒間である以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、５の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２４．１°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって変化しなかったことをはっきりと示している。

（例２０）
５７．１３％のＳＵ−８（成分Ａ）、２．８６％のＣｙｒａｃｕｒｅ６９７６（成分Ｂ）、３５．９３％の酢酸メチル（成分Ｃ）、２．８６％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、及び１．１４％のＮｏｖｅｃ７２００（成分Ｄ）並びに０．０９５％の４，４’［オキシビス（ｐ−フェノレンアゾ）］ジフェノール（成分Ｈ）を含有している感光性エポキシ組成物を一般的な配合方法に従って調製した。

ウェットコーティングの放置時間が５分間であり、ウェットコーティングの焼付け条件がホットプレート上７５℃で４分間であり、照射線量が４００ｍＪ／ｃｍ^２であり且つ照射後の焼付け条件が１３５℃で３０秒間である以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、４．５の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２３．４°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって変化しなかったことをはっきりと示している。

（例２１）
５７．００％のＥＸ２１７７（成分Ａ）、２．８５％のＣｙｒａｃｕｒｅ６９７６（成分Ｂ）、３５．９２％の酢酸メチル（成分Ｃ）、２．８５％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、及び１．３８％のＮｏｖｅｃ７２００（成分Ｄ）を含有している感光性エポキシ組成物を一般的な配合方法に従って調製した。

ウェットコーティングの放置時間が５分間であり、ウェットコーティングの焼付け条件がホットプレート上７５℃で４分間であり、照射線量が３００ｍＪ／ｃｍ^２であり且つ照射後の焼付け条件が１３５℃で３０秒間である以外は例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆上で組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、４．５の接着性尺度ランク値を有する優れたリソグラフィー解像度を示した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２３．８°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって変化しなかったことをはっきりと示している。

（比較例１）
６１．５％のＢＮＥＲ（成分Ａ）、０．４６２％のＩｒｇａｃｕｒｅ２９０（成分Ｂ）、３７．３６％のアセトン（成分Ｃ）、０．５７％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、及び０．０６％のＰＦ７００２（成分Ｅ）を含有している感光性エポキシ組成物を一般的な配合方法に従って調製した。

例１に記載された処理条件を用いて、Ｔｅｆｌｏｎ（登録商標）ＡＦ被覆基板上で組成物を処理した。得られたレリーフパターンは、良好なリソグラフィー解像度を示したが、図３ａ及び図３ｂに示されているＳＥＭ像においてさらに明らかにされた弱い接着性を示す１の接着性ランク値を有した。パターニングプロセスの完了後のフルオロポリマー表面の付着水滴接触角は１２２°であった。これは、フルオロポリマー表面の湿潤特性が、組成物をパターン化するために使用したプロセスレジメによって変化しなかったことをはっきりと示している。これらの比較は、本発明による良好な接着性を得るためには組成物中にフッ素化化合物成分Ｄを含める必要があることを明示している。

（比較例２）
４２．７８％のＳＵ−８（成分Ａ）、２．１４％のＣｙｒａｃｕｒｅ６９７６（成分Ｂ）、５２．８６％のシクロペンタノン（成分Ｃ）、２．１４％の炭酸プロピレン（成分Ｃ）、及び０．０８％のＢａｙｓｉｌｏｎｅ３７３９（成分Ｅ）を含んでいる感光性エポキシ組成物を、「フルオロポリマー基板を調製するための方法」に記載された手順を用いて調製されたＴｅｆｌｏｎＡＦ被覆シリコンウエハーにスロットコートした。組成物は、均一な被膜を形成することに失敗し、激しい非濡れ挙動が観察された。
なお、下記［１］から［１５］は、いずれも本発明の一形態又は一態様である。
［１］
低表面エネルギーポリマー基板上にネガティブトーンの永久フォトレジストレリーフパターンを作製するのに有用な永久エポキシフォトレジスト組成物であって、
（Ａ）１種又は複数のエポキシ樹脂と、
（Ｂ）１種又は複数のカチオン性光開始剤と、
（Ｃ）１種又は複数のフィルムキャスティング溶媒と、
（Ｄ）１種又は複数のフッ素化化合物と
を含む上記組成物。
［２］
以下の添加材料、
（Ｅ）１種又は複数の界面活性剤、
（Ｆ）１種又は複数の任意的なエポキシ樹脂、
（Ｇ）１種又は複数の反応性モノマー、
（Ｈ）１種又は複数の光増感剤、
（Ｉ）１種又は複数の接着促進剤、及び
（Ｊ）１種又は複数の光吸収性化合物、例えば、染料及び顔料
の１種又は複数をさらに含む、［１］に記載の組成物。
［３］
エポキシ樹脂（Ａ）が、式Ｉから式ＶＩ：

（式Ｉ中、各基Ｒは、グリシジル又は水素から個別に選択され、式Ｉ中、ｋは、０から約３０までの範囲の実数である）、

（式ＩＩ中、各Ｒ _１、Ｒ _２及びＲ _３は、水素又は１から４までの炭素原子を有するアルキル基からなる群から独立して選択され、式ＩＩ中、ｐの値は、１から約３０までの範囲の実数である）、

（式ＩＩＩ中、各Ｒ _４及びＲ _５は、水素、１から４までの炭素原子を有するアルキル基又はトリフルオロメチル基からなる群から独立して選択され、式ＩＩＩ中、ｎ及びｍの値は独立して、１から約３０までの範囲の実数である）、

（式ＩＶ中、ｘは、１から約３０までの範囲の実数である）、

（式Ｖ中、Ｒ _１は、ｚ個の活性水素原子を有する有機化合物の残基を表し、ｎ _１からｎ _ｚは、０又は１から１００までの整数をそれぞれ表わし、ｎ _１からｎ _ｚによって表わされる整数の和は、１から１００までであり、ｚは、１から１００までの整数を表わし、Ｅは、基Ｅ _１又はＥ _２のいずれかを別々に表わす）、
及び

（式ＶＩ中、各基Ｒは、グリシジル又は水素から個別に選択され、式ＶＩ中、ｘは、０から約３０までの範囲の実数である）、
の１種又は複数のエポキシ樹脂を含む、［１］に記載の組成物。
［４］
熱酸発生剤化合物、流れ調整剤、熱可塑性及び熱硬化性有機又は有機金属ポリマー及び樹脂、無機充填材、並びにラジカル光開始剤を含むがこれらに限定されない１種又は複数の追加の材料をさらに含む、［１］に記載の組成物。
［５］
エポキシ樹脂（Ａ）の１種又は複数が、ビスフェノールＡノボラックエポキシ樹脂である、［１］に記載の組成物。
［６］
溶媒成分（Ｃ）が、酢酸メチル、酢酸エチル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及び炭酸ジメチルからなる群から選択される１種の溶媒又は溶媒の混合物である、［１］に記載の組成物。
［７］
フッ素化化合物（Ｄ）が、２，３−ジヒドロペルフルオロペンタン、Ｎｏｖｅｃ７２００及びＮｏｖｅｃ７３００を含む群から選択される１種又は複数の化合物である、［１］に記載の組成物。
［８］
永久フォトレジストレリーフパターンを低表面エネルギーポリマー基板上に形成する方法であって、（１）低表面エネルギーポリマーの溶液を基板上にコーティングすることによって低表面エネルギーポリマー層を該基板上に生成するステップと、（２）該低表面エネルギーポリマー基板上に本発明による任意のフォトレジスト組成物の層を形成するステップと、（３）該コーティングされた基板を加熱することによって該フォトレジスト層から該溶媒のほとんどを蒸発させて、該基板上に該フォトレジスト組成物のフィルムを形成するステップと、（４）該フォトレジストフィルムにマスクを通して活性放射線を照射するステップと、（５）該照射さらたフォトレジストフィルムセグメントを加熱によって架橋するステップと、（６）該フォトレジストフィルム中のマスク像を溶媒によって現像して、フォトレジストフィルム中にマスクのネガティブトーンのレリーフ像を形成するステップと、（７）フォトレジストレリーフ構造を熱処理して、該フォトレジスト及び低表面エネルギーポリマー層をさらに硬化させるステップとを含む、上記方法。
［９］
本発明による組成物の層が、スロットコーティング法を用いて基板に適用される、［４］に記載の方法。
［１０］
本発明による組成物のパターン層が、圧電性インクジェット印刷装置を用いて基板に適用される、［４］に記載の方法。
［１１］
本発明による組成物の層が、低表面エネルギー基板に適用される、［４］に記載の方法。
［１２］
前記活性放射線が、約２００から約４５０ナノメートルまでの範囲の波長を有する紫外線からなる、［４］に記載の方法。
［１３］
ディスプレー装置に使用するための、［８］に記載の方法によって作製された永久フォトレジストレリーフパターン。
［１４］
前記ディスプレー装置が、スマートフォンディスプレー、コンピューターディスプレー、及びアクティブサイネージを含む［１３］に記載の永久フォトレジストレリーフパターン。
［１５］
マイクロ流体デバイスに使用するための、［８］に記載の方法によって作製された永久フォトレジストレリーフパターン。

Claims

疎水性ポリマー被覆基板上にネガティブトーンの永久フォトレジストレリーフパターンを作製するのに有用な永久エポキシフォトレジスト組成物であって、
（Ａ）１種又は複数のエポキシ樹脂と、
（Ｂ）１種又は複数のカチオン性光開始剤と、
（Ｃ）１種又は複数のフィルムキャスティング溶媒と、
（Ｄ）１種又は複数のフッ素化化合物と
を含み、フッ素化化合物（Ｄ）が、２，３−ジヒドロペルフルオロペンタン、（ＣＦ _３） _２ＣＦＣＦ _２ＯＣ _２Ｈ _５及びＣＦ _３ＣＦ _２ＣＦ _２ＣＦ _２ＯＣ _２Ｈ _５の混合物、及びメチルノナフルオロイソブチルエーテルとメチルノナフルオロブチルエーテルとの混合物からなる群から選択される１種又は複数の化合物である、上記組成物。
以下の添加材料、
（Ｅ）１種又は複数の界面活性剤、
（Ｇ）１種又は複数の反応性モノマー、
（Ｈ）１種又は複数の光増感剤、
（Ｉ）１種又は複数の接着促進剤、及び
（Ｊ）１種又は複数の着色剤、又は染料
の１種又は複数をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
エポキシ樹脂（Ａ）が、式Ｉから式ＶＩ：

（式Ｉ中、各基Ｒは、グリシジル又は水素から個別に選択され、式Ｉ中、ｋは、０から３０までの範囲の実数である）、

（式ＩＩ中、各Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、水素又は１から４までの炭素原子を有するアルキル基からなる群から独立して選択され、式ＩＩ中、ｐの値は、１から３０までの範囲の実数である）、

（式ＩＩＩ中、各Ｒ_４及びＲ_５は、水素、１から４までの炭素原子を有するアルキル基又はトリフルオロメチル基からなる群から独立して選択され、式ＩＩＩ中、ｎ及びｍの値は独立して、１から３０までの範囲の実数である）、

（式ＩＶ中、ｘは、１から３０までの範囲の実数である）、

（式Ｖ中、Ｒ_１は、ｚ個の活性水素原子を有する有機化合物の残基を表し、ｎ_１からｎ_ｚは、０又は１から１００までの整数をそれぞれ表わし、ｎ_１からｎ_ｚによって表わされる整数の和は、１から１００までであり、ｚは、１から１００までの整数を表わし、Ｅは、基Ｅ_１又はＥ_２のいずれかを別々に表わす）、
及び

（式ＶＩ中、各基Ｒは、グリシジル又は水素から個別に選択され、式ＶＩ中、ｘは、０から３０までの範囲の実数である）、
の１種又は複数のエポキシ樹脂を含む、請求項１に記載の組成物。
熱酸発生剤化合物、流れ調整剤、熱可塑性有機ポリマー、熱可塑性有機樹脂、熱可塑性有機金属ポリマー、熱可塑性有機金属樹脂、熱硬化性有機ポリマー、熱硬化性有機樹脂、熱硬化性有機金属ポリマー、熱硬化性有機金属樹脂、無機充填材、並びにラジカル光開始剤からなる群より選ばれる１種又は複数の追加の材料をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
エポキシ樹脂（Ａ）の１種又は複数が、ビスフェノールＡノボラックエポキシ樹脂である、請求項１に記載の組成物。
溶媒成分（Ｃ）が、酢酸メチル、酢酸エチル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、及び炭酸ジメチルからなる群から選択される１種の溶媒又は溶媒の混合物である、請求項１に記載の組成物。
永久フォトレジストレリーフパターンをポリマー被覆基板上に形成する方法であって、（１）疎水性ポリマーの溶液を基板上にコーティングすることによって疎水性ポリマー層を該基板上に生成するステップと、（２）該ポリマー被覆基板上に請求項１から６のいずれか一項に記載のフォトレジスト組成物の層を形成するステップと、（３）該ポリマー被覆基板を加熱することによって該フォトレジスト組成物の層から溶媒のほとんどを蒸発させて、該基板上に該フォトレジスト組成物のフィルムを形成するステップと、（４）該フォトレジスト組成物のフィルムにマスクを通して活性放射線を照射するステップと、（５）該照射されたフォトレジストフィルムセグメントを加熱によって架橋するステップと、（６）該フォトレジスト組成物のフィルム中のマスク像を溶媒によって現像して、該フォトレジスト組成物のフィルム中にマスクのネガティブトーンのレリーフ像を形成するステップと、（７）フォトレジストレリーフ構造を熱処理して、該フォトレジスト組成物及び疎水性ポリマー層をさらに硬化させるステップとを含む、上記方法。
請求項１から６のいずれか一項に記載の組成物の層が、スロットコーティング法を用いて基板に適用される、請求項７に記載の方法。
請求項１から６のいずれか一項に記載の組成物の層が、基板に適用される、請求項７に記載の方法。
前記活性放射線が、２００から４５０ナノメートルまでの範囲の波長を有する紫外線からなる、請求項７に記載の方法。
請求項７に記載の方法によって作製された永久フォトレジストレリーフパターンを、ディスプレー装置に使用する方法。
前記ディスプレー装置が、スマートフォンディスプレー又はコンピューターディスプレーを含む請求項１１に記載の方法であって、前記永久フォトレジストレリーフパターンが、該スマートフォンディスプレー又はコンピューターディスプレーにおいて使用される、上記方法。
請求項７に記載の方法によって作製された永久フォトレジストレリーフパターンを、マイクロ流体デバイスに使用する方法。