JP6182534B2 - 多層基板の製造方法、多層絶縁フィルム及び多層基板 - Google Patents

Description

本発明は、多層基板において絶縁層を形成する多層基板の製造方法に関する。本発明は、例えば、多層基板において絶縁層を形成するために好適に用いることができる多層絶縁フィルムに関する。また、本発明は、上記多層絶縁フィルムを用いた多層基板に関する。

従来、積層板及びプリント配線板等の電子部品では、様々な樹脂組成物を用いて、絶縁層が形成されている。例えば、多層プリント配線板では、内部の層間を絶縁するための絶縁層を形成したり、表層部分に位置する絶縁層を形成したりするために、樹脂組成物が用いられている。上記絶縁層の表面には、一般に金属層である回路パターンが形成される。

また、半導体パッケージの製造における回路形成は、回路（Ｃｕめっきなど）パターンを、どのようにして精度よく形成するのかが重要である。回路パターンを形成する１つの方法として、絶縁層にパターン状の溝を形成し、その溝内に金属を充填して、溝内に回路パターンを形成する方法がある。この方法は、トレンチ工法と呼ばれている。トレンチ工法により溝を形成する方法は、例えば、下記の特許文献１に開示されている。

特開２００５−５１０５３号公報

上記トレンチ工法では、溝（トレンチ）の深さをある程度制御し、パターン状の溝を形成することができる。しかし、レーザー直描などで、溝を形成する場合には、溝の深さを高精度に制御することは困難である。

また、セミアティティブ工法（ＳＡＰ）などに代表されるパターン形成方法が知られている。ＳＡＰでは、絶縁層の表面上に、凸状に回路（Ｃｕめっきなど）パターンを形成する。次に、絶縁層上及び回路パターン上に、他の絶縁層を積層する。この場合、他の絶縁層を積層する際に、回路パターン間にボイド（空隙）が生じやすいという問題がある。さらに、他の絶縁層の積層後に、他の絶縁層の表面の平滑性が低くなるという問題がある。また、この回路パターンの形成と絶縁層の積層とを繰り返して、積層数を多くすると、上層の絶縁層の表面の平滑性がより一層低くなりやすい。

上記トレンチ工法により回路パターンを形成した場合には、ＳＡＰにより回路パターンを形成する場合の上述した問題が生じない。従って、トレンチ工法による回路パターンの形成には多くの利点がある。

しかし、前述したように、トレンチ工法では、絶縁層に形成する溝の深さを高精度に制御することは困難である。このため、溝内に形成される回路パターンの形状も、高精度に制御することが困難である。

本発明の目的は、所定の深さの溝を精度よく形成できる多層基板の製造方法を提供することである。また、本発明の目的は、所定の深さの溝を精度よく形成できる多層絶縁フィルム、並びに該多層絶縁フィルムを用いた多層基板を提供することである。

本発明の広い局面によれば、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の一方の表面に積層された第２の絶縁層とを有し、前記第２の絶縁層が、前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを選択的に除去して、得られる絶縁層に前記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように構成されている多層絶縁フィルムを用いて、回路基板の表面上に、前記多層絶縁フィルムを積層する工程と、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを選択的に、かつ前記第２の絶縁層を部分的に除去して、得られる絶縁層に前記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成する工程と、前記絶縁層に形成された前記溝内に金属配線を形成する工程とを備える、多層基板の製造方法が提供される。

本発明に係る多層基板の製造方法のある特定の局面では、前記前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、前記第２の絶縁層を削るか、又は溶かす。

本発明に係る多層基板の製造方法のある特定の局面では、前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、前記第１の絶縁層を前記第２の絶縁層よりも硬くする。

本発明に係る多層基板の製造方法のある特定の局面では、前記多層絶縁フィルムが、前記第２の絶縁層側からレーザー直描を行ったときに、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを選択的に除去可能である多層絶縁フィルムであり、前記多層絶縁フィルムを前記第２の絶縁層側からレーザー直描を行うことで、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを選択的に、かつ前記第２の絶縁層を部分的に除去して、得られる絶縁層に前記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成する。

本発明に係る多層基板の製造方法のある特定の局面では、前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、前記第１の絶縁層中の樹脂成分の架橋度を、前記第２の絶縁層中の樹脂成分の架橋度よりも高くするか、又は、前記第１の絶縁層中の無機充填材の含有量が、前記第２の絶縁層中の無機充填材の含有量よりも多い。

本発明に係る多層基板の製造方法のある特定の局面では、前記第２の絶縁層が、前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを溶かして選択的に除去して、得られる絶縁層に前記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように構成されている多層絶縁フィルムを用いて、得られる絶縁層に前記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成する工程において、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを選択的に溶かして、かつ前記第２の絶縁層を部分的に除去し、多層絶縁フィルムの状態で前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち一方のみを硬化させることが可能であるか、露光後の現像で、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみが部分的に現像液に溶解可能であるか、又は、レーザー光の照射により、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを溶かして除去可能である。

本発明に係る多層基板の製造方法のある特定の局面では、前記多層絶縁フィルムが、多層絶縁フィルムの状態で前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち一方のみを硬化させることが可能である。

本発明に係る多層基板の製造方法のある特定の局面では、露光後の現像で、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみが部分的に現像液に溶解可能である。

本発明に係る多層基板の製造方法のある特定の局面では、前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、レーザー光の照射により、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを溶かして除去可能である。

本発明の広い局面によれば、溝を有する絶縁層を形成するために用いられる多層絶縁フィルムであって、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の一方の表面に積層された第２の絶縁層とを有し、前記第２の絶縁層が、前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを選択的に除去して、得られる絶縁層に前記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように構成されている、多層絶縁フィルムが提供される。

本発明に係る多層絶縁フィルムのある特定の局面では、前記前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、前記第２の絶縁層を削るか、又は溶かすことが可能である。

本発明に係る多層絶縁フィルムのある特定の局面では、前記第１の絶縁層が前記第２の絶縁層よりも硬い。

本発明に係る多層絶縁フィルムのある特定の局面では、前記第１の絶縁層中の樹脂成分の架橋度が、前記第２の絶縁層中の樹脂成分の架橋度よりも高いか、又は、前記第１の絶縁層中の無機充填材の含有量が、前記第２の絶縁層中の無機充填材の含有量よりも多い。

本発明に係る多層絶縁フィルムは、多層基板において、回路基板上に絶縁層を形成するために好適に用いられる。

本発明の広い局面によれば、回路基板と、前記回路基板上に配置されており、かつ溝を有する絶縁層と、前記溝内に形成された金属配線とを備え、前記絶縁層が、上述した多層絶縁フィルムを用いて形成されている、多層基板が提供される。

本発明に係る多層基板の製造方法では、第１の絶縁層と、該第１の絶縁層の一方の表面に積層された第２の絶縁層とを有し、該第２の絶縁層が、上記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを選択的に除去して、得られる絶縁層に上記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように構成されている多層絶縁フィルムを用いる。本発明に係る多層基板の製造方法は、回路基板の表面上に、特定の上記多層絶縁フィルムを積層する工程と、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを選択的に、かつ上記第２の絶縁層を部分的に除去して、得られる絶縁層に上記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成する工程と、上記絶縁層に形成された上記溝内に金属配線を形成する工程とを備えるので、絶縁層に上記第２の絶縁層の厚みの深さの溝が精度よく形成されており、かつ該溝内に溝の形状の金属配線が精度よく形成されている多層基板を得ることができる。

本発明に係る多層絶縁フィルムでは、第１の絶縁層の一方の表面に積層された第２の絶縁層が、上記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを選択的に除去して、得られる絶縁層に上記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように構成されているので、得られる絶縁層に、上記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を精度よく形成できる。

図１は、本発明の一実施形態に係る多層絶縁フィルムを模式的に示す断面図である。 図２は、本発明の一実施形態に係る多層絶縁フィルムを用いた多層基板を模式的に示す断面図である。 図３（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係る多層絶縁フィルムを用いた多層基板の製造方法の各工程を説明するための模式的な断面図である。 図４は、多層基板の製造方法の変形例を説明するための模式的な断面図である。 図５は、多層基板の製造方法の変形例を説明するための模式的な断面図である。

以下、本発明を詳細に説明する。

（多層絶縁フィルム）
本発明に係る多層絶縁フィルムは、溝を有する絶縁層を形成するために用いられる。本発明に係る多層絶縁フィルムは、多層基板において、絶縁層を形成するために好適に用いられる。

図１に、本発明の一実施形態に係る多層絶縁フィルムを模式的に断面図で示す。

図１に示す多層絶縁フィルム１は、第１の絶縁層２と、第１の絶縁層２の一方の表面に積層された第２の絶縁層３とを有する。第２の絶縁層３は、第２の絶縁層３を部分的に除去する際に、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３とのうち第２の絶縁層３のみを選択的に除去して、得られる絶縁層に第２の絶縁層３の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように構成されている。

第２の絶縁層３を部分的に除去する際に、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３とのうち第２の絶縁層３のみを選択的に除去して、得られる絶縁層に第２の絶縁層３の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように構成する方法は特に限定されない。この方法としては、上記第１の絶縁層を上記第２の絶縁層よりも硬くする方法、多層絶縁フィルムの状態で上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第１の絶縁層のみを硬化させることが可能である多層絶縁フィルムを用いる方法、露光後の現像で、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみが部分的に現像液に溶解可能である多層絶縁フィルムを用いる方法、並びにレーザー光の照射により、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを溶かして除去可能にする方法等が挙げられる。

前述したように、トレンチ工法では、絶縁層に形成する溝の深さを高精度に制御することは困難である。このため、溝内に形成される回路パターンの形状も、高精度に制御することが困難である。これは、多層回路間の絶縁距離を精度よく保てないことを意味する。すなわち、溝の深さにばらつきがある場合、必要な所定の絶縁距離に対して、深く掘られた溝に形成された回路の下層の回路に対する絶縁距離が短くなり、浅い溝に形成された回路は下層の回路に対する絶縁距離は長くなる。このため、溝の深さのばらつきは、絶縁信頼性に大きく影響することになる。

今後予想される、パッケージ基板の薄型化が進行する状況においては、この絶縁距離を設計された一定の値に制御することがこれまで以上に求められる。

本発明では、絶縁層に上記第２の絶縁層の厚みの深さの溝が精度よく形成されており、かつ該溝内に溝の形状の金属配線が精度よく形成されている多層基板を得ることができる。

上述した効果により、多層基板における層間絶縁距離を一定に保つことが可能になる。つまり、得られる絶縁層において、溝の底が第１の絶縁層と第２の絶縁層との境界に揃うことにより、この溝内に形成したパターンと一つ下の下層にあるパターンとの絶縁距離が一定に保たれる。従って、第１の絶縁層と第２の絶縁層とのそれぞれの厚みを調整した多層絶縁フィルムを提供することにより、所望の絶縁距離を精度よく実現できる。

得られる絶縁層に所定の深さの溝をより一層精度よく形成する観点からは、上記多層絶縁フィルムは、上記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、上記第２の絶縁層を削るか、又は溶かすことが可能であることが好ましい。上記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、上記第２の絶縁層を削るか、又は溶かすことが好ましい。上記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、上記第２の絶縁層を削ることが好ましく、溶かすことも好ましい。

多層絶縁フィルムの状態で上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち一方のみを硬化させることが可能であるか、露光後の現像で、第２の絶縁層のみが部分的に現像液に溶解可能であるか、又は、レーザー光の照射により、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを溶かして除去可能である場合には、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを選択的に溶かして除去して、得られる絶縁層に上記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成することが可能である。

得られる絶縁層に所定の深さの溝をより一層精度よく形成する観点からは、上記第２の絶縁層が、上記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを選択的に削って除去して、得られる絶縁層に上記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように構成されていることが好ましい。

得られる絶縁層に所定の深さの溝をより一層精度よく形成する観点からは、上記第１の絶縁層を上記第２の絶縁層よりも硬くすることが好ましい。この場合には、多層絶縁フィルムを上記第２の絶縁層側から削ったときに、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを選択的に除去可能である。

上記第１，第２の絶縁層の硬さは、粘弾性スペクトロメーター、もしくは示差走査熱量計（ＤＳＣ）より測定される絶縁層のガラス転移温度により、代用評価することができる。また、この評価により、硬さの高低を判定することができる。

上記多層絶縁フィルムは、上記第２の絶縁層側から削ったときに、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを選択的に除去可能である多層絶縁フィルムであることが好ましい。上記多層絶縁フィルムは、上記第２の絶縁層側からレーザー直描を行ったときに、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを選択的に除去可能である多層絶縁フィルムであることが好ましい。これらの場合には、上記第２の絶縁層のみを選択的に除去できることから、得られる絶縁層に、上記第２の絶縁層の厚みの深さの溝をより一層精度よく形成できる。上記多層絶縁フィルムを上記第２の絶縁層側から削ったときに、上記第１の絶縁層は除去されないことが好ましい。

例えば上記第２の絶縁層の樹脂成分が上記第１の絶縁層の樹脂成分よりレーザーの波長光の吸収が高い場合、第２の絶縁層の樹脂成分がより削れやすくなる。

得られる絶縁層に所定の深さの溝をより一層精度よく形成する観点からは、上記多層絶縁樹脂フィルムでは、上記第１の絶縁層中の樹脂成分の架橋度が、上記第２の絶縁層中の樹脂成分の架橋度よりも高いか、又は、上記第１の絶縁層中の無機充填材の含有量が、上記第２の絶縁層中の無機充填材の含有量よりも多いことが好ましい。上記第１の絶縁層中の樹脂成分の架橋度が、上記第２の絶縁層中の樹脂成分の架橋度よりも高いことが好ましく、上記第１の絶縁層中の無機充填材の含有量が、上記第２の絶縁層中の無機充填材の含有量よりも多いことが好ましい。上記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、上記第１の絶縁層中の樹脂成分の架橋度が、上記第２の絶縁層中の樹脂成分の架橋度よりも高いことで、また上記第１の絶縁層中の無機充填材の含有量が、上記第２の絶縁層中の無機充填材の含有量よりも多いことで、上記第１の絶縁層を上記第２の絶縁層よりも硬くすることが容易である。

上記第１，第２の絶縁層中の樹脂成分の上記架橋度は、粘弾性スペクトロメーター、もしくは示差走査熱量計（ＤＳＣ）より測定される樹脂のガラス転移温度により、代用評価することができる。また、この評価により、上記架橋度の大小を判定することができる。

上記第１，第２の絶縁層中の樹脂成分の上記架橋度を異ならせる方法としては、樹脂や硬化剤の組成を変更する方法、及び硬化促進剤の量を変える方法等が挙げられる。

第２の絶縁層３を部分的に除去する際に、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３とのうち一方のみを選択的に溶かして除去して、得られる絶縁層に第２の絶縁層３の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように、１）多層絶縁フィルムの状態で上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち一方のみを硬化させることが可能であるか、２）露光後の現像で、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみが部分的に現像液に溶解可能であるか、３）レーザー光の照射により、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを溶かして除去可能であることが好ましい。この場合にも、絶縁層に上記第２の絶縁層の厚みの深さの溝が精度よく形成されており、かつ該溝内に溝の形状の金属配線が精度よく形成されている多層基板を得ることができる。

１）多層絶縁フィルムの状態で上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち一方のみを硬化させることが可能であることが好ましく、２）露光後の現像で、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみが部分的に現像液に溶解可能であることが好ましく、３）レーザー光の照射により上記第２の絶縁層のみを溶かして除去可能であることも好ましい。

１）多層絶縁フィルムの状態で上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち一方のみを硬化させることが可能である場合には、第１の絶縁層のみを硬化させることが可能であることが好ましい。１）多層絶縁フィルムの状態で上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち一方のみを硬化させることが可能である場合には、第１の絶縁層を硬化させかつ第２の絶縁層が部分的に硬化する硬化条件で、硬化を行うことにより、第２の絶縁層のみを選択的に硬化させることができ、又は、第２の絶縁層が硬化せずにかつ第１の絶縁層のみが硬化する硬化条件で、硬化を行うことにより、第１の絶縁層のみを選択的に硬化させることができる。硬化状態が異なる第１，第２の絶縁層において、第２の絶縁層を部分的に溶かして除去することで、溝を形成することができる。このとき、第２の絶縁層を部分的に硬化させて、硬化していない第２の絶縁層部分を溶かして除去してもよい。硬化していない第２の絶縁層部分を溶かすために、現像を行うことが好ましい。多層絶縁フィルムの状態で上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第１の絶縁層のみを硬化させることが可能であることが好ましい。なお、「上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち一方のみを硬化させる」とは、一方の絶縁層を他方の絶縁層よりもより硬化させることを意味し、他方の絶縁層の硬化が、一方の絶縁層よりも硬化していない程度に進行することも含まれる。

２）露光後の現像で、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみが部分的に現像液に溶解可能である場合には、上記第１，第２の絶縁層が硬化しているか否かは関係なく、第２の絶縁層に露光及び現像の原理を用いて、第２の絶縁層を選択的にかつ部分的に除去できればよい。例えば、露光により光が照射された部分が、現像液に可溶になることが好ましい。マスクを介して、第２の絶縁層に部分的に光を照射することで、第２の絶縁層を部分的に現像液に可溶にすることができる。

３）レーザー光の照射により上記第２の絶縁層のみを溶かして除去可能である場合には、多層絶縁フィルムにレーザー光を照射することで、第２の絶縁層のみを選択的に除去することができる。また、パターン状にレーザー光を照射することで、パターン状に第２の絶縁層を除去することができる。

得られる絶縁層に所定の深さの溝をより一層精度よく形成する観点からは、多層絶縁フィルムの状態で上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち一方のみを硬化させることが可能にするために、１−１）上記第１の絶縁層が光反応性成分を含み、かつ上記第２の絶縁層が熱硬化性成分を含むか、１−２）上記第１の絶縁層が熱硬化性成分を含み、かつ上記第２の絶縁層が光反応性成分を含むか、１−３）上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とがそれぞれ熱硬化性成分を含み、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とが硬化する熱硬化条件が異なるか、１−４）上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とがそれぞれ光反応性成分を含み、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とが硬化する光反応条件が異なるか、又は２）露光後の現像で、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみが部分的に現像液に溶解可能であることが好ましい。１−１）上記第１の絶縁層が光反応性成分を含み、かつ上記第２の絶縁層が熱硬化性成分を含むか、１−２）上記第１の絶縁層が熱硬化性成分を含み、かつ上記第２の絶縁層が光反応性成分を含むか、１−３）上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とがそれぞれ熱硬化性成分を含み、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とが硬化する熱硬化条件が異なるか、又は、１−４）上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とがそれぞれ光反応性成分を含み、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とが硬化する光反応条件が異なることが好ましい。１−１）上記第１の絶縁層が光反応性成分を含み、かつ上記第２の絶縁層が熱硬化性成分を含むことが好ましく、１−２）上記第１の絶縁層が熱硬化性成分を含み、かつ上記第２の絶縁層が光反応性成分を含むことが好ましく、１−３）上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とがそれぞれ熱硬化性成分を含み、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とが硬化する熱硬化条件が異なることが好ましく、１−４）上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とがそれぞれ光反応性成分を含み、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とが硬化する光反応条件が異なることも好ましい。

１−１）上記第１の絶縁層が光反応性成分を含み、かつ上記第２の絶縁層が熱硬化性成分を含む場合には、加熱により第２の絶縁層のみを選択的に熱硬化させるか、又は、光の照射により第１の絶縁層のみを選択的に光反応させることができる。１−２）上記第１の絶縁層が熱硬化性成分を含み、かつ上記第２の絶縁層が光反応性成分を含む場合には、光の照射により第２の絶縁層のみを選択的に光反応させるか、又は、加熱により第１の絶縁層のみを選択的に熱硬化させることができる。１−３）上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とがそれぞれ熱硬化性成分を含み、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とが硬化する熱硬化条件が異なる場合には、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち一方のみが熱硬化する条件で熱硬化させることができる。１−４）上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とがそれぞれ光反応性成分を含み、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とが硬化する光反応条件が異なる場合には、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち一方のみが光反応する条件で光反応を行うことにより、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち一方のみを光反応させることができる。また、マスクを介して、第２の絶縁層に部分的に光を照射することで、第２の絶縁層を部分的に硬化させることができる。また、第２の絶縁層を部分的に加熱することで、第２の絶縁層を部分的に硬化させることができる。そして、硬化していない第２の絶縁層部分を現像により除去することができる。

（多層基板及び多層基板の製造方法）
上述した多層絶縁フィルムを用いて、溝を有する絶縁層を備える多層基板を得ることができる。

本発明に係る多層基板は、回路基板と、該回路基板上に配置されており、かつ溝を有する絶縁層と、該溝内に形成された金属配線とを備える。本発明に係る多層基板における上記絶縁層が、上述した多層絶縁フィルムを用いて形成されている。上記絶縁層は、回路基板上に直接積層されていてもよく、他の絶縁層を介して間接に積層されていてもよい。

図２に、本発明の一実施形態に係る多層絶縁フィルムを用いた多層基板を模式的に断面図で示す。

図２に示す多層基板１１では、回路基板１２の第１の表面上に、絶縁層１３が配置されており、回路基板の第１の表面とは反対の第２の表面上に絶縁層１４が配置されている。回路基板１２は金属配線１２Ａを有する。回路基板１２の表面の一部の領域に金属配線１２Ａが露出している。絶縁層１３，１４はそれぞれ、回路基板１２側とは反対側の表面に、溝１３Ａ，１４Ａを有する。溝１３Ａ内に金属配線１５が形成されている。溝１４Ａ内に金属配線１６が形成されている。

本発明に係る多層基板の製造方法では、上述した多層絶縁フィルムが用いられる。すなわち、本発明に係る多層基板の製造方法では、第１の絶縁層と、該第１の絶縁層の一方の表面に積層された第２の絶縁層とを有し、該第２の絶縁層が、上記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを選択的に除去して、得られる絶縁層に上記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように構成されている多層絶縁フィルムを用いる。

本発明に係る多層基板の製造方法は、回路基板の表面上に、上記多層絶縁フィルムを積層する工程と、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを選択的に、かつ上記第２の絶縁層を部分的に除去して、得られる絶縁層に上記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成する工程と、上記絶縁層に形成された上記溝内に金属配線を形成する工程とを備える。

また、本発明に係る多層基板の製造方法では、上記第２の絶縁層が、上記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを溶かして選択的に除去して、得られる絶縁層に上記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように構成されている多層絶縁フィルムを用いることが好ましい。この場合に、上記多層絶縁フィルムでは、１）多層絶縁フィルムの状態で上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち一方のみを硬化させることが可能であるか、２）露光後の現像で、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみが部分的に現像液に溶解可能であるか、又は、３）レーザー光の照射により前記第２の絶縁層のみを溶かして除去可能であることが好ましい。

多層絶縁フィルム１を用いて、多層基板１１は、例えば以下のようにして得ることができる。

先ず、図３（ａ）に示すように、回路基板１２の表面上に、多層絶縁フィルム１を積層する。回路基板１２表面上に、多層絶縁フィルム１を第１の絶縁層２側から積層する。ここでは、回路基板１２の第１の表面と、第１の表面とは反対の第２の表面とに、２つの多層絶縁フィルム１を１つずつ積層している。積層後、多層絶縁フィルム１を半硬化又は硬化させることが好ましい。また、第２の絶縁層の選択的除去を光反応による現像で行う場合には、第２の絶縁層を選択的に除去した後に、熱による半硬化又は硬化を行うほうがよい場合もある。

次に、図３（ｂ）に示すように、金属配線１２Ａに至るように、かつ多層絶縁フィルム１を貫通するように、多層絶縁フィルム１に貫通孔１ａを形成する。ここでは、図３（ａ）に示す構造の一部分のみが図示されている。

上記貫通孔として、例えば、ビア又はスルーホール等が形成される。多層絶縁フィルムに貫通孔を形成する方法としては、紫外線、赤外線レーザー又はＣＯ_２レーザーを照射する方法及びドリルによる穴開け方法等が挙げられる。上記ビアの直径は特に限定されないが、３０〜１２０μｍ程度である。

次に、図３（ｃ）に示すように、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３とのうち第２の絶縁層３のみを選択的に、かつ第２の絶縁層３を部分的に除去して、得られる絶縁層１３に第２の絶縁層３の厚みの深さの溝１３Ａを形成する。すなわち、第１の絶縁層２と第２の絶縁層３とのうち第２の絶縁層３のみを選択的に、かつ第２の絶縁層３を部分的に除去して、溝１３Ａを有する絶縁層１３を形成する。絶縁層１３は、溝１３Ａが形成された第２の絶縁層３と第１の絶縁層２とを有する。また、絶縁層１３は、貫通孔１ａに由来する貫通孔１３ａを有する。ここでは、第１の絶縁層２を除去せずに、第２の絶縁層３のみを除去しているため、溝１３Ａの深さは、第２の絶縁層３の厚みと同じである。

なお、第２の絶縁層３のみを溶かして選択的に除去する場合に、第２の絶縁層３を部分的に溶かして除去するために、図４に示すように、第２の絶縁層３を部分的に硬化させて、硬化した第２の絶縁層部分３Ａと、硬化していない第２の絶縁層部分３Ｂとを形成してもよい。または、第２の絶縁層３を部分的に現像液に可溶にし、可溶な第２の絶縁層部分３Ｂと可溶でない第２の絶縁層部分３Ａとを形成してもよい。このような第２の絶縁層部分３Ａ，３Ｂを形成することで、現像により、硬化していない第２の絶縁層部分３Ｂのみ、もしくは、現像液に可溶となった第２の絶縁層部分３Ｂのみを部分的に溶かして除去することが容易になる。また、上記現像を光反応にて行い、溝を形成する場合は、第２の絶縁層部分３Ｂを除去した後、熱による半硬化又は硬化を行い、ビアを形成することが好ましい場合もある。

溝１３Ａを形成する方法としては、多層絶縁フィルムの第２の絶縁層側から第２の絶縁層のみを部分的に削る方法、第１の絶縁層を硬化させ、第２の絶縁層を部分的に硬化させて、硬化していない第２の絶縁層部分を現像により除去する方法、第２の絶縁層を硬化させずに、第１の絶縁層を部分的に硬化させた後、第２の絶縁層を部分的に硬化させて、硬化していない第２の絶縁層部分を現像により除去する方法、露光後の現像で、上記第１の絶縁層と上記第２の絶縁層とのうち上記第２の絶縁層のみを部分的に現像液に溶解可能にする方法、第２の絶縁層のみが融解又は昇華する温度に加熱して、第２の絶縁層を部分的に除去する方法、並びに第２の絶縁層にレーザー光を照射する方法等が挙げられる。上記現像では、現像により除去すべき絶縁層部分が溶解可能な現像液が用いられる。

次に、必要に応じて、デスミア処理を行う。上記貫通孔の形成により、ビア内の底部には、絶縁層に含まれている樹脂成分に由来する樹脂の残渣であるスミアが形成されることが多い。上記スミアを除去するために、デスミア処理を行うことが好ましい。デスミア処理が粗化処理を兼ねることもある。上記デスミア処理には、例えば、マンガン化合物、クロム化合物又は過硫酸化合物などの化学酸化剤等が用いられる。これらの化学酸化剤は、水又は有機溶剤が添加された後、水溶液又は有機溶媒分散溶液として用いられる。デスミア処理に用いられるデスミア処理液は、一般にアルカリを含む。デスミア処理液は、水酸化ナトリウムを含むことが好ましい。

上記マンガン化合物としては、過マンガン酸カリウム及び過マンガン酸ナトリウム等が挙げられる。上記クロム化合物としては、重クロム酸カリウム及び無水クロム酸カリウム等が挙げられる。上記過硫酸化合物としては、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム及び過硫酸アンモニウム等が挙げられる。

上記デスミア処理の方法は特に限定されない。上記デスミア処理の方法として、例えば、３０〜９０ｇ／Ｌ過マンガン酸又は過マンガン酸塩溶液及び３０〜９０ｇ／Ｌ水酸化ナトリウム溶液を用いて、処理温度３０〜８５℃及び１〜３０分間の条件で、硬化物を処理する方法が好適である。このデスミア処理は１回又は２回行われることが好ましい。上記デスミア処理の温度は５０〜８５℃の範囲内であることが好ましい。

次に、図３（ｄ）に示すように、溝１３Ａ内に、金属を充填し、金属配線１５を形成する。ここでは、溝１３Ａ及び貫通孔１３ａ内のみに、金属配線１５を選択的に形成している。また、溝１３Ａを予め形成することで、パターン状の溝１３Ａの形状に対応した形状の金属配線１５を形成することができる。

絶縁層の溝内に金属配線を選択的に形成するために、必要に応じて、センシタイジング工程を行うことが好ましい。センシタイジングにより、絶縁層の表面にパラジウム触媒を付けた後、その部分に選択的に無電解めっきを施し、その上に電解めっきを形成することによりパターンを形成できる。センシタイジング工程では、具体的には、多層絶縁フィルムをアルカリクリーナで処理し、表面を脱脂洗浄する。洗浄後、多層絶縁フィルムをプリディップ液で処理した後、絶縁層をアクチベーター液で処理し、パラジウム触媒を付ける。この際、パラジウム触媒は絶縁層１３の外側の表面全面につくので、表面をセラミックバフ等で研磨し、溝１３Ａ及び貫通孔１３ａ内以外の絶縁層の表面のパラジウムを落としてから無電解めっき工程に移ることにより、溝１３Ａ及び貫通孔１３ａ内に選択的にめっきパターンを形成できる。

なお、センシタイジング後にセラミックバフ研磨を行わず、図５に示すように溝１３Ａ及び貫通孔１３ａ内に金属を充填し、かつ絶縁層１３の表面上にも金属を積層するように、金属層１５Ａを形成してもよい。この場合に、表面研削又は電気エッチング等によって、金属層１５Ａを部分的に除去することで、金属配線１５を形成することができる。

また、回路基板１２の第２の表面側の多層絶縁フィルム１についても、第１の表面側の多層絶縁フィルム１と同様の処理を行うことで、溝１４Ａ及び貫通孔１４ａを有する絶縁層１４を形成し、かつ絶縁層１４内に金属配線１６を形成することができる。このようにして、図２に示す多層基板１１を得ることができる。

（多層絶縁フィルムの詳細）
上記多層絶縁フィルムを構成する第１，第２の絶縁層は、熱硬化性成分を含む樹脂組成物により形成されているか、光反応性成分を含む樹脂組成物により形成されていることが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性樹脂と熱硬化剤とを含むことが好ましい。上記光反応性成分は、光反応性樹脂を含むことが好ましく、光反応開始剤とを含むことが好ましい。上記多層絶縁フィルムを構成する第１，第２の絶縁層は、熱硬化性樹脂と熱硬化剤とを含む樹脂組成物（第１，第２の樹脂組成物）により形成されていることが好ましい。該樹脂組成物は、無機充填材を含むことが好ましい。上記第１の絶縁層又は上記第２の絶縁層中の溶剤を除く成分１００重量％中の無機充填材の含有量に関して、上記第１の絶縁層中の無機充填材の含有量が、上記第２の絶縁層中の無機充填材の含有量よりも、多いことが好ましく、５重量％以上多いことがより好ましく、１０重量％以上多いことが更に好ましく、２０重量％以上多いことが特に好ましい。従って、上記第１の絶縁層を形成する第１の樹脂組成物中の溶剤を除く成分１００重量％中の無機充填材の含有量は、上記第２の絶縁層を形成するための第２の樹脂組成物中の溶剤を除く成分１００重量％中の無機充填材の含有量よりも多いことが好ましく、５重量％以上多いことがより好ましく、１０重量％以上多いことが更に好ましく、２０重量％以上多いことが特に好ましい。

以下、上記樹脂組成物に含まれている各成分の詳細を説明する。

［熱硬化性樹脂（熱硬化性化合物）（熱硬化性成分）］
上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層はそれぞれ、熱硬化性樹脂を含むことが好ましい。上記熱硬化性樹脂は特に限定されない。上記熱硬化性樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂及びビニルベンジル樹脂等が挙げられる。絶縁性及び機械強度をより一層良好にする観点からは、上記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂であることが好ましい。

上記エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、アダマンタン骨格を有するエポキシ樹脂、トリシクロデカン骨格を有するエポキシ樹脂、及びトリアジン核を骨格に有するエポキシ樹脂等が挙げられる。

上記エポキシ樹脂は、常温（２３℃）で液状であってもよく、固形であってもよい。上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層はそれぞれ、常温（２３℃）で液状であるエポキシ樹脂を含むことが好ましい。上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層中の無機充填材と溶剤とを除く成分（以下、成分Ａと記載することがある）１００重量％中、常温で液状であるエポキシ樹脂の各含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２５重量％以上である。常温で液状であるエポキシ樹脂の含有量が上記下限以上であると、多層絶縁フィルムにおける無機充填材の含有量を多くすることが容易である。上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層中の上記エポキシ樹脂の全量が、常温で液状であるエポキシ樹脂であってもよい。

硬化物と金属配線との接着強度をより一層高くする観点からは、上記熱硬化性樹脂の熱硬化性官能基の当量は、好ましくは９０以上、より好ましくは１００以上、好ましくは１０００以下、より好ましくは８００以下である。上記熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合に、上記熱硬化性官能基の当量はエポキシ当量を示す。

上記熱硬化性樹脂の分子量は１０００以下であることが好ましい。この場合には、多層絶縁フィルムにおける無機充填材の含有量を多くすることが容易である。さらに、無機充填材の含有量が多くても、流動性が高い樹脂組成物が得られる。また、分子量が１０００以下である熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との併用により、多層絶縁フィルムの溶融粘度の過度の低下が抑えられる。

上記熱硬化性樹脂の分子量及び後述する熱硬化剤の分子量は、上記熱硬化性樹脂又は熱硬化剤が重合体ではない場合、及び上記熱硬化性樹脂又は熱硬化剤の構造式が特定できる場合は、当該構造式から算出できる分子量を意味する。また、上記熱硬化性樹脂又は熱硬化剤が重合体である場合は、重量平均分子量を意味する。

上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。

上記成分Ａ１００重量％中、上記熱硬化性樹脂の全体の含有量は、好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２０重量％以上、好ましくは９５重量％以下、より好ましくは８０重量％以下である。

［熱硬化剤（熱硬化性成分）］
上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層はそれぞれ、熱硬化剤を含むことが好ましい。上記熱硬化剤は特に限定されない。上記熱硬化剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記熱硬化剤としては、シアネートエステル化合物（シアネートエステル熱硬化剤）、フェノール化合物（フェノール熱硬化剤）、アミン化合物（アミン熱硬化剤）、チオール化合物（チオール熱硬化剤）、イミダゾール化合物、ホスフィン化合物、酸無水物、活性エステル化合物及びジシアンジアミド等が挙げられる。なかでも、熱による寸法変化がより一層小さい硬化物を得る観点からは、上記熱硬化剤は、シアネートエステル化合物又はフェノール化合物であることが好ましい。上記熱硬化剤は、シアネートエステル化合物であることが好ましく、フェノール化合物であることも好ましい。上記熱硬化剤は、上記熱硬化性樹脂の熱硬化性官能基と反応可能な官能基を有することが好ましい。上記熱硬化剤は、上記エポキシ樹脂のエポキシ基と反応可能な官能基を有することが好ましい。

硬化物と金属配線との接着強度をより一層高くし、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成する観点からは、上記熱硬化剤は、シアネートエステル化合物、フェノール化合物又は活性エステル化合物であることが好ましい。

上記シアネートエステル化合物の使用により、硬化物と金属配線との接着強度がより一層高くなる。また、上記シアネートエステル化合物の使用により無機充填材の含有量が多い多層絶縁フィルムのハンドリング性が良好になり、硬化物のガラス転移温度がより一層高くなる。上記シアネートエステル化合物は特に限定されない。該シアネートエステル化合物として、従来公知のシアネートエステル化合物を使用可能である。上記シアネートエステル化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記シアネートエステル化合物としては、ノボラック型シアネートエステル樹脂、ビスフェノール型シアネートエステル樹脂、並びにこれらが一部三量化されたプレポリマー等が挙げられる。上記ノボラック型シアネートエステル樹脂としては、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂及びアルキルフェノール型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。上記ビスフェノール型シアネートエステル樹脂としては、ビスフェノールＡ型シアネートエステル樹脂、ビスフェノールＥ型シアネートエステル樹脂及びテトラメチルビスフェノールＦ型シアネートエステル樹脂等が挙げられる。

上記シアネートエステル化合物の市販品としては、フェノールノボラック型シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン社製「ＰＴ−３０」及び「ＰＴ−６０」）、及びビスフェノール型シアネートエステル樹脂が三量化されたプレポリマー（ロンザジャパン社製「ＢＡ−２３０Ｓ」、「ＢＡ−３０００Ｓ」、「ＢＴＰ−１０００Ｓ」及び「ＢＴＰ−６０２０Ｓ」）等が挙げられる。

上記シアネートエステル化合物の分子量は、３０００以下であることが好ましい。この場合には、多層絶縁フィルムにおける無機充填材の含有量を多くすることができ、無機充填材の含有量が多くても、流動性が高い多層絶縁フィルムが得られる。

上記フェノール化合物の使用により、硬化物と金属配線との接着強度がより一層高くなる。また、上記フェノール化合物の使用により、例えば、硬化物の表面上の銅配線の表面を黒化処理又はＣｚ処理したときに、硬化物と銅配線との接着強度がより一層高くなる。

上記フェノール化合物は特に限定されない。該フェノール化合物として、従来公知のフェノール化合物を使用可能である。上記フェノール化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記フェノール化合物としては、ノボラック型フェノール、ビフェノール型フェノール、ナフタレン型フェノール、ジシクロペンタジエン型フェノール、アラルキル型フェノール及びジシクロペンタジエン型フェノール等が挙げられる。

上記フェノール化合物の市販品としては、ノボラック型フェノール（ＤＩＣ社製「ＴＤ−２０９１」）、ビフェニルノボラック型フェノール（明和化成社製「ＭＥＨ−７８５１」）、アラルキル型フェノール化合物（明和化成社製「ＭＥＨ−７８００」）、並びにアミノトリアジン骨格を有するフェノール（ＤＩＣ社製「ＬＡ１３５６」及び「ＬＡ３０１８−５０Ｐ」）等が挙げられる。

硬化物と金属配線との接着強度をより一層高くし、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成する観点からは、上記フェノール化合物は、ビフェニルノボラック型フェノール化合物、又はアラルキル型フェノール化合物であることが好ましい。硬化物の表面の表面粗さをより一層小さくする観点からは、上記フェノール化合物はフェノール性水酸基を２個以上有することが好ましい。

上記活性エステル化合物は特に限定されない。上記活性エステル化合物の市販品としては、ＤＩＣ社製「ＨＰＣ−８０００」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」及び「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」等が挙げられる。

硬化物と金属配線との接着強度をより一層高くし、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成し、かつ熱硬化剤によって良好な絶縁信頼性を付与する観点からは、上記熱硬化剤は、当量が２５０以下である熱硬化剤を含むことが好ましい。上記熱硬化剤の当量は、例えば、熱硬化剤がシアネートエステル化合物である場合にはシアネートエステル基当量を示し、熱硬化剤がフェノール化合物である場合にはフェノール性水酸基当量を示し、熱硬化剤が活性エステル化合物である場合には活性エステル基当量を示す。

上記熱硬化剤の全体１００重量％中、当量が２５０以下である熱硬化剤の含有量は、好ましくは３０重量％以上、より好ましくは５０重量％以上である。上記熱硬化剤の全量が、当量が２５０以下である熱硬化剤であってもよい。当量が２５０以下である熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、絶縁層の表面により一層微細な配線が形成される。さらに、当量が２５０以下である熱硬化剤の含有量が上記下限以上であると、硬化物のガラス転移温度がより一層高くなる。

上記熱硬化剤の分子量は１０００以下であることが好ましい。この場合には、上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層中の溶剤を除く成分１００重量％中の無機充填材の各含有量が４０重量％以上であっても、流動性が高い樹脂組成物が得られる。

上記熱硬化性樹脂と上記熱硬化剤との配合比は特に限定されない。上記熱硬化性樹脂と熱硬化剤との配合比は、熱硬化性樹脂と熱硬化剤との種類により適宜決定される。

上記成分Ａ１００重量％中、上記熱硬化性樹脂と上記熱硬化剤との合計の含有量は、好ましくは７５重量％以上、より好ましくは８０重量％以上、好ましくは９９重量％以下、より好ましくは９７重量％以下である。

［光反応性樹脂（光反応性化合物）（光反応性成分）］
上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層はそれぞれ、光反応性樹脂を含むことが好ましい。上記光反応性樹脂は特に限定されない。上記光反応性樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光反応性樹脂としては、ポリベンゾオキサゾール樹脂等が挙げられる。これ以外の光反応性樹脂を用いてもよい。

また、光硬化と熱硬化との併用を考えた場合、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂と熱硬化する官能基を有し、かつ、ＵＶ等の光照射において、照射した部分と照射していない部分とでその後の現像工程において溶解性に差を生じさせる構造を有する硬化剤を用いてもよい。このような材料としては、例えばＤＩＣ社製「Ｖ−８０００」等が挙げられる。

［光反応開始剤（光反応性成分、感光剤）］
上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層はそれぞれ、光反応開始剤を含まないか又は含む。上記光反応開始剤は特に限定されない。上記光反応開始剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記光反応開始剤としては、ナフトキノンジアジド化合物等が挙げられる。これ以外の光反応開始剤を用いてもよい。例えば上記ＤＩＣ社製「Ｖ−８０００」を用いる場合には光反応開始剤を用いることにより、ＵＶ照射における樹脂の構造変化が促進される。このような性質を発現する光反応開始剤としては、例えばジアゾナフトキン（東洋合成工業社製「ＰＣ−５」）等が挙げられる。

また、上記光反応性樹脂として、光反応開始剤を含む材料を用いてもよい。このような材料としては、例えば住友ベークライト社製「ＣＲＣ−８８００」等が挙げられる。

上記光反応開始剤の含有量は特に限定されない。上記光反応開始剤は、光反応性樹脂が適度に反応するように適宜の量で用いられる。上記成分Ａ１００重量％中、上記光反応性樹脂と上記光反応開始剤との合計の含有量は、好ましくは７５重量％以上、より好ましくは８０重量％以上である。また、光硬化系と熱硬化系とを採用する場合はこのかぎりではない。

［無機充填材］
上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層はそれぞれ、無機充填材を含まないか又は含む。上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層はそれぞれ、無機充填材を含むことが好ましい。上記多層絶縁フィルムが無機充填材を含むことにより、硬化物の熱線膨張率が低くなり、かつ硬化物と金属配線との接着強度が効果的に高くなる。上記無機充填材は特に限定されない。上記無機充填材は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記無機充填材としては、シリカ、タルク、クレイ、マイカ、ハイドロタルサイト、アルミナ、酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム及び窒化ホウ素等が挙げられる。

硬化物と金属配線との接着強度をより一層高くし、かつ硬化物の表面により一層微細な配線を形成し、かつ硬化物により良好な絶縁信頼性を付与する観点からは、上記無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましく、シリカであることがより好ましく、溶融シリカであることが更に好ましい。シリカの使用により、硬化物の熱線膨張率がより一層低くなり、かつ硬化物と金属配線との接着強度が効果的に高くなる。シリカの形状は略球状であることが好ましい。

上記無機充填材の平均粒径は、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上、更に好ましくは１５０ｎｍ以上、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、更に好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは１μｍ以下である。上記無機充填材の平均粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、粗化処理又はデスミア処理などにより形成される孔の大きさが微細になり、孔の数が多くなる。この結果、硬化物と金属配線との接着強度がより一層高くなる。ただし、光反応を利用する場合は、無機充填材の平均粒径は照射する光の波長より小さいほうが好ましい場合もある。

上記無機充填材の平均粒径として、５０％となるメディアン径（ｄ５０）の値が採用される。上記平均粒径は、レーザー回折散乱方式の粒度分布測定装置を用いて測定可能である。

上記無機充填材は、球状であることが好ましく、球状シリカであることがより好ましい。この場合には、硬化物と金属配線との接着強度が効果的に高くなる。上記無機充填材が球状である場合には、上記無機充填材のアスペクト比は好ましくは２以下、より好ましくは１．５以下である。

上記無機充填材は、表面処理されていることが好ましく、カップリング剤により表面処理されていることがより好ましい。これにより、硬化物と金属配線との接着強度がより一層高くなり、かつ硬化物の表面により一層微細な配線が形成され、かつより一層良好な配線間絶縁信頼性及び層間絶縁信頼性が硬化物に付与される。

上記カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤及びアルミニウムカップリング剤等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、メタクリルシラン、アクリルシラン、アミノシラン、イミダゾールシラン、ビニルシラン及びエポキシシラン等が挙げられる。

上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層中の上記溶剤を除く成分１００重量％中、上記無機充填材の含有量は好ましくは２５重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、更に好ましくは４０重量％以上、特に好ましくは５０重量％以上、好ましくは９０重量％以下、より好ましくは８５重量％以下、更に好ましくは８０重量％以下である。上記無機充填材の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物と金属配線との接着強度がより一層高くなり、かつ硬化物の表面により一層微細な配線が形成されると同時に、この無機充填材量であれば金属銅並に硬化物の熱線膨張率を低くすることも可能である。

［熱可塑性樹脂］
上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層はそれぞれ、熱可塑性樹脂を含まないか又は含む。上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層はそれぞれ、熱可塑性樹脂を含むことが好ましい。該熱可塑性樹脂は特に限定されない。上記熱可塑性樹脂は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記熱可塑性樹脂としては、イミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ゴム成分及び有機フィラー等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂であることが特に好ましい。該フェノキシ樹脂の使用により、溶融粘度を調整可能であるために無機充填材の分散性が良好になり、かつ硬化過程で、意図しない領域に多層絶縁フィルムが濡れ拡がり難くなる。また、熱可塑性樹脂の使用により、多層絶縁フィルムの回路基板の穴又は凹凸に対する埋め込み性の悪化及び無機充填材の不均一化が抑えられる。

上記フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型の骨格、ビスフェノールＦ型の骨格、ビスフェノールＳ型の骨格、ビフェニル骨格、ノボラック骨格、ナフタレン骨格及びイミド骨格などの骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。

上記フェノキシ樹脂の市販品としては、例えば、新日鐵住金化学社製の「ＹＰ５０」、「ＹＰ５５」及び「ＹＰ７０」、並びに三菱化学社製の「１２５６Ｂ４０」、「４２５０」、「４２５６Ｈ４０」、「４２７５」、「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」及び「ＹＸ８１００ＢＨ３０」等が挙げられる。

上記熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、好ましくは５０００以上、好ましくは１０００００以下である。上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されたポリスチレン換算での重量平均分子量を示す。

上記熱可塑性樹脂の含有量は特に限定されない。上記成分Ａ１００重量％中、上記熱可塑性樹脂の含有量（熱可塑性樹脂がフェノキシ樹脂である場合にはフェノキシ樹脂の含有量）は、好ましくは１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、好ましくは３０重量％以下、より好ましくは２０重量％以下、更により好ましくは１５重量％以下である。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、硬化物の熱線膨張率がより一層低くなる。また、多層絶縁フィルムの回路基板の穴又は凹凸に対する埋め込み性が良好になる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記下限以上であると、多層絶縁フィルムの成膜性が高くなり、より一層良好な硬化物が得られる。上記熱可塑性樹脂の含有量が上記上限以下であると、硬化物と金属配線との接着強度がより一層高くなる。

［硬化促進剤（熱硬化性成分）］
上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層はそれぞれ、硬化促進剤を含まないか又は含む。上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層はそれぞれ、硬化促進剤を含むことが好ましい。上記硬化促進剤の使用により、硬化速度がより一層速くなる。多層絶縁フィルムを速やかに硬化させることで、硬化物における架橋構造が均一になると共に、未反応の官能基数が減り、結果的に架橋密度が高くなる。また、第１の絶縁層中の硬化促進剤の含有量を第２の絶縁層中の硬化促進剤の含有量よりも多くすることで、同じ樹脂系においても、同一の硬化（加熱）条件下で、ある架橋度に到達するスピード、つまりある硬化度に到達するスピードに、第１，第２の絶縁層で差をつけることができる。これを利用することにより、プレキュアの段階で第１の絶縁層の硬化度を第２の絶縁層の硬化度よりも高くできる。上記硬化促進剤は特に限定されない。上記硬化促進剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物及び有機金属化合物等が挙げられる。

上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。

上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン等が挙げられる。

上記アミン化合物としては、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン及び４，４−ジメチルアミノピリジン等が挙げられる。

上記有機金属化合物としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。

上記硬化促進剤の含有量は特に限定されない。上記成分Ａ１００重量％中、上記硬化促進剤の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、好ましくは３重量％以下である。上記硬化促進剤の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、多層絶縁フィルムが効率的に硬化する。

［溶剤］
上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層はそれぞれ、溶剤を含まないか又は含む。上記溶剤の使用により、樹脂組成物の粘度を好適な範囲に制御でき、樹脂組成物の塗工性を高めることができる。また、上記溶剤は、上記無機充填材を含むスラリーを得るために用いられてもよい。上記溶剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記溶剤としては、アセトン、メタノール、エタノール、ブタノール、２−プロパノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、１−メトキシ−２−プロパノール、２−アセトキシ−１−メトキシプロパン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、メチルイソブチルケトン、Ｎ−メチル−ピロリドン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン及び混合物であるナフサ等が挙げられる。

上記溶剤の多くは、上記樹脂組成物又は絶縁層を硬化させる前又は硬化させるときに、除去されることが好ましい。従って、上記溶剤の沸点は好ましくは２００℃以下、より好ましくは１８０℃以下である。上記樹脂組成物における上記溶剤の含有量は特に限定されない。樹脂組成物の塗工性などを考慮して、上記溶剤の含有量は適宜変更可能である。

［他の成分］
耐衝撃性、耐熱性、樹脂の相溶性及び作業性等の改善を目的として、上記樹脂組成物及び上記第１，第２の絶縁層にはそれぞれ、難燃剤、カップリング剤、着色剤、酸化防止剤、紫外線劣化防止剤、消泡剤、増粘剤、揺変性付与剤、及び各種波長の吸収剤等を添加してもよい。

上記カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタンカップリング剤及びアルミニウムカップリング剤等が挙げられる。上記シランカップリング剤としては、ビニルシラン、アミノシラン、イミダゾールシラン及びエポキシシラン等が挙げられる。

上記カップリング剤の含有量は特に限定されない。上記成分Ａ１００重量％中、上記カップリング剤の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、好ましくは５重量％以下である。

上記各種波長の吸収剤としては、紫外線吸収剤等が挙げられる。上記紫外線吸収剤は、使用する紫外線レーザーの波長に対応する吸収帯を有する紫外線吸収剤を適宜選ぶことができる。上記紫外線吸収剤としては、シアノアクリレート化合物及びベンゾフェノン化合物等が挙げられる。例えば、２００〜３８０ｎｍの紫外線波長領域に吸収を有する紫外線吸収剤が好ましく、特に３００〜３２０ｎｍの紫外線波長領域に吸収極大を有する紫外線吸収剤が好ましい。

上記シアノアクリレート化合物及びベンゾフェノン化合物は、３００ｎｍ付近に吸収極大を有するために、上記シアノアクリレート化合物又はベンゾフェノン化合物を用いることで、硬化物の紫外線レーザーによる加工性を向上させることができる。シアノアクリレート化合物及びベンゾフェノン化合物は、溶媒に対する溶解性の良い化合物であることが好ましい。ただし、電気絶縁性が悪化するおそれがある程度に塩素が含まれる化合物は用いないことが望ましい。

上記紫外線吸収剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。上記紫外線吸収剤の含有量は、熱硬化性樹脂と硬化剤との合計１００重量部に対して、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上、更に好ましくは２．５重量部以上、好ましくは５０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下、更に好ましくは１０重量部以下である。上記紫外線吸収剤の含有量が上記下限以上であると、溝の加工性がより一層良好になる。上記紫外線吸収剤の含有量が２．５重量部以上であると、溝の加工性が顕著に高くなる。上記紫外線吸収剤の含有量が上記上限以下であると、硬化物の機械物性及び電気特性がより一層良好になる。

［多層絶縁フィルムの他の詳細］
上記樹脂組成物をフィルム状に成形する方法としては、例えば、押出機を用いて、樹脂組成物を溶融混練し、押出した後、Ｔダイ又はサーキュラーダイ等により、フィルム状に成形する押出成形法、樹脂組成物を溶剤に溶解又は分散させた後、キャスティングしてフィルム状に成形するキャスティング成形法、並びに従来公知のその他のフィルム成形法等が挙げられる。なかでも、薄型化に対応可能であることから、押出成形法又はキャスティング成形法が好ましい。フィルムにはシートが含まれる。該フィルムは、第１，第２の絶縁層を有する多層絶縁フィルムである。多層化する方法としては、例えばそれぞれ別に成形した２つのフィルムを熱ロールラミネーター等で貼り合わせる方法、塗工や押出の際に同時もしくは逐次にフィルムを成形して多層絶縁フィルムを成形する方法、並びに従来公知のその他の多層絶縁フィルム成形法等が挙げられる。中でも上記フィルム成形法に連動できることから、多層押出成形法又は多層キャスティング成形法が好ましい。

上記樹脂組成物をフィルム状に成形し、熱による硬化が進行し過ぎない程度に、例えば９０〜２００℃で１〜１８０分間加熱乾燥させることにより、Ｂステージフィルムを得ることができる。

上述のような乾燥工程により得ることができるフィルム状の樹脂組成物をＢステージフィルムと称する。上記Ｂステージフィルムは、半硬化状態にある半硬化物である。半硬化物は、完全に硬化しておらず、硬化がさらに進行され得る。

上記Ｂステージフィルムはプリプレグであってもよい。特に第１の絶縁層のみをプリプレグとした場合、第２の絶縁層を選択的にレーザー等で削る際に、ガラスクロスの有無が削り易さの差異になる。上記Ｂステージフィルムはプリプレグでなくてもよい。

上記多層絶縁フィルムは、一方の表面又は両面に基材が積層され、積層フィルムの状態で用いることができる。上記積層フィルムは、上記多層絶縁フィルムと、上記多層絶縁フィルムの一方の表面又は両面に積層された基材とを備えることが好ましい。

上記積層フィルムの上記基材としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム及びポリブチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル樹脂フィルム、ポリエチレンフィルム及びポリプロピレンフィルムなどのオレフィン樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、銅箔及びアルミニウム箔などの金属箔等が挙げられる。上記基材の表面は、必要に応じて、離型処理、帯電防止処理、又は印刷等の表面処理が施されていてもよい。

以下、実施例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。

（熱硬化性樹脂）
（１）ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「８５０−Ｓ」、エポキシ当量１８７、固形分１００重量％）
（２）ビフェニル型エポキシ樹脂含有液（日本化薬社製「ＮＣ−３０００−ＦＨ−７５Ｍ」、エポキシ当量３３０、固形分７５重量％とメチルエチルケトン２５重量％とを含む）
（３）ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＮＣ−３０００」、エポキシ当量２７５、固形分１００重量％）

（硬化剤）
（１）シアネートエステル硬化剤含有液（ロンザジャパン社製「ＢＡ−２３０Ｓ」、シアネートエステル当量２３５、固形分７５重量％とメチルエチルケトン２５重量％とを含む）
（２）ポリイミド系硬化剤含有液（ＤＩＣ社製「Ｖ−８０００」、固形分４０重量％とエチレングリコールアセテート６０重量％とを含む）

（硬化促進剤）
（１）イミダゾール化合物（２−フェニル−４メチルイミダゾール、四国化成工業社製「２Ｐ４ＭＺ」）

（熱可塑性樹脂）
（１）フェノキシ樹脂含有液（三菱化学社製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」、固形分３０重量％とメチルエチルケトン３５重量％とシクロヘキサノン３５重量％とを含む）

（光反応性樹脂）
（１）ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂（住友ベークライト社製「ＣＲＣ−８８００」、固形分５０重量％とγ−ブチロラクトン５０重量％とを含む）
（２）ＤＮＱジアゾナフトキン（東洋合成工業社製「ＰＣ−５」、固形分１００重量％）

（紫外線吸収剤）
（１）シアノアクリレート化合物（ＢＡＳＦ社製「Ｕｖｉｎｕｌ３０３５」）

（無機充填材）
（１）球状シリカ１（アドマテックス社製「ＳＯＣ２」をＮ−フェニル−３−アミノプロピル基を有するシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ−５７３」）で表面処理した球状シリカ、平均粒子径０．５μｍ）
（２）球状シリカ２（アドマテックス社製「ＳＯＣ１」を３−グリシドキシプロピル基を有するシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ−４０３」）で表面処理した球状シリカ、平均粒子径０．２５μｍ）
（３）球状シリカ３（アドマテックス社製「ＹＣ１００Ｃ」をメタクリルシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ−５０３」）で表面処理した球状シリカ、平均粒子径０．１０μｍ）

（溶剤）
（１）溶剤（ＣＨＮ、シクロヘキサノン、和光純薬工業社製「０３７−０５０９６」）
（２）溶剤（ＭＥＫ、メチルエチルケトン、和光純薬工業製「５９２−３７０２１」）

（参考例１）
参考例１の第１の絶縁層を得るために、下記の第１の樹脂組成物ワニスを調製した。シアネートエステル硬化剤含有液（ロンザジャパン社製「ＢＡ−２３０Ｓ」）７．４重量部に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「８５０−Ｓ」）７．８重量部と、ビフェニル型エポキシ樹脂含有液（日本化薬社製「ＮＣ−３０００−ＦＨ−７５Ｍ」）８．７重量部と、イミダゾール化合物（四国化成工業社製「２Ｐ４ＭＺ」）０．３重量部と、フェノキシ樹脂含有液（三菱化学社製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」）８．２重量部と、球状シリカ１（アドマテックス社製「ＳＯＣ２」をＮ−フェニル−３−アミノプロピル基を有するシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ−５７３」）で表面処理した球状シリカ）３８．１重量部と、球状シリカ２（アドマテックス社製「ＳＯＣ１」を３−グリシドキシプロピル基を有するシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ−４０３」で表面処理した球状シリカ）６．５重量部と、シクロヘキサノン（和光純薬工業社製「０３７−０５０９６」）２３．０重量部とを混合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌し、第１の樹脂組成物ワニスを得た。

参考例１の第２の絶縁層を得るために、下記の第２の樹脂組成物ワニスを調製した。シアネートエステル硬化剤含有液（ロンザジャパン社製「ＢＡ−２３０Ｓ」）１１．９重量部に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「８５０−Ｓ」）１２．６重量部と、ビフェニル型エポキシ樹脂含有液（日本化薬社製「ＮＣ−３０００−ＦＨ−７５Ｍ」）１４．０重量部と、イミダゾール化合物（四国化成工業社製「２Ｐ４ＭＺ」）０．５重量部と、フェノキシ樹脂含有液（三菱化学社製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」）１３．１重量部と、球状シリカ１（アドマテックス社製「ＳＯＣ２」をＮ−フェニル−３−アミノプロピル基を有するシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ−５７３」）で表面処理した球状シリカ）２６．２重量部と、球状シリカ２（アドマテックス社製「ＳＯＣ１」を３−グリシドキシプロピル基を有するシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ−４０３」で表面処理した球状シリカ）５．２重量部と、シクロヘキサノン（和光純薬工業社製「０３７−０５０９６」）１６．５重量部とを混合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌し、第２の樹脂組成物ワニスを得た。

得られた第１，第２の樹脂組成物ワニスをそれぞれ別々にアプリケーターを用いて、ＰＥＴフィルム（東レ社製「ＸＧ２８４」、厚み２５μｍ）の離型処理面上に塗工した後、１００℃のギアオーブン内で２分間乾燥し、溶剤を揮発させた。このようにして、ＰＥＴフィルム上に、第１の絶縁層及び第２の絶縁層としてそれぞれ、厚さが１５μｍ、溶剤の残量が１．０重量％以上、４．０重量％以下であるシート状の成形体を得た。ダイアフラム式真空ラミネーター（名機製作所社製「ＭＶＬＰ−５００」）を用いて、得られた２つの成形体を貼り合わせて、第１の絶縁層と第２の絶縁層とが積層された多層絶縁フィルムを得た。

（参考例２〜５、及び比較例１）
使用した配合成分の種類及び配合量（重量部）を下記の表１に示すように変更したこと以外は参考例１と同様にして、第１，第２の樹脂組成物ワニス及びシート状の成形体を得て、多層絶縁フィルムを作製した。

（参考例６）
参考例１の第１の絶縁層を得るために、下記の第１の樹脂組成物ワニスを調製した。シアネートエステル硬化剤含有液（ロンザジャパン社製「ＢＡ−２３０Ｓ」）１１．９重量部に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「８５０−Ｓ」）１２．６重量部と、ビフェニル型エポキシ樹脂含有液（日本化薬社製「ＮＣ−３０００−ＦＨ−７５Ｍ」）１４．０重量部と、イミダゾール化合物（四国化成工業社製「２Ｐ４ＭＺ」）０．５重量部と、フェノキシ樹脂含有液（三菱化学社製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」）１３．１重量部と、球状シリカ１（アドマテックス社製「ＳＯＣ２」をＮ−フェニル−３−アミノプロピル基を有するシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ−５７３」）で表面処理した球状シリカ）２６．２重量部と、球状シリカ２（アドマテックス社製「ＳＯＣ１」を３−グリシドキシプロピル基を有するシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ−４０３」で表面処理した球状シリカ）５．２重量部と、シクロヘキサノン（和光純薬工業社製「０３７−０５０９６」）１６．６重量部とを混合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌し、第１の樹脂組成物ワニスを得た。

参考例１の第２の絶縁層を得るために、下記の第２の樹脂組成物ワニスを調製した。シアネートエステル硬化剤含有液（ロンザジャパン社製「ＢＡ−２３０Ｓ」）３．２重量部に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製「８５０−Ｓ」）３．３重量部と、ビフェニル型エポキシ樹脂含有液（日本化薬社製「ＮＣ−３０００−ＦＨ−７５Ｍ」）３．８重量部と、イミダゾール化合物（四国化成工業社製「２Ｐ４ＭＺ」）０．１重量部と、ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾール樹脂（住友ベークライト社製「ＣＲＣ−８８００」）４７．４重量部と、球状シリカ１（アドマテックス社製「ＳＯＣ２」をＮ−フェニル−３−アミノプロピル基を有するシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ−５７３」）で表面処理した球状シリカ）２３．７重量部と、球状シリカ２（アドマテックス社製「ＳＯＣ１」を３−グリシドキシプロピル基を有するシランカップリング剤（信越化学工業社製「ＫＢＭ−４０３」で表面処理した球状シリカ）４．２重量部と、シクロヘキサノン（和光純薬工業社製「０３７−０５０９６」）１４．２重量部とを混合し、均一な溶液となるまで常温で攪拌し、第２の樹脂組成物ワニスを得た。

得られた第１，第２の樹脂組成物ワニスをそれぞれ別々にアプリケーターを用いて、ＰＥＴフィルム（東レ社製「ＸＧ２８４」、厚み２５μｍ）の離型処理面上に塗工した後、１００℃のギアオーブン内で２分間乾燥し、溶剤を揮発させた。このようにして、ＰＥＴフィルム上に、第１の絶縁層及び第２の絶縁層としてそれぞれ、厚さが１５μｍ、溶剤の残量が１．０重量％以上、４．０重量％以下であるシート状の成形体を得た。ダイアフラム式真空ラミネーター（名機製作所社製「ＭＶＬＰ−５００」）を用いて、得られた２つの成形体を貼り合わせて、第１の絶縁層と第２の絶縁層とが積層された多層フィルムを得た。

（参考例７，８、及び比較例２）
使用した配合成分の種類及び配合量（重量部）を下記の表２に示すように変更したこと以外は参考例６と同様にして、第１，第２の樹脂組成物ワニス及びシート状の成形体を得て、多層絶縁フィルムを作製した。

（評価基板の作製）
積層板の下地処理：
エッチングにより内層回路を形成したガラスエポキシ基板（利昌工業社製「ＣＳ−３６６５」）の両面を銅表面粗化剤（メック社製「メックエッチボンド ＣＺ−８１００」）に浸漬して、銅表面を粗化処理した。

ラミネート：
得られた多層絶縁フィルムを、第１の絶縁層が下地処理した上記ガラスエポキシ基板に接するようにセットして、ダイアフラム式真空ラミネーター（名機製作所社製「ＭＶＬＰ−５００」）を用いて、貼り合わせた（ラミネートした）。ラミネートは、２０秒減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とし、その後２０秒間を１００℃、圧力０．８ＭＰａでプレスすることにより行った。

多層絶縁フィルムの硬化：
次に、参考例１〜５，８、及び比較例１，２では、１５０℃及び６０分の硬化条件でシート状の成形体を硬化させて、積層サンプルを得た。参考例６では、１２０℃及び４分の硬化条件でシート状の成形体を硬化させて、積層サンプルを得た。参考例７では、熱硬化をせずに、積層サンプルを得た。

溝の形成：
参考例１〜４及び比較例１，２に関しては、上記多層絶縁フィルムに第２の絶縁層側から、紫外線レーザー加工機（日立ビアメカニクス社製）にて、波長３５５ｎｍ、パルス周波数３０ｋＨｚ、出力０．０４ｍＪ、ショット数１０でレーザーを照射し、幅２０μｍ、深さ１５μｍ（＝第２の絶縁層の厚み）の溝を配線間距離２０μｍで形成し、回路パターンの溝を形成した。

参考例６に関しては、下記条件にて露光、現像を行い、幅２０μｍ、深さ１５μｍ（＝第２の絶縁層の厚み）の溝を配線間距離２０μｍで形成し、その後１５０℃及び６０分の硬化条件で硬化させた。

露光／現像条件は以下のようにした。

現像液：ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシ）水溶液、リンス：純水、露光：３５４ｎｍ紫外線照射２００ｍＪ／ｃｍ^２、現像：パドル式５０秒

参考例７に関しては、下記条件にて露光、現像を行い、幅２０μｍ、深さ１５μｍ（＝第２の絶縁層の厚み）の溝を配線間距離２０μｍで形成し、その後１７０℃及び３０分の硬化条件で硬化させた。

露光／現像条件は以下のようにした。

現像液：ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシ）、リンス：純水、露光：３５４ｎｍ紫外線照射５００ｍＪ／ｃｍ^２、現像：パドル式１８０秒（５０℃）

デスミア／粗化処理：
参考例１〜４，６，７及び比較例１，２では、６０℃の膨潤液（アトテックジャパン社製「スウェリングディップセキュリガントＰ」と和光純薬工業社製「水酸化ナトリウム」とを含む水溶液）に、溝が形成された上記積層サンプルを入れて、膨潤温度６０℃で２０分間揺動させた。その後、純水で洗浄した。

８０℃の過マンガン酸ナトリウム粗化水溶液（アトテックジャパン社製「コンセントレートコンパクトＣＰ」、和光純薬工業社製「水酸化ナトリウム」）に、膨潤処理された上記積層サンプルを入れて、粗化温度８０℃で２０分間揺動させた。その後、４０℃の洗浄液（アトテックジャパン社製「リダクションセキュリガントＰ」、和光純薬工業社製「硫酸」）により１０分間洗浄した後、純水でさらに洗浄した。このようにして、硬化物の表層及び回路パターン溝の内面をデスミア／粗化処理した。

センシタイジング処理：
参考例１〜４，６，７及び比較例１，２に関しては、デスミア／粗化処理された硬化物の表面を、６０℃のアルカリクリーナ（アトテックジャパン社製「クリーナーセキュリガント９０２」）で５分間処理し、脱脂洗浄した。洗浄後、上記硬化物を２５℃のプリディップ液（アトテックジャパン社製「プリディップネオガントＢ」）で２分間処理した。その後、上記硬化物を４０℃のアクチベーター液（アトテックジャパン社製「アクチベーターネオガント８３４」）で５分間処理し、パラジウム触媒を付けた。次に、３０℃の還元液（アトテックジャパン社製「リデューサーネオガントＷＡ」）により、硬化物を５分間処理した。

めっき処理：
次に、参考例１〜４，６，７及び比較例１，２に関しては、上記硬化物を化学銅液（全てアトテックジャパン社製「ベーシックプリントガントＭＳＫ−ＤＫ」、「カッパープリントガントＭＳＫ」、「スタビライザープリントガントＭＳＫ」、「リデューサーＣｕ」）に入れ、無電解めっきをめっき厚さが０．５μｍ程度になるまで実施した。無電解めっき後に、残留している水素ガスを除去するため、１２０℃の温度で３０分間アニールをかけた。無電解めっきの工程までのすべての工程は、ビーカースケールで処理液を２Ｌとし、硬化物を揺動させながら実施した。

次に、無電解めっき処理された硬化物に、電解めっきが回路パターン溝を埋めるまで実施した。電解銅めっきとして硫酸銅溶液（和光純薬工業社製「硫酸銅五水和物」、和光純薬工業社製「硫酸」、アトテックジャパン社製「ベーシックレベラーカパラシド ＨＬ」、アトテックジャパン社製「補正剤カパラシド ＧＳ」）を用いて、０．６Ａ／ｃｍ^２の電流を流しめっき厚さが２５μｍ程度となるまで電解めっきを実施した。銅めっき処理後、硬化物を１９０℃で２時間加熱し、硬化物を更に硬化させた。参考例６のみ、この後さらに２７０℃で３０分硬化させた。また、参考例７のみ、この後さらに２００℃で２時間硬化させた。このようにして、銅めっき層が上面に積層された硬化物を得た。

パターン形成：
参考例１〜４，６，７及び比較例１，２に関しては、形成された銅めっき層のうち、パターン溝内以外にある銅を研磨し、その上に上記ラミネートの方法で、多層絶縁フィルムを第１の絶縁層を基板側に向けて貼り合わせて、１５０℃及び６０分、次いで１９０℃で２時間の硬化条件で硬化し、評価基板を得た。

なお、参考例５，８に関しては、上記、多層絶縁フィルムの硬化の後の工程で一般のセミアティティブ工法（ＳＡＰ）を行うことで、参考例１〜４，６，７及び比較例１，２と同様に、線幅２０μｍ、高さ１５μｍ、配線間距離２０μｍの溝を形成した評価基板を得た。

（評価）
１）電気絶縁性
得られた評価基板を用いて、６Ｖの電圧を１００時間印加し、絶縁抵抗計で絶縁率Ａを測定した。更に、１３０℃、湿度８５％の環境下で６Ｖの電圧を１００時間印加し、絶縁抵抗計で絶縁率Ｂを測定した。さらに、電圧印加後のサンプルを裁断し、断面を顕微鏡観察により電極間にマイグレーションが発生しているか否かを評価した。ＢがＡに対して７５％以上の値を維持し、かつ、マイグレーションが発生していない場合は良好（○）、ＢがＡに対して７５％未満、又はマイグレーションが発生している場合は不良（×）と評価した。

２）パターン形成性（溝深さの評価）
上記電気絶縁性のマイグレーション評価の時に行ったサンプルの断面観察の際に、銅パターンの底部が、第１の絶縁層と第２の絶縁層との境界線から厚み方向（上下方向）方向に離れた距離を計測した。１０カ所のパターン断面を観察し、離れた距離の全てが±１．５μｍ以内にある場合は良好（○）、離れた距離の少なくとも１つが±１．５μｍを超えるが、離れた距離の全てが±２．０μｍ以内にある場合は使用可能（△）、離れた距離の少なくとも１つが±２．０μｍを超える場合は不良（×）と評価した。

ただし、参考例５，８に関しては、基板構造上、上記では評価できないので、パターン形成後、その上にラミネートした多層絶縁フィルムをデスミアし、その上面（第２の絶縁層の上面）とパターンの上面との位置を上記と同様の基準で評価した。

３）アンジュレーション
得られた評価基板において、基板上面パターンによるうねり（アンジュレーション）を、表面粗さ計（ミツトヨ社製「ＳＪ−３０１」）にて測定した。測定値の最大値と最小値との差が、１．０μｍ以下の場合は良好（○）、１．０μｍを超え、２．０μｍ以下の場合は使用可能（△）、２．０μｍを超える場合は不良（×）と評価した。

なお、表１中のプレキュア後Ｔｇ（ガラス転移温度）に関しては、得られた多層絶縁フィルム単体をプレキュアと同一の条件（１５０℃、６０分）で硬化させて、第１，第２の絶縁層それぞれから樹脂をヤスリを用いて削りだし、得られた粉末を用いて、示差走査熱量計（ＤＳＣ ＴＡ社製「Ｑ２０００」）により測定した値を示した。

結果を下記の表１，２に示す。配合成分の欄には、第１，第２の絶縁層を形成するための第１，第２の樹脂組成物ワニスの組成を示した。

１…多層絶縁フィルム
１ａ…貫通孔
２…第１の絶縁層
３…第２の絶縁層
３Ａ…硬化した第２の絶縁層部分
３Ｂ…硬化していない第２の絶縁層部分
１１…多層基板
１２…回路基板
１２Ａ…金属配線
１３，１４…絶縁層
１３Ａ，１４Ａ…溝
１３ａ，１４ａ…貫通孔
１５，１６…金属配線
１５Ａ金属層

Claims (14)

1. 第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の一方の表面に積層された第２の絶縁層（但し、第２の絶縁層として、感光性樹脂を含むものを除く、かつ、第２の絶縁層として、前記第１の絶縁層よりも少ない量のフィラーを含むものを除く）とを有し、前記第２の絶縁層が、前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを選択的に除去して、得られる絶縁層に前記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように構成されている多層絶縁フィルムを用いて、
   回路基板の表面上に、前記多層絶縁フィルムを積層する工程と、
   前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを選択的に、かつ前記第２の絶縁層を部分的に除去して、得られる絶縁層に前記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成する工程と、
   金属配線を形成する前に、前記絶縁層の粗化処理を行う工程と、
   前記絶縁層に形成された前記溝内に金属配線を形成する工程とを備える、多層基板の製造方法。
2. 前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、前記第２の絶縁層を削るか、又は溶かす、請求項１に記載の多層基板の製造方法。
3. 前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、前記第１の絶縁層を前記第２の絶縁層よりも硬くする、請求項１又は２に記載の多層基板の製造方法。
4. 前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、前記第１の絶縁層中の樹脂成分の架橋度を、前記第２の絶縁層中の樹脂成分の架橋度よりも高くする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層基板の製造方法。
5. 前記多層絶縁フィルムが、前記第２の絶縁層側からレーザー直描を行ったときに、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを選択的に除去可能である多層絶縁フィルムであり、
   前記多層絶縁フィルムを前記第２の絶縁層側からレーザー直描を行うことで、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを選択的に、かつ前記第２の絶縁層を部分的に除去して、得られる絶縁層に前記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層基板の製造方法。
6. 前記第２の絶縁層が、前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを溶かして選択的に除去して、得られる絶縁層に前記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように構成されている多層絶縁フィルムを用いて、
   得られる絶縁層に前記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成する工程において、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを選択的に溶かして、かつ前記第２の絶縁層を部分的に除去し、
   多層絶縁フィルムの状態で前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち一方のみを硬化させることが可能であるか、又は、レーザー光の照射により、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを溶かして除去可能である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の多層基板の製造方法。
7. 前記多層絶縁フィルムが、多層絶縁フィルムの状態で前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち一方のみを硬化させることが可能である、請求項６に記載の多層基板の製造方法。
8. 前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、レーザー光の照射により、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを溶かして除去可能である、請求項６に記載の多層基板の製造方法。
9. 金属配線が形成される溝を有する絶縁層を形成するために用いられる多層絶縁フィルムであって、
   第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の一方の表面に積層された第２の絶縁層（但し、第２の絶縁層として、感光性樹脂を含むものを除く、かつ、第２の絶縁層として、前記第１の絶縁層よりも少ない量のフィラーを含むものを除く）とを有し、
   前記第２の絶縁層が、前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とのうち前記第２の絶縁層のみを選択的に除去して、得られる絶縁層に前記第２の絶縁層の厚みの深さの溝を形成することが可能であるように構成されており、 金属配線を形成する前に、絶縁層の粗化処理を行う工程が行われるように多層絶縁フィルムは用いられる、多層絶縁フィルム。
10. 前記第２の絶縁層を部分的に除去する際に、前記第２の絶縁層を削るか、又は溶かすことが可能である、請求項９に記載の多層絶縁フィルム。
11. 前記第１の絶縁層が前記第２の絶縁層よりも硬い、請求項９又は１０に記載の多層絶縁フィルム。
12. 前記第１の絶縁層中の樹脂成分の架橋度が、前記第２の絶縁層中の樹脂成分の架橋度よりも高い、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の多層絶縁フィルム。
13. 多層基板において、回路基板上に絶縁層を形成するために用いられる、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の多層絶縁フィルム。
14. 回路基板と、
    前記回路基板上に配置されており、かつ溝を有する絶縁層と、
    前記溝内に形成された金属配線とを備え、
    前記絶縁層が、請求項９〜１３のいずれか１項に記載の多層絶縁フィルムを用いて形成されている、多層基板。

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