TWI645749B - Method for manufacturing multilayer substrate, multilayer insulating film and multilayer substrate - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可精度良好地形成特定深度之溝槽之多層絕緣膜。
本發明之多層基板之製造方法係包含：使用多層絕緣膜1，該多層絕緣膜1具有第1絕緣層2、與積層於第1絕緣層2之一表面之第2絕緣層3，且第2絕緣層3係構成為：於將第2絕緣層3部分除去時，可將第1絕緣層2與第2絕緣層3中之僅第2絕緣層3選擇性除去，而可於所獲得之絕緣層中形成第2絕緣層3之厚度之深度之溝槽，且具備如下步驟：於電路基板之表面上積層多層絕緣膜1之步驟；將第1絕緣層2與第2絕緣層3中之僅第2絕緣層3選擇性除去且將第2絕緣層3部分除去，而於獲得之絕緣層中形成第2絕緣層3之厚度之深度之溝槽的步驟；及於形成於絕緣層之上述溝槽內形成金屬配線之步驟。

Description

多層基板之製造方法、多層絕緣膜及多層基板
本發明關於一種於多層基板中形成絕緣層之多層基板之製造方法。本發明例如關於一種可較佳用以於多層基板中形成絕緣層之多層絕緣膜。又，本發明關於一種使用上述多層絕緣膜之多層基板。
先前，於積層板及印刷配線板等電子零件中，使用各種樹脂組合物而形成絕緣層。例如於多層印刷配線板中，為了形成用以絕緣內部之層間之絕緣層、或形成位於表層部分之絕緣層，而使用有樹脂組合物。於上述絕緣層之表面，通常形成作為金屬層之電路圖案。
又，關於半導體封裝製造中之電路形成，以何種方式精度良好地形成電路(鍍Cu等)圖案較為重要。作為形成電路圖案之1種方法，有於絕緣層中形成圖案狀之溝槽，於該溝槽內填充金屬而於溝槽內形成電路圖案之方法。該方法被稱為溝槽法。藉由溝槽法形成溝槽之方法例如揭示於下述之專利文獻1中。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-51053號公報
於上述溝槽法中，可某種程度控制溝槽(trench)之深度而形成圖案狀之溝槽。然而，於藉由雷射直接成像等形成溝槽之情形時，難以 高精度地控制溝槽之深度。
又，已知有半加成法(SAP，Semi Additive Process)等所代表之圖案形成方法。於SAP中，於絕緣層之表面上凸狀地形成電路(鍍Cu等)圖案。繼而，於絕緣層上及電路圖案上積層其他絕緣層。於該情形時，有於積層其他絕緣層時，於電路圖案間容易產生空隙(void)之問題。進而，有於積層其他絕緣層後，其他絕緣層之表面之平滑性變低之問題。又，若反覆進行該電路圖案之形成與絕緣層之積層而使積層數變多，則上層之絕緣層之表面之平滑性容易進一步變低。
於藉由上述溝槽法形成電路圖案之情形時，藉由SAP形成電路圖案之情形之上述問題未產生。因此，利用溝槽法之電路圖案之形成有較多優點。
然而，如上所述，於溝槽法中難以高精度地控制形成於絕緣層中之溝槽之深度。因此，亦難以高精度地控制形成於溝槽內之電路圖案之形狀。
本發明之目的在於提供一種可精度良好地形成特定深度之溝槽之多層基板的製造方法。又，本發明之目的在於提供一種可精度良好地形成特定深度之溝槽之多層絕緣膜、以及使用該多層絕緣膜之多層基板。
根據本發明之較多態樣，提供一種多層基板之製造方法，其係使用多層絕緣膜，該多層絕緣膜具有第1絕緣層、與積層於上述第1絕緣層之一表面之第2絕緣層，且上述第2絕緣層係構成為：於將上述第2絕緣層部分除去時，可將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽，且具備如下步驟：於電路基板之表面上積層上述多層絕緣膜之步驟；將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第 2絕緣層選擇性除去且將上述第2絕緣層部分除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽的步驟；及於形成於上述絕緣層之上述溝槽內形成金屬配線之步驟。
於本發明之多層基板之製造方法之某特定態樣中，於將上述第2絕緣層部分除去時，將上述第2絕緣層切削、或溶解。
於本發明之多層基板之製造方法之某特定態樣中，於將上述第2絕緣層部分除去時，使上述第1絕緣層變得比上述第2絕緣層更硬。
於本發明之多層基板之製造方法之某特定態樣中，上述多層絕緣膜為於自上述第2絕緣層側進行雷射直接成像時，可將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去者，且藉由自上述第2絕緣層側對上述多層絕緣膜進行雷射直接成像，從而將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去且將上述第2絕緣層部分除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽。
於本發明之多層基板之製造方法之某特定態樣中，於將上述第2絕緣層部分除去時，使上述第1絕緣層中之樹脂成分的交聯度高於上述第2絕緣層中之樹脂成分的交聯度，或者使上述第1絕緣層中之無機填充材的含量多於上述第2絕緣層中之無機填充材的含量。
於本發明之多層基板之製造方法之某特定態樣中，使用上述第2絕緣層係以下述方式構成之多層絕緣膜：於將上述第2絕緣層部分除去時，可使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層溶解從而選擇性除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽，於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽的步驟中，使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性溶解，且將上述第2絕緣層部分除去，於多層絕緣膜之狀態下可僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之一者硬化，或者於 曝光後之顯影中僅上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第2絕緣層可部分溶解於顯影液，或者藉由雷射光之照射，可僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第2絕緣層溶解從而除去。
於本發明之多層基板之製造方法之某特定態樣中，上述多層絕緣膜可於多層絕緣膜之狀態下僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之一者硬化。
於本發明之多層基板之製造方法之某特定態樣中，於曝光後之顯影中，僅上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第2絕緣層可部分溶解於顯影液。
於本發明之多層基板之製造方法之某特定態樣中，於將上述第2絕緣層部分除去時，藉由雷射光之照射，可僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第2絕緣層溶解從而除去。
根據本發明之較多態樣，提供一種多層絕緣膜，其係用以形成具有溝槽之絕緣層者，且具有第1絕緣層、與積層於上述第1絕緣層之一表面之第2絕緣層，且上述第2絕緣層係以下述方式構成：於將上述第2絕緣層部分除去時，可將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽。
於本發明之多層絕緣膜之某特定態樣中，於將上述第2絕緣層部分除去時，可將上述第2絕緣層切削或溶解。
於本發明之多層絕緣膜之某特定態樣中，上述第1絕緣層比上述第2絕緣層更硬。
於本發明之多層絕緣膜之某特定態樣中，上述第1絕緣層中之樹脂成分的交聯度高於上述第2絕緣層中之樹脂成分的交聯度，或者上述第1絕緣層中之無機填充材的含量多於上述第2絕緣層中之無機填充材的含量。
本發明之多層絕緣膜可較佳用以於多層基板中在電路基板上形成絕緣層。
根據本發明之較多態樣，提供一種多層基板，其具備電路基板；配置於上述電路基板上且具有溝槽之絕緣層；及形成於上述溝槽內之金屬配線，且上述絕緣層係使用上述多層絕緣膜而形成。
於本發明之多層基板之製造方法中，使用多層絕緣膜，其具有第1絕緣層、與積層於該第1絕緣層之一表面之第2絕緣層，且該第2絕緣層係以下述方式構成：於將上述第2絕緣層部分除去時，可將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽。本發明之多層基板之製造方法具備如下步驟：於電路基板之表面上積層特定之上述多層絕緣膜之步驟；將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去且將上述第2絕緣層部分除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽的步驟；及於形成於上述絕緣層之上述溝槽內形成金屬配線之步驟，因此，可獲得於絕緣層中精度良好地形成有上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽，且於該溝槽內精度良好地形成有溝槽之形狀之金屬配線的多層基板。
於本發明之多層絕緣膜中，積層於第1絕緣層之一表面之第2絕緣層係構成為：於將上述第2絕緣層部分除去時，可將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽，因此，可於獲得之絕緣層中精度良好地形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽。
1‧‧‧多層絕緣膜
1a‧‧‧貫通孔
2‧‧‧第1絕緣層
3‧‧‧第2絕緣層
3A‧‧‧硬化之第2絕緣層部分
3B‧‧‧未硬化之第2絕緣層部分
11‧‧‧多層基板
12‧‧‧電路基板
12A‧‧‧金屬配線
13、14‧‧‧絕緣層
13A、14A‧‧‧溝槽
13a、14a‧‧‧貫通孔
15、16‧‧‧金屬配線
15A‧‧‧金屬層
圖1係示意性表示本發明之一實施形態之多層絕緣膜之剖面圖。
圖2係示意性表示本發明之一實施形態之使用多層絕緣膜之多層 基板的剖面圖。
圖3(a)~(d)係用以說明本發明之一實施形態之使用多層絕緣膜之多層基板的製造方法之各步驟之示意性剖面圖。
圖4係用以說明多層基板之製造方法之變化例的示意性剖面圖。
圖5係用以說明多層基板之製造方法之變化例的示意性剖面圖。
以下，對本發明詳細地進行說明。
(多層絕緣膜)
本發明之多層絕緣膜可用以形成具有溝槽之絕緣層。本發明之多層絕緣膜可較佳地用以於多層基板中形成絕緣層。
於圖1中以剖面圖示意性表示本發明之一實施形態之多層絕緣膜。
圖1所示之多層絕緣膜1具有第1絕緣層2、與積層於第1絕緣層2之一表面之第2絕緣層3。第2絕緣層3係構成為：於將第2絕緣層3部分除去時，可將第1絕緣層2與第2絕緣層3中之僅第2絕緣層3選擇性除去，而於獲得之絕緣層中形成第2絕緣層3之厚度之深度之溝槽。
以於將第2絕緣層3部分除去時，可將第1絕緣層2與第2絕緣層3中之僅第2絕緣層3選擇性除去，而於獲得之絕緣層中形成第2絕緣層3之厚度之深度之溝槽的方式進行構成之方法並無特別限定。作為該方法，可列舉：使上述第1絕緣層變得比上述第2絕緣層更硬之方法；使用於多層絕緣膜之狀態下可僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第1絕緣層硬化之多層絕緣膜的方法；使用於曝光後之顯影中僅上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第2絕緣層可部分溶解於顯影液之多層絕緣膜的方法；以及藉由雷射光之照射，可僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第2絕緣層溶解從而除去之方法等。
如上所述，於溝槽法中難以高精度地控制形成於絕緣層中之溝 槽之深度。因此，亦難以高精度地控制形成於溝槽內之電路圖案之形狀。其意味著未精度良好地保持多層電路間之絕緣距離。即，於溝槽之深度存在不均之情形時，相對於必需之特定絕緣距離，形成於深挖之溝槽之電路對下層之電路的絕緣距離變短，形成於較淺之溝槽之電路對下層之電路的絕緣距離變長。因此，溝槽之深度不均對絕緣可靠性造成較大影響。
於今後所預想之封裝基板之薄型化進展之狀況下，越發要求將該絕緣距離控制成設計之固定值。
於本發明中，可獲得於絕緣層中精度良好地形成有上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽，且於該溝槽內精度良好地形成有溝槽之形狀之金屬配線的多層基板。
根據上述之效果，變得可將多層基板中之層間絕緣距離保持固定。即，於獲得之絕緣層中，藉由溝槽底對齊於第1絕緣層與第2絕緣層之交界，而將形成於該溝槽內之圖案與下一層之圖案的絕緣距離保持固定。因此，藉由提供將第1絕緣層與第2絕緣層之各自之厚度進行調整之多層絕緣膜，可精度良好地實現所需之絕緣距離。
就於獲得之絕緣層中更進一步精度良好地形成特定深度之溝槽的觀點而言，上述多層絕緣膜較佳為於將上述第2絕緣層部分除去時，可將上述第2絕緣層切削或溶解。於將上述第2絕緣層部分除去時，較佳為將上述第2絕緣層切削或溶解。於將上述第2絕緣層部分除去時，較佳為切削上述第2絕緣層，亦較佳為使其溶解。
於多層絕緣膜之狀態下可僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之一者硬化，或者於曝光後之顯影中僅第2絕緣層可部分溶解於顯影液，或者藉由雷射光之照射，可僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第2絕緣層溶解從而除去之情形時，可使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性溶解從而除去，而於獲得 之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽。
就於獲得之絕緣層中更進一步精度良好地形成特定深度之溝槽的觀點而言，上述第2絕緣層較佳為以下述方式構成：於將上述第2絕緣層部分除去時，可將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性切削從而除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽。
就於獲得之絕緣層中更進一步精度良好地形成特定深度之溝槽的觀點而言，較佳為使上述第1絕緣層變得比上述第2絕緣層更硬。該情形時，於自上述第2絕緣層側切削多層絕緣膜時，可將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去。
上述第1、第2絕緣層之硬度可根據利用黏彈性光譜儀、或示差掃描熱量計(DSC，differential scanning calorimeter)測定之絕緣層之玻璃轉移溫度而進行代用評價。又，根據該評價，可對硬度之高低進行判定。
上述多層絕緣膜較佳為於自上述第2絕緣層側進行切削時，可將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去者。上述多層絕緣膜較佳為於自上述第2絕緣層側進行雷射直接成像時，可將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去者。於該等情形時，可僅將上述第2絕緣層選擇性除去，因此可於獲得之絕緣層中更進一步精度良好地形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽。於自上述第2絕緣層側切削上述多層絕緣膜時，較佳為不將上述第1絕緣層除去。
例如於上述第2絕緣層之樹脂成分對雷射之波長光之吸收高於上述第1絕緣層的樹脂成分之情形時，第2絕緣層之樹脂成分變得更容易切削。
就於獲得之絕緣層中更進一步精度良好地形成特定深度之溝槽 的觀點而言，較佳為於上述多層絕緣樹脂膜中，上述第1絕緣層中之樹脂成分的交聯度高於上述第2絕緣層中之樹脂成分的交聯度，或者上述第1絕緣層中之無機填充材的含量多於上述第2絕緣層中之無機填充材的含量。較佳為上述第1絕緣層中之樹脂成分的交聯度高於上述第2絕緣層中之樹脂成分的交聯度，且較佳為上述第1絕緣層中之無機填充材的含量多於上述第2絕緣層中之無機填充材的含量。於將上述第2絕緣層部分除去時，藉由上述第1絕緣層中之樹脂成分的交聯度高於上述第2絕緣層中之樹脂成分的交聯度，又，藉由上述第1絕緣層中之無機填充材的含量多於上述第2絕緣層中之無機填充材的含量，而容易使上述第1絕緣層變得比上述第2絕緣層更硬。
上述第1、第2絕緣層中之樹脂成分的上述交聯度可根據利用黏彈性光譜儀、或示差掃描熱量計(DSC)測定之樹脂之玻璃轉移溫度而進行代用評價。又，可藉由該評價而判定上述交聯度之大小。
作為使上述第1、第2絕緣層中之樹脂成分之上述交聯度不同的方法，可列舉：變更樹脂或硬化劑之組成之方法、及變更硬化促進劑之量之方法等。
為了於將第2絕緣層3部分除去時，可使第1絕緣層2與第2絕緣層3中之僅一者選擇性溶解從而除去，而於獲得之絕緣層中形成第2絕緣層3之厚度之深度之溝槽，較佳為1)於多層絕緣膜之狀態下可僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之一者硬化，或2)於曝光後之顯影中僅上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第2絕緣層可部分溶解於顯影液，或3)藉由雷射光之照射，可僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第2絕緣層溶解從而除去。該情形時，亦可獲得於絕緣層中精度良好地形成有上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽，且於該溝槽內精度良好地形成有溝槽形狀之金屬配線的多層基板。
較佳為1)於多層絕緣膜之狀態下可僅使上述第1絕緣層與上述第2 絕緣層中之一者硬化，較佳為2)於曝光後之顯影中僅上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第2絕緣層可部分溶解於顯影液，亦較佳為3)藉由雷射光之照射，可僅使上述第2絕緣層溶解從而除去。
1)於多層絕緣膜之狀態下可僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之一者硬化的情形時，較佳為可僅使第1絕緣層硬化。1)於多層絕緣膜之狀態下可僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之一者硬化的情形時，於使第1絕緣層硬化且第2絕緣層部分硬化之硬化條件下，可藉由進行硬化而僅使第2絕緣層選擇性硬化，或者於未使第2絕緣層硬化且僅第1絕緣層硬化之硬化條件下，可藉由進行硬化而僅使第1絕緣層選擇性硬化。於硬化狀態不同之第1、第2絕緣層中，藉由使第2絕緣層部分溶解從而除去，而可形成溝槽。此時，亦可使第2絕緣層部分硬化，而使未硬化之第2絕緣層部分溶解從而除去。為了使未硬化之第2絕緣層部分溶解，較佳為進行顯影。較佳為於多層絕緣膜之狀態下僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第1絕緣層硬化。再者，所謂「僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之一者硬化」係指使一絕緣層比另一絕緣層更為硬化，亦包括如下情形，即與一絕緣層相比，另一絕緣層之硬化以未硬化之程度進行。
2)於曝光後之顯影中僅上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第2絕緣層可部分溶解於顯影液的情形時，無論上述第1、第2絕緣層是否硬化，只要對第2絕緣層使用曝光及顯影之原理，而可選擇性且部分除去第2絕緣層即可。例如較佳為藉由曝光而被光照射之部分變得可溶於顯影液。經由遮罩，向第2絕緣層部分照射光，藉此可使第2絕緣層部分可溶於顯影液。
3)於藉由雷射光之照射而僅使上述第2絕緣層溶解從而除去之情形時，藉由對多層絕緣膜照射雷射光，可僅將第2絕緣層選擇性除去。又，藉由圖案狀地照射雷射光，可圖案狀地除去第2絕緣層。
就於獲得之絕緣層中更進一步精度良好地形成特定深度之溝槽的觀點而言，為了於多層絕緣膜之狀態下可僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之一者硬化，較佳為1-1)上述第1絕緣層含有光反應性成分且上述第2絕緣層含有熱硬化性成分，或1-2)上述第1絕緣層含有熱硬化性成分且上述第2絕緣層含有光反應性成分，或1-3)上述第1絕緣層與上述第2絕緣層分別含有熱硬化性成分且上述第1絕緣層與上述第2絕緣層硬化之熱硬化條件不同，或1-4)上述第1絕緣層與上述第2絕緣層分別含有光反應性成分且上述第1絕緣層與上述第2絕緣層硬化之光反應條件不同，或者2)於曝光後之顯影中僅上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第2絕緣層可部分溶解於顯影液。較佳為1-1)上述第1絕緣層含有光反應性成分且上述第2絕緣層含有熱硬化性成分；或1-2)上述第1絕緣層含有熱硬化性成分且上述第2絕緣層含有光反應性成分，或1-3)上述第1絕緣層與上述第2絕緣層分別含有熱硬化性成分且上述第1絕緣層與上述第2絕緣層硬化之熱硬化條件不同，或1-4)上述第1絕緣層與上述第2絕緣層分別含有光反應性成分且上述第1絕緣層與上述第2絕緣層硬化之光反應條件不同。較佳為1-1)上述第1絕緣層含有光反應性成分且上述第2絕緣層含有熱硬化性成分，較佳為1-2)上述第1絕緣層含有熱硬化性成分且上述第2絕緣層含有光反應性成分，較佳為1-3)上述第1絕緣層與上述第2絕緣層分別含有熱硬化性成分且上述第1絕緣層與上述第2絕緣層硬化之熱硬化條件不同，亦較佳為1-4)上述第1絕緣層與上述第2絕緣層分別含有光反應性成分且上述第1絕緣層與上述第2絕緣層硬化之光反應條件不同。
1-1)於上述第1絕緣層含有光反應性成分且上述第2絕緣層含有熱硬化性成分之情形時，可藉由加熱而僅使第2絕緣層選擇性熱硬化，或可藉由光之照射而僅使第1絕緣層選擇性進行光反應。1-2)於上述第1絕緣層含有熱硬化性成分且上述第2絕緣層含有光反應性成分之情 形時，可藉由光之照射而僅使第2絕緣層選擇性進行光反應，或可藉由加熱而僅使第1絕緣層選擇性熱硬化。1-3)於上述第1絕緣層與上述第2絕緣層分別含有熱硬化性成分且上述第1絕緣層與上述第2絕緣層硬化之熱硬化條件不同之情形時，可於僅上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之一者熱硬化之條件下進行熱硬化。1-4)於上述第1絕緣層與上述第2絕緣層分別含有光反應性成分且上述第1絕緣層與上述第2絕緣層硬化之光反應條件不同之情形時，可於僅上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之一者進行光反應之條件進行光反應，藉此僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之一者進行光反應。又，經由遮罩而對第2絕緣層部分照射光，藉此可使第2絕緣層部分硬化。又，將第2絕緣層部分加熱，藉此可使第2絕緣層部分硬化。然後，可藉由顯影而除去未硬化之第2絕緣層部分。
(多層基板及多層基板之製造方法)
使用上述之多層絕緣膜，可獲得具備具有溝槽之絕緣層之多層基板。
本發明之多層基板具備電路基板；配置於該電路基板上且具有溝槽之絕緣層；及形成於該溝槽內之金屬配線。本發明之多層基板中之上述絕緣層係使用上述之多層絕緣膜而形成。上述絕緣層可直接積層於電路基板上，亦可經由其他絕緣層間接積層。
於圖2中以剖面圖示意性表示本發明之一實施形態之使用多層絕緣膜之多層基板。
於圖2所示之多層基板11中，於電路基板12之第1表面上配置有絕緣層13，於電路基板之與第1表面相反之第2表面上配置有絕緣層14。電路基板12具有金屬配線12A。於電路基板12之表面之一部分區域中金屬配線12A露出。絕緣層13、14於與電路基板12側相反側之表面分別具有溝槽13A、14A。於溝槽13A內形成有金屬配線15。於溝槽14A 內形成有金屬配線16。
於本發明之多層基板之製造方法中，可使用上述之多層絕緣膜。即，於本發明之多層基板之製造方法中，使用如下多層絕緣膜：具有第1絕緣層、與積層於該第1絕緣層之一表面之第2絕緣層，且該第2絕緣層係以下述方式構成：於將上述第2絕緣層部分除去時，可將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽。
本發明之多層基板之製造方法具備如下步驟：於電路基板之表面上積層上述多層絕緣膜之步驟；將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去且將上述第2絕緣層部分除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽的步驟；及於形成於上述絕緣層之上述溝槽內形成金屬配線之步驟。
又，於本發明之多層基板之製造方法中，較佳為使用上述第2絕緣層係以下述方式構成之多層絕緣膜：於將上述第2絕緣層部分除去時，可使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層溶解從而選擇性除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽。該情形時，就上述多層絕緣膜而言，較佳為1)於多層絕緣膜之狀態下可僅使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之一者硬化，或者2)於曝光後之顯影中僅上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之上述第2絕緣層可部分溶解於顯影液，或者3)藉由雷射光之照射，可僅使上述第2絕緣層溶解從而除去。
使用多層絕緣膜1，多層基板11例如可以下述方式獲得。
首先，如圖3(a)所示，於電路基板12之表面上積層多層絕緣膜1。自第1絕緣層2側將多層絕緣膜1積層於電路基板12表面上。此處，於電路基板12之第1表面、及與第1表面相反之第2表面分別積層2個多層絕緣膜1。較佳為積層後，使多層絕緣膜1半硬化或硬化。又，於藉 由利用光反應之顯影將第2絕緣層選擇性除去之情形時，亦有如下情形，即將第2絕緣層選擇性除去後，可進行利用熱之半硬化或硬化。
繼而，如圖3(b)所示，以到達金屬配線12A且貫通多層絕緣膜1之方式，於多層絕緣膜1中形成貫通孔1a。此處，僅圖示圖3(a)所示之結構之一部分。
例如形成通孔或穿通孔等作為上述貫通孔。作為於多層絕緣膜中形成貫通孔之方法，可列舉：照射紫外線、紅外線雷射或CO2雷射之方法及利用鑽孔之開孔方法等。上述通孔之直徑並無特別限定，為30~120μm左右。
繼而，如圖3(c)所示，將第1絕緣層2與第2絕緣層3中之僅第2絕緣層3選擇性除去且將第2絕緣層3部分除去，而於獲得之絕緣層13中形成第2絕緣層3之厚度之深度之溝槽13A。即，將第1絕緣層2與第2絕緣層3中之僅第2絕緣層3選擇性除去且將第2絕緣層3部分除去，而形成具有溝槽13A之絕緣層13。絕緣層13具有形成有溝槽13A之第2絕緣層3與第1絕緣層2。又，絕緣層13具有源自貫通孔1a之貫通孔13a。此處，因未除去第1絕緣層2而僅除去第2絕緣層3，故溝槽13A之深度與第2絕緣層3之厚度相同。
再者，僅使第2絕緣層3溶解而選擇性除去之情形時，為了使第2絕緣層3部分溶解從而除去，亦可如圖4所示，使第2絕緣層3部分硬化，而形成硬化之第2絕緣層部分3A與未硬化之第2絕緣層部分3B。或者，亦可使第2絕緣層3部分可溶於顯影液，而形成可溶之第2絕緣層部分3B與不可溶之第2絕緣層部分3A。藉由形成此種第2絕緣層部分3A、3B，而藉由顯影，容易僅使未硬化之第2絕緣層部分3B、或僅使可溶於顯影液之第2絕緣層部分3B部分溶解從而除去。又，於利用光反應進行上述顯影而形成溝槽之情形時，亦有較佳為將第2絕緣層部分3B除去後，進行利用熱之半硬化或硬化而形成通孔之情況。
作為形成溝槽13A之方法，可列舉：自多層絕緣膜之第2絕緣層側僅將第2絕緣層部分削去之方法；使第1絕緣層硬化，且使第2絕緣層部分硬化，藉由顯影而將未硬化之第2絕緣層部分除去之方法；不使第2絕緣層硬化而使第1絕緣層部分硬化後，使第2絕緣層部分硬化，藉由顯影將未硬化之第2絕緣層部分除去之方法；於曝光後之顯影中可使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層部分溶解於顯影液之方法；加熱至僅使第2絕緣層熔解或昇華之溫度，而將第2絕緣層部分除去之方法；以及對第2絕緣層照射雷射光之方法等。於上述顯影中，使用可使欲藉由顯影而除去之絕緣層部分溶解之顯影液。
繼而，根據需要，進行除膠渣處理。藉由上述貫通孔之形成，大多會於通孔內之底部形成源自絕緣層中所含之樹脂成分之樹脂殘渣的膠渣。為了除去上述膠渣，較佳為進行除膠渣處理。亦有除膠渣處理係兼任粗化處理之情況。於上述除膠渣處理中，例如可使用錳化合物、鉻化合物或過硫酸化合物等化學氧化劑等。該等化學氧化劑係於添加水或有機溶劑後，以水溶液或有機溶劑分散溶液之形式使用。除膠渣處理所使用之除膠渣處理液通常含有鹼。除膠渣處理液較佳為含有氫氧化鈉。
作為上述錳化合物，可列舉：過錳酸鉀及過錳酸鈉等。作為上述鉻化合物，可列舉重鉻酸鉀及無水鉻酸鉀等。作為上述過硫酸化合物，可列舉過硫酸鈉、過硫酸鉀及過硫酸銨等。
上述除膠渣處理之方法並無特別限定。作為上述除膠渣處理之方法，例如較佳為如下方法：使用30~90g/L過錳酸或過錳酸鹽溶液及30~90g/L氫氧化鈉溶液，於處理溫度30~85℃及1~30分鐘之條件下對硬化物進行處理。該除膠渣處理較佳為進行1次或2次。上述除膠渣處理之溫度較佳為50~85℃之範圍內。
繼而，如圖3(d)所示，於溝槽13A內填充金屬而形成金屬配線15。此處，僅於溝槽13A及貫通孔13a內選擇性形成金屬配線15。又，藉由預先形成溝槽13A，可形成形狀對應圖案狀之溝槽13A形狀之金屬配線15。
為了於絕緣層之溝槽內選擇性形成金屬配線，較佳為根據需要進行敏化處理步驟。藉由敏化處理，從而對絕緣層之表面賦予鈀觸媒後，對該部分選擇性實施無電電鍍，之後進行電解電鍍，藉此可形成圖案。於敏化處理步驟中，具體而言，利用鹼清潔液對多層絕緣膜進行處理，而對表面進行脫脂清洗。清洗後，利用預浸液對多層絕緣膜進行處理後，利用活化劑對絕緣層進行處理，而賦予鈀觸媒。此時，鈀觸媒附在絕緣層13之外側之表面整面，因此利用陶瓷拋光輪等對表面進行研磨，而使溝槽13A及貫通孔13a內以外之絕緣層之表面之鈀掉落，之後移至無電電鍍步驟，藉此可於溝槽13A及貫通孔13a內選擇性形成鍍敷圖案。
再者，亦可於敏化處理後不進行陶瓷拋光輪研磨，而如圖5所示般以於溝槽13A及貫通孔13a內填充金屬，且於絕緣層13之表面上亦積層金屬之方式形成金屬層15A。該情形時，藉由表面研磨或電蝕刻等將金屬層15A部分除去，藉此可形成金屬配線15。
又，關於電路基板12之第2表面側之多層絕緣膜1，進行與第1表面側之多層絕緣膜1相同之處理，藉此可形成具有溝槽14A及貫通孔14a之絕緣層14，且於絕緣層14內形成金屬配線16。可以上述方式獲得圖2所示之多層基板11。
(多層絕緣膜之詳細內容)
構成上述多層絕緣膜之第1、第2絕緣層較佳為由含有熱硬化性成分之樹脂組合物形成，或由含有光反應性成分之樹脂組合物形成。上述熱硬化性成分較佳為含有熱硬化性樹脂與熱硬化劑。上述光反應 性成分較佳為含有光反應性樹脂，且較佳為含有光反應起始劑。構成上述多層絕緣膜之第1、第2絕緣層較佳為由含有熱硬化性樹脂與熱硬化劑之樹脂組合物(第1、第2樹脂組合物)形成。該樹脂組合物較佳為含有無機填充材。關於上述第1絕緣層或上述第2絕緣層中之將溶劑除外之成分100重量%中的無機填充材之含量，上述第1絕緣層中之無機填充材的含量較佳為多於上述第2絕緣層中之無機填充材的含量，更佳為多於5重量%以上，進而較佳為多於10重量%以上，特佳為多於20重量%以上。因此，形成上述第1絕緣層之第1樹脂組合物中之將溶劑除外之成分100重量%中無機填充材之含量較佳為多於用以形成上述第2絕緣層之第2樹脂組合物中之將溶劑除外之成分100重量%中的無機填充材之含量，更佳為多於5重量%以上，進而較佳為多於10重量%以上，特佳為多於20重量%以上。
以下，對上述樹脂組合物所含有之各成分詳細地進行說明。
[熱硬化性樹脂(熱硬化性化合物)(熱硬化性成分)]
上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層較佳為分別含有熱硬化性樹脂。上述熱硬化性樹脂並無特別限定。上述熱硬化性樹脂可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述熱硬化性樹脂，例如可列舉：環氧樹脂、氰酸酯樹脂、酚系樹脂、雙馬來醯亞胺-三樹脂、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸系樹脂及乙烯基苄基樹脂等。就使絕緣性及機械強度更進一步良好之觀點而言，上述熱硬化性樹脂較佳為環氧樹脂。
作為上述環氧樹脂，可列舉：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、酚系酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、茀型環氧樹脂、苯酚芳烷基型環氧樹脂、萘酚芳烷基型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、具有金剛烷骨架之環氧樹脂、 具有三環癸烷骨架之環氧樹脂、及於骨架中具有三核之環氧樹脂等。
上述環氧樹脂於常溫(23℃)下可為液狀，亦可為固體。上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層較佳為分別含有於常溫(23℃)下為液狀之環氧樹脂。上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層中之將無機填充材與溶劑除外之成分(以下，有記載為成分A之情況)100重量%中，常溫下為液狀之環氧樹脂之各含量較佳為10重量%以上，更佳為25重量%以上。若常溫下為液狀之環氧樹脂之含量為上述下限以上，則容易使多層絕緣膜中之無機填充材之含量變多。上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層中之上述環氧樹脂亦可全部為於常溫下為液狀之環氧樹脂。
就使硬化物與金屬配線之接著強度更進一步提高之觀點而言，上述熱硬化性樹脂之熱硬化性官能基之當量較佳為90以上，更佳為100以上，且較佳為1000以下，更佳為800以下。於上述熱硬化性樹脂為環氧樹脂之情形時，上述熱硬化性官能基之當量表示環氧當量。
上述熱硬化性樹脂之分子量較佳為1000以下。該情形時，容易使多層絕緣膜中之無機填充材之含量變多。進而，即便無機填充材之含量較多，亦可獲得流動性較高之樹脂組合物。又，藉由併用分子量為1000以下之熱硬化性樹脂與熱塑性樹脂，可抑制多層絕緣膜之熔融黏度之過度下降。
上述熱硬化性樹脂之分子量及下述之熱硬化劑之分子量於上述熱硬化性樹脂或熱硬化劑並非聚合物之情形、及上述熱硬化性樹脂或熱硬化劑之結構式可特定之情形時，意指可自該結構式算出之分子量。又，於上述熱硬化性樹脂或熱硬化劑為聚合物之情形時，意指重量平均分子量。
上述重量平均分子量係表示藉由凝膠滲透層析法(GPC，Gel Permeation Chromatography)測定之以聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
上述成分A 100重量%中，上述熱硬化性樹脂整體之含量較佳為10重量%以上，更佳為20重量%以上，且較佳為95重量%以下，更佳為80重量%以下。
[熱硬化劑(熱硬化性成分)]
上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層較佳為分別含有熱硬化劑。上述熱硬化劑並無特別限定。上述熱硬化劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述熱硬化劑，可列舉：氰酸酯化合物(氰酸酯熱硬化劑)、酚系化合物(酚熱硬化劑)、胺化合物(胺熱硬化劑)、硫醇化合物(硫醇熱硬化劑)、咪唑化合物、膦化合物、酸酐、活性酯化合物及雙氰胺等。其中，就獲得因熱引起之尺寸變化更進一步小之硬化物之觀點而言，上述熱硬化劑較佳為氰酸酯化合物或酚系化合物。上述熱硬化劑較佳為氰酸酯化合物，亦較佳為酚系化合物。上述熱硬化劑較佳為具有可與上述熱硬化性樹脂之熱硬化性官能基反應之官能基。上述熱硬化劑較佳為具有可與上述環氧樹脂之環氧基反應之官能基。
就使硬化物與金屬配線之接著強度更進一步變高，且於硬化物之表面形成更細微之配線的觀點而言，上述熱硬化劑較佳為氰酸酯化合物、酚系化合物或活性酯化合物。
藉由使用上述氰酸酯化合物，硬化物與金屬配線之接著強度進一步變高。又，藉由使用上述氰酸酯化合物，無機填充材之含量較多之多層絕緣膜之操作性變良好，且硬化物之玻璃轉移溫度更進一步變高。上述氰酸酯化合物並無特別限定。可使用先前公知之氰酸酯化合物作為該氰酸酯化合物。上述氰酸酯化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述氰酸酯化合物，可列舉：酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚型氰酸酯樹脂、以及該等一部分經三聚作用而成之預聚物等。作為上述酚醛清漆型氰酸酯樹脂，可列舉：酚系酚醛清漆型氰酸酯樹脂及烷酚型氰酸酯樹脂等。作為上述雙酚型氰酸酯樹脂，可列舉：雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂及四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等。
作為上述氰酸酯化合物之市售品，可列舉：酚系酚醛清漆型氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司製造之「PT-30」及「PT-60」)、及雙酚型氰酸酯樹脂經三聚作用而成之預聚物(Lonza Japan公司製造之「BA-230S」、「BA-3000S」、「BTP-1000S」及「BTP-6020S」)等。
上述氰酸酯化合物之分子量較佳為3000以下。該情形時，可使多層絕緣膜中之無機填充材之含量變多，且即便無機填充材之含量較多，亦可獲得流動性較高之多層絕緣膜。
藉由使用上述酚系化合物，可使硬化物與金屬配線之接著強度更進一步變高。又，藉由使用上述酚系化合物，例如於對硬化物之表面上之銅配線之表面進行黑化處理或Cz處理時，硬化物與銅配線之接著強度更進一步變高。
上述酚系化合物並無特別限定。可使用先前公知之酚系化合物作為該酚系化合物。上述酚系化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述酚系化合物，可列舉：酚醛清漆型酚、聯苯酚型酚、萘型酚、二環戊二烯型酚、芳烷基型酚及二環戊二烯型酚等。
作為上述酚系化合物之市售品，可列舉：酚醛清漆型酚(DIC公司製造之「TD-2091」)、聯苯酚醛清漆型酚(明和化成公司製造之「MEH-7851」)、芳烷基型酚系化合物(明和化成公司製造之「MEH-7800」)、以及具有胺基三骨架之酚(DIC公司製造之「LA1356」及 「LA3018-50P」)等。
就使硬化物與金屬配線之接著強度更進一步變高，且於硬化物之表面形成更細微之配線的觀點而言，上述酚系化合物較佳為聯苯酚醛清漆型酚系化合物、或芳烷基型酚系化合物。就使硬化物之表面之表面粗糙度更進一步變小之觀點而言，上述酚系化合物較佳為具有2個以上之酚性羥基。
上述活性酯化合物並無特別限定。作為上述活性酯化合物之市售品，可列舉：DIC公司製造之「HPC-8000」、「HPC-8000-65T」及「EXB9416-70BK」等。
就使硬化物與金屬配線之接著強度更進一步變高，且於硬化物之表面形成更細微之配線，且藉由熱硬化劑賦予良好之絕緣可靠性的觀點而言，上述熱硬化劑較佳為含有當量為250以下之熱硬化劑。上述熱硬化劑之當量例如於熱硬化劑為氰酸酯化合物之情形時表示氰酸酯基當量，於熱硬化劑為酚系化合物之情形時表示酚性羥基當量，於熱硬化劑為活性酯化合物之情形時表示活性酯基當量。
於上述熱硬化劑之整體100重量%中，當量為250以下之熱硬化劑之含量較佳為30重量%以上，更佳為50重量%以上。上述熱硬化劑亦可全部為當量為250以下之熱硬化劑。若當量為250以下之熱硬化劑之含量為上述下限以上，則於絕緣層之表面形成更細微之配線。進而，若當量為250以下之熱硬化劑之含量為上述下限以上，則硬化物之玻璃轉移溫度更進一步變高。
上述熱硬化劑之分子量較佳為1000以下。該情形時，即便上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層中之將溶劑除外之成分100重量%中之無機填充材的各含量為40重量%以上，亦可獲得流動性較高之樹脂組合物。
上述熱硬化性樹脂與上述熱硬化劑之調配比並無特別限定。上 述熱硬化性樹脂與熱硬化劑之調配比係根據熱硬化性樹脂與熱硬化劑之種類而適當決定。
上述成分A 100重量%中，上述熱硬化性樹脂與上述熱硬化劑之合計含量較佳為75重量%以上，更佳為80重量%以上，且較佳為99重量%以下，更佳為97重量%以下。
[光反應性樹脂(光反應性化合物)(光反應性成分)]
上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層較佳為分別含有光反應性樹脂。上述光反應性樹脂並無特別限定。上述光反應性樹脂可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述光反應性樹脂，可列舉聚苯并唑樹脂等。亦可使用除上述以外之光反應性樹脂。
又，於考慮併用光硬化與熱硬化之情形時，亦可使用如下具有如下結構之硬化劑：具有與環氧樹脂等熱硬化性樹脂進行熱硬化之官能基，且於UV等光照射中照射部分與未照射部分於其後之顯影步驟中於溶解性上產生差異。作為此種材料，例如可列舉DIC公司製造之「V-8000」等。
[光反應起始劑(光反應性成分、感光劑)]
上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層分別含有或不含有光反應起始劑。上述光反應起始劑並無特別限定。上述光反應起始劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述光反應起始劑，可列舉二疊氮萘醌化合物等。亦可使用上述以外之光反應起始劑。例如於使用上述DIC公司製造之「V-8000」之情形時，藉由使用光反應起始劑而促進UV照射中之樹脂之結構變化。作為表現上述性質之光反應起始劑，例如可列舉鄰疊氮萘醌(東洋合成工業公司製造之「PC-5」)等。
又，亦可使用含有光反應起始劑之材料作為上述光反應性樹 脂。作為此種材料，例如可列舉SUMITOMO BAKELITE公司製造之「CRC-8800」等。
上述光反應起始劑之含量並無特別限定。上述光反應起始劑係以光反應性樹脂適當進行反應之方式使用適當之量。上述成分A 100重量%中，上述光反應性樹脂與上述光反應起始劑之合計含量較佳為75重量%以上，更佳為80重量%以上。又，於採用光硬化系與熱硬化系之情形時並不限於此。
[無機填充材]
上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層分別含有或不含有無機填充材。上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層較佳為分別含有無機填充材。藉由上述多層絕緣膜含有無機填充材，硬化物之熱線膨脹率變低，且硬化物與金屬配線之接著強度有效地變高。上述無機填充材並無特別限定。上述無機填充材可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述無機填充材，可列舉：二氧化矽、滑石、黏土、雲母、水滑石、氧化鋁、氧化鎂、氫氧化鋁、氮化鋁及氮化硼等。
就使硬化物與金屬配線之接著強度更進一步變高，且於硬化物之表面形成更進一步細微之配線，且賦予硬化物更為良好之絕緣可靠性的觀點而言，上述無機填充材較佳為二氧化矽或氧化鋁，更佳為二氧化矽，進而較佳為熔融二氧化矽。藉由使用二氧化矽，硬化物之熱線膨脹率更進一步變低，且硬化物與金屬配線之接著強度有效地變高。二氧化矽之形狀較佳為大致球狀。
上述無機填充材之平均粒徑較佳為10nm以上，更佳為50nm以上，進而較佳為150nm以上，且較佳為20μm以下，更佳為10μm以下，進而較佳為5μm以下，特佳為1μm以下。若上述無機填充材之平均粒徑為上述下限以上及上述上限以下，則藉由粗化處理或除膠渣處理等，形成之孔之大小變細微，且孔數變多。其結果，硬化物與金屬 配線之接著強度更進一步變高。然而，於利用光反應之情形時，亦有如下情形，即無機填充材之平均粒徑較佳為小於照射之光之波長。
採用成為50%之中值徑(d50)之值作為上述無機填充材之平均粒徑。上述平均粒徑可使用雷射繞射散射方式之粒度分佈測定裝置進行測定。
上述無機填充材較佳為球狀，更佳為球狀二氧化矽。該情形時，硬化物與金屬配線之接著強度有效地變高。於上述無機填充材為球狀之情形時，上述無機填充材之縱橫比較佳為2以下，更佳為1.5以下。
較佳為對上述無機填充材進行表面處理，更佳為藉由偶合劑對上述無機填充材進行表面處理。藉此，硬化物與金屬配線之接著強度更進一步變高，且於硬化物之表面形成更細微之配線，且賦予硬化物更為良好之配線間絕緣可靠性及層間絕緣可靠性。
作為上述偶合劑，可列舉：矽烷偶合劑、鈦酸酯偶合劑及鋁偶合劑等。作為上述矽烷偶合劑，可列舉：甲基丙烯酸矽烷、丙烯酸矽烷、胺基矽烷、咪唑矽烷、乙烯基矽烷及環氧矽烷等。
上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層中之將上述溶劑除外之成分100重量%中，上述無機填充材之含量較佳為25重量%以上，更佳為30重量%以上，進而較佳為40重量%以上，特佳為50重量%以上，且較佳為90重量%以下，更佳為85重量%以下，進而較佳為80重量%以下。若上述無機填充材之含量為上述下限以上及上述上限以下，則硬化物與金屬配線之接著強度更進一步變高，且於硬化物之表面形成更細微之配線，與此同時，只要為該無機填充材量，則亦可使金屬銅以及硬化物之熱線膨脹率變低。
[熱塑性樹脂]
上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層分別含有或不含有熱塑 性樹脂。上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層較佳為分別含有熱塑性樹脂。該熱塑性樹脂並無特別限定。上述熱塑性樹脂可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述熱塑性樹脂，可列舉：醯亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、橡膠成分及有機填料等。上述熱塑性樹脂特佳為苯氧基樹脂。藉由使用該苯氧基樹脂，而可調整熔融黏度，因此無機填充材之分散性變良好，且於硬化過程中於未意圖之區域多層絕緣膜變得難以潤濕擴散。又，藉由使用熱塑性樹脂，可抑制多層絕緣膜對電路基板之孔或凹凸之嵌入性變差及無機填充材之不均勻化。
作為上述苯氧基樹脂，例如可列舉具有雙酚A型之骨架、雙酚F型之骨架、雙酚S型之骨架、聯苯骨架、酚醛清漆骨架、萘骨架及醯亞胺骨架等骨架之苯氧基樹脂等。
作為上述苯氧基樹脂之市售品，例如可列舉：新日鐵住金化學公司製造之「YP50」、「YP55」及「YP70」、以及三菱化學公司製造之「1256B40」、「4250」、「4256H40」、「4275」、「YX6954BH30」及「YX8100BH30」等。
上述熱塑性樹脂之重量平均分子量較佳為5000以上，且較佳為100000以下。上述重量平均分子量係表示藉由凝膠滲透層析法(GPC)測定之以聚苯乙烯換算之重量平均分子量。
上述熱塑性樹脂之含量並無特別限定。上述成分A 100重量%中，上述熱塑性樹脂之含量(於熱塑性樹脂為苯氧基樹脂之情形時為苯氧基樹脂之含量)較佳為1重量%以上，更佳為5重量%以上，且較佳為30重量%以下，更佳為20重量%以下，進而更佳為15重量%以下。若上述熱塑性樹脂之含量為上述下限以上及上述上限以下，則硬化物之熱線膨脹率更進一步變低。又，多層絕緣膜對電路基板之孔或凹凸之嵌入性變良好。若上述熱塑性樹脂之含量為上述下限以上，則多層 絕緣膜之成膜性變高，而可獲得更為良好之硬化物。若上述熱塑性樹脂之含量為上述上限以下，則硬化物與金屬配線之接著強度更進一步變高。
[硬化促進劑(熱硬化性成分)]
上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層分別含有或不含有硬化促進劑。上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層較佳為分別含有硬化促進劑。藉由使用上述硬化促進劑，硬化速度更進一步提高。藉由使多層絕緣膜快速硬化，硬化物中之交聯結構變得均勻，並且未反應之官能基數減少，結果交聯密度變高。又，使第1絕緣層中之硬化促進劑的含量多於第2絕緣層中之硬化促進劑的含量，藉此即便於相同之樹脂系中且於相同之硬化(加熱)條件下，亦可使第1、第2絕緣層於達到某交聯度之速度，即達到某硬化度之速度上存在差異。藉由利用上述硬化促進劑，而可於預硬化之階段使第1絕緣層之硬化度高於第2絕緣層之硬化度。上述硬化促進劑並無特別限定。上述硬化促進劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述硬化促進劑，例如可列舉：咪唑化合物、磷化合物、胺化合物及有機金屬化合物等。
作為上述咪唑化合物，可列舉：2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1,2-二甲基咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑、1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-十一烷基咪唑鎓苯偏三酸酯、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓苯偏三酸酯、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基-均三、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-均三異三聚氰酸加成物、2- 苯基咪唑異三聚氰酸加成物、2-甲基咪唑異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑及2-苯基-4-甲基-5-二羥基甲基咪唑等。
作為上述磷化合物，可列舉三苯基膦等。
作為上述胺化合物，可列舉：二乙基胺、三乙基胺、二伸乙基四胺、三伸乙基四胺及4,4-二甲胺基吡啶等。
作為上述有機金屬化合物，可列舉：環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、雙乙醯丙酮鈷(II)及三乙醯丙酮鈷(III)等。
上述硬化促進劑之含量並無特別限定。上述成分A 100重量%中，上述硬化促進劑之含量較佳為0.01重量%以上，且較佳為3重量%以下。若上述硬化促進劑之含量為上述下限以上及上述上限以下，則多層絕緣膜有效率地進行硬化。
[溶劑]
上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層分別含有或不含有溶劑。藉由使用上述溶劑，可將樹脂組合物之黏度控制於較佳範圍內，而可提高樹脂組合物之塗佈性。又，上述溶劑亦可用以獲得含有上述無機填充材之漿料。上述溶劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。
作為上述溶劑，可列舉：丙酮、甲醇、乙醇、丁醇、2-丙醇、2-甲氧基乙醇、2-乙氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、2-乙醯氧基-1-甲氧基丙烷、甲苯、二甲苯、甲基乙基酮、N,N-二甲基甲醯胺、甲基異丁基酮、N-甲基-吡咯啶酮、正己烷、環己烷、環己酮及作為混合物之石腦油等。
較佳為將大部分上述溶劑於使上述樹脂組合物或絕緣層硬化前或硬化時除去。因此，上述溶劑之沸點較佳為200℃以下，更佳為180℃以下。上述樹脂組合物中之上述溶劑之含量並無特別限定。考慮到樹脂組合物之塗佈性等，上述溶劑之含量可適當變更。
[其他成分]
為了改善耐衝擊性、耐熱性、樹脂之相溶性及作業性等，亦可於上述樹脂組合物及上述第1、第2絕緣層中分別添加阻燃劑、偶合劑、著色劑、抗氧化劑、抗紫外線劣化劑、消泡劑、增黏劑、搖變性賦予劑、及各種波長之吸收劑等。
作為上述偶合劑，可列舉：矽烷偶合劑、鈦偶合劑及鋁偶合劑等。作為上述矽烷偶合劑，可列舉：乙烯基矽烷、胺基矽烷、咪唑矽烷及環氧基矽烷等。
上述偶合劑之含量並無特別限定。上述成分A 100重量%中，上述偶合劑之含量較佳為0.01重量%以上，且較佳為5重量%以下。
作為上述各種波長之吸收劑，可列舉紫外線吸收劑等。上述紫外線吸收劑可適當選擇具有對應使用之紫外線雷射之波長之吸收帶的紫外線吸收劑。作為上述紫外線吸收劑，可列舉：氰基丙烯酸酯化合物及二苯甲酮化合物等。例如，較佳為於200~380nm之紫外線波長區域具有吸收帶之紫外線吸收劑，特佳為於300~320nm之紫外線波長區域具有吸收最大值之紫外線吸收劑。
上述氰基丙烯酸酯化合物及二苯甲酮化合物於300nm附近具有吸收最大值，因此藉由使用上述氰基丙烯酸酯化合物或二苯甲酮化合物，可提高硬化物之利用紫外線雷射之加工性。氰基丙烯酸酯化合物及二苯甲酮化合物較佳為對溶劑之溶解性良好之化合物。其中，較理想為不使用含有氯至有電絕緣性變差之虞程度的化合物。
上述紫外線吸收劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。上述紫外線吸收劑之含量相對於熱硬化性樹脂與硬化劑之合計100重量份，較佳為0.5重量份以上，更佳為1重量份以上，進而較佳為2.5重量份以上，且較佳為50重量份以下，更佳為30重量份以下，進而較佳為10重量份以下。若上述紫外線吸收劑之含量為上述下限以上，則溝槽之加工性更進一步變良好。若上述紫外線吸收劑之含量為2.5重量份以 上，則溝槽之加工性明顯變高。若上述紫外線吸收劑之含量為上述上限以下，則硬化物之機械物性及電特性更進一步變良好。
[多層絕緣膜之其他詳細內容]
作為將上述樹脂組合物成形為膜狀之方法，例如可列舉：使用擠出機，將樹脂組合物熔融混練，擠出後，藉由T型模具或圓形模具等而成形為膜狀之擠出成形法；將樹脂組合物溶解或分散於溶劑中後，進行澆鑄而成形為膜狀之澆鑄成形法；以及先前公知之其他膜成形法等。其中，就可對應於薄型化之方面而言，較佳為擠出成形法或澆鑄成形法。膜包括片材。該膜係具有第1、第2絕緣層之多層絕緣膜。作為多層化之方法，例如可列舉：利用熱滾筒貼合機等將各自分別成形之2片膜進行貼合之方法；於塗佈或擠出時，同時或逐步將膜成形而成形多層絕緣膜之方法；以及先前公知之其他多層絕緣膜成形法等。其中，就於上述膜成形法中可連動之方面而言，較佳為多層擠出成形法或多層澆鑄成形法。
將上述樹脂組合物成形為膜狀，以利用熱之硬化不過度進行之程度，例如於90~200℃下進行1~180分鐘加熱乾燥，藉此可獲得B階段膜。
將可藉由如上述之乾燥步驟而獲得之膜狀之樹脂組合物稱為B階段膜。上述B階段膜為處於半硬化狀態之半硬化物。半硬化物未完全硬化，從而硬化可進一步進行。
上述B階段膜亦可為預浸體。特別是僅將第1絕緣層製成預浸體之情形時，於利用雷射等選擇性削去第2絕緣層時，玻璃布之有無導致切削容易度之差異。上述B階段膜亦可並非為預浸體。
上述多層絕緣膜可於一表面或兩面積層基材，而以積層膜之狀態使用。上述積層膜較佳為具備上述多層絕緣膜、與積層於上述多層絕緣膜之一表面或兩面之基材。
作為上述積層膜之上述基材，可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯膜及聚對苯二甲酸丁二酯膜等聚酯樹脂膜、聚乙烯膜及聚丙烯膜等烯烴樹脂膜、聚醯亞胺樹脂膜、銅箔及鋁箔等金屬箔等。上述基材之表面亦可根據需要而實施脫模處理、抗靜電處理、或印刷等表面處理。
以下，藉由列舉實施例而對本發明具體地進行說明。本發明並不限定於以下之實施例。
(熱硬化性樹脂)
(1)雙酚A型環氧樹脂(DIC公司製造之「850-S」，環氧當量187，固形物成分100重量%)
(2)聯苯型環氧樹脂含有液(日本化藥公司製造之「NC-3000-FH-75M」，環氧當量330，含有固形物成分75重量%與甲基乙基酮25重量%)
(3)聯苯型環氧樹脂(日本化藥公司製造之「NC-3000」，環氧當量275，固形物成分100重量%)
(硬化劑)
(1)氰酸酯硬化劑含有液(Lonza Japan公司製造之「BA-230S」，氰酸酯當量235，含有固形物成分75重量%與甲基乙基酮25重量%)
(2)聚醯亞胺系硬化劑含有液(DIC公司製造之「V-8000」，含有固形物成分40重量%與乙二醇乙酸酯60重量%)
(硬化促進劑)
(1)咪唑化合物(2-苯基-4甲基咪唑，四國化成工業公司製造之「2P4MZ」)
(熱塑性樹脂)
(1)苯氧基樹脂含有液(三菱化學公司製造之「YX6954BH30」，含有固形物成分30重量%與甲基乙基酮35重量%與環己酮35重量%)
(光反應性樹脂)
(1)正型感光性聚苯并唑樹脂(SUMITOMO BAKELITE公司製造之「CRC-8800」，含有固形物成分50重量%與γ-丁內酯50重量%)
(2)DNQ鄰疊氮萘醌(東洋合成工業公司製造之「PC-5」，固形物成分100重量%)
(紫外線吸收劑)
(1)氰基丙烯酸酯化合物(BASF公司製造之「Uvinul3035」)
(無機填充材)
(1)球狀二氧化矽1(利用具有N-苯基-3-胺基丙基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-573」)對Admatechs公司製造之「SOC2」進行表面處理之球狀二氧化矽，平均粒徑0.5μm)
(2)球狀二氧化矽2(利用具有3-縮水甘油氧基丙基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-403」)對Admatechs公司製造之「SOC1」進行表面處理之球狀二氧化矽，平均粒徑0.25μm)
(3)球狀二氧化矽3(利用甲基丙烯基矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-503」)對Admatechs公司製造之「YC100C」進行表面處理之球狀二氧化矽，平均粒徑0.10μm)
(溶劑)
(1)溶劑(CHN、環己酮、和光純藥工業公司製造之「037-05096」)
(2)溶劑(MEK、甲基乙基酮、和光純藥工業製造之「592-37021」)
(實施例1)
為了獲得實施例1之第1絕緣層，而製備下述之第1樹脂組合物清漆。於氰酸酯硬化劑含有液(Lonza Japan公司製造之「BA-230S」)7.4重量份中混合雙酚A型環氧樹脂(DIC公司製造之「850-S」)7.8重量份、聯苯型環氧樹脂含有液(日本化藥公司製造之「NC-3000-FH- 75M」)8.7重量份、咪唑化合物(四國化成工業公司製造之「2P4MZ」)0.3重量份、苯氧基樹脂含有液(三菱化學公司製造之「YX6954BH30」)8.2重量份、球狀二氧化矽1(利用具有N-苯基-3-胺基丙基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-573」)對Admatechs公司製造之「SOC2」進行表面處理之球狀二氧化矽)38.1重量份、球狀二氧化矽2(利用具有3-縮水甘油氧基丙基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-403」對Admatechs公司製造之「SOC1」進行表面處理之球狀二氧化矽)6.5重量份、及環己酮(和光純藥工業公司製造之「037-05096」)23.0重量份，於常溫下進行攪拌直至成為均勻之溶液，而獲得第1樹脂組合物清漆。
為了獲得實施例1之第2絕緣層，而製備下述之第2樹脂組合物清漆。於氰酸酯硬化劑含有液(Lonza Japan公司製造之「BA-230S」)11.9重量份中混合雙酚A型環氧樹脂(DIC公司製造之「850-S」)12.6重量份、聯苯型環氧樹脂含有液(日本化藥公司製造之「NC-3000-FH-75M」)14.0重量份、咪唑化合物(四國化成工業公司製造之「2P4MZ」)0.5重量份、苯氧基樹脂含有液(三菱化學公司製造之「YX6954BH30」)13.1重量份、球狀二氧化矽1(利用具有N-苯基-3-胺基丙基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-573」)對Admatechs公司製造之「SOC2」進行表面處理之球狀二氧化矽)26.2重量份、球狀二氧化矽2(利用具有3-縮水甘油氧基丙基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-403」對Admatechs公司製造之「SOC1」進行表面處理之球狀二氧化矽)5.2重量份、及環己酮(和光純藥工業公司製造之「037-05096」)16.5重量份，於常溫下進行攪拌直至成為均勻之溶液，而獲得第2樹脂組合物清漆。
使用敷料器，將獲得之第1、第2樹脂組合物清漆分別塗佈於PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)膜(Toray公司製 造之「XG284」，厚度25μm)之脫模處理面上，之後於100℃之吉爾老化恆溫箱內進行2分鐘乾燥，使溶劑揮發。以上述方式，於PET膜上分別獲得厚度為15μm，且溶劑之殘量為1.0重量%以上且4.0重量%以下之片材狀的成形體作為第1絕緣層及第2絕緣層。使用隔膜式真空貼合機(名機製作所公司製造之「MVLP-500」)，將獲得之2個成形體貼合，而獲得積層第1絕緣層與第2絕緣層而成之多層絕緣膜。
(實施例2~4、比較例1及參考例1)
將使用之調配成分之種類及調配量(重量份)以下述表1所示之方式進行變更，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得第1、第2樹脂組合物清漆及片材狀之成形體，而製作多層絕緣膜。
(實施例5)
為了獲得實施例1之第1絕緣層，而製備下述之第1樹脂組合物清漆。於氰酸酯硬化劑含有液(Lonza Japan公司製造之「BA-230S」)11.9重量份中混合雙酚A型環氧樹脂(DIC公司製造之「850-S」)12.6重量份、聯苯型環氧樹脂含有液(日本化藥公司製造之「NC-3000-FH-75M」)14.0重量份、咪唑化合物(四國化成工業公司製造之「2P4MZ」)0.5重量份、苯氧基樹脂含有液(三菱化學公司製造之「YX6954BH30」)13.1重量份、球狀二氧化矽1(利用具有N-苯基-3-胺基丙基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-573」)對Admatechs公司製造之「SOC2」進行表面處理之球狀二氧化矽)26.2重量份、球狀二氧化矽2(利用具有3-縮水甘油氧基丙基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-403」對Admatechs公司製造之「SOC1」進行表面處理之球狀二氧化矽)5.2重量份、及環己酮(和光純藥工業公司製造之「037-05096」)16.6重量份，於常溫下進行攪拌直至成為均勻之溶液，而獲得第1樹脂組合物清漆。
為了獲得實施例1之第2絕緣層，而製備下述之第2樹脂組合物清 漆。於氰酸酯硬化劑含有液(Lonza Japan公司製造之「BA-230S」)3.2重量份中混合雙酚A型環氧樹脂(DIC公司製造之「850-S」)3.3重量份、聯苯型環氧樹脂含有液(日本化藥公司製造之「NC-3000-FH-75M」)3.8重量份、咪唑化合物(四國化成工業公司製造之「2P4MZ」)0.1重量份、正型感光性聚苯并唑樹脂(SUMITOMO BAKELITE公司製造之「CRC-8800」)47.4重量份、球狀二氧化矽1(利用具有N-苯基-3-胺基丙基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-573」)對Admatechs公司製造之「SOC2」進行表面處理之球狀二氧化矽)23.7重量份、球狀二氧化矽2(利用具有3-縮水甘油氧基丙基之矽烷偶合劑(信越化學工業公司製造之「KBM-403」)對Admatechs公司製造之「SOC1」進行表面處理之球狀二氧化矽)4.2重量份、及環己酮(和光純藥工業公司製造之「037-05096」)14.2重量份，於常溫下進行攪拌直至成為均勻之溶液，而獲得第2樹脂組合物清漆。
使用敷料器，將獲得之第1、第2樹脂組合物清漆分別塗佈於PET膜(Toray公司製造之「XG284」，厚度25μm)之脫模處理面上，之後於100℃之吉爾老化恆溫箱內進行2分鐘乾燥，使溶劑揮發。以上述方式，於PET膜上分別獲得厚度為15μm，且溶劑之殘量為1.0重量%以上且4.0重量%以下之片材狀的成形體作為第1絕緣層及第2絕緣層。使用隔膜式真空貼合機(名機製作所公司製造之「MVLP-500」)，將獲得之2個成形體貼合，而獲得積層第1絕緣層與第2絕緣層而成之多層膜。
(實施例6、比較例2及參考例2)
將使用之調配成分之種類及調配量(重量份)以下述表2所示之方式進行變更，除此以外，以與實施例5相同之方式獲得第1、第2樹脂組合物清漆及片材狀之成形體，而製作多層絕緣膜。
(評價基板之製作)
積層板之底層處理：將藉由蝕刻而形成內層電路之玻璃環氧基板(利昌工業公司製造之「CS-3665」)之兩面浸漬於銅表面粗化劑(MEC公司製造之「Mec Etch Bond CZ-8100」)中，而對銅表面進行粗化處理。
層壓：將獲得之多層絕緣膜以第1絕緣層接觸於經底層處理之上述玻璃環氧基板的方式進行設置，使用隔膜式真空貼合機(名機製作所公司製造之「MVLP-500」)進行貼合(層壓)。層壓係藉由如下方式進行，即減壓20秒鐘而將氣壓設為13hPa以下，其後以100℃、壓力0.8MPa進行20秒鐘加壓。
多層絕緣膜之硬化：繼而，於實施例1~4、比較例1、2及參考例1、2中，於150℃及60分鐘之硬化條件下使片材狀之成形體硬化而獲得積層樣品。於實施例5中，於120℃及4分鐘之硬化條件下使片材狀之成形體硬化而獲得積層樣品。於實施例6中，不進行熱硬化而獲得積層樣品。
溝槽之形成：關於實施例1~4及比較例1、2，自第2絕緣層側利用紫外線雷射加工機(Hitachi Via Mechanics公司製造)，以波長355nm、脈衝頻率30kHz、輸出0.04mJ、發射數10對上述多層絕緣膜照射雷射，而以配線間距離20μm形成寬度20μm、深度15μm(=第2絕緣層之厚度)之溝槽，從而形成電路圖案之溝槽。
關於實施例5，以下述條件進行曝光、顯影，而以配線間距離20μm形成寬度20μm、深度15μm(=第2絕緣層之厚度)之溝槽，其後於150℃及60分鐘之硬化條件下進行硬化。
曝光/顯影條件係如下所述。
顯影液：TMAH(氫氧化四甲基銨，Tetramethyl Ammonium Hydroxide)水溶液，洗液：純水，曝光：354nm紫外線照射200mJ/cm2，顯影：浸置式50秒鐘
關於實施例6，以下述條件進行曝光、顯影，而以配線間距離20μm形成寬度20μm、深度15μm(=第2絕緣層之厚度)之溝槽，其後於170℃及30分鐘之硬化條件下進行硬化。
曝光/顯影條件係如下所述。
顯影液：TMAH(氫氧化四甲基銨)、洗液：純水，曝光：354nm紫外線照射500mJ/cm2，顯影：浸置式180秒鐘(50℃)
除膠渣/粗化處理：於實施例1~6及比較例1、2中，於60℃之膨潤液(含有Atotech Japan公司製造之「Swelling Dip Securigant P」與和光純藥工業公司製造之「氫氧化鈉」之水溶液)中放入形成有溝槽之上述積層樣品。於膨潤溫度60℃下振盪20分鐘。其後，利用純水進行清洗。
於80℃之過錳酸鈉粗化水溶液(Atotech Japan公司製造之「Concentrate Compact CP」、和光純藥工業公司製造之「氫氧化鈉」)中放入經膨潤處理之上述積層樣品，於粗化溫度80℃下振盪20分鐘。其後，利用40℃之清洗液(Atotech Japan公司製造之「Reduction Securigant P」、和光純藥工業公司製造之「硫酸」)清洗10分鐘後，利用純水進一步進行清洗。以上述方式對硬化物之表層及電路圖案溝槽之內面進行除膠渣/粗化處理。
敏化處理：關於實施例1~6及比較例1、2，利用60℃之鹼清潔液(Atotech Japan公司製造之「Cleaner Securigant 902」)對經除膠渣/粗化處理之硬化物之表面進行5分鐘處理，而進行脫脂清洗。清洗後，利用25℃之預浸液(Atotech Japan公司製造之「Pre-dip Neogant B」)對上述硬 化物進行2分鐘處理。其後，利用40℃之活化劑(Atotech Japan公司製造之「Activator Neogant 834」)對上述硬化物進行5分鐘處理，而賦予鈀觸媒。繼而，利用30℃之還原液(Atotech Japan公司製造之「Reducer Neogant WA」)對硬化物進行5分鐘處理。
鍍敷處理：繼而，關於實施例1~6及比較例1、2，將上述硬化物放入化學銅液(全部為Atotech Japan公司製造之「Basic Printganth MSK-DK」、「Copper Printganth MSK」、「Stabilizer Printganth MSK」、「Reducer Cu」)中，實施無電電鍍直至鍍敷厚度成為0.5μm左右。於無電電鍍後，為了將殘留之氫氣除去，而於120℃之溫度下實施30分鐘退火處理。無電電鍍步驟之前之全部步驟係利用燒杯秤將處理液設為2L，一面使硬化物振盪一面實施。
繼而，對經無電電鍍處理之硬化物實施電解電鍍直至填滿電路圖案溝槽。作為電解鍍銅，使用硫酸銅溶液(和光純藥工業公司製造之「硫酸銅五水合物」、和光純藥工業公司製造之「硫酸」、Atotech Japan公司製造之「Basic leveler cupracid HL」、Atotech Japan公司製造之「修正劑cupracid GS」)，通過0.6A/cm2之電流而實施電解電鍍直至電鍍厚度成為25μm左右。鍍銅處理後，將硬化物於190℃下進行2小時加熱，而使硬化物進一步硬化。僅實施例5於其後進而於270℃下硬化30分鐘。又，僅實施例6於其後進而於200℃下硬化2小時。以上述方式，獲得將鍍銅層積層於上表面之硬化物。
圖案形成：關於實施例1~6及比較例1、2，對形成之鍍銅層中在圖案溝槽內以外之銅進行研磨，其後利用上述層壓之方法，以使第1絕緣層朝向基板側之方式將多層絕緣膜貼合於基板，於150℃及60分鐘，繼而於190℃下2小時之硬化條件下進行硬化，而獲得評價基板。
再者，關於參考例1、2，於上述多層絕緣膜之硬化後之步驟中進行通常之半加成法(SAP)，藉此獲得與實施例1~6及比較例1、2同樣地形成有線寬20μm、高度15μm、配線間距離20μm之溝槽的評價基板。
(評價)
1)電絕緣性
使用獲得之評價基板，施加6V之電壓100小時，利用絕緣電阻計測定絕緣率A。進而，於130℃、濕度85%之環境下施加6V之電壓100小時，利用絕緣電阻計測定絕緣率B。進而，將施加電壓後之樣品切斷，藉由顯微鏡觀察截面，而對電極間是否發生電子遷移進行評價。於B相對於A維持75%以上之值，且未發生電子遷移之情形時評價為良好(○)，於B相對於A未達75%，或發生電子遷移之情形時評價為不良(×)。
2)圖案形成性(溝槽深度之評價)
於上述電絕緣性之電子遷移評價時進行之樣品之截面觀察時，對厚度方向(上下方向)上銅圖案之底部距第1絕緣層與第2絕緣層之交界線的距離進行測量。對10個部位之圖案截面進行觀察，於相隔距離全部在±1.5μm以內之情形時評價為良好(○)，於相隔距離之至少1者超過±1.5μm，但相隔距離全部在±2.0μm以內之情形時評價為可使用(△)，於相隔距離之至少1者超過±2.0μm之情形時評價為不良(×)。
其中，關於參考例1、2，於基板結構上，上述評價無法進行，因此於圖案形成後，對其後層壓而成之多層絕緣膜進行除膠渣，以與上述相同之基準對多層絕緣膜之上表面(第2絕緣層之上表面)與圖案之上表面的位置進行評價。
3)起伏
於獲得之評價基板中，利用表面粗糙度計(Mitutoyo公司製造之 「SJ-301」)對因基板上表面圖案引起之起伏(undulation)進行測定。於測定值之最大值與最小值之差為1.0μm以下的情形時評價為良好(○)，於超過1.0μm且為2.0μm以下之情形時評價為可使用(△)，於超過2.0μm之情形時評價為不良(×)。
再者，關於表1中之預硬化後Tg(玻璃轉移溫度)，係表示於與預硬化相同之條件(150℃、60分鐘)下使獲得之多層絕緣膜單體硬化，使用銼刀分別自第1、第2絕緣層將樹脂削去，使用獲得之粉末，利用示差掃描熱量計(DSC TA公司製造之「Q2000」)進行測定而獲得之值。
將結果示於下述之表1、2。於調配成分之欄中，表示用以形成第1、第2絕緣層之第1、第2樹脂組合物清漆之組成。

Claims (9)

  1. 一種多層基板之製造方法，其係使用多層絕緣膜，該多層絕緣膜具有第1絕緣層、與積層於上述第1絕緣層之一表面之第2絕緣層，上述第1絕緣層及上述第2絕緣層分別含有無機填充材，上述第1絕緣層中之溶劑除外之成分100重量%中，上述無機填充材之含量為40重量%以上，上述第2絕緣層中之溶劑除外之成分100重量%中，上述無機填充材之含量為40重量%以上，上述第1絕緣層及上述第2絕緣層分別含有熱硬化性樹脂，且上述第2絕緣層係構成為：於將上述第2絕緣層部分除去時，可將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽；且上述製造方法具備如下步驟：於電路基板之表面上積層上述多層絕緣膜之步驟；將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去且將上述第2絕緣層部分除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽的步驟；及於形成於上述絕緣層之上述溝槽內藉由電鍍處理形成金屬配線之步驟。
  2. 如請求項1之多層基板之製造方法，其中於將上述第2絕緣層部分除去時，係將上述第2絕緣層切削、或溶解。
  3. 如請求項1或2之多層基板之製造方法，其中於將上述第2絕緣層部分除去時，係使上述第1絕緣層變得比上述第2絕緣層更硬。
  4. 如請求項1或2之多層基板之製造方法，其中上述多層絕緣膜為於自上述第2絕緣層側進行雷射直接成像時，可將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇地除去者，且 藉由自上述第2絕緣層側對上述多層絕緣膜進行雷射直接成像，從而將上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性除去且將上述第2絕緣層部分除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽。
  5. 如請求項1或2之多層基板之製造方法，其中於將上述第2絕緣層部分除去時，係使上述第1絕緣層中之樹脂成分的交聯度高於上述第2絕緣層中之樹脂成分的交聯度，或者，使上述第1絕緣層中之上述無機填充材的含量多於上述第2絕緣層中之上述無機填充材的含量。
  6. 如請求項1或2之多層基板之製造方法，其中使用上述第2絕緣層係以下述方式構成之多層絕緣膜：於將上述第2絕緣層部分除去時，可使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層溶解從而選擇性除去，而於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽，於獲得之絕緣層中形成上述第2絕緣層之厚度之深度之溝槽的步驟中，使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層選擇性溶解，且將上述第2絕緣層部分除去，於多層絕緣膜之狀態下可使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅一者硬化，或者於曝光後之顯影中使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層可部分溶解於顯影液，或者藉由雷射光之照射，可使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層溶解從而除去。
  7. 如請求項6之多層基板之製造方法，其中上述多層絕緣膜可於多層絕緣膜之狀態下使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅一者硬化。
  8. 如請求項6之多層基板之製造方法，其中於曝光後之顯影中，上 述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層可部分溶解於顯影液。
  9. 如請求項6之多層基板之製造方法，其中於將上述第2絕緣層部分除去時，藉由雷射光之照射，可使上述第1絕緣層與上述第2絕緣層中之僅上述第2絕緣層溶解從而除去。
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