JP6165502B2 - 測定装置 - Google Patents
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- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
Description
本実施の形態では、測定装置の一形態を、図2を用いて説明する。
実施の形態1では、3端子出力の検出部を有する測定装置について示したが、本実施の形態では、2端子出力の検出部を有する測定装置について、図3を用いて説明する。
実施の形態1では、3端子出力の検出部を有する測定装置について検出部にn型のMOSFETを用いた場合を示したが、本実施の形態では、p型のMOSFETを用いた場合について、図4を用いて説明する。
実施の形態2では、2端子出力の検出部を有する測定装置について検出部にn型のMOSFETを用いた場合を示したが、本実施の形態では、p型のMOSFETを用いた場合について、図5を用いて説明する。
本実施の形態では、実施の形態1で説明したFETに、MOSFET202及びMOSFET205としてチャネル形成領域に単結晶シリコンウェハを用い、OS−FET203、OS−FET204としてチャネル形成領域に酸化物半導体を用いた場合の断面構造の例、及びその作製方法の例について、図6を用いて説明する。
101 OS−FET
102 ゲート信号線
103 ソース信号線
104 容量素子
105 液晶素子
106 プローブ
107 ノード
201 プローブ針
202 MOSFET
203 OS−FET
204 OS−FET
205 MOSFET
206 出力端子
207 電源線
208 電源線
209 配線
210 保護回路部
211 検出部
301 プローブ針
302 MOSFET
303 OS−FET
304 OS−FET
305 出力端子
306 電源線
307 保護回路部
308 検出部
401 プローブ針
402 MOSFET
403 OS−FET
404 OS−FET
405 MOSFET
406 出力端子
407 電源線
408 電源線
409 配線
410 保護回路部
411 検出部
501 プローブ針
502 MOSFET
503 OS−FET
504 OS−FET
505 出力端子
506 電源線
507 保護回路部
508 検出部
Claims (4)
- プローブ針と、第1乃至第3のFETと、高電位側の電源線と、出力端子と、を有し、
前記第1のFETのゲートは、前記プローブ針と、前記第2のFETのゲート及びドレインと、前記第3のFETのソースと、に電気的に接続され、
前記第1のFETのドレインは、前記電源線と電気的に接続され、
前記第1のFETのソースは、前記出力端子と、前記第3のFETのゲート及びドレインとに直接接続され、
前記第2のFETのソースは、前記電源線と電気的に接続され、
前記第2のFET及び前記第3のFETは、チャネル形成領域に酸化物半導体膜が用いられていることを特徴とする測定装置。 - プローブ針と、第1乃至第3のFETと、低電位側の電源線と、出力端子と、を有し、
前記第1のFETのゲートは、前記プローブ針と、前記第2のFETのゲート及びドレインと、前記第3のFETのソースと、に電気的に接続され、
前記第1のFETのドレインは、前記電源線と電気的に接続され、
前記第1のFETのソースは、前記出力端子と、前記第2のFETのソースに直接接続され、
前記第3のFETのゲート及びドレインは、前記電源線と電気的に接続され、
前記第2のFET及び前記第3のFETは、チャネル形成領域に酸化物半導体膜が用いられていることを特徴とする測定装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記第2のFET及び前記第3のFETのオフ時の漏れ電流は、それぞれ10−24A以下であることを特徴とする測定装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記第1のFETと、前記第2のFET及び前記第3のFETとは、同一の素子基板に積層して設けられていることを特徴とする測定装置。
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