JP2019186443A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の一態様である半導体装置の構成について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した半導体装置に適用可能なOSトランジスタの構成例について説明する。
図11(A)乃至(C)は、一例として図示するOSトランジスタであるトランジスタ500の断面図である。図11(A)はトランジスタ500のチャネル長方向の断面図であり、図11(B)はトランジスタ500のチャネル幅方向の断面図であり、図11(C)はトランジスタ300のチャネル幅方向の断面図である。
図12(A)、(B)および(C)を用いてトランジスタ510Aの構造例を説明する。図12(A)はトランジスタ510Aの上面図である。図12(B)は、図12(A)に一点鎖線L1−L2で示す部位の断面図である。図12(C)は、図12(A)に一点鎖線W1−W2で示す部位の断面図である。なお、図12(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図13(A)、(B)および(C)を用いてトランジスタ510Bの構造例を説明する。図13(A)はトランジスタ510Bの上面図である。図13(B)は、図13(A)に一点鎖線L1−L2で示す部位の断面図である。図13(C)は、図13(A)に一点鎖線W1−W2で示す部位の断面図である。なお、図13(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図14(A)、(B)および(C)を用いてトランジスタ510Cの構造例を説明する。図14(A)はトランジスタ510Cの上面図である。図14(B)は、図14(A)に一点鎖線L1−L2で示す部位の断面図である。図14(C)は、図14(A)に一点鎖線W1−W2で示す部位の断面図である。なお、図14(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図15(A)、(B)および(C)を用いてトランジスタ510Dの構造例を説明する。図15(A)はトランジスタ510Dの上面図である。図15(B)は、図15(A)に一点鎖線L1−L2で示す部位の断面図である。図15(C)は、図15(A)に一点鎖線W1−W2で示す部位の断面図である。なお、図15(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
図16(A)乃至図16(C)を用いてトランジスタ510Eの構造例を説明する。図16(A)はトランジスタ510Eの上面図である。図16(B)は、図16(A)に一点鎖線L1−L2で示す部位の断面図である。図16(C)は、図16(A)に一点鎖線W1−W2で示す部位の断面図である。なお、図16(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。
本実施の形態では、上記実施の形態で説明した半導体装置を用いることができる製品イメージ、および電子装置の一例について説明する。
以上の実施の形態、及び実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。
101 センサ
102 システム制御回路
103 電源制御回路
104 記憶装置
105 演算装置
106 範囲
107 範囲
111 スイッチ
112 インバータ回路
113 トランジスタ
114 トランジスタ
115 トランジスタ
116 トランジスタ
121 トランジスタ
122 トランジスタ
123 インバータ回路
230 酸化物
300 トランジスタ
500 トランジスタ
510A トランジスタ
510B トランジスタ
510C トランジスタ
510D トランジスタ
510E トランジスタ
511 絶縁体
512 絶縁体
514 絶縁体
516 絶縁体
520 絶縁体
521 絶縁体
522 絶縁体
524 絶縁体
530 酸化物
530a 酸化物
530b 酸化物
530c 酸化物
531 領域
531a 領域
531b 領域
540a 導電体
540b 導電体
542 導電体
542a 導電体
542b 導電体
543 領域
543a 領域
543b 領域
544 絶縁体
545 絶縁体
546 導電体
546a 導電体
546b 導電体
547 導電体
547a 導電体
547b 導電体
550 絶縁体
552 金属酸化物
560 導電体
560a 導電体
560b 導電体
570 絶縁体
571 絶縁体
573 絶縁体
574 絶縁体
575 絶縁体
576 絶縁体
576a 絶縁体
576b 絶縁体
580 絶縁体
581 絶縁体
582 絶縁体
584 絶縁体
5700 自動車
5800 電動二輪車
5900 電子レンジ
6000 電気冷凍冷蔵庫
7000A IC
7000B IC
7001 リード
7002 プリント基板
7003A 回路部
7003B 回路部
7004 実装基板
7031 OSトランジスタ層
7032 配線層
7033 OSトランジスタ層
Claims (5)
- センサと、システム制御回路と、電源制御回路と、記憶装置と、を有し、
前記センサは、取得した第1のデータ信号を前記システム制御回路に出力する機能を有し、
前記システム制御回路は、前記第1のデータ信号に応じて、前記電源制御回路が出力する複数の電圧レベルを切り替えるための第2のデータ信号を出力する機能を有し、
前記電源制御回路は、前記第2のデータ信号に応じて前記電圧レベルのいずれか一を前記記憶装置に出力する機能を有し、
前記記憶装置は、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタで構成されること、を特徴とする半導体装置。 - センサと、システム制御回路と、電源制御回路と、記憶装置と、プロセッサと、を有し、
前記センサは、取得した第1のデータ信号を前記システム制御回路に出力する機能を有し、
前記システム制御回路は、前記第1のデータ信号に応じて、前記電源制御回路が出力する複数の電圧レベルを切り替えるための第2のデータ信号、および前記プロセッサをアクティブ状態または休止状態を切り替えるための第3のデータ信号を出力する機能を有し、
前記電源制御回路は、前記第2のデータ信号または前記第3のデータ信号に応じて前記電圧レベルのいずれか一を前記記憶装置に出力する機能を有し、
前記記憶装置は、チャネル形成領域に金属酸化物を有するトランジスタで構成されること、を特徴とする半導体装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記トランジスタは、前記トランジスタのソースに印加される電位、および前記トランジスタのドレインに印加される電位より、低い電位が印加されるゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記金属酸化物は、In(インジウム)またはZn(亜鉛)の一方または双方を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、
前記金属酸化物は、Ga(ガリウム)を含むことを特徴とする、半導体装置。
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