JP6160099B2 - 化学増幅ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 - Google Patents
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Description
更に、被加工基板上に上記化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線をパターン照射する工程、アルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むレジストパターン形成方法を提供する。この場合、上記高エネルギー線が、EUV又は電子線であることが好ましく、上記被加工基板はフォトマスクブランクであり、特にこのフォトマスクブランクの最表面が、クロム系材料にて形成されたものであることが好ましい。
なお、本発明において、フェノール性水酸基を有する繰り返し単位としては、式(2)で示される繰り返し単位、式(4)で示される繰り返し単位、式(5)で示される繰り返し単位を挙げることができる。フルオロアルコール基を有する繰り返し単位としては、式(3)で示される繰り返し単位を挙げることができる。
(式中、A、B、Cは単結合、又は鎖の中間にエーテル性酸素原子を含んでもよい炭素数1〜10のアルキレン基を示す。Dは単結合又はフッ素で置換されてもよく、鎖の中間にエーテル性酸素原子、カルボニル基、又はカルボニルオキシ基を含んでもよい炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の(v+1)価の脂肪族炭化水素基を示す。R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を示す。R2、R3、R4、R5、R6はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数2〜8のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアシルオキシ基、炭素数1〜6のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、又は炭素数1〜6のハロゲン置換されていてもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルコキシ基を示す。Lは水素原子又は鎖の中間にエーテル性酸素原子、カルボニル基、又はカルボニルオキシ基を含んでもよい炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状の脂肪族一価炭化水素基、又は置換基を有してもよい一価芳香環基であり、Rx、Ryはそれぞれ水素原子、又はヒドロキシ基もしくはアルコキシ基が置換されていてもよい炭素数1〜15のアルキル基であり、Rx、Ryは互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよいが、Rx、Ryは同時に水素原子になることはない。Rf1、Rf2は少なくとも1つのフッ素原子を有する炭素数1〜6のアルキル基を表し、Rf1はDと結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。fは1〜3の整数、gは0〜3の整数、hは1又は2、i、jは0〜3の整数、rは0又は1、vは1又は2、s、t、uは0〜2の整数を表し、aは(5+2s−f)の整数、bは(5+2t−g)の整数、cは(5+2u−h)の整数、dは0〜5の整数、eは0〜3の整数である。m、n、pはそれぞれ独立に0又は1を表す。但し、rが0である場合、pは1である。)
は高エネルギー線の照射を受けた際、酸発生剤より発生する酸の作用により酸脱離基が脱離反応を起こし、そのもの自身によるアルカリ不溶化及びポリマー間の架橋反応を誘発する繰り返し単位であり、より好ましくは、下記一般式(6)の繰り返し単位
で表わされる。
上記リンカーであるAは酸素原子に置換されていてもよい炭素数1〜10の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基等の二価炭化水素基であるが、リンカーでAの好ましい具体例を式(1)の単位の下記例示構造に組み込まれたものとして示す。なお、下記例中、Meはメチル基、Acはアセチル基を示す。
(式中、R1は上記一般式(1)の定義と同じであり、kは1〜3である。)
また、rが0である場合にはpは1、Cは単結合であり、Dはポリマー主鎖にカルボニルオキシ基を介して結合する。この場合も、Dは隣接位炭素がフッ素置換された炭素に結合したヒドロキシ基を1又は2個持つ。
(式中、R5とdは上記一般式(4)の定義と同じである。)
(式中、R1は水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表し、Yは酸素原子又はメチレン基を表し、Zは水素原子又は水酸基を表し、R’は炭素数1〜4のアルキル基を表し、pは0〜3の整数を表す。)
で示される単位を挙げることができる。これらの単位は、酸性を示さず、基板に対する密着性を与える単位として補助的に用いることができる。
(式中、R7、R8はそれぞれ炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜20のアラルキル基、炭素数2〜10のヒドロキシアルキル基、炭素数2〜10のアルコキシアルキル基、炭素数2〜10のアシルオキシアルキル基、又は炭素数1〜10のアルキルチオアルキル基のいずれかである。またR7とR8が結合してこれらが結合する窒素原子と共に環構造を形成してもよい。R9は水素原子、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜20のアラルキル基、炭素数2〜10のヒドロキシアルキル基、炭素数2〜10のアルコキシアルキル基、炭素数2〜10のアシルオキシアルキル基、炭素数1〜10のアルキルチオアルキル基、又はハロゲン基のいずれかである。R10は単結合、炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、又は炭素数6〜20のアリーレン基である。R11は炭素数2〜20の直鎖状又は分岐状の置換可アルキレン基であり、但し、アルキレン基の炭素−炭素間にカルボニル基(−CO−)、エーテル基(−O−)、エステル基(−COO−)、スルフィド(−S−)を1個あるいは複数個含んでいてもよい。また、R12は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基、又は炭素数6〜20のアリーレン基である。)
即ち、o−ジメチルアミノ安息香酸、p−ジメチルアミノ安息香酸、m−ジメチルアミノ安息香酸、p−ジエチルアミノ安息香酸、p−ジプロピルアミノ安息香酸、p−ジブチルアミノ安息香酸、p−ジブチルアミノ安息香酸、p−ジペンチルアミノ安息香酸、p−ジヘキシルアミノ安息香酸、p−ジエタノールアミノ安息香酸、p−ジイソプロパノールアミノ安息香酸、p−ジメタノールアミノ安息香酸、2−メチル−4−ジエチルアミノ安息香酸、2−メトキシ−4−ジエチルアミノ安息香酸、3−ジメチルアミノ−2−ナフタレン酸、3−ジエチルアミノ−2−ナフタレン酸、2−ジメチルアミノ−5−ブロモ安息香酸、2−ジメチルアミノ−5−クロロ安息香酸、2−ジメチルアミノ−5−ヨード安息香酸、2−ジメチルアミノ−5−ヒドロキシ安息香酸、4−ジメチルアミノフェニル酢酸、4−ジメチルアミノフェニルプロピオン酸、4−ジメチルアミノフェニル酪酸、4−ジメチルアミノフェニルリンゴ酸、4−ジメチルアミノフェニルピルビン酸、4−ジメチルアミノフェニル乳酸、2−(4−ジメチルアミノフェニル)安息香酸、2−(4−(ジブチルアミノ)−2−ヒドロキシベンゾイル)安息香酸等が挙げられる。
即ち、1−ピペリジンプロピオン酸、1−ピペリジン酪酸、1−ピペリジンリンゴ酸、1−ピペリジンピルビン酸、1−ピペリジン乳酸等が挙げられる。
窒素雰囲気下、200mLの滴下シリンダーに4−アセトキシスチレン39.26g、アセナフチレン6.14g、4−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)スチレン19.6g、ジメチル−2,2’−アゾビス−(2−メチルプロピオネート)(和光純薬工業社製、商品名V601)7.43g、溶媒としてメチルエチルケトンを90g加えた溶液を調製した。更に窒素雰囲気下とした別の500mL重合用フラスコに、メチルエチルケトンを60g加え、80℃に加温した状態で、上記で調製した溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合温度を80℃に維持しながら18時間撹拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液を1,000gのヘキサンに滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別した共重合体をヘキサン200gで2回洗浄した。得られた共重合体を窒素雰囲気下で、1Lフラスコ中、テトラヒドロフラン126gとメタノール42gとの混合溶剤に溶解し、エタノールアミン16.3gを加え、60℃で3時間攪拌した。この反応溶液を減圧濃縮し、得られた濃縮物を300gの酢酸エチルと水80gとの混合溶剤に溶解させ、得られた溶液を分液ロートに移し、酢酸8.2gを加え、分液操作を行った。下層を留去し、得られた有機層に水80g及びピリジン10.9gを加え、分液操作を行った。下層を留去し、更に得られた有機層に水80gを添加して水洗分液を行った(水洗分液は計5回)。分液後の有機層を濃縮後、アセトン140gに溶解し、得られたアセトン溶液を水2,500gに滴下して、得られた晶出沈澱物を濾過、水洗浄を行い、2時間吸引ろ過を行った後、再度得られた濾別体をアセトン150gに溶解し、得られたアセトン溶液を水2,800gに滴下して得られた晶出沈澱物を濾過、水洗浄、乾燥を行い、白色重合体を45.0g得た。得られた重合体を13C−NMR,1H−NMR、及びGPCで測定したところ、以下の分析結果となった。
窒素雰囲気下、300mLの滴下シリンダーに、4−ヒドロキノンモノメタクリレートを39.5g、アセナフチレンを7.0g、4−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)スチレンを18.6g、ジメチル−2,2’−アゾビス−(2−メチルプロピオネート)(和光純薬工業(株)製、商品名V601)を7.0g、及び溶媒としてメチルエチルケトンを90g加えた溶液を調製した。更に窒素雰囲気下とした別の500mL重合用フラスコに、メチルエチルケトンを60g加え、80℃に加温した状態で、上記で調製した溶液を4時間かけて滴下した。滴下終了後、重合温度を80℃に維持しながら16時間攪拌を続け、次いで室温まで冷却した。得られた重合液を1,200gのヘキサンに滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別した共重合体をヘキサン250gで2回洗浄し、更に得られた濾別体をメチルエチルケトン160gに再度溶解し、得られたメチルエチルケトン溶液をヘキサン1,200gに滴下し、析出した共重合体を濾別した。濾別した共重合体をヘキサン250gで2回洗浄を行い、乾燥して、白色の共重合体を55g得た。得られた重合体を13C−NMR,1H−NMR、及びGPCで測定したところ、以下の分析結果となった。
各単量体の種類、配合比を変えた以外は、ポリマー合成例1又は2と同じ手順により、表1に示したポリマー2〜4、6〜14を製造した。なお、下記表1において、導入比はモル比を示す。
ネガ型レジスト組成物の調製
上記で合成したポリマー(ポリマー1〜14)、下記式で示されるポリマーJ、ポリマーK、ポリマーL、酸発生剤(PAG−A、PAG−B)、塩基性化合物(Base−1、Base−2、Base−3)を表6に示す組成で有機溶剤中に溶解してレジスト組成物を調合し、更に各組成物を0.2μmのテフロン(登録商標)製フィルターで濾過することにより、ネガ型レジスト組成物の溶液をそれぞれ調製した。
また、一部組成物には、添加剤として、テトラメトキシメチルグリコールウリル(TMGU)、界面活性剤としてPF−636(OMNOVA SOLUTIONS製)を固形分量に対して0.075質量部添加した。
上記調製したネガ型レジスト組成物(実施例1〜22、比較例1〜3)をACT−M(東京エレクトロン(株)製)を用いて152mm角の最表面が酸化窒化クロム膜であるマスクブランク上にスピンコーティングし、ホットプレート上で、110℃で600秒間プリベークして80nmのレジスト膜を作製した。得られたレジスト膜の膜厚測定は、光学式測定器ナノスペック(ナノメトリックス社製)を用いて行った。測定はブランク外周から10mm内側までの外縁部分を除くブランク基板の面内81箇所で行い、膜厚平均値と膜厚範囲を算出した。
作製したパターン付きブランクを上空SEM(走査型電子顕微鏡)で観察し、200nmの1:1のラインアンドスペース(LS)を1:1で解像する露光量を最適露光量(μC/cm2)とし、400nmのラインアンドスペースを1:1で解像する露光量における最小寸法を解像度とし、200nmLSのエッジラフネスをSEMで測定した。また、密パターン(アイソスペース(IS)/9:1)、疎パターン(アイソライン(IL)/1:9)についての限界解像度も測定した。パターン形状については、矩形か否かを目視にて判定した。EB描画における本発明のレジスト組成物及び比較用のレジスト組成物の評価結果を表7に示す。なお、表7に示す最適露光量とは、LS基準の値である。
また、上記作製したパターン付きブランクのLS、IL、ISパターンのリニアリティー評価(目的の線幅が忠実に形成できているか否か)を各パターンにおいて400nmの線幅(ISはスペース幅)が形成できる露光量を基準として行った。表8にその露光量で描画した100nmの線幅に対する忠実度を示す。
Claims (18)
- 高エネルギー線の照射により酸発生剤より発生する酸を触媒として、レジストポリマーに含まれる脱離基が脱離反応を起こし、アルカリ性現像液に対して不溶化する機構を有する化学増幅ネガ型レジスト組成物において、レジストポリマーとして、下記一般式(1)の繰り返し単位を含み、更に、下記一般式(2)、(3)から選ばれる1種以上の繰り返し単位と下記一般式(4)、(5)から選ばれる1種以上の繰り返し単位を含有し、下記一般式(1)以外の繰り返し単位のうち少なくとも一つの繰り返し単位はフェノール性水酸基及び/又はフルオロアルコール基を有し、ポリマーを構成する全繰り返し単位に対する、下記一般式(1)以外の繰り返し単位の合計が25〜95モル%であり、式(4)及び(5)から選ばれる1種以上の繰り返し単位の含有量が3〜30モル%であるポリマーを含有することを特徴とする化学増幅ネガ型レジスト組成物。
- 前記レジストポリマーが、式(1)の繰り返し単位と、式(2)及び(3)から選ばれる1種以上の繰り返し単位と、式(4)の繰り返し単位とを含むものである請求項1に記載の組成物。
- 前記レジストポリマーは、下記一般式(6)、(7)、(8)の繰り返し単位を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の組成物。
- 式(6)のR1が水素原子であり、式(7)のR1が水素原子である請求項3に記載の組成物。
- kが1である請求項3又は4に記載の組成物。
- Lが水素原子である請求項1〜5のいずれか1項に記載の組成物。
- Rx及びRyが独立に直鎖状及び分岐状のアルキル基から選択される請求項1〜6のいずれか1項に記載の組成物。
- Rx及びRyがそれぞれメチル基である請求項7に記載の組成物。
- fが1である請求項1〜8のいずれか1項に記載の組成物。
- dが0である請求項1〜9のいずれか1項に記載の組成物。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物を塗布したフォトマスクブランク。
- 被加工基板上に請求項1〜11のいずれか1項に記載の化学増幅ネガ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、高エネルギー線をパターン照射する工程、アルカリ性現像液を用いて現像してレジストパターンを得る工程を含むレジストパターン形成方法。
- 上記高エネルギー線が、EUV又は電子線である請求項13に記載のレジストパターン形成方法。
- 上記被加工基板はフォトマスクブランクである請求項13又は14に記載のレジストパターン形成方法。
- 上記フォトマスクブランクの最表面が、クロム系材料にて形成されたものである請求項15に記載のパターン形成方法。
- 上記レジスト膜の膜厚が、10〜100nmである請求項13〜16のいずれか1項記載のパターン形成方法。
- 上記レジストパターンの線幅が60nm以下である請求項13〜17のいずれか1項記載のパターン形成方法。
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