JP6077836B2

JP6077836B2 - 半導体装置、液体吐出ヘッド、液体吐出カートリッジ及び液体吐出装置

Info

Publication number: JP6077836B2
Application number: JP2012254627A
Authority: JP
Inventors: 鈴木　達也; 達也鈴木; 一成藤井
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2012-11-20
Filing date: 2012-11-20
Publication date: 2017-02-08
Anticipated expiration: 2032-11-20
Also published as: US9302478B2; CN103832074B; JP2014100856A; CN103832074A; US20140139590A1

Description

本発明は半導体装置、液体吐出ヘッド、液体吐出カートリッジ及び液体吐出装置に関する。

吐出口から液体を吐出する液体吐出ヘッドは、例えば液体としてインクを使用し、記録信号に応じてインクの吐出を制御してインクを紙等の記録媒体に付着させることにより、インクジェット方式の記録ヘッドとして用いられる。また、このような液体吐出ヘッドを備えた液体吐出装置は、例えばインクジェット記録装置として応用されている。熱エネルギーを利用するインクジェット記録ヘッドは、ヒータが発生した熱エネルギーを液体に付与することにより、液体中で選択的に発泡現象を生じさせ、その発泡のエネルギーにより吐出口からインク液滴を吐出する。近年、記録の高速化を実現するために吐出口数の増加が進んでいる。一方でボンディングパッド部から各ヒータまでの抵抗値のばらつきが大きくなり、複数のヒータに対して均等に電力を供給することが困難となっている。この対策として特許文献１の図５はヒータに電力を供給する導電線を複数に分割し、各導電線の抵抗値のばらつきを低減するための構成を開示している。図５ではヒータ１０１、パワートランジスタ１０２及び論理回路１０３の各４つを１セグメント（単位回路）とする。そして、ボンディングパッド部から遠い位置にあるセグメントへのＶＨ配線ほど配線幅を広くすることによって、各セグメントまでのＶＨ配線の抵抗値のばらつきを低減する。ボンディングパッド部から各セグメントまでのＧＮＤＨ配線についても同様である。これにより複数のヒータ対して均等に電力を供給することを目指す。

特許文献１による記録ヘッドでは、半導体基板上に配置されるヒータの個数を増やして記録ヘッドを長尺化した場合に、電源パッドに接続される導電線の分割数が多くなる。ボンディングパッド部から各セグメントへの配線幅は累積的に増加するため、配線レイアウトに必要な領域が拡大してしまい、記録ヘッドのサイズが大きくなる。このような課題に鑑みて、特許文献２は配線領域の拡大を抑制するための配線レイアウトを提案する。

特開２００５−１０４１４２号公報特開２０１１‐２４５８０１号公報

特許文献２の提案する配線レイアウトによって配線領域の拡大が抑制される場合もあるが、単位回路の個数やサイズ、配線の最小ラインスペースの値などによっては十分に抑制できない場合がある。そこで、本発明は、各単位回路までの配線抵抗値のばらつきを抑制しつつ、配線領域の拡大を抑制するための従来とは異なる技術を提供することを目的とする。

本発明の第１側面によれば、第１方向に並んだ複数の単位回路と、第１ボンディングパッドと、前記複数の単位回路をそれぞれ同一の前記第１ボンディングパッドに接続する複数の第１導電パターンとを備え、前記複数の第１導電パターンのそれぞれは、前記第１ボンディングパッドから繋がり前記第１方向に延在する第１部分と前記単位回路に接続された第２部分とを有し、前記複数の第１導電パターンの前記第２部分は、前記第１方向に並んで配され、前記複数の第１導電パターンの１つ以上において、前記第２部分を通り前記第１方向に延びる線に対して前記第１部分が第１側に位置し、前記複数の第１導電パターンの別の１つ以上において、前記第２部分を通り前記第１方向に延びる線に対して前記第１部分が前記第１側とは反対の第２側に位置することを特徴とする半導体装置が提供される。

上記手段により、各単位回路までの配線抵抗値のばらつきを抑制しつつ、配線領域の拡大を抑制するための従来とは異なる技術が提供される。

本発明の第１実施形態の半導体装置の回路構成図。本発明の第１実施形態の半導体装置の配線レイアウト図。比較例の半導体装置の配線レイアウト図。本発明の第１実施形態の半導体装置の変形例の配線レイアウト図。本発明の第１実施形態の半導体装置の別の変形例の配線レイアウト図。本発明のその他の実施形態を説明する図。

添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。複数の実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する。また、各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。本発明は一般に、一列に並んだ複数の単位回路を有し、単位回路ごとにボンディングパッドから導電パターンが接続される半導体装置に適用可能である。以下ではそのような半導体装置の一例として、熱エネルギーを利用してインクを吐出する方式のインクジェット記録ヘッドを制御するために用いられる半導体装置を扱う。

＜第１実施形態＞
図１を用いて本実施形態に係る半導体装置１００の回路構成の一例について説明する。半導体装置１００の半導体基板は、インクジェット記憶ヘッド内のノズル中の液体であるインクを吐出させるために熱エネルギーをインクに作用させる記録素子として機能する複数のヒータ１０１を備えうる。ヒータ１０１に電流が流れると、流れた電流に応じて熱が発生する。半導体装置１００の半導体基板はさらに、駆動回路として機能する複数のｎ型のパワートランジスタ１０２を備えてもよく、それぞれのパワートランジスタ１０２はヒータ１０１に接続されてヒータ１０１を駆動するための電流を供給する。半導体装置１００においてヒータ１０１とパワートランジスタ１０２とは１対１に対応しており、１つの対が１つの駆動部を構成する。さらに、隣接する複数の駆動部で１つのセグメント（単位回路）が構成される。本実施形態の半導体装置１００では、一例として、隣接する４つの駆動部で１つのセグメント１０４が構成される。

各セグメント１０４は、導電パターンによって２つのボンディングパッド１０５ａ、１０５ｂに接続される。ボンディングパッド１０５ａ、１０５ｂは外部から、例えばインクジェット記録装置から電力の供給を受ける。一方のボンディングパッド１０５ａ（第２ボンディングパッド）に接続される導電パターン（第２導電パターン）をＶＨ配線１０６と呼ぶ。もう一方のボンディングパッド１０５ｂ（第１ボンディングパッド）に接続される導電パターン（第１導電パターン）をＧＮＤＨ配線１０７と呼ぶ。本実施形態では、ボンディングパッド１０５ａが正の電位を有し、ボンディングパッド１０５ｂが接地の役割を果たす場合を扱うが、その逆にボンディングパッド１０５ａが接地の役割を果たし、ボンディングパッド１０５ｂが正の電位を有してもよい。

ＶＨ配線１０６はボンディングパッド１０５ａの付近で分岐し、それぞれが各セグメント１０４まで延びる。各セグメント１０４において、ＶＨ配線１０６はさらに分岐し、それぞれが各ヒータ１０１に接続される。ＧＮＤＨ配線１０７も同様に、ボンディングパッド１０５ｂの付近で分岐し、それぞれが各セグメント１０４まで延びる。各セグメント１０４において、ＧＮＤＨ配線１０７はさらに分岐し、それぞれが各パワートランジスタ１０２に接続される。このように複数の駆動部をセグメントに分割し、各セグメントを個別にボンディングパッド１０５ａ、１０５ｂに接続することによって、配線抵抗の差による各セグメントに供給される電力の差を軽減できる。

ヒータ１０１の一端はＶＨ配線１０６に接続され、もう一端はパワートランジスタ１０２のソース又はドレインに接続される。パワートランジスタ１０２のソース及びドレインのうち、ヒータ１０１に接続されていない方はＧＮＤＨ配線１０７に接続される。また、パワートランジスタのゲート電極は論理回路１０３に接続される。論理回路１０３は外部からの信号（図示しない）によりパワートランジスタ１０２の駆動を制御しうる。論理回路１０３は従来の回路構成と同じであってもよいため、具体的な回路構成についての説明を省略する。

続いて、図２を用いて本実施形態の半導体装置１００の配線レイアウトの一例について説明する。図２に示される例では半導体装置１００は横一列に並んだ５つのセグメント１０４を有し、セグメント１０４が形成された領域の外側（例えば図面右側）にボンディングパッド１０５ａ、１０５ｂを有する。この５つのセグメント１０４をボンディングパッド１０５ａ、１０５ｂから近い順にそれぞれ１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄ及び１０４ｅで表す。

以下では説明のために、ＶＨ配線１０６及びＧＮＤＨ配線１０７を含む平面において、セグメント１０４ａ〜１０４ｅが並ぶ線上にｘ軸をとり、ｘ軸に直交するようにｙ軸をとった座標系２００を設定する。図面左向きをｘ軸正方向（第１方向）とし、図面上向きをｙ軸正方向（第２方向）とする。本明細書において、第１要素が第２要素の左側（第１側）にあるとは、ｙ軸方向からみて第１要素が第２要素のｘ軸正方向にある（すなわち、ｘ座標値が大きい）ことを意味する。この場合に、第１要素と第２要素とは、ｘ軸方向からみて重なる位置になくてもよい（すなわち、ｙ座標値の範囲が重複しなくてもよい）。同様に、第１要素が第２要素の右側（第２側）にあるとは、ｙ軸方向からみて第１要素が第２要素のｘ軸負方向にある（すなわち、ｘ座標値が小さい）ことを意味する。また、第１要素が第２要素の上側（第１側）にあるとは、ｘ軸方向からみて第１要素が第２要素のｙ軸正方向にある（すなわち、ｙ座標値が大きい）ことを意味する。この場合に、第１要素と第２要素とは、ｙ軸方向からみて重なる位置になくてもよい（すなわち、ｘ座標値の範囲が重複しなくてもよい）。同様に、第１要素が第２要素の下側（第２側）にあるとは、ｘ軸方向からみて第１要素が第２要素のｙ軸負方向にある（すなわち、ｙ座標値が小さい）ことを意味する。

図２（ａ）に示されるように、半導体装置１００には、半導体装置製造技術を用いて素子が形成されたシリコン半導体基板の上に、多層配線技術を用いて配線層が形成されている。本実施形態では例えばＶＨ配線１０６とＧＮＤＨ配線１０７との両方とも、２層目に位置する均一な厚さのアルミニウム配線層をパターニングすることで形成されうる。この形成方法では、ＶＨ配線１０６とＧＮＤＨ配線１０７とは同じ厚さになりうる。ＶＨ配線１０６はパワートランジスタ１０２が形成された領域の上に形成され、ＧＮＤＨ配線１０７は論理回路１０３が形成された領域と、パワートランジスタ１０２が形成された領域との上にわたって形成される。その結果、ＶＨ配線１０６とＧＮＤＨ配線１０７とはｙ軸方向に並ぶ。具体的には、ＧＮＤＨ配線１０７はＶＨ配線１０６の上側に位置する。

図３は本実施形態の効果を説明するための比較例となる半導体装置３００の配線レイアウト図である。半導体装置３００は特許文献１の図５に記載された２セグメントの配線レイアウトを５セグメントに拡張した場合に予想される配線レイアウトを示す。図２と同様の要素には同一の参照符号を付して説明を省略する。半導体装置３００は、ＶＨ配線１０６及びＧＮＤＨ配線１０７の代わりにＶＨ配線３０６及びＧＮＤＨ配線３０７を有する点で本実施形態の半導体装置１００とは異なる。

次に、図２（ｂ）を用いてＶＨ配線１０６の詳細な形状について説明する。図２（ｂ）は図２（ａ）に示されたＶＨ配線１０６及びボンディングパッド１０５ａに着目した図である。ＶＨ配線１０６は独立した５つの導電パターン１０６ａ〜１０６ｅを有しうる。導電パターン１０６ａ〜１０６ｅのそれぞれの一端は何れもボンディングパッド１０５ａに接続され、もう一端はセグメント１０４ａ〜１０４ｅにそれぞれ接続される。その結果、導電パターン１０６ａを通じてボンディングパッド１０５ａからセグメント１０４ａに電力が供給される。他の導電パターン１０６ｂ〜１０６ｅについても同様である。図２（ｂ）では導電パターン１０６ａ〜１０６ｅが個別にボンディングパッド１０５ａに接続されるが、導電パターン１０６ａ〜１０６ｅはボンディングパッド１０５ａの付近で合流してもよい。導電パターン１０６ａ〜１０６ｅはそれぞれ、第１部分１１１ａ〜１１１ｅ、第２部分１１２ａ〜１１２ｅ及び第３部分１１３ａ〜１１３ｅを含みうる。この分割はあくまでも説明のためであり、導電パターン１０６ａ〜１０６ｅが異なる金属板を結合して形成される必要はなく、単一層の配線層をパターニングすることで形成されてもよい。説明のために図２（ｂ）では各部分の境界を点線で示す。

導電パターン１０６ａ〜１０６ｅに共通の形状を、導電パターン１０６ａを用いて説明する。導電パターン１０６ａの第１部分１１１ａはボンディングパッド１０５ａに接続され、ｘ軸方向に延在する。導電パターン１０６ａの第２部分１１２ａはセグメント１０４ａに接続され、ｘ軸方向に延在する。具体的には、導電パターン１０６ａの第２部分１１２ａはセグメント１０４ａに含まれる各ヒータ１０１に接続される。第２部分１１２ａはセグメント１０４ａのパワートランジスタ１０２と重なる位置に配置される。第３部分１１３ａは第１部分１１１ａと第２部分１１２ａとの両方に接続される。第３部分１１３ａは、第１部分１１１ａの左側の端部において第１部分１１１ａに接続される。また、第３部分１１３ａは、第２部分１１２ａの左側の端部において第２部分１１２ａに接続される。第１部分１１１ａは第２部分１１２ａの上側に位置し、第３部分１１３ａはｙ軸方向において第１部分１１１ａと第２部分１１２ａとの間に位置する。

続いて、導電パターン１０６ａ〜１０６ｅのそれぞれに固有の形状を説明する。導電パターン１０６ａの第１部分１１１ａは長方形である。具体的に説明すると、第１部分１１１ａの幅（ｙ軸方向における長さ）はｘ軸方向における位置によらず一定である。導電パターン１０６ｂ〜１０６ｄの第１部分１１１ｂ〜１１１ｄはＬ字型である。導電パターン１０６ｂを用いて具体的に説明すると、第１部分１１１ｂは、ボンディングパッド１０５ａからセグメント１０４ｂに向かう経路において、途中までは幅が一定の部分が続き、途中で下側に幅が広がり、その後再び幅が一定の部分が続く。導電パターン１０６ｅの第１部分１１１ｅは略Ｌ字型である。具体的に説明すると、第１部分１１１ｅは、ボンディングパッド１０５ａからセグメント１０４ｅに向かう経路において、途中までは幅が一定の部分が続き、途中で上側に幅が広がり、その後再び幅が一定の部分が続く。その後、下側に幅が広がった後、再び幅が一定の部分が続く。

続いて、導電パターン１０６ａ〜１０６ｅの相互の関係について説明する。ボンディングパッド１０５ａからセグメント１０４ａ〜１０４ｅに均等な電力が供給されるように、導電パターン１０６ａ〜１０６ｅの形状及びサイズが決定されうる。例えば、ボンディングパッド１０５ａからセグメント１０４ａ〜１０４ｅまでの導電パターン１０６ａ〜１０６ｅの抵抗値が互いに等しくなるように、導電パターン１０６ａ〜１０６ｅの形状及びサイズが決定されうる。導電パターン１０６ａ〜１０６ｅの抵抗値は互いに等しくなくても、そのバラツキが１０％未満であれば、インクジェット記録装置としての印字性能上、特に画質劣化は生じない。一般的に、ボンディングパッド１０５ａから遠くに位置するセグメント１０４に接続される導電パターン１０６ａ〜１０６ｅほど経路長が長くなるので、幅を広くする必要がある。

ボンディングパッド１０５ａの付近では、すべての導電パターン１０６ａ〜１０６ｅがｙ軸方向に並んでいる。そのため、ボンディングパッド１０５ａの付近における導電パターン１０６ａ〜１０６ｅの幅を低減することで、ＶＨ配線１０６が占める領域の拡大を抑制できる。導電パターン１０６ｂの第１部分１１１ｂは、ボンディングパッド１０５ａからセグメント１０４ｂへ向かう経路において、手前のセグメント１０４ａに接続された導電パターン１０６ａが形成された領域を過ぎると幅が広くなる。このように幅を広げることで導電パターン１０６ｂの抵抗値を低下できるので、ボンディングパッド１０５ａの付近における導電パターン１０６ｂの幅を低減できる。導電パターン１０６ｃ〜１０６ｅについても同様である。

導電パターン１０６ａ〜１０６ｅの第２部分１１２ａ〜１１２ｅは同一の形状及びサイズを有しうる。具体例では、何れも長方形であり、ｘ軸方向における長さが互いに等しく、ｙ軸方向における長さ（幅）も互いに等しい。このように構成することにより、第２部分１１２ａ〜１１２ｅの単位長さあたりの抵抗値が互いに等しくなり、ヒータ１０１に供給される電力のセグメント間のばらつきを低減できる。さらに、第２部分１１２ａ〜１１２ｅが他の配線層の導電パターンに接続されている場合に、接続された導電パターンとのｘ軸方向の単位長さあたりの合成抵抗が等しくなるように第２部分１１２ａ〜１１２ｅの幅を調整してもよい。また、各セグメント１０４ａ〜１０４ｅと第２部分１１２ａ〜１１２ｅとの位置関係が同じになるように、第２部分１１２ａ〜１１２ｅはｘ軸方向に並んで配されてもよい。具体例では、第２部分１１２ａ〜１１２ｅのｙ座標値は互いに等しい。

次に、図３（ｂ）を用いてＶＨ配線３０６の詳細な形状について説明する。図３（ｂ）は図３（ａ）に示されたＶＨ配線３０６及びボンディングパッド１０５ａに着目した図である。ＶＨ配線３０６は独立した５つの導電パターン３０６ａ〜３０６ｅを有する。導電パターン３０６ａ〜３０６ｅのそれぞれの一端は何れもボンディングパッド１０５ａに接続され、もう一端はセグメント１０４ａ〜１０４ｅにそれぞれ接続される。導電パターン３０６ａ〜３０６ｅはそれぞれ、第１部分３１１ａ〜３１１ｅ、第２部分３１２ａ〜３１２ｅ及び第３部分３１３ａ〜３１３ｅを含む。説明のために図３（ｂ）では各部分の境界を点線で示す。

導電パターン３０６ａ〜３０６ｅに共通の構成を、導電パターン３０６ａを用いて説明する。導電パターン３０６ａの第１部分３１１ａはボンディングパッド１０５ａに接続され、ｘ軸方向に延在する。導電パターン３０６ａの第２部分３１２ａはセグメント１０４ａに接続され、ｘ軸方向に延在する。具体的には、導電パターン３０６ａの第２部分３１２ａはセグメント１０４ａに含まれる各ヒータ１０１に接続される。第２部分３１２ａはセグメント１０４ａのパワートランジスタ１０２と重なる位置に配置される。第３部分３１３ａは第１部分３１１ａと第２部分３１２ａとの両方に接続される。第３部分３１３ａは、第１部分３１１ａの左側の端部において第１部分３１１ａに接続される。また、第３部分３１３ａは、第２部分３１２ａの左側の端部において第２部分３１２ａに接続される。第１部分３１１ａは第２部分３１２ａの上側に位置し、第３部分３１３ａはｙ軸方向において第１部分３１１ａと第２部分３１２ａとの間に位置する。導電パターン３０６ａ〜３０６ｅの各部分３１１ａ〜３１１ｅ、３１２ａ〜３１２ｅ及び３１３ａ〜３１３ｅは何れも長方形である。

続いて、本実施形態に係る半導体装置１００と比較例の半導体装置３００とにおけるＶＨ配線１０６の各導電パターンの第１部分の最小幅を比較した結果について説明する。比較のための前提条件として、ボンディングパッド１０５ａとボンディングパッド１０５ａに最も近いセグメント１０４ａとの間の距離２０１を０．５ｍｍ、セグメントのピッチ２０２を１ｍｍ、導電パターンの最小ラインスペース（Ｌ／Ｓ）を５ｕｍする。また、半導体装置１００では、導電パターン１０６ｅの第１部分１１１ｅの最大幅２０３を０．１５ｍｍとする。そして、ボンディングパッド１０５ａからセグメント１０４ａ〜１０４ｅまでの導電パターンのそれぞれの抵抗値が互いに等しくなり、且つ各導電パターンのうちボンディングパッド１０５ａに接続された部分の幅の合計が最小となるようにする。このような前提条件の下でのＶＨ配線１０６、３０６の各導電パターンの第１部分の幅は以下の表１のようになる。「合計値」は各導電パターンの第１部分の最小幅の合計値を現す。半導体装置１００においては参考のために第１部分１１１ａ〜１１１ｅの最大幅も記載する。

表１から、本実施形態の半導体装置１００のＶＨ配線１０６の第１部分の最小幅の合計値の方が、比較例の半導体装置３００のＶＨ配線３０６の第１部分の最小幅の合計値よりも２２％小さいことがわかる。

次に、図２（ｃ）を用いてＧＮＤＨ配線１０７の詳細な形状について説明する。図２（ｃ）は図２（ａ）に示されたＧＮＤＨ配線１０７及びボンディングパッド１０５ｂに着目した図である。ＧＮＤＨ配線１０７は独立した５つの導電パターン１０７ａ〜１０７ｅを有しうる。導電パターン１０７ａ〜１０７ｅのそれぞれの一端は何れもボンディングパッド１０５ｂに接続され、もう一端はセグメント１０４ａ〜１０４ｅにそれぞれ接続される。その結果、導電パターン１０７ａを通じてボンディングパッド１０５ｂからセグメント１０４ａに電力が供給される。他の導電パターン１０７ｂ〜１０７ｅについても同様である。図２（ｃ）では導電パターン１０７ａ〜１０７ｅが個別にボンディングパッド１０５ｂに接続されるが、導電パターン１０７ａ〜１０７ｅはボンディングパッド１０５ｂの付近で合流してもよい。導電パターン１０７ａは第１部分１２１ａ及び第２部分１２２ａを含み、導電パターン１０７ｂ〜１０７ｅはそれぞれ、第１部分１２１ｂ〜１２１ｅ、第２部分１２２ｂ〜１２２ｅ及び第３部分１２３ｂ〜１２３ｅを含みうる。この分割はあくまでも説明のためであり、導電パターン１０７ａ〜１０７ｅが異なる金属板を結合して形成される必要はなく、単一層の配線層をパターニングすることで形成されてもよい。説明のために図２（ｃ）では各部分の境界を点線で示す。

導電パターン１０７ａ〜１０７ｅに共通の形状を、導電パターン１０７ａを用いて説明する。導電パターン１０７ａの第１部分１２１ａはボンディングパッド１０５ｂに接続され、ｘ軸方向に延在する。導電パターン１０７ａの第２部分１２２ａはセグメント１０４ａに接続され、ｘ軸方向に延在する。具体的には、導電パターン１０７ａの第２部分１２２ａはセグメント１０４ａに含まれる各パワートランジスタ１０２に接続される。第２部分１２２ａはセグメント１０４ａのパワートランジスタ１０２と重なる位置に配置される。

続いて、導電パターン１０７ａ〜１０７ｅのそれぞれに固有の形状を説明する。導電パターン１０７では、第３部分１２３ｂは第１部分１２１ｂと第２部分１２２ｂとの両方に接続される。第３部分１２３ｂは、第１部分１２１ｂの左側の端部において第１部分１２１ｂに接続される。また、第３部分１２３ｂは、第２部分１２２ｂの右側の端部において第２部分１２２ｂに接続される。導電パターン１０７ｃ〜１０７ｅの各部分も同様の接続関係にある。これに対して、導電パターン１０７ａは、第１部分１２１ａの左側の端部と第２部分１２２ａの右側の端部とが第３部分を介さずに接続される。

導電パターン１０７ａでは、第１部分１２１ａと第２部分１２２ａとがｘ軸方向において重なる位置にある。導電パターン１０７ｂでは、第１部分１２１ｂは第２部分１２２ｂの下側に有り、第３部分１２３ｂはｙ軸方向において第１部分１２１ｂと第２部分１２２ｂとの間に位置する。導電パターン１０７ｄの各部分も同様の位置関係にある。以下、第１部分が第２部分の下側にある導電パターンを第１タイプの導電パターンと呼ぶ。導電パターン１０７ｃでは、第１部分１２１ｃは第２部分１２２ｃの上側に有り、第３部分１２３ｃはｙ軸方向において第１部分１２１ｃと第２部分１２２ｃとの間に位置する。導電パターン１０７ｅの各部分も同様の位置関係にある。以下、第１部分が第２部分の上側にある導電パターンを第２タイプの導電パターンと呼ぶ。

導電パターン１０７ａ〜１０７ｃの第１部分１２１ａ〜１２１ｃは長方形である。具体的に説明すると、第１部分１２１ａ〜１２１ｃの幅はｘ軸方向における位置によらず一定である。導電パターン１０７ｄ、１０７ｅの第１部分１２１ｄ、１２１ｅはＬ字型である。第１タイプの導電パターン１０７ｄを用いて具体的に説明すると、第１部分１２１ｄは、ボンディングパッド１０５ｂからセグメント１０４ｄに向かう経路において、途中までは幅が一定の部分が続き、途中で上側に幅が広がり、その後再び幅が一定の部分が続く。第２タイプの導電パターン１０７ｅでは、第１部分１２１ｅは途中で下側に幅が広がるが、第２部分に近づく側に幅が広くなる点で両タイプとも同じである。

続いて、導電パターン１０７ａ〜１０７ｅの相互の関係について説明する。ボンディングパッド１０５ｂからセグメント１０４ａ〜１０４ｅに均等な電力が供給されるように導電パターン１０７ａ〜１０７ｅの形状及びサイズが決定されうる。例えば、ボンディングパッド１０５ｂからセグメント１０４ａ〜１０４ｅまでの導電パターン１０７ａ〜１０７ｅの抵抗値が互いに等しくなるように、導電パターン１０７ａ〜１０７ｅの形状及びサイズが決定されうる。導電パターン１０７ａ〜１０７ｅの抵抗値は互いに等しくなくても、そのバラツキが１０％未満であれば、インクジェット記録装置としての印字性能上、特に画質劣化は生じない。一般的に、ボンディングパッド１０５ｂから遠くに位置するセグメント１０４に接続される導電パターン１０７ａ〜１０７ｅほど経路長が長くなるので、幅を広くする必要がある。

ボンディングパッド１０５ｂの付近では、すべての導電パターン１０７ａ〜１０７ｅがｙ軸方向に並んでいる。そのため、ボンディングパッド１０５ｂの付近における導電パターン１０７ａ〜１０７ｅの幅を低減することで、ＧＮＤＨ配線１０７が占める領域の拡大を抑制できる。導電パターン１０７ｄの第１部分１２１ｄは、ボンディングパッド１０５ｂからセグメント１０４ｄへ向かう経路において、２つ手前のセグメント１０４ｂに接続された導電パターン１０７ｂの第１部分１２１ｂが形成された領域を過ぎると幅が広くなる。このように幅を広げることで導電パターン１０７ｄの抵抗値を低下できるので、ボンディングパッド１０５ｂの付近における導電パターン１０７ｄの幅を低減できる。

本実施形態では、第１タイプの導電パターン１０７ｂ、１０７ｄの第２部分１２２ｂ、１２２ｄと、第２タイプの導電パターン１０７ｃ、１０７ｅの第２部分１２２ｃ、１２２ｅとがｘ軸方向に沿って交互に配される。言い換えると、ボンディングパッド１０５ｂに接続される部分において、ボンディングパッド１０５ｂに最も近いセグメント１０４ａに接続される導電パターン１０７ａがｙ軸方向における中央に配される。そして、接続されるセグメントが近くにある順に、導電パターン１０７ｂ〜１０７ｅが導電パターン１０７ａの上下に交互に配される。従って、第１タイプの導電パターン１０７ｄの第１部分１２１ｄと、第２タイプの導電パターン１０７ｃの第１部分１２１ｃとは、第２部分１２２ａ〜１２２ｅの列を挟んで反対側にある。よって、導電パターン１０７ｄの第１部分１２１ｄは、後述する比較例の導電パターン３０７ｄに比べて、ボンディングパッド１０５ｂに近い位置において幅を広げることができる。これにより、導電パターン１０７ｄの第１部分１２１ｄの最小幅（ボンディングパッド１０５ｂに接続される部分の幅）を低減できる。この効果は、第１タイプの導電パターンと第２タイプの導電パターンとの両方が有しうる。本実施形態では第１タイプの導電パターンと第２タイプの導電パターンとが交互に配されているが、両タイプの導電パターンを有していれば、上述の効果を奏しうる。例えば、第１タイプの導電パターンの第１部分が配されていない領域において、第２タイプの導電パターンの第１部分の幅を広げればよい。

導電パターン１０７ａ〜１０７ｅの第２部分１２２ａ〜１２２ｅは同一の形状及びサイズを有しうる。具体例では、何れも長方形であり、ｘ軸方向における長さが互いに等しく、ｙ軸方向における長さ（幅）も互いに等しい。このように構成することにより、第２部分１２２ａ〜１２２ｅの単位長さあたりの抵抗値が互いに等しくなり、パワートランジスタ１０２に供給される電力のセグメント間のばらつきを低減できる。さらに、第２部分１２２ａ〜１２２ｅが他の配線層の導電パターンに接続されている場合に、接続された導電パターンとのｘ軸方向の単位長さあたりの合成抵抗が等しくなるように第２部分１２２ａ〜１２２ｅの幅を調整してもよい。また、各セグメント１０４ａ〜１０４ｅと第２部分１２２ａ〜１２２ｅとの位置関係が同じになるように、第２部分１２２ａ〜１２２ｅはｘ軸方向に並んで配されてもよい。具体例では、第２部分１２２ａ〜１２２ｅのｙ座標値は互いに等しい。

次に、図３（ｃ）を用いてＧＮＤＨ配線３０７の詳細な形状について説明する。図３（ｃ）は図３（ａ）に示されたＧＮＤＨ配線３０７及びボンディングパッド１０５ｂに着目した図である。ＧＮＤＨ配線３０７は独立した５つの導電パターン３０７ａ〜３０７ｅを有する。導電パターン３０７ａ〜３０７ｅのそれぞれの一端は何れもボンディングパッド１０５ｂに接続され、もう一端はセグメント１０４ａ〜１０４ｅにそれぞれ接続される。導電パターン３０７ａ〜３０７ｅはそれぞれ、第１部分３２１ａ〜３２１ｅ及び第２部分３２２ａ〜３２２ｅを含む。説明のために図３（ｃ）では各部分の境界を点線で示す。

導電パターン３０７ａ〜３０７ｅに共通の構成を、導電パターン３０７ａを用いて説明する。導電パターン３０７ａの第１部分３２１ａはボンディングパッド１０５ｂに接続され、ｘ軸方向に延在する。導電パターン３０７ａの第２部分３２２ａはセグメント１０４ａに接続され、ｘ軸方向に延在する。具体的には、導電パターン３０７ａの第２部分３２２ａはセグメント１０４ａに含まれる各パワートランジスタ１０２に接続される。第２部分３２２ａはセグメント１０４ａのパワートランジスタ１０２の上側の領域と重なる位置に配置される。第１部分３２１ａの左側の端部と第２部分３２２ａの右側の端部とが直接に接続される。第１部分３２１ａは第２部分３２２ａの上側に位置する。導電パターン３０７ａ〜３０７ｅの各部分３２１ａ〜３２１ｅ及び３２２ａ〜３２２ｅは何れも長方形である。

続いて、本実施形態に係る半導体装置１００と比較例の半導体装置３００とにおけるＧＮＤＨ配線１０７の各導電パターンの第１部分の最小幅を比較した結果について説明する。比較のための前提条件として、ボンディングパッド１０５ｂとボンディングパッド１０５ｂに最も近いセグメント１０４ａとの間の距離２０１を０．５ｍｍ、セグメントのピッチ２０２を１ｍｍ、導電パターンの最小ラインスペース（Ｌ／Ｓ）を５ｕｍする。そして、ボンディングパッド１０５ｂからセグメント１０４ａ〜１０４ｅまでの導電パターンのそれぞれの抵抗値が互いに等しくなり、且つ各導電パターンのうちボンディングパッド１０５ｂに接続された部分の幅の合計が最小となるようにする。このような前提条件の下でのＧＮＤＨ配線１０７、３０７の各導電パターンの第１部分の幅は以下の表２のようになる。「合計値」は各導電パターンの第１部分の最小幅の合計値を現す。半導体装置１００においては参考のために第１部分１２１ａ〜１２１ｅの最大幅も記載する。

表１から、本実施形態の半導体装置１００のＧＮＤＨ配線１０７の第１部分の最小幅の合計値の方が、比較例の半導体装置３００のＧＮＤＨ配線３０７の第１部分の最小幅の合計値よりも１５％小さいことがわかる。

以上のように、ＶＨ配線１０６及びＧＮＤＨ配線１０７を有する半導体装置１００では、各セグメントへの配線抵抗値のばらつきを抑制できると共に、導電パターンの最小幅の合計値を小さくすることが可能となる。その結果、小型の半導体装置１００が提供され、１ウエハで作製できるチップの数が増えるため、チップ１個当りの製造コストを低減することができる。

本発明に係るＧＮＤＨ配線１０７と比較例のＶＨ配線３０６とを組み合わせた半導体装置であっても、比較例の半導体装置３００よりも導電パターンの最小幅の合計値を小さくできる。しかし、ＶＨ配線１０６及びＧＮＤＨ配線１０７の両方を有する半導体装置１００では、図２（ａ）に示されるように、ＶＨ配線１０６の導電パターン１０６ｅの一部と、ＧＮＤＨ配線１０７の導電パターン１０７ｅとがｘ軸方向からみて重なる位置にある。これにより、ＶＨ配線１０６又はＧＮＤＨ配線１０７を単独で用いた場合と比べて、ＶＨ配線１０６及びＧＮＤＨ配線１０７の占める領域のｙ軸方向における上端から下端までの距離を低減できる。

半導体装置１００では、ＶＨ配線１０６の導電パターンの第２部分の左側の端部（第１側の端部）が当該導電パターンの他の部分に接続され、ＧＮＤＨ配線１０７の導電パターンの第２部分の右側の端部（第２側の端部）が当該導電パターンの他の部分に接続される。これにより、各セグメント１０４において、左側にある駆動部ほど、ボンディングパッド１０５ａからの経路長が短くなり、ボンディングパッド１０５ｂからの経路長が長くなる。これにより、同一セグメント内の各駆動部への配線抵抗値の差を低減できる。本実施形態の変形例では、ＶＨ配線１０６の導電パターンの第２部分の右側の端部が当該導電パターンの他の部分に接続され、ＧＮＤＨ配線１０７の導電パターンの第２部分の左側の端部が当該導電パターンの他の部分に接続されてもよい。また、導電パターン１０６ａ〜１０６ｅの第２部分１１２ａ〜１１２ｅと、導電パターン１０７ａ〜１０７ｅの第２部分１２２ａ〜１２２ｅとが同一の形状及びサイズを有してもよい。

半導体装置１００では、ボンディングパッド１０５ａ、１０５ｂの両方がセグメント１０４の右側に位置するが、これらはセグメント１０４の左側に位置してもよいし、一方のボンディングパッドが右側に位置し、他方のボンディングパッドが左側に位置してもよい。

導電パターン１０６ａ〜１０６ｅ、１０７ａ〜１０７ｅの各部分の角は直角である必要はなく、フィレットや丸みを有していてもよい。例えば、図４（ａ）に示されるＶＨ配線４０１やＧＮＤＨ配線４０２のように導電パターンは階段形状であってもよいし、図示しないが平行四辺形等や複数の形状の組み合わせであってもよい。また、図４（ｂ）に示されるＶＨ配線４０３やＧＮＤＨ配線４０４のように、ボンディングパッド１０５ａ、１０５ｂ付近の領域４０５において第１部分１１１ａ〜１１１ｅ、１２１ａ〜１２１ｅが屈曲していてもよい。

半導体装置１００ではセグメント数を４とし、１セグメントのヒータ１０１の数を４としているが、これらの数を増やして総ヒータ数を増やすことで、印字スピードの向上、印字精度の向上が実現される。セグメント数を増やした場合に、ＶＨ配線、ＧＮＤＨ配線の本数が増えることにより配線領域が拡大するため、本実施形態の効果がより顕著に表れる。さらに、図５（ａ）に示される半導体装置５００のように、半導体装置１００をｘ軸方向に２つ並べて配置してもよい。この場合、半導体装置５０１と半導体装置５０２とはｙ軸対称となる。さらに、図５（ｂ）に示される半導体装置５１０のように、半導体装置５００をｙ方向に２つ並べて配置してもよい。この場合、半導体装置５１１と半導体装置５１２とはｘ軸対称となる。

＜その他の実施形態＞
その他の実施形態として、図６を参照しつつ、第１実施形態で説明された半導体装置１００を利用した液体吐出ヘッド、液体吐出カートリッジ及び液体吐出装置を以下に説明する。図６（ａ）は、第１実施形態で説明された半導体装置１００を基体６０１として有する記録ヘッド６００の主要部を液体吐出ヘッドの一例として示す。図６（ａ）では、第１実施形態のヒータ１０１が発熱部６０２として描かれている。また、説明のために天板６０３の一部が切り取られている。図６（ａ）に示されるように、複数の吐出口６０４に連通した液路６０５を形成するための流路壁部材６０６とインク供給口６０７を有する天板６０３とを基体６０１に組み合わせることにより、記録ヘッド６００が構成されうる。この場合に、インク供給口６０７から注入されるインクが内部の共通液室６０８へ蓄えられて各液路６０５へ供給され、その状態で基体６０１が駆動されることで、吐出口６０４からインクが吐出される。

図６（ｂ）は液体吐出カートリッジの一例であるインクジェット用のカートリッジ６１０の全体構成を説明する図である。カートリッジ６１０は、上述した複数の吐出口６０４を有する記録ヘッド６００と、この記録ヘッド６００に供給するためのインクを収容するインク容器６１１とを備えている。液体容器であるインク容器６１１は、境界線Ｋを境に記録ヘッド６００に着脱可能に設けられている。カートリッジ６１０には、図６（ｃ）に示される記録装置に搭載された場合にキャリッジ側からの駆動信号を受け取るための電気的コンタクト（不図示）が設けられており、この駆動信号によって発熱部６０２が駆動される。インク容器６１１の内部には、インクを保持するために繊維質状又は多孔質状のインク吸収体が設けられており、これらのインク吸収体によってインクが保持されている。

図６（ｃ）は液体吐出装置の一例であるインクジェット記録装置７００の外観斜視図を示す。インクジェット記録装置７００は、カートリッジ６１０を搭載し、カートリッジ６１０へ付与される信号を制御することにより、高速記録、高画質記録を実現しうる。インクジェット記録装置７００において、カートリッジ６１０は、駆動モータ７０１の正回転・逆回転に連動して駆動力伝達ギア７０２、７０３を介して回転するリードスクリュー７０４の螺旋溝７２１に対して係合するキャリッジ７２０上に搭載されている。カートリッジ６１０は駆動モータ７０１の駆動力によってキャリッジ７２０と共にガイド７１９に沿って矢印ａ又はｂ方向に往復移動可能である。不図示の記録媒体給送装置によってプラテン７０６上に搬送される記録用紙Ｐ用の紙押え板７０５は、キャリッジ移動方向に沿って記録用紙Ｐをプラテン７０６に対して押圧する。フォトカプラ７０７、７０８は、キャリッジ７２０に設けられたレバー７０９のフォトカプラ７０７、７０８が設けられた領域での存在を確認して駆動モータ７０１の回転方向の切換等を行うためにホームポジションの検知を行う。支持部材７１０はカートリッジ６１０の全面をキャップするキャップ部材７１１を支持し、吸引部７１２はキャップ部材７１１内を吸引し、キャップ内開口を介してカートリッジ６１０の吸引回復を行う。移動部材７１５は、クリーニングブレード７１４を前後方向に移動可能にし、クリーニングブレード７１４及び移動部材７１５は、本体支持板７１６に支持されている。クリーニングブレード７１４は、図示の形態でなく周知のクリーニングブレードが本実施形態にも適用できる。また、レバー７１７は、吸引回復の吸引を開始するために設けられ、キャリッジ７２０と係合するカム７１８の移動に伴って移動し、駆動モータ７０１からの駆動力がクラッチ切換等の公知の伝達手法で移動制御される。カートリッジ６１０に設けられた発熱部６０２に信号を付与し、駆動モータ７０１等の各機構の駆動制御を司る記録制御部（不図示）は、装置本体側に設けられている。

次に、図６（ｄ）に示されるブロック図を用いてインクジェット記録装置７００の記録制御を実行するための制御回路の構成について説明する。制御回路は、記録信号が入力するインタフェース８００、ＭＰＵ（マイクロプロセッサ）８０１、ＭＰＵ８０１が実行する制御プログラムを格納するプログラムＲＯＭ８０２を備えている。制御回路は更に、各種データ（上記記録信号やヘッドに供給される記録データ等）を保存しておくダイナミック型のＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）８０３と、記録ヘッド８０８に対する記録データの供給制御を行うゲートアレイ８０４とを備えている。ゲートアレイ８０４は、インタフェース８００、ＭＰＵ８０１、ＲＡＭ８０３間のデータ転送制御も行う。さらにこの制御回路は、記録ヘッド８０８を搬送するためのキャリアモータ８１０と、記録紙搬送のための搬送モータ８０９とを備えている。この制御回路はさらに、記録ヘッド８０８を駆動するヘッドドライバ８０５、搬送モータ８０９及びキャリアモータ８１０をそれぞれ駆動するためのモータドライバ８０６、８０７とを備えている。上記制御構成の動作を説明すると、インタフェース８００に記録信号が入るとゲートアレイ８０４とＭＰＵ８０１との間で記録信号がプリント用の記録データに変換される。そして、モータドライバ８０６、８０７が駆動されるとともに、ヘッドドライバ８０５に送られた記録データに従って記録ヘッドが駆動され、印字が行われる。

Claims

第１方向に並んだ複数の単位回路と、
第１ボンディングパッドと、
前記複数の単位回路をそれぞれ同一の前記第１ボンディングパッドに接続する複数の第１導電パターンとを備え、
前記複数の第１導電パターンのそれぞれは、前記第１ボンディングパッドから繋がり前記第１方向に延在する第１部分と前記単位回路に接続された第２部分とを有し、
前記複数の第１導電パターンの前記第２部分は、前記第１方向に並んで配され、
前記複数の第１導電パターンの１つ以上において、前記第２部分を通り前記第１方向に延びる線に対して前記第１部分が第１側に位置し、
前記複数の第１導電パターンの別の１つ以上において、前記第２部分を通り前記第１方向に延びる線に対して前記第１部分が前記第１側とは反対の第２側に位置することを特徴とする半導体装置。
前記第１側に位置する前記第１部分を含む第１導電パターンの前記第２部分と前記第２側に位置する前記第１部分を含む第１導電パターンの前記第２部分とは前記第１方向に沿って交互に配されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
第１方向に並んだ第１単位回路、第２単位回路、及び第３単位回路を含む複数の単位回路と、
第１ボンディングパッドと、
前記第１単位回路、前記第２単位回路、及び前記第３単位回路をそれぞれ前記第１ボンディングパッドに接続する複数の第１導電パターンとを備え、
前記複数の第１導電パターンのそれぞれは、前記第１ボンディングパッドから繋がり前記第１方向に延在する第１部分と前記単位回路に接続された第２部分とを有し、
前記複数の第１導電パターンの前記第２部分は、前記第１単位回路に接続される前記第２部分、前記第２単位回路に接続される前記第２部分、及び前記第３単位回路に接続される前記第２部分が前記第１ボンディングパッドからこの順で並ぶように、前記第１方向に並んで配され、
前記第２単位回路、及び前記第３単位回路に接続される前記第１導電パターンの前記第１部分はそれぞれ、前記第１ボンディングパッドから前記第２単位回路、及び前記第３単位回路へ向かう経路の途中において、前記第２部分に近づく方に幅が広がった部分を有し、
前記第１方向に直交する第２方向において、前記第１単位回路に接続される前記第１導電パターンの前記第２部分は、前記第２単位回路に接続される前記第１導電パターンの前記第１部分の幅が広がった部分と、前記第３単位回路に接続される前記第１導電パターンの前記第１部分の幅が広がった部分と、の間に配されることを特徴とする半導体装置。
前記複数の第１導電パターンのそれぞれにおける前記第１ボンディングパッドから前記単位回路までの抵抗値は互いに等しいことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の半導体装置。
前記複数の第１導電パターンのそれぞれの前記第２部分は前記第１方向に延在し、
前記複数の第１導電パターンのそれぞれの前記第２部分の幅は互いに等しいことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の半導体装置。
第１方向に並んだ複数の単位回路と、
第１ボンディングパッドと、
前記複数の単位回路をそれぞれ前記第１ボンディングパッドに接続する複数の第１導電パターンと、
第２ボンディングパッドと、
前記複数の単位回路をそれぞれ前記第２ボンディングパッドに接続する複数の第２導電パターンとを備え、
前記複数の第１導電パターンのそれぞれは、前記第１ボンディングパッドに接続され前記第１方向に延在する第１部分と前記単位回路に接続された第２部分とを有し、
前記複数の第１導電パターンの１つ以上において、前記第２部分を通り前記第１方向に延びる線に対して前記第１部分が第１側に位置し、
前記複数の第１導電パターンの別の１つ以上において、前記第２部分を通り前記第１方向に延びる線に対して前記第１部分が前記第１側とは反対の第２側に位置し、
前記複数の第２導電パターンのそれぞれは、前記第２ボンディングパッドに接続され前記第１方向に延在する第１部分と前記単位回路に接続された第２部分とを有し、
前記複数の第１導電パターンと前記複数の第２導電パターンとは前記第１方向に直交する第２方向に並んで配され、
前記複数の第１導電パターンのうち前記複数の第２導電パターンに最も近い位置にある第１導電パターンの一部と、前記複数の第２導電パターンのうち前記複数の第１導電パターンに最も近い位置にある第２導電パターンの一部とは前記第１方向において重なる位置にあることを特徴とする半導体装置。
前記複数の第１導電パターンに最も近い位置にある第２導電パターンの前記第１部分は、前記第２ボンディングパッドから前記単位回路へ向かう経路の途中において、前記複数の第１導電パターンに近づく方に幅が広がることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
前記複数の第２導電パターンのそれぞれにおける前記第２ボンディングパッドから前記単位回路までの抵抗値は互いに等しいことを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体装置。
前記複数の第２導電パターンのそれぞれの前記第２部分は前記第１方向に延在し、
前記複数の第２導電パターンのそれぞれの前記第２部分の幅は互いに等しいことを特徴とする請求項６乃至８の何れか１項に記載の半導体装置。
前記第１ボンディングパッドと前記第２ボンディングパッドとは前記複数の単位回路に対して同じ側にあり、
前記複数の第１導電パターンのそれぞれにおいて、前記第２部分は当該第１導電パターンの他の部分と、前記第２部分の第１側の端部で接続され、
前記複数の第２導電パターンのそれぞれにおいて、前記第２部分は当該第２導電パターンの他の部分と、前記第２部分の前記第１側とは反対側の第２側の端部で接続されることを特徴とする請求項６乃至９の何れか１項に記載の半導体装置。
前記複数の第１導電パターンのそれぞれの前記第２部分の幅と前記複数の第２導電パターンのそれぞれの前記第２部分の幅は互いに等しいことを特徴とする請求項６乃至１０の何れか１項に記載の半導体装置。
前記複数の単位回路のそれぞれはノズル中の液体を吐出させるための複数の駆動部を有し、各駆動部は駆動回路と前記駆動回路によって駆動されて前記ノズル中の液体を吐出させるエネルギーを該液体に作用させる素子とを有し、
前記第１導電パターンの前記第２部分は、前記駆動回路と前記素子との一方に接続され、
前記第２導電パターンの前記第２部分は、前記駆動回路と前記素子との他方に接続されることを特徴とする請求項６乃至１１の何れか１項に記載の半導体装置。
前記複数の第１導電パターンは、前記第１部分と前記第２部分とを接続する第３部分をさらに有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
第１方向に並んだ複数の単位回路と、
第１ボンディングパッド及び第２ボンディングパッドと、
前記複数の単位回路をそれぞれ前記第１ボンディングパッドに接続する複数の第１導電パターンと、
前記複数の単位回路をそれぞれ前記第２ボンディングパッドに接続する複数の第２導電パターンとを備え、
前記複数の第１導電パターンと前記複数の第２導電パターンとは前記第１方向に直交する第２方向に並んで配され、
前記複数の第１導電パターンのうち前記複数の第２導電パターンに最も近い位置にある第１導電パターンの一部と、前記複数の第２導電パターンのうち前記複数の第１導電パターンに最も近い位置にある第２導電パターンの一部とが前記第１方向において重なる位置にあることを特徴とする半導体装置。
前記複数の第１導電パターンは、第１領域と、前記第１領域よりも前記第１ボンディングパッドまでの距離が小さい第２領域と、を有し、
前記第２領域の方が前記第１領域よりも幅が小さいことを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
前記複数の単位回路は、それぞれ記録素子を有することを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
前記記録素子はヒータであることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の半導体装置と、前記半導体装置によって液体の吐出が制御されるノズルとを備えることを特徴とする液体吐出ヘッド。
請求項１８に記載の液体吐出ヘッドとインクを収容する液体容器とを備えることを特徴とする液体吐出カートリッジ。
請求項１８に記載の液体吐出ヘッドと、前記液体吐出ヘッドに液体を吐出させるための駆動信号を供給する供給手段とを有することを特徴とする液体吐出装置。