JP2016221902A - 半導体装置、液体吐出ヘッド、液体吐出カートリッジ及び液体吐出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】液体にエネルギーを与える素子に流れる電流の波形のばらつきを低減するための技術を提供する。
【解決手段】液体吐出ヘッド用の半導体装置は、第１端子、第２端子及び制御端子を有しており、当該第１端子に第１電圧が供給される複数の第１トランジスタと、第１端子、第２端子及び制御端子を有しており、当該第１端子に第２電圧が供給される複数の第２トランジスタと、液体を吐出させるための複数の吐出素子であって、各吐出素子は複数の第１トランジスタの１つの第２端子と複数の第２トランジスタの１つの第２端子との間に接続されている、複数の吐出素子と、複数の第１トランジスタの導通状態を制御するための第１制御信号を、複数の第１トランジスタに接続された共通の信号線を通じて複数の第１トランジスタの制御端子に供給する第１制御回路と、第１トランジスタの第２端子と第１トランジスタの制御端子との少なくとも一方の電圧を安定化させるための安定化回路とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置、液体吐出ヘッド、液体吐出カートリッジ及び液体吐出装置に関する。

特許文献１には、吐出口から液体を吐出する液体吐出ヘッド用の半導体装置として、以下の構成を提案する。液体に熱エネルギーを与えるヒータの一端をトランジスタを通じて電源電圧に接続するとともに、当該ヒータの他端を別のトランジスタを通じて接地に接続する。半導体装置の制御回路は、液体を吐出させる場合に、これらのトランジスタの両方をオンにする。半導体装置の制御回路は、液体を吐出させない場合に、これらのトランジスタの両方をオフにする。

特開２０１０−１５５４５２号公報

ヒータの両端に接続されているトランジスタが両方ともがオフの場合に、ヒータはフローティング状態となる。そのため、トランジスタのリーク電流や、半導体装置の外部からの光による光電効果の影響でフローティング状態のヒータの電圧が変化することがある。ヒータを駆動するタイミングごとヒータの電圧がばらつくと、それに応じてヒータを流れる電流の波形にもばらつきが生じる。本発明は、液体にエネルギーを与える素子に流れる電流の波形のばらつきを低減するための技術を提供することを特徴とする。

上記課題に鑑みて、液体吐出ヘッド用の半導体装置であって、第１端子、第２端子及び制御端子を有しており、当該第１端子に第１電圧が供給される複数の第１トランジスタと、第１端子、第２端子及び制御端子を有しており、当該第１端子に第２電圧が供給される複数の第２トランジスタと、液体を吐出させるための複数の吐出素子であって、各吐出素子は前記複数の第１トランジスタの１つの前記第２端子と前記複数の第２トランジスタの１つの前記第２端子との間に接続されている、複数の吐出素子と、前記複数の第１トランジスタの導通状態を制御するための第１制御信号を、前記複数の第１トランジスタに接続された共通の信号線を通じて前記複数の第１トランジスタの前記制御端子に供給する第１制御回路と、前記第１トランジスタの前記第２端子と前記第１トランジスタの前記制御端子との少なくとも一方の電圧を安定化させるための安定化回路とを備えることを特徴とする半導体装置が提供される。

上記手段により、液体にエネルギーを与える素子に流れる電流の波形のばらつきを低減するための技術が提供される。

本発明の実施形態の半導体装置の等価回路図。 図１の一部に着目した図。 本発明の実施形態の半導体装置の動作を説明する図。 本発明の実施形態の半導体装置の動作を説明する図。 本発明の実施形態の半導体装置の変形例を説明する図。 本発明の実施形態の半導体装置の変形例を説明する図。 本発明の実施形態の半導体装置の応用例を説明する図。

添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について以下に説明する。様々な実施形態を通じて同様の要素には同一の参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、各実施形態は適宜変更、組み合わせが可能である。本発明の一部の実施形態は、液体吐出ヘッド用の半導体装置に関する。液体吐出ヘッドは、例えばインクジェット記録装置（インクジェットプリンタ）に用いられるインクジェット記録ヘッドである。

図１の回路図を参照して、一部の実施形態に係る液体吐出ヘッド用の半導体装置１００の構成例について説明する。半導体装置１００は、基板ＳＵＢと、複数のヒータ１０１と、複数の接地側トランジスタ１０２と、複数の電源側トランジスタ１０３と、導電パッド１０４、１０５と、制御回路１０６と、複数の制御回路１０７と、複数の安定化回路１１１とを備える。複数のヒータ１０１等の構成要素は基板ＳＵＢ上に形成されている。

複数のヒータ１０１は、基板ＳＵＢの長辺方向（図１では左右の方向）に並んでいる。以下、各ヒータ１０１の構成について説明する。ヒータ１０１は例えば発熱抵抗体であり、２つの端子（図１の上側の端子と下側の端子）を有し、これらの端子の間を電流が流れることによって発熱する。ヒータ１０１が発熱すると、それに応じて液体が加熱され、当該液体が液体吐出ヘッドから吐出される。ヒータ１０１は、吐出素子の一例である。吐出素子は、液体にエネルギーを与えることによって液体を吐出することができる。このように液体にエネルギーを与える吐出素子は、ヒータ１０１以外の素子であってもよく、例えば圧電素子であってもよい。液体にエネルギーを与える吐出素子は、記録素子とも呼ばれうる。１つのヒータ１０１は、複数の接地側トランジスタ１０２のうちのいずれか１つと、複数の電源側トランジスタ１０３のうちのいずれか１つとの間に接続されている。このような接続により、電源側トランジスタ１０３、ヒータ１０１、および、接地側トランジスタ１０２は、１つの電流経路を形成しうる。なお、本実施例ではすべてのヒータが１つの接地側トランジスタ１０２と１つの電源側トランジスタ１０３の間に接続されているが、基板ＳＵＢはそれ以外のヒータをさらに備えていてもよい。

複数の接地側トランジスタ１０２は、基板ＳＵＢの長辺方向に並んでいる。以下、各接地側トランジスタ１０２の構成について説明する。接地側トランジスタ１０２は、２つの主端子と１つの制御端子とを有する。接地側トランジスタ１０２は、例えばＰＭＯＳトランジスタである。この場合に、ＰＭＯＳトランジスタのソースとドレインとがそれぞれ主端子であり、ゲートが制御端子である。接地側トランジスタ１０２のソースは、ヒータ１０１の一方の端子（図１の下側の端子）に接続されている。接地側トランジスタ１０２のドレインは、導電線１０８を通じて導電パッド１０４に接続されている。接地側トランジスタ１０２のゲートは、信号線１０９を通じて制御回路１０６に接続されている。接地側トランジスタ１０２のバックゲートは、接地側トランジスタ１０２のソースに接続されている。

複数の電源側トランジスタ１０３は、基板ＳＵＢの長辺方向に並んでいる。以下、各電源側トランジスタ１０３の構成について説明する。接地側トランジスタ１０２は、２つの主端子と１つの制御端子とを有する。電源側トランジスタ１０３は、例えばＮＭＯＳトランジスタである。この場合に、ＮＭＯＳトランジスタのソースとドレインとがそれぞれ主端子であり、ゲートが制御端子である。電源側トランジスタ１０３のソースは、ヒータ１０１の他方の端子（図１の上側の端子）に接続されている。電源側トランジスタ１０３のドレインは、導電線１１０を通じて導電パッド１０５に接続されている。電源側トランジスタ１０３のゲートは、制御回路１０７に接続されている。電源側トランジスタ１０３のバックゲートは、電源側トランジスタ１０３のソースに接続されている。

導電パッド１０４には、半導体装置１００の外部から所定の電圧が供給される。導電パッド１０４に供給された電圧は、導電線１０８を通じて伝達され、導電線１０８に共通に接続された複数の接地側トランジスタ１０２のドレインに供給される。導電パッド１０５には、半導体装置１００の外部から所定の電圧が供給される。導電パッド１０５に供給された電圧は、導電線１１０を通じて伝達され、導電線１１０に共通に接続された複数の電源側トランジスタ１０３のドレインに供給される。導電パッド１０４、１０５のそれぞれには互いに異なる電圧が供給される。導電パッド１０５に導電パッド１０４よりも高い電圧が供給されてもよいし、導電パッド１０５に導電パッド１０４よりも低い電圧が供給されてもよい。本実施形態では、導電パッド１０４に接地電圧が供給され、導電パッド１０５に正の電源電圧が供給される。

制御回路１０６は、信号線１０９を通じて、信号線１０９に共通に接続されている複数の接地側トランジスタ１０２のゲートに制御信号を供給する。制御回路１０６が供給する制御信号に応じて、接地側トランジスタ１０２のオン・オフが切り替わる。接地側トランジスタ１０２がオンの場合に、接地側トランジスタ１０２によって接続されたヒータ１０１と導電線１０８との間が導通状態となり、接地側トランジスタ１０２がオフの場合にこれらの間が非導通状態（言い換えると、開放状態）になる。すなわち、接地側トランジスタ１０２は、ヒータ１０１と導電線１０８との間の導通状態を切り替えるスイッチ素子として機能する。

複数の制御回路１０７のそれぞれの構成を以下に説明する。制御回路１０７は、当該制御回路１０７に個別に接続されている電源側トランジスタ１０３のゲートに制御信号を供給する。制御回路１０７が供給する制御信号に応じて、電源側トランジスタ１０３のオン・オフが切り替わる。電源側トランジスタ１０３がオンの場合に、電源側トランジスタ１０３によって接続されたヒータ１０１と導電線１１０との間が導通状態となり、電源側トランジスタ１０３がオフの場合にこれらの間が非導通状態になる。すなわち、電源側トランジスタ１０３は、ヒータ１０１と導電線１１０との間の導通状態を切り替えるスイッチ素子として機能する。

複数の安定化回路１１１のそれぞれの構成を以下に説明する。安定化回路１１１は、接地側トランジスタ１０２に対応して設けられており、接地側トランジスタ１０２のゲートに接続されている。接地側トランジスタ１０２のゲートには信号線１０９も接続されているので、安定化回路１１１は信号線１０９にも接続されている。図１に示すように、安定化回路１１１と接地側トランジスタ１０２とを接続する経路と、制御回路１０６と接地側トランジスタ１０２とを接続する経路とが重複部分を有してもよい。安定化回路１１１は容量素子１１２を有する。容量素子１１２の一方の電極（図１の上側の電極）は接地側トランジスタ１０２のゲートに接続されており、容量素子１１２の他方の電極（図１の下側の電極）は接地されている。安定化回路１１１の機能については後述する。

複数のヒータ１０１、複数の接地側トランジスタ１０２及び複数の電源側トランジスタ１０３は、複数のブロックＢＬＫに分けられている。本実施形態では、各ブロックＢＬＫは、４つのヒータ１０１と、当該４つのヒータ１０１に共通に接続された１つの接地側トランジスタ１０２と、当該４つヒータ１０１と１対１に接続された４つの電源側トランジスタ１０３とを含む。複数のブロックＢＬＫが基板ＳＵＢの長辺方向に並んでいる。ブロックＢＬＫの分け方は図１の例に限られず、各ブロックＢＬＫが１つ以上のヒータ１０１と、当該１つ以上のヒータ１０１に接続された１つ以上の接地側トランジスタ１０２及び１つ以上の電源側トランジスタ１０３を含んでいればよい。また、複数のブロックＢＬＫの構成が互いに異なっていてもよい。

本実施形態の半導体装置１００は安定化回路１１１を複数備え、各ブロックＢＬＫに対して１つの安定化回路１１１が配されている。これに代えて、一部のブロックＢＬＫのみに安定化回路１１１が配されてもよい。例えば、複数のブロックＢＬＫごとに１つの安定化回路１１１が配されてもよい。

続いて、図２及び図３を参照して、半導体装置１００の動作の一例について説明する。図２（Ａ）は、半導体装置１００の１つのヒータ１０１及びこのヒータ１０１に接続される回路素子に着目した回路図であり、図２（Ｂ）は、後述する比較例の回路図である。図３は、この１つのヒータ１０１に着目して、半導体装置１００の各位置の電圧または電流の変化を説明するグラフである。図２（Ａ）に示すように、制御回路１０６が信号線１０９を通じて接地側トランジスタ１０２のゲートに供給する制御信号の電圧をＶＧ１で表し、制御回路１０７が電源側トランジスタ１０３のゲートに供給する制御信号の電圧をＶＧ２で表す。また、接地側トランジスタ１０２のソース電圧をＶＳ１で表し、電源側トランジスタ１０３のソース電圧をＶＳ２と表す。また、ヒータ１０１を流れる電流をＩで表す。

以下の説明では、導電パッド１０４に接地電圧（０Ｖ）が供給され、導電パッド１０５に電源電圧（３０Ｖ）が供給されるとする。制御回路１０６は、半導体装置１００の動作中に、吐出の有無にかかわらず、制御信号の電圧ＶＧ１を接地側トランジスタ１０２のオン電圧（２Ｖ）に維持する。制御回路１０７は、半導体装置１００の外部から供給される吐出制御信号（例えば画像信号）に応じて制御信号（パルス信号）の電圧ＶＧ２をオン電圧とオフ電圧との間で切り替えることによって、ヒータ１０１を駆動する。具体的に、制御回路１０７は、ヒータ１０１を用いて液体を吐出させる場合に制御信号の電圧ＶＧ２を電源側トランジスタ１０３のオン電圧（２８Ｖ）にし、液体を吐出させない場合に制御信号の電圧ＶＧ２を電源側トランジスタ１０３のオフ電圧（０Ｖ）にする。本明細書でトランジスタのオン電圧とは、トランジスタをオンにするためにゲートに供給する電圧であり、トランジスタのオフ電圧とは、トランジスタをオフにするためにゲートに供給する電圧のことである。

図３（Ａ）〜（Ｄ）のそれぞれのグラフの横軸は時間を示す。図３（Ａ）〜（Ｃ）のそれぞれのグラフの縦軸は電圧値を示し、図３（Ｄ）のグラフの縦軸は電流値を示す。図３（Ａ）は電圧ＶＧ１、ＶＧ２を示し、図３（Ｂ）は電圧ＶＳ２を示し、図３（Ｃ）は電圧ＶＳ１を示し、図３（Ｄ）は電流Ｉを示す。

時刻Ｔ１よりも前に、制御回路１０７は、電源側トランジスタ１０３のゲートに供給する制御信号の電圧ＶＧ２をオフ電圧（０Ｖ）に維持する。この場合に、電源側トランジスタ１０３はオフとなり、ヒータ１０１に流れる電流Ｉも０Ａとなる（すなわち、電流が流れない）。また、接地側トランジスタ１０２のゲートにオン電圧が供給されているものの、ヒータ１０１に電流が流れていないので、接地側トランジスタ１０２もオフとなる。従って、ヒータ１０１の両端は電気的にフローティングとなり、電圧ＶＳ１、ＶＳ２は何れも不定値となる。この状態では、ヒータ１０１に電流が流れないので、電圧ＶＳ１と電圧ＶＳ２とは互いに等しい値となる。

吐出制御信号により液体の吐出が指示されると、制御回路１０７は、時刻Ｔ１から時刻Ｔ４にかけて、電源側トランジスタ１０３のゲートへ供給する制御信号の電圧ＶＧ２をオフ電圧（０Ｖ）からオン電圧（２８Ｖ）に変化させる。時刻Ｔ２において、電源側トランジスタ１０３のゲート電圧が、電源側トランジスタのソース電圧ＶＳ２（不定値）に電源側トランジスタ１０３の閾値電圧（１Ｖ）を加えた値を上回ると、電源側トランジスタ１０３がオンになる。それに応じて、電源側トランジスタ１０３はソースフォロアとして動作する。その結果、電源側トランジスタ１０３のゲート電圧の上昇に応じて電源側トランジスタ１０３のソース電圧も上昇する。また、電源側トランジスタ１０３がオンになると、電源側トランジスタ１０３のドレインからソースへ電流が流れ始め、その電流がヒータ１０１に流れ、接地側トランジスタ１０２のソース電圧ＶＳ１も上昇し始める。

時刻Ｔ３において、接地側トランジスタのソース電圧ＶＳ１が、接地側トランジスタ１０２のゲート電圧から接地側トランジスタ１０２の閾値電圧（１Ｖ）を引いた値を上回ると、接地側トランジスタ１０２がオンになる。それに応じて、接地側トランジスタ１０２はソースフォロアとして動作する。その結果、接地側トランジスタ１０２のソース電圧ＶＳ１は、接地側トランジスタ１０２のゲート電圧（３Ｖ）から接地側トランジスタ１０２の閾値電圧（１Ｖ）を引いた値に固定（すなわち、ホールド）される。また、接地側トランジスタ１０２がオンになると、接地側トランジスタ１０２のソースからドレインへ電流が流れ始める。

制御回路１０７は、時刻Ｔ４から時刻Ｔ５にかけて、電源側トランジスタ１０３へ供給する制御信号の電圧ＶＧ２をオン電圧（２８Ｖ）に維持する。これにより、ヒータ１０１に電流が流れ続け、液体が吐出される。その後、制御回路１０７は、時刻Ｔ５からＴ７にかけて、電源側トランジスタ１０３へ供給する制御信号の電圧ＶＧ２をオン電圧（２８Ｖ）からオフ電圧（０Ｖ）に変化させる。この変化に伴い、電源側トランジスタ１０３のソース電圧ＶＳ２も降下する。

接地側トランジスタ１０２のソース電圧ＶＳ１が３Ｖに固定されているので、時刻Ｔ６において、電源側トランジスタ１０３のソース電圧ＶＳ２は、電源側トランジスタ１０３のゲート電圧の降下に追従できなくなり、電源側トランジスタ１０３がオフになる。それにより、ヒータ１０１に流れる電流Ｉも止まり、接地側トランジスタ１０２もオフになる。

その後、再び液体の吐出が指示されると、制御回路１０７は、時刻Ｔ１から時刻Ｔ４と同じ動作を時刻Ｔ８から開始する。図３の例では、２回の吐出動作において、制御回路１０７からの制御信号が立ち上がり始める時刻Ｔ１、Ｔ８のそれぞれにおける接地側トランジスタ１０２のソース電圧ＶＳ１が互いに等しい。この場合に、時刻Ｔ１、Ｔ８のそれぞれから等しい時間（Ｔ２−Ｔ１）の経過後にヒータ１０１に電流Ｉが流れ始める。しかし、制御回路１０７からの制御信号の電圧ＶＧ２がオフ電圧（０Ｖ）の間、接地側トランジスタ１０２のソースは電気的にフローティングであるので、このソース電圧ＶＳ１は不定値である。そのため、例えば接地側トランジスタ１０２及び電源側トランジスタ１０３のリーク電流や半導体装置１００の外部からの光の入射によって、接地側トランジスタ１０２のソース電圧ＶＳ１が変化する可能性がある。

図４を参照して、時刻Ｔ８における接地側トランジスタ１０２のソース電圧ＶＳ１が時刻Ｔ１における接地側トランジスタ１０２のソース電圧ＶＳ１よりも低い場合の半導体装置１００の動作について説明する。図４のグラフの各項目は図３のグラフの各項目と同様である。以下の説明では時刻Ｔ１から始まる吐出動作を１回目の吐出動作と呼び、時刻Ｔ８から始まる吐出動作を２回目の吐出動作と呼ぶ。

図３で説明した動作と同様に、図４でも制御回路１０７は時刻Ｔ８において制御信号の電圧ＶＧ２をオフ電圧（０Ｖ）から上昇し始める。時刻Ｔ９において、電源側トランジスタ１０３のゲート電圧が、電源側トランジスタのソース電圧ＶＳ２（不定値）に電源側トランジスタ１０３の閾値電圧（１Ｖ）を加えた値を上回ると、電源側トランジスタ１０３がオンになる。時刻Ｔ９における電源側トランジスタのソース電圧ＶＳ２は、時刻Ｔ２における電源側トランジスタのソース電圧ＶＳ２よりも低い。そのため、２回目の吐出動作において制御回路１０７が制御信号の電圧ＶＧ２を上昇させ始めてからヒータ１０１に電流が流れ始めるまでの時間（Ｔ９−Ｔ８）は、１回目の吐出動作における当該時間（Ｔ２−Ｔ１）よりも短い。

その後、時刻Ｔ１０において、電源側トランジスタのソース電圧ＶＳ１が、接地側トランジスタ１０２のゲート電圧から接地側トランジスタ１０２の閾値電圧（１Ｖ）を引いた値を上回ると、接地側トランジスタ１０２がオンになる。２回目の吐出動作において電源側トランジスタ１０３がオンになってから接地側トランジスタ１０２がオンになるまでの時間（Ｔ１０−Ｔ９）は、１回目の吐出動作における当該時間（Ｔ３−Ｔ２）よりも長い。

図４の例とは反対に、時刻Ｔ８における接地側トランジスタ１０２のソース電圧ＶＳ１が時刻Ｔ１における接地側トランジスタ１０２のソース電圧ＶＳ１よりも高い場合を検討する。この場合に、２回目の吐出動作の開始からヒータ１０１に電流が流れ始めるまでの時間は、１回目の吐出動作の開始からヒータ１０１に電流が流れ始めるまでの時間よりも長い。また、２回目の吐出動作において電源側トランジスタ１０３がオンになってから接地側トランジスタ１０２がオンになるまでの時間は、１回目の吐出動作における当該時間よりも短い。

以上のように、接地側トランジスタ１０２のソースが電気的にフローティングであることに起因して、ヒータ１０１を流れる電流Ｉの波形が吐出動作ごとにばらつきうる。それにより、例えば半導体装置１００が画像形成に用いられる場合に、画質が低下する。本実施形態では、半導体装置１００が安定化回路１１１を有することによって、このような電流Ｉの波形のばらつきを低減する。

電源側トランジスタ１０３がオンになってから接地側トランジスタ１０２がオンになるまでの時間は、接地側トランジスタ１０２のゲート・ソース間の容量を放充電するための時間に依存する。図２（Ｂ）に示す比較例に係る半導体装置のように安定化回路１１１を有しない場合に、この放充電に必要な電荷は制御回路１０６のみから供給される。

一方、本実施形態に係る半導体装置１００では、接地側トランジスタ１０２のゲートに、制御回路１０６だけでなく安定化回路１１１も接続されている。従って、接地側トランジスタ１０２のゲート・ソース間の容量の放充電に必要な電荷は、制御回路１０６だけからではなく、安定化回路１１１の容量素子１１２からも供給される。すなわち、安定化回路１１１は、接地側トランジスタ１０２のゲート・ソース間の容量の放充電に起因するゲート電圧の変動を抑制する機能を有する。本明細書では、このように電圧の変動を抑制することを、電圧を安定化させるという。本実施形態に係る半導体装置１００は、接地側トランジスタ１０２のゲート電圧を安定化させることによって、比較例の半導体装置よりも、接地側トランジスタ１０２のゲート・ソース間の容量の放充電にかかる時間を短縮できる。それに応じてヒータ１０１に流れる電流Ｉの波形のばらつきが低減される。

安定化回路１１１と接地側トランジスタ１０２のゲートとの間の配線長が短いほど、当該配線の寄生抵抗および容量による影響が軽減されるので、安定化回路１１１によるゲート電圧の安定化の効果が高まる。そこで、安定化回路１１１を接地側トランジスタ１０２の近傍に配してもよい。例えば、接地側トランジスタ１０２のゲートと安定化回路１１１との間の配線長が、接地側トランジスタ１０２のゲートと制御回路１０６との間の配線長よりも短くてもよい。さらに、安定化回路１１１と接地側トランジスタ１０２との間の配線長が、接地側トランジスタ１０２と他の任意の回路素子との間の配線長よりも短くてもよい。または、１つの安定化回路１１１が１つの接地側トランジスタ１０２に対して配されている場合に、この安定化回路１１１と接地側トランジスタ１０２との間の配線長が、この安定化回路１１１と他の接地側トランジスタ１０２との間の配線長よりも短くてもよい。

図１に示すように、１つの制御回路１０６が信号線１０９を介して複数の接地側トランジスタ１０２に共通に接続されている場合に、複数のヒータ１０１が同時に駆動された結果、信号線１０９に多量の電流が流れることがある。本実施形態の半導体装置１００は、安定化回路１１１によって接地側トランジスタ１０２のゲート電圧が安定化されるので、このような場合であってもゲート電圧が大きく変化することが抑制される。

安定化回路１１１の容量素子１１２の構成は、接地側トランジスタ１０２のゲート容量と同様の構成であってもよい。例えば、接地側トランジスタ１０２が酸化膜の一部をゲート酸化膜として含むＭＯＳトランジスタであり、容量素子１１２が当該酸化膜の他の一部を含むＭＯＳキャパシタであってもよい。また、接地側トランジスタ１０２のゲート容量の容量値と容量素子１１２の容量値とが互いに等しくてもよい。

上述の例では、制御回路１０６が制御信号の電圧ＶＧ１を接地側トランジスタ１０２のオン電圧（２Ｖ）に維持し、制御回路１０７が制御信号の電圧ＶＧ２を電源側トランジスタ１０３のオン電圧（２８Ｖ）とオフ電圧（０Ｖ）との間で切り替える。これに代えて、制御回路１０７が制御信号の電圧ＶＧ２を電源側トランジスタ１０３のオン電圧（２８Ｖ）に維持し、制御回路１０６が制御信号の電圧ＶＧ１を接地側トランジスタ１０２のオン電圧（２Ｖ）とオフ電圧（０Ｖ）との間で切り替えてもよい。この場合に、安定化回路１１１は、電源側トランジスタ１０３のゲートに接続される。

また、上述の例では、制御回路１０７が供給する制御信号の電圧ＶＧ２が電源側トランジスタ１０３のオフ電圧（０Ｖ）である間も、制御回路１０６は制御信号の電圧ＶＧ１を接地側トランジスタ１０２のオン電圧（２Ｖ）に維持する。これに代えて、制御回路１０７が供給する制御信号の電圧ＶＧ２が電源側トランジスタ１０３のオフ電圧（０Ｖ）である間の少なくとも一部の期間に、制御回路１０６は制御信号の電圧ＶＧ１を接地側トランジスタ１０２のオフ電圧（０Ｖ）に切り替えてもよい。

続いて、図５を参照して、半導体装置１００の変形例について説明する。図５（Ａ）に示す変形例は、安定化回路１１１の代わりに安定化回路５００を有する点で図１に示す半導体装置１００とは異なり、他の点は同じであってもよい。安定化回路５００は、接地側トランジスタ１０２のソース電圧ＶＳ１を安定化させる機能を有する。具体的に、安定化回路５００は、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が所定の下限値を下回った場合に、当該ソース電圧を上昇する機能を有する。以下にこのような機能を有する安定化回路５００の具体的な構成例について説明する。

安定化回路５００は、接地側トランジスタ１０２のソースに接続されている。安定化回路５００は、クリップトランジスタ５０１と制御回路５０２とを有する。クリップトランジスタ５０１は、例えばＮＭＯＳトランジスタである。クリップトランジスタ５０１のソースは、接地側トランジスタ１０２のソースに接続されている。クリップトランジスタ５０１のドレインは、電源電圧源Ｖ１に接続されている。クリップトランジスタ５０１のゲートは、制御回路５０２に接続されている。クリップトランジスタ５０１のバックゲートは、クリップトランジスタ５０１のソースに接続されている。このように、クリップトランジスタ５０１は、電源電圧源Ｖ１と接地側トランジスタ１０２のソースとの間に配されている。制御回路５０２は、当該制御回路５０２に個別に接続されているクリップトランジスタ５０１のゲートに制御信号を供給する。安定化回路５００と接地側トランジスタ１０２との間の配線長や、安定化回路５００とブロックＢＬＫとの関係などは、安定化回路１１１と同様なので、重複する説明を省略する。

以下の説明では、半導体装置１００の動作中に、電源電圧源Ｖ１が５Ｖの電圧を供給し、制御回路５１２が２．５Ｖの制御信号を供給するとする。また、クリップトランジスタ５０１の閾値電圧を１Ｖとする。上述のとおり、接地側トランジスタ１０２のソースが電気的にフローティングの場合に、接地側トランジスタ１０２のソース電圧は不定となる。このソース電圧が１．５Ｖを下回ると、クリップトランジスタ５０１のゲート電圧からソース電圧を減じることで得られる値がクリップトランジスタ５０１の閾値電圧を上回る。その結果、クリップトランジスタ５０１がオンとなり、電源電圧源Ｖ１から接地側トランジスタ１０２のソースへ電流が流れ、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が上昇する。このように、安定化回路５００は、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が所定の下限値以上の範囲となるように当該ソース電圧をクリップする。具体的に、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が所定の下限値以上の範囲に含まれる場合に、クリップトランジスタ５０１がオフとなり、電源電圧源Ｖ１と接地側トランジスタ１０２のソースとの間が非導通状態になる。一方、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が所定の下限値以上の範囲から外れた場合に、クリップトランジスタ５０１がオンとなり、電源電圧源Ｖ１と接地側トランジスタ１０２のソースとの間が導通状態になる。所定の下限値は、クリップトランジスタ５０１のゲートに供給される電圧に基づいて設定されうる。換言すると、安定化回路５０は、クリップトランジスタ５０１のゲートに供給される電圧に基づいて、接地側トランジスタ１０２のソースの電圧をクリップする。半導体装置１００が安定化回路５００を備えることによって、電気的にフローティングである接地側トランジスタ１０２のソースの電圧の変動を抑制できるので、駆動中にヒータ１０１に流れる電流Ｉの波形のばらつきが低減される。

図５（Ｂ）に示す変形例は、安定化回路１１１の代わりに安定化回路５１０を有する点で図１に示す半導体装置１００とは異なり、他の点は同じであってもよい。安定化回路５１０は、接地側トランジスタ１０２のソース電圧ＶＳ１を安定化させる機能を有する。具体的に、安定化回路５１０は、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が所定の上限値を上回った場合に、当該ソース電圧を降下する機能を有する。以下にこのような機能を有する安定化回路５１０の具体的な構成例について説明する。

安定化回路５１０は、接地側トランジスタ１０２のソースに接続されている。安定化回路５１０は、クリップトランジスタ５１１と制御回路５１２とを有する。クリップトランジスタ５１１は、例えばＰＭＯＳトランジスタである。クリップトランジスタ５１１のソースは、接地側トランジスタ１０２のソースに接続されている。クリップトランジスタ５１１のドレインは、接地されている。クリップトランジスタ５１１のゲートは、制御回路５１２に接続されている。クリップトランジスタ５１１のバックゲートは、クリップトランジスタ５１１のソースに接続されている。このように、クリップトランジスタ５１１は、接地電圧を供給する電圧源と接地側トランジスタ１０２のソースとの間に配されている。制御回路５１２は、当該制御回路５１２に個別に接続されているクリップトランジスタ５１１のゲートに制御信号を供給する。安定化回路５１０と接地側トランジスタ１０２との間の配線長や、安定化回路５１０とブロックＢＬＫとの関係などは、安定化回路１１１と同様なので、重複する説明を省略する。

以下の説明では、半導体装置１００の動作中に、制御回路５１２が３．５Ｖの制御信号を供給するとする。また、クリップトランジスタ５１１の閾値電圧を１Ｖとする。上述のとおり、接地側トランジスタ１０２のソースが電気的にフローティングの場合に、接地側トランジスタ１０２のソース電圧は不定となる。このソース電圧が４．５Ｖを上回ると、クリップトランジスタ５１１のソース電圧からゲート電圧を減じることで得られる値がクリップトランジスタ５１１の閾値電圧を上回る。その結果、クリップトランジスタ５１１がオンとなり、接地側トランジスタ１０２のソースから接地へ電流が流れ、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が降下する。このように、安定化回路５１０は、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が所定の上限値以下の範囲となるように当該ソース電圧をクリップする。具体的に、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が所定の上限値以下の範囲に含まれる場合に、クリップトランジスタ５１１がオフとなり、接地と接地側トランジスタ１０２のソースとの間が非導通状態になる。一方、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が所定の上限値以下の範囲から外れた場合に、クリップトランジスタ５１１がオンとなり、接地と接地側トランジスタ１０２のソースとの間が導通状態になる。所定の上限値は、クリップトランジスタ５１１のゲートに供給される電圧に基づいて設定されうる。換言すると、安定化回路５００は、クリップトランジスタ５１１のゲートに供給される電圧に基づいて、接地側トランジスタ１０２のソースの電圧をクリップする。半導体装置１００が安定化回路５１０を備えることによって、電気的にフローティングである接地側トランジスタ１０２のソースの電圧の変動を抑制できるので、駆動中にヒータ１０１に流れる電流Ｉの波形のばらつきが低減される。

図５（Ｃ）に示す変形例は、安定化回路１１１の代わりに安定化回路５２０を有する点で図１に示す半導体装置１００とは異なり、他の点は同じであってもよい。安定化回路５２０は、接地側トランジスタ１０２のソース電圧ＶＳ１を安定化させる機能を有する。具体的に、安定化回路５２０は、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が所定の下限値を下回った場合に当該ソース電圧を上昇し、所定の上限値を上回った場合に当該ソース電圧を降下する機能を有する。以下にこのような機能を有する安定化回路５２０の具体的な構成例について説明する。

安定化回路５２０は、接地側トランジスタ１０２のソースに接続されている。安定化回路５２０は、クランプダイオード５２１とクランプダイオード５２２とを有する。クランプダイオード５２１のアノードは、接地側トランジスタ１０２のソースに接続されている。クランプダイオード５２１のカソードは、電源電圧源Ｖ２に接続されている。クランプダイオード５２２のアノードは、電源電圧源Ｖ２に接続されている。クランプダイオード５２２のカソードは、接地側トランジスタ１０２のソースに接続されている。すなわち、これらのクランプダイオード５２１、５２２は、接地側トランジスタ１０２のソースと電源電圧源Ｖ２との間に接続されている。安定化回路５２０と接地側トランジスタ１０２との間の配線長や、安定化回路５２０とブロックＢＬＫとの関係などは、安定化回路１１１と同様なので、重複する説明を省略する。

以下の説明では、半導体装置１００の動作中に、電源電圧源Ｖ１が３Ｖの電圧を供給するとする。また、クランプダイオード５２１、５２２の順方向電圧を１Ｖとする。上述のとおり、接地側トランジスタ１０２のソースが電気的にフローティングの場合に、接地側トランジスタ１０２のソース電圧は不定となる。このソース電圧が４．０Ｖを上回ると、クランプダイオード５２２を通じて接地側トランジスタ１０２のソースから電源電圧源Ｖ２へ電流が流れ、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が降下する。このソース電圧が２．０Ｖを下回ると、クランプダイオード５２１を通じて電源電圧源Ｖ２から接地側トランジスタ１０２のソースへ電流が流れ、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が上昇する。このように、安定化回路５２０は、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が所定の下限値以上、所定の上限値以下の範囲となるように当該ソース電圧をクランプする。具体的に、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が所定の下限値以上、所定の上限値以下の範囲に含まれる場合に、クランプダイオード５２１、５２２の両方が非導通状態となり、電源電圧源Ｖ１と接地側トランジスタ１０２のソースとの間が非導通状態になる。一方、接地側トランジスタ１０２のソース電圧が所定の下限値以上、所定の上限値以下の範囲から外れた場合に、クランプダイオード５２１、５２２のいずれかが導通状態となり、電源電圧源Ｖ１と接地側トランジスタ１０２のソースとの間が導通状態になる。半導体装置１００が安定化回路５２０を備えることによって、電気的にフローティングである接地側トランジスタ１０２のソースの電圧の変動を抑制できるので、駆動中にヒータ１０１に流れる電流Ｉの波形のばらつきが低減される。安定化回路５２０は、クランプダイオード５２１、５２２のうちの一方のみを有し、所定の上限値または下限値のみで規定される範囲に接地側トランジスタ１０２のソース電圧をクランプしてもよい。また、安定化回路５２０は、直列接続された複数のクランプダイオード５２１を備えてもよいし、直列接続された複数のクランプダイオード５２２を備えてもよい。

続いて、図６を参照して、半導体装置１００の別の変形例について説明する。図６（Ａ）に示す変形例は、安定化回路５００が接地側トランジスタ１０２のゲートに接続されている点で図５（Ａ）に示す半導体装置１００の変形例とは異なり、他の点は同じであってもよい。安定化回路５２０と接地側トランジスタ１０２との間の配線長や、安定化回路５２０とブロックＢＬＫとの関係などは、安定化回路１１１と同様なので、重複する説明を省略する。上述のように、接地側トランジスタ１０２のゲートに制御回路１０６を接続しただけでは、接地側トランジスタ１０２のゲート電圧ＶＳ１が安定しないことがある。図６（Ａ）の例では、安定化回路５００は、接地側トランジスタ１０２のゲート電圧ＶＳ１を安定化させる機能を有する。

図６（Ｂ）に示す変形例は、安定化回路５１０が接地側トランジスタ１０２のゲートに接続されている点で図５（Ｂ）に示す半導体装置１００の変形例とは異なり、他の点は同じであってもよい。図６（Ｃ）に示す変形例は、安定化回路５２０が接地側トランジスタ１０２のゲートに接続されている点で図５（Ｃ）に示す半導体装置１００の変形例とは異なり、他の点は同じであってもよい。図６（Ｂ）や図６（Ｃ）に示す変形例でも、安定化回路５１０、５２０が、接地側トランジスタ１０２のゲート電圧ＶＳ１を安定化させる機能を有する。

続いて、その他の実施形態として、図７を参照しつつ、上記の実施形態で説明された半導体装置１００を利用した液体吐出ヘッド、液体吐出カートリッジ及び液体吐出装置を以下に説明する。図７（ａ）は、いずれかの実施形態で説明された半導体装置１００を基体６０１として有する記録ヘッド６００の主要部を液体吐出ヘッドの一例として示す。図７（ａ）では、上述の実施形態のヒータ１０１が発熱部６０２として描かれている。また、説明のために天板６０３の一部が切り取られている。図７（ａ）に示されるように、複数の吐出口６０４に連通した液路６０５を形成するための流路壁部材６０６とインク供給口６０７を有する天板６０３とを基体６０１に組み合わせることにより、記録ヘッド６００が構成されうる。この場合に、インク供給口６０７から注入されるインクが内部の共通液室６０８へ蓄えられて各液路６０５へ供給され、その状態で基体６０１が駆動されることで、吐出口６０４からインクが吐出される。図１の実施形態の安定化回路１１１、図５の変形例の安定化回路５００、５１０、５２０及び図６の変形例の安定化回路５００、５１０、５２０を適宜組み合わせて、１つの半導体装置１００に搭載してもよい。

図７（ｂ）は液体吐出カートリッジの一例であるインクジェット用のカートリッジ６１０の全体構成を説明する図である。カートリッジ６１０は、上述した複数の吐出口６０４を有する記録ヘッド６００と、この記録ヘッド６００に供給するためのインクを収容するインク容器６１１とを備えている。液体容器であるインク容器６１１は、境界線Ｋを境に記録ヘッド６００に着脱可能に設けられている。カートリッジ６１０には、図７（ｃ）に示される記録装置に搭載された場合にキャリッジ側からの駆動信号を受け取るための電気的コンタクト（不図示）が設けられており、この駆動信号によって発熱部６０２が駆動される。インク容器６１１の内部には、インクを保持するために繊維質状または多孔質状のインク吸収体が設けられており、これらのインク吸収体によってインクが保持されている。

図７（ｃ）は液体吐出装置の一例であるインクジェット記録装置７００の外観斜視図を示す。インクジェット記録装置７００は、カートリッジ６１０を搭載し、カートリッジ６１０へ付与される信号を制御することにより、高速記録、高画質記録を実現しうる。インクジェット記録装置７００において、カートリッジ６１０は、駆動モータ７０１の正逆回転に連動して駆動力伝達ギア７０２、７０３を介して回転するリードスクリュー７０４の螺旋溝７２１に対して係合するキャリッジ７２０上に搭載されている。カートリッジ６１０は駆動モータ７０１の駆動力によってキャリッジ７２０と共にガイド７１９に沿って矢印ａまたはｂ方向に往復移動可能である。不図示の記録媒体給送装置によってプラテン７０６上に搬送される記録用紙Ｐ用の紙押え板７０５は、キャリッジ移動方向に沿って記録用紙Ｐをプラテン７０６に対して押圧する。フォトカプラ７０７、７０８は、キャリッジ７２０に設けられたレバー７０９のフォトカプラ７０７、７０８が設けられた領域での存在を確認して駆動モータ７０１の回転方向の切換等を行うためにホームポジションの検知を行う。支持部材７１０はカートリッジ６１０の全面をキャップするキャップ部材７１１を支持し、吸引部７１２はキャップ部材７１１内を吸引し、キャップ内開口を介してカートリッジ６１０の吸引回復を行う。移動部材７１５は、クリーニングブレード７１４を前後方向に移動可能にし、クリーニングブレード７１４及び移動部材７１５は、本体支持板７１６に支持されている。クリーニングブレード７１４は、図示の形態でなく周知のクリーニングブレードが本実施形態にも適用できる。また、レバー７１７は、吸引回復の吸引を開始するために設けられ、キャリッジ７２０と係合するカム７１８の移動に伴って移動し、駆動モータ７０１からの駆動力がクラッチ切換等の公知の伝達手法で移動制御される。カートリッジ６１０に設けられた発熱部６０２に信号を付与し、駆動モータ７０１等の各機構の駆動制御を司る記録制御部（不図示）は、装置本体側に設けられている。

次に、図７（ｄ）に示されるブロック図を用いてインクジェット記録装置７００の記録制御を実行するための制御回路の構成について説明する。制御回路は、記録信号が入力するインタフェース８００、ＭＰＵ（マイクロプロセッサ）８０１、ＭＰＵ８０１が実行する制御プログラムを格納するプログラムＲＯＭ８０２を備えている。制御回路は更に、各種データ（上記記録信号やヘッドに供給される記録データ等）を保存しておくダイナミック型のＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）８０３と、記録ヘッド８０８に対する記録データの供給制御を行うゲートアレイ８０４とを備えている。ゲートアレイ８０４は、インタフェース８００、ＭＰＵ８０１、ＲＡＭ８０３間のデータ転送制御も行う。さらにこの制御回路は、記録ヘッド８０８を搬送するためのキャリアモータ８１０と、記録紙搬送のための搬送モータ８０９とを備えている。この制御回路はさらに、記録ヘッド８０８を駆動するヘッドドライバ８０５、搬送モータ８０９及びキャリアモータ８１０をそれぞれ駆動するためのモータドライバ８０６、８０７とを備えている。上記制御構成の動作を説明すると、インタフェース８００に記録信号が入るとゲートアレイ８０４とＭＰＵ８０１との間で記録信号がプリント用の記録データに変換される。そして、モータドライバ８０６、８０７が駆動されるとともに、ヘッドドライバ８０５に送られた記録データに従って記録ヘッドが駆動され、印字が行われる。

１００ 半導体装置、１０１ ヒータ、１０２ 接地側トランジスタ、１０３ 電源側トランジスタ、１０６ 制御回路、１０７ 制御回路、１１１ 安定化回路、１１２ 容量素子

Claims (19)

1. 液体吐出ヘッド用の半導体装置であって、
   第１端子、第２端子及び制御端子を有しており、当該第１端子に第１電圧が供給される複数の第１トランジスタと、
   第１端子、第２端子及び制御端子を有しており、当該第１端子に第２電圧が供給される複数の第２トランジスタと、
   液体を吐出させるための複数の吐出素子であって、各吐出素子は前記複数の第１トランジスタの１つの前記第２端子と前記複数の第２トランジスタの１つの前記第２端子との間に接続されている、複数の吐出素子と、
   前記複数の第１トランジスタの導通状態を制御するための第１制御信号を、前記複数の第１トランジスタに接続された共通の信号線を通じて前記複数の第１トランジスタの前記制御端子に供給する第１制御回路と、
   前記第１トランジスタの前記第２端子と前記第１トランジスタの前記制御端子との少なくとも一方の電圧を安定化させるための安定化回路と
   を備えることを特徴とする半導体装置。
2. 前記第２トランジスタがオフである場合に、前記第１トランジスタの前記第２端子は電気的にフローティングであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記安定化回路は、第１電極と第２電極とを有する容量素子を含み、
   前記容量素子の前記第１電極は、前記共通の信号線に接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第１トランジスタはＭＯＳトランジスタであり、
   前記容量素子はＭＯＳキャパシタであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記安定化回路は、
   前記第１トランジスタの前記第２端子または前記制御端子のいずれか１つの端子と電圧源との間に接続されており、
   前記１つの端子の電圧が所定の範囲に含まれる場合に、前記１つの端子と前記電圧源との間を非導通状態にし、
   前記１つの端子の電圧が前記所定の範囲から外れた場合に、前記１つの端子と前記電圧源との間を導通状態にすることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の半導体装置。
6. 前記安定化回路は、前記第１トランジスタの前記第２端子または前記制御端子のいずれか１つの端子と電圧源との間に接続された第３トランジスタを含み、
   前記安定化回路は、前記第３トランジスタの制御端子に供給される電圧に基づいて、前記１つの端子の電圧をクリップすることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
7. 前記１つの端子は、前記第２端子であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記１つの端子は、前記制御端子であることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体装置。
9. 前記第１トランジスタと前記安定化回路との間の配線長が、前記第１トランジスタと前記第１制御回路との間の配線長よりも短いことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置。
10. 前記半導体装置は前記安定化回路を複数備え、
    前記複数の第１トランジスタ、前記複数の第２トランジスタ及び前記複数の吐出素子は複数のブロックに分かれており、
    前記複数のブロックの１つは、１つ以上の前記吐出素子と当該吐出素子に接続された前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタとを含み、
    前記複数の安定化回路は、それぞれ、前記複数のブロックの１つに対して配されていることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置。
11. 前記複数の第２トランジスタの導通状態を個別に制御するための第２制御信号を前記第２トランジスタの制御端子に供給する第２制御回路を、備えることを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
12. 液体吐出ヘッド用の半導体装置であって、
    第１端子、第２端子及び制御端子を有しており、当該第１端子に第１電圧が供給される複数の第１トランジスタと、
    第１端子、第２端子及び制御端子を有しており、当該第１端子に第２電圧が供給される複数の第２トランジスタと、
    液体を吐出させるための複数の吐出素子であって、各吐出素子は前記複数の第１トランジスタの１つの前記第２端子と前記複数の第２トランジスタの１つの前記第２端子との間に接続されている、複数の吐出素子と、
    前記複数の第１トランジスタの導通状態を制御するための第１制御信号を、前記複数の第１トランジスタに接続された共通の信号線を通じて前記複数の第１トランジスタの前記制御端子に供給する第１制御回路と、
    前記第１トランジスタの前記制御端子に接続された電極を有する容量素子とを備えることを特徴とする半導体装置。
13. 液体吐出ヘッド用の半導体装置であって、
    第１端子、第２端子及び制御端子を有しており、当該第１端子に第１電圧が供給される複数の第１トランジスタと、
    第１端子、第２端子及び制御端子を有しており、当該第１端子に第２電圧が供給される複数の第２トランジスタと、
    液体を吐出させるためのエネルギーを当該液体に与える複数の吐出素子であって、各吐出素子はいずれかの前記第１トランジスタの前記第２端子といずれかの前記第２トランジスタの前記第２端子との間に接続されている、複数の吐出素子と、
    前記複数の第１トランジスタの導通状態を制御するための第１制御信号を、前記複数の第１トランジスタに接続された共通の信号線を通じて前記複数の第１トランジスタの前記制御端子に供給する第１制御回路と、
    電圧源と前記第１トランジスタの前記第２端子との間に配された第３トランジスタまたはダイオードとを備えることを特徴とする半導体装置。
14. 液体吐出ヘッド用の半導体装置であって、
    第１端子、第２端子及び制御端子を有しており、当該第１端子に第１電圧が供給される複数の第１トランジスタと、
    第１端子、第２端子及び制御端子を有しており、当該第１端子に第２電圧が供給される複数の第２トランジスタと、
    液体を吐出させるためのエネルギーを当該液体に与える複数の吐出素子であって、各吐出素子はいずれかの前記第１トランジスタの前記第２端子といずれかの前記第２トランジスタの前記第２端子との間に接続されている、複数の吐出素子と、
    前記複数の第１トランジスタの導通状態を制御するための第１制御信号を、共通の信号線を通じて前記複数の第１トランジスタの前記制御端子に供給する第１制御回路と、
    電圧源と前記第１トランジスタの前記制御端子との間に配された第３トランジスタまたはダイオードとを備えることを特徴とする半導体装置。
15. 前記複数の第２トランジスタの導通状態を個別に制御するための第２制御信号を前記第２トランジスタの制御端子に供給する第２制御回路を、備えることを特徴とする請求項１２乃至請求項１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
16. 前記第２電圧は前記第１電圧よりも高いことを特徴とする請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
17. 請求項１乃至請求項１６のいずれか１項に記載の半導体装置と、前記半導体装置によって液体の吐出が制御される吐出口とを備えることを特徴とする液体吐出ヘッド。
18. 請求項１７に記載の液体吐出ヘッドとインクを収容する液体容器とを備えることを特徴とする液体吐出カートリッジ。
19. 請求項１７に記載の液体吐出ヘッドと、前記液体吐出ヘッドに液体を吐出させるための駆動信号を供給する供給手段とを有することを特徴とする液体吐出装置。