JP6064875B2 - 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP6064875B2
JP6064875B2 JP2013243005A JP2013243005A JP6064875B2 JP 6064875 B2 JP6064875 B2 JP 6064875B2 JP 2013243005 A JP2013243005 A JP 2013243005A JP 2013243005 A JP2013243005 A JP 2013243005A JP 6064875 B2 JP6064875 B2 JP 6064875B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
liquid
processing
wafer
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013243005A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2015103656A (ja
JP2015103656A5 (enExample
Inventor
純 野中
純 野中
昌吾 溝田
昌吾 溝田
辰也 永松
辰也 永松
大輔 齊木
大輔 齊木
一大 寺岡
一大 寺岡
貴士 薮田
貴士 薮田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2013243005A priority Critical patent/JP6064875B2/ja
Priority to TW103139779A priority patent/TWI585881B/zh
Priority to US14/548,453 priority patent/US10236192B2/en
Priority to KR1020140163311A priority patent/KR102370517B1/ko
Publication of JP2015103656A publication Critical patent/JP2015103656A/ja
Publication of JP2015103656A5 publication Critical patent/JP2015103656A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6064875B2 publication Critical patent/JP6064875B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
JP2013243005A 2013-11-25 2013-11-25 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 Active JP6064875B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013243005A JP6064875B2 (ja) 2013-11-25 2013-11-25 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
TW103139779A TWI585881B (zh) 2013-11-25 2014-11-17 Liquid treatment device, liquid treatment method and memory medium
US14/548,453 US10236192B2 (en) 2013-11-25 2014-11-20 Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium
KR1020140163311A KR102370517B1 (ko) 2013-11-25 2014-11-21 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013243005A JP6064875B2 (ja) 2013-11-25 2013-11-25 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016251339A Division JP6304364B2 (ja) 2016-12-26 2016-12-26 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015103656A JP2015103656A (ja) 2015-06-04
JP2015103656A5 JP2015103656A5 (enExample) 2015-12-17
JP6064875B2 true JP6064875B2 (ja) 2017-01-25

Family

ID=53183023

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013243005A Active JP6064875B2 (ja) 2013-11-25 2013-11-25 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10236192B2 (enExample)
JP (1) JP6064875B2 (enExample)
KR (1) KR102370517B1 (enExample)
TW (1) TWI585881B (enExample)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210113061A (ko) 2020-03-06 2021-09-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6064875B2 (ja) * 2013-11-25 2017-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP6404189B2 (ja) * 2015-08-07 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
JP6726430B2 (ja) * 2016-01-25 2020-07-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR101817211B1 (ko) * 2016-05-27 2018-01-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101914479B1 (ko) * 2016-08-31 2018-11-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP6815799B2 (ja) * 2016-09-13 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2018110186A (ja) * 2017-01-04 2018-07-12 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
KR102245342B1 (ko) * 2017-02-28 2021-04-27 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6910164B2 (ja) * 2017-03-01 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US10875149B2 (en) * 2017-03-30 2020-12-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and method for timed dispensing various slurry components
JP6923344B2 (ja) 2017-04-13 2021-08-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 周縁処理装置および周縁処理方法
JP6924614B2 (ja) * 2017-05-18 2021-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
CN112514035B (zh) * 2018-07-26 2024-07-05 东京毅力科创株式会社 基板处理系统和基板处理方法
CN111081585B (zh) * 2018-10-18 2022-08-16 北京北方华创微电子装备有限公司 喷淋装置及清洗设备
JP7169865B2 (ja) * 2018-12-10 2022-11-11 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TWI820263B (zh) * 2018-12-14 2023-11-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板液處理裝置及基板液處理方法
JP7308048B2 (ja) * 2019-02-15 2023-07-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 液処理装置および液処理方法
JP7390837B2 (ja) * 2019-09-27 2023-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US12387939B2 (en) * 2019-12-16 2025-08-12 Tokyo Electron Limited Substrate processing method
WO2021133564A1 (en) * 2019-12-27 2021-07-01 Veeco Instruments Inc. An apparatus and method for die stack flux removal
JP7362505B2 (ja) * 2020-02-20 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び液体吐出評価方法
TWI886306B (zh) * 2020-07-28 2025-06-11 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP7486372B2 (ja) * 2020-07-29 2024-05-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
CN116438633A (zh) * 2020-11-05 2023-07-14 东京毅力科创株式会社 基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读取的记录介质
KR102877342B1 (ko) * 2021-01-11 2025-10-30 삼성디스플레이 주식회사 식각 장치 및 이를 이용한 식각 방법
JP2023047615A (ja) * 2021-09-27 2023-04-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
CN114420552B (zh) * 2021-12-31 2025-10-03 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种基于流场控制的高温蚀刻方法
JP2024047495A (ja) 2022-09-26 2024-04-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 学習装置、情報処理装置、基板処理装置、基板処理システム、学習方法および処理条件決定方法
JP2024124092A (ja) 2023-03-02 2024-09-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 学習装置、情報処理装置、基板処理装置、学習モデル生成方法および処理条件決定方法
US20240399425A1 (en) * 2023-06-02 2024-12-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus to enable droplet jet cleaning at elevated temperature

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07245287A (ja) 1994-03-04 1995-09-19 Fuji Xerox Co Ltd ウエットエッチング装置
JPH11165114A (ja) * 1997-12-05 1999-06-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 枚葉式基板処理装置
US6516815B1 (en) * 1999-07-09 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module
US6805769B2 (en) * 2000-10-13 2004-10-19 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP3585437B2 (ja) * 2000-11-22 2004-11-04 株式会社荏原製作所 ルテニウム膜のエッチング方法
CN100423205C (zh) * 2003-11-18 2008-10-01 东京毅力科创株式会社 基板清洗方法、基板清洗装置
JP2006093497A (ja) * 2004-09-27 2006-04-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置
JP4760255B2 (ja) 2005-09-21 2011-08-31 富士ゼロックス株式会社 ネットワークプリントシステム
KR20080082010A (ko) 2006-01-31 2008-09-10 가부시키가이샤 섬코 웨이퍼의 매엽식 식각 방법
JP4708243B2 (ja) * 2006-03-28 2011-06-22 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2008060302A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Sokudo:Kk 基板処理装置
JP4638402B2 (ja) * 2006-10-30 2011-02-23 大日本スクリーン製造株式会社 二流体ノズル、ならびにそれを用いた基板処理装置および基板処理方法
JP2008218545A (ja) 2007-03-01 2008-09-18 Sumco Corp ウェーハの枚葉式エッチング装置
JP4988616B2 (ja) 2007-08-21 2012-08-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US20090107519A1 (en) * 2007-10-30 2009-04-30 Sokudo Co., Ltd. Method and system for chemically enhanced laser trimming of substrate edges
US20090214985A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Tokyo Electron Limited Method for reducing surface defects on patterned resist features
JP5173500B2 (ja) * 2008-03-11 2013-04-03 大日本スクリーン製造株式会社 処理液供給装置およびそれを備えた基板処理装置
US20090241995A1 (en) * 2008-03-31 2009-10-01 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning method and apparatus
JP5151629B2 (ja) * 2008-04-03 2013-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体
KR101065557B1 (ko) * 2008-10-29 2011-09-19 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치
JP5349944B2 (ja) * 2008-12-24 2013-11-20 株式会社荏原製作所 基板処理装置の液飛散防止カップ、基板処理装置、及びその運転方法
JP5634341B2 (ja) 2011-06-29 2014-12-03 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
JP5693439B2 (ja) * 2011-12-16 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6100487B2 (ja) * 2012-08-20 2017-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6183705B2 (ja) * 2013-01-15 2017-08-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6064875B2 (ja) * 2013-11-25 2017-01-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210113061A (ko) 2020-03-06 2021-09-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102370517B1 (ko) 2022-03-03
KR20150060556A (ko) 2015-06-03
JP2015103656A (ja) 2015-06-04
US20150147888A1 (en) 2015-05-28
TW201535561A (zh) 2015-09-16
US10236192B2 (en) 2019-03-19
TWI585881B (zh) 2017-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6064875B2 (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
US11610790B2 (en) Substrate processing apparatus
US10748790B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6404189B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
CN107706131B (zh) 液处理方法、基板处理装置以及存储介质
JP6336365B2 (ja) 基板液処理装置
US20190013217A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and recording medium
JP6569574B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6888393B2 (ja) エッチング装置、エッチング方法及び記憶媒体
KR20170042483A (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
JP6203667B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法
JP6304364B2 (ja) 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
US9822453B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium storing substrate processing program
JP6489479B2 (ja) 基板処理装置
JP6160554B2 (ja) 塗布膜形成装置、塗布膜形成方法、記憶媒体
JP2005217282A (ja) 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置
JP6986399B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
US12387939B2 (en) Substrate processing method
JP6370678B2 (ja) 基板液処理装置
JP2016157853A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151030

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151030

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160719

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160816

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161017

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161205

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6064875

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250