JP6056154B2 - 発光素子、発光素子アレイ、光書込みヘッドおよび画像形成装置 - Google Patents
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Description
請求項2は、前記電流狭窄部は、アノード側の半導体層に形成される、請求項1に記載の発光素子。
請求項3は、第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第1導電型の半導体多層膜反射鏡と、前記半導体多層膜反射鏡上に形成された第1導電型の第1の半導体層と、第1の半導体層上に形成された第1導電型と異なる第2導電型の第2の半導体層と、第2の半導体層上に形成された第1導電型の第3の半導体層と、第3の半導体層上に形成された第2導電型の第4の半導体層と、前記半導体基板の裏面に形成された第1の電極と、第4の半導体層上に形成された第2の電極とを有し、前記半導体多層膜反射鏡は、選択的に酸化された第1の酸化領域と第1の酸化領域に隣接する第1の導電領域とを含み、第1の導電領域は、前記半導体基板と第1の半導体層とを電気的に接続し、前記半導体多層膜反射鏡に含まれる少なくとも1つの半導体層の不純物濃度は、第1の半導体層の不純物濃度よりも高い、発光素子。
請求項4は、第1ないし第4の半導体層の少なくとも1つは電流狭窄部を含み、当該電流狭窄部は、選択的に酸化された第2の酸化領域と第2の酸化領域によって囲まれた第2の導電領域とを含み、第2の導電領域は、前記第1の酸化領域と重複する位置関係にある、請求項3に記載の発光素子。
請求項5は、前記半導体多層膜反射鏡は、屈折率が相対的に高い高屈折率層と屈折率が相対的に低い低屈折率層の対を複数含み、前記第1の酸化領域は、少なくとも低屈折率層を酸化することにより形成されている、請求項1ないし4いずれか1つに記載の発光素子。
請求項6は、前記高屈折率層は、Al組成が相対的に低い低Al半導体層であり、前記低屈折率層は、Al組成が相対的に高Al半導体層である、請求項5に記載の発光素子。
請求項7は、前記半導体多層膜反射鏡の少なくとも1つの低屈折率層の不純物濃度は、第1の半導体層の不純物濃度よりも高い、請求項1ないし6いずれか1つに記載の発光素子。
請求項8は、前記半導体多層膜反射鏡の内、第1の半導体層に近接する半導体層の不純物濃度は、第1の半導体層の不純物濃度よりも高い、請求項7に記載の発光素子。
請求項9は、前記第1の酸化領域は、前記半導体多層膜反射鏡に至る穴から選択的に酸化されている、請求項1ないし8いずれか1つに記載の発光素子。
請求項10は、前記第2の酸化領域は、前記半導体多層膜反射鏡上に形成された第1の柱状構造の側面から選択的に酸化されている、請求項1または4に記載の発光素子。
請求項11は、前記第1の柱状構造上に第2の柱状構造が形成され、第2の柱状構造は第4の半導体層を含み、前記第1の酸化領域は、第2の柱状構造と重複する位置関係にある、請求項10に記載の発光素子。
請求項12は、前記第1の酸化領域の第1の酸化距離は、前記第2の酸化領域の第2の酸化距離よりも大きい、請求項1または4に記載の発光素子。
請求項13は、第1導電型がp型であり、第2導電型がn型であるとき、前記電流狭窄部は、第1の半導体層内に形成される、請求項1または4に記載の発光素子。
請求項14は、第1導電型がn型であり、第2導電型がp型であるとき、前記電流狭窄部は、第4の半導体層内に形成される、請求項1または4に記載の発光素子。
請求項15は、請求項1ないし14いずれか1つに記載の発光素子が前記半導体基板上にアレイ状に複数形成され、隣接する発光素子の間に前記第1の酸化領域を形成するための酸化用の穴が形成される、発光素子アレイ。
請求項16は、酸化用の穴は、隣接する発光素子の各々の第1の酸化領域を形成するために利用されたものである、請求項15に記載の発光素子アレイ。
請求項17は、発光素子アレイは、自己走査型発光素子アレイである、請求項15または16に記載の発光素子アレイ。
請求項18は、請求項15ないし17いずれか1つに記載の発光素子アレイを用いた光書込みヘッド。
請求項19は、請求項18に記載の光書込みヘッドを備えた画像形成装置。
請求項20は、発光素子の製造方法であって、第1導電型の半導体基板、前記半導体基板上に形成された第1導電型の半導体多層膜反射鏡、前記半導体多層膜反射鏡上に形成された第1導電型の第1の半導体層、第1の半導体層上に形成された第1導電型と異なる第2導電型の第2の半導体層、第2の半導体層上に形成された第1導電型の第3の半導体層、および第3の半導体層上に形成された第2導電型の第4の半導体層を有する積層体を用意し、少なくとも第4の半導体層を含む第1の柱状構造を形成する工程と、前記第1の柱状構造の下方に少なくとも第1の半導体層を含む第2の柱状構造を形成するとともに前記半導体多層膜反射鏡に至る穴を形成する工程と、前記第2の柱状構造により露出された第1の半導体層内に選択的に酸化された領域を形成するとともに前記穴を介して露出された半導体多層膜反射鏡内に選択された酸化領域を同時に形成する工程と、を有する製造方法。
請求項21は、前記半導体多層膜反射鏡は、屈折率の高い高屈折率層と屈折率の低い低屈折率層の対を複数含み、少なくとも1つの低屈折率層の不純物濃度は、第1の半導体層の不純物濃度よりも高い、請求項20に記載の製造方法。
請求項1によれば、電流狭窄部を持たない発光素子と比較して、発光効率を向上させることができる。
請求項2、13、14によれば、注入される正孔の密度を高くすることができる。
請求項3、7、8によれば、半導体基板と第1の半導体層との間の電気的抵抗を小さくすることができる。
請求項5、6によれば、低屈折率層と高屈折率層の屈折率差を大きくすることができる。
請求項9によれば、穴を形成しない場合と比較して、第1の酸化領域の形成を容易に行うことができる。
請求項10によれば、柱状構造を持たない場合と比較して第2の酸化領域の形成を容易に行うことができる。
請求項11によれば、発光効率を向上させることができる。
請求項12によれば、第1の酸化領域を第2の導電領域に対して重複させることができる。
請求項15によれば、酸化用の穴を形成しない場合と比較して、複数の発光素子の第1の酸化領域を容易に形成することができる。
請求項16によれば、発光素子の低抵抗化を図ることができる。
第2の実施例では、酸化用の穴40A、40B、40Cが、隣接する発光サイリスタ10−2〜10−4の間に形成されるが、その形成される位置は、メサM1の略中心Cを通る線上にある。メサM1の平面視が矩形状であるとき、その対角線の交点が中心Cとなる。破線で示す円Q1〜Q6は、穴40A〜40Cを利用したときの酸化DBR16Aの範囲を示している。1つの発光サイリスタの酸化DBR16Aは、その両側に位置する穴からの酸化によって形成される。ここで、発光サイリスタ10−2に着目すると、発光サイリスタ10−2の酸化DBR16Aは、穴40Aを利用したときの酸化距離であるQ2、穴40Bを利用したときの酸化距離であるQ3によって決定される。一方、発光サイリスタ10−2の電流狭窄部26の酸化領域26Aと導電領域26Bの境界は、矩形状の破線Kで表されている。この導電領域26Bは、第1の実施例のときと同様に、その全体が酸化DBR16Aと重複する位置関係にある。
12:半導体基板
14:バッファ層
16:半導体多層膜反射鏡
16A:酸化DBR
16B:導電DBR
18:第1の半導体層
20:第2の半導体層
22:第3の半導体層
24:第4の半導体層
24A:コンタクト層
26:電流狭窄部
26A:酸化領域
26B:導電領域
30:裏面電極
32:上部電極
40A、40B:酸化用の穴
M1、M2:メサ
Q1〜Q6:酸化DBRの範囲
K:電流狭窄部の酸化領域の境界
200,200A:低屈折率層
210:高屈折率層
Claims (21)
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1導電型の半導体多層膜反射鏡と、
前記半導体多層膜反射鏡上に形成された第1導電型の第1の半導体層と、
第1の半導体層上に形成された第1導電型と異なる第2導電型の第2の半導体層と、
第2の半導体層上に形成された第1導電型の第3の半導体層と、
第3の半導体層上に形成された第2導電型の第4の半導体層と、
前記半導体基板の裏面に形成された第1の電極と、
第4の半導体層上に形成された第2の電極とを有し、
前記半導体多層膜反射鏡は、選択的に酸化された第1の酸化領域と第1の酸化領域に隣接する第1の導電領域とを含み、第1の導電領域は、前記半導体基板と第1の半導体層とを電気的に接続し、
第1ないし第4の半導体層の少なくとも1つは電流狭窄部を含み、当該電流狭窄部は、選択的に酸化された第2の酸化領域と第2の酸化領域によって囲まれた第2の導電領域とを含み、第2の導電領域は、前記第1の酸化領域と重複する位置関係にある、発光素子。 - 前記電流狭窄部は、アノード側の半導体層に形成される、請求項1に記載の発光素子。
- 第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1導電型の半導体多層膜反射鏡と、
前記半導体多層膜反射鏡上に形成された第1導電型の第1の半導体層と、
第1の半導体層上に形成された第1導電型と異なる第2導電型の第2の半導体層と、
第2の半導体層上に形成された第1導電型の第3の半導体層と、
第3の半導体層上に形成された第2導電型の第4の半導体層と、
前記半導体基板の裏面に形成された第1の電極と、
第4の半導体層上に形成された第2の電極とを有し、
前記半導体多層膜反射鏡は、選択的に酸化された第1の酸化領域と第1の酸化領域に隣接する第1の導電領域とを含み、第1の導電領域は、前記半導体基板と第1の半導体層とを電気的に接続し、
前記半導体多層膜反射鏡に含まれる少なくとも1つの半導体層の不純物濃度は、第1の半導体層の不純物濃度よりも高い、発光素子。 - 第1ないし第4の半導体層の少なくとも1つは電流狭窄部を含み、当該電流狭窄部は、選択的に酸化された第2の酸化領域と第2の酸化領域によって囲まれた第2の導電領域とを含み、第2の導電領域は、前記第1の酸化領域と重複する位置関係にある、請求項3に記載の発光素子。
- 前記半導体多層膜反射鏡は、屈折率が相対的に高い高屈折率層と屈折率が相対的に低い低屈折率層の対を複数含み、前記第1の酸化領域は、少なくとも低屈折率層を酸化することにより形成されている、請求項1ないし4いずれか1つに記載の発光素子。
- 前記高屈折率層は、Al組成が相対的に低い低Al半導体層であり、前記低屈折率層は、Al組成が相対的に高Al半導体層である、請求項5に記載の発光素子。
- 前記半導体多層膜反射鏡の少なくとも1つの低屈折率層の不純物濃度は、第1の半導体層の不純物濃度よりも高い、請求項1ないし6いずれか1つに記載の発光素子。
- 前記半導体多層膜反射鏡の内、第1の半導体層に近接する半導体層の不純物濃度は、第1の半導体層の不純物濃度よりも高い、請求項7に記載の発光素子。
- 前記第1の酸化領域は、前記半導体多層膜反射鏡に至る穴から選択的に酸化されている、請求項1ないし8いずれか1つに記載の発光素子。
- 前記第2の酸化領域は、前記半導体多層膜反射鏡上に形成された第1の柱状構造の側面から選択的に酸化されている、請求項1または4に記載の発光素子。
- 前記第1の柱状構造上に第2の柱状構造が形成され、第2の柱状構造は第4の半導体層を含み、前記第1の酸化領域は、第2の柱状構造と重複する位置関係にある、請求項10に記載の発光素子。
- 前記第1の酸化領域の第1の酸化距離は、前記第2の酸化領域の第2の酸化距離よりも大きい、請求項1または4に記載の発光素子。
- 第1導電型がp型であり、第2導電型がn型であるとき、前記電流狭窄部は、第1の半導体層内に形成される、請求項1または4に記載の発光素子。
- 第1導電型がn型であり、第2導電型がp型であるとき、前記電流狭窄部は、第4の半導体層内に形成される、請求項1または4に記載の発光素子。
- 請求項1ないし14いずれか1つに記載の発光素子が前記半導体基板上にアレイ状に複数形成され、隣接する発光素子の間に前記第1の酸化領域を形成するための酸化用の穴が形成される、発光素子アレイ。
- 酸化用の穴は、隣接する発光素子の各々の第1の酸化領域を形成するために利用されたものである、請求項15に記載の発光素子アレイ。
- 発光素子アレイは、自己走査型発光素子アレイである、請求項15または16に記載の発光素子アレイ。
- 請求項15ないし17いずれか1つに記載の発光素子アレイを用いた光書込みヘッド。
- 請求項18に記載の光書込みヘッドを備えた画像形成装置。
- 発光素子の製造方法であって、
第1導電型の半導体基板、前記半導体基板上に形成された第1導電型の半導体多層膜反射鏡、前記半導体多層膜反射鏡上に形成された第1導電型の第1の半導体層、第1の半導体層上に形成された第1導電型と異なる第2導電型の第2の半導体層、第2の半導体層上に形成された第1導電型の第3の半導体層、および第3の半導体層上に形成された第2導電型の第4の半導体層を有する積層体を用意し、
少なくとも第4の半導体層を含む第1の柱状構造を形成する工程と、
前記第1の柱状構造の下方に少なくとも第1の半導体層を含む第2の柱状構造を形成するとともに前記半導体多層膜反射鏡に至る穴を形成する工程と、
前記第2の柱状構造により露出された第1の半導体層内に選択的に酸化された領域を形成するとともに前記穴を介して露出された半導体多層膜反射鏡内に選択された酸化領域を同時に形成する工程と、
を有する製造方法。 - 前記半導体多層膜反射鏡は、屈折率の高い高屈折率層と屈折率の低い低屈折率層の対を複数含み、少なくとも1つの低屈折率層の不純物濃度は、第1の半導体層の不純物濃度よりも高い、請求項20に記載の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012039749A JP6056154B2 (ja) | 2011-07-21 | 2012-02-27 | 発光素子、発光素子アレイ、光書込みヘッドおよび画像形成装置 |
US13/476,526 US8659035B2 (en) | 2011-07-21 | 2012-05-21 | Light-emitting device, light-emitting device array, optical recording head, image forming apparatus, and method of manufacturing light-emitting device |
CN201210230065.6A CN102891230B (zh) | 2011-07-21 | 2012-07-04 | 发光器件、发光器件阵列、光学记录头、图像成形装置和制造发光器件的方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011159953 | 2011-07-21 | ||
JP2011159953 | 2011-07-21 | ||
JP2012039749A JP6056154B2 (ja) | 2011-07-21 | 2012-02-27 | 発光素子、発光素子アレイ、光書込みヘッドおよび画像形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013042109A JP2013042109A (ja) | 2013-02-28 |
JP6056154B2 true JP6056154B2 (ja) | 2017-01-11 |
Family
ID=47534682
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012039749A Active JP6056154B2 (ja) | 2011-07-21 | 2012-02-27 | 発光素子、発光素子アレイ、光書込みヘッドおよび画像形成装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8659035B2 (ja) |
JP (1) | JP6056154B2 (ja) |
CN (1) | CN102891230B (ja) |
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TWI741854B (zh) * | 2020-10-26 | 2021-10-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型半導體元件 |
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JP2012015139A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
-
2012
- 2012-02-27 JP JP2012039749A patent/JP6056154B2/ja active Active
- 2012-05-21 US US13/476,526 patent/US8659035B2/en active Active
- 2012-07-04 CN CN201210230065.6A patent/CN102891230B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013042109A (ja) | 2013-02-28 |
CN102891230A (zh) | 2013-01-23 |
US8659035B2 (en) | 2014-02-25 |
US20130020592A1 (en) | 2013-01-24 |
CN102891230B (zh) | 2017-03-15 |
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A977 | Report on retrieval |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
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