JP5997767B2 - チャンネル移動度を増加させた半導体デバイスを製造するためのウェット・ケミストリー・プロセス - Google Patents
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Description
[0001] 本発明は、米国陸軍から授与された契約番号W911NF−10−2−0038のもとで政府の資金を用いてなされた。米国政府は本発明の権利を有し得る。
[0002] 本出願は、2011年6月27日に出願された米国仮特許出願第61/501460号の利益を主張するものであり、この参照によりその出願の開示の全体がここに組み込まれる。
[0004] 本開示は、半導体デバイスに関し、より詳細には、チャンネル移動度を増加した半導体デバイスに関する。
[0005] 標準の炭化けい素(SiC)金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)は、伝導損を大きくする原因である低いチャンネル移動度または高いチャンネル抵抗により、苦しめられている。チャンネル移動度を低くする原因の多くは、ゲート酸化膜と下にあるSiCとの間に欠陥のある界面を形成するゲート酸化膜プロセスに起因する。ゲート酸化膜/SiCの界面に生じる欠陥は、電荷をトラップし、キャリアを散乱させ、それによりチャンネル移動度を低下させる。従って、SiC MOSFETおよび同様の半導体デバイスのチャンネル移動度またはチャンネル抵抗を改善するゲート酸化膜プロセスが必要である。
[0006] チャンネル移動度を増加させた半導体デバイスおよびその半導体デバイスの製造の方法の実施形態を開示する。1つの実施形態では、半導体デバイスは、チャンネル領域を含む基板と、基板のチャンネル領域上のゲート・スタックとを含み、ゲート・スタックは、アルカリ土類金属を含む。アルカリ土類金属は、例えば、バリウム(Ba)やストロンチウム(Sr)とすることができる。アルカリ土類金属により、半導体デバイスのチャンネル移動度の実質的な改善がもたらされる。1つの実施形態では、基板は炭化けい素(SiC)基板であり、半導体デバイスのチャンネル移動度は、アルカリ土類金属を用いない同じ半導体デバイスのチャンネル移動度の少なくとも2.5倍の大さとなる。別の実施形態では、基板はSiC基板であり、半導体デバイスのチャンネル移動度は、3ボルトより大きい制御電圧に対して、少なくとも50cm2V−1S−1である。更に別の実施形態では、基板はSiC基板であり、半導体デバイスのチャンネル移動度は、3ボルトないし15ボルトの範囲の制御電圧に対して、少なくとも50cm2V−1S−1である。
[0037] 以下で説明する実施形態は、当業者が実施形態を実施できるようにするために必要な情報であり、実施形態を実施する際の最適の態様を例示する。当業者であれば、添付の図面を参照して以下の説明を読むことにより、ここで開示するものの概念を理解し、それらの概念の、ここでは特定的に説明しない応用についても認識するであろう。それらの概念および応用は、ここでの開示および特許請求の範囲の範囲内にあることを理解すべきである。
・ 1つのアルカリ土類金属の層(例えば、Baの層またはSrの層)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の複数の層(例えば、Baの複数の層や、Baの層にSrの層が続くもの)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の1以上の層と、アルカリ土類金属の1以上の層の上または直上の同じまたは異なる酸化物の1以上の層、
・ アルカリ土類金属を含む1以上の酸化物層(例えば、酸化バリウム(BaO)やBaXSiYOZ)、
・ 1以上の第1アルカリ土類金属層と、1以上の第1アルカリ土類金属層の上または直上の1以上の酸化物層と、1以上の第1酸化物層における1以上の第1アルカリ土類金属層側と反対の側の上または直上の1以上の第2アルカリ土類金属層とを含むアルカリ土類金属−酸化物−アルカリ土類金属構造、または
・アルカリ土類金属を含む1以上の酸窒化物層(例えば、BaOXNY)
とすることができる。1つの例示的な実施形態では、中間膜22はBaXSiYOZである。1つの実施形態では、中間膜22は、2オングストロームないし15オングストロームの範囲の厚さを有する。
・ 分子線デポジションまたは他の真空蒸着またはデポジション・プロセスを介して、中間膜22をデポジットする、
・ アルカリ土類金属をデポジットし、次に、デポジットしたアルカリ土類金属を酸化する(熱アニール無し)、
・ アルカリ土類金属をデポジットし、デポジットしたアルカリ土類金属を酸化し、次に、熱アニールする、
・ アルカリ土類金属を含む酸化物をデポジットし、熱アニールを行わない、
・ アルカリ土類金属を含む酸化物をデポジットし、次に、デポジットした酸化物に対して熱アニールを行う、
・ アルカリ土類金属をデポジットし、デポジットしたアルカリ土類金属を酸化し(熱アニール無し)、次に、酸化したアルカリ土類金属を、ゲート酸化膜24と中間膜22の一部とのうちの何れかである酸化けい素(SiOX)で、インサイチュ(in situ)でキャッピングする、
・ アルカリ土類金属をデポジットし、デポジットしたアルカリ土類金属を酸化し、熱アニールし、次に、酸化したアルカリ土類金属を、ゲート酸化膜24と中間膜22の一部とのうちの何れかであるSiOXで、インサイチュでキャッピングする、
・ アルカリ土類金属を含む酸化物をデポジットし、熱アニールを行わず、次に、酸化物を、ゲート酸化膜24と中間膜22の一部とのうちの何れかであるSiOXで、インサイチュでキャッピングする、
・ アルカリ土類金属を含む酸化物をデポジットし、デポジットした酸化物に対して熱アニールを行い、次に、酸化物を、ゲート酸化膜24と中間膜22の一部とのうちの何れかであるSiOXで、インサイチュでキャッピングする、
・ アルカリ土類金属を、例えば、プラズマ浸漬イオン注入(即ち、基板12の表面へのイオンの注入を生じさせる電圧バイアスを用いるプラズマ・プロセス)などのようなプラズマ・プロセスを用いて、基板12の表面へ注入し、次に、酸化する、
・ アルカリ土類金属を、固体拡散(solid state diffusion)を介して基板12の表面内へ拡散する、
・ 中間膜22を、原子層堆積を介してデポジットする、
・ アルカリ土類金属またはアルカリ土類金属を含む酸化物を、プラズマ強化化学蒸着(PECVD)を介してデポジットする、
・ アルカリ土類金属またはアルカリ土類金属を含む酸化物を、金属有機化学蒸着(Metallo-Organic Chemical Vapor Deposition)(MOCVD)を介してデポジットする、
・ アルカリ土類金属またはアルカリ土類金属を含む酸化物を、基板12の表面へプリントする、
のうちの1つを用いて形成することができる。
・ 基板12を、アルカリ土類金属を含む液体に浸漬し、スピン・ドライする(酸化無し)、
・ 基板12をアルカリ土類金属を含む液体に浸漬し、基板12をスピン・ドライし、次に、結果として基板12の表面に残ったアルカリ土類金属を酸化する、
・ アルカリ土類金属を含む液体を基板12の表面へ向けて吹き出し(spinning)、基板12の表面を乾燥させる(酸化無し)、
・ アルカリ土類金属を含む液体を基板12の表面へ向けて吹き出し(spinning)、基板12の表面を乾燥させ、次に、乾燥後に結果として基板12の表面に残ったアルカリ土類金属を酸化する、
・ 基板12を、アルカリ土類金属を含む液体の中へ浸漬し、次に、酸素が豊富な環境で排出を行う、
・ 基板12の表面へ、酸化物(例えば、SiO2)を通して、アルカリ土類金属を含む液体をバブリング(bubbling)し、次に、炉で酸化する、
・ 温度管理された環境においての、基板12の表面への、アルカリ土類金属を含む液体の気相成長(vapor phase deposition)、
・ アルカリ土類金属を含む液体を、基板12の表面へスプレーする、
・ 基板の適切な(即ち、ゲートの)領域上への、液体のインクジェット・プリント、
のうちの1つを用いて形成することができる。アルカリ土類金属を含む液体は、例えば、水性の溶液やアルコール・ベースの溶液など溶液の形になった酢酸バリウムや硝酸バリウムや他の溶性のバリウム(またはアルカリ土類)化合物とすることができる。更に、溶液は、アルカリ土類元素と、他の誘電体、例えば、前記のアルカリ土類溶液または溶性のアルカリ土類化合物と混合されるスピンオンガラス溶液(水性SiO2プロセス用に市販されている溶液)などを、含むことができる。溶液の有効性は、SiCサンプルに対しての溶液の表面張力により、またはpHにより、または溶液とサンプルとの間で適用される電気化学的特性により、制御することができる。
・ 1つのアルカリ土類金属の層(例えば、BaまたはSrの層)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の複数の層(例えば、Baの複数の層や、Baの層にSrの層が続くもの)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の1以上の層と、アルカリ土類金属の1以上の層の上または直上の同じまたは異なる酸化物の1以上の層、
・ アルカリ土類金属を含む1以上の酸化物層(例えば、BaOやBaXSiYOZ)、
・ 1以上の第1アルカリ土類金属層と、1以上の第1アルカリ土類金属層の上または直上の1以上の酸化物層と、1以上の第1酸化物層における1以上の第1アルカリ土類金属層側と反対の側の上または直上の1以上の第2アルカリ土類金属層とを含むアルカリ土類金属−酸化物−アルカリ土類金属構造、または
・アルカリ土類金属を含む1以上の酸窒化物層(例えば、BaOXNY)
とすることができる。1つの例示的な実施形態では、中間膜48はBaXSiYOZである。1つの実施形態では、中間膜48は、2オングストロームないし15オングストロームの範囲の厚さを有する。顕著なこととして、中間膜48は、例えば、中間膜22と関連して上述したドライまたはウェットのケミストリー・プロセスの任意のものを用いて、形成することができる。
・ 1つのアルカリ土類金属の層(例えば、BaまたはSrの層)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の複数の層(例えば、Baの複数の層や、Baの層にSrの層が続くもの)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の1以上の層と、アルカリ土類金属の1以上の層の上または直上の同じまたは異なる酸化物の1以上の層、
・ アルカリ土類金属を含む1以上の酸化物層(例えば、BaOやBaXSiYOZ)、
・ 1以上の第1アルカリ土類金属層と、1以上の第1アルカリ土類金属層の上または直上の1以上の酸化物層と、1以上の第1酸化物層における1以上の第1アルカリ土類金属層側とは反対の側の上または直上の1以上の第2アルカリ土類金属層とを含むアルカリ土類金属−酸化物−アルカリ土類金属構造、または
・アルカリ土類金属を含む1以上の酸窒化物層(例えば、BaOXNY)
とすることができる。1つの例示的な実施形態では、中間膜74はBaXSiYOZである。1つの実施形態では、中間膜74は、2オングストロームないし15オングストロームの範囲の厚さを有する。顕著なこととして、中間膜74は、例えば、中間膜22と関連して上述したドライまたはウェットのケミストリー・プロセスの任意のものを用いて、形成することができる。
・ 1つのアルカリ土類金属の層(例えば、BaまたはSrの層)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の複数の層(例えば、Baの複数の層や、Baの層にSrの層が続くもの)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の1以上の層と、アルカリ土類金属の1以上の層の上または直上の同じまたは異なる酸化物の1以上の層、
・ アルカリ土類金属を含む1以上の酸化物層(例えば、BaOやBaXSiYOZ)、
・ 1以上の第1アルカリ土類金属層と、1以上の第1アルカリ土類金属層の上または直上の1以上の酸化物層と、1以上の第1酸化物層における1以上の第1アルカリ土類金属層側と反対の側の上または直上の1以上の第2アルカリ土類金属層とを含むアルカリ土類金属−酸化物−アルカリ土類金属構造、または
・アルカリ土類金属を含む1以上の酸窒化物層(例えば、BaOXNY)
とすることができる。1つの例示的な実施形態では、中間膜102はBaXSiYOZである。1つの実施形態では、中間膜102は、2オングストロームないし15オングストロームの範囲の厚さを有する。顕著なこととして、中間膜102は、例えば、中間膜22と関連して上述したドライまたはウェットのケミストリー・プロセスの任意のものを用いて、形成することができる。
・ 1つのアルカリ土類金属の層(例えば、BaまたはSrの層)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の複数の層(例えば、Baの複数の層や、Baの層にSrの層が続くもの)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の1以上の層と、アルカリ土類金属の1以上の層の上または直上の同じまたは異なる酸化物の1以上の層、
・ アルカリ土類金属を含む1以上の酸化物層(例えば、BaOやBaXSiYOZ)、
・ 1以上の第1アルカリ土類金属層と、1以上の第1アルカリ土類金属層の上または直上の1以上の酸化物層と、1以上の第1酸化物層における1以上の第1アルカリ土類金属層側と反対の側の上または直上の1以上の第2アルカリ土類金属層とを含むアルカリ土類金属−酸化物−アルカリ土類金属構造、または
・アルカリ土類金属を含む1以上の酸窒化物層(例えば、BaOXNY)
とすることができる。1つの例示的な実施形態では、中間膜114はBaXSiYOZである。顕著なこととして、中間膜114は、例えば、中間膜22と関連して上述したドライまたはウェットのケミストリー・プロセスの任意のものを用いて、形成することができる。アルカリ土類金属を含む中間膜114は、高品質の界面を提供し、それにより、界面の電荷のトラッピングが少なくなる。
・ 1つのアルカリ土類金属の層(例えば、BaまたはSrの層)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の複数の層(例えば、Baの複数の層や、Baの層にSrの層が続くもの)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の1以上の層と、アルカリ土類金属の1以上の層の上または直上の同じまたは異なる酸化物の1以上の層、
・ アルカリ土類金属を含む1以上の酸化物層(例えば、BaOやBaXSiYOZ)、または
・アルカリ土類金属を含む1以上の酸窒化物層(例えば、BaOXNY)
とすることができる。
・ 1つのアルカリ土類金属の層(例えば、BaまたはSrの層)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の複数の層(例えば、Baの複数の層や、Baの層にSrの層が続くもの)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の1以上の層と、アルカリ土類金属の1以上の層の上または直上の同じまたは異なる酸化物の1以上の層、
・ アルカリ土類金属を含む1以上の酸化物層(例えば、BaOやBaXSiYOZ)、または
・アルカリ土類金属を含む1以上の酸窒化物層(例えば、BaOXNY)
とすることができる。
・ 1つのアルカリ土類金属の層(例えば、BaまたはSrの層)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の複数の層(例えば、Baの複数の層や、Baの層にSrの層が続くもの)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の1以上の層と、アルカリ土類金属の1以上の層の上または直上の同じまたは異なる酸化物の1以上の層、
・ アルカリ土類金属を含む1以上の酸化物層(例えば、BaOやBaXSiYOZ)、または
・アルカリ土類金属を含む1以上の酸窒化物層(例えば、BaOXNY)
とすることができる。
・ 1つのアルカリ土類金属の層(例えば、BaまたはSrの層)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の複数の層(例えば、Baの複数の層や、Baの層にSrの層が続くもの)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の1以上の層と、アルカリ土類金属の1以上の層の上または直上の同じまたは異なる酸化物の1以上の層、
・ アルカリ土類金属を含む1以上の酸化物層(例えば、BaOやBaXSiYOZ)、または
・アルカリ土類金属を含む1以上の酸窒化物層(例えば、BaOXNY)
とすることができる。
・ 1つのアルカリ土類金属の層(例えば、BaまたはSrの層)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の複数の層(例えば、Baの複数の層や、Baの層にSrの層が続くもの)、
・ 同じまたは異なるアルカリ土類金属の1以上の層と、アルカリ土類金属の1以上の層の上または直上の同じまたは異なる酸化物の1以上の層、
・ アルカリ土類金属を含む1以上の酸化物層(例えば、BaOやBaXSiYOZ)、または
・アルカリ土類金属を含む1以上の酸窒化物層(例えば、BaOXNY)
とすることができる。1つの例示的な実施形態では、AEMリッチ層156および160のそれぞれはBaOである。別の例示的な実施形態では、AEMリッチ層156および160のそれぞれはBaXSiYOZである。顕著なこととして、第1AEMリッチ層156および第2AEMリッチ層160は、例えば、中間膜22と関連して上述したドライまたはウェットのケミストリー・プロセスのうちのAEMリッチ層156および160の形成に適する任意のものを用いて、形成することができる。アルカリ土類金属を含むパッシベーション構造112は、高品質の界面を提供し、それにより、界面の電荷のトラッピングが少なくなる。
Claims (19)
- 半導体デバイスの製造の方法であって、
チャンネル領域を有する炭化けい素基板を提供するステップと、
前記炭化けい素基板の前記チャンネル領域の上にゲート・スタックを提供するステップであって、前記ゲート・スタックは第1のアルカリ土類金属層、前記第1のアルカリ土類金属の上にある誘電体層、および前記誘電体層の上にある第2のアルカリ土類金属層を含む、ステップと
を含み、前記炭化けい素基板の前記チャンネル領域の上に前記ゲート・スタックを提供する前記ステップは、
前記第1のアルカリ土類金属層が、前記炭化けい素基板と、前記誘電体層の間にあり、それによって前記半導体デバイスのチャネル移動度を高めるよう、ウェット・ケミストリーを用いて、前記第1のアルカリ土類金属層を前記炭化けい素基板の前記チャンネル領域の直上に提供するステップを含む、
製造の方法。 - 請求項1に記載の製造の方法であって、前記第1のアルカリ土類金属層、および第2のアルカリ土類金属層はバリウム(Ba)である、製造の方法。
- 請求項1に記載の製造の方法であって、前記第1のアルカリ土類金属層、および第2のアルカリ土類金属層はストロンチウム(Sr)である、製造の方法。
- 請求項1に記載の製造の方法であって、前記第1のアルカリ土類金属層および第2のアルカリ土類金属層のうち1つは、アルカリ土類金属を含む酸化膜である、製造の方法。
- 請求項4に記載の製造の方法であって、前記アルカリ土類金属を含む前記酸化膜は、酸化バリウムである、製造の方法。
- 請求項4に記載の製造の方法であって、前記アルカリ土類金属を含む前記酸化膜は、BaXSiYOZである、製造の方法。
- 請求項1に記載の製造の方法であって、前記第1のアルカリ土類金属層はBaOXNYである酸窒化物である、製造の方法。
- 請求項1に記載の製造の方法であって、前記半導体デバイスはラテラル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)であり、
前記炭化けい素基板に形成されるソース領域を提供するステップと、
前記炭化けい素基板に形成されるドレイン領域を提供するステップと
を更に含み、
前記ゲート・スタックを提供する前記ステップは、前記ソース領域と前記ドレイン領域とが形成された後に前記炭化けい素基板上に前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に前記ゲート・スタックを提供するステップを含む、
製造の方法。 - 請求項1に記載の製造の方法であって、前記半導体デバイスはバーティカル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)であり、
前記炭化けい素基板に形成される第1導電型のウェルを提供するステップであって、前記炭化けい素基板は第2導電型である、ステップと、
前記炭化けい素基板に形成される第2導電型のソース領域を提供するステップであって、前記ゲート・スタックは、前記炭化けい素基板の上にあり、前記ウェルおよび前記ソース領域の少なくとも一部の上へ延びる、ステップと、
前記炭化けい素基板における前記ゲート・スタックの側とは反対の側の上にドレイン・コンタクトを提供するステップと
を更に含む製造の方法。 - 請求項1に記載の製造の方法であって、前記半導体デバイスは絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ(IGBT)であり、
前記炭化けい素基板に形成されるエミッタ領域を提供するステップであって、前記ゲート・スタックは、前記炭化けい素基板の上にあり、前記エミッタ領域の少なくとも一部の上へ延びる、ステップと、
前記炭化けい素基板における前記ゲート・スタックの側とは反対の側の上にコレクタ・コンタクトを提供するステップと
を更に含む製造の方法。 - 請求項1に記載の製造の方法であって、前記半導体デバイスはトレンチ電界効果トランジスタであり、
前記炭化けい素基板は、
第1導電型の第1層と、
前記第1導電型の前記第1層の上にある前記第1導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層における前記第1層の側とは反対の側の上にある第2導電型のウェルと、
前記ウェルの中または上にある前記第1導電型のソース領域と、
前記ソース領域における前記ウェルの側とは反対の側の上にあるソース・コンタクトと、
前記第1層における前記ドリフト層の側とは反対の側の上にあるドレイン・コンタクトと、
前記ソース領域から、前記ウェルを通り、前記ドリフト層へと延びるトレンチであって、前記トレンチの中に前記ゲート・スタックが形成される、トレンチと
を含む、
製造の方法。 - 請求項1に記載の製造の方法であって、ウェット・ケミストリーを用いて、前記第1のアルカリ土類金属層を前記炭化けい素基板の前記チャンネル領域の上に提供する前記ステップは、
前記炭化けい素基板を、前記アルカリ土類金属を含む液体に浸漬させるステップと、
前記第1のアルカリ土類金属層が前記炭化けい素基板の上に提供されるように、前記炭化けい素基板を乾燥させるステップと、
を含む、製造の方法。 - 請求項1に記載の製造の方法であって、ウェット・ケミストリーを用いて、前記第1のアルカリ土類金属層を前記炭化けい素基板の前記チャンネル領域の上に提供する前記ステップは、
前記炭化けい素基板を、前記アルカリ土類金属を含む液体に浸漬させるステップと、
前記アルカリ土類金属を含む残留物が前記炭化けい素基板の上に提供されるように、前記炭化けい素基板を乾燥させるステップと、
前記第1のアルカリ土類金属層を提供するように前記残留物を酸化させるステップと
を含む、製造の方法。 - 請求項1に記載の製造の方法であって、ウェット・ケミストリーを用いて、前記第1のアルカリ土類金属層を前記炭化けい素基板の前記チャンネル領域の上に提供する前記ステップは、
前記アルカリ土類金属を含む液体を前記炭化けい素基板の上へ吹き出すステップと、
前記第1のアルカリ土類金属層が前記炭化けい素基板の上に提供されるように、前記炭化けい素基板を乾燥させるステップと
を含む、製造の方法。 - 請求項1に記載の製造の方法であって、ウェット・ケミストリーを用いて、前記第1のアルカリ土類金属層を前記炭化けい素基板の前記チャンネル領域の上に提供する前記ステップは、
アルカリ土類金属を含む液体を前記炭化けい素基板の上へ吹き出すステップと、
前記アルカリ土類金属を含む残留物が前記炭化けい素基板の上に提供されるように、前記炭化けい素基板を乾燥させるステップと、
前記第1のアルカリ土類金属層を提供するように前記残留物を酸化させるステップと
を含む、製造の方法。 - 請求項1に記載の製造の方法であって、ウェット・ケミストリーを用いて、前記第1のアルカリ土類金属層を前記炭化けい素基板の前記チャンネル領域の上に提供する前記ステップは、
前記炭化けい素基板を、アルカリ土類金属を含む液体を含むプールの中へ浸漬させるステップと、
前記第1のアルカリ土類金属層が前記炭化けい素基板の上に提供されるように、酸素が豊富な環境で前記プールの排出を行うステップと
を含む、製造の方法。 - 請求項1に記載の製造の方法であって、ウェット・ケミストリーを用いて、前記第1のアルカリ土類金属層を前記炭化けい素基板の前記チャンネル領域の上に提供する前記ステップは、前記炭化けい素基板へ酸化物を通してアルカリ土類金属を含む液体をバブリングするステップを含む、製造の方法。
- 請求項1に記載の製造の方法であって、ウェット・ケミストリーを用いて、前記第1のアルカリ土類金属層を前記炭化けい素基板の前記チャンネル領域の上に提供する前記ステップは、温度管理された環境においての、前記炭化けい素基板への、アルカリ土類金属を含む液体の気相成長を含む、製造の方法。
- 請求項1に記載の製造の方法であって、ウェット・ケミストリーを用いて、前記第1のアルカリ土類金属層を前記炭化けい素基板の前記チャンネル領域の上に提供する前記ステップは、アルカリ土類金属を含む液体を前記炭化けい素基板へスプレーするステップを含む、製造の方法。
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