JP2002299338A

JP2002299338A - 薄膜形成方法及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2002299338A
Application number: JP2001104678A
Authority: JP
Inventors: Masaaki Niwa; 正昭丹羽
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-04-03
Filing date: 2001-04-03
Publication date: 2002-10-11

Abstract

(57)【要約】【課題】ゲート絶縁膜などに用いる絶縁膜を、高温雰
囲気中で膜形成することなく、低温での処理で容易に形
成可能にする薄膜形成方法を提供する。【解決手段】珪酸エチルとエタノールとを水に溶解し
て調製したゾル溶液５に、シリコン基板１を浸漬し引き
上げることにより、シリコン基板１の表面に酸化膜の形
成を行なう。このゾル溶液５にシリコン基板１を浸漬し
引き上げることを複数回繰り返しおこなうことにより所
望の膜厚を得るようにしてもよい。これによって、シリ
コン基板１上に任意の組成の薄膜の低温形成が可能とな
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、金属−絶
縁膜−半導体（ＭＩＳ）構造のデバイス等で、その絶縁
膜として用いられる機能性薄膜を形成する薄膜形成方法
及びそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路では、例えば、金属−酸化膜−
半導体（ＭＯＳ）構造の電界効果型トランジスタにおけ
るゲート絶縁膜としての酸化膜（以下、ゲート酸化膜と
いう）をはじめ、様々な半導体装置で、機能性薄膜が用
いられており、かかる機能性薄膜は、主として蒸着やス
パッタなどの物理蒸着法（ＰＶＤ）や化学気相堆積法
（ＣＶＤ）あるいは高温熱酸化等によって、シリコン基
板上に形成されてきた。

【０００３】特に、ＭＯＳ構造の電界効果型トランジス
タにおけるゲート酸化膜は、その酸化膜の機能性がトラ
ンジスタ特性の良否を決定付けるものであるから、その
酸化膜の耐久性、安定性の面で、基板の高温酸化雰囲気
で形成される熱酸化膜もしくは窒素を含有した高温酸化
雰囲気で形成される熱窒化酸化膜が採用され、主とし
て、高温雰囲気中でのシリコン基板の熱酸化工程によっ
て形成されてきた。

【０００４】そして、この種の機能性薄膜は、デバイス
の微細化が加速度的に進むなか、より高性能を目指し
て、その膜厚も３ｎｍを下回るように極めて薄膜化が要
求されるようになってきた。

【０００５】以下、ＭＯＳ構造の電界効果型トランジス
タの形成を含むＬＳＩプロセスの薄膜形成のうち、最も
重要なプロセスであるゲート酸化膜の形成を例にして、
従来の薄膜形成方法を図面を参照して概略説明する。

【０００６】図３は、従来の熱酸化処理を行う電気炉の
構成の断面図である。電気炉は、ほぼ同じ形態で横型の
ものもあるが、ダストの表面付着や電気炉の設置占有面
積を減らすことができるため、縦型が主流となっている
ので、ここでは、縦型電気炉の例を示す。

【０００７】シリコン基板２１は、その主表面を下に向
け、石英ボート２２に、所定間隔でホルダにより積み上
げるように並べて、縦型の電気炉内に置かれるが、縦型
の電気炉は、外部容器２３の中に設けられた加熱体とし
ての炉体２４、炉心管２５、頭部（上部）管口２６，２
７、燃焼ゾーン２８、酸化ゾーン２９及び底部（下部）
管口３０を備えている。この電気炉で、加熱部分は、水
素と酸素とを混合させて燃やす燃焼ゾーン２８及びシリ
コン基板を酸化する酸化ゾーン２９であり、水素及び酸
素等の各ガスは、炉心管２５の頭部管口２６，２７から
導入され、燃焼ゾーン２８及び酸化ゾーン２９を経た
後、底部管口３０から排気ガスとして排出される。ま
た、頭部管口２６，２７から導入される水素と酸素との
ガス混合比は、酸化速度の速いパイロ酸化あるいは遅い
ドライ酸化等のいわゆる酸化のプロセスによりそれぞれ
雰囲気を制御するように適宜選定される。

【０００８】炉心管２５内でのガス流や温度が均一にな
るまで待ち、シリコン基板２１を炉内へゆっくりと挿入
する。酸化温度は約９００℃程度で、酸化処理後は窒素
ガス雰囲気に切り替えて９５０℃程度の熱処理を行う。

【０００９】図４は、従来のＭＯＳ電界効果型トランジ
スタのゲート酸化膜の形成方法を示すシリコン基板の断
面によるフロー図である。

【００１０】予め、シリコン基板２１の表面の汚染物
を、過酸化水素水を混入したバッファードフッ酸処理や
過酸化水素水濃度を増加させた改良ＳＣ−１洗浄と希釈
フッ酸処理による化学酸化膜除去の洗浄処理などの酸化
前処理により除去した後、そのシリコン基板２１を酸化
雰囲気中で加熱することにより、基板表面３１から酸化
が行われ、シリコンと酸素との界面反応により酸化が進
行し、時間とともにシリコン−酸化膜の界面３２は下方
に進み、シリコン酸化膜３３が形成される。

【００１１】次に、シリコン酸化膜３３上に、ポリシリ
コンなどの導電性材料３４を堆積して、導電層を形成し
た後に、ドライエッチングにより、ゲート電極パターン
を形成する。

【００１２】その後、イオン注入により高濃度の逆導電
型不純物の拡散導入を行い、半導体基板中にソース、ド
レイン領域を形成して、電界効果型トランジスタを形成
する。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来のように、ゲート酸化膜等の酸化膜を高温雰囲気中で
形成する方法では、酸化膜の形成工程に多大な時間を要
することに加え、高温熱処理過程が不可欠であり、この
高温熱処理過程での雰囲気制御に高い習熟度を要し、ま
た、製造コストも高くなる等、課題も多い。

【００１４】よって、本発明の目的は、上記課題に鑑
み、高温雰囲気中で膜形成することなく、低温で容易な
手法により半導体基板上に所望の機能性薄膜を形成する
薄膜形成方法、及びそれを用いた半導体装置の製造方法
を提供することである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の薄膜形成方法
は、珪酸エチルとエタノールとを水に溶解したゾル溶液
に、半導体基板を浸漬し引き上げることにより半導体基
板の表面に酸化膜の薄膜を形成するものである。

【００１６】この本発明の薄膜形成方法によれば、半導
体基板上に所望の組成の薄膜を低温での処理で容易に形
成することが可能である。

【００１７】この場合、必要に応じて半導体基板をゾル
溶液に浸漬し引き上げることを複数回繰り返すことによ
り、所望とする膜厚の薄膜を得ることができる。

【００１８】また、ゾル溶液に半導体基板を浸漬し引き
上げることに代えて、前述のゾル溶液を半導体基板の表
面に噴霧すること、あるいは、半導体基板の表面に塗布
することにより、同様の効果を得ることができる。

【００１９】また、本発明の薄膜形成方法は、アルコー
ルとアセチルアセトンの混合液を溶媒としてチタン酸バ
リウムの組成物を分散させた溶液を用いて、電気泳動法
で半導体基板の表面にチタン酸バリウムの薄膜を形成す
るものであり、この薄膜形成方法によっても、半導体基
板上に薄膜を低温での処理で容易に形成することが可能
である。

【００２０】また、本発明の薄膜形成方法は、ＳｉＯ₂
を飽和溶解させた溶液に半導体基板を浸漬した状態で、
溶液を昇温させることにより、半導体基板の表面にＳｉ
Ｏ₂を析出させ薄膜を形成するものであり、この薄膜形
成方法によっても、半導体基板上に薄膜を低温での処理
で容易に形成することが可能である。

【００２１】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
上記本発明の薄膜形成方法を用いて半導体基板の表面に
薄膜を形成し、その後、薄膜上に金属の電極体を形成す
ることにより、金属−絶縁膜−半導体（ＭＩＳ）構造を
形成するものである。薄膜を形成後に、薄膜を均一な焼
結状態としたり、基板との密着性を高めるために追酸化
処理を施す場合もある。

【００２２】この本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、例えば、電界効果型トランジスタに適用した場合、
高性能な移動度特性、すなわち高感度の電圧−電流特性
を得ると共に、高いオン電流レベル及び超低ゲートリー
ク電流レベルの性能のトランジスタ特性を持った半導体
装置が得られる。

【００２３】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態とし
て、第１の実施の形態では原子レベルの薄い酸化膜を形
成するのに適したラングミュア−ブロジェット法による
薄膜形成方法の場合を、また、第２の実施の形態ではゲ
ート酸化膜の形成に適した電気泳動法による薄膜形成方
法の場合を、さらに、第３の実施の形態ではゲート酸化
膜の形成に適した液相析出法による薄膜形成方法の場合
を、それぞれ、詳細に述べる。

【００２４】（第１の実施の形態）図１に、本実施の形
態の薄膜形成工程で用いる製造装置の構成を概要断面図
で示す。

【００２５】この製造装置では、シリコン基板１は、横
型の基板ホルダ２に並べて設置され、支持棒３により液
槽４内に吊り下げられ、上下運動により、ゾル溶液５に
浸漬される。

【００２６】ゾル溶液５は、液槽４の中で攪拌羽根６に
より攪拌され、かつヒータ７によって、所定温度に精密
に保たれている。また、このゾル溶液５が入った液槽４
は、雰囲気を一定に保持できるような密閉容器８の中に
設置されている。

【００２７】ゾル溶液５は、珪酸エチル２５グラムとエ
タノール４０グラムとを、水２５グラムの中に溶解し、
これに触媒として塩酸を０．２グラム添加することで、
調製した。

【００２８】このゾル溶液５に、予め前処理で洗浄済み
のシリコン基板１を浸漬して引き上げると、ゾル溶液５
から得られる単分子膜が、分子の有極性基を上に向けた
状態で、シリコン基板１の表面に形成される。ついで、
この状態のシリコン基板１を、再びゾル溶液５中に浸漬
すると、今度は無極性基同士が互いに付着する。これに
より、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−の構造で、一層
ずつ形成される。

【００２９】そして、ゾル溶液５に浸してから引き上げ
られたシリコン基板１を、例えば、３００℃で乾燥した
後、６５０℃で焼成することにより、そのシリコン基板
１表面に、いわゆるラングミュア−ブロジェット法によ
る原子レベルの薄い被膜を形成することができる。

【００３０】ここで、ゾル溶液５の水素イオン濃度（ｐ
Ｈ）を変えることにより、累積膜の構造を調節すること
ができ、それによれば、ナノコンポジット膜の形成も十
分に可能である。

【００３１】さらに、先の焼成工程に続いて、酸化雰囲
気中９００℃での急速酸化を行う。これは前述の原子レ
ベルの薄い被膜形成後のいわゆる追酸化処理であり、こ
れにより、全面に極薄の酸化シリコン層が形成され、同
時に、前述の原子レベルの薄い被膜も均一な焼結状態に
なる。

【００３２】このようにして、ラングミュア−ブロジェ
ット法として知られる浸漬法による薄膜形成方法で、原
子レベルの薄い酸化膜を形成することが可能である。

【００３３】この薄い酸化膜の上に、タングステン及び
窒化チタン（Ｗ／ＴｉＮ）の二層金属膜を、例えばスパ
ッタ法により形成することで、半導体−酸化膜−金属膜
によるＭＯＳ構造のキャパシタを製造することができ
る。

【００３４】また、この薄い酸化膜をＭＯＳ構造のゲー
ト酸化膜に適用して形成した電界効果型トランジスタ
は、熱酸化膜を用いた通常のＭＯＳ構造電界効果型トラ
ンジスタと比べても、移動度特性では同等以上の性能を
呈すると共に、オン電流レベル及びゲートリーク電流レ
ベルではいずれもそれを凌ぐ高性能の特性を呈すること
が確認され、優れたトランジスタ特性の半導体装置であ
ることが実証された。

【００３５】以上のように本実施の形態の薄膜形成方法
によると、シリコン基板上に機能性薄膜（酸化膜）を低
温での処理で容易に形成することが可能となる。

【００３６】従来の熱酸化による酸化膜の形成は、主に
酸素の熱拡散（固相拡散）であるため温度に依存し、低
温で緻密な被膜を形成しようとすると長時間を要し、ま
た炉の温度上昇にも時間を要するのに対し、本実施の形
態の薄膜形成方法では、基本的に粒子の吸着作用を利用
するため、成長も粒子層厚であり、拡散より速く、従来
に比べ時間短縮を図ることができる。

【００３７】また、本実施の形態の薄膜形成方法を用い
て、トランジスタ等の半導体装置を製造することによ
り、高性能で、高信頼性の半導体装置を製造することが
できる。

【００３８】なお、本実施の形態では、ゾル溶液５にシ
リコン基板１を浸漬して引き上げることにより機能性薄
膜を形成したが、これに限らず、加熱したシリコン基板
を高速で回転させ、その表面に上述のゾル溶液５を滴下
して薄膜を形成する手法のいわゆる回転塗布によって
も、同様の高性能な機能性薄膜を形成することが可能で
あり、同様の効果を得ることができる。あるいは、上述
のゾル溶液５を霧化して、加熱したシリコン基板上に吹
きかける（噴霧する）手法の熱分解によっても、同様の
高性能な機能性薄膜を形成することが可能であり、同様
の効果を得ることができる。

【００３９】（第２の実施の形態）溶媒中に金属を溶か
し、あるいは溶媒に金属含有の粉体又は粒子を分散させ
た状態の溶液において、直流電界を発生させると、溶液
中の金属、あるいは金属含有の粉体又は粒子（以下、単
に粒子という）は、分散質表面の分解・解離や遊離した
イオンが溶液中の粒子に吸着することにより帯電し、電
極として用いたシリコン基板表面に固定層を形成する。
電界によって粒子が移動するとき、周辺のイオンも移動
し、溶媒の誘電率に比例した速度で、帯電と反対符号の
電極への移動が起こる現象は、電気泳動として知られて
おり、この原理を用いるいわゆる電気泳動法が、シリコ
ン基板表面に薄層の物質を形成するのに利用できる。

【００４０】このときのシリコン基板の酸化前処理に
は、過酸化水素水を混入したバッファードフッ酸処理や
過酸化水素水濃度を増加させた改良ＳＣ−１洗浄と希釈
フッ酸処理による化学酸化膜除去による洗浄処理など
で、表面の汚染物を除去することが実施され、この前処
理の施されたシリコン基板を電極としたときには、シリ
コン基板表面に薄層の物質が順調に形成される。

【００４１】本実施の形態では、アルコールとアセチル
アセトンの混合液を溶媒としてチタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ₃ ）の組成物を分散させた溶液を用いて、電気泳
動法でシリコン基板表面に厚さが６ｎｍのチタン酸バリ
ウム（ＢａＴｉＯ₃ ）薄膜を形成した。基板との密着性
を高めるために、この薄膜形成後に高温の熱処理を施
す。この高温熱処理は、前述の第１の実施の形態の場合
のいわゆる追酸化処理の条件が適当であった。

【００４２】以上のように本実施の形態の薄膜形成方法
によると、シリコン基板上に機能性薄膜（ＢａＴｉＯ₃
薄膜）を低温（常温ないしは室温）での処理で容易に形
成することが可能となる。

【００４３】また、本実施の形態の薄膜形成方法では、
基本的に粒子の吸着作用（ないしは堆積）を利用するた
め、従来の基板の熱酸化による酸化膜の成長より格段に
速く、従来に比べ時間短縮を図ることができる。

【００４４】また、本実施の形態の薄膜形成方法を第１
の実施の形態で説明したようにトランジスタ等の半導体
装置の製造に同様に適用することにより、高性能で、高
信頼性の半導体装置を製造することができる。

【００４５】(第３の実施の形態)図２は、本実施の形態
における液相析出によりＳｉＯ₂ 膜を形成する場合の概
略フロー図である。

【００４６】まず、溶液の調製では、珪素フッ化水素酸
（ケイフッ化水素酸；Ｈ₂ ＳｉＦ₆）水溶液１１中にシ
リカゲル１２を投入して、攪拌工程１３で、充分に混合
して、ＳｉＯ₂ を溶解させて飽和溶液１４を調製する。

【００４７】この過程においては、以下の（１）式及び
（２）式で表される反応過程が起こるものとみられる。（１）ＳｉＦ₆＋（２＋ｘ）Ｈ₂Ｏ→ＳｉＯ₂・ｘＨ₂Ｏ＋
４Ｈ⁺＋６Ｆ^- （２）４Ｈ⁺＋５（ＳｉＦ₆）^2-＋ＳｉＯ₂→３[ＳｉＦ₆
・ＳｉＦ₄]^2-＋２Ｈ₂Ｏ次に、溶液を昇温させて、過飽和溶液１５を作製するこ
とによって、この反応における平衡反応をＳｉＯ₂ が析
出する方向にもってゆく。この理由は、Ｈ₂ ＳｉＦ₆ 水
溶液へのＳｉＯ₂ の溶解度が低温において大きいので、
例えば、０℃付近の温度でＳｉＯ₂ を飽和溶解させ、こ
れを５０℃程度に昇温させると、ＳｉＯ ₂ の過飽和が生
じるためである。

【００４８】したがって、飽和溶液１４に、予め前処理
により表面の汚染物を除去したシリコン基板１を浸漬し
ておき、膜形成１６の工程、すなわち、飽和溶液１４を
昇温させて過飽和溶液１５とする。経験によると、例え
ば約１０分間の膜形成１６の工程で、シリコン基板１上
に厚さ１３ｎｍのＳｉＯ₂ 膜が形成される。なお、シリ
コン基板１の前処理には、過酸化水素水を混入したバッ
ファードフッ酸による表面処理、または過酸化水素水濃
度を増加させた改良ＳＣ−１洗浄と希釈フッ酸処理とに
よる化学酸化膜除去等の表面洗浄処理が適当である。

【００４９】また、フッ素イオン（Ｆ^- ）と反応しやす
いホウ酸（Ｈ₃ ＢＯ₃）１７を反応開始剤として過飽和
溶液１５に添加し、フッ化水素（ＨＦ）を消費して、平
衡状態を意図的に崩した溶液を用いることも、薄膜形成
に有効である。

【００５０】具体的には、以下の（３）式及び（４）式
で表される反応が起こる。（３）Ｈ₃ＢＯ₃＋３ＨＦ→ＨＢＦ₃（ＯＨ）＋２Ｈ₂Ｏ（４）ＨＢＦ₃（ＯＨ）＋ＨＦ→ＢＨＦ₄＋Ｈ₂Ｏ上記（４）式の反応は、（３）式のそれより、反応速度
が格段に遅いため、（４）式の反応がＨＦの消費を律速
し、これが上記（１）式及び（２）式に作用して、Ｓｉ
Ｏ₂ が析出する。

【００５１】このときの反応速度は、０．５ｎｍ／分程
度であり、また、被膜の成長速度は、反応開始剤として
のＨ₃ ＢＯ₃ の添加量とほぼ反比例の関係にあること
（すなわちここでの反応開始剤の添加は被膜の成長を抑
制するための添加であり、成長速度の制御のためのもの
である）、さらには、シリコン基板の浸漬時間と膜厚と
の関係は、引き上げ速度に関係なく、ほぼ比例関係にあ
ること等が見出されており、これらは、被膜形成の条件
を設定する際に考慮すると有益である。

【００５２】以上のように本実施の形態の薄膜形成方法
によると、シリコン基板上に機能性薄膜（ＳｉＯ₂ 薄
膜）を低温での処理で容易に形成することが可能とな
る。

【００５３】また、本実施の形態の薄膜形成方法では、
粒子の層厚レベルで成長層が得られるため、従来の基板
の熱酸化による酸化膜の成長より格段に速く、従来に比
べ時間短縮を図ることができる。

【００５４】また、本実施の形態の薄膜形成方法を第１
の実施の形態で説明したようにトランジスタ等の半導体
装置の製造に同様に適用することにより、高性能で、高
信頼性の半導体装置を製造することができる。

【００５５】また、本実施の形態における液相析出は、
ゾル−ゲル過程を伴わない基板表面での薄膜成長過程で
あること、また、薄膜生成反応過程が、水溶液中で完結
することで、一般に焼結などの熱処理工程を必要としな
いことも、工業的に有益である。

【００５６】なお、Ｆ^-イオンを直接添加して、反応方
向を制御することも、原理的には勿論可能である。

【００５７】

【発明の効果】本発明の薄膜形成方法によると、珪酸エ
チルとエタノールとを水に溶解したゾル溶液に半導体基
板を浸漬し引き上げる、あるいは前述のゾル溶液を半導
体基板の表面に噴霧あるいは塗布することにより、半導
体基板上に機能性薄膜を低温で容易に、また任意の膜厚
に形成することが可能である。また、薄膜形成時間の短
縮も図れる。

【００５８】また、本発明の薄膜形成方法は、アルコー
ルとアセチルアセトンの混合液を溶媒としてチタン酸バ
リウムの組成物を分散させた溶液を用いて、電気泳動法
で半導体基板の表面にチタン酸バリウムの薄膜を形成す
るものであり、この薄膜形成方法によっても、半導体基
板上に機能性薄膜を低温で容易に形成することが可能で
ある。また、薄膜形成時間の短縮も図れる。

【００５９】また、本発明の薄膜形成方法は、ＳｉＯ₂
を飽和溶解させた溶液に半導体基板を浸漬した状態で、
溶液を昇温させることにより、半導体基板の表面にＳｉ
Ｏ₂を析出させ薄膜を形成するものであり、この薄膜形
成方法によっても、半導体基板上に機能性薄膜を低温で
容易に形成することが可能である。また、薄膜形成時間
の短縮も図れる。

【００６０】また、本発明の半導体装置の製造方法によ
ると、上記本発明の薄膜形成方法を用いて半導体基板の
表面に絶縁性の機能性薄膜を形成したのち、さらにその
機能性薄膜上に電極体を形成して、金属−絶縁膜−半導
体（ＭＩＳ）構造となして、例えば、電界効果型トラン
ジスタを形成することができる。そして、この電界効果
型トランジスタは、熱酸化膜を用いた通常のＭＯＳ構造
電界効果型トランジスタと比べても、移動度特性では同
等以上の性能を呈すると共に、オン電流レベル及びゲー
トリーク電流レベルではいずれもそれを凌ぐ高性能の特
性を呈する高性能な半導体装置であり、したがって、本
発明は、その製造方法として非常に有益である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態で使用する製造装置
の概要断面図

【図２】本発明の第３の実施の形態の薄膜形成方法を説
明するための概略フロー図

【図３】従来の熱酸化処理で使用する電気炉の構成断面
図

【図４】従来例による酸化膜の形成方法を示す模式断面
図

【符号の説明】

１シリコン基板２基板ホルダ３支持棒４液槽５溶液６攪拌羽根７ヒータ８密閉容器

フロントページの続きＦターム(参考） 5F058 BA20 BC02 BC03 BF42 BF43 BF46 BH01 BH03 5F140 AA24 AA40 BA01 BD05 BE02 BE05 BE07 BE09 BE17 BF11 BF20 BG27

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】珪酸エチルとエタノールとを水に溶解し
たゾル溶液に、半導体基板を浸漬し引き上げることによ
り前記半導体基板の表面に酸化膜の薄膜を形成する薄膜
形成方法。
【請求項２】半導体基板をゾル溶液に浸漬し引き上げ
ることを複数回繰り返すことを特徴とする請求項１に記
載の薄膜形成方法。
【請求項３】珪酸エチルとエタノールとを水に溶解し
たゾル溶液を、半導体基板の表面に噴霧することにより
前記半導体基板の表面に酸化膜の薄膜を形成する薄膜形
成方法。
【請求項４】珪酸エチルとエタノールとを水に溶解し
たゾル溶液を、半導体基板の表面に塗布することにより
前記半導体基板の表面に酸化膜の薄膜を形成する薄膜形
成方法。
【請求項５】アルコールとアセチルアセトンの混合液
を溶媒としてチタン酸バリウムの組成物を分散させた溶
液を用いて、電気泳動法で半導体基板の表面にチタン酸
バリウムの薄膜を形成する薄膜形成方法。
【請求項６】ＳｉＯ₂ を飽和溶解させた溶液に半導体
基板を浸漬した状態で、前記溶液を昇温させることによ
り、前記半導体基板の表面にＳｉＯ₂ を析出させ薄膜を
形成する薄膜形成方法。
【請求項７】請求項１，２，３，４，５または６に記
載の薄膜形成方法を用いて半導体基板の表面に薄膜を形
成し、その後、前記薄膜上に金属の電極体を形成するこ
とにより、金属−絶縁膜−半導体（ＭＩＳ）構造を形成
する半導体装置の製造方法。
【請求項８】請求項１，２，３，４または５に記載の
薄膜形成方法を用いて半導体基板の表面に薄膜を形成
し、その後、前記薄膜に追酸化処理を施した後、前記薄
膜上に金属の電極体を形成することにより、金属−絶縁
膜−半導体（ＭＩＳ）構造を形成する半導体装置の製造
方法。