JP5991453B1 - Esd保護素子、およびesd保護素子付きコモンモードチョークコイル - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 114
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 150
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 119
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 18
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 14
- 101100063069 Caenorhabditis elegans deg-1 gene Proteins 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 7
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 7
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 3
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229910018100 Ni-Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018532 Ni—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
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- H01F27/402—Association of measuring or protective means
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/12—Overvoltage protection resistors
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F27/292—Surface mounted devices
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- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
- H01T4/00—Overvoltage arresters using spark gaps
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- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F2017/0093—Common mode choke coil
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- H01T—SPARK GAPS; OVERVOLTAGE ARRESTERS USING SPARK GAPS; SPARKING PLUGS; CORONA DEVICES; GENERATING IONS TO BE INTRODUCED INTO NON-ENCLOSED GASES
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- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0254—High voltage adaptations; Electrical insulation details; Overvoltage or electrostatic discharge protection ; Arrangements for regulating voltages or for using plural voltages
- H05K1/0257—Overvoltage protection
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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Abstract
本発明のESD保護素子は、複数の基材層を積層してなる積層体(80)と、積層体(80)の内部に形成される空洞部(21)と、空洞部(21)内に露出するグランド電極(31)と、共有の前記空洞部(21)内に露出し、かつ共通のグランド電極(31)と対向する第1放電電極(41)および第2放電電極(42)と、基材層に導電性粒子(300)が分散して形成され、空洞部(21)の内面に沿って形成される放電補助電極(51)とを備える。空洞部(21)内において放電補助電極(51)を形成しない非形成部(500)によって、少なくとも第1放電電極(41)と第2放電電極(42)との隣接領域の放電補助電極(51)は、第1放電電極(41)側と第2放電電極(42)側とに隔てられる。
Description
本発明は、ESD保護素子、および積層体にESD保護素子と、コモンモードチョークコイルとを一体的に構成したESD保護素子付きコモンモードチョークコイルに関する。
ESD(Electro-Static Discharge;静電気放電)とは、帯電した導電性の物質(人体やコネクタ等)が、他の導電性の物質(電子機器等)に接触、あるいは充分接近したときに放電が発生する現象である。ESD保護素子は、ESDをグランド等に逃がすための素子であって、例えば回路の信号線路とグランド(接地)との間に配置する。
従来、ESDによる電子機器の損傷や誤作動等を防止するため、ESD対策として、各種のESD保護素子が考案されている。例えば、特許文献1には、積層体の内部に形成された空洞部に、対向配置された放電電極およびグランド電極と、対向配置する放電電極およびグランド電極に隣接して配置する補助電極とを備えた構成のESD保護素子(スパークギャップ方式)が記載されている。
一方、差動伝送線路を伝搬するコモンモードノイズを抑制するため、従来、コモンモードフィルタとしてコモンモードチョークコイルが用いられており、ESD対策として、上記スパークギャップ方式のESD保護素子を備えたコモンモードチョークコイルも各種考案されている。例えば、特許文献2および特許文献3には、積層方向から視て、空洞部を左右に2つ配列し、ESD保護素子を空洞部ごとにそれぞれ独立して形成する構造のアレイ型の積層型コモンモードチョークコイルが記載されている。
ESD保護素子を空洞部ごとに独立して形成する構造の積層体を小型化すると、複数の空洞部が近接配置され、空洞部同士が繋がってしまう等の問題が生じる。そのため、ESD保護素子ごとに空洞部を設ける構造では、ある程度の占有スペースが必要となり、小型化が困難である。したがって、複数のESD保護素子を積層体の内部に備える電子部品を小型化しようとする場合には、1つの空洞部内にグランド電極と複数の放電電極とを配置する構造を採用せざるを得ない。
しかし、そのような構造を採用すると、共有の空洞部内に複数の放電電極同士が隣接するため、伝送線路に静電気が入った場合、放電電極とグランド電極との間だけではなく、複数の放電電極同士の間で異常な放電が起こりやすくなる。このような放電電極同士の放電(以下、「異常放電」)が生じると、一方の伝送線路に入った静電気が他方の伝送線路に移り、コモンモードチョークコイルの後段に接続されたIC等の電子回路を破壊する虞がある。
本発明の目的は、スパークギャップ方式のESD保護素子において、共有の空洞部内に複数のESD保護素子を設けても複数の放電電極同士の間で放電が抑制された小型のESD保護素子を提供することにある。また、上記のESD保護素子を備えるESD保護素子付きコモンモードチョークコイルを提供することにある。
(1)本発明のESD保護素子は、
複数の基材層を積層してなる積層体と、
前記積層体の内部に形成される空洞部と、
前記空洞部内に少なくとも一部が露出するグランド電極と、
共有の前記空洞部内に少なくとも一部が露出し、かつ共通の前記グランド電極と対向する第1放電電極および第2放電電極と、
前記基材層に導電性粒子が分散して形成され、前記空洞部内に少なくとも一部が露出し、前記空洞部の内面に沿って形成される放電補助電極と、
を備え、
前記第1放電電極と前記第2放電電極は、前記基材層の積層方向から視て、前記空洞部内で互いに隣接して配置され、
前記放電補助電極は、前記基材層の積層方向から視て、少なくとも前記第1放電電極と前記グランド電極との対向領域、および前記2放電電極と前記グランド電極との対向領域に形成され、前記空洞部内に前記放電補助電極を形成しない非形成部を有し、
前記非形成部は、少なくとも前記第1放電電極と前記第2放電電極との隣接領域の前記放電補助電極を、前記第1放電電極側と前記第2放電電極側とに隔てる、ことを特徴とする。
複数の基材層を積層してなる積層体と、
前記積層体の内部に形成される空洞部と、
前記空洞部内に少なくとも一部が露出するグランド電極と、
共有の前記空洞部内に少なくとも一部が露出し、かつ共通の前記グランド電極と対向する第1放電電極および第2放電電極と、
前記基材層に導電性粒子が分散して形成され、前記空洞部内に少なくとも一部が露出し、前記空洞部の内面に沿って形成される放電補助電極と、
を備え、
前記第1放電電極と前記第2放電電極は、前記基材層の積層方向から視て、前記空洞部内で互いに隣接して配置され、
前記放電補助電極は、前記基材層の積層方向から視て、少なくとも前記第1放電電極と前記グランド電極との対向領域、および前記2放電電極と前記グランド電極との対向領域に形成され、前記空洞部内に前記放電補助電極を形成しない非形成部を有し、
前記非形成部は、少なくとも前記第1放電電極と前記第2放電電極との隣接領域の前記放電補助電極を、前記第1放電電極側と前記第2放電電極側とに隔てる、ことを特徴とする。
この構成により、積層体の内部に形成される共有の空洞部内に複数のESD保護素子が形成されるため、ESD保護素子を空洞部ごとにそれぞれ独立して形成する従来の構造と比べて、小型化が可能となる。また、この構成により、伝送線路に入った静電気は、第1放電電極とグランド電極との間、および第2放電電極とグランド電極との間で放電され易くなる。さらに、少なくとも第1放電電極と第2放電電極との隣接領域の放電補助電極が、非形成部によって第1放電電極側と第2放電電極側とに隔てられているため、空洞部内で互いに隣接して配置される複数の放電電極同士の間での放電が抑制される。したがって、一方の伝送線路に入った静電気が他方の伝送線路に移ることを防ぐことができる。
(2)前記第1放電電極と前記グランド電極との対向領域の離間距離、および第2放電電極と前記グランド電極との対向領域の離間距離は、前記第1放電電極と前記第2放電電極との隣接領域の距離よりも短いことが好ましい。この構成により、伝送線路に入った静電気は、第1放電電極とグランド電極との間、および第2放電電極とグランド電極との間で放電され易くなるため、空洞部内で互いに隣接して配置される複数の放電電極同士の間での放電が抑制される。
(3)前記非形成部は、前記放電補助電極を前記第1放電電極側と前記第2放電電極側とに隔てることが好ましい。この構成では、非形成部によって、前記第1放電電極側と前記第2放電電極側とに放電補助電極が隔てられているため、空洞部内で互いに隣接して配置される複数の放電電極同士の間での放電が抑制される。
(4)前記放電補助電極は、前記基材層の積層方向から視て、少なくとも前記空洞部内に露出する前記第1放電電極および前記第2放電電極の外縁よりも広く形成されることが好ましい。この構成により、空洞部内に露出する第1放電電極および第2放電電極の外縁よりも放電補助電極が広く形成されるため、製造時に積みずれが発生しても、ESD保護特性のばらつきを抑制できる。したがって、積みずれによる製品の良品率を高めることができる。また、第1放電電極とグランド電極との対向領域、および第2放電電極とグランド電極との対向領域以外にも放電補助電極が形成されるため、放電補助電極51の面積が大きくなる。したがって、この構成により、静電気の放電経路が多く形成され、静電気の放電が繰り返し発生しても、絶縁抵抗劣化を起こしにくくなり、静電気の放電の繰り返し特性が向上できる。
(5)本発明のESD保護素子付きコモンモードチョークコイルは、前記積層体の表面または内層に、互いに結合した第1コイルおよび第2コイルと、前記第1コイルおよび前記第2コイルに接続される(1)〜(5)のいずれかに記載のESD保護素子と、を備えることを特徴とする。
(6)本発明のESD保護素子付きコモンモードチョークコイルにおいて、前記ESD保護素子は、前記第1コイルおよび前記第2コイルの巻回軸方向からの平面視で、前記第1コイルおよび前記第2コイルのコイル開口部の内側に形成されることが好ましい。この構成では、コイル開口部の内側に、グランド電極、放電電極、放電補助電極が形成されているため、コイル開口部の内側に電極パターンが何もない場合に比べて、積層体を焼成した際に生じるループ状の第1コイルおよび第2コイルの内側の領域の凹みの発生を防止できる。これにより、天面および底面の平坦度が高い積層型のESD保護素子付きコモンモードチョークコイルを実現できる。また、コイル開口部の内側に、グランド電極、放電電極、放電補助電極が形成されているため、第1コイルの第1環状導体および第2コイルの第2環状導体との間に、不要な容量が発生するのを抑制することができる。また、ESD保護素子の放電ギャップと各コイルを構成する環状導体との距離が大きいので、環状導体は、ESDによる電磁誘導や発熱等の影響を受けにくい。
(7)本発明のESD保護素子付きコモンモードチョークコイルにおいて、前記グランド電極は、基材層の積層方向から視て、前記第1コイルおよび前記第2コイルに重なる部分の線幅が、前記空洞部内に露出する部分の線幅より細いことが好ましい。この構成により、第1コイルおよび第2コイルを形成する導体とグランド電極との対向面積を小さくできる。そのため、第1コイルおよび第2コイルを形成する導体と、グランド電極との間に発生する浮遊容量を軽減できる。
本発明によれば、スパークギャップ方式のESD保護素子において、共有の空洞部内に複数のESD保護素子を設けても複数の放電電極同士の間での異常放電が抑制された小型のESD保護素子を実現でき、さらにESD保護素子付きコモンモードチョークコイルを実現できる。
以降、図を参照していくつかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。
《第1の実施形態》
第1の実施形態に係るESD(Electro-Static Discharge)保護素子付きコモンモードチョークコイルについて、各図を参照して説明する。図1は、第1の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101の外観斜視図である。図2は、第1の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101の各基材層の電極パターン等を示す分解平面図である。図3は、図1におけるA−A’断面図である。図3では、図および原理を分かりやすくするために、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101の構造を簡略化して図示している。なお、図3において、各部の厚みは誇張して図示している。以降の各実施形態における側面図についても同様である。
第1の実施形態に係るESD(Electro-Static Discharge)保護素子付きコモンモードチョークコイルについて、各図を参照して説明する。図1は、第1の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101の外観斜視図である。図2は、第1の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101の各基材層の電極パターン等を示す分解平面図である。図3は、図1におけるA−A’断面図である。図3では、図および原理を分かりやすくするために、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101の構造を簡略化して図示している。なお、図3において、各部の厚みは誇張して図示している。以降の各実施形態における側面図についても同様である。
ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101は、積層体80と、積層体80の内部に形成され、互いに結合した第1コイルL1および第2コイルL2と、ESD保護素子と、を備える。ESD保護素子は、後に詳述するように、積層体80内部に形成される空洞部21内に形成される。積層体80は、直方体状であり、図2における(1)〜(12)で示す複数の基材層10a〜10jを積層して構成される。
図2において、(1)は最上層であり、(12)は最下層である。図2に示すように、基材層10a、基材層10jには入出力端子P1、入出力端子P2、入出力端子P3、入出力端子P4が形成されている。
基材層10bには、ともに基材層の中心を軸とし、左回りにバイファイラ巻きした第1環状導体L1a、第2環状導体L2aが形成されている。なお、第1環状導体L1aは、第2環状導体L2aの外側を巻回し、第2環状導体L2aは、第1環状導体L1aの内側を巻回するように形成されている。第1環状導体L1aの一端は、入出力端子P2に接続され、第1環状導体L1aの他端は、ビア電極によって第1環状導体L1bの一端に接続される。第2環状導体L2aの一端は、入出力端子P4に接続され、第2環状導体L2aの他端は、ビア電極(または、層間接続導体等。以下同じ。)によって第2環状導体L2bの一端に接続される。
基材層10cには、ともに基材層の中心を軸とし、左回りにバイファイラ巻きした第1環状導体L1b、第2環状導体L2bが形成されている。左回りに巻回する第1環状導体L1b、第2環状導体L2bが略平行して形成されている。なお、第1環状導体L1bは、第2環状導体L2bの内側を巻回し、第2環状導体L2bは、第1環状導体L1bの外側を巻回するように形成されている。第1環状導体L1bの一端は、ビア電極によって第1環状導体L1aの他端に接続され、第1環状導体L1bの他端は、ビア電極によって第1環状導体L1cの一端に接続される。第2環状導体L2bの一端は、ビア電極によって第2環状導体L2aの他端に接続され、第2環状導体L2bの他端は、ビア電極によって第2環状導体L2cの一端に接続される。
基材層10dには、ともに基材層の中心を軸とし、左回りにバイファイラ巻きした第1環状導体L1c、第2環状導体L2cが形成されている。なお、第1環状導体L1cは、第2環状導体L2cの外側を巻回し、第2環状導体L2cは、第1環状導体L1cの内側を巻回するように形成されている。第1環状導体L1cの一端は、ビア電極によって第1環状導体L1bの他端に接続され、第1環状導体L1cの他端は、ビア電極によって第1環状導体L1dの一端に接続される。第2環状導体L2cの一端は、ビア電極によって第2環状導体L2bの他端に接続され、第2環状導体L2cの他端は、ビア電極によって第2環状導体L2dの一端に接続される。
基材層10eには、ともに基材層の中心を軸とし、左回りにバイファイラ巻きした第1環状導体L1d、第2環状導体L2dが形成されている。なお、第1環状導体L1dは、第2環状導体L2dの内側を巻回し、第2環状導体L2dは、第1環状導体L1dの外側を巻回するように形成されている。第1環状導体L1dの一端は、ビア電極によって第1環状導体L1cの他端に接続され、第1環状導体L1dの他端は、ビア電極によって第1環状導体L1eの一端に接続される。第2環状導体L2dの一端は、ビア電極によって第2環状導体L2cの他端に接続され、第2環状導体L2dの他端は、ビア電極によって第2環状導体L2eの一端に接続される。
基材層10fには、ともに基材層の中心を軸とし、左回りにバイファイラ巻きした第1環状導体L1e、第2環状導体L2eが形成されている。なお、第1環状導体L1eは、第2環状導体L2eの外側を巻回し、第2環状導体L2eは、第1環状導体L1eの内側を巻回するように形成されている。第1環状導体L1eの一端は、ビア電極によって第1環状導体L1dの他端に接続され、第1環状導体L1eの他端は、ビア電極によって第1環状導体L1fの一端に接続される。第2環状導体L2eの一端は、ビア電極によって第2環状導体L2dの他端に接続され、第2環状導体L2eの他端は、ビア電極によって第2環状導体L2fの一端に接続される。
基材層10gには、ともに基材層の中心を軸とし、左回りにバイファイラ巻きした第1環状導体L1f、第2環状導体L2fが形成されている。なお、第1環状導体L1fは、第2環状導体L2fの内側を巻回し、第2環状導体L2fは、第1環状導体L1fの外側を巻回するように形成されている。第1環状導体L1fの一端は、ビア電極によって第1環状導体L1eの他端に接続され、第1環状導体L1fの他端は、ビア電極によって第1環状導体L1gの一端に接続される。第2環状導体L2fの一端は、ビア電極によって第2環状導体L2eの他端に接続され、第2環状導体L2fの他端は、ビア電極によって第2環状導体L2gの一端に接続される。
基材層10hには、ともに基材層の中心を軸とし、左回りにバイファイラ巻きした第1環状導体L1g、第2環状導体L2gが形成されている。なお、第1環状導体L1gは、第2環状導体L2gの外側を巻回し、第2環状導体L2gは、第1環状導体L1gの内側を巻回するように形成されている。第1環状導体L1gの一端は、ビア電極によって第1環状導体L1fの他端に接続され、第1環状導体L1gの他端は、入出力端子P1に接続される。第2環状導体L2gの一端は、ビア電極によって第2環状導体L2fの他端に接続され、第2環状導体L2gの他端は、入出力端子P2に接続される。
図2において、(9)〜(11)は基材層10iについての構成を示している。基材層10iには、基材層の中心付近に放電補助電極51が形成されている。放電補助電極51は、積層体の基材中に分散された粒子状の導電性材料を含んでおり、空洞部21内に少なくとも一部が露出し、空洞部21の内面に沿って形成されている。図2に示すように、本実施形態の放電補助電極51は、コの字(c字)状に形成されている。
さらに基材層10iには、グランド電極31および第1放電電極41、第2放電電極42が形成されている。グランド電極31は、基材層の一方の短辺から他方の短辺に向かって直線状に形成され、積層体80の両方の短辺に形成されるグランド端子GNDに接続される。グランド電極31は、空洞部21内に露出する部分を有している。第1放電電極41は、基材層の一方の長辺(図2における下側の長辺)から基材層の中央付近に向かって形成されている。第1放電電極41の一端は、入出力端子P1に接続されており、第1放電電極41の他端は、空洞部21内に露出し、基材層の中心付近でグランド電極31と近接して対向する部分を有する。第2放電電極42は、基材層の一方の長辺(図2における下側長辺)から基材層の中央付近に向かって形成されている。第2放電電極42の一端は、入出力端子P2に接続されており、第2放電電極42の他端は、空洞部21内に露出し、基材層の中心付近にグランド電極31と近接して対向する部分を有する。本実施形態において、第1放電電極41と第2放電電極42とは、基材層の長辺方向に対して、左右対称に形成されている。
さらに基材層10iには、基材層の中心付近に矩形の空洞部21が形成されている。
図1に示すように、積層体80は、外面に入出力端子P1、入出力端子P2、入出力端子P3、入出力端子P4およびグランド端子GNDを備える。
基材層の材料としては、HF帯用のコモンモードチョークコイルを形成する場合は渦電流損失が相対的に小さいので、磁気エネルギーの閉じ込め性の点で、磁性体材料(透磁率の高い誘電体材料)を用いることが好ましい。この磁性体材料として、六方晶フェライト等の高周波対応のフェライト磁性体を用いても良い。一方、例えば、UHF帯用のコモンモードチョークコイルを形成する場合は、高周波数領域での渦電流損失を抑えるために、電気絶縁抵抗の高い誘電体材料を用いることが好ましい。フェライトに代表される磁性体は透磁率に周波数依存性をもっているため、利用周波数帯が高くなるにつれ、損失が大きくなってしまうが、誘電体は周波数依存性が比較的小さいため、広い周波数帯で損失の小さい積層型コモンモードチョークコイルを実現できる。すなわち、広帯域、特に高周波帯域を含む高速インターフェイスに用いられるコモンモードチョークコイルとしては、基材層として非磁性体層である誘電体層を用いることが好ましい。
基材層は低温焼成セラミックス(LTCC[Low Temperature Co-fired Ceramics]のような誘電体セラミック層であってもよいし、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂からなる樹脂層であってもよい。すなわち、積層体は、セラミック積層体であってもよいし、樹脂積層体であってもよい。また、各コイルを構成する環状導体や層間接続電極、積層体の表面に設けられる表面電極等は、銅や銀等の比抵抗の小さな金属を主成分とする金属材料を用いることが好ましい。
第1環状導体L1a、第1環状導体L1b、第1環状導体L1c、第1環状導体L1d、第1環状導体L1e、第1環状導体L1f、第1環状導体L1gとそれらを接続するビア電極によって第1コイルL1が形成されている。第2環状導体L2a、第2環状導体L2b、第2環状導体L2c、第2環状導体L2d、第2環状導体L2e、第2環状導体L2f、第2環状導体L2gとそれらを接続するビア電極によって第2コイルL2が形成されている。第1コイルL1および第2コイルL2は、コモンモード電流を阻止する方向に結合してコモンモードチョークコイルとして作用する。
本実施形態では、各基材層におけるバイファイラ巻きした第1環状導体と第2環状導体を、ビア電極によって層間接続する際に、第1環状導体と第2環状導体との内外配置を入れ替える構成となっている。そのため、第1コイルL1と第2コイルL2とは、電極の長さが略同じに形成される。したがって、第1コイルL1と第2コイルL2との対称性が確保され、コモンモードチョークコイルの結合度を高めることができる。なお、コモンモードチョークコイルは、本実施形態の構成に限るものではなく、第1コイルL1および第2コイルL2の巻回方向、巻数、構成等は、適宜変更可能である。
図4は、第1の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101の回路図である。
図4に示すように、第1コイルL1は、入出力端子P1と入出力端子P3との間に形成され、第2コイルL2は、入出力端子P2と入出力端子P4との間に形成される。また、ESD保護素子Dg1は、入出力端子P1と入出力端子P3との間で、第1コイルL1の前段に形成されており、ESD保護素子Dg2は、入出力端子P2と入出力端子P4との間で、第2コイルL2の前段に形成されている。
ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101では、図3に示すように、積層体80の上部側に、第1コイルL1および第2コイルL2が形成されており、積層体80の下部側に、ESD保護素子Dg1、ESD保護素子Dg2が形成されている。このような構成とすることにより、積層体80を実装する実装基板のグランド電極までの距離を短くすることができる。また、第1環状導体および第2環状導体と、実装基板等のグランド電極までの距離が長くなるため、この間に発生する浮遊容量を軽減することができる。ただし、ESD保護素子Dg1、ESD保護素子Dg2は、積層体80の下部側に形成することに限るものではなく、積層体80の上部側に形成する構成であってもよい。
図5は、ESD保護素子を拡大して示した平面透視図である。空洞部21と、空洞部21内に露出する第1放電電極41と、空洞部21内に露出するグランド電極31と、放電補助電極51とにより、ESD保護素子Dg1を構成する。空洞部21と、空洞部21内に露出する第2放電電極42と、空洞部21内に露出するグランド電極31と、放電補助電極51とにより、ESD保護素子Dg2を構成する。ESD保護素子Dg1およびESD保護素子Dg2は、共有の空洞部21内に形成され、共通のグランド電極31を用いて形成される。
この構成により、積層体80の内部に形成される1つの空洞部21内に複数のESD保護素子が形成されるため、ESD保護素子を空洞部ごとにそれぞれ独立して形成する従来の構造と比べて、小型化が可能となる。
本実施形態において、基材層10iに形成される第1放電電極41および第2放電電極42は、空洞部21内で互いに隣接して配置され、グランド電極31がコの字(c字)状の放電補助電極51に重なっている。したがって、図5に示すように、基材層の積層方向から視て、第1放電電極−グランド電極間対向領域Deg1(本発明の「第1放電電極とグランド電極との対向領域」に相当する。)と第2放電電極−グランド電極間対向領域Deg2(本発明の「第2放電電極とグランド電極との対向領域」に相当する。)に、放電補助電極51が形成される。
この構成により、本実施形態では、基材層の積層方向から視て、少なくとも第1放電電極−グランド電極間対向領域Deg1、および第2放電電極−グランド電極間対向領域Deg2に放電補助電極51が形成される。そのため、伝送線路に入った静電気は、第1放電電極−グランド電極間対向領域Deg1、および第2放電電極−グランド電極間対向領域Deg2で放電され易くなる。
さらに、基材層10iに形成される第1放電電極41、第2放電電極42およびグランド電極31は、空洞部21内において、コの字(c字)状の放電補助電極51に重なっている。そのため、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101の放電補助電極51は、図5に示すように、基材層の積層方向から視て、空洞部21内において放電補助電極51を形成しない非形成部500を備えている。この非形成部500によって、放電補助電極51は、第1放電電極41側と第2放電電極42側とに隔てられている。非形成部500により、第1放電電極41と第2放電電極42との間に放電補助電極51が存在しないため、空洞部21内で互いに隣接して配置される複数の放電電極同士の間での放電が抑制される。したがって、一方の伝送線路に入った静電気が他方の伝送線路に移ることを防ぐことができ、電子機器の損傷や誤作動等を防止することができる。
また、図5に示すように、本実施形態のESD保護素子では、基材層の積層方向から視て、第1放電電極−グランド電極間対向領域Deg1、および第2放電電極−グランド電極間対向領域Deg2の距離x(本発明の「第1放電電極とグランド電極との対向領域の離間距離、および第2放電電極とグランド電極との対向領域の離間距離」に相当する。)が、第1放電電極−第2放電電極間隣接領域Deeの距離y(本発明の「第1放電電極と第2放電電極との隣接領域の距離」に相当する。)よりも短い。
この構成により、伝送線路に入った静電気は、第1放電電極−グランド電極間対向領域Deg1、および第2放電電極−グランド電極間対向領域Deg2で放電され易くなる。そのため、空洞部21内で互いに隣接して配置される複数の放電電極同士の間での放電を抑制することができる。
図3に示すように、放電補助電極51は、積層体80の基材層に導電性粒子300が分散して形成され、空洞部21内に露出し、空洞部21の内面に沿って形成される。導電性粒子300は、例えば、Cuの金属粒子である。図5に示すように、本実施形態の放電補助電極51は、グランド電極31、第1放電電極41、および第2放電電極42に接し、第1放電電極−グランド電極間対向領域Deg1および第2放電電極−グランド電極間対向領域Deg2に形成されている。このため、ESD保護素子Dg1、ESD保護素子Dg2は、放電開始電圧の低下とESDに対する応答特性の向上を得ることができる。
なお、第1放電電極−グランド電極間対向領域Deg1、および第2放電電極−グランド電極間対向領域Deg2における放電は、(1)放電補助電極51に沿った沿面放電、(2)第1放電電極−グランド電極間対向領域Deg1、および第2放電電極−グランド電極間対向領域Deg2の気中放電、(3)放電補助電極51内に分散された導電性粒子300を飛び石のように伝搬する放電を含む。これらの放電により静電気が放電される。
ESD保護素子は、以降に述べるような材料および工程で製造する。
第1放電電極41、第2放電電極42を形成するための電極ペーストは、Cu粉とエチルセルロース等からなるバインダー樹脂に溶剤を添加し、撹拌、混合することで得る。
空洞部21を形成する起点となる樹脂ペーストも同様の方法にて作製する。この樹脂ペーストは樹脂と溶剤のみからなる。樹脂材料には焼成時に分解、消失する樹脂を用いる。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、アクリル樹脂等である。
放電補助電極51を形成するための混合ペーストは、導電性材料としてCu粉と、セラミック材料としてBAS粉を所定の割合で調合し、バインダー樹脂と溶剤を添加し撹拌、混合することで得る。
基材層の積層は、通常のセラミック多層基板と同様に、セラミックグリーンシートを積層し、圧着することにより構成する。
接合圧着された積層体は、LCフィルタのようなチップタイプの電子部品と同様にマイクロカッタでカットして、各素体に分離する。その後、各素体の端面に、焼成後に各種外部端子となる電極ペーストを塗布する。
次いで、通常のセラミック多層基板と同様に、N2雰囲気中で焼成する。また、ESDに対する応答電圧を下げるため空洞部にAr、Ne等の希ガスを導入する場合には、セラミック材料の収縮、焼結が行われる温度領域をAr、Ne等の希ガス雰囲気で焼成すればよい。第1放電電極41、第2放電電極42および外部電極(入出力端子、グランド電極等)が酸化しない電極材料である場合には、大気雰囲気で焼成してもよい。
その後、LCフィルタのようなチップタイプの電子部品と同様に、外部電極の表面に電解Ni-SnめっきによりNi-Snめっき膜を形成する。
ところで、一般に、フェライト中のFeを酸化状態とし、電極材料のCuを酸化させない状態で焼成することは極めて困難であるので、積層体にフェライトを用いる場合には、電極材料にはAgを用いることが必要となる。しかし第1放電電極41、第2放電電極42をAgで形成すると、マイグレーションが顕れ、放電電圧が経時変化してしまうことがある。これに対し、積層体にフェライトを用いない場合には、第1放電電極41、第2放電電極42をCuで形成すると、放電時のエネルギーで電極表面Cuの酸化膜が形成されるが、この膜は放電電極材としては作用しないので、放電を繰り返しても放電電圧は実質上一定に保たれる。
本実施形態では、放電補助電極51に導電性粒子300として、Cuの金属粒子を分散して形成したが、この構成に限るものではない。導電性粒子300は、Cuの金属粒子以外にも、例えば、Ni、Co、Ag、Pd、Rh、Ru、Au、Pt、Ir等の遷移金属群より選ばれた少なくとも1種類の金属(導電材料)粒子とすることが望ましい。また、これら金属を単体で用いてもよいが、合金として用いることも可能である。さらに、これらの金属の酸化物(抵抗材料)を用いてもよい。または、放電補助電極を構成する導電性粒子としてSiCのような半導体材料を用いてもよい。金属粒子と半導体粒子との混合物であってもよい。
また、これらの放電補助電極51の表面に、Al2O3、ZrO2、SiO2等の無機材料や、BASのような混合仮焼材料、高融点のガラス等の絶遠材料を被覆することにより、補助電極粒を形成する。放電補助電極51の表面を被覆する絶縁材料は、放電補助電極51の焼結を阻害するものであり、絶縁性を有する絶縁材料ならば、例示したもの以外でもよい。
図6は、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101の平面透視図である。図6における環状導体形成部200は、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101を基材層の積層方向から視て、図2に示す基材層10b〜10hに形成された第1環状導体L1a〜L1gおよび第2環状導体L2a〜L2gの形成領域を示している。コイル開口内側部Cid(本発明の「コイル開口部の内側」に相当する。)は、基材層の積層方向から視て、ドーナツ状に形成された環状導体形成部200内側の環状導体が形成されていない領域である。
上述の通り、第1環状導体L1a〜L1gとそれらを接続するビア導体によって第1コイルL1が形成され、第2環状導体L2a〜L2gとそれらを接続するビア導体によって第2コイルL2が形成される。したがって、コイル開口内側部Cidは、第1コイルL1および第2コイルL2の開口部である。また、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101において、第1コイルL1および第2コイルL2の巻回軸は、基材層の積層方向と一致している。
図6に示すように、空洞部21は、コイル開口内側部Cidに形成されている。ESD保護素子は、空洞部21内に形成されるため、言い換えると、ESD保護素子は、コイル開口内側部Cidに形成されているといえる。このように、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101は、第1コイルL1および第2コイルL2の巻回軸方向からの平面視で、第1コイルL1および第2コイルL2のコイル開口内側部CidにESD保護素子が形成された構成である。
この構成により、コイル開口内側部Cidに電極パターンが何もない場合に比べて、積層体を焼成した際に生じるループ状の第1コイルL1および第2コイルL2の内側の領域の凹みの発生を防止できる。これにより、天面および底面の平坦度が高い積層型のESD保護素子付きコモンモードチョークコイルを実現できる。また、コイル開口内側部Cidに、グランド電極31、第1放電電極41、第2放電電極42、放電補助電極51が形成されているため、第1コイルL1の第1環状導体L1a〜L1gおよび第2コイルL2の第2環状導体L2a〜L2gとの間に、不要な容量が発生するのを抑制することができる。また、ESD保護素子の放電ギャップと各コイルを構成する環状導体との距離が大きいので、環状導体は、ESDによる電磁誘導や発熱等の影響を受けにくい。
《第2の実施形態》
第2の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイルについて、各図を参照して説明する。図7は、第2の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル102の各基材層の電極パターン等を示す分解平面図である。図8は、第2の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル102の断面図である。図9は、第2の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル102の回路図である。
第2の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイルについて、各図を参照して説明する。図7は、第2の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル102の各基材層の電極パターン等を示す分解平面図である。図8は、第2の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル102の断面図である。図9は、第2の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル102の回路図である。
図9に示すように、第2の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル102は、第1の実施形態に示したESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101に対して、第1コイルL1の後段にESD保護素子Dg3が形成され、第2コイルL2の後段にESD保護素子Dg4が形成されている点で異なる。その他の構成は、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101と同じである。
以下、第1の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101と異なる部分のみ説明する。
図7において、(9)〜(11)は基材層10iについての構成を示している。基材層10iには、基材層の中心付近に放電補助電極51および放電補助電極52が形成されている。放電補助電極52は、コの字(c字)状に形成されている。
さらに基材層10iには、グランド電極31および第1放電電極41、第2放電電極42の他に、第3放電電極43、第4放電電極44が形成されている。グランド電極31は、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101と同じ構成である。グランド電極31は、空洞部21内に露出する部分および空洞部22内に露出する部分を有している。
なお、本実施形態のグランド電極31は、図7中の(10)に示すように、基材層10a〜10jを積層した状態で、第1環状導体L1a〜L1gおよび第2環状導体L2a〜L2gに重なる部分の線幅が、空洞部21,22内に露出する部分(図7中の(10)におけるグランド電極31の中央部)の線幅より細い。言い換えると、グランド電極31は、基材層の積層方向から視て、第1コイルL1および第2コイルL2に重なる部分の線幅が、空洞部21,22内に露出する部分の線幅より細い。一方、第1放電電極41、第2放電電極42、第3放電電極43および第4放電電極44と空洞部21,22内で対向するグランド電極31の中央部は、基材層の積層方向から視て、第1コイルL1および第2コイルL2に重なる部分よりも線幅が太い。
第1放電電極41および第2放電電極42は、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101と同じ構成である。第3放電電極43は、基材層の一方の長辺(図7における上側の長辺)から基材層の中央付近に向かって形成されている。第3放電電極43の一端は、入出力端子P3に接続されており、第3放電電極43の他端は、空洞部22内に露出し、基材層の中心付近でグランド電極31と近接して対向する部分を有する。第4放電電極44は、基材層の一方の長辺(図7における上側の長辺)から基材層の中央付近に向かって形成されている。第4放電電極44の一端は、入出力端子P4に接続されており、第4放電電極44の他端は、空洞部22内に露出し、基材層の中心付近でグランド電極31と近接して対向する部分を有する。
さらに基材層10iには、基材層の中心付近に矩形の空洞部21および矩形の空洞部22が形成されている。
空洞部22と、空洞部22内に露出する第3放電電極43と、空洞部22内に露出するグランド電極31と、放電補助電極52とにより、ESD保護素子Dg3を構成する。空洞部22と、空洞部22内に露出する第4放電電極44と、空洞部22内に露出するグランド電極31と、放電補助電極52とにより、ESD保護素子Dg4を構成する。ESD保護素子Dg3およびESD保護素子Dg4は、共有の空洞部22内に形成され、共通のグランド電極31を用いて形成される。
本実施形態において、第3放電電極43および第4放電電極44は、基材層の短辺方向に対して、第1放電電極および第2放電電極と上下対称に形成されている。ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル102は、ESD保護素子Dg1およびESD保護素子Dg2と、ESD保護素子Dg3およびESD保護素子Dg4とが、基材層の短辺方向に対して、上下対称に形成された構成である。
このような構成により、ESD保護素子Dg1、ESD保護素子Dg3、ESD保護素子Dg2、ESD保護素子Dg4を備えるESD保護素子付きコモンモードチョークコイル102を構成することができる。
なお、上述したとおり、本実施形態のグランド電極31は、基材層の積層方向から視て、第1コイルL1および第2コイルL2に重なる部分の線幅が、空洞部21,22内に露出する部分(図7中の(10)におけるグランド電極31の中央部)の線幅より細い。この構成により、第1コイルL1および第2コイルL2を形成する導体(第1環状導体L1a〜L1gおよび第2環状導体L2a〜L2g)とグランド電極31との対向面積を小さくできる。そのため、第1コイルL1および第2コイルL2を形成する導体と、グランド電極31との間に発生する浮遊容量を軽減できる。
また、上述したとおり、第1放電電極41、第2放電電極42、第3放電電極43および第4放電電極44と空洞部21,22内で対向するグランド電極31の中央部は、基材層の積層方向から視て、第1コイルL1および第2コイルL2に重なる部分よりも線幅が太い。この構成により、放電電極(第1放電電極41、第2放電電極42、第3放電電極および第4放電電極44)とグランド電極31との対向領域の離間距離(図5中のxを参照)を、空洞部内で互いに隣接して配置される放電電極間の距離(図5中のyを参照)よりも短くできる(x<y)。したがって、伝送線路に入った静電気は、放電電極とグランド電極との間で放電されやすくなり、空洞部内で互いに隣接して配置される複数の放電電極同士の間での放電が抑制される。
《第3の実施形態》
第3の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイルについて、各図を参照して説明する。図10は、第3の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103の外観斜視図である。図11は、第3の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103の各基材層の電極パターン等を示す分解平面図である。図12は、第3の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103の回路図である。
第3の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイルについて、各図を参照して説明する。図10は、第3の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103の外観斜視図である。図11は、第3の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103の各基材層の電極パターン等を示す分解平面図である。図12は、第3の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103の回路図である。
第3の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103は、第1の実施形態に示したESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101に対して、さらに、入出力端子P5、入出力端子P6、入出力端子P7、入出力端子P8を備える点で異なる。つまり、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103は、共通の積層体80内に、左右対称にした第1の実施形態に示したESD保護素子付きコモンモードチョークコイルの回路を、基材層の長辺方向に二つ備えた構成である。その他の構成については、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル101と同じである。
図10に示すように、本実施形態の積層体80は、外面に入出力端子P1、入出力端子P2、入出力端子P3、入出力端子P4、入出力端子P5、入出力端子P6、入出力端子P7、入出力端子P8およびグランド端子GNDを備える。
上述したように、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103は、共通の積層体80内に、左右対称にした第1の実施形態に示したESD保護素子付きコモンモードチョークコイルの回路を、基材層の長辺方向に二つ備えた構成である。したがって、図12に示すように、第1コイルL1は、入出力端子P1と入出力端子P2との間に形成され、第2コイルL2は、入出力端子P2と入出力端子P4との間に形成される。また、ESD保護素子Dg1は、入出力端子P1と入出力端子P3との間で、第1コイルL1の前段に形成されており、ESD保護素子Dg2は、入出力端子P2と入出力端子P4との間で、第2コイルL2の前段に形成されている。第3コイルL3は、入出力端子P5と入出力端子P7との間に形成され、第4コイルL4は、入出力端子P6と入出力端子P8との間に形成される。また、ESD保護素子Dg5は、入出力端子P5と入出力端子P7との間で、第3コイルL3の前段に形成されており、ESD保護素子Dg6は、入出力端子P6と入出力端子P8との間で、第4コイルL4の前段に形成されている。
第3コイルL3および第4コイルL4は、コモンモード電流を阻止する方向に結合してコモンモードチョークコイルとして作用する。
このような構成により、互いに結合した第1コイルL1および第2コイルL2と、互いに結合した第3コイルL3および第4コイルL4と、ESD保護素子と、を積層体80内に備えたESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103を構成することができる。
《第4の実施形態》
第4の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイルについて、各図を参照して説明する。図13は、第4の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル104の各基材層の電極パターン等を示す分解平面図である。図14は、第4の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル104の回路図である。
第4の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイルについて、各図を参照して説明する。図13は、第4の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル104の各基材層の電極パターン等を示す分解平面図である。図14は、第4の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル104の回路図である。
第4の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル104は、第3の実施形態に示したESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103に対して、第1コイルL1の後段にESD保護素子Dg2が形成され、第2コイルL2の後段にESD保護素子Dg4が形成され、第3コイルL3の後段にESD保護素子Dg6が形成され、第4コイルL4の後段にESD保護素子Dg8が形成される点で異なる。その他の構成については、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103と同じである。言い換えると、共通の積層体80内に、左右対称にした第2の実施形態に示したESD保護素子付きコモンモードチョークコイルの回路を、基材層の長辺方向に二つ備えた構成であるといえる。
以下、第3の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103と異なる部分のみ説明する。
図13において、(9)〜(11)は基材層10iについての構成を示している。基材層10iには、基材層の長辺方向に対して、左右対称にして放電補助電極51、放電補助電極52および放電補助電極53、放電補助電極54が形成されている。放電補助電極51および放電補助電極53は、第3の実施形態に係るESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103と同じ構成である。放電補助電極52は、コの字(c字)状に形成されており、放電補助電極54は、コの字(c字)状に形成されている。
さらに基材層10iには、グランド電極31および第1放電電極41、第2放電電極42、第3放電電極43、第4放電電極44、第5放電電極45、第6放電電極46、第7放電電極47、第8放電電極48が形成されている。グランド電極31は、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103と同じ構成である。グランド電極31は、空洞部21内に露出する部分、空洞部22内に露出する部分、空洞部23内に露出する部分、空洞部24内に露出する部分を有している。
なお、本実施形態のグランド電極31は、第2の実施形態と同様に、基材層10a〜10jを積層した状態で、環状導体に重なる部分の線幅が、空洞部21〜24内に露出する部分(図13中の(10)におけるグランド電極31の左右の中央部)の線幅より細い。言い換えると、グランド電極31は、基材層の積層方向から視て、第1コイルL1、第2コイルL2、第3コイルL3および第4コイルL4に重なる部分の線幅が、空洞部21〜24内に露出する部分の線幅より細い。一方、第1放電電極41、第2放電電極42、第3放電電極43、第4放電電極44、第5放電電極45、第6放電電極46、第7放電電極および第8放電電極48と空洞部21〜24内で対向する部分のグランド電極31は、基材層の積層方向から視て、第1コイルL1、第2コイルL2、第3コイルL3および第4コイルL4に重なる部分よりも線幅が太い。
第1放電電極41、第2放電電極42、第5放電電極45、第6放電電極46は、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル103と同じ構成である。第3放電電極43は、基材層の一方の長辺(図13における上側の長辺)から基材層の中央付近に向かって形成されている。第3放電電極43の一端は、入出力端子P3に接続されており、第3放電電極43の他端は、空洞部22内に露出し、基材層の中心付近でグランド電極31と近接して対向する部分を有する。第4放電電極44は、基材層の一方の長辺(図13における上側の長辺)から基材層の中央付近に向かって形成されている。第4放電電極44の一端は、入出力端子P4に接続されており、第4放電電極44の他端は、空洞部22内に露出し、基材層の中心付近でグランド電極31と近接して対向する部分を有する。第7放電電極47は、基材層の一方の長辺(図13における上側の長辺)から基材層の中央付近に向かって形成されている。第7放電電極47の一端は、入出力端子P7に接続されており、第7放電電極47の他端は、空洞部24内に露出し、基材層の中心付近でグランド電極31と近接して対向する部分を有する。第8放電電極48は、基材層の一方の長辺(図13における上側の長辺)から基材層の中央付近に向かって形成されている。第8放電電極48の一端は、入出力端子P8に接続されており、第8放電電極48の他端は、空洞部24内に露出し、基材層の中心付近でグランド電極31と近接して対向する部分を有する。
さらに基材層10iには、矩形の空洞部21、矩形の空洞部22、矩形状の空洞部23、および矩形状の空洞部24が形成されている。
空洞部22と、空洞部22内に露出する第3放電電極43と、空洞部22内に露出するグランド電極31と、放電補助電極52とにより、ESD保護素子Dg3を構成する。空洞部22と、空洞部22内に露出する第4放電電極44と、空洞部22内に露出するグランド電極31と、放電補助電極52とにより、ESD保護素子Dg4を構成する。ESD保護素子Dg3およびESD保護素子Dg4は、共有の空洞部22内に形成され、共通のグランド電極31を用いて形成される。
空洞部24と、空洞部24内に露出する第7放電電極47と、空洞部24内に露出するグランド電極31と、放電補助電極54とにより、ESD保護素子Dg7を構成する。空洞部24と、空洞部24内に露出する第8放電電極48と、空洞部24内に露出するグランド電極31と、放電補助電極54とにより、ESD保護素子Dg8を構成する。ESD保護素子Dg7およびESD保護素子Dg8は、共有の空洞部24内に形成され、共通のグランド電極31を用いて形成される。
本実施形態において、第3放電電極43および第4放電電極44は、基材層の短辺方向に対して、第1放電電極41および第2放電電極42と上下対称に形成されている。第7放電電極47と第8放電電極48は、基材層の短辺方向に対して、第5放電電極45および第6放電電極46と上下対称に形成されている。ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル104は、ESD保護素子Dg1、ESD保護素子Dg2、ESD保護素子Dg5、およびESD保護素子Dg6と、ESD保護素子Dg3、ESD保護素子Dg4、ESD保護素子Dg7、およびESD保護素子Dg8とが、基材層の短辺方向に対して、上下対称に形成された構成である。
このような構成により、ESD保護素子Dg1、ESD保護素子Dg2、ESD保護素子Dg3、ESD保護素子Dg4、ESD保護素子Dg5、ESD保護素子Dg6、ESD保護素子Dg7、およびESD保護素子Dg8を備えるESD保護素子付きコモンモードチョークコイル104を構成することができる。
《第5の実施形態》
第5の実施形態に係るESD保護素子について、各図を参照して説明する。図15は、第5の実施形態に係るESD保護素子を示す平面透視図である。
第5の実施形態に係るESD保護素子について、各図を参照して説明する。図15は、第5の実施形態に係るESD保護素子を示す平面透視図である。
第5の実施形態に係るESD保護素子は、図5に示す第1の実施形態に示したESD保護素子に対して、空洞部21内において、第1放電電極−グランド電極間対向領域Deg1、および第2放電電極−グランド電極間対向領域Deg2以外にも放電補助電極51が形成されている点で異なる。その他の構成については、第1の実施形態に示したESD保護素子と同じである。
なお、図15に示すように、本実施形態における放電補助電極51は、これまでに示した実施形態における放電補助電極のようなコの字(c字)状ではなく、二つに分けて基材層に形成されている。このような構成であっても、第5の実施形態に係るESD保護素子は、図15に示すように、基材層の積層方向から視て、空洞部21内において放電補助電極51を形成しない非形成部500を備えている。この非形成部500によって、放電補助電極51は、第1放電電極41側と第2放電電極42側とに隔てられている。また、放電補助電極51は、グランド電極31、第1放電電極41、および第2放電電極42に接し、第1放電電極−グランド電極間対向領域Deg1および第2放電電極−グランド電極間対向領域Deg2に形成されている。このように、放電補助電極51の形状、配置、数量等は上記構成を満たす範囲で適宜変更可能である。
この構成では、グランド電極−第1放電電極間対向領域Deg1、およびグランド電極−第2放電電極間対向領域Deg2以外にも放電補助電極51が形成されるため、グランド電極31および第1放電電極41に接する放電補助電極51の面積は、第1の実施形態に係るESD保護素子と比べて、大きい。
ESD保護素子内で、放電補助電極に沿って一度沿面放電が発生すると、その放電経路の絶縁抵抗は高くなる。そのため、グランド電極および放電電極に接する放電補助電極の面積が小さいと、ESD保護素子内での静電気の放電経路が少なくなるため、静電気の放電を繰り返すと、絶縁抵抗劣化を起こしやすくなる。これに対して、本実施形態における放電補助電極51の面積は、第1の実施形態に係るESD保護素子と比べて、大きいため、静電気の放電経路が多く形成される(図15の矢印参照)。したがって、この構成により、静電気の放電が繰り返し発生しても、絶縁抵抗劣化を起こしにくくなり、第1の実施形態に係るESD保護素子と比べて、静電気の放電の繰り返し特性が向上できる。
《第6の実施形態》
第6の実施形態に係るESD保護素子について、各図を参照して説明する。図16は、第6の実施形態に係るESD保護素子を示す平面透視図である。
第6の実施形態に係るESD保護素子について、各図を参照して説明する。図16は、第6の実施形態に係るESD保護素子を示す平面透視図である。
第6の実施形態に係るESD保護素子は、第1の実施形態に示したESD保護素子に対して、第1放電電極−第2放電電極間隣接領域Deeのみに、放電補助電極51の非形成部500を備える点で異なる。その他の構成については、第1の実施形態に係るESD保護素子と同じである。
図16に示すように、本実施形態のESD保護素子は、第1放電電極−第2放電電極間隣接領域Deeに、放電補助電極51を形成しない非形成部500を備えている。そして、非形成部500が、第1放電電極−第2放電電極間隣接領域Deeの放電補助電極51を、第1放電電極41側と第2放電電極42側とに隔てる構成である。
この構成では、第1の実施形態に係るESD保護素子とは異なり、放電補助電極51が、グランド電極31、第1放電電極41、および第2放電電極42のいずれにも接する構成となっている。しかし、第1放電電極−第2放電電極間隣接領域Deeの放電補助電極51が、非形成部500によって第1放電電極側と第2放電電極側とに隔てられている。そのため、第1放電電極41とグランド電極31との間、または第2放電電極42とグランド電極31との間での沿面距離(図16中の矢印参照)と比べて、第1放電電極41と第2放電電極42との間での沿面距離(図16中の中抜き矢印参照)は長くなる。そのため、第1放電電極41とグランド電極31との間、または第2放電電極42とグランド電極31との間での沿面放電と比べて、第1放電電極41と第2放電電極42との間での沿面放電の発生は抑制される。
したがって、このような構成であっても、空洞部内で互いに隣接して配置される複数の放電電極同士の間での放電が抑制される。すなわち、一方の伝送線路に入った静電気が他方の伝送線路に移ることを防ぐことができる。
《第7の実施形態》
第7の実施形態に係るESD保護素子について、各図を参照して説明する。図17は、第7の実施形態に係るESD保護素子を示す平面透視図である。
第7の実施形態に係るESD保護素子について、各図を参照して説明する。図17は、第7の実施形態に係るESD保護素子を示す平面透視図である。
第7の実施形態に係るESD保護素子は、第6の実施形態に示したESD保護素子に対して、少なくとも第1放電電極41および第2放電電極42の空洞部21内に露出する部分の外縁よりも放電補助電極51が広く形成されている点で異なる。その他の構成については、第6の実施形態に係るESD保護素子と同じである。
上述の通り、第7の実施形態のおける放電補助電極51は、基材層の積層方向から視て、少なくとも第1放電電極41および第2放電電極42の空洞部21内に露出する部分の外縁よりも広く形成されている。
このように、基材層の積層方向から視て、空洞部21内に露出する第1放電電極41および第2放電電極42の外縁よりも、放電補助電極51が広く形成されると、製造時に積みずれが発生しても、ESD保護特性のばらつきを抑制できる。したがって、積みずれによる製品の良品率を高めることができる。
また、本実施形態における放電補助電極51の面積は、第6の実施形態に係るESD保護素子と同様に、第1の実施形態に係るESD保護素子と比べて、大きく、静電気の放電経路が多く形成される(図16の矢印参照)。したがって、この構成により、静電気の放電が繰り返し発生しても、絶縁抵抗劣化を起こしにくくなり、第1の実施形態に係るESD保護素子と比べて、静電気の放電の繰り返し特性が向上できる。
なお、本実施形態に係るESD保護素子は、図17に示すように、第6の実施形態に係るESD保護素子と異なり、第1放電電極−第2放電電極間隣接領域Dee全てに非形成部500を備える構成ではない。
このように、本実施形態に係るESD保護素子は、基材層の積層方向から視て、少なくとも一部に第1放電電極−第2放電電極間隣接領域Deeに非形成部500を備える。そして、非形成部500が、少なくとも第1放電電極−第2放電電極間隣接領域Deeの放電補助電極51を、第1放電電極41側と第2放電電極42側とに隔てる構成である。
このような構成でも、第6の実施形態に係るESD保護素子と同様に、空洞部内で互いに隣接して配置される複数の放電電極同士の間での放電が抑制される。したがって、一方の伝送線路に入った静電気が他方の伝送線路に移ることを防ぐことができる。
《その他の実施形態》
上述の実施形態では、放電補助電極に導電性粒子として、Cuの金属粒子を分散して形成したが、この構成に限るものではない。放電補助電極は、第1の金属を主成分とするコア部と第2の金属を含む金属酸化物を主成分とするシェル部とからなるコア−シェル構造を有する複数の金属粒子の集合体から構成するものであってもよい。
上述の実施形態では、放電補助電極に導電性粒子として、Cuの金属粒子を分散して形成したが、この構成に限るものではない。放電補助電極は、第1の金属を主成分とするコア部と第2の金属を含む金属酸化物を主成分とするシェル部とからなるコア−シェル構造を有する複数の金属粒子の集合体から構成するものであってもよい。
コア−シェル構造は、第1の金属と第2の金属との合金を加熱し、合金粒子表面へ第2の金属成分を移動させることにより、シェル部を形成する。合金を構成する第1の金属は、例えばCuであり、第2の金属は、例えばAlである。合金粉末を構成する各合金粒子において、第2の金属を当該合金粒子の表面に向かって移動させて第1の金属を主成分とするコア部と、第2の金属を表面に達した時点で酸化させて、第2の金属を含む金属酸化物を主成分とするシェル部とを形成させる。このような方法により、コア−シェル構造を有する複数の金属粒子の集合体から構成する放電補助電極を形成してもよい。
上述の実施形態では、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイルについての例を示したが、コモンモードチョークコイルに限らず、他の電子部品を積層体80の内部に形成し、ESD保護素子と一体構造とすることもできる。
P1,P2,P3,P4,P5,P6,P7,P8…入出力端子
GND…グランド端子
Cid…コイル開口内側部
Dee…第1放電電極−第2放電電極間隣接領域
Deg1…第1放電電極−グランド電極間対向領域
Deg2…第2放電電極−グランド電極間対向領域
Dg1,Dg2,Dg3,Dg4,Dg5,Dg6,Dg7,Dg8…ESD保護素子
L1…第1コイル
L2…第2コイル
L3…第3コイル
L4…第4コイル
L1a,L1b,L1c,L1d,L1e,L1f,L1g…第1環状導体
L2a,L2b,L2c,L2d,L2e,L2f,L2g…第2環状導体
10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10h,10i,10j…基材層
21,22,23,24…空洞部
31…グランド電極
41…第1放電電極
42…第2放電電極
43…第3放電電極
44…第4放電電極
45…第5放電電極
46…第6放電電極
47…第7放電電極
48…第8放電電極
51,52,53,54…放電補助電極
80…積層体
101,102,103,104…ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル
200…環状導体形成部
300…導電性粒子
500…非形成部
GND…グランド端子
Cid…コイル開口内側部
Dee…第1放電電極−第2放電電極間隣接領域
Deg1…第1放電電極−グランド電極間対向領域
Deg2…第2放電電極−グランド電極間対向領域
Dg1,Dg2,Dg3,Dg4,Dg5,Dg6,Dg7,Dg8…ESD保護素子
L1…第1コイル
L2…第2コイル
L3…第3コイル
L4…第4コイル
L1a,L1b,L1c,L1d,L1e,L1f,L1g…第1環状導体
L2a,L2b,L2c,L2d,L2e,L2f,L2g…第2環状導体
10a,10b,10c,10d,10e,10f,10g,10h,10i,10j…基材層
21,22,23,24…空洞部
31…グランド電極
41…第1放電電極
42…第2放電電極
43…第3放電電極
44…第4放電電極
45…第5放電電極
46…第6放電電極
47…第7放電電極
48…第8放電電極
51,52,53,54…放電補助電極
80…積層体
101,102,103,104…ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル
200…環状導体形成部
300…導電性粒子
500…非形成部
Claims (7)
- 複数の基材層を積層してなる積層体と、
前記積層体の内部に形成される空洞部と、
前記空洞部内に少なくとも一部が露出するグランド電極と、
共有の前記空洞部内に少なくとも一部が露出し、かつ共通の前記グランド電極と対向する第1放電電極および第2放電電極と、
前記基材層に導電性粒子が分散して形成され、前記空洞部内に少なくとも一部が露出し、前記空洞部の内面に沿って形成される放電補助電極と、
を備え、
前記第1放電電極と前記第2放電電極は、前記基材層の積層方向から視て、前記空洞部内で互いに隣接して配置され、
前記放電補助電極は、前記基材層の積層方向から視て、少なくとも前記第1放電電極と前記グランド電極との対向領域、および前記2放電電極と前記グランド電極との対向領域に形成され、前記空洞部内に前記放電補助電極を形成しない非形成部を有し、
前記非形成部は、少なくとも前記第1放電電極と前記第2放電電極との隣接領域の前記放電補助電極を、前記第1放電電極側と前記第2放電電極側とに隔てる、
ことを特徴とするESD保護素子。 - 前記第1放電電極と前記グランド電極との対向領域の離間距離、および第2放電電極と前記グランド電極との対向領域の離間距離は、前記第1放電電極と前記第2放電電極との隣接領域の距離よりも短い、請求項1に記載のESD保護素子。
- 前記非形成部は、前記放電補助電極を前記第1放電電極側と前記第2放電電極側とに隔てる、請求項1または2に記載のESD保護素子。
- 前記放電補助電極は、前記基材層の積層方向から視て、少なくとも前記空洞部内に露出する前記第1放電電極および前記第2放電電極の外縁よりも広く形成される、請求項1〜3のいずれかに記載のESD保護素子。
- 前記積層体の表面または内部に、互いに結合した第1コイルおよび第2コイルと、前記第1コイルおよび前記第2コイルに接続される請求項1〜4のいずれかに記載のESD保護素子と、を備える、ESD保護素子付きコモンモードチョークコイル。
- 前記ESD保護素子は、前記第1コイルおよび前記第2コイルの巻回軸方向からの平面視で、前記第1コイルおよび前記第2コイルのコイル開口部の内側に形成される、請求項5に記載のESD保護素子付きコモンモードチョークコイル。
- 前記グランド電極は、基材層の積層方向から視て、前記第1コイルおよび前記第2コイルに重なる部分の線幅が細い、請求項5または6に記載にESD保護素子付きコモンモードチョークコイル。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014234127 | 2014-11-19 | ||
JP2014234127 | 2014-11-19 | ||
PCT/JP2015/078716 WO2016080108A1 (ja) | 2014-11-19 | 2015-10-09 | Esd保護素子、およびesd保護素子付きコモンモードチョークコイル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5991453B1 true JP5991453B1 (ja) | 2016-09-14 |
JPWO2016080108A1 JPWO2016080108A1 (ja) | 2017-04-27 |
Family
ID=56013666
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016529482A Active JP5991453B1 (ja) | 2014-11-19 | 2015-10-09 | Esd保護素子、およびesd保護素子付きコモンモードチョークコイル |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10062501B2 (ja) |
JP (1) | JP5991453B1 (ja) |
CN (1) | CN206163897U (ja) |
WO (1) | WO2016080108A1 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10348418B1 (en) * | 2014-07-22 | 2019-07-09 | Esker Technologies, LLC | Transient and spurious signal filter |
WO2016136569A1 (ja) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社村田製作所 | インダクタンス素子、高周波トランス素子、インピーダンス変換素子およびアンテナ装置 |
US10417143B2 (en) | 2015-10-08 | 2019-09-17 | Esker Technologies, LLC | Apparatus and method for sending power over synchronous serial communication wiring |
KR20180001033A (ko) | 2016-06-24 | 2018-01-04 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자 부품 및 그의 제조 방법 |
US10560154B2 (en) | 2016-07-11 | 2020-02-11 | Esker Technologies, LLC | Power line signal coupler |
US10128906B2 (en) | 2016-07-11 | 2018-11-13 | Esker Technologies, LLC | Power line signal coupler |
JP6493631B2 (ja) | 2016-10-07 | 2019-04-03 | 株式会社村田製作所 | フィルタ |
JP6467734B2 (ja) * | 2017-02-10 | 2019-02-13 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 多層基板のフィルタ |
DE102017126263B4 (de) * | 2017-04-20 | 2021-08-26 | Dehn Se + Co Kg | Blitz- und Überspannungsschutzeinrichtung für Datennetzwerke, Telefonie, elektroakustische Anlagen oder Bussysteme |
JP6587045B1 (ja) * | 2018-02-21 | 2019-10-09 | 株式会社村田製作所 | アンテナ装置及び電子機器 |
JP6922871B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2021-08-18 | 株式会社村田製作所 | インダクタ部品およびインダクタ部品の製造方法 |
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JP2011176338A (ja) * | 2008-09-30 | 2011-09-08 | Tdk Corp | 複合電子部品 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008146514A1 (ja) | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Esd保護デバイス |
JP5093345B2 (ja) | 2008-05-08 | 2012-12-12 | 株式会社村田製作所 | Esd保護機能内蔵基板 |
JP4734428B2 (ja) | 2008-09-30 | 2011-07-27 | Tdk株式会社 | 複合電子部品及びその接続構造 |
US8422190B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-04-16 | Tdk Corporation | Composite electronic device, manufacturing method thereof, and connection structure of composite electronic device |
JP5477473B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2014-04-23 | 株式会社村田製作所 | Esd保護構造およびその製造方法 |
WO2013065672A1 (ja) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | 株式会社 村田製作所 | Esd保護デバイス |
WO2013099540A1 (ja) | 2011-12-27 | 2013-07-04 | 株式会社村田製作所 | 積層型コモンモードチョークコイル |
WO2013136936A1 (ja) | 2012-03-16 | 2013-09-19 | 株式会社村田製作所 | コモンモードチョークコイル |
-
2015
- 2015-10-09 WO PCT/JP2015/078716 patent/WO2016080108A1/ja active Application Filing
- 2015-10-09 CN CN201590000333.2U patent/CN206163897U/zh active Active
- 2015-10-09 JP JP2016529482A patent/JP5991453B1/ja active Active
-
2016
- 2016-08-15 US US15/236,619 patent/US10062501B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016080108A1 (ja) | 2016-05-26 |
US20160351327A1 (en) | 2016-12-01 |
CN206163897U (zh) | 2017-05-10 |
JPWO2016080108A1 (ja) | 2017-04-27 |
US10062501B2 (en) | 2018-08-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20160713 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160719 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160801 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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