JP5988887B2 - 芳香族アミン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器 - Google Patents

芳香族アミン誘導体、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子機器 Download PDF

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Description

本発明は芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。本発明はさらに、前記有機ＥＬ素子を搭載した電子機器に関する。
有機ＥＬ素子は、電界を印加することより、陽極より注入された正孔と陰極より注入された電子の再結合エネルギーにより蛍光性物質が発光する原理を利用した自発光素子である。イーストマン・コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎｇらによる積層型素子による低電圧駆動有機ＥＬ素子の報告（C.W. Tang, S.A. Vanslyke, アプライドフィジックスレターズ(Applied Physics Letters),５１巻、９１３頁、１９８７年等）がなされて以来、有機材料を構成材料とする有機ＥＬ素子に関する研究が盛んに行われている。
例えば、特許文献１〜４は、２つの窒素原子間にフルオレン骨格を有するジアミン化合物を開示しており、該ジアミン化合物を、「発光層に隣接する」正孔輸送層の材料として使用することで、発光層における発光の際の発熱等による正孔輸送材料の結晶化が抑制され、２つの窒素原子間にビフェニレン基を有するジアミン化合物やフルオレン骨格を有するモノアミン化合物と比べて安定性、耐久性の改良された有機ＥＬ素子を開示する。
また、特許文献５は、２つの窒素原子がビフェニレン基を介して結合したジアミン化合物を第一正孔輸送層の材料として用い、ジベンゾフラン構造及びカルバゾール構造を有する芳香族アミン誘導体を、発光層に隣接した第二正孔輸送層の材料として用いることによって、駆動電圧が低く、寿命の長い有機ＥＬ素子を製造できることを開示する。特許文献６は、第一正孔輸送層に２つの窒素原子がビフェニレン基を介して結合したジアミン化合物を採用し、第二正孔輸送層に特定のヘテロアリール構造を有するアミン化合物を燐光発光性の有機ＥＬ素子において採用することで、当該第二正孔輸送層が電子ブロック性、電子耐性及び正孔注入・輸送性を兼ね備え、有機ＥＬ素子の高効率及び長寿命を達成したことを開示する。特許文献７は、「発光層に隣接する」正孔輸送層に、カルバゾール環構造を有する化合物を採用することで、素子の発光効率が高く、駆動電圧が低い有機ＥＬ素子を提供する。
すなわち、有機ＥＬ素子、特に燐光素子では、正孔輸送層を第一正孔輸送層と第二正孔輸送層の２層構成として、「発光層に隣接する」第二正孔輸送層に、より高機能な材料を適用することで素子性能を向上させてきた。
第二正孔輸送層に求められる性能としては、（ｉ）燐光発光層の励起エネルギーの拡散を防ぐため、高い三重項エネルギー（２．６ｅＶ以上が好ましい。）を有すること、（ii）発光層と隣接するため、電子耐性を有すること、（iii）発光層から電子が漏れることを防ぐためにアフィニティの小さい（２．４ｅＶ以下が好ましい。）有機層であること、（iv）発光層への正孔注入を促進させるためにイオン化ポテンシャルの大きい（５．５ｅＶ以上が好ましい。）有機層であることが必要とされている。このような特性を満たす材料として、トリフェニルアミン骨格にカルバゾールやジベンゾフラン等のヘテロアリール環が結合した電子耐性の高い分子骨格が好まれている。
一方、第一正孔輸送層については、一般的に第二正孔輸送層への正孔注入性に優れることが求められている。
また、正孔注入性を向上する観点から、正孔注入層としてｐ型半導体的性質を有する化合物（本発明では、アクセプター材料ともいう）を含有させることが検討されている（特許文献８〜９参照）。
特許第３８１３００３号公報 特許第３８０１３３０号公報 特許第３７９２０２９号公報 特許第３８３５９１７号公報 国際公開第２０１０／１１４０１７号 国際公開第２００９／０４１６３５号 国際公開第２０１１／０２４４５１号 国際公開第０１／４９８０６号（特表２００３−５１９４３２号公報） 国際公開第２０１１／０９０１４９号
上記のような有機ＥＬ素子の研究開発が進むなか、商用デバイスにおいては、有機ＥＬ素子のそれぞれの発光色ごとに、内部で発光した光をデバイス外部に効率良く取り出すことが不可欠である。そこで、キャリア輸送性が他の有機層と比べて高い正孔輸送層の膜厚を制御することで、素子全体の光路長を調整する必要がある。そのため、現在は、正孔輸送層を厚膜化しても駆動電圧が高くならない程に高い移動度の正孔輸送材料が求められており、かつ、アクセプター材料との相互作用によって、キャリア生成量が大きい正孔輸送材料を開発し、それを第一正孔輸送層に適用することが求められている。
本発明は、前記の課題を解決するためになされたものであり、高効率化、長寿命化された有機ＥＬ素子及び該有機ＥＬ素子を搭載した電子機器、並びにそのような有機ＥＬ素子を提供し得る化合物を提供することを目的とする。
本発明者らは、前記の好ましい性質を有する化合物及びそれを用いた有機ＥＬ素子を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、一般式（１）で表される化合物を利用することにより前記課題を解決し得ることを見出した。加えて、発光層に隣接する正孔輸送層にヘテロアリール置換アミン誘導体を用いると、燐光発光性有機ＥＬ素子としてだけでなく、蛍光発光性有機ＥＬ素子としても優れた効果を奏することを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明の一態様は、下記一般式（１）で表される化合物を提供するものである。
（上記一般式（１）中、Ａｒ1は、下記一般式（Ａ−１）で表される有機基Ａであり、Ａｒ2は、前記有機基Ａであるか、又は下記一般式（Ｂ−１）で表される有機基Ｂであり、Ａｒ3は、前記有機基Ｂであるか、又は下記一般式（Ｃ−１）で表される有機基Ｃである。
Ａｒ1及びＡｒ2の両方が有機基Ａである場合、それぞれの有機基Ａは同じであっても異なっていてもよい。）
（上記一般式（Ａ−１）中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。Ｒ1とＲ2は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。
Ｒ3〜Ｒ6は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。
また、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。
Ｒ3及びＲ4は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。また、ａ又はｂが２である場合、隣接するＲ3同士、隣接するＲ4同士は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。）
（上記一般式（Ｂ−１）中、Ａｒ4及びＡｒ5は、それぞれ独立に、環形成炭素数６〜１４のアリーレン基であり、Ａｒ6は、環形成炭素数６〜１４のアリール基である。Ｒ7〜Ｒ9は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。また、ｅ、ｆ及びｇは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。ｈ及びｉは、それぞれ独立に、０又は１である。
Ｒ7〜Ｒ9は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。また、ｅ、ｆ又はｇが２である場合、隣接するＲ7同士、隣接するＲ8同士又は隣接するＲ9同士は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。）
（上記一般式（Ｃ−１）中、Ａｒ7は、置換又は無置換の環形成炭素数６〜１４のアリール基である。Ｒ10は、炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。また、ｊは、０〜２の整数である。ｊが２の場合、隣接するＲ10同士が互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。）
また、本発明の別の態様は、陰極と陽極との間に少なくとも発光層を含有する一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも一層が、前記一般式（１）で表される化合物を単独又は混合物の成分として含有する有機ＥＬ素子を提供するものである。
さらに、本発明の別の態様は、前記有機ＥＬ素子を搭載した電子機器を提供するものである。
本発明の化合物は、有機ＥＬ素子の正孔輸送層を厚膜化しても駆動電圧が高くならない高い移動度の正孔輸送材料であって、有機ＥＬ素子の光路長を調整可能であり、素子の高効率化と長寿命化が図れる有機ＥＬ素子を提供できる。
特に、陽極にアクセプター層が接合された有機ＥＬ素子の正孔輸送材料として用いた場合、アクセプター材料との相性が優れるため、アクセプター層から正孔輸送層への正孔注入量が増大し、前記効果をより一層高めることができる。
本明細書中、好ましいとする規定は任意に選択することができ、また、好ましいとする規定の組み合わせはより好ましいと言える。
本発明の化合物は、下記一般式（１）で表される。
上記一般式（１）中、Ａｒ1は、下記一般式（Ａ−１）で表される有機基Ａであり、Ａｒ2は、前記有機基Ａであるか、又は下記一般式（Ｂ−１）で表される有機基Ｂであり、Ａｒ3は、前記有機基Ｂであるか、又は下記一般式（Ｃ−１）で表される有機基Ｃである。
Ａｒ1及びＡｒ2の両方が有機基Ａである場合、それぞれの有機基Ａは同じであっても異なっていてもよい。
一般式（Ａ−１）中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。
該アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、各種プロピル基（「各種」は、直鎖状及び分岐鎖状のあらゆる基を含み、以下同様である。）、各種ブチル基、各種オクチル基、各種デシル基等が挙げられる。アルキル基の炭素数は、好ましくは１〜５である。
該アリール基としては、例えば、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニリル基、ナフチル基、アントリル基等が挙げられる、アリール基の環形成炭素数は、好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１２、さらに好ましくは６〜１０である。アリール基としては、フェニル基が好ましい。
Ｒ1及びＲ2は、水素原子、メチル基又はフェニル基であることが好ましく、いずれもメチル基であることがより好ましい。
なお、Ｒ1とＲ2は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよく、そのような有機基Ａとしては例えば以下のような基が挙げられるが、互いに結合して炭化水素環を形成してはいないことが好ましい。
一般式（Ａ−１）中、Ｒ3〜Ｒ6は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。
該アルキル基及びアリール基は、Ｒ1及びＲ2の場合と同じものが挙げられ、好ましいものも同じである。
該シクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。シクロアルキル基の環形成炭素数は、好ましくは５〜８である。
また、一般式（Ａ−１）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、それぞれ独立に、０〜２の整数であり、好ましくは０又は１、より好ましくは０である。
Ｒ3及びＲ4としては、それぞれ独立に、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基であり、より好ましい基は前記の通りである。Ｒ5及びＲ6としては、それぞれ独立に、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基であり、それぞれより好ましい基は前記の通りである。
Ｒ3及びＲ4は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよく、そのような有機基Ａとしては、以下のような基が挙げられる。
また、ａ又はｂが２である場合、隣接するＲ3同士、隣接するＲ4同士は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよく、そのような有機基Ａとしては、以下のような基が挙げられる。
前記のとおり、Ａｒ2は、前記有機基Ａであるか、又は下記一般式（Ｂ−１）で表される有機基Ｂである。
一般式（Ｂ−１）中、Ａｒ4及びＡｒ5は、それぞれ独立に、環形成炭素数６〜１４のアリーレン基である。該アリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基等が挙げられる。これらの中でも、環形成炭素数６〜１０のアリーレン基が好ましく、フェニレン基がより好ましい。
Ａｒ6は、環形成炭素数６〜１４のアリール基である。該アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等が挙げられる。これらの中でも、環形成炭素数６〜１０のアリール基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
Ｒ7〜Ｒ9は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。該アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、Ｒ3及びＲ4の場合と同じものが挙げられ、好ましいものも同じである。Ｒ7〜Ｒ9としては、いずれも、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基、より好ましくは炭素数１〜５のアルキル基、さらに好ましくはメチル基である。
また、ｅ、ｆ及びｇは、それぞれ独立に、０〜２の整数であり、好ましくは０又は１である。ｈ及びｉは、それぞれ独立に、０又は１である。
一般式（Ｂ−１）中、Ｒ7〜Ｒ9は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよく、そのような有機基Ｂとしては、例えばＡｒ4〜Ａｒ6がフェニル基の場合、以下のような基が挙げられる。
互いに結合して炭化水素環を形成した有機基Ｂとしての上記例示の中でも、以下のものが好ましい。
また、一般式（Ｂ−１）中、ｅ、ｆ又はｇが２である場合、隣接するＲ7同士、隣接するＲ8同士又は隣接するＲ9同士は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。そのような有機基Ｂとしては、例えば、Ａｒ4〜Ａｒ6がフェニル基の場合、以下のような基が挙げられる。
なお、上記有機基Ｂは、下記一般式（Ｂ−２）で表される基であることが好ましい。
（上記式中、Ａｒ6、Ｒ7〜Ｒ9、ｅ、ｆ及びｇは、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。）
さらに、上記有機基Ｂは、下記一般式（Ｂ−３）〜（Ｂ〜５）のいずれかで表される基であることが好ましい。
（上記式中、Ａｒ4〜Ａｒ6、Ｒ7〜Ｒ9、ｅ、ｆ及びｇは、前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。）
前記のとおり、Ａｒ3は、前記有機基Ｂであるか、又は下記一般式（Ｃ−１）で表される有機基Ｃである。
上記一般式（Ｃ−１）中、Ａｒ7は、環形成炭素数６〜１４のアリール基である。該アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基等が挙げられる。これらの中でも、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。
Ｒ10は、炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。該アルキル基、シクロアルキル基及びアリール基は、Ｒ3及びＲ4の場合と同じものが挙げられ、好ましいものも同じである。
また、ｊは、０〜２の整数であり、０又は１が好ましい。
なお、ｊが２の場合、隣接するＲ10同士が互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。
本発明の一般式（１）で表される化合物の製造方法に特に制限は無く、実施例及び公知の方法を参照して製造することができる。
本発明の化合物は、後述するように、有機ＥＬ素子用材料、特に有機ＥＬ素子用正孔輸送材料として有用である。さらには、アクセプター層が隣接（接合）した正孔輸送層を有する有機ＥＬ素子の、当該正孔輸送層の材料として有用である。
本発明の化合物の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるものではない。

［有機エレクトロルミネッセンス素子］
次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の実施の形態について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、対向する陽極と陰極との間に有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記一般式（１）で表される化合物を含有する有機薄膜層を１層以上有するものである。
その中でも、特に本発明の好ましい形態の有機ＥＬ素子は、対向する陽極と陰極の間に、少なくとも２以上の正孔輸送層と、発光層を順次有する有機ＥＬ素子であって、該正孔輸送層のうちの一つが前記一般式（１）で表される化合物を含有し、かつ、発光層とは隣接しないことを特徴とする。
例えば、前記少なくとも２以上の正孔輸送層が陽極側の第一正孔輸送層と発光層側の第二正孔輸送層とからなり、該第一正孔輸送層が前記一般式（１）で表される化合物を含有することがより好ましい。
このように、本発明は、正孔輸送層を複数層として、そのうちの発光層とは隣接しない正孔輸送層が前記一般式（１）で表される移動度の高い化合物を正孔輸送材料として含むことにより、その正孔輸送層を厚膜化しても駆動電圧が高くならず、有機ＥＬ素子の光路長を調整可能であり、素子の高効率化と長寿命化が図れる。また、前記一般式（１）で表される化合物は、正孔注入性に優れるアクセプター材料との相性が良く、キャリア生成量が増えることでより多くの正孔を発光層へ輸送し注入することができ、素子の高効率化に繋がると考えられる。本発明の有機ＥＬ素子は、燐光発光性有機ＥＬ素子として優れているが、加えて、特に発光層に隣接する正孔輸送層にヘテロアリール置換アミン誘導体を用いると、燐光発光性有機ＥＬ素子としてだけでなく、蛍光発光性有機ＥＬ素子としても優れた効果が得られる。
本発明の有機ＥＬ素子は、蛍光又は燐光発光型の単色発光素子であっても、蛍光／燐光ハイブリッド型の白色発光素子であってもよいし、単独の発光ユニットを有するシンプル型であってもよいし、複数の発光ユニットを有するタンデム型であってもよい。ここで、「発光ユニット」とは、一層以上の有機層を含み、そのうちの一層が発光層であり、注入された正孔と電子が再結合することにより発光することができる最小単位をいう。
以下、本発明の有機ＥＬ素子の素子構成について説明する。
（１）有機ＥＬ素子の構成
本発明の有機ＥＬ素子の代表的な素子構成としては、
(1) 陽極／アクセプター材料含有層（アクセプター層）／第一正孔輸送層／第二正孔輸送層／発光層／陰極
(2) 陽極／アクセプター材料含有層（アクセプター層）／第一正孔輸送層／第二正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
(3) 陽極／アクセプター材料含有層（アクセプター層）／第一正孔輸送層／第二正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
(4) 陽極／第一正孔輸送層／第二正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
(5) 陽極／第一正孔輸送層／第二正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
などの構造を挙げることができる。
前記第二正孔輸送層と発光層の間に、さらに、第三、第四・・の正孔輸送層があってもよい。また、発光層と正孔輸送層との間に電子障壁層や励起子障壁層があってもよく、発光層と接する正孔輸送層が、電子障壁層や励起子障壁層であってもよい。
なお、前記アクセプター層に隣接する正孔輸送層、例えば上記（１）〜（３）に記載される素子構成において、アクセプター層に隣接する第一正孔輸送層をアクセプター層隣接正孔輸送層と称することがある。
本発明の有機ＥＬ素子は、前記陽極と前記少なくとも２以上の正孔輸送層（特に最も陽極に近い正孔輸送層）との間に、アクセプター材料を含有するアクセプター層を有すると好ましい。
また、前記一般式（１）で表される化合物を含有する正孔輸送層がアクセプター材料を含有していてもよい。
前記アクセプター材料としては、一般式（１）で表される化合物を含有する正孔輸送層との接合性が良好になり、より素子性能の向上が期待できることから、下記一般式（Ａ）、（Ｂ）又は（Ｃ）で表される化合物等の平面性の高い骨格を有するものが好ましい。
（式（Ａ）中、Ｒ11〜Ｒ16は、それぞれ独立に、シアノ基、−ＣＯＮＨ2、カルボキシル基、もしくは−ＣＯＯＲ17（Ｒ17は、炭素数１〜２０のアルキル基である。）を表すか、又は、Ｒ11及びＲ12、Ｒ13及びＲ14、もしくはＲ15及びＲ16が互いに結合して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基を表す。）
Ｒ17のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
上記一般式（Ｂ）中、Ｒ21〜Ｒ24は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のフルオロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、又はシアノ基である。Ｒ21〜Ｒ24のうち互いに隣接するものは互いに結合して環を形成してもよい。
Ｙ1〜Ｙ4は互いに同一でも異なっていてもよく、−Ｎ＝、−ＣＨ＝、又はＣ（Ｒ25）＝であり、Ｒ25は、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、又はシアノ基である。
Ａｒ10は、環形成炭素数６〜２４の縮合環又は環形成原子数６〜２４の複素環である。ａｒ1及びａｒ2は、それぞれ独立に、下記一般式（ｉ）又は（ii）の環を表す。
｛式中、Ｘ1及びＸ2は互いに同一でも異なっていてもよく、下記（ａ）〜（ｇ）に示す二価の基のいずれかである。
（式中、Ｒ31〜Ｒ34は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基であり、Ｒ32とＲ33は互いに結合して環を形成してもよい。）｝
Ｒ21〜Ｒ24及びＲ31〜Ｒ34の各基の例としては以下の通りである。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
複素環基としては、ピリジン、ピラジン、フラン、イミダゾール、ベンズイミダゾール、チオフェン等の残基が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基等が挙げられる。
アリールオキシ基の例としては、フェニルオキシ基等が挙げられる。
これらは置換基を有していてもよく、置換されたアリール基としては、モノフルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基などのハロゲン原子が置換したアリール基；トリル基、４−ｔ−ブチルフェニル基等の、炭素数１〜１０（好ましくは１〜５）のアルキル基が置換したアリール基等が挙げられる。置換されたアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロシクロヘキシル基、パーフルオロアダマンチル基等の、ハロゲン原子が置換したアルキル基が挙げられる。置換されたアリールオキシ基としては、４−トリフルオロメチルフェニルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ等の、ハロゲン原子が置換したもしくはハロゲン原子含有アルキル基（炭素数１〜５）が置換したアリールオキシ基；４−ｔ−ブチルフェノキシ基等の、炭素数１〜１０（好ましくは１〜５）のアルキル基が置換したアリールオキシ基等が挙げられる。
Ｒ21〜Ｒ24のうち互いに隣接するものは、互いに結合して環を形成していてもよい。該環の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ピラジン環、ピリジン環、フラン環等が挙げられる。
式（Ｃ）中、Ｚ1〜Ｚ3は、それぞれ独立に、下記一般式（ｈ）で示される二価の基である。
式（ｈ）中、Ａｒ31は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
ヘテロアリール基としては、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、キノリン、イソキノリン等が挙げられる。
また、これらの置換基の例としては、シアノ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基、クロロ基及びブロモ基等の電子吸引性の基が挙げられる。
（２）透光性基板
本発明の有機ＥＬ素子は、透光性の基板上に作製する。ここでいう透光性基板は有機ＥＬ素子を支持する基板であり、４００〜７００ｎｍの可視領域の光の透過率が５０％以上で平滑な基板が好ましい。
具体的には、ガラス板、ポリマー板等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。またポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
（３）陽極
本発明の有機ＥＬ素子の陽極は、正孔を正孔輸送層又は発光層に注入する機能を有するものであり、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが効果的である。本発明に用いられる陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金（ＩＴＯ）、酸化錫（ＮＥＳＡ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、金、銀、白金、銅等が挙げられる。
陽極は、これらの電極物質を蒸着法やスパッタリング法等の方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。
このように発光層からの発光を陽極から取り出す場合、陽極の発光に対する透過率が１０％より大きくすることが好ましい。また、陽極のシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選択される。
（４）正孔輸送層
上記した通り、本発明の有機ＥＬ素子のより好ましい実施態様における有機ＥＬ素子には、少なくとも２層以上の正孔輸送層が用いられる。
発光層に隣接しない正孔輸送層は、有機ＥＬ素子の光学調整のために厚膜で用いられる場合が多く、低電圧化の観点から正孔移動度が高いことが求められる。更に、効率よくキャリアを生成するためアクセプター層と積層される場合が多く、アクセプター層との相互作用が高いことが必要とされている。
本発明の一般式（１）で表わされる化合物は、フルオレン構造を有することからビフェニル構造と比べて分子の平面性が高いため、正孔移動度が高い。さらに、一般的に平面性の高いアクセプター材料との相互作用に優れることからキャリアの発生量も大きいため、発光層へより多くの正孔を輸送し注入することができる。つまり、本発明の一般式（１）で表わされる化合物は、発光層に隣接しない正孔輸送層（正孔輸送層が２層である場合には、第一正孔輸送層に相当する。）に求められる特性を満たすため、発光層に隣接しない正孔輸送層の材料として用いることが好ましい。
一方、発光層に隣接する正孔輸送層（正孔輸送層が２層である場合には、第二正孔輸送層に相当する。）に求められる特性としては、発光層の励起エネルギーの拡散を防ぐため、高い三重項エネルギー（２．６ｅＶ以上が好ましい）、発光層と隣接するため電子耐性、発光層から電子が漏れることを防ぐためにアフィニティの小さい（２．４ｅＶ以下が好ましい）有機層であること、発光層への正孔注入を促進させるためにイオン化ポテンシャルの大きい（５．５ｅＶ以上が好ましい）有機層であることが必要とされている。このような特性を満たす材料としては、優れた燐光発光性有機ＥＬ素子のみならず優れた蛍光発光性有機ＥＬ素子を得る観点から、ヘテロアリール置換アミン誘導体が好ましく、より好ましくは下記一般式（４）〜（８）で表される化合物が挙げられる。
〔発光層に隣接する正孔輸送層用の材料例（第二正孔輸送材料）；一般式（４）〕
（式（４）中、Ａｒ11〜Ａｒ13は、少なくとも１つが下記一般式（４−２）又は（４−４）で表される基である。また、一般式（４−２）で表される基ではない基は、下記一般式（４−３）もしくは（４−４）で表される基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリール基であり、一般式（４−４）で表される基ではない基は、下記一般式（４−２）もしくは（４−３）で表される基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリール基である。）
（式中、Ｘ11は、酸素原子又は硫黄原子である。
Ｌ1〜Ｌ3は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ1〜Ｌ3が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アルキル基の炭素数は１〜５であり、アリール基の環形成炭素数は６〜１４である。）、環形成炭素数６〜５０のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ａｒ14は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を表し、Ａｒ14が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アルキル基の炭素数は１〜５であり、アリール基の環形成炭素数は６〜１４である。）、環形成炭素数６〜５０のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ｒ51〜Ｒ56は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アルキル基の炭素数は１〜５であり、アリール基の環形成炭素数は６〜１４である。）、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。隣接した複数のＲ51〜Ｒ56は、互いに結合して環を形成してもよい。
ｂ、ｆは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表し、a、ｃ、ｄ、eは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。）
Ｌ1〜Ｌ3が表すアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントリレン基、アセナフチレニル基、アントラニレン基、フェナントレニレン基、フェナレニル基、キノリレン基、イソキノリレン基、ｓ−インダセニレン基、ａｓ−インダセニレン基、クリセニレン基等が挙げられる。これらの中でも、環形成炭素数６〜３０のアリーレン基が好ましく、環形成炭素数６〜２０のアリーレン基がより好ましく、環形成炭素数６〜１２のアリーレン基がさらに好ましく、フェニレン基が特に好ましい。
以下、残りの各基について説明するが、同じ基については同じように説明される。
アルキル基としては、炭素数１〜５のアルキル基が好ましく、炭素数１〜３のアルキル基がより好ましい。アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。
トリアルキルシリル基のアルキル基としては、上記の通りであり、好ましいものも同じである。トリアリールシリル基のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基が挙げられる。
アルキルアリールシリル基のアルキルアリール基としては、ジアルキルモノアリールシリル基等が挙げられる。該アルキル基の炭素数は１〜５であり、好ましくは１〜３である。また、該アリール基の環形成炭素数は６〜１４であり、好ましくは６〜１０である。
前記環形成炭素数６〜５０のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニルイル基、アントリル基、フェナントリル基、ターフェニルイル基等が挙げられる。これらの中でも、環形成炭素数６〜３０のアリール基が好ましく、環形成炭素数６〜２０のアリール基がより好ましく、環形成炭素数６〜１２のアリール基がさらに好ましい。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
ａ〜ｆは、いずれも０又は１が好ましく、０がより好ましい。
前記一般式（４−２）としては、下記一般式（４−２’）や（４−２’’）が好ましく挙げられる（各基の定義は前記の通りである）。
前記一般式（４−４）としては、下記一般式（４−４’）が好ましく挙げられる（各基の定義は前記の通りである）。
なお、式（４）中、Ａｒ11〜Ａｒ13は、少なくとも１つが前記一般式（４−２）で表される基であることが好ましい。また、一般式（４−２）中のＸ11としては、酸素原子であることが好ましい。
Ａｒ11〜Ａｒ13中、２つが前記一般式（４−２）で表される基であるものも好ましく、１つが前記一般式（４−２）で表される基であり、１つが前記一般式（４−３）で表される基であるものも好ましく、３つが前記一般式（４−２）で表される基であるものも好ましい。
前記一般式（４−２）におけるＬ1がアリーレン基である場合や前記一般式（４−４）におけるＬ3がアリーレン基である場合、前記一般式（４）で表される化合物の電子密度の上昇を抑制し、Ｉｐが大きくなり、発光層への正孔注入が促進されるため、素子の駆動電圧が低くなり易く好ましい。さらに、ジベンゾフラン構造やカルバゾール構造がアリーレン基を介して窒素原子と結合すると、アミンが酸化されにくくなり、化合物が安定となる場合が多く、素子の寿命が長くなりやすい。また、前記一般式（４−４）におけるＬ3がアリーレン基である場合、化合物が安定となるため合成が容易である。該アリーレン基としては、特にフェニレン基が好ましい。
また、前記一般式（４）において、Ａｒ11〜Ａｒ13において、一般式（４−２）〜（４−４）のいずれで表される基でもない場合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリール基を表す。該アリール基は、下記一般式（４−５）〜（４−７）で表されることが好ましい。
［式中、Ｒ61〜Ｒ64は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜５０のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数のＲ61〜Ｒ64は結合して環を形成してもよい。
ｋ、ｌ、ｍ、及びｎは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。］
さらに、上記一般式（４−５）〜（４−７）としては、以下の一般式（４−５’）〜（４−７’）が好ましい（各基の定義は前記の通りである。）。
なお、上記一般式（４−５’）としては、以下の基も含まれる。
前記一般式（４）で表される化合物の具体例を以下に示すが、特にこれらに制限されるものではない。
（発光層に隣接する正孔輸送層用の材料例（第二正孔輸送材料）；一般式（５）〜（７））
［式（５）〜（７）中、Ａｒ15〜Ａｒ21は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数５〜５０の芳香族複素環基、芳香族アミノ基が結合した置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜５０のアリール基、又は芳香族複素環基が結合した置換もしくは無置換の環形成炭素数８〜５０のアリール基である。
Ａｒ16とＡｒ17、Ａｒ18とＡｒ19、Ａｒ20とＡｒ21は互いに結合して環を形成してもよい。
Ｌ4は、単結合又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ4が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜５０のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
Ｒ67〜Ｒ77は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜４０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０の非縮合アリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１２の縮合アリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜２０のアラルキル基、置換もしくは無置換の炭素数２〜４０のアルケニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜４０のアルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜６０のアラルキルアミノ基、置換もしくは無置換の炭素数３〜２０のアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数８〜４０アラルキルシリル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜４０のハロゲン化アルキル基を表す。
Ｒ78、Ｒ79は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜４０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜２０のヘテロアリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０の非縮合アリール基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜１２の縮合アリール基、置換もしくは無置換の炭素数７〜２０のアラルキル基を表す。
ｇ、i、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｗ及びｘは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。
ｈ、ｙ及びｚは、それぞれ独立に、０〜３の整数である。］
（発光層に隣接する正孔輸送層用の材料例（第二正孔輸送材料）；一般式（８））
［式（８）において、Ａ1及びＡ2は互いに独立して環形成炭素数６〜３０の置換もしくは無置換のアリール基、又は環形成炭素数２〜３０の置換もしくは無置換のヘテロアリール基を表す。
Ｙ11〜Ｙ26は互いに独立してＣ（Ｒ）又は窒素原子を表し、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、置換基又はカルバゾール骨格に結合する結合手を表す。
Ｌ11及びＬ12は互いに独立して単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、該アリーレン基が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜５０のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。］
（５）発光層
本発明の有機ＥＬ素子は、蛍光発光材料を含有する発光層、つまり蛍光発光層を有していてもよい。蛍光発光層としては、公知の蛍光発光材料を使用できる。該蛍光発光材料としては、アントラセン誘導体、フルオランテン誘導体、スチリルアミン誘導体及びアリールアミン誘導体から選択される少なくとも１種が好ましく、アントラセン誘導体、アリールアミン誘導体がより好ましい。特に、ホスト材料としてはアントラセン誘導体が好ましく、ドーパントとしてはアリールアミン誘導体が好ましい。具体的には、国際公開第２０１０／１３４３５０号や国際公開第２０１０／１３４３５２号に記載する好適な材料が選択される。
また、本発明の有機ＥＬ素子は、燐光発光材料を含有する発光層、つまり燐光発光層を有していてもよい。燐光発光層の材料としては、公知の燐光発光材料を使用できる。具体的には、国際公開第２００５／０７９１１８号等を参照すればよい。燐光発光材料の内、ドーパントとしては、イリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）又は白金（Ｐｔ）金属のオルトメタル化錯体等が好ましく挙げられ、イリジウム（Ｉｒ）のオルトメタル化錯体がより好ましい。燐光発光材料の内、ホスト材料としては、カルバゾリル基を含有する化合物が好ましく、カルバゾリル基及びトリアジン骨格を含有する化合物がより好ましく、カルバゾリル基を２つとトリアジン骨格を１つ含有する化合物がさらに好ましい。
蛍光発光材料としての前記アントラセン誘導体の環形成炭素数は、好ましくは２６〜１００、より好ましくは２６〜８０、さらに好ましくは２６〜６０である。該アントラセン誘導体としては、より具体的には下記一般式（１０）で表されるアントラセン誘導体が好ましい。
（上記式（１０）中、Ａｒ31及びＡｒ32は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は環形成原子数５〜５０の複素環基である。
Ｒ81〜Ｒ88は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜５０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数７〜５０のアラルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又はヒドロキシル基である。）
上記環形成炭素数６〜５０のアリール基としては、いずれも、環形成炭素数６〜４０のアリール基が好ましく、環形成炭素数６〜３０のアリール基がより好ましい。
上記環形成原子数５〜５０の複素環基としては、いずれも、環形成原子数５〜４０の複素環基が好ましく、環形成原子数５〜３０の複素環基がより好ましい。
上記炭素数１〜５０のアルキル基としては、炭素数１〜３０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、炭素数１〜５のアルキル基がさらに好ましい。
上記炭素数１〜５０のアルコキシ基としては、炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜１０のアルコキシ基がより好ましく、炭素数１〜５のアルコキシ基がさらに好ましい。
上記炭素数７〜５０のアラルキル基としては、炭素数７〜３０のアラルキル基が好ましく、炭素数７〜２０のアラルキル基がより好ましい。
上記環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基としては、環形成炭素数６〜４０のアリールオキシ基が好ましく、環形成炭素数６〜３０のアリールオキシ基がより好ましい。
上記環形成炭素数６〜５０のアリールチオ基としては、環形成炭素数６〜４０のアリールチオ基が好ましく、環形成炭素数６〜３０のアリールチオ基がより好ましい。
上記炭素数２〜５０のアルコキシカルボニル基としては、炭素数２〜３０のアルコキシカルボニル基が好ましく、炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基がより好ましく、炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基がさらに好ましい。
上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。
特に、Ａｒ31及びＡｒ32は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基であることが好ましい。
また、一般式（１０）で表されるアントラセン誘導体としては、下記一般式（１０−１）で表されるアントラセン誘導体が好ましい。
（上記式（１０−１）中、Ａｒ33は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は環形成原子数５〜５０の複素環基である。Ｒ81〜Ｒ88は、前記定義の通りである。Ｒ89は、Ｒ81〜Ｒ88の定義と同じである。ａは、１〜７の整数である。）
Ｒ81〜Ｒ88は、好ましいものも前記同様である。また、Ｒ89の好ましいものも、Ｒ81〜Ｒ88と同様である。ａは１〜３の整数が好ましく、１又は２がより好ましい。なお、Ｒ89は、ナフタレン環が有する２つのベンゼン環のいずれに置換していてもよい。
Ａｒ33が表す環形成炭素数６〜５０のアリール基としては、環形成炭素数６〜４０のアリール基が好ましく、環形成炭素数６〜３０のアリール基がより好ましく、環形成炭素数６〜２０のアリール基がさらに好ましく、環形成炭素数６〜１２のアリール基が特に好ましい。
蛍光発光材料としての前記アリールアミン誘導体としては、アリールジアミン誘導体が好ましく、ピレン骨格を含有するアリールジアミン誘導体がより好ましく、ピレン骨格及びジベンゾフラン骨格を含有するアリールジアミン誘導体がさらに好ましい。
アリールジアミン誘導体としては、より具体的には、下記一般式（１１）で表されるアリールジアミン誘導体が好ましい。
（式（１１）中、Ａｒ34〜Ａｒ37は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基を表す。
Ｌ21は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基を表す。）
上記環形成炭素数６〜５０のアリール基としては、環形成炭素数６〜３０のアリール基が好ましく、環形成炭素数６〜２０のアリール基がより好ましく、環形成炭素数６〜１２のアリール基がさらに好ましく、フェニル基、ナフチル基が特に好ましい。
上記環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基としては、環形成原子数５〜４０のヘテロアリール基が好ましく、環形成原子数５〜３０のヘテロアリール基がより好ましく、環形成原子数５〜２０のヘテロアリール基がさらに好ましい。ヘテロアリール基としては、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基などが挙げられ、ジベンゾフラニル基が好ましい。該ヘテロアリール基の好ましい置換基としては、環形成炭素数６〜３０（好ましくは６〜２０、より好ましくは６〜１２）のアリール基が挙げられ、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。
上記環形成炭素数６〜５０のアリーレン基としては、環形成炭素数６〜４０のアリーレン基が好ましく、環形成炭素数６〜３０のアリーレン基がより好ましく、環形成炭素数６〜２０のアリーレン基がさらに好ましく、ピレニル基が特に好ましい。
燐光発光材料の内、ホスト材料として好ましいカルバゾリル基を含有する化合物としては、具体的には、以下の化合物が挙げられる。
発光層は、ダブルホスト（ホスト・コホストともいう）としてもよい。具体的に、発光層において電子輸送性のホストと正孔輸送性のホストを組み合わせることで、発光層内のキャリアバランスを調整してもよい。
また、ダブルドーパントとしてもよい。発光層において、量子収率の高いドーパント材料を２種類以上入れることによって、それぞれのドーパントが発光する。例えば、ホストと赤色ドーパント、緑色のドーパントを共蒸着することによって、黄色の発光層を実現することがある。
また、発光層は、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ポリマーバインダーを含有してもよい。
さらに、発光層の膜厚は、好ましくは５〜５０ｎｍ、より好ましくは７〜５０ｎｍ、最も好ましくは１０〜５０ｎｍである。５ｎｍ未満では発光層形成が困難となり、色度の調整が困難となる恐れがあり、５０ｎｍを超えると駆動電圧が上昇する恐れがある。
（６）電子注入・輸送層
次に、電子注入・輸送層は、発光層への電子の注入を助け、発光領域まで輸送する層であって、電子移動度が大きく、また付着改善層は、この電子注入・輸送層の中で特に陰極との付着が良い材料からなる層である。
また、有機ＥＬ素子は発光した光が電極（この場合は陰極）により反射するため、直接陽極から取り出される発光と、電極による反射を経由して取り出される発光とが干渉することが知られている。この干渉効果を効率的に利用するため、電子注入・輸送層は数ｎｍ〜数μｍの膜厚で適宜選ばれるが、特に膜厚が厚いとき、電圧上昇を避けるために、１０4〜１０6Ｖ／ｃｍの電界印加時に電子移動度が少なくとも１０-5ｃｍ2／Ｖｓ以上であることが好ましい。
電子注入・輸送層に用いられる材料としては、８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体やオキサジアゾール誘導体が好適である。上記８−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン（一般に８−キノリノール又は８−ヒドロキシキノリン）のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物、例えばトリス（８−キノリノール）アルミニウムを電子注入材料として用いることができる。
電子注入材料としては、下記一般式（３１）〜（３６）のいずれかで表される化合物が挙げられる。
式（３１）〜（３３）中、Ｚ1、Ｚ2及びＺ3は、それぞれ独立に、窒素原子又は炭素原子である。
Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲン原子が置換した炭素数１〜２０のアルキル基又は炭素数１〜２０のアルコキシ基である。なお、式（３１）〜（３２）中のＲ1は、５員環と６員環のいずれに置換していてもよいが、６員環に置換していることが好ましい。一方、式（３３）中のＲ1は、６員環に置換している。
ｎは、０〜５の整数であり、ｎが２以上の整数であるとき、複数のＲ1は互いに同一でも異なっていてもよい。また、隣接する複数のＲ1同士が互いに結合して、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を形成していてもよい。
Ａｒ1は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
Ａｒ2は、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ハロゲン原子が置換した炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。
但し、Ａｒ1、Ａｒ2のいずれか一方は、置換もしくは無置換の環形成炭素数１０〜５０の縮合環基又は置換もしくは無置換の環形成原子数９〜５０のヘテロ縮合環基である。
Ａｒ3は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリーレン基である。
Ｌ1、Ｌ2及びＬ3は、それぞれ独立に、単結合、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基、置換もしくは無置換の環形成原子数９〜５０のヘテロ縮合環基又は置換もしくは無置換のフルオレニレン基である。なお、式（３１）中のＬ2、式（３２）中のＬ3は、それぞれ５員環と６員環のいずれに置換していてもよいが、５員環に置換していることが好ましい。
Ｒ1、Ｒ2、Ａｒ1、Ａｒ2の示すアリール基、アルキル基の具体例としては、前記一般式（Ｂ）中のＲ21〜Ｒ24と同様の例が挙げられ、アルコキシ基としては、そのアルキル基に酸素原子が結合した例が挙げられる。Ｒ1、Ｒ2、Ａｒ1、Ａｒ2の示すヘテロアリール基としては、例えばピロリル基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、インドリル基、イソインドリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、キノキサニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基などが挙げられる。Ａｒ3、Ｌ1、Ｌ2及びＬ3の示すアリーレン基としては、そのアリール基の２価の例、ヘテロ縮合環基としてはヘテロアリール基のうち炭素数が適合する縮合環基が挙げられる。
（式中、Ｘは窒素原子あるいは硫黄原子を含んだ縮合環であり、Ｙは単結合、アルキル鎖、アルキレン鎖、シクロアルキル鎖、アリール鎖、複素環鎖、シリル鎖、エーテル鎖、あるいはチオエーテル鎖のいずれかより単独又は組み合わせたものより選ばれる。ｑは２以上の自然数である。
また、一般式（３４）で表される化合物の分子量は４８０以上である。）
（式中、Ａはフェナントロリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する置換基である。Ｂは下記式（３５Ａ）で表される構造を有するｐ価の有機基である。ｐは２以上の自然数である。）
（式中、Ｒ4とＲ5はそれぞれ独立にアルキル基又はアリール基（フェニル基に縮合したアリール基を含む）のいずれかである。ｌとｍはそれぞれ独立に０〜５までの自然数である。Ｚは下記式（３５Ｂ）から選ばれた少なくとも１種である。）
（式中、Ｒ6及びＲ7は同じでも異なっていてもよく、それぞれ、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、複素環基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール基、ヘテロアリール基、シアノ基、カルボニル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、シリル基、並びに隣接置換基との間に形成される縮合環の中から選ばれる。Ａｒ4はアリール基又はヘテロアリール基を表す。）
本発明の有機ＥＬ素子の好ましい形態に、陰極と有機薄膜層との界面領域に電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを有することも好ましい。
このような構成によれば、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が図られる。
電子供与性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属化合物、希土類金属、及び希土類金属化合物等から選ばれた少なくとも１種類が挙げられる。
有機金属錯体としては、アルカリ金属を含む有機金属錯体、アルカリ土類金属を含む有機金属錯体、及び希土類金属を含む有機金属錯体等から選ばれた少なくとも１種類が挙げられる。
アルカリ金属としては、リチウム（Ｌｉ）（仕事関数：２．９３ｅＶ）、ナトリウム（Ｎａ）（仕事関数：２．３６ｅＶ）、カリウム（Ｋ）（仕事関数：２．２８ｅＶ）、ルビジウム（Ｒｂ）（仕事関数：２．１６ｅＶ）、セシウム（Ｃｓ）（仕事関数：１．９５ｅＶ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが好ましい。これらのうち好ましくはＫ、Ｒｂ、Ｃｓ、さらに好ましくはＲｂ又はＣｓであり、最も好ましくはＣｓである。
アルカリ土類金属としては、カルシウム（Ｃａ）（仕事関数：２．９ｅＶ）、ストロンチウム（Ｓｒ）（仕事関数：２．０ｅＶ以上２．５ｅＶ以下）、バリウム（Ｂａ）（仕事関数：２．５２ｅＶ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
希土類金属としては、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、セリウム（Ｃｅ）、テルビウム（Ｔｂ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等が挙げられ、仕事関数が２．９ｅＶ以下のものが特に好ましい。
以上の金属のうち好ましい金属は、特に還元能力が高く、電子注入域への比較的少量の添加により、有機ＥＬ素子における発光輝度の向上や長寿命化が可能である。
アルカリ金属化合物としては、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、酸化セシウム（Ｃｓ2Ｏ）、酸化カリウム（Ｋ2Ｏ）等のアルカリ酸化物、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カリウム（ＫＦ）等のアルカリハロゲン化物等が挙げられ、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化リチウム（Ｌｉ2Ｏ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）が好ましい。
アルカリ土類金属化合物としては、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）及びこれらを混合したストロンチウム酸バリウム（ＢａxＳｒ1-xＯ）（０＜ｘ＜１）、カルシウム酸バリウム（ＢａxＣａ1-xＯ）（０＜ｘ＜１）等が挙げられ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯが好ましい。
希土類金属化合物としては、フッ化イッテルビウム（ＹｂＦ3）、フッ化スカンジウム（ＳｃＦ3）、酸化スカンジウム（ＳｃＯ3）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化セリウム（Ｃｅ2Ｏ3）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ3）、フッ化テルビウム（ＴｂＦ3）等が挙げられ、ＹｂＦ3、ＳｃＦ3、ＴｂＦ3が好ましい。
有機金属錯体としては、上記の通り、それぞれ金属イオンとしてアルカリ金属イオン、アルカリ土類金属イオン、希土類金属イオンの少なくとも１つ含有するものであれば特に限定はない。また、配位子にはキノリノール、ベンゾキノリノール、アクリジノール、フェナントリジノール、ヒドロキシフェニルオキサゾール、ヒドロキシフェニルチアゾール、ヒドロキシジアリールオキサジアゾール、ヒドロキシジアリールチアジアゾール、ヒドロキシフェニルピリジン、ヒドロキシフェニルベンゾイミダゾール、ヒドロキシベンゾトリアゾール、ヒドロキシフルボラン、ビピリジル、フェナントロリン、フタロシアニン、ポルフィリン、シクロペンタジエン、β−ジケトン類、アゾメチン類、及びそれらの誘導体等が好ましいが、これらに限定されるものではない。
電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の添加形態としては、界面領域に層状又は島状に形成することが好ましい。形成方法としては、抵抗加熱蒸着法により電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを蒸着しながら、界面領域を形成する発光材料や電子注入材料である有機物を同時に蒸着させ、有機物中に電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを分散する方法が好ましい。分散濃度は通常、モル比で有機物：電子供与性ドーパント及び／又は有機金属錯体＝１００：１〜１：１００であり、好ましくは５：１〜１：５である。
電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを層状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を層状に形成した後に、電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは層の厚み０．１ｎｍ以上１５ｎｍ以下で形成する。
電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを島状に形成する場合は、界面の有機層である発光材料や電子注入材料を島状に形成した後に、電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかを単独で抵抗加熱蒸着法により蒸着し、好ましくは島の厚み０．０５ｎｍ以上１ｎｍ以下で形成する。
また、本発明の有機ＥＬ素子における、主成分と、電子供与性ドーパント及び有機金属錯体の少なくともいずれかの割合としては、モル比で、主成分：電子供与性ドーパント及び／又は有機金属錯体＝５：１〜１：５であると好ましく、２：１〜１：２であるとさらに好ましい。
（７）陰極
陰極としては、電子注入・輸送層又は発光層に電子を注入するため、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム・カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム／酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
ここで発光層からの発光を陰極から取り出す場合、陰極の発光に対する透過率は１０％より大きくすることが好ましい。
また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍである。
（８）絶縁層
有機ＥＬ素子は超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セ シウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられ、これらの混合物や積層物を用いてもよい。
（９）有機ＥＬ素子の製造方法
以上例示した材料及び形成方法により陽極、発光層、正孔輸送層、及び必要に応じて電子注入・輸送層を形成し、さらに陰極を形成することにより有機ＥＬ素子を作製することができる。また陰極から陽極へ、前記と逆の順序で有機ＥＬ素子を作製することもできる。
以下、透光性基板上に陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入・輸送層／陰極が順次設けられた構成の有機ＥＬ素子の作製例を記載する。
まず、適当な透光性基板上に陽極材料からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陽極を作製する。次に、この陽極上に少なくとも２以上の正孔輸送層を順次設ける。正孔輸送層の形成は、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等の方法により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物（正孔輸送層の材料）、目的とする正孔輸送層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度５０〜４５０℃、真空度１０-7〜１０-3Ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、膜厚５ｎｍ〜５μｍの範囲で適宜選択することが好ましい。
次に、正孔輸送層上に発光層を設ける発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に正孔輸送層と同じような条件範囲の中から選択することができる。
次に、この発光層上に電子注入・輸送層を設ける。正孔輸送層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は正孔輸送層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。
最後に陰極を積層して有機ＥＬ素子を得ることができる。
陰極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。
この有機ＥＬ素子の作製は一回の真空引きで一貫して陽極から陰極まで作製することが好ましい。
なお、有機ＥＬ素子に直流電圧を印加する場合、陽極を＋、陰極を−の極性にして、５〜４０Ｖの電圧を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、発光は全く生じない。さらに交流電圧を印加した場合には陽極が＋、陰極が−の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する交流の波形は任意でよい。
本発明の有機ＥＬ素子は、蛍光発光層を有する場合には、青色発光が得られる傾向にある。一方、燐光発光層を有する場合には、黄色発光、緑色発光又は青色発光が得られる傾向にあり、多くは黄色発光又は緑色発光が得られる傾向にある。
本発明の化合物を用いて得られる有機ＥＬ素子は、正孔輸送層を厚膜化でき、有機ＥＬ素子の光学膜厚調整を可能にし、素子の発光効率・寿命を向上できる。このため、有機ＥＬパネルモジュール等の表示部品；テレビ、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の表示装置；照明、車両用灯具の発光装置、などの電子機器に使用できる。特に、平面発光体やディスプレイのバックライトとして有用である。
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。
中間体合成例１−１（中間体１−１の合成）
アルゴン雰囲気下、２−ブロモ−９，９−ジメチルフルオレン５５ｇ（２０１．３ｍｍｏｌ）にヨウ素２３ｇ（９０．６ｍｍｏｌ）、過ヨウ素酸２水和物９．４ｇ（４１．２ｍｍｏｌ）、水４２ｍｌ、酢酸３６０ｍｌ、及び硫酸１１ｍｌを加え、６５℃で３０分撹拌した後、９０℃で６時間撹拌した。
反応終了後に反応物を氷水に注入し、析出した結晶を濾取した。水で洗浄後、メタノールで洗浄することにより、６１ｇの白色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記中間体１−１と同定した（収率７６％）。
中間体合成例１−２（中間体１−２の合成）
アルゴン雰囲気下、中間体１を３９．９ｇ、４−ビフェニルボロン酸２０．８ｇ、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０）２．３１ｇにトルエン３００ｍＬ、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液１５０ｍＬを加え、１０時間加熱還流した。
反応終了後、直ちにろ過した後、水層を除去した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィで精製し、白色結晶３４．３ｇを得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記中間体１−２と同定した（収率８１％）。
中間体合成例１−３（中間体１−３の合成）
中間体合成例１−２において、４−ビフェニルボロン酸の代わりに４−ｐ−ターフェニルボロン酸を２８．８ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２６．６ｇの淡黄色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記中間体１−３と同定した（収率５３％）。
中間体合成例２−１（中間体２−１の合成）
アルゴン雰囲気下、４−ブロモ−ｐ−ターフェニル３０．９ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）、アニリン９．３ｇ（１００．０ｍｍｏｌ）、ｔ−ブトキシナトリウム１３．０ｇ（１３５．３ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）４６０ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン２１０ｍｇ（１．０４ｍｍｏｌ）に、脱水トルエン５００ｍｌを加え、８０℃にて８時間反応した。
冷却後、水２．５ｌを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥し、１５．７ｇの淡黄色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記中間体２−１と同定した（収率４９％）。
中間体合成例２−２（中間体２−２の合成）
合成例２−１において、４−ブロモ−ｐ−ターフェニルの代わりに４−ブロモビフェニルを２３．３ｇ、アニリンの代わりに４−アミノ−ｐ−ターフェニルを２４．５ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２１．１ｇの淡黄色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記中間体２−２と同定した（収率５３％）。
中間体合成例２−３（中間体２−３の合成）
合成例２−１において、４−ブロモ−ｐ−ターフェニルの代わりに４−ブロモビフェニルを２３．３ｇ、アニリンの代わりに９，９−ジメチル−２−アミノフルオレンを２０．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、２０．６ｇの淡黄色固体を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記中間体２−３と同定した（収率５７％）。
＜合成実施例１＞（化合物（Ｈ１）の合成）
アルゴン気流下、中間体１−２ ８．５ｇ、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）アミン６．４ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム２．６ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）９２ｍｇ、トリ−ｔ−ブチルホスフィン４２ｍｇ及び脱水トルエン１００ｍＬを入れ、８０℃にて８時間反応した。冷却後、水５００ｍＬを加え、混合物をセライト濾過し、濾液をトルエンで抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。これを減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をカラム精製し、トルエンで再結晶し、それを濾取した後、乾燥したところ、６．７ｇの淡黄色粉末を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記化合物（Ｈ１）と同定した（収率５０％）。
合成実施例２（化合物（Ｈ２）の製造）
合成実施例１において、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）アミンの代わりに中間体２−３を７．２ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、６．２ｇの白色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記化合物（Ｈ２）と同定した（収率４４％）。
合成実施例３（化合物（Ｈ３）の製造）
合成実施例１において、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）アミンの代わりに中間体２−２を８．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、７．１ｇの白色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記化合物（Ｈ３）と同定した（収率４８％）。
合成実施例４（化合物（Ｈ４）の製造）
合成実施例１において、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）アミンの代わりにＮ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミンを４．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、６．２ｇの白色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記化合物（Ｈ４）と同定した（収率５５％）。
合成実施例５（化合物（Ｈ５）の製造）
合成実施例１において、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）アミンの代わりにＮ−（４−ビフェニル）−Ｎ−フェニルアミンを４．９ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．９ｇの白色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記化合物（Ｈ５）と同定した（収率５０％）。
合成実施例６（化合物（Ｈ６）の製造）
合成実施例１において、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ビフェニル）アミンの代わりに中間体２−１を６．４ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、５．９ｇの白色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記化合物（Ｈ６）と同定した（収率４４％）。
合成実施例７（化合物（Ｈ７）の製造）
合成実施例１において、中間体１−２の代わりに中間体１−３を１０．０ｇ用いた以外は同様に反応を行ったところ、４．７ｇの白色結晶を得た。ＦＤ−ＭＳの分析により、下記化合物（Ｈ７）と同定した（収率３２％）。
なお、前記中間体１−１〜中間体１−３の製造方法及び前記中間体２−１〜中間体２−３の製造方法、並びに化合物（Ｈ１）〜（Ｈ７）の製造方法を参照すれば、請求の範囲に含まれる種々の化合物も、目的に合わせた原料を用いることによって製造することができる。
実施例１
（有機ＥＬ素子の作製）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄し、さらに、３０分間ＵＶ（Ultraviolet）オゾン洗浄した。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている面上に前記透明電極を覆うようにして下記アクセプター材料（Ａ）を蒸着し、膜厚５ｎｍのアクセプター層を成膜した。このアクセプター層上に、第一正孔輸送材料として前記合成実施例１で得た化合物（Ｈ１）を蒸着し、膜厚６５ｎｍの第一正孔輸送層を成膜した。第一正孔輸送層の成膜に続けて、第二正孔輸送材料として下記化合物（Ｘ）を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二正孔輸送層を成膜した。
この第二正孔輸送層上に、燐光用ホスト材料である化合物（Ｂ）と燐光用ドーパントであるＩｒ（ｐｐｙ）3とを厚さ２５ｎｍで共蒸着し、燐光発光層を得た。Ｉｒ（ｐｐｙ）3の濃度は１０質量％であった。
続いて、この燐光発光層上に、厚さ３５ｎｍの化合物（Ｃ）、厚さ１ｎｍのＬｉＦ、厚さ８０ｎｍの金属Ａｌを順次積層し、陰極を形成した。なお、電子注入性電極であるＬｉＦは、１Å／ｍｉｎの成膜速度で形成した。
（有機ＥＬ素子の発光性能評価）
以上のように作製した有機ＥＬ素子を直流電流駆動により発光させ、輝度（ｃｄ／ｍ2）、電流密度を測定し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2における発光効率（ｃｄ／Ａ）、駆動電圧（Ｖ）を求めた。さらに電流密度５０ｍＡ／ｃｍ2における素子寿命（輝度が８０％にまで低減するまでの時間）を求めた。結果を表１に示す。
実施例２及び３
実施例１において、第一正孔輸送材料として、化合物（Ｈ１）の代わりに表１に記載の化合物を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製し、発光性能評価を行った。結果を表１に示す。
実施例４〜１２
実施例１において、第二正孔輸送材料として、前記化合物（Ｘ）の代わりに下記化合物（Ｙ１）〜（Ｙ９）のいずれかを用い、且つ、燐光用ドーパントとして、Ｉｒ（ｐｐｙ）3の代わりにＩｒ（ｂｚｑ）3を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製し、発光性能評価を行った。結果を表１に示す。
比較例１〜２
実施例１において、第一正孔輸送材料として、化合物（Ｈ１）の代わりに下記比較化合物１〜２を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製し、発光性能評価を行った。結果を表１に示す。
比較例３〜４
実施例４において、第一正孔輸送材料として、化合物（Ｈ１）の代わりに前記比較化合物１〜２を用いた以外は同様にして有機ＥＬ素子を作製し、発光性能評価を行った。結果を表１に示す。
表１において、実施例１〜３と比較例１〜２との対比、及び実施例４〜１２と比較例３〜４との対比から、本発明の化合物を第一正孔輸送層に用いた有機ＥＬ素子は、公知の芳香族アミン誘導体を正孔輸送層に用いた有機ＥＬ素子に比べ、低電圧駆動することができ、さらに素子寿命が長いことがわかる。
実施例１３
（有機ＥＬ素子の作製）
２５ｍｍ×７５ｍｍ×１．１ｍｍのＩＴＯ透明電極ライン付きガラス基板（ジオマティック社製）をイソプロピルアルコール中で５分間超音波洗浄し、さらに、３０分間ＵＶ（Ultraviolet）オゾン洗浄した。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている面上に前記透明電極を覆うようにして下記アクセプター材料（Ａ）を蒸着し、膜厚５ｎｍのアクセプター層を成膜した。このアクセプター層上に、第一正孔輸送材料として前記合成実施例１で得た化合物（Ｈ１）を蒸着し、膜厚１３８ｎｍの第一正孔輸送層を成膜した。第一正孔輸送層の成膜に続けて、第二正孔輸送材料として下記化合物（Ｙ１）を蒸着し、膜厚１０ｎｍの第二正孔輸送層を成膜した。
この第二正孔輸送層上に、蛍光発光材料として、ホスト材料（Ｂ２）とドーパント（ＢＤ）とを共蒸着し、厚さ２５ｎｍの蛍光発光層を得た。なお、蛍光発光層中のドーパント（ＢＤ）の濃度は５質量％であった。
続いて、この蛍光発光層上に、厚さ２０ｎｍの下記化合物（Ｃ２）、厚さ５ｎｍの下記化合物（Ｃ）、厚さ１ｎｍのＬｉＦ、厚さ８０ｎｍの金属Ａｌを順次積層し、陰極を形成した。なお、電子注入性電極であるＬｉＦは、１Å／ｍｉｎの成膜速度で形成した。
得られた有機ＥＬ素子を直流電流駆動により発光させ、輝度（ｃｄ／ｍ2）、電流密度を測定し、電流密度１０ｍＡ／ｃｍ2における発光効率（ｃｄ／Ａ）、駆動電圧（Ｖ）を求めた。さらに電流密度５０ｍＡ／ｃｍ2における初期輝度の８０％となる素子寿命を求めた。結果を表２に示す。
実施例１４、１５
実施例１３において、第二正孔輸送材料として化合物（Ｙ１）の代わりに、前記の化合物（Ｙ２）又は（Ｙ３）を用いた以外は、実施例１３と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
得られた有機ＥＬ素子を直流電流駆動により発光させ、実施例１と同様にして評価した。結果を表２に示す。
比較例５、６
実施例１３において、第一正孔輸送材料として、芳香族アミン誘導体（Ｈ１）の代わりに前記比較化合物１〜２を用いた以外は、実施例１３と同様にして有機ＥＬ素子を作製し、実施例１と同様にして評価した。結果を表２に示す。
表２において、実施例１３〜１５と比較例５〜６との対比から、本発明の化合物を第一正孔輸送層に用いた有機ＥＬ素子は、公知の芳香族アミン誘導体を正孔輸送層に用いた有機ＥＬ素子に比べ、低電圧駆動することができ、さらに素子寿命が長いことがわかる。

Claims (27)

  1. 下記一般式（１）で表される化合物。

    （上記一般式（１）中、Ａｒ１は、下記一般式（Ａ−１）で表される有機基Ａであり、Ａｒ２は、前記有機基Ａであるか、又は下記一般式（Ｂ−１）で表される有機基Ｂであり、Ａｒ３は、前記有機基Ｂであるか、又は下記一般式（Ｃ−１）で表される有機基Ｃである。
    Ａｒ１及びＡｒ２の両方が有機基Ａである場合、それぞれの有機基Ａは同じであっても異なっていてもよい。）

    （上記一般式（Ａ−１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。Ｒ１とＲ２は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。
    Ｒ３ 、Ｒ ４ 及びＲ ６ は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。Ｒ ５ は、炭素数１〜１０のアルキル基又は環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基である。
    また、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。
    Ｒ３及びＲ４は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。また、ａ又はｂが２である場合、隣接するＲ３同士、隣接するＲ４同士は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。）

    （上記一般式（Ｂ−１）中、Ａｒ４ は、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基又はフェナントリレン基であり、Ａｒ５は、環形成炭素数６〜１４のアリーレン基であり、Ａｒ６は、環形成炭素数６〜１４のアリール基である。Ｒ７〜Ｒ９は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。また、ｅ、ｆ及びｇは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。ｈ及びｉは、それぞれ独立に、０又は１である。）

    （上記一般式（Ｃ−１）中、Ａｒ７は、環形成炭素数６〜１４のアリール基である。Ｒ１０は、炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。また、ｊは、０〜２の整数である。ｊが２の場合、隣接するＲ１０同士が互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。）
  2. 下記一般式（１）で表される化合物。

    （上記一般式（１）中、Ａｒ １ は、下記一般式（Ａ−１）で表される有機基Ａであり、Ａｒ ２ は、前記有機基Ａであるか、又は下記一般式（Ｂ−３）〜（Ｂ−５）のいずれかで表される有機基Ｂであり、Ａｒ ３ は、前記有機基Ｂであるか、又は下記一般式（Ｃ−１）で表される有機基Ｃである。
    Ａｒ １ 及びＡｒ ２ の両方が有機基Ａである場合、それぞれの有機基Ａは同じであっても異なっていてもよい。）

    （上記一般式（Ａ−１）中、Ｒ １ 及びＲ ２ は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。Ｒ １ とＲ ２ は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。
    Ｒ ３ 、Ｒ ４ 及びＲ ６ は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。Ｒ ５ は、炭素数１〜１０のアルキル基又は環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基である。
    また、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。
    Ｒ ３ 及びＲ ４ は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。また、ａ又はｂが２である場合、隣接するＲ ３ 同士、隣接するＲ ４ 同士は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。）

    （上記式中、Ａｒ ６ は、置換もしくは無置換のフェニル基である。Ｒ １１ 及びＲ １２ は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。Ｒ ７ 〜Ｒ ９ は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。また、ｅ、ｆ及びｇは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。また、ｅ、ｆ及びｇは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。ｉは、０又は１である。
    Ｒ ７ 〜Ｒ ９ は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。また、ｅ、ｆ又はｇが２である場合、隣接するＲ ７ 同士、隣接するＲ ８ 同士又は隣接するＲ ９ 同士は、互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。）

    （上記一般式（Ｃ−１）中、Ａｒ ７ は、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基又はフェナントリレン基である。Ｒ １０ は、炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。また、ｊは、０〜２の整数である。ｊが２の場合、隣接するＲ １０ 同士が互いに結合して炭化水素環を形成してもよい。）
  3. 前記一般式（Ａ−１）において、Ｒ１とＲ２が、互いに結合して炭化水素環を形成してはいない、請求項１又は２に記載の化合物。
  4. 前記Ａｒ ２ が、前記有機基Ｂである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の化合物。
  5. 前記有機基Ｂが、下記一般式（Ｂ−２）で表される、請求項１、３又は４に記載の化合物。

    （上記式中、Ａｒ６、Ｒ７〜Ｒ９、ｅ、ｆ及びｇは、前記定義の通りである。）
  6. 前記有機基Ｂが、下記一般式（Ｂ−３）又は（Ｂ−４）で表される、請求項１〜５のいずれかに記載の化合物。

    （上記式中、Ｒ ７〜Ｒ９は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基又は環形成炭素数６〜１２のアリール基である。また、ｅ、ｆ及びｇは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。また、ｅ、ｆ及びｇは、それぞれ独立に、０〜２の整数である。）
  7. 前記Ａｒ１及びＡｒ２が、いずれも前記有機基Ａである（但し、Ａｒ１とＡｒ２は、同一でも異なっていてもよい）、請求項１〜６のいずれかに記載の化合物。
  8. 下記の化合物群から選択される、請求項１又は２に記載の化合物。
  9. 請求項１〜８のいずれかに記載の化合物からなる、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
  10. 請求項１〜８のいずれかに記載の化合物からなる、有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料。
  11. 請求項１〜８のいずれかに記載の化合物からなる、アクセプター層隣接正孔輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子用正孔輸送材料。
  12. 対向する陽極と陰極との間に有機薄膜層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、請求項１〜８のいずれかに記載の化合物を含有する有機薄膜層を１層以上有することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
  13. 対向する陽極と陰極の間に、少なくとも２以上の正孔輸送層と、発光層を順次有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該正孔輸送層のうちの一つが請求項１〜８のいずれかに記載の化合物を含有し、かつ、発光層とは隣接しないことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス素子。
  14. 前記少なくとも２以上の正孔輸送層が陽極側の第一正孔輸送層と発光層側の第二正孔輸送層とからなり、該第一正孔輸送層が請求項１〜８のいずれかに記載の化合物を含有するものである、請求項１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  15. 前記第二正孔輸送層が、下記一般式（４）で表される化合物を含有するものである、請求項１４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

    （式（４）中、Ａｒ１１〜Ａｒ１３は、少なくとも１つが下記一般式（４−２）又は（４−４）で表される基である。また、一般式（４−２）で表される基ではない基は、下記一般式（４−３）もしくは（４−４）で表される基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリール基であり、一般式（４−４）で表される基ではない基は、下記一般式（４−２）もしくは（４−３）で表される基又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリール基である。）

    （式中、Ｘ１１は、酸素原子又は硫黄原子である。
    Ｌ１〜Ｌ３は、それぞれ独立に、単結合、又は置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基を表し、Ｌ１〜Ｌ３が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基、環形成炭素数６〜５０のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
    Ａｒ１４は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基を表し、Ａｒ１４が有してもよい置換基は、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基、環形成炭素数６〜５０のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。
    Ｒ５１〜Ｒ５６は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、置換もしくは無置換の炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基を表す。隣接した複数のＲ５１〜Ｒ５６は、互いに結合して、環を形成する飽和もしくは不飽和の２価の基を形成してもよい。
    ｂ、ｆは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表し、a、ｃ、ｄ、eは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表す。）
  16. 前記一般式（４−２）中のＬ１が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基である、請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  17. 前記一般式（４−４）中のＬ３が、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリーレン基である、請求項１５又は１６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  18. 前記一般式（４）中のＡｒ１１〜Ａｒ１３において、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜４０のアリール基が下記一般式（４−５）〜（４−７）のいずれかで表される、請求項１５〜１７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

    ［式中、Ｒ６１〜Ｒ６４は、それぞれ独立に、炭素数１〜１０の直鎖状もしくは分岐状のアルキル基、環形成炭素数３〜１０のシクロアルキル基、炭素数３〜１０のトリアルキルシリル基、環形成炭素数１８〜３０のトリアリールシリル基、炭素数８〜１５のアルキルアリールシリル基（アリール部分の環形成炭素数は６〜１４）、環形成炭素数６〜５０のアリール基、ハロゲン原子又はシアノ基である。隣接した複数のＲ６１〜Ｒ６４は結合して環を形成してもよい。
    ｋ、ｌ、ｍ、及びｎは、それぞれ独立に、０〜４の整数である。］
  19. 前記陽極と前記少なくとも２以上の正孔輸送層との間に、アクセプター材料を含有するアクセプター層を有する、請求項１３〜１８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  20. 前記第一正孔輸送層が前記アクセプター材料を含有する、請求項１４〜１９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  21. 前記アクセプター材料が、下記一般式（Ａ）〜（Ｃ）のいずれかで表される請求項１９又は２０に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

    （式（Ａ）中、Ｒ１１〜Ｒ１６は、それぞれ独立に、シアノ基、−ＣＯＮＨ２、カルボキシル基、もしくは−ＣＯＯＲ１７（Ｒ１７は、炭素数１〜２０のアルキル基である。）を表すか、又は、Ｒ１１及びＲ１２、Ｒ１３及びＲ１４、もしくはＲ１５及びＲ１６が互いに結合して−ＣＯ−Ｏ−ＣＯ−で示される基を表す。）

    ［式（Ｂ）中、Ｒ２１〜Ｒ２４は、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基又はシアノ基である。Ｒ２１とＲ２２、及びＲ２３とＲ２４は、互いに結合して環を形成してもよい。
    Ｙ１〜Ｙ４は、それぞれ独立に、−Ｎ＝、−ＣＨ＝、又は−Ｃ（Ｒ２５）＝である。該Ｒ２５は、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基、ハロゲン原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルコキシ基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリールオキシ基又はシアノ基である。
    Ａｒ１０は、環形成炭素数６〜２４の縮合環又は環形成原子数６〜２４の複素環を表す。ａｒ１及びａｒ２は、それぞれ独立に、下記一般式（ｉ）又は（ii）の環を表す。

    ｛上記式中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立に、下記（ａ）〜（ｇ）のいずれかの２価の基を表す。

    （式中、Ｒ３１〜Ｒ３４は、それぞれ互いに同一でも異なっていてもよく、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数１〜２０のアルキル基、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０の複素環基であり、Ｒ３２とＲ３３は互いに結合して環を形成してもよい。）｝］

    ｛式中、Ｚ１〜Ｚ３は、それぞれ独立に、下記一般式（ｈ）で示される二価の基である。

    （式中、Ａｒ３１は、置換もしくは無置換の環形成炭素数６〜５０のアリール基、又は置換もしくは無置換の環形成原子数５〜５０のヘテロアリール基である。）｝
  22. 前記発光層が、アントラセン誘導体、フルオランテン誘導体、スチリルアミン誘導体及びアリールアミン誘導体から選択される少なくとも１種の蛍光発光材料を含有する、請求項１３〜２１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  23. 前記発光層が燐光発光材料を含有する、請求項１３〜２２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  24. 前記燐光発光材料がイリジウム（Ｉｒ）、オスミウム（Ｏｓ）又は白金（Ｐｔ）金属のオルトメタル化錯体である、請求項２３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  25. 青色発光する、請求項２２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  26. 黄色発光、緑色発光又は青色発光する、請求項２３又は２４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
  27. 請求項１２〜２６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を搭載した電子機器。
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