JP5906318B2 - 耐熱複合材料の製造方法及び製造装置 - Google Patents
耐熱複合材料の製造方法及び製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5906318B2 JP5906318B2 JP2014530477A JP2014530477A JP5906318B2 JP 5906318 B2 JP5906318 B2 JP 5906318B2 JP 2014530477 A JP2014530477 A JP 2014530477A JP 2014530477 A JP2014530477 A JP 2014530477A JP 5906318 B2 JP5906318 B2 JP 5906318B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat
- gas
- composite material
- resistant composite
- additive gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 45
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 186
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 90
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 90
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 46
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 42
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 30
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims description 23
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 claims description 23
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 17
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 16
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical compound ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 claims description 12
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 6
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical group ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 claims description 5
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims description 5
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 5
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 claims description 5
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 3
- NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N chloro(114C)methane Chemical compound [14CH3]Cl NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims 4
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 claims 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 2
- FBBDOOHMGLLEGJ-UHFFFAOYSA-N methane;hydrochloride Chemical compound C.Cl FBBDOOHMGLLEGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N chloromethane Chemical compound ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 11
- 229940050176 methyl chloride Drugs 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000003889 chemical engineering Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、炭化ケイ素を含む耐熱複合材料の製造方法及び製造装置に関する。
炭化ケイ素（ＳｉＣ）は絶縁破壊耐圧が高く、パワー半導体の次世代材料として期待されている。また、可視光を透過し、熱膨張係数や格子定数が窒化ガリウム（ＧａＮ）と近いため、ＧａＮ系ＬＥＤ用基板としても広く用いられ、半導体デバイスやセラミックス用途で有望な材料である。
これら炭化ケイ素は、優れた耐熱性を有し、高温で使用される機械部品等への応用が期待されている。これらの応用においては、しばしば高い機械的強度が求められるので、セラミック繊維のプリフォームに炭化ケイ素を含浸してじん性を向上させた耐熱複合材料が提供されている。
このような耐熱複合材料は、主に化学気相成長法（ＣＶＤ）又は化学気相含浸法（ＣＶＩ）によって、反応器内に格納したプリフォームの微細構造に炭化ケイ素を堆積させて製膜することによって製造されている。炭化ケイ素の原料ガスの選択肢は二種類あり、シラン（ＳｉＨ４）ガスと炭化水素ガスを混合する場合と、メチルトリクロロシラン（ＣＨ３ＳｉＣｌ３：ＭＴＳ）のような有機ケイ素化合物を原料ガスとする場合がある。
福島康之，保戸塚梢，霜垣幸浩：ＳｉＣ−ＣＶＤプロセス反応機構のマルチスケール解析，化学工学会，第４３回秋季大会，名古屋工業大学（２０１１）
福島康之，舩門佑一，佐藤登，保戸塚梢，百瀬健，霜垣幸浩：ＳｉＣ−ＣＶＤプロセス反応機構のマルチスケール解析（２），化学工学会，第７７年会，工学院大学（２０１２）
F. Loumagne et a1., J. Crystal Growth, 155 (1995) 205
Yingbin Ge, Mark S. Gordon, Francine Battaglia, and Rodney O. Fox, J. Phys. Chem., 114 (2010) 2384
しかしながら、プリフォームの微細構造に炭化ケイ素が製膜される成長速度を増加させると炭化ケイ素の微細構造への埋込均一性が損なわれ、逆に、埋込均一性を確保すると製膜の成長速度が低下し、成長速度と埋込均一性を両立させるのは困難であった。
また、耐熱複合材料を工業的規模で製造する際には、長寸の反応器に複数のプリフォームを設置して同時に炭化ケイ素を製膜することになる。このような場合、反応器内の原料ガスが流れる上流側から下流側への位置について、製膜速度は均一でない分布となっていた。
この発明は、上述の課題を解決しようとするものであって、微細構造に炭化ケイ素が製膜される成長速度と埋込均一性を両立させた耐熱複合材料の製造方法及び装置を提供することを目的とする。
また、この発明は、反応器内に炭化ケイ素を製膜する基材を複数設置する場合にも、位置に関らず製膜の成長速度が均一になるような耐熱複合材料の製造方法及び装置を提供することを目的とする。
上述の課題を解決するために、この出願に係る耐熱複合材料の製造方法は、化学気相堆積法又は化学気相含浸法を用い、反応炉に微細構造を有する基材を格納して原料ガス及びキャリアガスを流し、前記基材に炭化ケイ素を堆積させて製膜するものであって、前記原料ガス及びキャリアガスに添加ガスを加え、当該添加ガスの添加量によって前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性を制御するものである。前記反応炉は、ホットウォール型炉であることが好ましい。
前記炭化ケイ素の製膜は１次反応に従い、前記添加ガスの添加量によって前記基材に対する製膜種の付着確率を制御することによって、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性を制御することが好ましい。前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性について最適化することが好ましい。
前記炭化ケイ素の製膜はラングミュア・ヒンシェルウッド型速度式に従い、前記添加ガスの添加量によってラングミュア・ヒンシェルウッド型速度式の０次反応領域を利用するように制御することによって、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性を制御することが好ましい。前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性について最適化することが好ましい。
前記添加ガスの添加量によって、前記反応炉内の位置について、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度の分布を制御することが好ましい。前記成長速度の分布が均一になるように最適化することが好ましい。
前記原料ガスは、前記反応炉の上流側から下流側に至る複数の位置から供給することが好ましい。
前記原料ガスは、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、四塩化ケイ素、シラン及びプロパンの少なくとも１つを含むことが好ましい。前記キャリアガスは、水素、窒素、ヘリウム及びアルゴンの少なくとも１つを含むことが好ましい。
前記添加ガスは、塩素を含む分子を含むことが好ましい。前記添加ガスは、塩化水素、塩素、塩化メチル、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、塩化ビニル、塩化ベンゼン、四塩化珪素、トリクロロシラン、ジクロロシラン、ジクロロエチレン、テトラクロロエタン、トリクロロエタン及びジクロロエタンの少なくとも１つを含むことが好ましい。
前記添加ガスは、メタン、エタン、エチレン及びアセチレンの少なくとも１つを含むことが好ましい。
前記基材は、セラミックのプリフォーム，トレンチを設けた基板及び多孔質の基板の少なくとも１つを含むことが好ましい。
この出願に係る耐熱複合材料の製造方法は、化学気相堆積法又は化学気相含浸法を用い、微細構造を有する基材に炭化ケイ素を堆積させて製膜するものであって、基材を格納した反応炉と、前記反応炉に原料ガスを供給する原料ガス供給源と、前記反応炉にキャリアガス供給するキャリアガス供給源と、前記反応炉に添加ガスを供給する添加ガス供給源と、前記添加ガスの供給量を制御する制御手段と、を有し、前記制御手段は、当該添加ガスの添加量によって前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性を制御するものである。前記反応炉は、ホットウォール型炉であることが好ましい。
前記炭化ケイ素の製膜は１次反応に従い、前記制御手段は、前記添加ガスの添加量によって前記基材に対する製膜種の付着確率を制御することによって、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性を制御することが好ましい。前記制御手段は、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性について最適化することが好ましい。
前記炭化ケイ素の製膜はラングミュア・ヒンシェルウッド型速度式に従い、前記制御手段は、前記添加ガスの添加量によってラングミュア・ヒンシェルウッド型速度式の０次反応領域を利用するように制御することによって、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性を制御することが好ましい。前記制御装置は、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性について最適化することが好ましい。
前記制御手段は、前記添加ガスの添加量によって、前記反応炉内の位置について、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度の分布を制御することが好ましい。前記成長速度の分布が均一になるように最適化することが好ましい。
前記原料ガスを前記反応炉の上流側から下流側に至る複数の位置から供給する供給路を有することが好ましい。
前記原料ガスは、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、四塩化ケイ素、シラン及びプロパンの少なくとも１つを含むことが好ましい。前記キャリアガスは、水素、窒素、ヘリウム及びアルゴンの少なくとも１つを含むことが好ましい。
前記添加ガスは、塩素を含む分子を含むことが好ましい。前記添加ガスは、塩化水素、塩素、塩化メチル、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、塩化ビニル、塩化ベンゼン、四塩化珪素、トリクロロシラン、ジクロロシラン、ジクロロエチレン、テトラクロロエタン、トリクロロエタン及びジクロロエタンの少なくとも１つを含むことが好ましい。
前記添加ガスは、メタン、エタン、エチレン及びアセチレンの少なくとも１つを含むことが好ましい。
前記基材は、繊維のプリフォーム，トレンチを設けた基板及び多孔質の基板の少なくとも１つを含むことが好ましい。
前記原料ガス供給源から供給する前記原料ガスの供給量を制御する原料ガス供給量制御手段と、前記キャリアガス供給源から供給する前記キャリアガスの供給量を制御するキャリアガス供給量制御手段と、前記添加ガス供給源から供給する前記添加ガスの供給量を制御する添加ガス供給量制御手段と、を有することが好ましい。
この発明によると、微細構造に炭化ケイ素が製膜される成長速度と埋込均一性を両立させることができる。また、反応器内に炭化ケイ素を製膜する基材を複数設置する場合にも、位置に関らず製膜の成長速度を均一にすることができる。
以下、この発明に係る耐熱複合材料の製造方法及び製造装置について、図面を参照して詳細に説明する。
〔製造装置の構成〕
図１は、耐熱複合材料の製造装置の概略的な構成を示す図である。この製造装置は、化学気相堆積（ＣＶＤ）装置又は化学気相浸透（ＣＶＩ）装置を構成し、反応炉として横型のホットウォール型炉１１を備えている。ホットウォール型炉１１は、所定の温度・圧力に維持され、原料ガスのメチルトリクロロシラン（ＣＨ３ＳｉＣｌ３：ＭＴＳ）、キャリアガスの水素（Ｈ２）、添加ガスの塩化水素（ＨＣｌ）を含む混合ガスが供給されている。
図１は、耐熱複合材料の製造装置の概略的な構成を示す図である。この製造装置は、化学気相堆積（ＣＶＤ）装置又は化学気相浸透（ＣＶＩ）装置を構成し、反応炉として横型のホットウォール型炉１１を備えている。ホットウォール型炉１１は、所定の温度・圧力に維持され、原料ガスのメチルトリクロロシラン（ＣＨ３ＳｉＣｌ３：ＭＴＳ）、キャリアガスの水素（Ｈ２）、添加ガスの塩化水素（ＨＣｌ）を含む混合ガスが供給されている。
ホットウォール型炉１１に上流側から混合ガスを供給する第１の流路４１には、原料ガスのＭＴＳが原料ガス流量制御装置２４を通じて所定の流量で供給されている。ＭＴＳは、原料ガス供給源２１に液体状態で格納され、必要量のガスが気化されて提供されている。同様に、第１の流路４１には、キャリアガスの水素がキャリアガス流量制御装置２５を通じてキャリアガス供給源２２から所定の流量で供給され、添加ガスの塩化水素が添加ガス流量制御装置２６を通じて添加ガス供給源２３から所定の流量で供給されている。
原料ガス流量制御装置２４、キャリアガス流量制御装置２５及び添加ガス流量制御装置２６は、第１の流路４１に供給される原料ガス、キャリアガス及び添加ガスがそれぞれ所定の流量になるように制御するものであり、例えば自動弁で構成することができる。
ホットウォール型炉１１は、石英管１２を備え、石英管１２の上流側にある一方の開口から下流側にある他方の開口に向けて、第１の流路４１から供給された原料ガス、キャリアガス及び添加ガスを含む混合ガスを流している。このホットウォール型炉には、図示しない加熱部を備え、ホットウォール型炉１１内が所定の温度分布になるように維持している。
ホットウォール型炉１１には、石英管１２内の上流側から下流側に向かう方向に複数のプリフォーム１００が並べて格納されている。このプリフォーム１００には、所定の温度・圧力の下で、原料ガス、キャリアガス及び添加ガスを含む混合ガスが供給され、プリフォーム１００の微細構造には炭化ケイ素（ＳｉＣ）が堆積して製膜される。
ホットウォール型炉１１の石英管１２の下流側の開口から、炭化ケイ素の製膜に寄与しなかった混合ガスと炭化ケイ素の製膜に関る副生成物を含む排出ガスが第２の流路４２に排出される。第２の流路４２には自動弁３１が接続され、ホットウォール型炉１１の石英管１２内を所定の圧力に維持している。
自動弁３１には第３の流路４３を通じてロータリーポンプ３２が接続されている。ロータリーポンプ３２は、第３の流路４３から供給された排出ガスを第４の流路４４に排出するとともに、自動弁３１に所定の背圧を提供している。
この製造装置は、図示しない制御部を備えている。制御部は、原料ガス流量制御装置２４、キャリアガス流量制御装置２５及び添加ガス流量制御装置２６を制御し、第１の流路４１を介してホットウォール型炉１１に供給される原料ガス、キャリアガス及び添加ガスの流量を制御している。
また、制御部は、ホットウォール型炉１１に設けられた図示しない熱電対によってホットウォール型炉１１内の温度を検出し、同じく図示しない加熱部を制御してホットウォール型炉１１内を所定の温度に維持するように制御している。制御部は、自動弁３１を制御することによって、ホットウォール型炉１１の石英管１２内が所定の圧力に維持されるようにも制御している。
この実施の形態において、制御部は、ホットウォール型炉１１に供給される原料ガス、キャリアガス及び添加ガスの流量を制御し、ホットウォール型炉１１に格納されたプリフォーム１００の微細構造への炭化ケイ素の堆積を制御することができる。例えば、原料ガス、キャリアガス及び添加ガスの流量や流量の比率を設定したり、原料ガス及びキャリアガスに対する添加ガスの添加量を設定したりすることができる。
〔製膜速度と埋込の均一性の両立〕
制御部は、このような制御を行うことにより、プリフォーム１００の微細構造に堆積される製膜の成長速度と埋込の均一性を両立させるようにしている。換言すると、所定の成長速度によりプリフォーム１００に炭化ケイ素を含浸した耐熱複合物質の量産性を確保するとともに、所定の埋込の均一性によりプリフォーム１００の微細構造への炭化ケイ素の充填性を保証している。
制御部は、このような制御を行うことにより、プリフォーム１００の微細構造に堆積される製膜の成長速度と埋込の均一性を両立させるようにしている。換言すると、所定の成長速度によりプリフォーム１００に炭化ケイ素を含浸した耐熱複合物質の量産性を確保するとともに、所定の埋込の均一性によりプリフォーム１００の微細構造への炭化ケイ素の充填性を保証している。
ここで、プリフォーム１００の微細構造への炭化ケイ素の堆積には、製膜を形成する製膜種に応じて、１次反応機構による場合とラングミュア・ヒンシェルウッド（Langumuir-Hinshelwood）型速度式に基づく反応機構の場合が含まれる。これらの反応機構ごとに制御方法が異なるので、以下ではそれぞれの反応機構について個別に説明する。
〔１次反応機構の場合〕
炭化ケイ素の製膜種が１次反応機構にしたがう場合には、炭化ケイ素の製膜の成長速度は製膜種の濃度と１次の関係にある。このような場合、制御部は、付着確率の小さな製膜種を大量に発生させるように制御する。このような付着確率の小さな製膜種は、プリフォームの微細構造に均一に付着して製膜の埋込の均一性を確保するとともに、製膜種が大量に発生されるために製膜の成長速度も確保することができ、成長速度と埋込の均一性を両立させることができる。
炭化ケイ素の製膜種が１次反応機構にしたがう場合には、炭化ケイ素の製膜の成長速度は製膜種の濃度と１次の関係にある。このような場合、制御部は、付着確率の小さな製膜種を大量に発生させるように制御する。このような付着確率の小さな製膜種は、プリフォームの微細構造に均一に付着して製膜の埋込の均一性を確保するとともに、製膜種が大量に発生されるために製膜の成長速度も確保することができ、成長速度と埋込の均一性を両立させることができる。
制御部は、付着確率の小さな製膜種を発生させるために、原料ガス流量制御装置２４、キャリアガス流量制御装置２５及び添加ガス流量制御装置２６を制御して原料ガス、キャリアガス及び添加ガスが所定の比率の流量になるように設定する。換言すると、原料ガス及びキャリアガスに対して添加ガスが所定の添加量だけ添加されるようにする。また、制御部は、大量の製膜種が発生されるように、原料ガス流量制御装置２４、キャリアガス流量制御装置２５及び添加ガス流量制御装置２６を制御して原料ガス、キャリアガス及び添加ガスの流量を所定量に制御する。さらに、制御部は、原料ガス、キャリアガス及び添加ガスの比率・流量等のパラメータを制御することにより、成長速度と埋込の均一性の最適化を図ることができる。
〔ラングミュア・ヒンシェルウッド型速度式に基づく反応機構の場合〕
炭化ケイ素の製膜種がラングミュア・ヒンシェルウッド型速度式に基づく反応機構の場合には、製膜種が高濃度になるにつれて濃度に対する製膜の成長速度が飽和し、成長速度が製膜種の濃度に依存しない０次反応領域が存在する。制御部は、製膜種の濃度が０次反応領域に相当するように、製膜種が所定値以上の高濃度になるように制御する。このような製膜種の０次反応領域では、濃度に関らず製膜の成長速度が一定であるので、製膜の埋め込みの均一性を確保するとともに、濃度を高めることにより成長速度を増加させることができ、成長速度と埋込の均一性を両立させることができる。
炭化ケイ素の製膜種がラングミュア・ヒンシェルウッド型速度式に基づく反応機構の場合には、製膜種が高濃度になるにつれて濃度に対する製膜の成長速度が飽和し、成長速度が製膜種の濃度に依存しない０次反応領域が存在する。制御部は、製膜種の濃度が０次反応領域に相当するように、製膜種が所定値以上の高濃度になるように制御する。このような製膜種の０次反応領域では、濃度に関らず製膜の成長速度が一定であるので、製膜の埋め込みの均一性を確保するとともに、濃度を高めることにより成長速度を増加させることができ、成長速度と埋込の均一性を両立させることができる。
制御部は、原料ガス流量制御装置２４、キャリアガス流量制御装置２５及び添加ガス流量制御装置２６を制御して原料ガス、キャリアガス及び添加ガスが所定の比率の流量になるように設定する。換言すると、原料ガス及びキャリアガスに対して添加ガスが所定の添加量だけ添加されるようにする。また、制御部は、製膜種の濃度が０次反応領域に相当するように、原料ガス流量制御装置２４、キャリアガス流量制御装置２５及び添加ガス流量制御装置２６を制御して原料ガス、キャリアガス及び添加ガスの流量を所定量に制御する。さらに、制御部は、原料ガス、キャリアガス及び添加ガスの比率・流量等のパラメータを制御することにより、成長速度と埋込の均一性の最適化を図ることができる。
〔添加ガスのエッチング効果〕
製膜種がいずれの反応機構にしたがう場合にも、塩素を含む添加ガスはエッチング作用を有するので、添加ガスが石英管１２に供給される上流側においてプリフォーム１００の微細構造に製膜される炭化ケイ素をエッチングする効果が大きくなる。このようなエッチングの効果により、製膜による微細構造の閉塞が起こりにくくなり、製膜の埋込の均一性を確保することができる。
製膜種がいずれの反応機構にしたがう場合にも、塩素を含む添加ガスはエッチング作用を有するので、添加ガスが石英管１２に供給される上流側においてプリフォーム１００の微細構造に製膜される炭化ケイ素をエッチングする効果が大きくなる。このようなエッチングの効果により、製膜による微細構造の閉塞が起こりにくくなり、製膜の埋込の均一性を確保することができる。
〔炉内の製膜速度分布〕
一方、耐熱複合材料を工業的規模で製造する場合、例えば数メートル程度まで及ぶ長寸のホットウォール型炉１１を設け、石英管１２の上流側から下流側の方向に複数のプリフォーム１００を並べて格納し、これらのプリフォーム１００に炭化ケイ素を同時に製膜することがある。
一方、耐熱複合材料を工業的規模で製造する場合、例えば数メートル程度まで及ぶ長寸のホットウォール型炉１１を設け、石英管１２の上流側から下流側の方向に複数のプリフォーム１００を並べて格納し、これらのプリフォーム１００に炭化ケイ素を同時に製膜することがある。
このような場合、制御部は、複数のプリフォームについて製膜速度が均一になるように、石英管１２の上流側での成長速度を抑制するように制御する。例えば、制御部は、原料ガス流量制御装置２４、キャリアガス流量制御装置２５及び添加ガス流量制御装置２６を制御するとともに、図示しない加熱部を制御し、上流側で製膜種が低濃度となり、下流側で高濃度になるように、混合ガスの流量や温度分布を制御することができる。
また、制御部は、下流側に十分の原料ガスが供給されるように制御する。例えば、制御部は、十分な流量の混合ガスが供給されるように原料ガス流量制御装置２４、キャリアガス流量制御装置２５及び添加ガス流量制御装置２６を制御することができる。また、混合ガスは石英管１２の上流の一端からのみではなく、石英管１２の下流側の他端との間に設けた他の供給部から同時に供給することもできる。
さらに、制御部は、上流側から下流側にかけて製膜速度が均一になるように制御するとともに、供給される混合ガス中の原料ガスの利用効率を高めるように制御する。例えば、制御部は、ホットウォール型炉１１に供給される原料ガス、キャリアガス及び添加ガスの比率・流量・供給方法、ホットウォール型炉１１における温度分布・圧力分布等のパラメータを適切に制御することにより、原料ガスの利用効率を高め、ホットウォール型炉１１における製膜速度分布の改善と生産コストの低減との両立を達成することができる。また、制御部は、これらのパラメータを用いて原料ガスの利用効率の最適化を図ることもできる。
なお、この実施の形態で用いた制御部は、市販のマイクロコントローラを使用し、所定の命令を実行するように構成することにより容易に実現することができる。また、汎用のパーソナルコンピュータを利用して所定のプログラムを実行することにより実現することもできる。
また、この実施の形態においては、原料ガスとしてＭＴＳ、キャリアガスとして水素、添加ガスとして塩化ガスを示したが、本発明はこれに限定されない。原料ガスはＭＴＳに限らず、ジメチルジクロロシラン（Ｃ２Ｈ６Ｃｌ２Ｓｉ：ＤＤＳ）、トリメチルクロロシラン（Ｃ３Ｈ９ＳｉＣｌ）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）、シラン（ＳｉＨ４）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）などを含むものを使用することもできる。また、キャリアガスは水素（Ｈ２）に限らず、窒素（Ｎ２）、ヘリウム（Ｈｅ）又はアルゴン（Ａｒ）のような希ガスを含むものを使用することもできる。
添加ガスは、塩化水素（ＨＣｌ）に限らず、塩素を含む分子を含むものを使用することができる。例えば、塩素（Ｃｌ２）、塩化メチル（ＣＨ３Ｃｌ）、ジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）、クロロホルム（ＣＨＣｌ３）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、塩化ビニル（Ｃ２Ｈ３Ｃｌ）、塩化ベンゼン（Ｃ６Ｈ５Ｃｌ）、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）、ジクロロエチレン（Ｃ２Ｈ２Ｃｌ２）、テトラクロロエタン（Ｃ２Ｈ２Ｃｌ４）、トリクロロエタン（Ｃ２Ｈ３Ｃｌ３）及びジクロロエタン（Ｃ２Ｈ４Ｃｌ２）を含むものを使用することもできる。
このような塩素を含む分子は、プリフォーム１００の微細構造の表面に吸着する塩素を含む分子を提供することができる。微細構造の表面に吸着した塩素を含む分子は、製膜種の微細構造に対する付着確率を低下させる。したがって、製膜の埋め込みの均一性を確保することができる。
添加ガスには、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）を含むものを使用することもできる。また、添加ガスは、アセチレンを生成するガスでも良い。例えば、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）及びエチレン（Ｃ２Ｈ４）、塩化メチル（ＣＨ３Ｃｌ）、ジクロロメタン（ＣＨ２Ｃｌ２）、クロロホルム（ＣＨＣｌ３）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）、塩化ビニル（Ｃ２Ｈ３Ｃｌ）、塩化ベンゼン（Ｃ６Ｈ５Ｃｌ）、テトラクロロエタン（Ｃ２Ｈ２Ｃｌ４）、トリクロロエタン（Ｃ２Ｈ３Ｃｌ３）及びジクロロエタン（Ｃ２Ｈ４Ｃｌ２）の少なくとも１つを含むものを使用することもできる。
本実施の形態の製膜種である炭化ケイ素は、原料ガスのメチルトリクロロシラン（ＭＴＳ）が熱分解され、炭素を含む分子及びケイ素を含む分子の中間体が表面に吸着し、会合して反応する過程を経て生成されたものである。ここで、炭素を含む分子の一つであるアセチレンは比較的不活性な構造であり、アセチレンの付着確率は低い（１０−３）ので、アセチレンを投入することによって、総括の付着確率を低下させて埋め込みの均一性を確保するとともに、製膜種の供給を促進して成長速度も確保することができる。
添加ガスには、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）と同様に比較的不活性な構造を持つ炭素を含む分子でも良い。例えば、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）及びエチレン（Ｃ２Ｈ４）の少なくとも１つを含むものを使用することもできる。
炭化ケイ素を堆積して製膜する微細構造を有する基材には、セラミック繊維のプリフォーム１００を用いたが、これに限定されない。基材には、カーボン繊維のプリフォーム、トレンチを設けた面を有する基板、多孔質のセラミックスも使用することができる。
この実施例１では、前記製造装置を用い、ホットウォール型炉１１に備える石英管１２を使用した。石英管１２内には、微細構造を有する基材として表面にトレンチを形成したＳｉ（１００）基板を格納した。トレンチの実測のアスペクト比は平均で１０．９であった。
この基板に化学気相堆積法（ＣＶＤ）又は化学気相含浸法（ＣＶＩ）によって炭化ケイ素を堆積して製膜した。成長条件として、石英管１２内の環境を温度１０００℃、圧力２０Ｔｏｒｒの等温・等圧に維持した。石英管１２に混合ガスは、原料ガスのＭＴＳ、キャリアガスの水素（Ｈ２）及びヘリウム（Ｈｅ）、添加ガスの塩化水素（ＨＣｌ）を用い、次の表１に示すように混合ガスの試料Ａ、Ｂ、Ｃの３種類について実験した。表１においては、ＭＴＳの流量を基準として他の成分を比流量で示した。なお、表１中の折線ａ、ｂ、ｃは、後述する図３〜６におけるデータとの対応関係を示すものである。
図２は、ホットウォール型炉１１内における温度分布を示す図である。ホットウォール型炉１１には、加熱部として、石英管１２の長手方向に延びる長さ５００ｍｍのヒーターを設けた。このヒーターは、石英管１２に沿って入口０ｍｍｍから出口５４０ｍｍの間を移動することができる。図中では、この入口から出口の間を領域Ｒとして示している。
ホットウォール型炉１１内の温度は、図示しない制御部によって制御することができる。図２の折線１、折線２、折線３は、制御部によってホットウォール型炉１１内の温度をそれぞれ９００℃、９５０℃、１０００℃に設定した場合における、温度の実測結果を示している。温度測定には、石英管１２に沿って配置した熱電対を利用した。図に見られるように、ヒーターが移動できる領域Ｒにおいて、入口側と出口側の一部を除いた大部分の領域では設定した温度が高い精度で実現されている。
図３は、ホットウォール型炉１１における製膜の成長速度の分布を示す図である。図中の横軸は、ホットウォール型炉１１に備えられた石英管１２における、混合ガスの流れの上流側から下流側に向う位置に対応している。以下の図４〜６においても同様である。図中の縦軸は炭化ケイ素の製膜の成長速度である。
図中の折線ａ、ｂ、ｃは、表１で示したように、混合ガスにおいて添加ガスの塩化水素について添加量が異なる試料Ａ、Ｂ、Ｃに対応するものである。試料Ａは添加量なし、試料Ｂは添加量小であり塩化水素の比流量０．５、試料Ｃは添加量大であり塩化水素の比流量１．０である。以下の図４〜６においても同様である。
図から明らかなように、塩化水素の添加量が増加するに従い製膜の成長速度は落ち、速度分布のピークが下流側に移動している。このことは、上流側では塩化水素が基材に多量に吸着することで製膜が阻害されたものと予想できる。
図４は、ホットウォール炉１１におけるステップカバレッジと付着確率の分布を示す図である。ここで、ステップカバレッジは、図４（ａ）中に示すように、微細構造をなすトレンチにおいて、頂部の開口部に形成された製膜の厚みＴｔと底部に形成された製膜の厚みＴｂの比Ｔｂ／Ｔｔで与えられ、製膜の埋込均一性を示すものである。図から明らかなように、添加ガスの塩化水素が増加するに従いステップカバレッジが改善しており、塩化水素の吸着量が多いと予想される上流側ほどステップカバレッジが良い。
図３、図４（ａ）を比較すると、折線ｂの点ｐ、すなわち試料Ｂの場合の位置２００ｍｍにおいて、図３の点ｐにおいて高い成長速度であるとともに、図４（ａ）の点ｐにおいて高いステップカバレッジ、すなわち高い埋込均一性が実現されていることが見られる。換言すると、点ｐの条件においては、製膜の成長速度と埋込均一性の両立が達成されている。
図４（ｂ）は、ステップカバレッジから付着確率を求めたものである。ここでは、見通しを良くするために製膜種を１種として計算している。この結果、添加ガスの塩化水素を導入することによって、付着確率が１０−４オーダーに達する可能性が見出された。
図５は、付着確率の具体例を示す図である。図５（ａ）は第１の製膜種の結果を示し、図５（ｂ）は第２の製膜種の結果を示している。付着確率は、第１の製膜種、第２の製膜種ともに折線ａ、ｂ、ｃの順に低減する傾向にあり、塩化水素の導入による付着確率の低減が確認された。第１の製膜種では、塩化水素の比流量０．５に対応する折線ｂ、塩化水素の比流量１．０に対応する折線ｃは、トレンチのアスペクト比限界の０．００１以下の付着確率に達した。
図６は、寄与率の具体例を示す図である。図６（ａ）に示す第１の製膜種において、寄与率は塩化水素の導入に関らず１に近いほぼ一定値であった。一方、図６（ｂ）に示す第２の製膜種において、寄与率は１に比べて小さな値であり、その値も塩化水素の導入によって変化した。
図７は、ステップカバレッジのアスペクト比と付着確率依存性を示す図である。図中の曲線１はアスペクト比４．７、曲線２はアスペクト比９．１、曲線３はアスペクト比１０．７、曲線４はアスペクト比１６．５に対応している。このように、多種のアスペクト比を用いることで、解析可能な付着確率の範囲である１０−４ないし１．０に設定することができる。同時に、異なる付着確率を持つ複数の製膜種の切り分けに利用することができる。
実施例２では、添加ガスとして塩化メチル（ＣＨ３Ｃｌ）を採用し、表２に示すように混合ガスの試料Ｄ、Ｅ、Ｆの３種類について実験を行った。成長条件として、石英管１２内の環境を温度１０００℃としたが、他の条件は実施例１と同様である。なお、表２中の折線ｄ、ｅ、ｆは、後述する図８におけるデータとの対応関係を示すものである。表２においても、表１と同様にＭＴＳの流量を基準として他の成分を比流量で示した。
図８（ａ）はホットウォール型炉１１における製膜の成長速度の分布、図８（ｂ）はホットウォール型炉１１における付着確率の分布を示す図である。図中の折線ｄ、ｅ、ｆは、表２で示したように、混合ガスにおいて添加ガスの塩化メチルについて添加量が異なる試料Ｄ、Ｅ、Ｆに対応するものである。試料Ｄは添加量なし、試料Ｅは添加量小であり塩化メチルの比流量8.1×10-3、試料Ｆは添加量大であり塩化メチルの比流量4.0×10-2である。
図から明らかなように、折線ｅで示す塩化メチルの比流量8.1×10-3において、薄膜の成長速度が速いとともに、付着確率が低いという結果が得られ、特に位置１００ｍｍと２００ｍｍで非常に良好であった。この結果によって、炭化ケイ素製膜の成長速度と埋込均一性が両立されることが確認された。
実施例３では、添加ガスとしてアセチレン（Ｃ２Ｈ２）を採用し、表３の４種類で実験を行った。ここで、“Ｒｅｆ”は比較のためにアセチレン濃度を０としたものである。表３中の折線ｇ、ｈ、ｉ、ｒｅｆは後述する図９におけるデータとの対応関係を示すものである。
実施例２と同様に石英管１２内の環境を温度１０００℃としたが、他の条件は実施例１と同様である。以下の実施例でも同様である。
図９に見られるように、アセチレンを添加した場合、製膜速度が増加しつつも付着確率を低減する効果を確認することができる。
ここで、アセチレンのＭＴＳに対する比流量は4.9×10-1を超えないことが好ましい。ただし、最適な比流量はＭＴＳの絶対圧力が変われば変化する。条件ごとに最適な比流量を設定する必要がある。
実施例４では、添加ガスとしてメタン（ＣＨ４）を採用し、表４の３種類で実験を行った。ここで、“Ｒｅｆ”は比較のためにメタン濃度を０としたものである。表４中の折線ｊ、ｋ、ｒｅｆは後述する図１０におけるデータとの対応関係を示すものである。
図１０に見られるように、メタンを添加した場合、付着確率はほとんど変わらずに製膜速度を増加させる効果がある。
なお、上述の発明の実施形態及び実施例は、本発明を適用する一例を示すものであり、本発明はこれらに限定されるものではない。
この発明は、耐熱複合材料の製造、耐熱複合材料を用いた機械部品、高温耐熱半導体、高耐圧パワーデバイス等の製造に利用することができる。
１１ ホットウォール型炉
１２ 石英管
２１ 原料ガス供給源
２２ キャリアガス供給源
２３ 添加ガス供給源
２４、２５、２６ 流量制御装置
３１ 自動弁
３２ ロータリーポンプ
１００ プリフォーム
１２ 石英管
２１ 原料ガス供給源
２２ キャリアガス供給源
２３ 添加ガス供給源
２４、２５、２６ 流量制御装置
３１ 自動弁
３２ ロータリーポンプ
１００ プリフォーム
Claims (35)
- 化学気相堆積法又は化学気相含浸法を用い、反応炉に微細構造を有する基材を格納して原料ガス及びキャリアガスを流し、前記基材に炭化ケイ素を堆積させて製膜するものであって、
前記原料ガス及びキャリアガスに添加ガスを加え、当該添加ガスの添加量によって前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性を制御し、
前記添加ガスは、エタン、エチレン、アセチレン及びメタン、分解や反応によりエタン、エチレン及びアセチレンの少なくとも１つを生成できるガス、並びに塩素を含む分子を含むガスの少なくとも１つを含むこと
を特徴とする耐熱複合材料の製造方法。 - 前記炭化ケイ素の製膜は１次反応に従い、前記添加ガスの添加量によって前記基材に対する製膜種の付着確率を制御することによって、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性を制御することを特徴とする請求項１記載の耐熱複合材料の製造方法。
- 前記炭化ケイ素の製膜はラングミュア・ヒンシェルウッド型速度式に従い、前記添加ガスの添加量によってラングミュア・ヒンシェルウッド型速度式の０次反応領域を利用するように制御することによって、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性を制御することを特徴とする請求項１記載の耐熱複合材料の製造方法。
- 前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性について最適化することを特徴とする請求項２又は３記載の耐熱複合材料の製造方法。
- 前記添加ガスの添加量によって、前記反応炉内の位置について、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度の分布を制御することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造方法。
- 前記成長速度の分布が均一になるように最適化することを特徴とする請求項５記載の耐熱複合材料の製造方法。
- 前記原料ガスは、前記反応炉の上流側から下流側に至る複数の位置から供給することを特徴とする請求項５又は６記載の耐熱複合材料の製造方法。
- 前記原料ガスは、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、四塩化ケイ素、シラン及びプロパンの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造方法。
- 前記キャリアガスは、水素、窒素、ヘリウム及びアルゴンの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の耐熱性材料の製造方法。
- 前記添加ガスは、エタン、エチレン、アセチレン及びメタンの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の耐熱性材料の製造方法。
- 前記添加ガスは、分解や反応によりエタン、エチレン及びアセチレンの少なくとも１つを生成できるガスを含むことを特徴とする請求項１〜９にいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造方法。
- 前記添加ガスは、塩素を含む分子を含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造方法。
- 前記添加ガスは、塩化水素、塩素、塩化メタン、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、塩化ビニル、塩化ベンゼン、四塩化珪素、トリクロロシラン、ジクロロシラン、ジクロロエチレン、テトラクロロエタン、トリクロロエタン及びジクロロエタンの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１２に記載の耐熱複合材料の製造方法。
- 前記原料ガスがメチルトリクロロシランであり、アセチレンのメチルトリクロロシランの流量に対する比流量が４．９×１０−１を超えないことを特徴とする請求項１０に記載の耐熱複合材料の製造方法。
- 前記添加ガスは、エッチング作用を有することを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造方法。
- 前記基材は、繊維のプリフォーム、トレンチを設けた基板及び多孔質の基板の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造方法。
- 前記反応炉は、ホットウォール型炉であることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造方法。
- 化学気相堆積法又は化学気相含浸法を用い、微細構造を有する基材に炭化ケイ素を堆積させて製膜するものであって、
基材を格納した反応炉と、
前記反応炉に原料ガスを供給する原料ガス供給源と、
前記反応炉にキャリアガスを供給するキャリアガス供給源と、
前記反応炉に添加ガスを供給する添加ガス供給源と、
前記添加ガスの供給量を制御する制御手段と、を有し、
前記制御手段は、当該添加ガスの添加量によって前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性を制御し、
前記添加ガスは、エタン、エチレン、アセチレン及びメタン、分解や反応によりエタン、エチレン及びアセチレンの少なくとも１つを生成できるガス、並びに塩素を含む分子を含むガスの少なくとも１つを含むこと
を特徴とする耐熱複合材料の製造装置。 - 前記炭化ケイ素の製膜は１次反応に従い、前記制御手段は、前記添加ガスの添加量によって前記基材に対する製膜種の付着確率を制御することによって、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性を制御することを特徴とする請求項１８記載の耐熱複合材料の製造装置。
- 前記炭化ケイ素の製膜はラングミュア・ヒンシェルウッド型速度式に従い、前記制御手段は、前記添加ガスの添加量によってラングミュア・ヒンシェルウッド型速度式の０次反応領域を利用するように制御することによって、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性を制御することを特徴とする請求項１８記載の耐熱複合材料の製造装置。
- 前記制御手段は、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度及び埋込の均一性について最適化することを特徴とする請求項１９又は２０記載の耐熱複合材料の製造装置。
- 前記制御手段は、前記添加ガスの添加量によって、前記反応炉内の位置について、前記炭化ケイ素の製膜の成長速度の分布を制御することを特徴とする請求項１８〜２１のいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造装置。
- 前記成長速度の分布が均一になるように最適化することを特徴とする請求項２２記載の耐熱複合材料の製造装置。
- 前記原料ガスを前記反応炉の上流側から下流側に至る複数の位置から供給する供給路を有することを特徴とする請求項２２又は２３記載の耐熱複合材料の製造装置。
- 前記原料ガスは、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、四塩化ケイ素、シラン及びプロパンの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１８〜２４のいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造装置。
- 前記キャリアガスは、水素、窒素、ヘリウム及びアルゴンの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１８〜２５のいずれか一項に記載の耐熱性材料の製造装置。
- 前記添加ガスは、エタン、エチレン、アセチレン及びメタンの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１８〜２６のいずれか一項に記載の耐熱性材料の製造装置。
- 前記添加ガスは、分解や反応によりエタン、エチレン及びアセチレンの少なくとも１つを生成できるガスを含むことを特徴とする請求項１８〜２６のいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造装置。
- 前記添加ガスは、塩素を含む分子を含むことを特徴とする請求項１８〜２８のいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造装置。
- 前記添加ガスは、塩化水素、塩素、塩化メチル、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、塩化ビニル、塩化ベンゼン、四塩化珪素、トリクロロシラン、ジクロロシラン、ジクロロエチレン、テトラクロロエタン、トリクロロエタン及びジクロロエタンの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２９に記載の耐熱複合材料の製造装置。
- 前記原料ガスがメチルトリクロロシランであり、アセチレンのメチルトリクロロシランの流量に対する比流量が４．９×１０−１を超えないことを特徴とする請求項２７に記載の耐熱複合材料の製造装置。
- 前記添加ガスは、エッチング作用を有することを特徴とする請求項１８〜３１のいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造装置。
- 前記基材は、セラミックのプリフォーム、トレンチを設けた基板及び多孔質の基板の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１８〜３２のいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造装置。
- 前記原料ガス供給源から供給する前記原料ガスの供給量を制御する原料ガス供給量制御手段と、
前記キャリアガス供給源から供給する前記キャリアガスの供給量を制御するキャリアガス供給量制御手段と、
前記添加ガス供給源から供給する前記添加ガスの供給量を制御する添加ガス供給量制御手段と、を有することを特徴とする請求項１８〜３３のいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造装置。 - 前記反応炉は、ホットウォール型炉であることを特徴とする請求項１８〜３４のいずれか一項に記載の耐熱複合材料の製造装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012181016 | 2012-08-17 | ||
| JP2012181016 | 2012-08-17 | ||
| PCT/JP2013/053749 WO2014027472A1 (ja) | 2012-08-17 | 2013-02-15 | 耐熱複合材料の製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP5906318B2 true JP5906318B2 (ja) | 2016-04-20 |
| JPWO2014027472A1 JPWO2014027472A1 (ja) | 2016-07-25 |
Family
ID=50685513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014530477A Active JP5906318B2 (ja) | 2012-08-17 | 2013-02-15 | 耐熱複合材料の製造方法及び製造装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9822445B2 (ja) |
| EP (1) | EP2896718A4 (ja) |
| JP (1) | JP5906318B2 (ja) |
| CN (1) | CN104619881A (ja) |
| WO (1) | WO2014027472A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019230958A1 (ja) * | 2018-06-01 | 2019-12-05 | 株式会社Ihi | 複合材料の製造方法 |
Families Citing this family (255)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| CN105814234B (zh) * | 2014-02-25 | 2018-03-02 | 株式会社Ihi | 耐热复合材料的制造方法及制造装置 |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| TWI779134B (zh) | 2017-11-27 | 2022-10-01 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 | 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
| TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US20190368040A1 (en) * | 2018-06-01 | 2019-12-05 | Asm Ip Holding B.V. | Infiltration apparatus and methods of infiltrating an infiltrateable material |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10683572B2 (en) | 2018-10-15 | 2020-06-16 | Goodrich Corporation | Silane recirculation for rapid carbon/silicon carbide or silicon carbide/silicon carbide ceramic matrix composites |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| IT201800009953A1 (it) | 2018-10-31 | 2020-05-01 | Petroceramics Spa | Metodo ed un assieme di infiltrazione e la deposizione rapida da fase vapore di componenti porosi |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| EP3647459A1 (en) | 2018-10-31 | 2020-05-06 | Petroceramics S.p.A. | Method and an assembly by chemical vapor infiltration of porous components |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
| JP2020136678A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP7499079B2 (ja) | 2019-07-09 | 2024-06-13 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| CN112635282A (zh) | 2019-10-08 | 2021-04-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法 |
| KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210078405A (ko) | 2019-12-17 | 2021-06-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| TW202129068A (zh) | 2020-01-20 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| DE102022203416A1 (de) * | 2022-04-06 | 2023-10-12 | Sgl Carbon Se | Substrat, umfassend eine konforme metallcarbidbeschichtung |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4937040B1 (ja) * | 1967-10-23 | 1974-10-04 | ||
| JPH02157196A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Nec Corp | 半導体結晶成長方法 |
| JP2000001398A (ja) * | 1998-06-09 | 2000-01-07 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素半導体基板の製造方法 |
| JP2001508388A (ja) * | 1996-11-08 | 2001-06-26 | ジンテック・ケラミク・ゲーエムベーハー・ウント・コ・カーゲー | 特に炭素、炭化シリコンについての耐火性物質の化学気相浸透方法、及びその方法の応用 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4937070B1 (ja) * | 1968-07-06 | 1974-10-05 | ||
| US4459338A (en) * | 1982-03-19 | 1984-07-10 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of deposition of silicon carbide layers on substrates and product |
| US4772498A (en) * | 1986-11-20 | 1988-09-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Silicon carbide capillaries |
| US5682594A (en) * | 1987-06-12 | 1997-10-28 | Lanxide Technology Company, Lp | Composite materials and methods for making the same |
| US5374412A (en) * | 1992-07-31 | 1994-12-20 | Cvd, Inc. | Highly polishable, highly thermally conductive silicon carbide |
| TW337513B (en) * | 1992-11-23 | 1998-08-01 | Cvd Inc | Chemical vapor deposition-produced silicon carbide having improved properties and preparation process thereof |
| FR2714076B1 (fr) * | 1993-12-16 | 1996-03-15 | Europ Propulsion | Procédé de densification de substrats poreux par infiltration chimique en phase vapeur de carbure de silicium. |
| US5989340A (en) * | 1995-11-14 | 1999-11-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Process and device for sublimation growing of silicon carbide monocrystals |
| US5789024A (en) * | 1996-05-15 | 1998-08-04 | New Jersey Institute Of Technology | Subnanoscale composite, N2-permselective membrane for the separation of volatile organic compounds |
| JPH1160735A (ja) * | 1996-12-09 | 1999-03-05 | Toshiba Corp | ポリシランおよびパターン形成方法 |
| JP4166345B2 (ja) * | 1998-10-07 | 2008-10-15 | 日本碍子株式会社 | 塩素系ガスに対する耐蝕性部材 |
| JP3380761B2 (ja) | 1999-01-22 | 2003-02-24 | 日本電信電話株式会社 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JP2001048649A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-20 | Asahi Glass Co Ltd | 炭化ケイ素およびその製造方法 |
| EP1205573A1 (en) * | 2000-11-10 | 2002-05-15 | Shipley Company LLC | Silicon carbide with high thermal conductivity |
| US6730802B2 (en) * | 2002-07-09 | 2004-05-04 | Starfire Systems, Inc. | Silicon carbide precursor |
| US7261919B2 (en) * | 2003-11-18 | 2007-08-28 | Flx Micro, Inc. | Silicon carbide and other films and method of deposition |
| JP4450192B2 (ja) * | 2004-07-01 | 2010-04-14 | 信越化学工業株式会社 | 珪素複合体及びその製造方法並びに非水電解質二次電池用負極材 |
| US20060060145A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Van Den Berg Jannes R | Susceptor with surface roughness for high temperature substrate processing |
| US20060121196A1 (en) * | 2004-12-07 | 2006-06-08 | Clifford Tanaka | CVC process with coated substrates |
| US20100032857A1 (en) * | 2005-02-28 | 2010-02-11 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Ceramic components, coated structures and methods for making same |
| WO2008011022A1 (en) * | 2006-07-19 | 2008-01-24 | Dow Corning Corporation | Method of manufacturing substrates having improved carrier lifetimes |
| US7936042B2 (en) * | 2007-11-13 | 2011-05-03 | International Business Machines Corporation | Field effect transistor containing a wide band gap semiconductor material in a drain |
| US8216640B2 (en) * | 2009-09-25 | 2012-07-10 | Hermes-Epitek Corporation | Method of making showerhead for semiconductor processing apparatus |
| US8409352B2 (en) * | 2010-03-01 | 2013-04-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing substrate and substrate processing apparatus |
| JP2012069635A (ja) * | 2010-09-22 | 2012-04-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 成膜装置、ウェハホルダ及び成膜方法 |
-
2013
- 2013-02-15 WO PCT/JP2013/053749 patent/WO2014027472A1/ja unknown
- 2013-02-15 JP JP2014530477A patent/JP5906318B2/ja active Active
- 2013-02-15 CN CN201380042867.7A patent/CN104619881A/zh active Pending
- 2013-02-15 EP EP13879446.6A patent/EP2896718A4/en not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-02-12 US US14/621,128 patent/US9822445B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4937040B1 (ja) * | 1967-10-23 | 1974-10-04 | ||
| JPH02157196A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Nec Corp | 半導体結晶成長方法 |
| JP2001508388A (ja) * | 1996-11-08 | 2001-06-26 | ジンテック・ケラミク・ゲーエムベーハー・ウント・コ・カーゲー | 特に炭素、炭化シリコンについての耐火性物質の化学気相浸透方法、及びその方法の応用 |
| JP2000001398A (ja) * | 1998-06-09 | 2000-01-07 | Fuji Electric Co Ltd | 炭化けい素半導体基板の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019230958A1 (ja) * | 2018-06-01 | 2019-12-05 | 株式会社Ihi | 複合材料の製造方法 |
| JP2019210172A (ja) * | 2018-06-01 | 2019-12-12 | 株式会社Ihi | 複合材料の製造方法 |
| JP7052570B2 (ja) | 2018-06-01 | 2022-04-12 | 株式会社Ihi | 複合材料の製造方法 |
| US11718569B2 (en) | 2018-06-01 | 2023-08-08 | Ihi Corporation | Production method for composite material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2014027472A1 (ja) | 2014-02-20 |
| US20150152547A1 (en) | 2015-06-04 |
| JPWO2014027472A1 (ja) | 2016-07-25 |
| CN104619881A (zh) | 2015-05-13 |
| EP2896718A1 (en) | 2015-07-22 |
| US9822445B2 (en) | 2017-11-21 |
| EP2896718A4 (en) | 2016-04-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5906318B2 (ja) | 耐熱複合材料の製造方法及び製造装置 | |
| EP3109342B1 (en) | Method for producing heat-resistant composite material | |
| US20210156030A1 (en) | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same | |
| KR101751599B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 | |
| Carlsson et al. | Chemical vapor deposition | |
| US20060185591A1 (en) | High temperature chemical vapor deposition apparatus | |
| JP2016507001A (ja) | セラミック薄膜の低温堆積方法 | |
| Lu et al. | Kinetics of chemical vapor deposition of SiC from methyltrichlorosilane and hydrogen | |
| KR101469713B1 (ko) | 경사형 C/SiC 코팅막 형성 방법 및 장치 | |
| Nigam et al. | Growth kinetics study in halide chemical vapor deposition of SiC | |
| Choi et al. | CFD simulation of chemical vapor deposition of silicon carbide in CH3SiCl3-H2 system | |
| JP2006028625A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JP6637095B2 (ja) | セラミック薄膜の低温堆積方法 | |
| Yan et al. | Kinetic and microstructure of SiC deposited from SiCl4-CH4-H2 | |
| KR101034032B1 (ko) | 박막증착장치 | |
| Yang et al. | Chemical vapor deposition of SiC at different molar ratios of hydrogen to methyltrichlorosilane | |
| KR102203025B1 (ko) | 탄화규소 에피 웨이퍼 제조 방법 | |
| CN104395986A (zh) | 碳化硅外延晶片及其制造方法 | |
| JP2012087392A (ja) | 窒化アルミニウム膜の成膜方法 | |
| KR101829800B1 (ko) | 증착 장치 및 증착 방법 | |
| JP2005347653A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| Tago et al. | Growth Kinetics of Chemical Vapor Deposition of β‐SiC from (CH 3) 2SiCl2/Ar | |
| CN117004924A (zh) | 化学气相沉积装置及方法 | |
| Wang et al. | Modeling of Halide Chemical Vapor Deposition of SiC |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160115 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160301 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160318 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5906318 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |