JP3380761B2 - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線露光用マスク
の製造方法に関し、特に半導体製造プロセスにおけるＸ
線露光工程で使用されるＸ線露光用マスクの製造方法に
関するものである。
の製造方法に関し、特に半導体製造プロセスにおけるＸ
線露光工程で使用されるＸ線露光用マスクの製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、Ｘ線露光用マスクにおいて
は、パタン位置やパタン線幅に関して高い精度や再現性
が要求されるため、吸収体パタンを支持するためのマス
クメンブレンには様々な条件が課されている。
は、パタン位置やパタン線幅に関して高い精度や再現性
が要求されるため、吸収体パタンを支持するためのマス
クメンブレンには様々な条件が課されている。
【０００３】すなわち、膜厚がウエハ内で均一であるこ
と、応力がウエハ内で均一であること、ピンホールや突
起等の欠陥が無いことが必要である。また、露光装置に
おけるアライメントが高精度に実施できるようにするた
め、メンブレン化した際に光透過率の高い透明な膜であ
ること、衝撃等に強い機械的な強度を有することが必要
である。さらに、長時間の露光にも耐え得るようにする
ため、大量のＸ線が照射されても膜の応力、光透過率お
よび機械的強度が変化しないような膜であることが必要
である。
と、応力がウエハ内で均一であること、ピンホールや突
起等の欠陥が無いことが必要である。また、露光装置に
おけるアライメントが高精度に実施できるようにするた
め、メンブレン化した際に光透過率の高い透明な膜であ
ること、衝撃等に強い機械的な強度を有することが必要
である。さらに、長時間の露光にも耐え得るようにする
ため、大量のＸ線が照射されても膜の応力、光透過率お
よび機械的強度が変化しないような膜であることが必要
である。
【０００４】ここで、従来のＸ線露光用マスクについて
図を参照して説明する。図４は、従来のＸ線露光用マス
クを示す断面図である。同図に示すように、３インチあ
るいは４インチ程度の大きさのＳｉウエハ１は、露光す
る領域に対応した部分が除去されて枠体状に加工されて
いる。そして、このＳｉウエハ１の上には、マスクメン
ブレンとなる吸収体パタン支持用膜２が形成されてい
る。
図を参照して説明する。図４は、従来のＸ線露光用マス
クを示す断面図である。同図に示すように、３インチあ
るいは４インチ程度の大きさのＳｉウエハ１は、露光す
る領域に対応した部分が除去されて枠体状に加工されて
いる。そして、このＳｉウエハ１の上には、マスクメン
ブレンとなる吸収体パタン支持用膜２が形成されてい
る。
【０００５】吸収体パタン支持用膜２は、Ｓｉウエハ１
上にＣＶＤ法（化学的気相成長法）やプラズマＣＶＤ法
等により形成され、厚さが１〜３μｍ程度の薄膜であ
る。そして、枠体状のＳｉウエハ１の中心部一帯ではメ
ンブレン状となっており、Ｘ線を透過させることができ
る。このようなメンブレン状に張られた膜となるには、
引っ張り応力が５０〜４００ＭＰａの膜であることが必
要である。
上にＣＶＤ法（化学的気相成長法）やプラズマＣＶＤ法
等により形成され、厚さが１〜３μｍ程度の薄膜であ
る。そして、枠体状のＳｉウエハ１の中心部一帯ではメ
ンブレン状となっており、Ｘ線を透過させることができ
る。このようなメンブレン状に張られた膜となるには、
引っ張り応力が５０〜４００ＭＰａの膜であることが必
要である。
【０００６】また、吸収体パタン支持用膜２は、Ｘ線を
透過し易いＳｉＮ，ＳｉＣやダイヤモンド等の材料で形
成されている。その中でも特にＳｉＣは、電気伝導性を
有するとともに、ヤング率もＳｉＮに比べて２倍以上大
きくて剛性が高く、Ｘ線露光用マスクの高精度化に向い
ている。したがって、ＳｉＣは、Ｘ線露光用マスクにお
けるマスクメンブレンの今後の有望な材料として着目さ
れている。
透過し易いＳｉＮ，ＳｉＣやダイヤモンド等の材料で形
成されている。その中でも特にＳｉＣは、電気伝導性を
有するとともに、ヤング率もＳｉＮに比べて２倍以上大
きくて剛性が高く、Ｘ線露光用マスクの高精度化に向い
ている。したがって、ＳｉＣは、Ｘ線露光用マスクにお
けるマスクメンブレンの今後の有望な材料として着目さ
れている。
【０００７】一方、吸収体パタン支持用膜２の上には、
吸収体膜３が形成されている。この吸収体膜３は、金、
タングステンまたはタンタル等の重金属あるいはそれら
の化合物等のＸ線吸収率の大きい材料によって形成さ
れ、その厚さは０．２〜１μｍである。そして、このよ
うに形成された吸収体膜３に電子線リソグラフィおよび
エッチング等を施すことにより、Ｓｉウエハ１の中心部
一帯には所望形状の吸収体パタン４が設けられている。
吸収体膜３が形成されている。この吸収体膜３は、金、
タングステンまたはタンタル等の重金属あるいはそれら
の化合物等のＸ線吸収率の大きい材料によって形成さ
れ、その厚さは０．２〜１μｍである。そして、このよ
うに形成された吸収体膜３に電子線リソグラフィおよび
エッチング等を施すことにより、Ｓｉウエハ１の中心部
一帯には所望形状の吸収体パタン４が設けられている。
【０００８】ここで、ＳｉＣからなる吸収体パタン支持
用膜２の製造工程について図を参照して説明する。従来
よりＳｉＣ膜は、メンブレンの支持体となるＳｉウエハ
にＣＶＤ法を用いて形成されている。
用膜２の製造工程について図を参照して説明する。従来
よりＳｉＣ膜は、メンブレンの支持体となるＳｉウエハ
にＣＶＤ法を用いて形成されている。
【０００９】図５は、ホットウォールタイプのＣＶＤ装
置を示す構成図である。同図に示すように、加熱用ヒー
タ５によって１０００℃程度に加熱された反応管６の中
には、反応管６の長さに応じて１０〜５０枚程度のＳｉ
ウエハ７が、反応管６の中心軸とほぼ垂直になるように
してウエハボート８に載置されている。この反応管６の
前後には、ガス流量調整器９と排気装置１０とが設けら
れ、これらの装置によって反応管６内に反応ガス１１が
供給・排気されるとともに、反応管６内の圧力調整が行
われている。なお、同図のＣＶＤ装置は、反応管６を横
向きに設置した構成であるが、反応管６を縦向き設置し
た構成も従来より用いられている。
置を示す構成図である。同図に示すように、加熱用ヒー
タ５によって１０００℃程度に加熱された反応管６の中
には、反応管６の長さに応じて１０〜５０枚程度のＳｉ
ウエハ７が、反応管６の中心軸とほぼ垂直になるように
してウエハボート８に載置されている。この反応管６の
前後には、ガス流量調整器９と排気装置１０とが設けら
れ、これらの装置によって反応管６内に反応ガス１１が
供給・排気されるとともに、反応管６内の圧力調整が行
われている。なお、同図のＣＶＤ装置は、反応管６を横
向きに設置した構成であるが、反応管６を縦向き設置し
た構成も従来より用いられている。
【００１０】さて、このようなＣＶＤ装置を使った従来
のＳｉＣの成膜方法では、Ｓｉの原料ガスと、Ｃの原料
ガスと、これらの原料ガスを希釈するためのキャリアガ
スと、の混合ガスを反応ガス１１として用いている。
のＳｉＣの成膜方法では、Ｓｉの原料ガスと、Ｃの原料
ガスと、これらの原料ガスを希釈するためのキャリアガ
スと、の混合ガスを反応ガス１１として用いている。
【００１１】反応ガス１１の具体的な成分を述べると以
下のようになる。Ｓｉの原料ガスとしては、Ｓｉ，Ｃ
ｌ，Ｈ等の元素を含有するガスを用いている。例えば、
ＳｉＨ2Ｃｌ2（ジクロルシラン）、ＳｉＨＣｌ3 （トリ
クロルシラン）、ＣＨ3ＳｉＣｌ3（メチルトリクロルシ
ラン）またはＳｉＣｌ4 （テトラクロライド）等の何れ
かを用いている。
下のようになる。Ｓｉの原料ガスとしては、Ｓｉ，Ｃ
ｌ，Ｈ等の元素を含有するガスを用いている。例えば、
ＳｉＨ2Ｃｌ2（ジクロルシラン）、ＳｉＨＣｌ3 （トリ
クロルシラン）、ＣＨ3ＳｉＣｌ3（メチルトリクロルシ
ラン）またはＳｉＣｌ4 （テトラクロライド）等の何れ
かを用いている。
【００１２】また、Ｃの原料ガスとしては、Ｃ，Ｈの元
素で構成されるガスを用いている。例えば、ＣＨ4 （メ
タン）、Ｃ2Ｈ2（アセチレン）、Ｃ2Ｈ4（エチレン）ま
たはＣ3Ｈ8（プロパン）等の何れかを用いている。ま
た、キャリアガスとしては、Ｈ2 （水素）やＡｒ（アル
ゴン）等を用い、上記の原料ガスの希釈に使用されてい
る。
素で構成されるガスを用いている。例えば、ＣＨ4 （メ
タン）、Ｃ2Ｈ2（アセチレン）、Ｃ2Ｈ4（エチレン）ま
たはＣ3Ｈ8（プロパン）等の何れかを用いている。ま
た、キャリアガスとしては、Ｈ2 （水素）やＡｒ（アル
ゴン）等を用い、上記の原料ガスの希釈に使用されてい
る。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなガス種を用いてＳｉＣ膜を成膜した場合、種々の問
題点が生じているのが実状である。上述のガス種を用い
た場合、高温になっている反応管６中のＳｉウエハ７の
表面では、膜形成を抑制するような反応が生じにくい。
すなわち、９００℃程度の高温領域に入ると反応ガス１
１は分解され、反応管６の中ではＳｉ原料ガスとＣ原料
ガスとが急激に反応し、ＳｉＣ膜が高速に形成される。
また、その際に反応管６内には、膜形成反応を抑制する
成分を含んだガスが何ら含まれていないため、膜が形成
される反応の割合が圧倒的に高くなり、反応速度は極め
て大きくなる。その結果、Ｓｉウエハ７の表面に異物等
があると、それを核として局所的にＳｉＣが急激に成長
することになり、そのような局所的に形成された結晶状
態が、周辺膜とは異なる膜となって膜欠陥となる。した
がって、Ｓｉウエハ７の表面には、膜欠陥の多いＳｉＣ
膜が形成されてしまう。
うなガス種を用いてＳｉＣ膜を成膜した場合、種々の問
題点が生じているのが実状である。上述のガス種を用い
た場合、高温になっている反応管６中のＳｉウエハ７の
表面では、膜形成を抑制するような反応が生じにくい。
すなわち、９００℃程度の高温領域に入ると反応ガス１
１は分解され、反応管６の中ではＳｉ原料ガスとＣ原料
ガスとが急激に反応し、ＳｉＣ膜が高速に形成される。
また、その際に反応管６内には、膜形成反応を抑制する
成分を含んだガスが何ら含まれていないため、膜が形成
される反応の割合が圧倒的に高くなり、反応速度は極め
て大きくなる。その結果、Ｓｉウエハ７の表面に異物等
があると、それを核として局所的にＳｉＣが急激に成長
することになり、そのような局所的に形成された結晶状
態が、周辺膜とは異なる膜となって膜欠陥となる。した
がって、Ｓｉウエハ７の表面には、膜欠陥の多いＳｉＣ
膜が形成されてしまう。
【００１４】また、このように反応速度が高いと、Ｓｉ
Ｃ膜中にＳｉ−Ｃ結合していないＳｉやＣを含んだり、
また十分に分解していないガスを膜内に取り込んでＳｉ
−ＨやＣ−Ｈ結合を有することになる。このため、この
ような膜をメンブレン化しても、光透過率が悪く、アラ
イメント光がＳｉ−Ｓｉ結合等で吸収される割合が大き
くなってしまう。したがって、アライナによる高精度の
位置合わせが困難となる。
Ｃ膜中にＳｉ−Ｃ結合していないＳｉやＣを含んだり、
また十分に分解していないガスを膜内に取り込んでＳｉ
−ＨやＣ−Ｈ結合を有することになる。このため、この
ような膜をメンブレン化しても、光透過率が悪く、アラ
イメント光がＳｉ−Ｓｉ結合等で吸収される割合が大き
くなってしまう。したがって、アライナによる高精度の
位置合わせが困難となる。
【００１５】また、マスクメンブレン内にＳｉ−Ｃ結合
以外の弱い結合を含んでいる場合、このような部分はＸ
線の照射によって容易に切断されてしまう。このため、
膜の応力、光透過率および機械的強度が変化し、露光に
十分なＸ線照射耐性が得られない。したがって、長時間
のＸ線露光に際して、歪みのない高精度で安定して使用
できるＸ線露光用マスクを得ることは困難となる。
以外の弱い結合を含んでいる場合、このような部分はＸ
線の照射によって容易に切断されてしまう。このため、
膜の応力、光透過率および機械的強度が変化し、露光に
十分なＸ線照射耐性が得られない。したがって、長時間
のＸ線露光に際して、歪みのない高精度で安定して使用
できるＸ線露光用マスクを得ることは困難となる。
【００１６】また、上述のＳｉＨ2Ｃｌ2，ＳｉＨＣ
ｌ3 ，ＣＨ3ＳｉＣｌ3またはＳｉＣｌ4等のＳｉ原料ガ
スは、９００℃程度の高温領域に入ると急激に分解され
るという性質がある。そのため、反応管６内では、ガス
流の上流位置で分解されたＳｉ，Ｃｌ，Ｈを含むガスと
ＣＨ4 等のＣ，Ｈを含むＣ原料ガスとが反応する速度は
極めて大きくなり、ＳｉＣ膜が高速で形成される。した
がって、反応管６内では反応ガス流の上流ほど反応管６
の内壁やＳｉウエハ７上に高速にＳｉＣ膜が形成され、
下流に行くほどＳｉＣ膜を形成するためのガスが急激に
少なくなる。ところが、膜の形成速度は表面近傍の反応
ガス量に一元的に依存するため、下流に行くほどＳｉＣ
膜の形成される速度は大幅に減少してしまう。
ｌ3 ，ＣＨ3ＳｉＣｌ3またはＳｉＣｌ4等のＳｉ原料ガ
スは、９００℃程度の高温領域に入ると急激に分解され
るという性質がある。そのため、反応管６内では、ガス
流の上流位置で分解されたＳｉ，Ｃｌ，Ｈを含むガスと
ＣＨ4 等のＣ，Ｈを含むＣ原料ガスとが反応する速度は
極めて大きくなり、ＳｉＣ膜が高速で形成される。した
がって、反応管６内では反応ガス流の上流ほど反応管６
の内壁やＳｉウエハ７上に高速にＳｉＣ膜が形成され、
下流に行くほどＳｉＣ膜を形成するためのガスが急激に
少なくなる。ところが、膜の形成速度は表面近傍の反応
ガス量に一元的に依存するため、下流に行くほどＳｉＣ
膜の形成される速度は大幅に減少してしまう。
【００１７】したがって、反応ガス１１の流れの上流と
下流とでは、形成されるＳｉＣ膜の膜厚がＳｉウエハ７
の載置された反応管６内の位置によって大幅に異なるこ
とになる。このため、ＳｉＣ膜中のＳｉおよびＣの組成
やＳｉＣ膜の結晶性等の膜の基本特性が反応管６中のＳ
ｉウエハ７の位置によって大幅に異なってしまい、膜厚
および膜質の一定したＳｉＣ膜を大量生産するのは困難
となる。
下流とでは、形成されるＳｉＣ膜の膜厚がＳｉウエハ７
の載置された反応管６内の位置によって大幅に異なるこ
とになる。このため、ＳｉＣ膜中のＳｉおよびＣの組成
やＳｉＣ膜の結晶性等の膜の基本特性が反応管６中のＳ
ｉウエハ７の位置によって大幅に異なってしまい、膜厚
および膜質の一定したＳｉＣ膜を大量生産するのは困難
となる。
【００１８】ここで、上述の従来方法を使ってＳｉＣ膜
を成膜した実験結果について説明する。使用する装置と
しては、図５に示したようなヒータで反応管内壁を加熱
（１０００℃）する方式のＣＶＤ装置を用いる。反応ガ
ス１１としては、Ｓｉ原料ガスとしてＳｉＨ2Ｃｌ2（ジ
クロルシラン）を、Ｃ原料ガスとしてＣ3Ｈ8（プロパ
ン）を、キャリアガスとしてＨ2 （水素）を用いる。な
お、反応管６中のガス圧力を０．２Ｔｏｒｒとし、Ｃ3
Ｈ8ガスの流量を８ｃｃ／ｍｉｎとし、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガ
スの流量を２４ｃｃ／ｍｉｎとし、Ｈ2 ガスの流量を２
００ｃｃ／ｍｉｎとし、Ｓｉウエハ７の表面にＳｉＣ膜
を形成している。
を成膜した実験結果について説明する。使用する装置と
しては、図５に示したようなヒータで反応管内壁を加熱
（１０００℃）する方式のＣＶＤ装置を用いる。反応ガ
ス１１としては、Ｓｉ原料ガスとしてＳｉＨ2Ｃｌ2（ジ
クロルシラン）を、Ｃ原料ガスとしてＣ3Ｈ8（プロパ
ン）を、キャリアガスとしてＨ2 （水素）を用いる。な
お、反応管６中のガス圧力を０．２Ｔｏｒｒとし、Ｃ3
Ｈ8ガスの流量を８ｃｃ／ｍｉｎとし、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガ
スの流量を２４ｃｃ／ｍｉｎとし、Ｈ2 ガスの流量を２
００ｃｃ／ｍｉｎとし、Ｓｉウエハ７の表面にＳｉＣ膜
を形成している。
【００１９】図６は、ＳｉＣ膜の表面を１ｎｍ（ＲＭ
Ｓ）以下の表面粗さに研磨し、メンブレン化して光透過
率を測定した結果を示すグラフである。同図に示すよう
に、光の波長が６００ｎｍ以下の短波長になるにつれ
て、透過率が大幅に減少しており、波長が４００ｎｍで
は１０％以下の透過率に激減していることがわかる。
Ｓ）以下の表面粗さに研磨し、メンブレン化して光透過
率を測定した結果を示すグラフである。同図に示すよう
に、光の波長が６００ｎｍ以下の短波長になるにつれ
て、透過率が大幅に減少しており、波長が４００ｎｍで
は１０％以下の透過率に激減していることがわかる。
【００２０】図７は、上述の従来方法によるＳｉＣ膜の
形成速度を示したグラフであり、図中の横軸はウエハボ
ート８におけるウエハを載置するための溝番号を示す。
溝番号が小さいほど（すなわち、図５においては排気装
置１０に近い位置）反応ガス１１の流れの下流に位置
し、また溝番号の大きいほど（すなわち、図５において
はガス流量調整器９に近い位置）反応ガス１１の流れの
上流に位置している。なお、縦軸は単位時間当たりの膜
形成厚を示す。
形成速度を示したグラフであり、図中の横軸はウエハボ
ート８におけるウエハを載置するための溝番号を示す。
溝番号が小さいほど（すなわち、図５においては排気装
置１０に近い位置）反応ガス１１の流れの下流に位置
し、また溝番号の大きいほど（すなわち、図５において
はガス流量調整器９に近い位置）反応ガス１１の流れの
上流に位置している。なお、縦軸は単位時間当たりの膜
形成厚を示す。
【００２１】さて、図７から明らかなように、反応ガス
１１の流れの最も下流の位置にある溝番号１４番のウエ
ハと、最も上流にある溝番号５２番の位置にあるウエハ
と、を比較したところ、表面に形成されたＳｉＣ膜の膜
厚は溝番号５２番の方が約３倍厚い。このように、ウエ
ハの載置される位置によって、ＳｉＣの膜厚に極めて大
きな差が生じている。また、図７の場合において、２μ
ｍ厚のＳｉＣ膜を形成しようとすると、各ウエハに形成
されるＳｉＣ膜の厚さのばらつきは２〜６μｍと非常に
幅広いものとなる。これでは、Ｘ線露光用マスクのマス
クメンブレンとして使用できるウエハは２〜３枚だけで
ある。
１１の流れの最も下流の位置にある溝番号１４番のウエ
ハと、最も上流にある溝番号５２番の位置にあるウエハ
と、を比較したところ、表面に形成されたＳｉＣ膜の膜
厚は溝番号５２番の方が約３倍厚い。このように、ウエ
ハの載置される位置によって、ＳｉＣの膜厚に極めて大
きな差が生じている。また、図７の場合において、２μ
ｍ厚のＳｉＣ膜を形成しようとすると、各ウエハに形成
されるＳｉＣ膜の厚さのばらつきは２〜６μｍと非常に
幅広いものとなる。これでは、Ｘ線露光用マスクのマス
クメンブレンとして使用できるウエハは２〜３枚だけで
ある。
【００２２】以上のとおり本発明は、このような課題を
解決するためのものであり、均一な膜厚および膜質を容
易に得ることができ、かつ、光透過率および機械的強度
を従来よりも向上させることができるＸ線露光用マスク
の製造方法を提供することを目的とする。
解決するためのものであり、均一な膜厚および膜質を容
易に得ることができ、かつ、光透過率および機械的強度
を従来よりも向上させることができるＸ線露光用マスク
の製造方法を提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明に係るＸ線露光用マスクの製造方法の
一態様は、Ｓｉの原料ガスとＣの原料ガスと上記原料ガ
スを希釈するためのキャリアガスとの混合ガスを反応ガ
スとして用いた、ホットウォールタイプのＣＶＤ装置を
使用したＣＶＤ法により、上記ＣＶＤ装置の反応管内に
載置された複数のシリコン基板上にＳｉＣの薄膜を形成
する工程と、上記シリコン基板をエッチングすることに
より、上記シリコン基板からなる枠体とこの枠体に張設
された上記薄膜からなる吸収体パタン支持用膜とを同時
に形成する工程とを有するＸ線露光用マスクの製造方法
において、上記反応ガスに、ＨＣｌ（塩化水素）をさら
に添加する。
るために、本発明に係るＸ線露光用マスクの製造方法の
一態様は、Ｓｉの原料ガスとＣの原料ガスと上記原料ガ
スを希釈するためのキャリアガスとの混合ガスを反応ガ
スとして用いた、ホットウォールタイプのＣＶＤ装置を
使用したＣＶＤ法により、上記ＣＶＤ装置の反応管内に
載置された複数のシリコン基板上にＳｉＣの薄膜を形成
する工程と、上記シリコン基板をエッチングすることに
より、上記シリコン基板からなる枠体とこの枠体に張設
された上記薄膜からなる吸収体パタン支持用膜とを同時
に形成する工程とを有するＸ線露光用マスクの製造方法
において、上記反応ガスに、ＨＣｌ（塩化水素）をさら
に添加する。
【００２４】また、本発明に係るＸ線露光用マスクの製
造方法のその他の態様おいては、上記キャリアガスとし
て、Ｈ2 （水素）またはＡｒ（アルゴン）の何れかを用
いる。また、上記Ｓｉの原料ガスとして、ＳｉＨ2Ｃｌ2
（ジクロルシラン），ＳｉＨＣｌ3 （トリクロルシラ
ン）またはＳｉＣｌ4 （テトラクロライド）の何れかを
用いていもよい。また、上記Ｃの原料ガスとして、ＣＨ
4 （メタン），Ｃ2Ｈ2（アセチレン），Ｃ2Ｈ4（エチレ
ン）またはＣ3Ｈ8（プロパン）の何れかを用いてもよ
い。また、上記Ｓｉの原料ガスおよび上記Ｃの原料ガス
として、ＣＨ3ＳｉＣｌ3（メチルトリクロルシラン）を
用いてもよい。
造方法のその他の態様おいては、上記キャリアガスとし
て、Ｈ2 （水素）またはＡｒ（アルゴン）の何れかを用
いる。また、上記Ｓｉの原料ガスとして、ＳｉＨ2Ｃｌ2
（ジクロルシラン），ＳｉＨＣｌ3 （トリクロルシラ
ン）またはＳｉＣｌ4 （テトラクロライド）の何れかを
用いていもよい。また、上記Ｃの原料ガスとして、ＣＨ
4 （メタン），Ｃ2Ｈ2（アセチレン），Ｃ2Ｈ4（エチレ
ン）またはＣ3Ｈ8（プロパン）の何れかを用いてもよ
い。また、上記Ｓｉの原料ガスおよび上記Ｃの原料ガス
として、ＣＨ3ＳｉＣｌ3（メチルトリクロルシラン）を
用いてもよい。
【００２５】このように構成することにより本発明は、
ＳｉＣ膜中のＳｉ−Ｃ結合以外の余分なＳｉ，Ｃおよび
Ｈと結合したＳｉ，Ｃを除去することができ、光透過率
が高くなる。また、Ｘ線照射耐性の向上および高精度で
安定したパタン転写を可能とする。
ＳｉＣ膜中のＳｉ−Ｃ結合以外の余分なＳｉ，Ｃおよび
Ｈと結合したＳｉ，Ｃを除去することができ、光透過率
が高くなる。また、Ｘ線照射耐性の向上および高精度で
安定したパタン転写を可能とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一つの実施の形態
について説明する。本実施の形態では、上述の従来例同
様に、図５に示したようなヒータで反応管内壁を加熱す
る方式のＣＶＤ装置を用いる。反応ガス１１としては、
Ｓｉの原料ガスと、Ｃの原料ガスと、これらの原料ガス
を希釈するためのキャリアガスと、の混合ガスを用い
る。そして、この混合ガスに本実施の形態の特徴とする
ところのＨＣｌをさらに添加する。
について説明する。本実施の形態では、上述の従来例同
様に、図５に示したようなヒータで反応管内壁を加熱す
る方式のＣＶＤ装置を用いる。反応ガス１１としては、
Ｓｉの原料ガスと、Ｃの原料ガスと、これらの原料ガス
を希釈するためのキャリアガスと、の混合ガスを用い
る。そして、この混合ガスに本実施の形態の特徴とする
ところのＨＣｌをさらに添加する。
【００２７】なお、具体的な反応ガス１１の成分を述べ
ると、従来例同様に以下のようになる。Ｓｉの原料ガス
としては、Ｓｉ，Ｃｌ，Ｈ等の元素を含有するガスを用
いている。例えば、ＳｉＨ2Ｃｌ2（ジクロルシラン）、
ＳｉＨＣｌ3 （トリクロルシラン）、ＣＨ3ＳｉＣｌ
3（メチルトリクロルシラン）またはＳｉＣｌ4 （テト
ラクロライド）等の何れかを用いている。
ると、従来例同様に以下のようになる。Ｓｉの原料ガス
としては、Ｓｉ，Ｃｌ，Ｈ等の元素を含有するガスを用
いている。例えば、ＳｉＨ2Ｃｌ2（ジクロルシラン）、
ＳｉＨＣｌ3 （トリクロルシラン）、ＣＨ3ＳｉＣｌ
3（メチルトリクロルシラン）またはＳｉＣｌ4 （テト
ラクロライド）等の何れかを用いている。
【００２８】また、Ｃの原料ガスとしては、Ｃ，Ｈの元
素で構成されるガスを用いている。例えば、ＣＨ4 （メ
タン）、Ｃ2Ｈ2（アセチレン）、Ｃ2Ｈ4（エチレン）ま
たはＣ3Ｈ8（プロパン）等の何れかを用いている。ま
た、キャリアガスとしては、Ｈ2 （水素）やＡｒ（アル
ゴン）等を用い、上記の原料ガスの希釈に使用されてい
る。
素で構成されるガスを用いている。例えば、ＣＨ4 （メ
タン）、Ｃ2Ｈ2（アセチレン）、Ｃ2Ｈ4（エチレン）ま
たはＣ3Ｈ8（プロパン）等の何れかを用いている。ま
た、キャリアガスとしては、Ｈ2 （水素）やＡｒ（アル
ゴン）等を用い、上記の原料ガスの希釈に使用されてい
る。
【００２９】
【実施例】ここで、以上の実施の形態に基づく本発明の
実施例について、図を参照して説明する。本実施例で
は、従来例同様に図５に示したようなヒータで反応管内
壁を加熱する方式のＣＶＤ装置を用いる。また、反応ガ
ス１１としては、Ｓｉ原料ガスとしてＳｉＨ2Ｃｌ2（ジ
クロルシラン）を用い、Ｃ原料ガスとしてＣ3Ｈ8（プロ
パン）用い、キャリアガスとしてＨ2 （水素）を用い
る。
実施例について、図を参照して説明する。本実施例で
は、従来例同様に図５に示したようなヒータで反応管内
壁を加熱する方式のＣＶＤ装置を用いる。また、反応ガ
ス１１としては、Ｓｉ原料ガスとしてＳｉＨ2Ｃｌ2（ジ
クロルシラン）を用い、Ｃ原料ガスとしてＣ3Ｈ8（プロ
パン）用い、キャリアガスとしてＨ2 （水素）を用い
る。
【００３０】したがって、各ガスをガス流量調整器９を
通して、１０００℃に加熱された反応管６に供給すると
ともに、反応管６の内部圧力はガス流量調整器９と排気
装置１０によって調整し、ウエハボート８に並べたＳｉ
ウエハ７の表面にＳｉＣ膜を堆積させた。
通して、１０００℃に加熱された反応管６に供給すると
ともに、反応管６の内部圧力はガス流量調整器９と排気
装置１０によって調整し、ウエハボート８に並べたＳｉ
ウエハ７の表面にＳｉＣ膜を堆積させた。
【００３１】なお、本実施例では、反応管中のガス圧力
を０．２Ｔｏｒｒとし、Ｃ3Ｈ8ガスの流量を８ｃｃ／ｍ
ｉｎ、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスの流量を２４ｃｃ／ｍｉｎ、Ｈ
2 ガスの流量を２００ｃｃ／ｍｉｎとし、Ｓｉウエハ７
の表面にＳｉＣ膜を形成している。
を０．２Ｔｏｒｒとし、Ｃ3Ｈ8ガスの流量を８ｃｃ／ｍ
ｉｎ、ＳｉＨ2Ｃｌ2ガスの流量を２４ｃｃ／ｍｉｎ、Ｈ
2 ガスの流量を２００ｃｃ／ｍｉｎとし、Ｓｉウエハ７
の表面にＳｉＣ膜を形成している。
【００３２】図１は、流量が１２ｃｃ／ｍｉｎのＨＣｌ
を反応ガスに添加して形成したＳｉＣ膜の表面を、１ｎ
ｍ（ＲＭＳ）以下の表面粗さに研磨して作製したメンブ
レンにおける光透過率を示すグラフである。同図に示す
ように、６００ｎｍ以下の波長になっても、光透過率は
減少しておらず、４００ｎｍの短波長光でも４０％以上
の光透過率となっている。これはＨＣｌを添加してＳｉ
Ｃ膜を形成することにより、成長しているＳｉＣ表面に
おけるＳｉ−Ｃ結合以外の余分なＳｉやＣがＨＣｌによ
って除去され、形成された膜における短波長の光透過率
が増加することによるものである。
を反応ガスに添加して形成したＳｉＣ膜の表面を、１ｎ
ｍ（ＲＭＳ）以下の表面粗さに研磨して作製したメンブ
レンにおける光透過率を示すグラフである。同図に示す
ように、６００ｎｍ以下の波長になっても、光透過率は
減少しておらず、４００ｎｍの短波長光でも４０％以上
の光透過率となっている。これはＨＣｌを添加してＳｉ
Ｃ膜を形成することにより、成長しているＳｉＣ表面に
おけるＳｉ−Ｃ結合以外の余分なＳｉやＣがＨＣｌによ
って除去され、形成された膜における短波長の光透過率
が増加することによるものである。
【００３３】また、Ｓｉ−Ｃ結合以外のＸ線照射で壊れ
やすい結合、例えばＳｉ−Ｈ，Ｃ−Ｈ結合等はＨＣｌに
より除去されて膜中には少なくなっているので、大量の
Ｘ線が照射されてもＳｉＣ膜の応力等は変化しない。し
たがって、長時間にわたって安定にＸ線露光用マスクを
使用できるようになり、大量のウエハを高精度に露光す
ることができるようになる。
やすい結合、例えばＳｉ−Ｈ，Ｃ−Ｈ結合等はＨＣｌに
より除去されて膜中には少なくなっているので、大量の
Ｘ線が照射されてもＳｉＣ膜の応力等は変化しない。し
たがって、長時間にわたって安定にＸ線露光用マスクを
使用できるようになり、大量のウエハを高精度に露光す
ることができるようになる。
【００３４】以上から明らかなように、ＨＣｌを添加し
てＳｉＣ膜を形成することにより、Ｘ線露光用マスクの
マスクメンブレンに適用可能な良質なＳｉＣ膜が得られ
る。さらに、ＳｉＣの形成速度が抑制されるので、Ｓｉ
表面にある異物を核として急激に異常成長するＳｉＣも
なくなり、欠陥の少ないＸ線マスクメンブレン用ＳｉＣ
膜が得られる効果がある。
てＳｉＣ膜を形成することにより、Ｘ線露光用マスクの
マスクメンブレンに適用可能な良質なＳｉＣ膜が得られ
る。さらに、ＳｉＣの形成速度が抑制されるので、Ｓｉ
表面にある異物を核として急激に異常成長するＳｉＣも
なくなり、欠陥の少ないＸ線マスクメンブレン用ＳｉＣ
膜が得られる効果がある。
【００３５】図２は、流量が１２ｃｃ／ｍｉｎのＨＣｌ
を反応ガス１１に添加した場合のＳｉＣ膜形成速度を示
すグラフである。同図に示すように、溝番号１４番にあ
るウエハに形成されたＳｉＣの膜厚と、溝番号５２番に
あるウエハに形成されたＳｉＣの膜厚と、の比は１．２
程度と小さな値である。したがって、厚さが２μｍのＳ
ｉＣ膜を形成しようとした場合、ウエハ間における膜厚
のばらつきは２〜２．４μｍと小さく、全数の２０枚を
Ｘ線露光用マスクとして使用できる。なお、このように
して形成されたＳｉＣ膜の応力は、１５０〜３００ＭＰ
ａであり、Ｘ線露光用マスクのメンブレンに適用できる
応力値である。
を反応ガス１１に添加した場合のＳｉＣ膜形成速度を示
すグラフである。同図に示すように、溝番号１４番にあ
るウエハに形成されたＳｉＣの膜厚と、溝番号５２番に
あるウエハに形成されたＳｉＣの膜厚と、の比は１．２
程度と小さな値である。したがって、厚さが２μｍのＳ
ｉＣ膜を形成しようとした場合、ウエハ間における膜厚
のばらつきは２〜２．４μｍと小さく、全数の２０枚を
Ｘ線露光用マスクとして使用できる。なお、このように
して形成されたＳｉＣ膜の応力は、１５０〜３００ＭＰ
ａであり、Ｘ線露光用マスクのメンブレンに適用できる
応力値である。
【００３６】以上の結果から明らかなように、ＨＣｌを
添加してＳｉＣ膜を形成することにより、Ｘ線露光用マ
スクのマスクメンブレンとして使用できるＳｉＣ膜が得
られる割合が極めて高くなる。また、ウエハ面内での膜
厚の均一性も向上する。さらに、図６で示したようにＨ
Ｃｌを添加しないでＳｉＣ膜を形成した場合、ウエハ面
内における最大膜厚と最小膜厚との差は３％以上であっ
たが、図１に示すＨＣｌを添加して形成したＳｉＣ膜で
は、１％以下と極めて小さくなった。
添加してＳｉＣ膜を形成することにより、Ｘ線露光用マ
スクのマスクメンブレンとして使用できるＳｉＣ膜が得
られる割合が極めて高くなる。また、ウエハ面内での膜
厚の均一性も向上する。さらに、図６で示したようにＨ
Ｃｌを添加しないでＳｉＣ膜を形成した場合、ウエハ面
内における最大膜厚と最小膜厚との差は３％以上であっ
たが、図１に示すＨＣｌを添加して形成したＳｉＣ膜で
は、１％以下と極めて小さくなった。
【００３７】なお、上述の実施例では、Ｈ2 をキャリア
ガス、Ｓｉ原料として ＳｉＨ2Ｃｌ2 を用い、Ｃ原料と
してＣ3Ｈ8を用いたが、この組み合わせに限られるもの
ではない。
ガス、Ｓｉ原料として ＳｉＨ2Ｃｌ2 を用い、Ｃ原料と
してＣ3Ｈ8を用いたが、この組み合わせに限られるもの
ではない。
【００３８】キャリアガスとしてのＨ2 と、Ｓｉ原料と
してのＳｉＨ2Ｃｌ2と、Ｃ原料としてのＣＨ4 ，Ｃ2Ｈ2
またはＣ2Ｈ4の何れかと、ＨＣｌと、を混合したガスを
用いても図１，２と同様の結果が得られる。
してのＳｉＨ2Ｃｌ2と、Ｃ原料としてのＣＨ4 ，Ｃ2Ｈ2
またはＣ2Ｈ4の何れかと、ＨＣｌと、を混合したガスを
用いても図１，２と同様の結果が得られる。
【００３９】また、キャリアガスとしてのＨ2 と、Ｓｉ
原料としてのＳｉＨＣｌ3 またはＳｉＣｌ4 の何れか
と、Ｃ原料としてのＣＨ4 ，Ｃ2Ｈ2，Ｃ2Ｈ4またはＣ3
Ｈ8の何れかと、ＨＣｌと、を混合したガスを用いても
図１，２と同様の効果が得られる。
原料としてのＳｉＨＣｌ3 またはＳｉＣｌ4 の何れか
と、Ｃ原料としてのＣＨ4 ，Ｃ2Ｈ2，Ｃ2Ｈ4またはＣ3
Ｈ8の何れかと、ＨＣｌと、を混合したガスを用いても
図１，２と同様の効果が得られる。
【００４０】また、キャリアガスとしてのＨ2 と、Ｓｉ
原料およびＣ原料としてのＣＨ3ＳｉＣｌ3と、ＨＣｌ
と、さらにＣ原料の調整用としてＣＨ4 等と、を混合し
たガスを用いても図１，２と同様の効果が得られる。
原料およびＣ原料としてのＣＨ3ＳｉＣｌ3と、ＨＣｌ
と、さらにＣ原料の調整用としてＣＨ4 等と、を混合し
たガスを用いても図１，２と同様の効果が得られる。
【００４１】さらに、図２に示した結果は、図５のよう
なホットウォールタイプのＣＶＤ装置を使用した場合の
ものだが、本発明はこれに限られるものではない。基板
部分のみを加熱するコールドウォールタイプのＣＶＤ装
置を用いても、ＨＣｌを添加した反応ガスを使用するこ
とにより、Ｘ線露光用マスクに最適な良質のＳｉＣ膜が
得られる。
なホットウォールタイプのＣＶＤ装置を使用した場合の
ものだが、本発明はこれに限られるものではない。基板
部分のみを加熱するコールドウォールタイプのＣＶＤ装
置を用いても、ＨＣｌを添加した反応ガスを使用するこ
とにより、Ｘ線露光用マスクに最適な良質のＳｉＣ膜が
得られる。
【００４２】次に、従来方法および本発明による方法で
形成されたＳｉＣ膜の特性について、実験結果に基づい
て説明する。本願発明者等は、従来方法および本発明に
よる方法でＳｉＣ膜を形成してから、昇温脱離分析法
（ＴＤＳ）により、ＳｉＣ膜を高温にしたときに脱離さ
れるガス種およびその量を調べた。その結果、マスクの
膜質低下の原因となるＳｉ−Ｓｉ，Ｃ−Ｃ，Ｃ−Ｈの結
合が、本発明によるものでは大幅に減少することを確認
することができた。以下、その詳細について説明する。
形成されたＳｉＣ膜の特性について、実験結果に基づい
て説明する。本願発明者等は、従来方法および本発明に
よる方法でＳｉＣ膜を形成してから、昇温脱離分析法
（ＴＤＳ）により、ＳｉＣ膜を高温にしたときに脱離さ
れるガス種およびその量を調べた。その結果、マスクの
膜質低下の原因となるＳｉ−Ｓｉ，Ｃ−Ｃ，Ｃ−Ｈの結
合が、本発明によるものでは大幅に減少することを確認
することができた。以下、その詳細について説明する。
【００４３】図３は、従来法および本発明による方法で
形成したＳｉＣ膜を高温にし、その際に脱離されるガス
（Ｈ2，ＣＨ3）について、その量を調べた結果である。
縦軸はガス濃度を測定した質量分析装置で検出された各
分子のイオン電流であり、横軸は温度を示している。実
線は本発明による方法で作製したＳｉＣ膜からのガス脱
離を示し、波線は従来法で作製したＳｉＣ膜からのガス
脱離を示している。
形成したＳｉＣ膜を高温にし、その際に脱離されるガス
（Ｈ2，ＣＨ3）について、その量を調べた結果である。
縦軸はガス濃度を測定した質量分析装置で検出された各
分子のイオン電流であり、横軸は温度を示している。実
線は本発明による方法で作製したＳｉＣ膜からのガス脱
離を示し、波線は従来法で作製したＳｉＣ膜からのガス
脱離を示している。
【００４４】同図に示すように、４００℃以上の温度で
は、波線で示された従来法で作製したＳｉＣ膜からのＨ
2，ＣＨ3のガス脱離が、本発明で作製したＳｉＣ膜に比
べて多くなり、特に７００〜８００℃付近では、１桁以
上脱離量が多く、顕著なピークを示している。また、図
３ではＨ2，ＣＨ3のみを示しているが、従来法で作製し
たＳｉＣからはＣＨ，Ｎ，Ｏ等のガスも同様に７００〜
８００℃付近で脱離するのが確認された。
は、波線で示された従来法で作製したＳｉＣ膜からのＨ
2，ＣＨ3のガス脱離が、本発明で作製したＳｉＣ膜に比
べて多くなり、特に７００〜８００℃付近では、１桁以
上脱離量が多く、顕著なピークを示している。また、図
３ではＨ2，ＣＨ3のみを示しているが、従来法で作製し
たＳｉＣからはＣＨ，Ｎ，Ｏ等のガスも同様に７００〜
８００℃付近で脱離するのが確認された。
【００４５】以上の結果から、本発明による方法で作製
したＳｉＣ膜には不純物が少なく、その結果、Ｘ線露光
用マスクのメンブレンに用いた場合、光透過率が向上
し、またＳＲ（Synchrotron Radiation ）を照射しても
膜応力等が変化することなく、安定に使用できる利点が
ある。
したＳｉＣ膜には不純物が少なく、その結果、Ｘ線露光
用マスクのメンブレンに用いた場合、光透過率が向上
し、またＳＲ（Synchrotron Radiation ）を照射しても
膜応力等が変化することなく、安定に使用できる利点が
ある。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したとおり本発明は、ＳｉＣ膜
の成膜時において、反応ガスにＨＣｌを添加することを
特徴とする。そのため、形成されたＳｉＣ膜中における
Ｓｉ−Ｃ結合以外の余分なＳｉおよびＣは、ＨＣｌによ
って除去される。同様に、Ｈと結合したＳｉやＣもＨＣ
ｌで除去されて光透過率が高くなるとともに、Ｘ線照射
耐性も高くなる。したがって、これらの効果が示すよう
に本願発明によるＳｉＣ膜を、Ｘ線露光用マスクメンブ
レンとして使用すると、高精度で安定なパタン転写の露
光が可能になる。また、本発明を用いることにより、膜
厚と膜質の揃ったＳｉＣ膜の形成されたシリコン基板を
ＣＶＤ法で大量生産することができる。基板内の膜厚や
応力の均一性が高くなることにより、パタンの位置精度
が高いＸ線露光用マスクを作製することできる。基板表
面の異物を核として成長し発生するような欠陥が少なく
なり、欠陥の少ないＸ線マスクを得ることができる。
の成膜時において、反応ガスにＨＣｌを添加することを
特徴とする。そのため、形成されたＳｉＣ膜中における
Ｓｉ−Ｃ結合以外の余分なＳｉおよびＣは、ＨＣｌによ
って除去される。同様に、Ｈと結合したＳｉやＣもＨＣ
ｌで除去されて光透過率が高くなるとともに、Ｘ線照射
耐性も高くなる。したがって、これらの効果が示すよう
に本願発明によるＳｉＣ膜を、Ｘ線露光用マスクメンブ
レンとして使用すると、高精度で安定なパタン転写の露
光が可能になる。また、本発明を用いることにより、膜
厚と膜質の揃ったＳｉＣ膜の形成されたシリコン基板を
ＣＶＤ法で大量生産することができる。基板内の膜厚や
応力の均一性が高くなることにより、パタンの位置精度
が高いＸ線露光用マスクを作製することできる。基板表
面の異物を核として成長し発生するような欠陥が少なく
なり、欠陥の少ないＸ線マスクを得ることができる。
【図１】 本発明によって得られた結果（波長と透過率
との関係）を示すグラフである。
との関係）を示すグラフである。
【図２】 本発明によって得られた結果（溝番号とデポ
レートとの関係）を示すグラフである。
レートとの関係）を示すグラフである。
【図３】 従来例および本発明による昇温脱離分析の結
果を比較したグラフである。
果を比較したグラフである。
【図４】 一般的なＸ線露光用マスクを示す断面図であ
る。
る。
【図５】 ホットウォールタイプのＣＶＤ装置を示す構
成図である。
成図である。
【図６】 従来例によって得られた結果（波長と透過率
との関係）を示すグラフである。
との関係）を示すグラフである。
【図７】 従来例によって得られた結果（溝番号とデポ
レートとの関係）を示すグラフである。
レートとの関係）を示すグラフである。
１…Ｓｉウエハ、２…吸収体パタン支持用膜、３…吸収
体膜、４…吸収体パタン、５…加熱用ヒータ、６…反応
管、７…Ｓｉウエハ、８…ウエハボート、９…ガス流量
調整器、１０…排気装置、１１…反応ガス。
体膜、４…吸収体パタン、５…加熱用ヒータ、６…反応
管、７…Ｓｉウエハ、８…ウエハボート、９…ガス流量
調整器、１０…排気装置、１１…反応ガス。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 小田 政利
東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日
本電信電話株式会社内
(72)発明者 本吉 彰
東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号
エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロ
ジ株式会社内
(72)発明者 吉原 秀雄
東京都武蔵野市御殿山一丁目１番３号
エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロ
ジ株式会社内
(56)参考文献 特開 平６−61124（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−80202（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−20575（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−172895（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−214099（ＪＰ，Ａ)
特開 昭58−25226（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−267197（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−172894（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−210476（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−121339（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−1380（ＪＰ，Ａ)
特表 平10−509689（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
H01L 21/205;21/31;21/365
H01L 21/469;21/86
C23C 16/00 - 16/56
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｓｉの原料ガスとＣの原料ガスと前記原
料ガスを希釈するためのキャリアガスとの混合ガスを反
応ガスとして用いた、ホットウォールタイプのＣＶＤ装
置を使用したＣＶＤ法により、前記ＣＶＤ装置の反応管
内に載置された複数のシリコン基板上にＳｉＣの薄膜を
形成する工程と、 前記シリコン基板をエッチングすることにより、前記シ
リコン基板からなる枠体とこの枠体に張設された前記薄
膜からなる吸収体パタン支持用膜とを同時に形成する工
程とを有するＸ線露光用マスクの製造方法において、 前記反応ガスに、ＨＣｌ（塩化水素）をさらに添加する
ことを特徴とするＸ線露光用マスクの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記キャリアガスとして、Ｈ2 （水素）またはＡｒ（ア
ルゴン）の何れかを用いることを特徴とするＸ線露光用
マスクの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１において、 前記Ｓｉの原料ガスとして、ＳｉＨ2Ｃｌ2（ジクロルシ
ラン），ＳｉＨＣｌ3（トリクロルシラン）またはＳｉ
Ｃｌ4 （テトラクロライド）の何れかを用いることを特
徴とするＸ線露光用マスクの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１において、 前記Ｃの原料ガスとして、ＣＨ4 （メタン），Ｃ2Ｈ
2（アセチレン），Ｃ2Ｈ4（エチレン）またはＣ3Ｈ
8（プロパン）の何れかを用いることを特徴とするＸ線
露光用マスクの製造方法。 - 【請求項５】 請求項１において、 前記Ｓｉの原料ガスおよび前記Ｃの原料ガスとして、Ｃ
Ｈ3ＳｉＣｌ3（メチルトリクロルシラン）を用いること
を特徴とするＸ線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01409999A JP3380761B2 (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01409999A JP3380761B2 (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000216075A JP2000216075A (ja) | 2000-08-04 |
| JP3380761B2 true JP3380761B2 (ja) | 2003-02-24 |
Family
ID=11851680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01409999A Expired - Fee Related JP3380761B2 (ja) | 1999-01-22 | 1999-01-22 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3380761B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014027472A1 (ja) | 2012-08-17 | 2014-02-20 | 株式会社Ihi | 耐熱複合材料の製造方法及び製造装置 |
| US10167549B2 (en) | 2014-02-17 | 2019-01-01 | Ihi Corporation | Heat-resistant composite material production method and production device |
| US10221104B2 (en) | 2014-02-25 | 2019-03-05 | Ihi Corporation | Heat-resistant composite material production method and production device |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3915697B2 (ja) * | 2002-01-15 | 2007-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| CN102169287B (zh) * | 2011-05-31 | 2012-08-22 | 北京大学 | 一种光刻掩膜版及其制备方法 |
-
1999
- 1999-01-22 JP JP01409999A patent/JP3380761B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014027472A1 (ja) | 2012-08-17 | 2014-02-20 | 株式会社Ihi | 耐熱複合材料の製造方法及び製造装置 |
| US9822445B2 (en) | 2012-08-17 | 2017-11-21 | Ihi Corporation | Method for manufacturing heat-resistant composite material |
| US10167549B2 (en) | 2014-02-17 | 2019-01-01 | Ihi Corporation | Heat-resistant composite material production method and production device |
| US10221104B2 (en) | 2014-02-25 | 2019-03-05 | Ihi Corporation | Heat-resistant composite material production method and production device |
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|---|---|
| JP2000216075A (ja) | 2000-08-04 |
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