JP5797812B2 - フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5797812B2 JP5797812B2 JP2014115492A JP2014115492A JP5797812B2 JP 5797812 B2 JP5797812 B2 JP 5797812B2 JP 2014115492 A JP2014115492 A JP 2014115492A JP 2014115492 A JP2014115492 A JP 2014115492A JP 5797812 B2 JP5797812 B2 JP 5797812B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etching mask
- light shielding
- light
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 320
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 182
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 115
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 110
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 78
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 77
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 77
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 75
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 69
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 63
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 59
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 52
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 49
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 30
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 22
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 964
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 194
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 59
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 58
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 51
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 32
- CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynechromium Chemical compound [Cr]#N CXOWYMLTGOFURZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 22
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 17
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 12
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 6-[(5S)-5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-2-oxo-1,3-oxazolidin-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C[C@H]1CN(C(O1)=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 1-(2H-benzotriazol-5-yl)-3-methyl-8-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carbonyl]-1,3,8-triazaspiro[4.5]decane-2,4-dione Chemical compound CN1C(=O)N(c2ccc3n[nH]nc3c2)C2(CCN(CC2)C(=O)c2cnc(NCc3cccc(OC(F)(F)F)c3)nc2)C1=O YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-N-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)acetamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)NC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 JQMFQLVAJGZSQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHCCLXNEEPMSIO-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 IHCCLXNEEPMSIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009304 pastoral farming Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
本発明は、半導体デバイス等の製造において使用されるフォトマスクブランク、フォト
マスク及びその製造方法等に関する。
マスク及びその製造方法等に関する。
半導体デバイス等の微細化は、性能、機能の向上（高速動作や低消費電力化等）や低コ
スト化をもたらす利点があり、微細化はますます加速されている。この微細化を支えてい
るのがリソグラフィ技術であり、転写用マスクは、露光装置、レジスト材料とともにキー
技術となっている。
近年、半導体デバイスの設計仕様でいうハーフピッチ（ｈｐ）３２ｎｍ世代の開発が進
められている。これはＡｒＦエキシマレーザー露光光の波長１９３ｎｍの１/６に相当し
ている。ｈｐ３２ｎｍ以降の世代では従来の位相シフト法、斜入射照明法や瞳フィルター
法などの超解像技術（Resolution Enhancement Technology：RET）と光近接効果補正（Optical Proximity Correction : OPC）技術の適用だけでは不十分となってきており、超高ＮＡ技術（液浸リソグラフィ）や二重露光法（ダブルパターニング）が必要となってきている。
スト化をもたらす利点があり、微細化はますます加速されている。この微細化を支えてい
るのがリソグラフィ技術であり、転写用マスクは、露光装置、レジスト材料とともにキー
技術となっている。
近年、半導体デバイスの設計仕様でいうハーフピッチ（ｈｐ）３２ｎｍ世代の開発が進
められている。これはＡｒＦエキシマレーザー露光光の波長１９３ｎｍの１/６に相当し
ている。ｈｐ３２ｎｍ以降の世代では従来の位相シフト法、斜入射照明法や瞳フィルター
法などの超解像技術（Resolution Enhancement Technology：RET）と光近接効果補正（Optical Proximity Correction : OPC）技術の適用だけでは不十分となってきており、超高ＮＡ技術（液浸リソグラフィ）や二重露光法（ダブルパターニング）が必要となってきている。
透明基板上に、遮光膜のマスクパターンを有するフォトマスクを作成する場合、マスク
パターンが形成されたレジスト膜をマスクとして遮光膜（例えばＣｒ系の単層膜又は複数
の積層膜）のドライエッチングを行う際、レジスト膜もエッチングされて消費される。こ
のため遮光層にマスクパターンを転写したときの解像性が低下してしまう。
この対応策としては、遮光膜の薄膜化が有効である。しかし、遮光膜を薄膜化すると、
ＯＤ値（光学濃度）が減少してしまう。
上記の対応策として、特許文献１の方法が提案されている。この方法は、例えば、基板
上に、ＭｏＳｉ系遮光膜／Ｃｒ系のエッチングマスク膜（兼反射防止膜）を形成したブラ
ンクを用いる（同文献［０１７４］欄等参照）。そして、膜厚の薄いＣｒ系のエッチング
マスク膜を用いることによって、レジストへの負担が軽減され、膜厚の薄いＣｒ系のエッ
チングマスク膜にマスクパターンを転写したときの解像性の低下は改善される。これと共
に、レジストに比べて遮光膜に対しより高いエッチング選択性を有し、かつレジストに比
べて膜厚の大幅に薄いエッチングマスク膜が遮光膜のエッチングマスクとなることで遮光
膜パターンのＣＤの改善を図ろうとするものである。このとき遮光膜のＯＤ＝３ も確保
されるが、ＭｏＳｉ系の遮光膜自体を薄膜化しようとするものではない。
また、特許文献２には、ＭｏＳｉ系材料の積層構造からなる遮光膜として、例えば、基
板側からＭｏＳｉＮ主遮光層／ＭｏＳｉＯＮ反射防止層の積層構造からなる遮光膜等が記
載されている。
特開２００７−２４１０６５号公報
特開２００６−７８８０７号公報
パターンが形成されたレジスト膜をマスクとして遮光膜（例えばＣｒ系の単層膜又は複数
の積層膜）のドライエッチングを行う際、レジスト膜もエッチングされて消費される。こ
のため遮光層にマスクパターンを転写したときの解像性が低下してしまう。
この対応策としては、遮光膜の薄膜化が有効である。しかし、遮光膜を薄膜化すると、
ＯＤ値（光学濃度）が減少してしまう。
上記の対応策として、特許文献１の方法が提案されている。この方法は、例えば、基板
上に、ＭｏＳｉ系遮光膜／Ｃｒ系のエッチングマスク膜（兼反射防止膜）を形成したブラ
ンクを用いる（同文献［０１７４］欄等参照）。そして、膜厚の薄いＣｒ系のエッチング
マスク膜を用いることによって、レジストへの負担が軽減され、膜厚の薄いＣｒ系のエッ
チングマスク膜にマスクパターンを転写したときの解像性の低下は改善される。これと共
に、レジストに比べて遮光膜に対しより高いエッチング選択性を有し、かつレジストに比
べて膜厚の大幅に薄いエッチングマスク膜が遮光膜のエッチングマスクとなることで遮光
膜パターンのＣＤの改善を図ろうとするものである。このとき遮光膜のＯＤ＝３ も確保
されるが、ＭｏＳｉ系の遮光膜自体を薄膜化しようとするものではない。
また、特許文献２には、ＭｏＳｉ系材料の積層構造からなる遮光膜として、例えば、基
板側からＭｏＳｉＮ主遮光層／ＭｏＳｉＯＮ反射防止層の積層構造からなる遮光膜等が記
載されている。
ＤＲＡＭ ｈｐ３２ｎｍ以降の世代に適応するモリブデンシリサイド系の遮光膜を用い
たフォトマスクを作成する場合、従来のＣｒ系材料を用いたエッチングマスクを用いたマ
スク作製プロセス（遮光膜とのエッチング選択性の観点だけでエッチングマスクを選定す
ること。）を採用するだけでは不十分となっている。
また、エッジコントラスト確保などの理由から、ウェハ上のレジストには結像されない
微細補助パターン（Sub Resolution Assist Feature ：ＳＲＡＦ）を形成する必要性が生じてきている。ＤＲＡＭ ｈｐ３２ｎｍ以降の世代では、フォトマスク上に４０ｎｍ未満の線幅のＳＲＡＦの形成が必要な場合がある。
ＤＲＡＭ ｈｐ３２ｎｍ以降の世代に使用するフォトマスクに求められる解像性（４０
ｎｍ未満）を得るためには、レジストパターンのアスペクト比を低減し、レジストパター
ンの倒れを防止する観点から、レジスト膜の膜厚を１００ｎｍ以下とする必要がある。
レジスト膜の膜厚を１００ｎｍ以下とするためには、上記した従来のフォトマスクブラ
ンクの層構成では不十分であり、エッチングマスク、遮光膜の両方を改善する必要がある
ことを本発明者は突き止めた。
詳しくは、１００ｎｍ以下のレジスト膜厚でエッチングマスクにマスクパターンを転写
できるように、エッチングマスク膜の構成を改善する必要があるが、エッチングマスク膜
の膜厚を単に薄くするだけでは不十分であり、下層の遮光膜にマスクパターンを転写する
エッチングプロセスが完了するまで、エッチングマスク膜がマスクパターンを維持できな
ければならないため、従来のエッチングマスク膜の構成、従来の遮光膜の構成では、実現
が困難であることを本発明者は突き止めた。
一方、レジスト膜厚を１００ｎｍ以下とすると、ＬＥＲ（Line Edge Roughness）が従来よりも大きくなる傾向が発生する。これは、マスクパターンが形成されたレジスト膜をマスクにエッチングマスク膜をドライエッチングする際、レジスト膜もエッチングされて消費されるが、膜厚が薄い方がパターンの形状悪化が顕著であり、エッチングマスク膜にマスクパターンを転写したときのＬＥＲが悪化してしまうことを本発明者は突き止めた。また、レジストパターンの線幅が４０ｎｍ未満となると、レジストパターンのドライエッチングによる消費（減膜）の影響が相対的に大きくなり、その影響が無視できなくなることを本発明者は突き止めた。これらの問題を解決するためにも、エッチングマスクにマスクパターンを転写するときにドライエッチングする時間を短縮する必要があることを本発明者は突き止めた。
たフォトマスクを作成する場合、従来のＣｒ系材料を用いたエッチングマスクを用いたマ
スク作製プロセス（遮光膜とのエッチング選択性の観点だけでエッチングマスクを選定す
ること。）を採用するだけでは不十分となっている。
また、エッジコントラスト確保などの理由から、ウェハ上のレジストには結像されない
微細補助パターン（Sub Resolution Assist Feature ：ＳＲＡＦ）を形成する必要性が生じてきている。ＤＲＡＭ ｈｐ３２ｎｍ以降の世代では、フォトマスク上に４０ｎｍ未満の線幅のＳＲＡＦの形成が必要な場合がある。
ＤＲＡＭ ｈｐ３２ｎｍ以降の世代に使用するフォトマスクに求められる解像性（４０
ｎｍ未満）を得るためには、レジストパターンのアスペクト比を低減し、レジストパター
ンの倒れを防止する観点から、レジスト膜の膜厚を１００ｎｍ以下とする必要がある。
レジスト膜の膜厚を１００ｎｍ以下とするためには、上記した従来のフォトマスクブラ
ンクの層構成では不十分であり、エッチングマスク、遮光膜の両方を改善する必要がある
ことを本発明者は突き止めた。
詳しくは、１００ｎｍ以下のレジスト膜厚でエッチングマスクにマスクパターンを転写
できるように、エッチングマスク膜の構成を改善する必要があるが、エッチングマスク膜
の膜厚を単に薄くするだけでは不十分であり、下層の遮光膜にマスクパターンを転写する
エッチングプロセスが完了するまで、エッチングマスク膜がマスクパターンを維持できな
ければならないため、従来のエッチングマスク膜の構成、従来の遮光膜の構成では、実現
が困難であることを本発明者は突き止めた。
一方、レジスト膜厚を１００ｎｍ以下とすると、ＬＥＲ（Line Edge Roughness）が従来よりも大きくなる傾向が発生する。これは、マスクパターンが形成されたレジスト膜をマスクにエッチングマスク膜をドライエッチングする際、レジスト膜もエッチングされて消費されるが、膜厚が薄い方がパターンの形状悪化が顕著であり、エッチングマスク膜にマスクパターンを転写したときのＬＥＲが悪化してしまうことを本発明者は突き止めた。また、レジストパターンの線幅が４０ｎｍ未満となると、レジストパターンのドライエッチングによる消費（減膜）の影響が相対的に大きくなり、その影響が無視できなくなることを本発明者は突き止めた。これらの問題を解決するためにも、エッチングマスクにマスクパターンを転写するときにドライエッチングする時間を短縮する必要があることを本発明者は突き止めた。
本発明は、レジスト膜厚１００ｎｍ以下（概ねｈｐ３２ｎｍ以降）、更にはレジスト膜
厚７５ｎｍ以下（概ねｈｐ３２ｎｍ以降）、更にはレジスト膜厚６５ｎｍ以下（概ねｈｐ
２２ｎｍ以降）をねらった世代のフォトマスクブランク及びフォトマスクの提供を目的と
する。
また本発明は、半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）３２ｎｍ
以降の世代に適用可能なフォトマスクブランク及びフォトマスクの提供を目的とする。
また本発明は、マスク上のパターンの解像性４０ｎｍ未満を達成可能なフォトマスクブ
ランク及びフォトマスクの提供を目的とする。
厚７５ｎｍ以下（概ねｈｐ３２ｎｍ以降）、更にはレジスト膜厚６５ｎｍ以下（概ねｈｐ
２２ｎｍ以降）をねらった世代のフォトマスクブランク及びフォトマスクの提供を目的と
する。
また本発明は、半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）３２ｎｍ
以降の世代に適用可能なフォトマスクブランク及びフォトマスクの提供を目的とする。
また本発明は、マスク上のパターンの解像性４０ｎｍ未満を達成可能なフォトマスクブ
ランク及びフォトマスクの提供を目的とする。
本発明は、以下の構成を有する。
（構成１）
波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォ
トマスクブランクであって、
前記フォトマスクブランクは、
透光性基板と、
透光性基板の上に形成され、モリブデン及びシリコンを含有する遮光膜と、
該遮光膜の上に接して形成され、クロムを含有するエッチングマスク膜とを備え、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から遮光層と反射防止層とをこの順に備え、
前記遮光層のモリブデンの含有量が９原子％以上４０原子％以下であり、
前記エッチングマスク膜のクロムの含有量が４５原子％以下であることを特徴とするフォ
トマスクブランク。
（構成２）
波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォ
トマスクブランクであって、
前記フォトマスクブランクは、
透光性基板と、
透光性基板の上に形成され、モリブデン及びシリコンを含有する遮光膜と、
該遮光膜の上に接して形成され、クロムを含有するエッチングマスク膜とを備え、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から遮光層と反射防止層とをこの順に備え、
前記エッチングマスク膜のクロムの含有量が４５原子％以下であり、
前記遮光膜及びエッチングマスク膜からなる積層膜のシート抵抗値が３．０ｋΩ／□以下
であることを特徴とするフォトマスクブランク。
（構成３）
前記エッチングマスク膜は、クロムの含有量が３５原子％以下であり、窒素及び酸素のう
ち少なくとも一方を含むことを特徴とする構成１又は２に記載のフォトマスクブランク。
（構成４）
前記エッチングマスク膜は、窒素及び酸素のうち少なくとも一方と、炭素とを含むこと
を特徴とする構成１から３のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
（構成５）
前記エッチングマスク膜は、その上に形成されるレジスト膜であって、膜厚が１００ｎｍ
以下のレジスト膜を用いて加工され、
前記エッチングマスク膜は、膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
前記遮光膜は、膜厚が６０ｎｍ以下であることを特徴とする構成１から４のいずれかに記
載のフォトマスクブランク。
（構成６）
前記レジスト膜の膜厚が７５ｎｍ以下であり、かつ、
前記エッチングマスク膜の膜厚が５ｎｍ以上、１５ｎｍ以下であることを特徴とする構成
５に記載のフォトマスクブランク。
（構成７）
前記レジスト膜の膜厚が６５ｎｍ以下であり、かつ、
前記エッチングマスク膜の膜厚が５ｎｍ以上、１０ｎｍ以下であることを特徴とする構成
５に記載のフォトマスクブランク。
（構成８）
前記遮光層は、モリブデン及びシリコンからなる材料、又はモリブデン、シリコン及び窒
素からなる材料で形成されることを特徴とする構成１から７のいずれかに記載のフォトマ
スクブランク。
（構成９）
前記遮光膜は、前記遮光層及び反射防止層の２層で構成され、
前記遮光層は、モリブデン、シリコン及び窒素からなる材料で形成され、
前記反射防止層は、モリブデン及びシリコンと、酸素及び窒素のうちの少なくとも一方と
からなる材料で形成されることを特徴とする構成１から７のいずれかに記載のフォトマス
クブランク。
（構成１０）
前記エッチングマスク膜は、フォトマスクを作製したときに除去される膜であることを特
徴とする構成１から９のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
（構成１１）
前記フォトマスクブランクは、前記エッチングマスク膜の上に形成されたレジスト膜を
有することを特徴とする構成１から１０のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
（構成１２）
構成１から構成１１のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いて作製されるフォト
マスク。
（構成１３）
構成１から構成１１のいずれかに記載のフォトマスクブランクを準備し、
前記エッチングマスク膜上に形成されたレジストパターンをマスクとして、前記エッチ
ングマスク膜に対して酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行うことによっ
て、パターン転写を行い、
前記エッチングマスク膜に形成されたパターンをマスクとして、前記遮光膜にフッ素系
ガスを用いるドライエッチングを行うことによって、パターン転写を行い、
前記遮光膜へのパターン転写後、酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行
うことによって、前記エッチングマスク膜を除去することを特徴とするフォトマスクの製
造方法。
（構成１４）
構成１２に記載のフォトマスクのパターンを転写することにより、半導体デバイスを製
造することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
（構成１）
波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォ
トマスクブランクであって、
前記フォトマスクブランクは、
透光性基板と、
透光性基板の上に形成され、モリブデン及びシリコンを含有する遮光膜と、
該遮光膜の上に接して形成され、クロムを含有するエッチングマスク膜とを備え、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から遮光層と反射防止層とをこの順に備え、
前記遮光層のモリブデンの含有量が９原子％以上４０原子％以下であり、
前記エッチングマスク膜のクロムの含有量が４５原子％以下であることを特徴とするフォ
トマスクブランク。
（構成２）
波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォ
トマスクブランクであって、
前記フォトマスクブランクは、
透光性基板と、
透光性基板の上に形成され、モリブデン及びシリコンを含有する遮光膜と、
該遮光膜の上に接して形成され、クロムを含有するエッチングマスク膜とを備え、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から遮光層と反射防止層とをこの順に備え、
前記エッチングマスク膜のクロムの含有量が４５原子％以下であり、
前記遮光膜及びエッチングマスク膜からなる積層膜のシート抵抗値が３．０ｋΩ／□以下
であることを特徴とするフォトマスクブランク。
（構成３）
前記エッチングマスク膜は、クロムの含有量が３５原子％以下であり、窒素及び酸素のう
ち少なくとも一方を含むことを特徴とする構成１又は２に記載のフォトマスクブランク。
（構成４）
前記エッチングマスク膜は、窒素及び酸素のうち少なくとも一方と、炭素とを含むこと
を特徴とする構成１から３のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
（構成５）
前記エッチングマスク膜は、その上に形成されるレジスト膜であって、膜厚が１００ｎｍ
以下のレジスト膜を用いて加工され、
前記エッチングマスク膜は、膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
前記遮光膜は、膜厚が６０ｎｍ以下であることを特徴とする構成１から４のいずれかに記
載のフォトマスクブランク。
（構成６）
前記レジスト膜の膜厚が７５ｎｍ以下であり、かつ、
前記エッチングマスク膜の膜厚が５ｎｍ以上、１５ｎｍ以下であることを特徴とする構成
５に記載のフォトマスクブランク。
（構成７）
前記レジスト膜の膜厚が６５ｎｍ以下であり、かつ、
前記エッチングマスク膜の膜厚が５ｎｍ以上、１０ｎｍ以下であることを特徴とする構成
５に記載のフォトマスクブランク。
（構成８）
前記遮光層は、モリブデン及びシリコンからなる材料、又はモリブデン、シリコン及び窒
素からなる材料で形成されることを特徴とする構成１から７のいずれかに記載のフォトマ
スクブランク。
（構成９）
前記遮光膜は、前記遮光層及び反射防止層の２層で構成され、
前記遮光層は、モリブデン、シリコン及び窒素からなる材料で形成され、
前記反射防止層は、モリブデン及びシリコンと、酸素及び窒素のうちの少なくとも一方と
からなる材料で形成されることを特徴とする構成１から７のいずれかに記載のフォトマス
クブランク。
（構成１０）
前記エッチングマスク膜は、フォトマスクを作製したときに除去される膜であることを特
徴とする構成１から９のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
（構成１１）
前記フォトマスクブランクは、前記エッチングマスク膜の上に形成されたレジスト膜を
有することを特徴とする構成１から１０のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
（構成１２）
構成１から構成１１のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いて作製されるフォト
マスク。
（構成１３）
構成１から構成１１のいずれかに記載のフォトマスクブランクを準備し、
前記エッチングマスク膜上に形成されたレジストパターンをマスクとして、前記エッチ
ングマスク膜に対して酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行うことによっ
て、パターン転写を行い、
前記エッチングマスク膜に形成されたパターンをマスクとして、前記遮光膜にフッ素系
ガスを用いるドライエッチングを行うことによって、パターン転写を行い、
前記遮光膜へのパターン転写後、酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行
うことによって、前記エッチングマスク膜を除去することを特徴とするフォトマスクの製
造方法。
（構成１４）
構成１２に記載のフォトマスクのパターンを転写することにより、半導体デバイスを製
造することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
本発明によれば、レジスト膜厚１００ｎｍ以下、更にはレジスト膜厚７５ｎｍ以下、更
にはレジスト膜厚６５ｎｍ以下であっても、レジストパターンのＬＥＲの影響が少ない、
エッチングマスクパターンのＬＥＲの影響が少ない、遮光膜が所定以上の遮光性能を有す
るという複数の条件を同時に満たすように、エッチングマスク膜をエッチングレートが速
い材料でクロム含有量を設定し、遮光膜も遮光性能が高く導電性を確保できる材料でモリ
ブデン含有量を設定することにより、半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッ
チ（ｈｐ）３２ｎｍ以降の世代に求められる解像性（４０ｎｍ未満）を満たし、かつレジ
ストパターンの倒れも防止できるフォトマスクブランク及びフォトマスクを提供できる。
なお、本発明におけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）３２ｎｍは、２００８年版ＩＴＲ
Ｓ（International Technology Roadmap for Semiconductors）によるものである。また、本発明は、ＤＲＡＭだけでなく、フラッシュメモリやＭＰＵにも適用することが可能である。
にはレジスト膜厚６５ｎｍ以下であっても、レジストパターンのＬＥＲの影響が少ない、
エッチングマスクパターンのＬＥＲの影響が少ない、遮光膜が所定以上の遮光性能を有す
るという複数の条件を同時に満たすように、エッチングマスク膜をエッチングレートが速
い材料でクロム含有量を設定し、遮光膜も遮光性能が高く導電性を確保できる材料でモリ
ブデン含有量を設定することにより、半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッ
チ（ｈｐ）３２ｎｍ以降の世代に求められる解像性（４０ｎｍ未満）を満たし、かつレジ
ストパターンの倒れも防止できるフォトマスクブランク及びフォトマスクを提供できる。
なお、本発明におけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）３２ｎｍは、２００８年版ＩＴＲ
Ｓ（International Technology Roadmap for Semiconductors）によるものである。また、本発明は、ＤＲＡＭだけでなく、フラッシュメモリやＭＰＵにも適用することが可能である。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明のフォトマスクブランクは、波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマス
クを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、
前記フォトマスクブランクは、
透光性基板と、
透光性基板の上に形成され、モリブデン及びシリコンを含有する遮光膜と、
該遮光膜の上に接して形成され、クロムを含有するエッチングマスク膜とを備え、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から遮光層と反射防止層とをこの順に備え、
前記遮光層のモリブデンの含有量が９原子％以上４０原子％以下であり、
前記エッチングマスク膜のクロムの含有量が４５原子％以下である
ことを特徴とする（構成１）。
また、本発明のフォトマスクブランクは、波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフ
ォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、
前記フォトマスクブランクは、
透光性基板と、
透光性基板の上に形成され、モリブデン及びシリコンを含有する遮光膜と、
該遮光膜の上に接して形成され、クロムを含有するエッチングマスク膜とを備え、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から遮光層と反射防止層とをこの順に備え、
前記エッチングマスク膜のクロムの含有量が４５原子％以下であり、
前記遮光膜及びエッチングマスク膜からなる積層膜のシート抵抗値が３．０ｋΩ／□以下
であることを特徴とする（構成２）。
本発明のフォトマスクブランクは、波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマス
クを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、
前記フォトマスクブランクは、
透光性基板と、
透光性基板の上に形成され、モリブデン及びシリコンを含有する遮光膜と、
該遮光膜の上に接して形成され、クロムを含有するエッチングマスク膜とを備え、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から遮光層と反射防止層とをこの順に備え、
前記遮光層のモリブデンの含有量が９原子％以上４０原子％以下であり、
前記エッチングマスク膜のクロムの含有量が４５原子％以下である
ことを特徴とする（構成１）。
また、本発明のフォトマスクブランクは、波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフ
ォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、
前記フォトマスクブランクは、
透光性基板と、
透光性基板の上に形成され、モリブデン及びシリコンを含有する遮光膜と、
該遮光膜の上に接して形成され、クロムを含有するエッチングマスク膜とを備え、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から遮光層と反射防止層とをこの順に備え、
前記エッチングマスク膜のクロムの含有量が４５原子％以下であり、
前記遮光膜及びエッチングマスク膜からなる積層膜のシート抵抗値が３．０ｋΩ／□以下
であることを特徴とする（構成２）。
本発明者は、透光性基板上に、ＭｏＳｉ系遮光膜、Ｃｒ系エッチングマスク膜、レジス
ト膜（膜厚１００ｎｍ以下）をこの順で（互いに接して）備えるマスクブランクを用いて
加工を行う際に、
（１）エッチングマスク膜の膜厚を単に薄くする（例えば２０ｎｍ以下にする）だけでは
レジストパターンのＬＥＲを低減できない場合があること、
（２）レジストパターンのＬＥＲを低減する観点からは、Ｃｒ系エッチングマスク膜は、Ｃｒ成分が多い材料では塩素系（例えば、Ｃｌ２＋Ｏ２）ドライエッチングのエッチングレートが遅いので好ましくなく、従ってこの観点からはＣｒ系エッチングマスク膜は、Ｃｒ成分が少なく、高窒化（窒化度が高い）、高酸化（酸化度が高い）されたＣｒ系材料が好ましいこと、
（３）Ｃｒ系エッチングマスク膜パターンのＬＥＲを低減する観点からは、Ｃｒ系エッチ
ングマスク膜は、Ｃｒ成分が多い材料の方がフッ素系ドライエッチングのエッチングレー
トが遅いので好ましく、従ってこの観点からはＣｒ系エッチングマスク膜は、Ｃｒ成分が
多いＣｒ系材料が好ましいこと、
（４）上記（２）と（３）はトレードオフの関係にあり、それを考慮すると、Ｃｒ系エッ
チングマスク膜は、膜中のクロムの含有量が５０原子％以下であることが好ましいこと、
さらにＣｒ系エッチングマスク膜中のクロムの含有量が４５原子％以下であることが好ま
しく、３５原子％以下がより好ましいこと、また、Ｃｒ系エッチングマスク膜中のクロム
の含有量の下限は２０原子％以上が好ましく、さらに好ましくは３０原子％以上が好まし
いこと、特に、エッチングマスク膜が酸化クロム膜の場合は３３原子％以上が好ましいこ
と、
を見い出した。
Ｃｒ系エッチングマスク膜のクロム含有量に着目して詳細に説明する。
近年、微細パターンを形成するために、レジスト膜として電子線描画用レジスト膜を用
いて、例えば、２００Ａ／ｃｍ２以上の高電流密度の電子線描画装置による電子線描画露光を採用している。このような電子線描画露光では、チャージアップを防止するために、レジスト膜下の薄膜に導電性を持たせる必要がある。したがって、フォトマスクブランクとしてＭｏＳｉ系遮光膜上にＣｒ系エッチングマスク膜が設けられた構成では、ＭｏＳｉ系遮光膜かＣｒ系エッチングマスク膜のいずれかに導電性を持たせなければならない。
Ｃｒ系エッチングマスク膜で導電性を確保する場合には、Ｃｒ系エッチングマスク膜クロ
ムの含有量が多い膜とすることが考えられる。この構成では、レジスト膜下に位置する遮
光膜及びエッチングマスク膜の積層膜からなる薄膜において、上層のエッチングマスク膜
で導電性を確保すると同時に、上述した（３）のフッ素系エッチングに対する耐性を良く
してエッチングマスク膜のＬＥＲを良好にすることができる。
しかしながら、クロムの含有量が５０原子％より多い構成では、エッチングレートが遅
くなってしまい、Ｃｒ系エッチングマスク膜のドライエッチング時にレジスト膜が膜べり
するため、レジスト膜厚を厚くしなければならない。この結果、転写パターン中、特に４
０ｎｍ未満のＳＲＡＦ部分のレジストパターンにおけるアスペクト比（１：２．５）が高
くなり、倒壊や欠落を生じ易く、ＤＲＡＭ ｈｐ３２ｎｍ以降の世代の微細パターンに適
した解像度を有するフォトマスクを得ることができなくなってしまう。
本発明では、Ｃｒ系エッチングマスク膜をクロム含有量が５０原子％以下のＣｒ成分が
少ない材料とすることでエッチングレートを速くし、ＭｏＳｉ系遮光膜で導電性を確保し
て、レジスト膜下の薄膜の導電性を確保する。具体的には、電子線描画露光において、位
置精度エラーを０．１ｎｍ以下とするためには、シート抵抗値で３．０ｋΩ／□以下にす
る必要がある。即ち、遮光膜における遮光層がモリブデン及びシリコンを含む材料であっ
て、かつモリブデンの含有量を９原子％以上とすることによって、レジスト膜下の薄膜の
導電性を下層の遮光膜で確保する一方、Ｃｒ系エッチングマスク膜のクロムの含有量を５
０原子％以下とすることによって、Ｃｒ系エッチングマスク膜のエッチングレートを速く
している。これにより、レジスト膜を１００ｎｍ以下とすることが可能となり、レジスト
膜のＬＥＲを向上させることができる。
また、Ｃｒ系エッチングマスク膜をエッチングする場合、塩素イオンの入射はレジスト
パターンのアスペクト比が大きくなる（パターンのピッチが小さくなる）にしたがって阻
害されるので、アスペクト比の異なるパターン間でのエッチングレート差によるマイクロ
ローディング現象が生じる。そこで、本発明では、エッチングマスク膜中のクロムの含有
量を４５原子％以下にすることによって、エッチングレートを速くしている。これにより、アスペクト比の異なるパターン間でのエッチングレート差を小さくすることができ、マイクロローディング現象を抑制することが可能となる。その結果、ＣＤリニアリティの悪化を防止することができる。
本発明におけるフォトマスクブランクは、遮光膜が透光性基板側から遮光層と反射防止
層とをこの順に備える構造である。このフォトマスクブランクを用いてフォトマスクを作
製する場合には、遮光膜が反射防止機能を有しているため、遮光膜上のエッチングマスク
膜を最終的に剥離することとなる。つまり、本発明におけるフォトマスクの構造は、遮光
層と反射防止層とを備えた遮光膜パターンで構成することとなる。このとき、エッチング
マスク膜のクロムの含有量が３５原子％以下の場合には、エッチングマスク膜をＣｌ２とＯ２の混合ガスでドライエッチングによって剥離する際に、エッチングレートを速くすることができ、エッチングマスク膜を剥離しやすいため、ＣＤユニフォミティの悪化を防止することができる。
上記によると、本発明におけるフォトマスクブランクは、膜の導電性及びＭｏＳｉ系膜
との良好なエッチング選択性の確保に加えて、Ｃｒ系エッチングマスク膜とレジスト膜の
ＬＥＲ、レジスト膜のレジスト膜の解像性、マイクロローディング現象の抑制によるＣＤ
リニアリティの改善、Ｃｒ系エッチングマスク膜の迅速な剥離によるＣＤユニフォミティ
の改善という要素まで総合的に考慮して、Ｃｒ系エッチングマスク膜のクロムの含有量と
遮光層のモリブデンの含有量を選択してなされたものです。
（５）上記（２）及び（４）に関連し（即ちＣｒ系エッチングマスク膜のエッチング時間
の短縮に関連し）、レジストパターンのＬＥＲ（Line Edge Roughness）を低減する観点からは、Ｃｒ系エッチングマスク膜の膜厚は２０ｎｍ以下であることが好ましいこと、
（６）上記（３）及び（４）に関連し（即ちＣｒ系エッチングマスク膜のエッチング耐性
に関連し）、下層の遮光膜にマスクパターンを転写するエッチングプロセスが完了するま
で、エッチングマスクがマスクパターンを維持できなければならないため、Ｃｒ系エッチ
ングマスク膜の膜厚は５ｎｍ以上であることが好ましいこと、
（７）Ｃｒ系材料は、ＭｏＳｉ系材料との間でフッ素系ガスに対する高いエッチング選択
比を有する。しかし、フッ素系ガスによるエッチング中は物理的なエッチングの影響は少
なからず受けるので全く減膜しないわけではない。よって、Ｃｒ系エッチングマスク膜を
最適化しても、ＭｏＳｉ系遮光膜の膜厚が６０ｎｍを超えて厚くなると、フッ素系ガスに
よるドライエッチングのエッチング時間が長くなり、このドライエッチング後のＣｒ系エ
ッチングマスク膜の膜厚が薄くなり、Ｃｒ系エッチングマスク膜パターンのＬＥＲ（Line Edge Roughness）が悪化するので、ＭｏＳｉ系遮光膜の膜厚は６０ｎｍ以下であることが好ましいこと、
を見い出した。
ト膜（膜厚１００ｎｍ以下）をこの順で（互いに接して）備えるマスクブランクを用いて
加工を行う際に、
（１）エッチングマスク膜の膜厚を単に薄くする（例えば２０ｎｍ以下にする）だけでは
レジストパターンのＬＥＲを低減できない場合があること、
（２）レジストパターンのＬＥＲを低減する観点からは、Ｃｒ系エッチングマスク膜は、Ｃｒ成分が多い材料では塩素系（例えば、Ｃｌ２＋Ｏ２）ドライエッチングのエッチングレートが遅いので好ましくなく、従ってこの観点からはＣｒ系エッチングマスク膜は、Ｃｒ成分が少なく、高窒化（窒化度が高い）、高酸化（酸化度が高い）されたＣｒ系材料が好ましいこと、
（３）Ｃｒ系エッチングマスク膜パターンのＬＥＲを低減する観点からは、Ｃｒ系エッチ
ングマスク膜は、Ｃｒ成分が多い材料の方がフッ素系ドライエッチングのエッチングレー
トが遅いので好ましく、従ってこの観点からはＣｒ系エッチングマスク膜は、Ｃｒ成分が
多いＣｒ系材料が好ましいこと、
（４）上記（２）と（３）はトレードオフの関係にあり、それを考慮すると、Ｃｒ系エッ
チングマスク膜は、膜中のクロムの含有量が５０原子％以下であることが好ましいこと、
さらにＣｒ系エッチングマスク膜中のクロムの含有量が４５原子％以下であることが好ま
しく、３５原子％以下がより好ましいこと、また、Ｃｒ系エッチングマスク膜中のクロム
の含有量の下限は２０原子％以上が好ましく、さらに好ましくは３０原子％以上が好まし
いこと、特に、エッチングマスク膜が酸化クロム膜の場合は３３原子％以上が好ましいこ
と、
を見い出した。
Ｃｒ系エッチングマスク膜のクロム含有量に着目して詳細に説明する。
近年、微細パターンを形成するために、レジスト膜として電子線描画用レジスト膜を用
いて、例えば、２００Ａ／ｃｍ２以上の高電流密度の電子線描画装置による電子線描画露光を採用している。このような電子線描画露光では、チャージアップを防止するために、レジスト膜下の薄膜に導電性を持たせる必要がある。したがって、フォトマスクブランクとしてＭｏＳｉ系遮光膜上にＣｒ系エッチングマスク膜が設けられた構成では、ＭｏＳｉ系遮光膜かＣｒ系エッチングマスク膜のいずれかに導電性を持たせなければならない。
Ｃｒ系エッチングマスク膜で導電性を確保する場合には、Ｃｒ系エッチングマスク膜クロ
ムの含有量が多い膜とすることが考えられる。この構成では、レジスト膜下に位置する遮
光膜及びエッチングマスク膜の積層膜からなる薄膜において、上層のエッチングマスク膜
で導電性を確保すると同時に、上述した（３）のフッ素系エッチングに対する耐性を良く
してエッチングマスク膜のＬＥＲを良好にすることができる。
しかしながら、クロムの含有量が５０原子％より多い構成では、エッチングレートが遅
くなってしまい、Ｃｒ系エッチングマスク膜のドライエッチング時にレジスト膜が膜べり
するため、レジスト膜厚を厚くしなければならない。この結果、転写パターン中、特に４
０ｎｍ未満のＳＲＡＦ部分のレジストパターンにおけるアスペクト比（１：２．５）が高
くなり、倒壊や欠落を生じ易く、ＤＲＡＭ ｈｐ３２ｎｍ以降の世代の微細パターンに適
した解像度を有するフォトマスクを得ることができなくなってしまう。
本発明では、Ｃｒ系エッチングマスク膜をクロム含有量が５０原子％以下のＣｒ成分が
少ない材料とすることでエッチングレートを速くし、ＭｏＳｉ系遮光膜で導電性を確保し
て、レジスト膜下の薄膜の導電性を確保する。具体的には、電子線描画露光において、位
置精度エラーを０．１ｎｍ以下とするためには、シート抵抗値で３．０ｋΩ／□以下にす
る必要がある。即ち、遮光膜における遮光層がモリブデン及びシリコンを含む材料であっ
て、かつモリブデンの含有量を９原子％以上とすることによって、レジスト膜下の薄膜の
導電性を下層の遮光膜で確保する一方、Ｃｒ系エッチングマスク膜のクロムの含有量を５
０原子％以下とすることによって、Ｃｒ系エッチングマスク膜のエッチングレートを速く
している。これにより、レジスト膜を１００ｎｍ以下とすることが可能となり、レジスト
膜のＬＥＲを向上させることができる。
また、Ｃｒ系エッチングマスク膜をエッチングする場合、塩素イオンの入射はレジスト
パターンのアスペクト比が大きくなる（パターンのピッチが小さくなる）にしたがって阻
害されるので、アスペクト比の異なるパターン間でのエッチングレート差によるマイクロ
ローディング現象が生じる。そこで、本発明では、エッチングマスク膜中のクロムの含有
量を４５原子％以下にすることによって、エッチングレートを速くしている。これにより、アスペクト比の異なるパターン間でのエッチングレート差を小さくすることができ、マイクロローディング現象を抑制することが可能となる。その結果、ＣＤリニアリティの悪化を防止することができる。
本発明におけるフォトマスクブランクは、遮光膜が透光性基板側から遮光層と反射防止
層とをこの順に備える構造である。このフォトマスクブランクを用いてフォトマスクを作
製する場合には、遮光膜が反射防止機能を有しているため、遮光膜上のエッチングマスク
膜を最終的に剥離することとなる。つまり、本発明におけるフォトマスクの構造は、遮光
層と反射防止層とを備えた遮光膜パターンで構成することとなる。このとき、エッチング
マスク膜のクロムの含有量が３５原子％以下の場合には、エッチングマスク膜をＣｌ２とＯ２の混合ガスでドライエッチングによって剥離する際に、エッチングレートを速くすることができ、エッチングマスク膜を剥離しやすいため、ＣＤユニフォミティの悪化を防止することができる。
上記によると、本発明におけるフォトマスクブランクは、膜の導電性及びＭｏＳｉ系膜
との良好なエッチング選択性の確保に加えて、Ｃｒ系エッチングマスク膜とレジスト膜の
ＬＥＲ、レジスト膜のレジスト膜の解像性、マイクロローディング現象の抑制によるＣＤ
リニアリティの改善、Ｃｒ系エッチングマスク膜の迅速な剥離によるＣＤユニフォミティ
の改善という要素まで総合的に考慮して、Ｃｒ系エッチングマスク膜のクロムの含有量と
遮光層のモリブデンの含有量を選択してなされたものです。
（５）上記（２）及び（４）に関連し（即ちＣｒ系エッチングマスク膜のエッチング時間
の短縮に関連し）、レジストパターンのＬＥＲ（Line Edge Roughness）を低減する観点からは、Ｃｒ系エッチングマスク膜の膜厚は２０ｎｍ以下であることが好ましいこと、
（６）上記（３）及び（４）に関連し（即ちＣｒ系エッチングマスク膜のエッチング耐性
に関連し）、下層の遮光膜にマスクパターンを転写するエッチングプロセスが完了するま
で、エッチングマスクがマスクパターンを維持できなければならないため、Ｃｒ系エッチ
ングマスク膜の膜厚は５ｎｍ以上であることが好ましいこと、
（７）Ｃｒ系材料は、ＭｏＳｉ系材料との間でフッ素系ガスに対する高いエッチング選択
比を有する。しかし、フッ素系ガスによるエッチング中は物理的なエッチングの影響は少
なからず受けるので全く減膜しないわけではない。よって、Ｃｒ系エッチングマスク膜を
最適化しても、ＭｏＳｉ系遮光膜の膜厚が６０ｎｍを超えて厚くなると、フッ素系ガスに
よるドライエッチングのエッチング時間が長くなり、このドライエッチング後のＣｒ系エ
ッチングマスク膜の膜厚が薄くなり、Ｃｒ系エッチングマスク膜パターンのＬＥＲ（Line Edge Roughness）が悪化するので、ＭｏＳｉ系遮光膜の膜厚は６０ｎｍ以下であることが好ましいこと、
を見い出した。
本発明者は、遮光層が実質的にモリブデン及びシリコンからなる材料であって、モリブ
デンの含有量が９原子％以上、４０原子％以下であるＭｏＳｉ膜の場合には、図１９に示
すとおり、単位膜厚当たりの光学濃度が大きく、ＡｒＦエキシマレーザー露光光における
遮光性が相対的に大きい遮光層が得られること、遮光層の厚さが４０ｎｍ未満という従来
よりも大幅に薄い層の厚さでも所定の遮光性（光学濃度）が得られること、さらに従来と
同等の遮光性の反射防止層及び低反射層と組み合わせることで、ＡｒＦエキシマレーザー
露光用フォトマスクの遮光膜として十分な遮光性（光学濃度２．８以上、好ましくは３以
上）が得られること、
を見い出した。
ＭｏＳｉ膜からなる遮光層中のモリブデンの含有量が９原子％以上であると、単位膜厚当たりの光学濃度であるΔＯＤ＝０．０７５ｎｍ−１@１９３．４ｎｍ以上にできる。モリブデンの含有量が１５原子％以上であると、ΔＯＤ＝０．０８ｎｍ−１@１９３．４ｎｍ以上にできるのでより好ましい。モリブデンの含有量が２０原子％以上であると、ΔＯＤ＝０．０８２ｎｍ−１@１９３．４ｎｍ以上にできるのでさらに好ましい。
ＭｏＳｉ膜からなる遮光層中のモリブデンの含有量は、１５原子％以上４０原子％以下
が好ましく、２０原子％以上４０原子％以下がさらに好ましい。
また、本発明者は、遮光層が実質的にモリブデン、シリコン及び窒素からなる材料であ
って、モリブデンの含有量が９原子％以上、４０原子％以下であるＭｏＳｉＮ膜の場合に
は、窒素の含有量を調整することによって、図２０に示すとおり、単位膜厚当たりの光学
濃度が大きく、ＡｒＦエキシマレーザー露光光における遮光性が相対的に大きい遮光層が
得られること、遮光層の厚さが５５ｎｍ以下の厚さでも所定の遮光性（光学濃度）が得ら
れること、さらに従来と同等の遮光性を有する表面反射防止層を組み合わせることで、Ａ
ｒＦエキシマレーザー露光用フォトマスクの遮光膜として十分な遮光性（光学濃度２．８
以上、好ましくは３以上）が得られること、
を見い出した。
図２０では、単位膜厚当たりの光学濃度が所定値（ΔＯＤ＝０．０５ｎｍ−１、０．０６ｎｍ−１、０．０７ｎｍ−１、０．０７５ｎｍ−１）である遮光層のＭｏ含有量及び窒素の含有量をプロットし、近似曲線を引いたものを示している。図２０では、例えば、ΔＯＤ＝０．０６ｎｍ−１の近似曲線のプロット上を含む下側のエリアが０．０６ｎｍ−１以上の光学濃度である遮光層を形成することが可能な領域を示している。また、遮光膜及びエッチングマスク膜からなる積層膜のシート抵抗値が３．０ｋΩ／□である遮光層のＭｏ含有量及び窒素の含有量をプロットし、近似直線を引いたものも示している。ここで、積層膜における遮光膜の反射防止層及びエッチングマスク膜の膜厚は各々固定値としている。この近似直線のプロット上を含む右側のエリアが３．０ｋΩ／□以下のシート抵抗値である遮光層を形成することが可能な領域を示している。
図２０より、モリブデンの含有量が９原子％以上であり、窒素の含有量が４０原子％未満の場合に、遮光層のΔＯＤを０．０５ｎｍ−１より大きくすることができ、遮光層を５５ｎｍ以下とすることができる。また、ΔＯＤが０．０６ｎｍ−１以上の遮光層の場合には、窒素の含有量は３６原子％以下とし、遮光層の膜厚を５０ｎｍ以下にできる。また、ΔＯＤが０．０７ｎｍ−１以上の遮光層の場合には、窒素の含有量は２５原子％以下とし、遮光層の膜厚を４３ｎｍ以下にできる。さらに、ΔＯＤが０．０７５ｎｍ−１以上の遮光層の場合には、窒素の含有量は１４原子％以下とし、遮光層の膜厚を４０ｎｍ以下にできる。
また、遮光膜及びエッチングマスク膜からなる積層膜のシート抵抗値を確保するためには、ΔＯＤを０．０５ｎｍ−１より大きい遮光層の場合にはモリブデンの含有量を２５原子％より多く、ΔＯＤが０．０６ｎｍ−１以上の遮光層の場合にはモリブデンの含有量を２４原子％以上であり、ΔＯＤが０．０７ｎｍ−１以上の遮光層の場合にはモリブデンの含有量を１７原子％以上であり、ΔＯＤが０．０７５ｎｍ−１以上の遮光層の場合にはモリブデンの含有量を９原子％以上であることが好ましい。
ＭｏＳｉ膜又はＭｏＳｉＮ膜からなる遮光層は、モリブデンの含有量が多いと、耐薬性
や耐洗浄性（特に、アルカリ洗浄や温水洗浄）が低下するという問題がある。したがって、ＭｏＳｉ膜又はＭｏＳｉＮ膜中のモリブデンの含有量は、フォトマスクとして使用する際の必要最低限の耐薬性、耐洗浄性を確保できる含有量である４０原子％以下とすることが好ましい。また、図１９及び図２０でも明らかなように、ＭｏＳｉ膜又はＭｏＳｉＮ膜からなる遮光層の遮光性能は、モリブデン含有量を増やしていくと所定値で頭打ちとなる。モリブデンは、希少金属であることから、コスト面から見てもモリブデン含有量を４０原子％以下とすることが好ましい。
本発明の上記構成、即ち、遮光層がＭｏＳｉ膜又はＭｏＳｉＮ膜であって、モリブデン
の含有量が９原子％以上、４０原子％以下である構成によれば、以下の作用効果が得られ
る。
（Ａ）遮光層の薄膜化（遮光膜の薄膜化による転写パターンの薄膜化）によって次の作用
効果が得られる。
ａ）マスク洗浄時の転写パターン倒れ防止が図られる。
ｂ）遮光層の薄膜化によって、転写パターンの側壁高さも低くなることから、特に側壁高
さ方向のパターン精度が向上し、ＣＤ精度（特にリニアリティ）を高めることができる。
ｃ）特に高ＮＡ（液浸）世代で使用されるフォトマスクに関しては、シャドーイング対策
として、転写パターンを薄くする（マスクパターンの側壁高さを低くする）必要があるが、その要求に応えられる。
（Ｂ）遮光層のＭｏ含有量が本発明の範囲であると、次の作用効果が得られる。
１）本発明の範囲外の組成に対して、相対的に、フッ素系ガスによるドライエッチングに
おけるエッチング速度が大きい。
２）遮光層のＭｏ含有量が９原子％未満である場合と比較して、電子線描画露光において
必要な導電性を確保できる。
デンの含有量が９原子％以上、４０原子％以下であるＭｏＳｉ膜の場合には、図１９に示
すとおり、単位膜厚当たりの光学濃度が大きく、ＡｒＦエキシマレーザー露光光における
遮光性が相対的に大きい遮光層が得られること、遮光層の厚さが４０ｎｍ未満という従来
よりも大幅に薄い層の厚さでも所定の遮光性（光学濃度）が得られること、さらに従来と
同等の遮光性の反射防止層及び低反射層と組み合わせることで、ＡｒＦエキシマレーザー
露光用フォトマスクの遮光膜として十分な遮光性（光学濃度２．８以上、好ましくは３以
上）が得られること、
を見い出した。
ＭｏＳｉ膜からなる遮光層中のモリブデンの含有量が９原子％以上であると、単位膜厚当たりの光学濃度であるΔＯＤ＝０．０７５ｎｍ−１@１９３．４ｎｍ以上にできる。モリブデンの含有量が１５原子％以上であると、ΔＯＤ＝０．０８ｎｍ−１@１９３．４ｎｍ以上にできるのでより好ましい。モリブデンの含有量が２０原子％以上であると、ΔＯＤ＝０．０８２ｎｍ−１@１９３．４ｎｍ以上にできるのでさらに好ましい。
ＭｏＳｉ膜からなる遮光層中のモリブデンの含有量は、１５原子％以上４０原子％以下
が好ましく、２０原子％以上４０原子％以下がさらに好ましい。
また、本発明者は、遮光層が実質的にモリブデン、シリコン及び窒素からなる材料であ
って、モリブデンの含有量が９原子％以上、４０原子％以下であるＭｏＳｉＮ膜の場合に
は、窒素の含有量を調整することによって、図２０に示すとおり、単位膜厚当たりの光学
濃度が大きく、ＡｒＦエキシマレーザー露光光における遮光性が相対的に大きい遮光層が
得られること、遮光層の厚さが５５ｎｍ以下の厚さでも所定の遮光性（光学濃度）が得ら
れること、さらに従来と同等の遮光性を有する表面反射防止層を組み合わせることで、Ａ
ｒＦエキシマレーザー露光用フォトマスクの遮光膜として十分な遮光性（光学濃度２．８
以上、好ましくは３以上）が得られること、
を見い出した。
図２０では、単位膜厚当たりの光学濃度が所定値（ΔＯＤ＝０．０５ｎｍ−１、０．０６ｎｍ−１、０．０７ｎｍ−１、０．０７５ｎｍ−１）である遮光層のＭｏ含有量及び窒素の含有量をプロットし、近似曲線を引いたものを示している。図２０では、例えば、ΔＯＤ＝０．０６ｎｍ−１の近似曲線のプロット上を含む下側のエリアが０．０６ｎｍ−１以上の光学濃度である遮光層を形成することが可能な領域を示している。また、遮光膜及びエッチングマスク膜からなる積層膜のシート抵抗値が３．０ｋΩ／□である遮光層のＭｏ含有量及び窒素の含有量をプロットし、近似直線を引いたものも示している。ここで、積層膜における遮光膜の反射防止層及びエッチングマスク膜の膜厚は各々固定値としている。この近似直線のプロット上を含む右側のエリアが３．０ｋΩ／□以下のシート抵抗値である遮光層を形成することが可能な領域を示している。
図２０より、モリブデンの含有量が９原子％以上であり、窒素の含有量が４０原子％未満の場合に、遮光層のΔＯＤを０．０５ｎｍ−１より大きくすることができ、遮光層を５５ｎｍ以下とすることができる。また、ΔＯＤが０．０６ｎｍ−１以上の遮光層の場合には、窒素の含有量は３６原子％以下とし、遮光層の膜厚を５０ｎｍ以下にできる。また、ΔＯＤが０．０７ｎｍ−１以上の遮光層の場合には、窒素の含有量は２５原子％以下とし、遮光層の膜厚を４３ｎｍ以下にできる。さらに、ΔＯＤが０．０７５ｎｍ−１以上の遮光層の場合には、窒素の含有量は１４原子％以下とし、遮光層の膜厚を４０ｎｍ以下にできる。
また、遮光膜及びエッチングマスク膜からなる積層膜のシート抵抗値を確保するためには、ΔＯＤを０．０５ｎｍ−１より大きい遮光層の場合にはモリブデンの含有量を２５原子％より多く、ΔＯＤが０．０６ｎｍ−１以上の遮光層の場合にはモリブデンの含有量を２４原子％以上であり、ΔＯＤが０．０７ｎｍ−１以上の遮光層の場合にはモリブデンの含有量を１７原子％以上であり、ΔＯＤが０．０７５ｎｍ−１以上の遮光層の場合にはモリブデンの含有量を９原子％以上であることが好ましい。
ＭｏＳｉ膜又はＭｏＳｉＮ膜からなる遮光層は、モリブデンの含有量が多いと、耐薬性
や耐洗浄性（特に、アルカリ洗浄や温水洗浄）が低下するという問題がある。したがって、ＭｏＳｉ膜又はＭｏＳｉＮ膜中のモリブデンの含有量は、フォトマスクとして使用する際の必要最低限の耐薬性、耐洗浄性を確保できる含有量である４０原子％以下とすることが好ましい。また、図１９及び図２０でも明らかなように、ＭｏＳｉ膜又はＭｏＳｉＮ膜からなる遮光層の遮光性能は、モリブデン含有量を増やしていくと所定値で頭打ちとなる。モリブデンは、希少金属であることから、コスト面から見てもモリブデン含有量を４０原子％以下とすることが好ましい。
本発明の上記構成、即ち、遮光層がＭｏＳｉ膜又はＭｏＳｉＮ膜であって、モリブデン
の含有量が９原子％以上、４０原子％以下である構成によれば、以下の作用効果が得られ
る。
（Ａ）遮光層の薄膜化（遮光膜の薄膜化による転写パターンの薄膜化）によって次の作用
効果が得られる。
ａ）マスク洗浄時の転写パターン倒れ防止が図られる。
ｂ）遮光層の薄膜化によって、転写パターンの側壁高さも低くなることから、特に側壁高
さ方向のパターン精度が向上し、ＣＤ精度（特にリニアリティ）を高めることができる。
ｃ）特に高ＮＡ（液浸）世代で使用されるフォトマスクに関しては、シャドーイング対策
として、転写パターンを薄くする（マスクパターンの側壁高さを低くする）必要があるが、その要求に応えられる。
（Ｂ）遮光層のＭｏ含有量が本発明の範囲であると、次の作用効果が得られる。
１）本発明の範囲外の組成に対して、相対的に、フッ素系ガスによるドライエッチングに
おけるエッチング速度が大きい。
２）遮光層のＭｏ含有量が９原子％未満である場合と比較して、電子線描画露光において
必要な導電性を確保できる。
本発明においては、前記エッチングマスク膜は、クロムの他に、窒素及び酸素のうち少
なくとも一方と、炭素とを含むことが好ましい（構成４）。エッチングマスク膜に炭素を
含む場合には、遮光膜をフッ素系ガスでエッチングするときのエッチング耐性を上げるこ
とが可能となる。また、本発明では遮光膜で導電性を得る構成であるが、エッチングマス
ク膜に炭素を含ませることによって、エッチングマスク膜での導電性も高くすることがで
き、薄膜全体のシート抵抗値をより低くすることが可能となる。また、エッチングマスク
膜の炭素の含有量は、５原子％以上、２０原子％以下であることが好ましい。炭素が２０
原子％以下の場合には、エッチングマスク膜において本発明で必要なエッチングレートを
得ることができる。
本発明においては、前記エッチングマスク膜は、クロムの含有が３５原子％以下であり、窒素及び酸素のうち少なくとも一方を含むことが好ましい（構成３）。Ｃｒ系材料は、酸化を進行させるほど塩素系ガスに対するエッチングレートが向上する。また、酸化させたときほどではないが、窒化を進行させても塩素系ガスに対するエッチングレートが向上する。よって、ただ単にエッチングマスク膜のクロム含有量を３５原子％以下にするだけでなく、高酸化、高窒化させることが好ましい。エッチングマスク膜の酸素及び窒素の合計の含有量は、４０原子％以上が好ましく、５０原子％以上がより好ましい。エッチングマスク膜の酸素及び窒素の合計の含有量が４０原子％以上の場合には、要求されるＣＤユニフォミティを容易に得ることができる。
また、レジストパターンをマスクとしてＣｒ系材料膜をドライエッチングする場合、転
写パターンの疎密さによってグローバルローディング現象が生じる。レジストパターン形
成時において、Ｃｒ系材料膜上のレジスト被覆率の高い領域（Ｃｒ系材料膜の露出率の低
い領域。例えば、比較的パターンが疎な領域。）では、エッチングガス中の酸素プラズマ
がレジストでの消費率が高くなる等の理由に起因し、消費量が相対的に多くなり、Ｃｒ系
材料膜のエッチングレートが相対的に遅くなる傾向が生じる。一方、Ｃｒ系材料膜上のレ
ジスト被覆率が低い領域（Ｃｒ系材料膜の露出率の高い領域。例えば、比較的パターンが
密な領域。）では、エッチングガス中の酸素プラズマの消費量が相対的に少なくなり、Ｃ
ｒ系材料膜のエッチングレートが相対的に速くなる傾向が生じる。この現象は、Ｃｒ系材
料膜では共通の問題であり、Ｃｒ系エッチングマスク膜でも同じことが言える。
遮光膜の上面にＣｒ系エッチングマスク膜を備えるフォトマスクブランクを用い、疎密
差の大きい転写パターンのフォトマスクを作製する場合、このグローバルローディング現
象が顕著に表れ、エッチングマスク膜の転写パターンのＣＤユニフォミティが悪化し、そ
のエッチングマスク膜の転写パターンをマスクにエッチングされて形成される遮光膜の転
写パターンのＣＤユニフォミティも悪化してしまう。このグローバルローディング現象を
低減するには、Ｃｒ系エッチングマスク膜中に酸素を多く含有させることでエッチングレ
ート差が生じることを制御することができる。エッチングマスク膜中の酸素の含有量を２
０原子％以上とすることで、グローバルローディング現象を低減することができ、３０原
子％以上であるとその効果は顕著となる。
前記エッチングマスク膜は、酸化炭化窒化クロム（ＣｒＯＣＮ）、酸化炭化クロム（Ｃｒ
ＯＣ）、酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、のいずれかを主成分とする材料で形成されていることが好ましい。
なお、膜の欠陥品質に優れる観点からは、酸化炭化窒化クロム、酸化炭化クロムが好まし
い。また、応力の制御性（低応力膜を形成可能）の観点からは、酸化炭化窒化クロム（Ｃ
ｒＯＣＮ）が好ましい。
エッチングマスク膜の膜構造としては、上記膜材料からなる単層とすることが多いが、
複数層構造とすることもできる。また、複数層構造では、異なる組成で段階的に形成した
複数層構造や、連続的に組成が変化した膜構造とすることができる。
なくとも一方と、炭素とを含むことが好ましい（構成４）。エッチングマスク膜に炭素を
含む場合には、遮光膜をフッ素系ガスでエッチングするときのエッチング耐性を上げるこ
とが可能となる。また、本発明では遮光膜で導電性を得る構成であるが、エッチングマス
ク膜に炭素を含ませることによって、エッチングマスク膜での導電性も高くすることがで
き、薄膜全体のシート抵抗値をより低くすることが可能となる。また、エッチングマスク
膜の炭素の含有量は、５原子％以上、２０原子％以下であることが好ましい。炭素が２０
原子％以下の場合には、エッチングマスク膜において本発明で必要なエッチングレートを
得ることができる。
本発明においては、前記エッチングマスク膜は、クロムの含有が３５原子％以下であり、窒素及び酸素のうち少なくとも一方を含むことが好ましい（構成３）。Ｃｒ系材料は、酸化を進行させるほど塩素系ガスに対するエッチングレートが向上する。また、酸化させたときほどではないが、窒化を進行させても塩素系ガスに対するエッチングレートが向上する。よって、ただ単にエッチングマスク膜のクロム含有量を３５原子％以下にするだけでなく、高酸化、高窒化させることが好ましい。エッチングマスク膜の酸素及び窒素の合計の含有量は、４０原子％以上が好ましく、５０原子％以上がより好ましい。エッチングマスク膜の酸素及び窒素の合計の含有量が４０原子％以上の場合には、要求されるＣＤユニフォミティを容易に得ることができる。
また、レジストパターンをマスクとしてＣｒ系材料膜をドライエッチングする場合、転
写パターンの疎密さによってグローバルローディング現象が生じる。レジストパターン形
成時において、Ｃｒ系材料膜上のレジスト被覆率の高い領域（Ｃｒ系材料膜の露出率の低
い領域。例えば、比較的パターンが疎な領域。）では、エッチングガス中の酸素プラズマ
がレジストでの消費率が高くなる等の理由に起因し、消費量が相対的に多くなり、Ｃｒ系
材料膜のエッチングレートが相対的に遅くなる傾向が生じる。一方、Ｃｒ系材料膜上のレ
ジスト被覆率が低い領域（Ｃｒ系材料膜の露出率の高い領域。例えば、比較的パターンが
密な領域。）では、エッチングガス中の酸素プラズマの消費量が相対的に少なくなり、Ｃ
ｒ系材料膜のエッチングレートが相対的に速くなる傾向が生じる。この現象は、Ｃｒ系材
料膜では共通の問題であり、Ｃｒ系エッチングマスク膜でも同じことが言える。
遮光膜の上面にＣｒ系エッチングマスク膜を備えるフォトマスクブランクを用い、疎密
差の大きい転写パターンのフォトマスクを作製する場合、このグローバルローディング現
象が顕著に表れ、エッチングマスク膜の転写パターンのＣＤユニフォミティが悪化し、そ
のエッチングマスク膜の転写パターンをマスクにエッチングされて形成される遮光膜の転
写パターンのＣＤユニフォミティも悪化してしまう。このグローバルローディング現象を
低減するには、Ｃｒ系エッチングマスク膜中に酸素を多く含有させることでエッチングレ
ート差が生じることを制御することができる。エッチングマスク膜中の酸素の含有量を２
０原子％以上とすることで、グローバルローディング現象を低減することができ、３０原
子％以上であるとその効果は顕著となる。
前記エッチングマスク膜は、酸化炭化窒化クロム（ＣｒＯＣＮ）、酸化炭化クロム（Ｃｒ
ＯＣ）、酸化窒化クロム（ＣｒＯＮ）、窒化クロム（ＣｒＮ）、のいずれかを主成分とする材料で形成されていることが好ましい。
なお、膜の欠陥品質に優れる観点からは、酸化炭化窒化クロム、酸化炭化クロムが好まし
い。また、応力の制御性（低応力膜を形成可能）の観点からは、酸化炭化窒化クロム（Ｃ
ｒＯＣＮ）が好ましい。
エッチングマスク膜の膜構造としては、上記膜材料からなる単層とすることが多いが、
複数層構造とすることもできる。また、複数層構造では、異なる組成で段階的に形成した
複数層構造や、連続的に組成が変化した膜構造とすることができる。
本発明においては、前記エッチングマスク膜は、
酸化炭化窒化クロム、あるいは、酸化炭化クロムであり、
クロムターゲットを用い、少なくとも、「ＣＯ２ガス、Ｎ２ガス及び希ガス」、あるいは、「ＣＯ２ガス及び希ガス」、を含む混合気体を用い（ヒステリシスの小さいガス系を選択し）、かつ、メタルモードから反応モードへの移行が始まる付近の条件、又は反応モード寄り、で成膜されることが好ましい。
ＤＣスパッタにおいて安定的にエッチングレートの速い膜を製造可能となるからである。
詳しくは、図３に示すように、ＤＣスパッタにおいて、プラズマが形成された状態にお
いて、縦軸の電圧［Ｖ］（成膜レートに対応する）と、横軸に示す各ガスの流量との関係
を調べる。
横軸に示す各ガスの流量を０から５０ｓｃｃｍまで増加させた場合（行きの経路）と、
５０から０ｓｃｃｍまで減少させた場合（帰りの経路）とは、一致せず、いわゆるヒステ
リシスを示す。
メタルモードは高電圧（例えば３３０〜３５０Ｖ）を維持している領域（ＡｒでＣｒが
イオンスパッタされる領域）、遷移領域は電圧が急降下する領域、反応モードは急降下し
た電圧の急降下後の領域（急降下した電圧２９０〜３１０Ｖを維持している領域）（ガス
が活性化し反応性を示す領域）をそれぞれ指す。
メタルモードは、図３（１）では０〜３０ｓｃｃｍの領域、図３（２）では０〜２５ｓ
ｃｃｍの領域、図３（３）では０〜３２ｓｃｃｍの領域である。
遷移領域は、図３（１）では増加モードで３５〜５０ｓｃｃｍの領域、図３（２）では
増加モードで３５〜５０ｓｃｃｍの領域、図３（３）では増加モードで４３〜５０ｓｃｃ
ｍの領域である。
反応領域は、図３（１）では減少モードで５０〜３５ｓｃｃｍの領域、図３（２）では
減少モードで５０〜３５ｓｃｃｍの領域、図３（３）では減少モードで４８〜３２ｓｃｃ
ｍの領域である。
メタルモードでは非常に酸化度、窒化度が低いクロムが成膜され、反応モードでは酸化、窒化度の高いクロムが成膜され、メタルモードと反応モードの中間のモード（メタルモードと反応モードとの遷移領域）では条件が安定しないので通常使用しない。
クロムを酸化、窒化させるガス系は種々あるが、図３（３）に示すように、ヒステリシ
スが大きいガス系（ＮＯガス＋希ガス）を用いた場合、ＤＣスパッタで酸化、窒化された
クロムを反応モードで安定して低欠陥で成膜するのは難しい。Ｏ２ガス＋希ガスを用いた
場合も同様である。
これに対し、図３（１）や図３（２）に示すように、ヒステリシスが小さいガス系を用いた場合（図３（１）では「ＣＯ２ガス＋希ガス」を用い、図３（２）では「ＣＯ２ガス＋Ｎ２ガス＋希ガス」を用いる）、ＤＣスパッタで酸化、窒化されたクロムを反応モード（図３（１）では４０〜３０ｓｃｃｍの減少モードの領域、図３（２）では３５〜２５ｓｃｃｍの減少モードの領域）で安定して低欠陥で成膜することができ、しかも得られた酸化、窒化されたクロムはエッチングレートの速い膜を製造できる。特に、図３（１）や図３（２）における流量３５ｓｃｃｍ付近の増加モードと減少モードが若干ずれた箇所（条件）、すなわちメタルモードから反応モードに行きかけるあたりの条件（メタルモードから反応モードへの移行が始まる付近（間際）の条件）で成膜を行うことで、他の条件に比べ相対的にエッチングレートの速い酸化、窒化されたクロム膜をＤＣスパッタで安定して低欠陥で製造できる。
酸化炭化窒化クロム、あるいは、酸化炭化クロムであり、
クロムターゲットを用い、少なくとも、「ＣＯ２ガス、Ｎ２ガス及び希ガス」、あるいは、「ＣＯ２ガス及び希ガス」、を含む混合気体を用い（ヒステリシスの小さいガス系を選択し）、かつ、メタルモードから反応モードへの移行が始まる付近の条件、又は反応モード寄り、で成膜されることが好ましい。
ＤＣスパッタにおいて安定的にエッチングレートの速い膜を製造可能となるからである。
詳しくは、図３に示すように、ＤＣスパッタにおいて、プラズマが形成された状態にお
いて、縦軸の電圧［Ｖ］（成膜レートに対応する）と、横軸に示す各ガスの流量との関係
を調べる。
横軸に示す各ガスの流量を０から５０ｓｃｃｍまで増加させた場合（行きの経路）と、
５０から０ｓｃｃｍまで減少させた場合（帰りの経路）とは、一致せず、いわゆるヒステ
リシスを示す。
メタルモードは高電圧（例えば３３０〜３５０Ｖ）を維持している領域（ＡｒでＣｒが
イオンスパッタされる領域）、遷移領域は電圧が急降下する領域、反応モードは急降下し
た電圧の急降下後の領域（急降下した電圧２９０〜３１０Ｖを維持している領域）（ガス
が活性化し反応性を示す領域）をそれぞれ指す。
メタルモードは、図３（１）では０〜３０ｓｃｃｍの領域、図３（２）では０〜２５ｓ
ｃｃｍの領域、図３（３）では０〜３２ｓｃｃｍの領域である。
遷移領域は、図３（１）では増加モードで３５〜５０ｓｃｃｍの領域、図３（２）では
増加モードで３５〜５０ｓｃｃｍの領域、図３（３）では増加モードで４３〜５０ｓｃｃ
ｍの領域である。
反応領域は、図３（１）では減少モードで５０〜３５ｓｃｃｍの領域、図３（２）では
減少モードで５０〜３５ｓｃｃｍの領域、図３（３）では減少モードで４８〜３２ｓｃｃ
ｍの領域である。
メタルモードでは非常に酸化度、窒化度が低いクロムが成膜され、反応モードでは酸化、窒化度の高いクロムが成膜され、メタルモードと反応モードの中間のモード（メタルモードと反応モードとの遷移領域）では条件が安定しないので通常使用しない。
クロムを酸化、窒化させるガス系は種々あるが、図３（３）に示すように、ヒステリシ
スが大きいガス系（ＮＯガス＋希ガス）を用いた場合、ＤＣスパッタで酸化、窒化された
クロムを反応モードで安定して低欠陥で成膜するのは難しい。Ｏ２ガス＋希ガスを用いた
場合も同様である。
これに対し、図３（１）や図３（２）に示すように、ヒステリシスが小さいガス系を用いた場合（図３（１）では「ＣＯ２ガス＋希ガス」を用い、図３（２）では「ＣＯ２ガス＋Ｎ２ガス＋希ガス」を用いる）、ＤＣスパッタで酸化、窒化されたクロムを反応モード（図３（１）では４０〜３０ｓｃｃｍの減少モードの領域、図３（２）では３５〜２５ｓｃｃｍの減少モードの領域）で安定して低欠陥で成膜することができ、しかも得られた酸化、窒化されたクロムはエッチングレートの速い膜を製造できる。特に、図３（１）や図３（２）における流量３５ｓｃｃｍ付近の増加モードと減少モードが若干ずれた箇所（条件）、すなわちメタルモードから反応モードに行きかけるあたりの条件（メタルモードから反応モードへの移行が始まる付近（間際）の条件）で成膜を行うことで、他の条件に比べ相対的にエッチングレートの速い酸化、窒化されたクロム膜をＤＣスパッタで安定して低欠陥で製造できる。
本発明においては、
前記エッチングマスク膜は、その上に形成されるレジスト膜であって、膜厚が１００ｎｍ
以下のレジスト膜を用いて加工され、
前記エッチングマスク膜は、膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
前記遮光膜は、膜厚が６０ｎｍ以下である
態様が含まれる（構成５）。
上記（２）及び（４）に関連し（即ちＣｒ系エッチングマスク膜のエッチング時間の短
縮に関連し）、レジストパターンのＬＥＲを低減する観点からは、前記レジスト膜の膜厚
が１００ｎｍ以下である場合では、Ｃｒ系エッチングマスク膜の膜厚は５ｎｍ以上、２０
ｎｍ以下であり、かつ遮光膜の膜厚が６０ｎｍ以下であることが好ましいからである。
本発明においては、
前記レジスト膜の膜厚が７５ｎｍ以下であり、かつ、
前記エッチングマスク膜の膜厚が５ｎｍ以上、１５ｎｍ以下である
態様が含まれる（構成６）。
上記（２）及び（４）に関連し（即ちＣｒ系エッチングマスク膜のエッチング時間の短縮に関連し）、レジストパターンのＬＥＲを低減する観点からは、前記レジスト膜の膜厚が７５ｎｍ以下である場合では、Ｃｒ系エッチングマスク膜の膜厚は５ｎｍ以上、１５ｎｍ以下であることが好ましいからである。
本発明においては、
前記レジスト膜の膜厚が６５ｎｍ以下であり、かつ、
前記エッチングマスク膜の膜厚が５ｎｍ以上、１０ｎｍ以下である
態様が含まれる（構成７）。
上記（２）及び（４）に関連し（即ちＣｒ系エッチングマスク膜のエッチング時間の短
縮に関連し）、レジストパターンのＬＥＲを低減する観点からは、前記レジスト膜の膜厚
が６５ｎｍ以下である場合では、Ｃｒ系エッチングマスク膜の膜厚は５ｎｍ以上、１０ｎ
ｍ以下であることが好ましいからである。
前記エッチングマスク膜は、その上に形成されるレジスト膜であって、膜厚が１００ｎｍ
以下のレジスト膜を用いて加工され、
前記エッチングマスク膜は、膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
前記遮光膜は、膜厚が６０ｎｍ以下である
態様が含まれる（構成５）。
上記（２）及び（４）に関連し（即ちＣｒ系エッチングマスク膜のエッチング時間の短
縮に関連し）、レジストパターンのＬＥＲを低減する観点からは、前記レジスト膜の膜厚
が１００ｎｍ以下である場合では、Ｃｒ系エッチングマスク膜の膜厚は５ｎｍ以上、２０
ｎｍ以下であり、かつ遮光膜の膜厚が６０ｎｍ以下であることが好ましいからである。
本発明においては、
前記レジスト膜の膜厚が７５ｎｍ以下であり、かつ、
前記エッチングマスク膜の膜厚が５ｎｍ以上、１５ｎｍ以下である
態様が含まれる（構成６）。
上記（２）及び（４）に関連し（即ちＣｒ系エッチングマスク膜のエッチング時間の短縮に関連し）、レジストパターンのＬＥＲを低減する観点からは、前記レジスト膜の膜厚が７５ｎｍ以下である場合では、Ｃｒ系エッチングマスク膜の膜厚は５ｎｍ以上、１５ｎｍ以下であることが好ましいからである。
本発明においては、
前記レジスト膜の膜厚が６５ｎｍ以下であり、かつ、
前記エッチングマスク膜の膜厚が５ｎｍ以上、１０ｎｍ以下である
態様が含まれる（構成７）。
上記（２）及び（４）に関連し（即ちＣｒ系エッチングマスク膜のエッチング時間の短
縮に関連し）、レジストパターンのＬＥＲを低減する観点からは、前記レジスト膜の膜厚
が６５ｎｍ以下である場合では、Ｃｒ系エッチングマスク膜の膜厚は５ｎｍ以上、１０ｎ
ｍ以下であることが好ましいからである。
本発明においては、前記遮光層は、モリブデン及びシリコンからなる材料、又は、モリ
ブデン、シリコン及び窒素からなる材料で形成される態様が含まれる（構成８）。
ブデン、シリコン及び窒素からなる材料で形成される態様が含まれる（構成８）。
本発明においては、
前記遮光膜は、透光性基板側から低反射層と、該低反射層の上に接して形成された遮光層
と、該遮光層の上に接して形成された反射防止層とを備える少なくとも３層で構成され、
前記遮光層は、モリブデンとシリコンとからなる材料であって、モリブデンの含有量が９
原子％以上、４０原子％以下であり、
前記反射防止層は、モリブデン及びシリコンと、酸素及び窒素のうち少なくとも一方とを
含む材料からなり、
前記低反射層は、モリブデン及びシリコンと、酸素及び窒素のうち少なくとも一方とを含
む材料からなる
態様が含まれる。
上記のような構成によって、遮光膜の表面側、及び裏面側（透光性基板側）の反射防止
（例えば、３０％以下）が図られる。
本発明において、モリブデン及びシリコンからなる遮光層（ＭｏＳｉ膜）は、モリブデ
ンとシリコンとで実質的に構成される遮光層（酸素や窒素などを実質的に含まない金属性
の膜、モリブデンシリサイド金属からなる膜を含む）のことをいう。この実質的に酸素や
窒素を含まない場合には、本発明の作用効果が得られる範囲（酸素、窒素ともに遮光層中
の成分の各５原子％未満）でこれらの元素を含む態様が含まれる。遮光性能の観点からは、本来、これらの元素は遮光層中に含まないことが好ましい。しかし、成膜プロセスの段階やフォトマスク製造プロセス等で不純物として混入することが多大にあるので、遮光性能の低下に実質的な影響を与えない範囲で許容している。また、ＭｏＳｉ膜からなる遮光層には、上記の特性、作用効果を損なわない範囲で、他の元素（炭素、ヘリウム、水素、アルゴン、キセノン等）を含んでも良い。
本発明において、ＭｏＳｉ膜からなる遮光層は、層の厚さが２４ｎｍ以上であることが
望ましく、２７ｎｍ以上であるとより望ましい。また、層の厚さが４０ｎｍ未満であるこ
とが望ましく、３５ｎｍ以下がより望ましい。さらに、遮光膜で導電性を確保するために
は、遮光膜に占める遮光層の割合は、０．４以上、０．６以下であることが好ましい。
前記遮光膜は、透光性基板側から低反射層と、該低反射層の上に接して形成された遮光層
と、該遮光層の上に接して形成された反射防止層とを備える少なくとも３層で構成され、
前記遮光層は、モリブデンとシリコンとからなる材料であって、モリブデンの含有量が９
原子％以上、４０原子％以下であり、
前記反射防止層は、モリブデン及びシリコンと、酸素及び窒素のうち少なくとも一方とを
含む材料からなり、
前記低反射層は、モリブデン及びシリコンと、酸素及び窒素のうち少なくとも一方とを含
む材料からなる
態様が含まれる。
上記のような構成によって、遮光膜の表面側、及び裏面側（透光性基板側）の反射防止
（例えば、３０％以下）が図られる。
本発明において、モリブデン及びシリコンからなる遮光層（ＭｏＳｉ膜）は、モリブデ
ンとシリコンとで実質的に構成される遮光層（酸素や窒素などを実質的に含まない金属性
の膜、モリブデンシリサイド金属からなる膜を含む）のことをいう。この実質的に酸素や
窒素を含まない場合には、本発明の作用効果が得られる範囲（酸素、窒素ともに遮光層中
の成分の各５原子％未満）でこれらの元素を含む態様が含まれる。遮光性能の観点からは、本来、これらの元素は遮光層中に含まないことが好ましい。しかし、成膜プロセスの段階やフォトマスク製造プロセス等で不純物として混入することが多大にあるので、遮光性能の低下に実質的な影響を与えない範囲で許容している。また、ＭｏＳｉ膜からなる遮光層には、上記の特性、作用効果を損なわない範囲で、他の元素（炭素、ヘリウム、水素、アルゴン、キセノン等）を含んでも良い。
本発明において、ＭｏＳｉ膜からなる遮光層は、層の厚さが２４ｎｍ以上であることが
望ましく、２７ｎｍ以上であるとより望ましい。また、層の厚さが４０ｎｍ未満であるこ
とが望ましく、３５ｎｍ以下がより望ましい。さらに、遮光膜で導電性を確保するために
は、遮光膜に占める遮光層の割合は、０．４以上、０．６以下であることが好ましい。
また、本発明においては、
前記遮光膜は、透光性基板側から遮光層と、該遮光層の上に接して形成された反射防止層
とを備える２層で構成され、
前記遮光層は、モリブデン、シリコン及び窒素からなる材料であって、モリブデンの含有
量が９原子％以上、４０原子％以下であり、
前記反射防止層は、モリブデン及びシリコンと、酸素及び窒素のうち少なくとも一方とを
含む材料からなる
態様が含まれる（構成９）。
上記のような構成によって、遮光膜の表面側、及び裏面側（透光性基板側）の反射防止
（例えば、３０％以下）が図られる。
本発明において、モリブデン、シリコン及び窒素からなる遮光層（ＭｏＳｉＮ膜）は、
モリブデンとシリコンと窒素とで実質的に構成される遮光層（モリブデンシリサイド化合
物からなる膜を含む）のことをいう。膜に実質的に酸素を含まない場合には、上記ＭｏＳ
ｉ膜と同様の理由で、本発明の作用効果が得られる範囲（遮光層中の酸素成分が５原子％
未満）で酸素を含む態様が含まれる。また、ＭｏＳｉＮ膜からなる遮光層には、上記の特
性、作用効果を損なわない範囲で、他の元素（炭素、ヘリウム、水素、アルゴン、キセノ
ン等）を含んでも良い。
遮光層に窒素を含む場合には、遮光層に裏面反射防止機能を持たせて、遮光膜を２層構造
にすることができる。また、遮光層に窒素を含まないＭｏＳｉ膜に比べて、遮光層のエッ
チングレートが遅くすることができる。したがって、ＭｏＳｉ膜からなる遮光層を有する
３層構造の遮光膜と比較して、反射防止層と遮光層とのエッチングレート差をなくすこと
ができるので、パターンの断面形状を良好することが可能となる。ＭｏＳｉＮ膜における
窒素の含有量は、４０原子％未満であることが好ましい。窒素の含有量が４０原子％未満
の場合には、遮光層の膜厚を薄くすることができ、遮光膜を６０ｎｍ以下とすること可能
となる。
本発明において、ＭｏＳｉＮ膜からなる遮光層は、層の厚さが３６ｎｍ以上であること
が望ましく、４２ｎｍ以上がより望ましい。また、層の厚さが５５ｎｍ以下であることが
望ましく、５２ｎｍ以下であるとより望ましい。さらに、遮光膜で導電性を確保するため
には、遮光膜に占めるＭｏＳｉＮ膜からなる遮光層の割合は、０．６以上、０．９以下で
あることが好ましい。
前記遮光膜は、透光性基板側から遮光層と、該遮光層の上に接して形成された反射防止層
とを備える２層で構成され、
前記遮光層は、モリブデン、シリコン及び窒素からなる材料であって、モリブデンの含有
量が９原子％以上、４０原子％以下であり、
前記反射防止層は、モリブデン及びシリコンと、酸素及び窒素のうち少なくとも一方とを
含む材料からなる
態様が含まれる（構成９）。
上記のような構成によって、遮光膜の表面側、及び裏面側（透光性基板側）の反射防止
（例えば、３０％以下）が図られる。
本発明において、モリブデン、シリコン及び窒素からなる遮光層（ＭｏＳｉＮ膜）は、
モリブデンとシリコンと窒素とで実質的に構成される遮光層（モリブデンシリサイド化合
物からなる膜を含む）のことをいう。膜に実質的に酸素を含まない場合には、上記ＭｏＳ
ｉ膜と同様の理由で、本発明の作用効果が得られる範囲（遮光層中の酸素成分が５原子％
未満）で酸素を含む態様が含まれる。また、ＭｏＳｉＮ膜からなる遮光層には、上記の特
性、作用効果を損なわない範囲で、他の元素（炭素、ヘリウム、水素、アルゴン、キセノ
ン等）を含んでも良い。
遮光層に窒素を含む場合には、遮光層に裏面反射防止機能を持たせて、遮光膜を２層構造
にすることができる。また、遮光層に窒素を含まないＭｏＳｉ膜に比べて、遮光層のエッ
チングレートが遅くすることができる。したがって、ＭｏＳｉ膜からなる遮光層を有する
３層構造の遮光膜と比較して、反射防止層と遮光層とのエッチングレート差をなくすこと
ができるので、パターンの断面形状を良好することが可能となる。ＭｏＳｉＮ膜における
窒素の含有量は、４０原子％未満であることが好ましい。窒素の含有量が４０原子％未満
の場合には、遮光層の膜厚を薄くすることができ、遮光膜を６０ｎｍ以下とすること可能
となる。
本発明において、ＭｏＳｉＮ膜からなる遮光層は、層の厚さが３６ｎｍ以上であること
が望ましく、４２ｎｍ以上がより望ましい。また、層の厚さが５５ｎｍ以下であることが
望ましく、５２ｎｍ以下であるとより望ましい。さらに、遮光膜で導電性を確保するため
には、遮光膜に占めるＭｏＳｉＮ膜からなる遮光層の割合は、０．６以上、０．９以下で
あることが好ましい。
本発明において、遮光層は、Ａｒガス圧とＨｅガス圧、加熱処理によって引張応力と圧
縮応力を自在に制御可能である。例えば、遮光層の膜応力を引張応力となるよう制御する
ことによって、反射防止層（例えばＭｏＳｉＯＮ）の圧縮応力と調和が取れる。つまり、
遮光膜を構成する各層の応力を相殺でき、遮光膜の膜応力を極力低減できる（実質的にゼ
ロにできる）。
縮応力を自在に制御可能である。例えば、遮光層の膜応力を引張応力となるよう制御する
ことによって、反射防止層（例えばＭｏＳｉＯＮ）の圧縮応力と調和が取れる。つまり、
遮光膜を構成する各層の応力を相殺でき、遮光膜の膜応力を極力低減できる（実質的にゼ
ロにできる）。
本発明における反射防止層は、モリブデン及びシリコンと、酸素及び窒素のうちの少な
くとも一方とを含む。反射防止層は、ＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉ
ＯＣ、ＭｏＳｉＯＣＮ等が挙げられる。これらのうちでも、耐薬品性、耐熱性の観点から
はＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＯＮが好ましく、ブランクス欠陥品質の観点からＭｏＳｉＯＮが
好ましい。
くとも一方とを含む。反射防止層は、ＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉ
ＯＣ、ＭｏＳｉＯＣＮ等が挙げられる。これらのうちでも、耐薬品性、耐熱性の観点から
はＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＯＮが好ましく、ブランクス欠陥品質の観点からＭｏＳｉＯＮが
好ましい。
本発明において、反射防止層であるＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉ
ＯＣ、ＭｏＳｉＯＣＮ等では、Ｍｏ多くすると耐洗浄性、特にアルカリ（アンモニア水等）や温水に対する耐性が小さくなる。この観点からは、反射防止層であるＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＣ、ＭｏＳｉＯＣＮ等では、Ｍｏ極力減らすことが好ましい。
また、応力制御を目的として高温で加熱処理（アニール）する際、Ｍｏの含有量が多い
と膜の表面が白く曇る（白濁する）現象が生じることがわかった。これは、ＭｏＯが表面
に析出するためであると考えられる。このような現象を避ける観点からは、反射防止層で
あるＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＣ、ＭｏＳｉＯＣＮ等では、反
射防止層中のＭｏの含有量は１０原子％未満であることが好ましい。しかし、Ｍｏ含有量
が少なすぎる場合、ＤＣスパッタリングの際の異常放電が顕著になり、欠陥発生頻度が高
まる。よって、Ｍｏは正常にスパッタできる範囲で含有していることが望ましい。他の成
膜技術によってはＭｏを含有せずに成膜可能な場合がある。
本発明において、上記の耐洗浄性及び加熱処理の観点から、Ｍｏの含有量が少ない方が
良いため、反射防止層におけるモリブデンとシリコンとの含有比率は、１：６以上である
ことが好ましく、１：１６以上がさらに好ましく、１：２０以上がより好ましい。
また、フォトマスクを繰り返し使用すると、大気中の酸素（Ｏ２）や水（Ｈ２Ｏ）、大気中の酸素（Ｏ２）がＡｒＦエキシマレーザーと反応することによって発生するオゾン（Ｏ３）等により、遮光膜を構成するＳｉやＭｏと反応することによって、遮光膜に変質層が形成されることがわかった。したがって、耐光性の観点からも遮光膜のＭｏ含有量をできるだけ少なくするために、反射防止層のモリブデンとシリコンとの含有比率は上記の比率が好ましい。
また、反射防止層は、所定の表面反射率を得るために、酸化させることが好ましいが、
この場合反射防止層のエッチング時間が長くなる傾向がある。したがって、反射防止層の
Ｍｏ含有量を少なくすることによって、Ｃｒ系エッチングマスク膜をマスクとして遮光膜
をエッチングするときに、反射防止層のエッチング時間を短縮することが可能となる。
さらに、反射防止層が窒素及び／又は酸素を含む場合、窒素と酸素の合計の含有量が３０
原子％以上、好ましくは４５原子％以上である。遮光膜全体の薄膜化の観点で考慮すると、反射防止層における窒素と酸素の合計の含有量は６０原子％以下であることが好ましい。
本発明において、反射防止層は、層の厚さが５ｎｍから２０ｎｍであることが望ましく、７ｎｍから１５ｎｍであるとより望ましい。
ＯＣ、ＭｏＳｉＯＣＮ等では、Ｍｏ多くすると耐洗浄性、特にアルカリ（アンモニア水等）や温水に対する耐性が小さくなる。この観点からは、反射防止層であるＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＣ、ＭｏＳｉＯＣＮ等では、Ｍｏ極力減らすことが好ましい。
また、応力制御を目的として高温で加熱処理（アニール）する際、Ｍｏの含有量が多い
と膜の表面が白く曇る（白濁する）現象が生じることがわかった。これは、ＭｏＯが表面
に析出するためであると考えられる。このような現象を避ける観点からは、反射防止層で
あるＭｏＳｉＯＮ、ＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＮ、ＭｏＳｉＯＣ、ＭｏＳｉＯＣＮ等では、反
射防止層中のＭｏの含有量は１０原子％未満であることが好ましい。しかし、Ｍｏ含有量
が少なすぎる場合、ＤＣスパッタリングの際の異常放電が顕著になり、欠陥発生頻度が高
まる。よって、Ｍｏは正常にスパッタできる範囲で含有していることが望ましい。他の成
膜技術によってはＭｏを含有せずに成膜可能な場合がある。
本発明において、上記の耐洗浄性及び加熱処理の観点から、Ｍｏの含有量が少ない方が
良いため、反射防止層におけるモリブデンとシリコンとの含有比率は、１：６以上である
ことが好ましく、１：１６以上がさらに好ましく、１：２０以上がより好ましい。
また、フォトマスクを繰り返し使用すると、大気中の酸素（Ｏ２）や水（Ｈ２Ｏ）、大気中の酸素（Ｏ２）がＡｒＦエキシマレーザーと反応することによって発生するオゾン（Ｏ３）等により、遮光膜を構成するＳｉやＭｏと反応することによって、遮光膜に変質層が形成されることがわかった。したがって、耐光性の観点からも遮光膜のＭｏ含有量をできるだけ少なくするために、反射防止層のモリブデンとシリコンとの含有比率は上記の比率が好ましい。
また、反射防止層は、所定の表面反射率を得るために、酸化させることが好ましいが、
この場合反射防止層のエッチング時間が長くなる傾向がある。したがって、反射防止層の
Ｍｏ含有量を少なくすることによって、Ｃｒ系エッチングマスク膜をマスクとして遮光膜
をエッチングするときに、反射防止層のエッチング時間を短縮することが可能となる。
さらに、反射防止層が窒素及び／又は酸素を含む場合、窒素と酸素の合計の含有量が３０
原子％以上、好ましくは４５原子％以上である。遮光膜全体の薄膜化の観点で考慮すると、反射防止層における窒素と酸素の合計の含有量は６０原子％以下であることが好ましい。
本発明において、反射防止層は、層の厚さが５ｎｍから２０ｎｍであることが望ましく、７ｎｍから１５ｎｍであるとより望ましい。
本発明において、エッチングマスク膜は、フォトマスクを作製したときに除去される膜
であることが好ましい（構成１０）。遮光膜自体が反射防止機能を有しているので、フォ
トマスクを作製したときに、最終的に遮光膜上のエッチングマスク膜を剥離することがで
きる。
本発明において、Ｃｒ系エッチングマスク膜のドライエッチングには、塩素系ガス、又
は、塩素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスからなるドライエッチングガスを用いること
が好ましい。この理由は、クロムと酸素、窒素等の元素とを含む材料からなるＣｒ系エッ
チングマスク膜に対しては、上記のドライエッチングガスを用いてドライエッチングを行
うことにより、ドライエッチング速度を高めることができ、ドライエッチング時間の短縮
化を図ることができ、断面形状の良好な遮光膜パターンを形成することができるからである。ドライエッチングガスに用いる塩素系ガスとしては、例えば、Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４、ＨＣｌ、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３等が挙げられる。
であることが好ましい（構成１０）。遮光膜自体が反射防止機能を有しているので、フォ
トマスクを作製したときに、最終的に遮光膜上のエッチングマスク膜を剥離することがで
きる。
本発明において、Ｃｒ系エッチングマスク膜のドライエッチングには、塩素系ガス、又
は、塩素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスからなるドライエッチングガスを用いること
が好ましい。この理由は、クロムと酸素、窒素等の元素とを含む材料からなるＣｒ系エッ
チングマスク膜に対しては、上記のドライエッチングガスを用いてドライエッチングを行
うことにより、ドライエッチング速度を高めることができ、ドライエッチング時間の短縮
化を図ることができ、断面形状の良好な遮光膜パターンを形成することができるからである。ドライエッチングガスに用いる塩素系ガスとしては、例えば、Ｃｌ２、ＳｉＣｌ４、ＨＣｌ、ＣＣｌ４、ＣＨＣｌ３等が挙げられる。
本発明において、ＭｏＳｉ系遮光膜のドライエッチングには、例えば、ＳＦ６、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＨＦ３等のフッ素系ガス、これらとＨｅ、Ｈ２、Ｎ２、Ａｒ、Ｃ２Ｈ４、Ｏ２等の混合ガス、或いはＣｌ２、ＣＨ２Ｃｌ２等の塩素系のガス又は、これらとＨｅ、Ｈ２、Ｎ２、Ａｒ、Ｃ２Ｈ４等の混合ガスを用いることができる。
本発明において、基板としては、合成石英基板、ＣａＦ２基板、ソーダライムガラス基
板、無アルカリガラス基板、低熱膨張ガラス基板、アルミノシリケートガラス基板などが
挙げられる。
板、無アルカリガラス基板、低熱膨張ガラス基板、アルミノシリケートガラス基板などが
挙げられる。
本発明のフォトマスクブランクは、エッチングマスク膜の上に形成されたレジスト膜を
有する態様を含む（構成１１）。
本発明のフォトマスクは、上記本発明に係るフォトマスクブランクを用いて作製される（構成１２）。
これにより、上記構成１〜１０に記載したのと同様の効果が得られる。
有する態様を含む（構成１１）。
本発明のフォトマスクは、上記本発明に係るフォトマスクブランクを用いて作製される（構成１２）。
これにより、上記構成１〜１０に記載したのと同様の効果が得られる。
本発明のフォトマスクの製造方法は、
上記本発明に係るフォトマスクブランクを準備し、
前記エッチングマスク膜上に形成されたレジストパターンをマスクとして、前記エッチ
ングマスク膜に対して酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行うことによっ
て、パターン転写を行い、
前記エッチングマスク膜に形成されたパターンをマスクとして、前記遮光膜にフッ素系
ガスを用いるドライエッチングを行うことによって、パターン転写を行い、
前記遮光膜へのパターン転写後、酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行
うことによって、前記エッチングマスク膜を除去する（構成１３）。
これにより、上記構成１〜１０に記載したのと同様の効果が得られる。
上記本発明に係るフォトマスクブランクを準備し、
前記エッチングマスク膜上に形成されたレジストパターンをマスクとして、前記エッチ
ングマスク膜に対して酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行うことによっ
て、パターン転写を行い、
前記エッチングマスク膜に形成されたパターンをマスクとして、前記遮光膜にフッ素系
ガスを用いるドライエッチングを行うことによって、パターン転写を行い、
前記遮光膜へのパターン転写後、酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行
うことによって、前記エッチングマスク膜を除去する（構成１３）。
これにより、上記構成１〜１０に記載したのと同様の効果が得られる。
本発明の半導体デバイスの製造方法は、上記本発明に係るフォトマスクのパターンを転
写することにより行われる（構成１４）。
写することにより行われる（構成１４）。
本発明において、フォトマスクブランクには、位相シフト効果を使用しないバイナリ型
フォトマスクブランク、レジスト膜付きマスクブランク、が含まれる。また、フォトマス
クブランクには、透光性基板と遮光膜との間に位相シフト膜を備えた、ハーフトーン型位
相シフトマスクブランクが含まれる。位相シフト膜は、従来と同様の構成とすることがで
き、例えば、ＭｏＳｉＮやＭｏＳｉＯＮ等からなる材料で形成される。さらに、透光性基
板と遮光膜との間、又は位相シフト膜と遮光膜との間に、遮光膜や位相シフト膜に対して
エッチング耐性を有するエッチングストッパー膜を設けてもよい。エッチングストッパー
膜は、エッチングマスク膜と同様にＣｒ系材料膜で形成すると、エッチングストッパー膜
をエッチングするときにエッチングマスク膜を同時に剥離することができるため、好まし
い。
本発明において、フォトマスクには、位相シフト効果を使用しないバイナリ型フォトマ
スク、位相シフト効果を使用する位相シフトマスクの中では、ハーフトーン型位相シフト
マスク、レベンソン型位相シフトマスク、エンハンサーマスクが含まれる。フォトマスク
にはレチクルが含まれる。
本発明において、波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスクには、ＡｒＦ
エキシマレーザー露光用のフォトマスクが含まれる。
フォトマスクブランク、レジスト膜付きマスクブランク、が含まれる。また、フォトマス
クブランクには、透光性基板と遮光膜との間に位相シフト膜を備えた、ハーフトーン型位
相シフトマスクブランクが含まれる。位相シフト膜は、従来と同様の構成とすることがで
き、例えば、ＭｏＳｉＮやＭｏＳｉＯＮ等からなる材料で形成される。さらに、透光性基
板と遮光膜との間、又は位相シフト膜と遮光膜との間に、遮光膜や位相シフト膜に対して
エッチング耐性を有するエッチングストッパー膜を設けてもよい。エッチングストッパー
膜は、エッチングマスク膜と同様にＣｒ系材料膜で形成すると、エッチングストッパー膜
をエッチングするときにエッチングマスク膜を同時に剥離することができるため、好まし
い。
本発明において、フォトマスクには、位相シフト効果を使用しないバイナリ型フォトマ
スク、位相シフト効果を使用する位相シフトマスクの中では、ハーフトーン型位相シフト
マスク、レベンソン型位相シフトマスク、エンハンサーマスクが含まれる。フォトマスク
にはレチクルが含まれる。
本発明において、波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスクには、ＡｒＦ
エキシマレーザー露光用のフォトマスクが含まれる。
以下、本発明の実施例及び比較例を示す。なお、各実施例、比較例中の遮光膜やエッチ
ングマスク膜等の各膜は、成膜法としてスパッタリング法で行われ、スパッタ装置として
ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて成膜された。ただし、本発明を実施するにあたっ
ては、特にこの成膜法や成膜装置に限定されるわけではなく、ＲＦマグネトロンスパッタ
装置等、他の方式のスパッタ装置を使用してもよい。
ングマスク膜等の各膜は、成膜法としてスパッタリング法で行われ、スパッタ装置として
ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて成膜された。ただし、本発明を実施するにあたっ
ては、特にこの成膜法や成膜装置に限定されるわけではなく、ＲＦマグネトロンスパッタ
装置等、他の方式のスパッタ装置を使用してもよい。
実施例（１−１）
（フォトマスクブランクの作製）
透光性基板１としてサイズ６インチ角、厚さ０．２５インチの合成石英基板を用い、透
光性基板１上に、遮光膜１０として、ＭｏＳｉＯＮ膜１１（裏面反射防止層）、ＭｏＳｉ
（遮光層）１２、ＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３、をそれぞれ形成した（図１）。
詳しくは、Ｍｏ：Ｓｉ＝２１：７９（原子％比）のターゲットを用い、ＡｒとＯ２とＮ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｏ２：Ｎ２：Ｈｅ＝５：４：４９：４２）とし、ＤＣ電源の電力を３．０ｋＷで、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜（Ｍｏ：０．３原子％、Ｓｉ：２４．６原子％、Ｏ：２２．５原子％、Ｎ：５２．６原子％）を７ｎｍの膜厚で形成し、
次いで、Ｍｏ：Ｓｉ＝２１：７９（原子％比）のターゲットを用い、Ａｒをスパッタリ
ングガス圧０．１Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を２．０ｋＷで、モリブデン及びシリコンか
らなる膜（Ｍｏ：２１．０原子％、Ｓｉ：７９原子％を３０ｎｍの膜厚で形成し、
次いで、Ｍｏ：Ｓｉ＝４：９６（原子％比）のターゲットを用い、ＡｒとＯ２とＮ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．１Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｏ２：Ｎ２：Ｈｅ＝６：５：１１：１６）とし、ＤＣ電源の電力を３．０ｋＷで、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜（Ｍｏ：１．６原子％、Ｓｉ：３８．８原子％、Ｏ：１８．８原子％、Ｎ：４０．８原子％）を１５ｎｍの膜厚で形成した。遮光膜１０の合計膜厚は５２ｎｍとした。遮光膜１０の光学濃度（ＯＤ）はＡｒＦエキシマレーザー露光光の波長１９３ｎｍにおいて３であった。
次に、上記基板を４５０℃で３０分間加熱処理（アニール処理）した。
次に、遮光膜１０上に、エッチングマスク膜２０を形成した（図１）。具体的には、クロムターゲットを使用し、ＡｒとＣＯ２とＮ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２１：３７：１１：３１）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３３４Ｖで、メタルモードから反応モードへの移行が始まる付近（間際）の条件（ＣＯ２流量３７ｓｃｃｍ付近）で成膜を行い（図３（２）参照）、ＣｒＯＣＮ膜（Ｃｒ：３３原子％、Ｏ：３８．９原子％、Ｃ：１１．１原子％、Ｎ：１７原子％）を５ｎｍの膜厚で形成した。このときＣｒＯＣＮ膜を前記ＭｏＳｉ遮光膜のアニール処理温度よりも低い温度でアニールすることにより、ＭｏＳｉ遮光膜の膜応力に影響を与えずＣｒＯＣＮ膜の応力を極力低く（好ましくは膜応力が実質ゼロ）なるよう調整した。
上記により、ＡｒＦエキシマレーザー露光用の遮光膜を形成したフォトマスクブランク
を得た。
なお、薄膜の元素分析は、ラザフォード後方散乱分析法を用いた。以下の実施例、比較
例において同様である。
（フォトマスクブランクの作製）
透光性基板１としてサイズ６インチ角、厚さ０．２５インチの合成石英基板を用い、透
光性基板１上に、遮光膜１０として、ＭｏＳｉＯＮ膜１１（裏面反射防止層）、ＭｏＳｉ
（遮光層）１２、ＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３、をそれぞれ形成した（図１）。
詳しくは、Ｍｏ：Ｓｉ＝２１：７９（原子％比）のターゲットを用い、ＡｒとＯ２とＮ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｏ２：Ｎ２：Ｈｅ＝５：４：４９：４２）とし、ＤＣ電源の電力を３．０ｋＷで、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜（Ｍｏ：０．３原子％、Ｓｉ：２４．６原子％、Ｏ：２２．５原子％、Ｎ：５２．６原子％）を７ｎｍの膜厚で形成し、
次いで、Ｍｏ：Ｓｉ＝２１：７９（原子％比）のターゲットを用い、Ａｒをスパッタリ
ングガス圧０．１Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を２．０ｋＷで、モリブデン及びシリコンか
らなる膜（Ｍｏ：２１．０原子％、Ｓｉ：７９原子％を３０ｎｍの膜厚で形成し、
次いで、Ｍｏ：Ｓｉ＝４：９６（原子％比）のターゲットを用い、ＡｒとＯ２とＮ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．１Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｏ２：Ｎ２：Ｈｅ＝６：５：１１：１６）とし、ＤＣ電源の電力を３．０ｋＷで、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜（Ｍｏ：１．６原子％、Ｓｉ：３８．８原子％、Ｏ：１８．８原子％、Ｎ：４０．８原子％）を１５ｎｍの膜厚で形成した。遮光膜１０の合計膜厚は５２ｎｍとした。遮光膜１０の光学濃度（ＯＤ）はＡｒＦエキシマレーザー露光光の波長１９３ｎｍにおいて３であった。
次に、上記基板を４５０℃で３０分間加熱処理（アニール処理）した。
次に、遮光膜１０上に、エッチングマスク膜２０を形成した（図１）。具体的には、クロムターゲットを使用し、ＡｒとＣＯ２とＮ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２１：３７：１１：３１）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３３４Ｖで、メタルモードから反応モードへの移行が始まる付近（間際）の条件（ＣＯ２流量３７ｓｃｃｍ付近）で成膜を行い（図３（２）参照）、ＣｒＯＣＮ膜（Ｃｒ：３３原子％、Ｏ：３８．９原子％、Ｃ：１１．１原子％、Ｎ：１７原子％）を５ｎｍの膜厚で形成した。このときＣｒＯＣＮ膜を前記ＭｏＳｉ遮光膜のアニール処理温度よりも低い温度でアニールすることにより、ＭｏＳｉ遮光膜の膜応力に影響を与えずＣｒＯＣＮ膜の応力を極力低く（好ましくは膜応力が実質ゼロ）なるよう調整した。
上記により、ＡｒＦエキシマレーザー露光用の遮光膜を形成したフォトマスクブランク
を得た。
なお、薄膜の元素分析は、ラザフォード後方散乱分析法を用いた。以下の実施例、比較
例において同様である。
（フォトマスクの作製）
フォトマスクブランクのエッチングマスク膜２０の上に、電子線描画（露光）用化学増
幅型ポジレジスト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）をスピンコート法により膜厚が１００ｎｍとなるように塗布した（図１、図２（１））。
次に、レジスト膜５０に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン（４０ｎｍ、４
５ｎｍ、５０ｎｍ、５５ｎｍ、６０ｎｍのラインアンドスペース）の描画を行った後、所
定の現像液で現像してレジストパターン５０ａを形成した（図２（２））。
次に、レジストパターン５０ａをマスクとして、エッチングマスク膜２０のドライエッチングを行った（図２（３））。ドライエッチングガスとして、Ｃｌ２とＯ２の混合ガス（Ｃｌ２：Ｏ２＝４：１）を用いた。
次いで、残留したレジストパターン５０ａを薬液により剥離除去した。
次いで、エッチングマスク膜パターン２０ａをマスクにして、遮光膜１０を、ＳＦ６とＨｅの混合ガスを用い、ドライエッチングを行い、遮光膜パターン１０ａを形成した（図
２（４））。
次いで、エッチングマスク膜パターン２０ａを、Ｃｌ２とＯ２の混合ガスでドライエッチングによって剥離し（図２（５））、所定の洗浄を施してフォトマスク１００を得た。
このフォトマスクの作製例では、エッチングマスク膜パターン２０ａを形成後、レジス
トパターン５０ａを剥離除去したが、これは、その次のプロセスで遮光膜１０に遮光膜パ
ターン１０ａを形成する際、マスクパターンの側壁高さ（＝エッチングマスク膜パターン
２０ａの側壁高さ）が低い方が、ＣＤ精度をより高く、マイクロローディングをより小さ
くすることができ、より加工精度に優れるためである。なお、そこまでの加工精度が要求
されないフォトマスクを作製する場合やエッチングマスク膜にも露光光に対する反射防止
の役割を持たせたい場合においては、レジストパターン５０ａを遮光膜パターン１０ａが
形成された後に剥離除去するようにしてもよい。
実施例（１−１）で使用したフォトマスクブランクの構成（遮光膜、エッチングマスク
膜、レジスト膜の材料及び膜厚等の特性）を図４に示す。また、実施例（１−１）で使用
したフォトマスクブランクの加工特性（エッチングマスク膜のドライエッチング後のレジ
スト膜厚、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜厚、ＣＤリニアリティ、ＣＤユニフォミティ、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ(Line Edge Roughness)、レジスト倒れ等）、エッチングマスク膜のＬＥＲ(Line Edge Roughness)）、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図４に示す。
フォトマスクブランクのエッチングマスク膜２０の上に、電子線描画（露光）用化学増
幅型ポジレジスト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）をスピンコート法により膜厚が１００ｎｍとなるように塗布した（図１、図２（１））。
次に、レジスト膜５０に対し、電子線描画装置を用いて所望のパターン（４０ｎｍ、４
５ｎｍ、５０ｎｍ、５５ｎｍ、６０ｎｍのラインアンドスペース）の描画を行った後、所
定の現像液で現像してレジストパターン５０ａを形成した（図２（２））。
次に、レジストパターン５０ａをマスクとして、エッチングマスク膜２０のドライエッチングを行った（図２（３））。ドライエッチングガスとして、Ｃｌ２とＯ２の混合ガス（Ｃｌ２：Ｏ２＝４：１）を用いた。
次いで、残留したレジストパターン５０ａを薬液により剥離除去した。
次いで、エッチングマスク膜パターン２０ａをマスクにして、遮光膜１０を、ＳＦ６とＨｅの混合ガスを用い、ドライエッチングを行い、遮光膜パターン１０ａを形成した（図
２（４））。
次いで、エッチングマスク膜パターン２０ａを、Ｃｌ２とＯ２の混合ガスでドライエッチングによって剥離し（図２（５））、所定の洗浄を施してフォトマスク１００を得た。
このフォトマスクの作製例では、エッチングマスク膜パターン２０ａを形成後、レジス
トパターン５０ａを剥離除去したが、これは、その次のプロセスで遮光膜１０に遮光膜パ
ターン１０ａを形成する際、マスクパターンの側壁高さ（＝エッチングマスク膜パターン
２０ａの側壁高さ）が低い方が、ＣＤ精度をより高く、マイクロローディングをより小さ
くすることができ、より加工精度に優れるためである。なお、そこまでの加工精度が要求
されないフォトマスクを作製する場合やエッチングマスク膜にも露光光に対する反射防止
の役割を持たせたい場合においては、レジストパターン５０ａを遮光膜パターン１０ａが
形成された後に剥離除去するようにしてもよい。
実施例（１−１）で使用したフォトマスクブランクの構成（遮光膜、エッチングマスク
膜、レジスト膜の材料及び膜厚等の特性）を図４に示す。また、実施例（１−１）で使用
したフォトマスクブランクの加工特性（エッチングマスク膜のドライエッチング後のレジ
スト膜厚、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜厚、ＣＤリニアリティ、ＣＤユニフォミティ、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ(Line Edge Roughness)、レジスト倒れ等）、エッチングマスク膜のＬＥＲ(Line Edge Roughness)）、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図４に示す。
実施例（１−２）
実施例（１−２）は、実施例（１−１）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒ
ＯＣＮ膜の膜厚を５ｎｍから１０ｎｍに変えたこと、を除き実施例（１−１）と同様であ
る。
実施例（１−２）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図４に示す。
実施例（１−２）は、実施例（１−１）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒ
ＯＣＮ膜の膜厚を５ｎｍから１０ｎｍに変えたこと、を除き実施例（１−１）と同様であ
る。
実施例（１−２）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図４に示す。
実施例（１−３）
実施例（１−３）は、実施例（１−１）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒ
ＯＣＮ膜の膜厚を５ｎｍから１５ｎｍに変えたこと、を除き実施例（１−１）と同様であ
る。
実施例（１−３）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図４に示す。
実施例（１−３）は、実施例（１−１）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒ
ＯＣＮ膜の膜厚を５ｎｍから１５ｎｍに変えたこと、を除き実施例（１−１）と同様であ
る。
実施例（１−３）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図４に示す。
実施例（１−４）
実施例（１−４）は、実施例（１−１）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒ
ＯＣＮ膜の膜厚を５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと、を除き実施例（１−１）と同様であ
る。
実施例（１−４）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図４に示す。
実施例（１−４）は、実施例（１−１）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒ
ＯＣＮ膜の膜厚を５ｎｍから２０ｎｍに変えたこと、を除き実施例（１−１）と同様であ
る。
実施例（１−４）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図４に示す。
実施例（１−５）〜（１−８）
実施例（１−５）〜（１−８）は、実施例（１−１）〜（１−４）において、エッチン
グマスク膜２０であるＣｒＯＣＮ膜をＣｒＯＣ膜に変え、下記条件で成膜を行い、ＣｒＯ
Ｃ膜中のＣｒ含有量を３５原子％としたこと、を除き実施例（１−１）〜（１−４）と同
様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＣ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、ＡｒとＣＯ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｈｅ＝１８：４０：３２）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３４３Ｖで、メタルモードから反応モードへの移行が始まる付近（間際）の条件（ＣＯ２流量４０ｓｃｃｍ付近）で成膜を行い（図３（１）参照）、ＣｒＯＣ膜（膜中のＣｒ含有量：３５原子％）を５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍの各膜厚で形成した。
実施例（１−５）〜（１−８）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図４に示す。
実施例（１−５）〜（１−８）は、実施例（１−１）〜（１−４）において、エッチン
グマスク膜２０であるＣｒＯＣＮ膜をＣｒＯＣ膜に変え、下記条件で成膜を行い、ＣｒＯ
Ｃ膜中のＣｒ含有量を３５原子％としたこと、を除き実施例（１−１）〜（１−４）と同
様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＣ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、ＡｒとＣＯ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｈｅ＝１８：４０：３２）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３４３Ｖで、メタルモードから反応モードへの移行が始まる付近（間際）の条件（ＣＯ２流量４０ｓｃｃｍ付近）で成膜を行い（図３（１）参照）、ＣｒＯＣ膜（膜中のＣｒ含有量：３５原子％）を５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍの各膜厚で形成した。
実施例（１−５）〜（１−８）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図４に示す。
実施例（１−９）〜（１−１２）
実施例（１−９）〜（１−１２）は、実施例（１−１）〜（１−４）において、エッチ
ングマスク膜２０であるＣｒＯＣＮ膜をＣｒＯＮ膜に変え、下記条件で成膜を行ったこと、を除き実施例（１−１）〜（１−４）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、ＡｒとＮＯをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＮＯ：Ｈｅ＝１８：８０：３２）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を２９５Ｖで、反応モードで成膜を行い（図３（３）参照）、ＣｒＯＮ膜（膜中のＣｒ含有量：３５原子％）を５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍの各膜厚で形成した。
実施例（１−９）〜（１−１２）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特
性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図５に示す。
実施例（１−９）〜（１−１２）は、実施例（１−１）〜（１−４）において、エッチ
ングマスク膜２０であるＣｒＯＣＮ膜をＣｒＯＮ膜に変え、下記条件で成膜を行ったこと、を除き実施例（１−１）〜（１−４）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、ＡｒとＮＯをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＮＯ：Ｈｅ＝１８：８０：３２）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を２９５Ｖで、反応モードで成膜を行い（図３（３）参照）、ＣｒＯＮ膜（膜中のＣｒ含有量：３５原子％）を５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍの各膜厚で形成した。
実施例（１−９）〜（１−１２）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特
性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図５に示す。
参考例（１−１３）〜（１−１６）
参考例（１−１３）〜（１−１６）は、実施例（１−１）〜（１−４）において、エッ
チングマスク膜２０であるＣｒＯＣＮ膜をＣｒＮ膜に変え、下記条件で成膜を行ったこと、を除き実施例（１−１）〜（１−４）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＮ２をスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２＝１０：６０）とし、ＤＣ電源の電力を２．０ｋＷ、電圧を３５０Ｖで、反応モードで成膜を行い、ＣｒＮ膜（膜中のＣｒ含有量：５０原子％）を５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍの各膜厚で形成した。
参考例（１−１３）〜（１−１６）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工
特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図５に示す。
参考例（１−１３）〜（１−１６）は、実施例（１−１）〜（１−４）において、エッ
チングマスク膜２０であるＣｒＯＣＮ膜をＣｒＮ膜に変え、下記条件で成膜を行ったこと、を除き実施例（１−１）〜（１−４）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＮ２をスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２＝１０：６０）とし、ＤＣ電源の電力を２．０ｋＷ、電圧を３５０Ｖで、反応モードで成膜を行い、ＣｒＮ膜（膜中のＣｒ含有量：５０原子％）を５ｎｍ、１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍの各膜厚で形成した。
参考例（１−１３）〜（１−１６）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工
特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図５に示す。
実施例（１−１７）
実施例（１−１７）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮
光層）１２に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２の膜厚を変化させ、
ＭｏＳｉ（遮光層）１２中のＳｉ含有量を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化
させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２は、Ｍｏ：Ｓｉ＝９：９１（原子％比）の
ターゲットを用い、Ａｒをスパッタリングガス圧０．１Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を２．
０ｋＷで、モリブデン及びシリコンからなる膜（Ｍｏ：９原子％、Ｓｉ：９１原子％）を
３４ｎｍの膜厚で形成し、遮光膜１０の合計膜厚は５６ｎｍとした。
実施例（１−１７）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−１７）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮
光層）１２に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２の膜厚を変化させ、
ＭｏＳｉ（遮光層）１２中のＳｉ含有量を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化
させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２は、Ｍｏ：Ｓｉ＝９：９１（原子％比）の
ターゲットを用い、Ａｒをスパッタリングガス圧０．１Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を２．
０ｋＷで、モリブデン及びシリコンからなる膜（Ｍｏ：９原子％、Ｓｉ：９１原子％）を
３４ｎｍの膜厚で形成し、遮光膜１０の合計膜厚は５６ｎｍとした。
実施例（１−１７）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−１８）
実施例（１−１８）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮
光層）１２に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２の膜厚を変化させ、
ＭｏＳｉ（遮光層）１２中のＳｉ含有量を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化
させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２は、Ｍｏ：Ｓｉ＝１５：８５（原子％比）
のターゲットを用い、Ａｒをスパッタリングガス圧０．１Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を２
．０ｋＷで、モリブデン及びシリコンからなる膜（Ｍｏ：１５原子％、Ｓｉ：８５原子％）を３１ｎｍの膜厚で形成し、遮光膜１０の合計膜厚は５３ｎｍとした。
実施例（１−１８）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−１８）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮
光層）１２に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２の膜厚を変化させ、
ＭｏＳｉ（遮光層）１２中のＳｉ含有量を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化
させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２は、Ｍｏ：Ｓｉ＝１５：８５（原子％比）
のターゲットを用い、Ａｒをスパッタリングガス圧０．１Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を２
．０ｋＷで、モリブデン及びシリコンからなる膜（Ｍｏ：１５原子％、Ｓｉ：８５原子％）を３１ｎｍの膜厚で形成し、遮光膜１０の合計膜厚は５３ｎｍとした。
実施例（１−１８）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−１９）
実施例（１−１９）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮
光層）１２に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２の膜厚を変化させ、
ＭｏＳｉ（遮光層）１２中のＳｉ含有量を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化
させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２は、Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２（原子％比）のタ
ーゲットを用い、Ａｒをスパッタリングガス圧０．１Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を２．０
ｋＷで、モリブデン及びシリコンからなる膜（Ｍｏ：３３原子％、Ｓｉ：６７原子％）を
２９ｎｍの膜厚で形成し、遮光膜１０の合計膜厚は５１ｎｍとした。
実施例（１−１９）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−１９）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮
光層）１２に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２の膜厚を変化させ、
ＭｏＳｉ（遮光層）１２中のＳｉ含有量を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化
させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２は、Ｍｏ：Ｓｉ＝１：２（原子％比）のタ
ーゲットを用い、Ａｒをスパッタリングガス圧０．１Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を２．０
ｋＷで、モリブデン及びシリコンからなる膜（Ｍｏ：３３原子％、Ｓｉ：６７原子％）を
２９ｎｍの膜厚で形成し、遮光膜１０の合計膜厚は５１ｎｍとした。
実施例（１−１９）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−２０）
実施例（１−２０）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮
光層）１２に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２の膜厚を変化させ、
ＭｏＳｉ（遮光層）１２中のＳｉ含有量を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化
させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２は、Ｍｏ：Ｓｉ＝４０：６０（原子％比）
のターゲットを用い、Ａｒをスパッタリングガス圧０．１Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を２．０ｋＷで、モリブデン及びシリコンからなる膜（Ｍｏ：４０原子％、Ｓｉ：６０原子％）を３０ｎｍの膜厚で形成し、遮光膜１０の合計膜厚は５２ｎｍとした。
実施例（１−２０）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−２０）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮
光層）１２に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２の膜厚を変化させ、
ＭｏＳｉ（遮光層）１２中のＳｉ含有量を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化
させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２は、Ｍｏ：Ｓｉ＝４０：６０（原子％比）
のターゲットを用い、Ａｒをスパッタリングガス圧０．１Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を２．０ｋＷで、モリブデン及びシリコンからなる膜（Ｍｏ：４０原子％、Ｓｉ：６０原子％）を３０ｎｍの膜厚で形成し、遮光膜１０の合計膜厚は５２ｎｍとした。
実施例（１−２０）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−２１）
実施例（１−２１）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０に関し、ＭｏＳｉＯＮ
膜１１（裏面反射防止層）を形成しなかったこと、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２及びＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２をＭｏＳｉＮ（遮光層）１２に変え、その膜厚及び膜中のＳｉ含有量を変化させたこと、ＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３の膜厚を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、モリブデン、シリコン、窒素からな
る膜（Ｍｏ：９原子％、Ｓｉ：７２．８原子％、Ｎ：１８．２原子％）を５２ｎｍの膜厚
で形成した。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３は、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜（Ｍｏ：１．６原子％、Ｓｉ：３８．８原子％、Ｏ：１８．８原子％、Ｎ：４０．８原子％）を８ｎｍの膜厚で形成した。
遮光膜１０の合計膜厚は６０ｎｍとした。遮光膜１０の光学濃度（ＯＤ）はＡｒＦエキ
シマレーザー露光光の波長１９３ｎｍにおいて３であった。
実施例（１−２１）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−２１）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０に関し、ＭｏＳｉＯＮ
膜１１（裏面反射防止層）を形成しなかったこと、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２及びＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２をＭｏＳｉＮ（遮光層）１２に変え、その膜厚及び膜中のＳｉ含有量を変化させたこと、ＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３の膜厚を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、モリブデン、シリコン、窒素からな
る膜（Ｍｏ：９原子％、Ｓｉ：７２．８原子％、Ｎ：１８．２原子％）を５２ｎｍの膜厚
で形成した。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３は、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜（Ｍｏ：１．６原子％、Ｓｉ：３８．８原子％、Ｏ：１８．８原子％、Ｎ：４０．８原子％）を８ｎｍの膜厚で形成した。
遮光膜１０の合計膜厚は６０ｎｍとした。遮光膜１０の光学濃度（ＯＤ）はＡｒＦエキ
シマレーザー露光光の波長１９３ｎｍにおいて３であった。
実施例（１−２１）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−２２）
実施例（１−２２）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０に関し、ＭｏＳｉＯＮ
膜１１（裏面反射防止層）を形成しなかったこと、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２及びＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２をＭｏＳｉＮ（遮光層）１２に変え、その膜厚及び膜中のＳｉ含有量を変化させたこと、ＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３の膜厚を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、モリブデン、シリコン、窒素からな
る膜（Ｍｏ：１８原子％、Ｓｉ：６３．８原子％、Ｎ：１８．２原子％）を５０ｎｍの膜
厚で形成した。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３は、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜（Ｍｏ：１．６原子％、Ｓｉ：３８．８原子％、Ｏ：１８．８原子％、Ｎ：４０．８原子％）を１０ｎｍの膜厚で形成した。
遮光膜１０の合計膜厚は６０ｎｍとした。遮光膜１０の光学濃度（ＯＤ）はＡｒＦエキ
シマレーザー露光光の波長１９３ｎｍにおいて３であった。
実施例（１−２２）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−２２）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０に関し、ＭｏＳｉＯＮ
膜１１（裏面反射防止層）を形成しなかったこと、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２及びＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２をＭｏＳｉＮ（遮光層）１２に変え、その膜厚及び膜中のＳｉ含有量を変化させたこと、ＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３の膜厚を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、モリブデン、シリコン、窒素からな
る膜（Ｍｏ：１８原子％、Ｓｉ：６３．８原子％、Ｎ：１８．２原子％）を５０ｎｍの膜
厚で形成した。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３は、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜（Ｍｏ：１．６原子％、Ｓｉ：３８．８原子％、Ｏ：１８．８原子％、Ｎ：４０．８原子％）を１０ｎｍの膜厚で形成した。
遮光膜１０の合計膜厚は６０ｎｍとした。遮光膜１０の光学濃度（ＯＤ）はＡｒＦエキ
シマレーザー露光光の波長１９３ｎｍにおいて３であった。
実施例（１−２２）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−２３）
実施例（１−２３）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０に関し、ＭｏＳｉＯＮ
膜１１（裏面反射防止層）を形成しなかったこと、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２及びＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２をＭｏＳｉＮ（遮光層）１２に変え、その膜厚及び膜中のＳｉ含有量を変化させたこと、ＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３の膜厚を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、モリブデン、シリコン、窒素からな
る膜（Ｍｏ：３０原子％、Ｓｉ：５１．８原子％、Ｎ：１８．２原子％）を４５ｎｍの膜
厚で形成した。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３は、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜（Ｍｏ：１．６原子％、Ｓｉ：３８．８原子％、Ｏ：１８．８原子％、Ｎ：４０．８原子％）を１５ｎｍの膜厚で形成した。
遮光膜１０の合計膜厚は６０ｎｍとした。遮光膜１０の光学濃度（ＯＤ）はＡｒＦエキ
シマレーザー露光光の波長１９３ｎｍにおいて３であった。
実施例（１−２３）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−２３）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０に関し、ＭｏＳｉＯＮ
膜１１（裏面反射防止層）を形成しなかったこと、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２及びＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２をＭｏＳｉＮ（遮光層）１２に変え、その膜厚及び膜中のＳｉ含有量を変化させたこと、ＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３の膜厚を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、モリブデン、シリコン、窒素からな
る膜（Ｍｏ：３０原子％、Ｓｉ：５１．８原子％、Ｎ：１８．２原子％）を４５ｎｍの膜
厚で形成した。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３は、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜（Ｍｏ：１．６原子％、Ｓｉ：３８．８原子％、Ｏ：１８．８原子％、Ｎ：４０．８原子％）を１５ｎｍの膜厚で形成した。
遮光膜１０の合計膜厚は６０ｎｍとした。遮光膜１０の光学濃度（ＯＤ）はＡｒＦエキ
シマレーザー露光光の波長１９３ｎｍにおいて３であった。
実施例（１−２３）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−２４）
実施例（１−２４）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０に関し、ＭｏＳｉＯＮ膜１１（裏面反射防止層）を形成しなかったこと、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２及びＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２をＭｏＳｉＮ（遮光層）１２に変え、その膜厚及び膜中のＳｉ含有量を変化させたこと、ＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３の膜厚を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、モリブデン、シリコン、窒素からな
る膜（Ｍｏ：４０原子％、Ｓｉ：４１．８原子％、Ｎ：１８．２原子％）を４２ｎｍの膜
厚で形成した。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３は、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜（Ｍｏ：１．６原子％、Ｓｉ：３８．８原子％、Ｏ：１８．８原子％、Ｎ：４０．８原子％）を１８ｎｍの膜厚で形成した。
遮光膜１０の合計膜厚は６０ｎｍとした。遮光膜１０の光学濃度（ＯＤ）はＡｒＦエキ
シマレーザー露光光の波長１９３ｎｍにおいて３であった。
実施例（１−２４）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−２５）
実施例（１−２５）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０に関し、ＭｏＳｉＯＮ膜１１（裏面反射防止層）を形成しなかったこと、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２及びＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２をＭｏＳｉＮ（遮光層）１２に変え、その膜厚及び膜中のＳｉ含有量を変化させたこと、ＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３の膜厚を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、モリブデン、シリコン、窒素からな
る膜（Ｍｏ：１４．７原子％、Ｓｉ：５６．２原子％、Ｎ：２９．１原子％）を５０ｎｍ
の膜厚で形成した。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３は、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜（Ｍｏ：２．６原子％、Ｓｉ：５７．１原子％、Ｏ：１５．９原子％、Ｎ：２４．４原子％）を１０ｎｍの膜厚で形成した。
遮光膜１０の合計膜厚は６０ｎｍとした。遮光膜１０の光学濃度（ＯＤ）はＡｒＦエキ
シマレーザー露光光の波長１９３ｎｍにおいて３であった。
実施例（１−２５）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−２４）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０に関し、ＭｏＳｉＯＮ膜１１（裏面反射防止層）を形成しなかったこと、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２及びＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２をＭｏＳｉＮ（遮光層）１２に変え、その膜厚及び膜中のＳｉ含有量を変化させたこと、ＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３の膜厚を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、モリブデン、シリコン、窒素からな
る膜（Ｍｏ：４０原子％、Ｓｉ：４１．８原子％、Ｎ：１８．２原子％）を４２ｎｍの膜
厚で形成した。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３は、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜（Ｍｏ：１．６原子％、Ｓｉ：３８．８原子％、Ｏ：１８．８原子％、Ｎ：４０．８原子％）を１８ｎｍの膜厚で形成した。
遮光膜１０の合計膜厚は６０ｎｍとした。遮光膜１０の光学濃度（ＯＤ）はＡｒＦエキ
シマレーザー露光光の波長１９３ｎｍにおいて３であった。
実施例（１−２４）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（１−２５）
実施例（１−２５）は、実施例（１−１）において、遮光膜１０に関し、ＭｏＳｉＯＮ膜１１（裏面反射防止層）を形成しなかったこと、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）１２及びＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ（遮光層）１２をＭｏＳｉＮ（遮光層）１２に変え、その膜厚及び膜中のＳｉ含有量を変化させたこと、ＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３の膜厚を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化させたこと、を除き実施例（１−１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、モリブデン、シリコン、窒素からな
る膜（Ｍｏ：１４．７原子％、Ｓｉ：５６．２原子％、Ｎ：２９．１原子％）を５０ｎｍ
の膜厚で形成した。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＯＮ膜（表面反射防止層）１３は、モリブデン、シリコン、酸素、窒素からなる膜（Ｍｏ：２．６原子％、Ｓｉ：５７．１原子％、Ｏ：１５．９原子％、Ｎ：２４．４原子％）を１０ｎｍの膜厚で形成した。
遮光膜１０の合計膜厚は６０ｎｍとした。遮光膜１０の光学濃度（ＯＤ）はＡｒＦエキ
シマレーザー露光光の波長１９３ｎｍにおいて３であった。
実施例（１−２５）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図６に示す。
実施例（２−１）〜（２−１２）、参考例（２−１３）〜（２−１６）
実施例（２−１）〜（２−１２）、参考例（２−１３）〜（２−１６）は、実施例（１
−１）〜（１−１２）、参考例（１−１３）〜（１−１６）において、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＳＶＬ−０８：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）に変えたこと、を除き実施例（１−１）〜（１−１２）、参考例（１−１３）〜（１−１６）と同様である。
実施例（２−１）〜（２−１２）、参考例（２−１３）〜（２−１６）で使用したフォ
トマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜
パターンの解像性を図７及び図８に示す。
実施例（２−１７）
実施例（２−１７）は、実施例（２−４）において、エッチングマスク膜２０であるＣ
ｒＯＣＮ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＯＣＮ膜中のＣｒ含有量を４０原子％にしたこ
とを除き、実施例（２−４）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＣＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、ＡｒとＣＯ２とＮ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２２：３３：１１：３３）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷで成膜を行い、ＣｒＯＣＮ膜（膜中のＣｒ含有量：４０原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−１７）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−１８）
実施例（２−１８）は、実施例（２−４）において、エッチングマスク膜２０であるＣ
ｒＯＣＮ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＯＣＮ膜中のＣｒ含有量を４５原子％にしたこ
とを除き、実施例（２−４）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＣＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、ＡｒとＣＯ２とＮ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２３：２９：１２：３５）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷで成膜を行い、ＣｒＯＣＮ膜（膜中のＣｒ含有量：４５原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−１８）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−１９）
実施例（２−１９）は、実施例（２−８）において、エッチングマスク膜２０であるＣ
ｒＯＣ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＯＣ膜中のＣｒ含有量を４０原子％にしたことを
除き、実施例（２−８）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＣ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＣＯ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｈ
ｅ＝１５：３１：２３）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷで成膜を行い、ＣｒＯＣ膜（
膜中のＣｒ含有量：４０原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−１９）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−２０）
実施例（２−２０）は、実施例（２−８）において、エッチングマスク膜２０であるＣ
ｒＯＣ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＯＣ膜中のＣｒ含有量を４５原子％にしたことを
除き、実施例（２−８）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＣ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＣＯ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｈｅ＝１７：２９：２５）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷで成膜を行い、ＣｒＯＣ膜（膜中のＣｒ含有量：４５原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−２０）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−２１）
実施例（２−２１）は、実施例（２−１２）において、エッチングマスク膜２０である
ＣｒＯＮ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＯＮ膜中のＣｒ含有量を４０原子％にしたこと
を除き、実施例（２−１２）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＮＯとＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＮＯ：Ｈｅ＝
１５：６２：２３）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷで成膜を行い、ＣｒＯＮ膜（膜中
のＣｒ含有量：４０原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−２１）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−２２）
実施例（２−２２）は、実施例（２−１２）において、エッチングマスク膜２０である
ＣｒＯＮ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＯＮ膜中のＣｒ含有量を４５原子％にしたこと
を除き、実施例（２−１２）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＮＯとＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＮＯ：Ｈｅ＝
１７：５８：２５）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷで成膜を行い、ＣｒＯＮ膜（膜中
のＣｒ含有量：４５原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−２２）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−２３）
実施例（２−２３）は、参考例（２−１６）において、エッチングマスク膜２０であるＣ
ｒＮ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＮ膜中のＣｒ含有量を４０原子％にしたことを除き、参考例（２−１６）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、Ａ
ｒとＮ２をスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２＝１０：８０）とし、ＤＣ電源の電力を２．０ｋＷで成膜を行い、ＣｒＮ膜（膜中のＣｒ含有量：４０原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−２３）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−２４）
実施例（２−２４）は、参考例（２−１６）において、エッチングマスク膜２０である
ＣｒＮ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＮ膜中のＣｒ含有量を４５原子％にしたことを除
き、参考例（２−１６）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、ＡｒとＮ２をスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２＝１０：７０）とし、ＤＣ電源の電力を２．０ｋＷで成膜を行い、ＣｒＮ膜（膜中のＣｒ含有量：４５原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−２４）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−１）〜（２−１２）、参考例（２−１３）〜（２−１６）は、実施例（１
−１）〜（１−１２）、参考例（１−１３）〜（１−１６）において、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＳＶＬ−０８：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）に変えたこと、を除き実施例（１−１）〜（１−１２）、参考例（１−１３）〜（１−１６）と同様である。
実施例（２−１）〜（２−１２）、参考例（２−１３）〜（２−１６）で使用したフォ
トマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜
パターンの解像性を図７及び図８に示す。
実施例（２−１７）
実施例（２−１７）は、実施例（２−４）において、エッチングマスク膜２０であるＣ
ｒＯＣＮ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＯＣＮ膜中のＣｒ含有量を４０原子％にしたこ
とを除き、実施例（２−４）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＣＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、ＡｒとＣＯ２とＮ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２２：３３：１１：３３）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷで成膜を行い、ＣｒＯＣＮ膜（膜中のＣｒ含有量：４０原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−１７）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−１８）
実施例（２−１８）は、実施例（２−４）において、エッチングマスク膜２０であるＣ
ｒＯＣＮ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＯＣＮ膜中のＣｒ含有量を４５原子％にしたこ
とを除き、実施例（２−４）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＣＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、ＡｒとＣＯ２とＮ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｎ２：Ｈｅ＝２３：２９：１２：３５）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷで成膜を行い、ＣｒＯＣＮ膜（膜中のＣｒ含有量：４５原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−１８）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−１９）
実施例（２−１９）は、実施例（２−８）において、エッチングマスク膜２０であるＣ
ｒＯＣ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＯＣ膜中のＣｒ含有量を４０原子％にしたことを
除き、実施例（２−８）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＣ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＣＯ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｈ
ｅ＝１５：３１：２３）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷで成膜を行い、ＣｒＯＣ膜（
膜中のＣｒ含有量：４０原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−１９）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−２０）
実施例（２−２０）は、実施例（２−８）において、エッチングマスク膜２０であるＣ
ｒＯＣ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＯＣ膜中のＣｒ含有量を４５原子％にしたことを
除き、実施例（２−８）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＣ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＣＯ２とＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＣＯ２：Ｈｅ＝１７：２９：２５）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷで成膜を行い、ＣｒＯＣ膜（膜中のＣｒ含有量：４５原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−２０）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−２１）
実施例（２−２１）は、実施例（２−１２）において、エッチングマスク膜２０である
ＣｒＯＮ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＯＮ膜中のＣｒ含有量を４０原子％にしたこと
を除き、実施例（２−１２）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＮＯとＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＮＯ：Ｈｅ＝
１５：６２：２３）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷで成膜を行い、ＣｒＯＮ膜（膜中
のＣｒ含有量：４０原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−２１）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−２２）
実施例（２−２２）は、実施例（２−１２）において、エッチングマスク膜２０である
ＣｒＯＮ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＯＮ膜中のＣｒ含有量を４５原子％にしたこと
を除き、実施例（２−１２）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＮＯとＨｅをスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：ＮＯ：Ｈｅ＝
１７：５８：２５）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷで成膜を行い、ＣｒＯＮ膜（膜中
のＣｒ含有量：４５原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−２２）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−２３）
実施例（２−２３）は、参考例（２−１６）において、エッチングマスク膜２０であるＣ
ｒＮ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＮ膜中のＣｒ含有量を４０原子％にしたことを除き、参考例（２−１６）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、Ａ
ｒとＮ２をスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２＝１０：８０）とし、ＤＣ電源の電力を２．０ｋＷで成膜を行い、ＣｒＮ膜（膜中のＣｒ含有量：４０原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−２３）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（２−２４）
実施例（２−２４）は、参考例（２−１６）において、エッチングマスク膜２０である
ＣｒＮ膜を下記条件で成膜を行い、ＣｒＮ膜中のＣｒ含有量を４５原子％にしたことを除
き、参考例（２−１６）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、ＡｒとＮ２をスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２＝１０：７０）とし、ＤＣ電源の電力を２．０ｋＷで成膜を行い、ＣｒＮ膜（膜中のＣｒ含有量：４５原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
実施例（２−２４）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得
られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図９に示す。
実施例（３−１）〜（３−１２）、参考例（３−１３）〜（３−１６）
実施例（３−１）〜（３−１２）、参考例（３−１３）〜（３−１６）は、実施例（１
−１）〜（１−１２）、参考例（１−１３）〜（１−１６）において、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）の膜厚を、１００ｎｍから９０ｎｍに変えたこと、それに伴いレジストパターンの線幅（４０ｎｍ）とレジスト膜の膜厚９０ｎｍとの比（アスペクト比）が１：２．２５に変わったこと、を除き実施例（１−１）〜（１−１２）、参考例（１−１３）〜（１−１６）と同様である。
実施例（３−１）〜（３−１２）、参考例（３−１３）〜（３−１６）で使用したフォ
トマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜
パターンの解像性を図１０及び図１１に示す。
実施例（３−１７）〜（３−２４）
実施例（３−１７）〜（３−２４）は、実施例（２−１７）〜（２−２４）において、
電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＳＶＬ−０８：富士フィルムエレク
トロニクスマテリアルズ社製）を、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）に変えたこと、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０の膜厚を９０ｎｍとしたこと、それに伴いレジストパターンの線幅（４０ｎｍ）とレジスト膜の膜厚９０ｎｍとの比（アスペクト比）が１：２．２５に変わったこと、を除き実施例（２−１７）〜（２−２４）と同様である。
実施例（３−１７）〜（３−２４）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工
特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１２に示す。
実施例（３−１）〜（３−１２）、参考例（３−１３）〜（３−１６）は、実施例（１
−１）〜（１−１２）、参考例（１−１３）〜（１−１６）において、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）の膜厚を、１００ｎｍから９０ｎｍに変えたこと、それに伴いレジストパターンの線幅（４０ｎｍ）とレジスト膜の膜厚９０ｎｍとの比（アスペクト比）が１：２．２５に変わったこと、を除き実施例（１−１）〜（１−１２）、参考例（１−１３）〜（１−１６）と同様である。
実施例（３−１）〜（３−１２）、参考例（３−１３）〜（３−１６）で使用したフォ
トマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜
パターンの解像性を図１０及び図１１に示す。
実施例（３−１７）〜（３−２４）
実施例（３−１７）〜（３−２４）は、実施例（２−１７）〜（２−２４）において、
電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＳＶＬ−０８：富士フィルムエレク
トロニクスマテリアルズ社製）を、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）に変えたこと、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０の膜厚を９０ｎｍとしたこと、それに伴いレジストパターンの線幅（４０ｎｍ）とレジスト膜の膜厚９０ｎｍとの比（アスペクト比）が１：２．２５に変わったこと、を除き実施例（２−１７）〜（２−２４）と同様である。
実施例（３−１７）〜（３−２４）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工
特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１２に示す。
実施例（４−１）〜（４−９）、参考例（４−１０）〜（４−１２）
実施例（４−１）〜（４−９）、参考例（４−１０）〜（４−１２）は、実施例（１−
１）〜（１−３）、実施例（１−５）〜（１−７）、実施例（１−９）〜（１−１１）、参考例（１−１３）〜（１−１５）、において、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）の膜厚を、１００ｎｍから７５ｎｍに変えたこと、それに伴いレジストパターンの線幅（４０ｎｍ）とレジスト膜の膜厚７５ｎｍとの比（アスペクト比）が１：１．９に変わったこと、を除き実施例（１−１）〜（１−３）、実施例（１−５）〜（１−７）、実施例（１−９）〜（１−１１）、参考例（１−１３）〜（１−１５）と同様である。
実施例（４−１）〜（４−９）、参考例（４−１０）〜（４−１２）で使用したフォト
マスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パ
ターンの解像性を図１３及び１４に示す。
実施例（４−１３）〜（４−２０）
実施例（４−１３）〜（４−２０）は、実施例（２−１７）〜（２−２４）において、
電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＳＶＬ−０８：富士フィルムエレク
トロニクスマテリアルズ社製）を、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）に変えたこと、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０の膜厚を７５ｎｍとしたこと、それに伴いレジストパターンの線幅（４０ｎｍ）とレジスト膜の膜厚７５ｎｍとの比（アスペクト比）が１：１．９に変わったこと、エッチングマスク膜の膜厚を１５ｎｍにしたこと、を除き実施例（２−１７）〜（２−２４）と同様である。
実施例（４−１３）〜（４−２０）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工
特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１４に示す。
実施例（４−１）〜（４−９）、参考例（４−１０）〜（４−１２）は、実施例（１−
１）〜（１−３）、実施例（１−５）〜（１−７）、実施例（１−９）〜（１−１１）、参考例（１−１３）〜（１−１５）、において、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）の膜厚を、１００ｎｍから７５ｎｍに変えたこと、それに伴いレジストパターンの線幅（４０ｎｍ）とレジスト膜の膜厚７５ｎｍとの比（アスペクト比）が１：１．９に変わったこと、を除き実施例（１−１）〜（１−３）、実施例（１−５）〜（１−７）、実施例（１−９）〜（１−１１）、参考例（１−１３）〜（１−１５）と同様である。
実施例（４−１）〜（４−９）、参考例（４−１０）〜（４−１２）で使用したフォト
マスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パ
ターンの解像性を図１３及び１４に示す。
実施例（４−１３）〜（４−２０）
実施例（４−１３）〜（４−２０）は、実施例（２−１７）〜（２−２４）において、
電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＳＶＬ−０８：富士フィルムエレク
トロニクスマテリアルズ社製）を、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）に変えたこと、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０の膜厚を７５ｎｍとしたこと、それに伴いレジストパターンの線幅（４０ｎｍ）とレジスト膜の膜厚７５ｎｍとの比（アスペクト比）が１：１．９に変わったこと、エッチングマスク膜の膜厚を１５ｎｍにしたこと、を除き実施例（２−１７）〜（２−２４）と同様である。
実施例（４−１３）〜（４−２０）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工
特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１４に示す。
実施例（５−１）〜（５−６）、参考例（５−７）〜（５−８）
実施例（５−１）〜（５−６）、参考例（５−７）〜（５−８）は、実施例（１−１）
〜（１−２）、実施例（１−５）〜（１−５）、実施例（１−９）〜（１−１０）、参考例（１−１３）〜（１−１４）、において、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）の膜厚を、１００ｎｍから６５ｎｍに変えたこと、それに伴いレジストパターンの線幅（４０ｎｍ）とレジスト膜の膜厚６５ｎｍとの比（アスペクト比）が１：１．４に変わったこと、を除き実施例（１−１）〜（１−２）、実施例（１−５）〜（１−５）、実施例（１−９）〜（１−１０）、参考例（１−１３）〜（１−１４）と同様である。
実施例（５−１）〜（５−６）、参考例（５−７）〜（５−８）で使用したフォトマス
クブランクの構成、その加工特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パター
ンの解像性を図１５に示す。
実施例（５−９）〜（５−１６）
実施例（５−９）〜（５−１６）は、実施例（２−１７）〜（２−２４）において、電
子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＳＶＬ−０８：富士フィルムエレクト
ロニクスマテリアルズ社製）を、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（Ｐ
ＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）に変えたこと、電子線描
画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０の膜厚を６５ｎｍとしたこと、それに伴いレジ
ストパターンの線幅（４０ｎｍ）とレジスト膜の膜厚６５ｎｍとの比（アスペクト比）が
１：１．４に変わったこと、エッチングマスク膜の膜厚を１０ｎｍにしたこと、を除き実
施例（２−１７）〜（２−２４）と同様である。
実施例（５−９）〜（５−１６）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特
性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１６に示す。
実施例（５−１）〜（５−６）、参考例（５−７）〜（５−８）は、実施例（１−１）
〜（１−２）、実施例（１−５）〜（１−５）、実施例（１−９）〜（１−１０）、参考例（１−１３）〜（１−１４）、において、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）の膜厚を、１００ｎｍから６５ｎｍに変えたこと、それに伴いレジストパターンの線幅（４０ｎｍ）とレジスト膜の膜厚６５ｎｍとの比（アスペクト比）が１：１．４に変わったこと、を除き実施例（１−１）〜（１−２）、実施例（１−５）〜（１−５）、実施例（１−９）〜（１−１０）、参考例（１−１３）〜（１−１４）と同様である。
実施例（５−１）〜（５−６）、参考例（５−７）〜（５−８）で使用したフォトマス
クブランクの構成、その加工特性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パター
ンの解像性を図１５に示す。
実施例（５−９）〜（５−１６）
実施例（５−９）〜（５−１６）は、実施例（２−１７）〜（２−２４）において、電
子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（ＳＶＬ−０８：富士フィルムエレクト
ロニクスマテリアルズ社製）を、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０（Ｐ
ＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）に変えたこと、電子線描
画（露光）用化学増幅型ポジレジスト５０の膜厚を６５ｎｍとしたこと、それに伴いレジ
ストパターンの線幅（４０ｎｍ）とレジスト膜の膜厚６５ｎｍとの比（アスペクト比）が
１：１．４に変わったこと、エッチングマスク膜の膜厚を１０ｎｍにしたこと、を除き実
施例（２−１７）〜（２−２４）と同様である。
実施例（５−９）〜（５−１６）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特
性、並びに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１６に示す。
比較例１〜２
比較例１は、実施例（２−１）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＣＮ膜
の膜厚を５ｎｍから４ｎｍに変えたこと、を除き実施例（２−１）と同様である。
比較例２は、実施例（２−４）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＣＮ膜
の膜厚を２０ｎｍから３０ｎｍに変えたこと、を除き実施例（２−４）と同様である。
比較例１〜２で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られ
たフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１７に示す。
比較例１は、実施例（２−１）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＣＮ膜
の膜厚を５ｎｍから４ｎｍに変えたこと、を除き実施例（２−１）と同様である。
比較例２は、実施例（２−４）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒＯＣＮ膜
の膜厚を２０ｎｍから３０ｎｍに変えたこと、を除き実施例（２−４）と同様である。
比較例１〜２で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られ
たフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１７に示す。
比較例３〜４
比較例３は、実施例（１−４）において、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジス
ト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）の膜厚を、１
００ｎｍから１２０ｎｍに変えたこと、それに伴いレジストパターンの線幅（４０ｎｍ）
とレジスト膜の膜厚１２０ｎｍとの比（アスペクト比）が１：１．３に変わったこと、を
除き実施例（１−４）と同様である。
比較例４は、実施例（２−４）において、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジス
ト５０（ＳＶＬ−０８：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）の膜厚を、１
００ｎｍから１２０ｎｍに変えたこと、それに伴いレジストパターンの線幅（４０ｎｍ）
とレジスト膜の膜厚１２０ｎｍとの比（アスペクト比）が１：１．３に変わったこと、を
除き実施例（２−４）と同様である。
比較例３〜４で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られ
たフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１７に示す。
比較例３は、実施例（１−４）において、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジス
ト５０（ＰＲＬ００９：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）の膜厚を、１
００ｎｍから１２０ｎｍに変えたこと、それに伴いレジストパターンの線幅（４０ｎｍ）
とレジスト膜の膜厚１２０ｎｍとの比（アスペクト比）が１：１．３に変わったこと、を
除き実施例（１−４）と同様である。
比較例４は、実施例（２−４）において、電子線描画（露光）用化学増幅型ポジレジス
ト５０（ＳＶＬ−０８：富士フィルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）の膜厚を、１
００ｎｍから１２０ｎｍに変えたこと、それに伴いレジストパターンの線幅（４０ｎｍ）
とレジスト膜の膜厚１２０ｎｍとの比（アスペクト比）が１：１．３に変わったこと、を
除き実施例（２−４）と同様である。
比較例３〜４で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られ
たフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１７に示す。
比較例５〜７
比較例５〜７は、参考例（２−１４）〜（２−１６）において、エッチングマスク膜２
０であるＣｒＮ膜に関し、下記条件で成膜を行い、ＣｒＮ膜中のＣｒ含有量を５０原子％
から９０原子％に変えたこと、を除き参考例（２−１４）〜（２−１６）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＮ２をスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２：Ｈｅ＝１８：１８：３２）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３３５Ｖで、メタルモードで成膜を行い、ＣｒＮ膜（膜中のＣｒ含有量：９０原子％）を１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍの各膜厚で形成した。
比較例５〜７で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られ
たフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１７に示す。
比較例５〜７は、参考例（２−１４）〜（２−１６）において、エッチングマスク膜２
０であるＣｒＮ膜に関し、下記条件で成膜を行い、ＣｒＮ膜中のＣｒ含有量を５０原子％
から９０原子％に変えたこと、を除き参考例（２−１４）〜（２−１６）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＮ２をスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２：Ｈｅ＝１８：１８：３２）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３３５Ｖで、メタルモードで成膜を行い、ＣｒＮ膜（膜中のＣｒ含有量：９０原子％）を１０ｎｍ、１５ｎｍ、２０ｎｍの各膜厚で形成した。
比較例５〜７で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られ
たフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１７に示す。
比較例８
比較例８は、参考例（１−１６）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜に
関し、下記条件で成膜を行い、ＣｒＮ膜中のＣｒ含有量を５０原子％から９０原子％に変
えたこと、を除き参考例（１−１６）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＮ２をスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２：Ｈｅ＝１８：１８：３２）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３３５Ｖで、メタルモードで成膜を行い、ＣｒＮ膜（膜中のＣｒ含有量：９０原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
比較例８で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られたフ
ォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１７に示す。
比較例８は、参考例（１−１６）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜に
関し、下記条件で成膜を行い、ＣｒＮ膜中のＣｒ含有量を５０原子％から９０原子％に変
えたこと、を除き参考例（１−１６）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＮ２をスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２：Ｈｅ＝１８：１８：３２）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３３５Ｖで、メタルモードで成膜を行い、ＣｒＮ膜（膜中のＣｒ含有量：９０原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
比較例８で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られたフ
ォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１７に示す。
比較例９
比較例９は、参考例（２−１６）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜に
関し、下記条件で成膜を行い、ＣｒＮ膜中のＣｒ含有量を５０原子％から６０原子％に変
えたこと、を除き参考例（２−１６）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＮ２をスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２：Ｈｅ＝１８：２４：３２）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３３８Ｖで、メタルモードで成膜を行い、ＣｒＮ膜（膜中のＣｒ含有量：６０原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
比較例９で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られたフ
ォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１８示す。
比較例９は、参考例（２−１６）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜に
関し、下記条件で成膜を行い、ＣｒＮ膜中のＣｒ含有量を５０原子％から６０原子％に変
えたこと、を除き参考例（２−１６）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＮ２をスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２：Ｈｅ＝１８：２４：３２）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３３８Ｖで、メタルモードで成膜を行い、ＣｒＮ膜（膜中のＣｒ含有量：６０原子％）を２０ｎｍの膜厚で形成した。
比較例９で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られたフ
ォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１８示す。
比較例１０
比較例１０は、参考例（２−１６）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜
をＣｒ膜に変え、下記条件で成膜を行ったこと、を除き参考例（２−１６）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、Ａ
ｒをスパッタリングガス圧０．２Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３３０
Ｖで、メタルモードで成膜を行い、Ｃｒ膜中のＣｒ含有量１００原子％のピュアクロムを
２０ｎｍの膜厚で形成した。
比較例１０で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られた
フォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１８に示す。
比較例１０は、参考例（２−１６）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜
をＣｒ膜に変え、下記条件で成膜を行ったこと、を除き参考例（２−１６）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、Ａ
ｒをスパッタリングガス圧０．２Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３３０
Ｖで、メタルモードで成膜を行い、Ｃｒ膜中のＣｒ含有量１００原子％のピュアクロムを
２０ｎｍの膜厚で形成した。
比較例１０で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られた
フォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１８に示す。
比較例１１
比較例１１は、参考例（１−１６）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜
をＣｒ膜に変え、下記条件で成膜を行ったこと、を除き参考例（１−１６）と同様である
。
エッチングマスク膜２０であるＣｒ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、Ａ
ｒをスパッタリングガス圧０．２Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３３０
Ｖで、メタルモードで成膜を行い、Ｃｒ膜中のＣｒ含有量１００原子％のピュアクロムを
２０ｎｍの膜厚で形成した。
比較例１１で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られた
フォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１８に示す。
比較例１１は、参考例（１−１６）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜
をＣｒ膜に変え、下記条件で成膜を行ったこと、を除き参考例（１−１６）と同様である
。
エッチングマスク膜２０であるＣｒ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、Ａ
ｒをスパッタリングガス圧０．２Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３３０
Ｖで、メタルモードで成膜を行い、Ｃｒ膜中のＣｒ含有量１００原子％のピュアクロムを
２０ｎｍの膜厚で形成した。
比較例１１で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られた
フォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１８に示す。
比較例１２
比較例１２は、実施例（１−２１）において、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）
１２に関し、下記条件で成膜を行い、その膜厚及び膜中のＳｉ含有量を変化させたこと、
遮光膜１０の合計膜厚を変化させたこと、を除き実施例（１−２１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、モリブデン、シリコン、窒素からな
る膜（Ｍｏ：６原子％、Ｓｉ：７５．８原子％、Ｎ：１８．２原子％）を６２ｎｍの膜厚
で形成した。
遮光膜１０の合計膜厚は７０ｎｍとした。遮光膜１０の光学濃度（ＯＤ）はＡｒＦエキ
シマレーザー露光光の波長１９３ｎｍにおいて３であった。
比較例１２で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られた
フォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１８に示す。
比較例１２は、実施例（１−２１）において、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ（遮光層）
１２に関し、下記条件で成膜を行い、その膜厚及び膜中のＳｉ含有量を変化させたこと、
遮光膜１０の合計膜厚を変化させたこと、を除き実施例（１−２１）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、モリブデン、シリコン、窒素からな
る膜（Ｍｏ：６原子％、Ｓｉ：７５．８原子％、Ｎ：１８．２原子％）を６２ｎｍの膜厚
で形成した。
遮光膜１０の合計膜厚は７０ｎｍとした。遮光膜１０の光学濃度（ＯＤ）はＡｒＦエキ
シマレーザー露光光の波長１９３ｎｍにおいて３であった。
比較例１２で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られた
フォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１８に示す。
比較例１３
比較例１３は、参考例（４−１１）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜
に関し、下記条件で成膜を行い、ＣｒＮ膜中のＣｒ含有量を５０原子％から９０原子％に
変えたこと、を除き参考例（４−１１）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＮ２をスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２：Ｈｅ１８：１８：３２）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３３５Ｖで、メタルモードで成膜を行い、ＣｒＮ膜（膜中のＣｒ含有量：９０原子％）を１０ｎｍの膜厚で形成した。
比較例１３で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られた
フォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１８に示す。
比較例１４
比較例１４は、実施例（１−１７）において、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ膜（遮光層）１２に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ膜（遮光層）１２の膜厚を変化させ、ＭｏＳｉ膜（遮光層）１２中のＳｉ含有量を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化させたこと、を除き実施例（１−１７）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉ膜（遮光層）１２は、Ｍｏ：Ｓｉ＝８：９２（原子％比）のターゲットを用い、Ａｒをスパッタリングガス圧０．１Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を２．０ｋＷで、モリブデン及びシリコンからなる膜（Ｍｏ：８原子％、Ｓｉ：９２原子％）を３８ｎｍの膜厚で形成し、遮光膜１０の合計膜厚は６０ｎｍとした。
実施例（１−１７）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１８に示す。
比較例１３は、参考例（４−１１）において、エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜
に関し、下記条件で成膜を行い、ＣｒＮ膜中のＣｒ含有量を５０原子％から９０原子％に
変えたこと、を除き参考例（４−１１）と同様である。
エッチングマスク膜２０であるＣｒＮ膜は、具体的には、クロムターゲットを使用し、
ＡｒとＮ２をスパッタリングガス圧０．２Ｐａ（ガス流量比 Ａｒ：Ｎ２：Ｈｅ１８：１８：３２）とし、ＤＣ電源の電力を１．８ｋＷ、電圧を３３５Ｖで、メタルモードで成膜を行い、ＣｒＮ膜（膜中のＣｒ含有量：９０原子％）を１０ｎｍの膜厚で形成した。
比較例１３で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、得られた
フォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１８に示す。
比較例１４
比較例１４は、実施例（１−１７）において、遮光膜１０におけるＭｏＳｉ膜（遮光層）１２に関し、下記条件で成膜を行い、ＭｏＳｉ膜（遮光層）１２の膜厚を変化させ、ＭｏＳｉ膜（遮光層）１２中のＳｉ含有量を変化させたこと、遮光膜１０の合計膜厚を変化させたこと、を除き実施例（１−１７）と同様である。
遮光膜１０におけるＭｏＳｉ膜（遮光層）１２は、Ｍｏ：Ｓｉ＝８：９２（原子％比）のターゲットを用い、Ａｒをスパッタリングガス圧０．１Ｐａとし、ＤＣ電源の電力を２．０ｋＷで、モリブデン及びシリコンからなる膜（Ｍｏ：８原子％、Ｓｉ：９２原子％）を３８ｎｍの膜厚で形成し、遮光膜１０の合計膜厚は６０ｎｍとした。
実施例（１−１７）で使用したフォトマスクブランクの構成、その加工特性、並びに、
得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性を図１８に示す。
（評価）
図４〜図１８において、エッチングマスク膜のドライエッチング後のレジスト膜厚が５
０ｎｍ以上残っている場合には、レジストパターンのＬＥＲが悪化しないため、良好とし
た。また、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜厚が３．０ｎｍ以上残
っている場合には、エッチングマスクパターンのＬＥＲが悪化しないため、良好とした。
ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティは、ＤＲＡＭ ｈｐ３２ｎｍで要求される値
を満たすものを各々良好とした。なお、ＣＤユニフォミティについては、特にエッチング
マスク膜の剥離による悪化の度合いに着目して評価した。
また、電子線描画露光において求められる遮光膜及びエッチングマスク膜からなる積層
膜のシート抵抗値が３．０ｋΩ／□以下であるものを良好とした。なお、シート抵抗値は、４端子測定法に基づいて測定した。
実施例（１−１）〜（１−１２）、参考例（１−１３）〜（１−１６）、実施例（１−
１７）〜（１−２４）では、エッチングマスク膜のドライエッチング後のレジスト膜厚が、最大９３．６ｎｍ（実施例１−９）〜最小７０．１ｎｍ（実施例１−１６）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜厚が、最小３．１ｎｍ（実施例１−２１）〜最大１８．６ｎｍ（実施例１−４等）の範囲で変動している。
実施例（１−１）〜（１−１２）、参考例（１−１３）〜（１−１６）、実施例（１−
１７）〜（１−２４）では、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ、レジスト倒
れ等）は良好であり、また、エッチングマスク膜のＬＥＲは良好であり、さらに、得られ
たフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（１−１）〜（１−１２）、実施例（１−１７）〜（１−２４）では、遮光膜のみ
のシート抵抗値及び積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリ
ニアリティ及びＣＤユニフォミティも良好であった。
参考例（１−１３）〜（１−１６）では、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を
満たしていたが、エッチングマスク膜中のＣｒ含有量は５０原子％と比較的高く、塩素系
ガスに対するエッチングレートが遅いため、マイクロローディグ現象を抑制することがで
きず、またエッチングマスク膜も剥離しにくく、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミテ
ィ共に不良であった。
図４〜図１８において、エッチングマスク膜のドライエッチング後のレジスト膜厚が５
０ｎｍ以上残っている場合には、レジストパターンのＬＥＲが悪化しないため、良好とし
た。また、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜厚が３．０ｎｍ以上残
っている場合には、エッチングマスクパターンのＬＥＲが悪化しないため、良好とした。
ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティは、ＤＲＡＭ ｈｐ３２ｎｍで要求される値
を満たすものを各々良好とした。なお、ＣＤユニフォミティについては、特にエッチング
マスク膜の剥離による悪化の度合いに着目して評価した。
また、電子線描画露光において求められる遮光膜及びエッチングマスク膜からなる積層
膜のシート抵抗値が３．０ｋΩ／□以下であるものを良好とした。なお、シート抵抗値は、４端子測定法に基づいて測定した。
実施例（１−１）〜（１−１２）、参考例（１−１３）〜（１−１６）、実施例（１−
１７）〜（１−２４）では、エッチングマスク膜のドライエッチング後のレジスト膜厚が、最大９３．６ｎｍ（実施例１−９）〜最小７０．１ｎｍ（実施例１−１６）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜厚が、最小３．１ｎｍ（実施例１−２１）〜最大１８．６ｎｍ（実施例１−４等）の範囲で変動している。
実施例（１−１）〜（１−１２）、参考例（１−１３）〜（１−１６）、実施例（１−
１７）〜（１−２４）では、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ、レジスト倒
れ等）は良好であり、また、エッチングマスク膜のＬＥＲは良好であり、さらに、得られ
たフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（１−１）〜（１−１２）、実施例（１−１７）〜（１−２４）では、遮光膜のみ
のシート抵抗値及び積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリ
ニアリティ及びＣＤユニフォミティも良好であった。
参考例（１−１３）〜（１−１６）では、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を
満たしていたが、エッチングマスク膜中のＣｒ含有量は５０原子％と比較的高く、塩素系
ガスに対するエッチングレートが遅いため、マイクロローディグ現象を抑制することがで
きず、またエッチングマスク膜も剥離しにくく、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミテ
ィ共に不良であった。
実施例（２−１）〜（２−１２）、参考例（２−１３）〜（２−１６）では、エッチン
グマスク膜のドライエッチング後のレジスト膜厚が、最大９２．７ｎｍ（実施例２−９）
〜最小６６．２ｎｍ（参考例２−１６）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチ
ング後のエッチングマスク膜の膜厚が、最小３．６ｎｍ（実施例２−１等）〜最大１８．
６ｎｍ（実施例２−４等）の範囲で変動している。
実施例（２−１）〜（２−１２）、参考例（２−１３）〜（２−１６）では、レジスト
膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチン
グマスク膜のＬＥＲ）は良好であり、さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パタ
ーンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（２−１）〜（２−１２）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシート
抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティ
も良好であった。
参考例（２−１３）〜（２−１６）では、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下
を満たしていたが、エッチングマスク膜中のＣｒ含有量は５０原子％と比較的高く、塩素
系ガスに対するエッチングレートが遅いため、マイクロローディグ現象を抑制することが
できず、またエッチングマスク膜も剥離しにくく、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミ
ティ共に不良であった。
実施例（２−１７）〜（２−２４）では、エッチングマスク膜のドライエッチング後の
レジスト膜厚が、最大７０．３ｎｍ（実施例２−２１）〜最小６６．５ｎｍ（実施例２−
２４）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜
厚が、各々１８．６ｎｍであった。
実施例（２−１７）〜（２−２４）では、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥ
Ｒ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチングマスク膜のＬＥＲは良好であり、
さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（２−１７）〜（２−２４）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシート
抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティも良好であったが、エッ
チングマスク膜中のＣｒ含有量が４０原子％、４５原子％のため、エッチングマスク膜を
剥離しにくく、ＣＤユニフォミティが不良であった。
グマスク膜のドライエッチング後のレジスト膜厚が、最大９２．７ｎｍ（実施例２−９）
〜最小６６．２ｎｍ（参考例２−１６）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチ
ング後のエッチングマスク膜の膜厚が、最小３．６ｎｍ（実施例２−１等）〜最大１８．
６ｎｍ（実施例２−４等）の範囲で変動している。
実施例（２−１）〜（２−１２）、参考例（２−１３）〜（２−１６）では、レジスト
膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチン
グマスク膜のＬＥＲ）は良好であり、さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パタ
ーンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（２−１）〜（２−１２）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシート
抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティ
も良好であった。
参考例（２−１３）〜（２−１６）では、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下
を満たしていたが、エッチングマスク膜中のＣｒ含有量は５０原子％と比較的高く、塩素
系ガスに対するエッチングレートが遅いため、マイクロローディグ現象を抑制することが
できず、またエッチングマスク膜も剥離しにくく、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミ
ティ共に不良であった。
実施例（２−１７）〜（２−２４）では、エッチングマスク膜のドライエッチング後の
レジスト膜厚が、最大７０．３ｎｍ（実施例２−２１）〜最小６６．５ｎｍ（実施例２−
２４）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜
厚が、各々１８．６ｎｍであった。
実施例（２−１７）〜（２−２４）では、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥ
Ｒ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチングマスク膜のＬＥＲは良好であり、
さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（２−１７）〜（２−２４）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシート
抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティも良好であったが、エッ
チングマスク膜中のＣｒ含有量が４０原子％、４５原子％のため、エッチングマスク膜を
剥離しにくく、ＣＤユニフォミティが不良であった。
実施例（３−１）〜（３−１２）、参考例（３−１３）〜（３−１６）では、エッチン
グマスク膜のドライエッチング後のレジスト膜厚が、最大８３．６ｎｍ（実施例３−９）
〜最小６０．１ｎｍ（参考例３−１６）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチ
ング後のエッチングマスク膜の膜厚が、最小３．６ｎｍ（実施例３−１等）〜最大１８．
６ｎｍ（実施例３−４等）の範囲で変動している。
実施例（３−１）〜（３−１２）、参考例（３−１３）〜（３−１６）では、レジスト
膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチン
グマスク膜のＬＥＲ）は良好であり、さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パタ
ーンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（３−１）〜（３−１２）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシート
抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティ
も良好であった。
参考例（３−１３）〜（３−１６）では、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下
を満たしていたが、エッチングマスク膜中のＣｒ含有量は５０原子％と比較的高く、塩素
系ガスに対するエッチングレートが遅いため、マイクロローディグ現象を抑制することが
できず、またエッチングマスク膜も剥離しにくく、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミ
ティ共に不良であった。
実施例（３−１７）〜（３−２４）では、エッチングマスク膜のドライエッチング後の
レジスト膜厚が、最大６３．７ｎｍ（実施例３−２１）〜最小６０．３ｎｍ（実施例３−
２４）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜
厚が、各々１８．６ｎｍであった。
実施例（３−１７）〜（３−２４）では、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥ
Ｒ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチングマスク膜のＬＥＲは良好であり、
さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（３−１７）〜（３−２４）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシー
ト抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティも良好であったが、エ
ッチングマスク膜中のＣｒ含有量が４０原子％、４５原子％のため、エッチングマスク膜
を剥離しにくく、ＣＤユニフォミティが不良であった。
グマスク膜のドライエッチング後のレジスト膜厚が、最大８３．６ｎｍ（実施例３−９）
〜最小６０．１ｎｍ（参考例３−１６）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチ
ング後のエッチングマスク膜の膜厚が、最小３．６ｎｍ（実施例３−１等）〜最大１８．
６ｎｍ（実施例３−４等）の範囲で変動している。
実施例（３−１）〜（３−１２）、参考例（３−１３）〜（３−１６）では、レジスト
膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチン
グマスク膜のＬＥＲ）は良好であり、さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パタ
ーンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（３−１）〜（３−１２）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシート
抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティ
も良好であった。
参考例（３−１３）〜（３−１６）では、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下
を満たしていたが、エッチングマスク膜中のＣｒ含有量は５０原子％と比較的高く、塩素
系ガスに対するエッチングレートが遅いため、マイクロローディグ現象を抑制することが
できず、またエッチングマスク膜も剥離しにくく、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミ
ティ共に不良であった。
実施例（３−１７）〜（３−２４）では、エッチングマスク膜のドライエッチング後の
レジスト膜厚が、最大６３．７ｎｍ（実施例３−２１）〜最小６０．３ｎｍ（実施例３−
２４）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜
厚が、各々１８．６ｎｍであった。
実施例（３−１７）〜（３−２４）では、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥ
Ｒ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチングマスク膜のＬＥＲは良好であり、
さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（３−１７）〜（３−２４）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシー
ト抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティも良好であったが、エ
ッチングマスク膜中のＣｒ含有量が４０原子％、４５原子％のため、エッチングマスク膜
を剥離しにくく、ＣＤユニフォミティが不良であった。
実施例（４−１）〜（４−９）、参考例（４−１０）〜（４−１２）では、エッチング
マスク膜のドライエッチング後のレジスト膜厚が、最大６８．６ｎｍ（実施例４−７）〜
最小５２．５ｎｍ（参考例４−１２）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチン
グ後のエッチングマスク膜の膜厚が、最小３．６ｎｍ（実施例４−１等）〜最大１３．６
ｎｍ（実施例４−３等）の範囲で変動している。
実施例（４−１）〜（４−１２）では、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチングマスク膜のＬＥＲは良好であり、さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（４−１）〜（４−９）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシート抵
抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティも
良好であった。
参考例（４−１０）〜（４−１２）では、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下
を満たしていたが、エッチングマスク膜中のＣｒ含有量は５０原子％と比較的高く、塩素
系ガスに対するエッチングレートが遅いため、マイクロローディグ現象を抑制することが
できず、またエッチングマスク膜も剥離しにくく、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミ
ティ共に不良であった。
実施例（４−１３）〜（４−２０）では、エッチングマスク膜のドライエッチング後の
レジスト膜厚が、最大５５．３ｎｍ（実施例４−１７）〜最小５２．７ｎｍ（実施例４−
２０）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜
厚が、各々１３．６ｎｍであった。
実施例（４−１３）〜（４−２０）では、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥ
Ｒ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチングマスク膜のＬＥＲは良好であり、
さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（４−１３）〜（４−２０）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシー
ト抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティも良好であったが、エ
ッチングマスク膜中のＣｒ含有量が４０原子％、４５原子％のため、エッチングマスク膜
を剥離しにくく、ＣＤユニフォミティが不良であった。
マスク膜のドライエッチング後のレジスト膜厚が、最大６８．６ｎｍ（実施例４−７）〜
最小５２．５ｎｍ（参考例４−１２）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチン
グ後のエッチングマスク膜の膜厚が、最小３．６ｎｍ（実施例４−１等）〜最大１３．６
ｎｍ（実施例４−３等）の範囲で変動している。
実施例（４−１）〜（４−１２）では、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチングマスク膜のＬＥＲは良好であり、さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（４−１）〜（４−９）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシート抵
抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティも
良好であった。
参考例（４−１０）〜（４−１２）では、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下
を満たしていたが、エッチングマスク膜中のＣｒ含有量は５０原子％と比較的高く、塩素
系ガスに対するエッチングレートが遅いため、マイクロローディグ現象を抑制することが
できず、またエッチングマスク膜も剥離しにくく、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミ
ティ共に不良であった。
実施例（４−１３）〜（４−２０）では、エッチングマスク膜のドライエッチング後の
レジスト膜厚が、最大５５．３ｎｍ（実施例４−１７）〜最小５２．７ｎｍ（実施例４−
２０）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜
厚が、各々１３．６ｎｍであった。
実施例（４−１３）〜（４−２０）では、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥ
Ｒ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチングマスク膜のＬＥＲは良好であり、
さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（４−１３）〜（４−２０）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシー
ト抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティも良好であったが、エ
ッチングマスク膜中のＣｒ含有量が４０原子％、４５原子％のため、エッチングマスク膜
を剥離しにくく、ＣＤユニフォミティが不良であった。
実施例（５−１）〜（５−６）、参考例（５−７）〜（５−８）では、エッチングマス
ク膜のドライエッチング後のレジスト膜厚が、最大５８．６ｎｍ（実施例５−５）〜最小
５０．３ｎｍ（参考例５−８）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチング後の
エッチングマスク膜の膜厚が、最小３．６ｎｍ（実施例５−１等）〜最大８．６ｎｍ（実
施例５−２等）の範囲で変動している。
実施例（５−１）〜（５−６）、参考例（５−７）〜（５−８）では、レジスト膜の
解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチングマ
スク膜のＬＥＲ）は良好であり、さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターン
の解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（５−１）〜（５−６）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシート抵
抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティも
良好であった。
参考例（５−７）〜（５−８）では、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満
たしていたが、エッチングマスク膜中のＣｒ含有量は５０原子％と比較的高く、塩素系ガ
スに対するエッチングレートが遅いため、マイクロローディグ現象を抑制することができ
ず、またエッチングマスク膜も剥離しにくく、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティ
共に不良であった。
実施例（５−９）〜（５−１６）では、エッチングマスク膜のドライエッチング後のレ
ジスト膜厚が、最大５１．９ｎｍ（実施例５−１３）〜最小５０．４ｎｍ（実施例５−１
６）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜厚
が、各々８．６ｎｍであった。
実施例（５−９）〜（５−１６）では、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチングマスク膜のＬＥＲは良好であり、さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（５−９）〜（５−１６）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシート
抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティも良好であったが、エッ
チングマスク膜中のＣｒ含有量が４０原子％、４５原子％のため、エッチングマスク膜を
剥離しにくく、ＣＤユニフォミティが不良であった。
ク膜のドライエッチング後のレジスト膜厚が、最大５８．６ｎｍ（実施例５−５）〜最小
５０．３ｎｍ（参考例５−８）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチング後の
エッチングマスク膜の膜厚が、最小３．６ｎｍ（実施例５−１等）〜最大８．６ｎｍ（実
施例５−２等）の範囲で変動している。
実施例（５−１）〜（５−６）、参考例（５−７）〜（５−８）では、レジスト膜の
解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチングマ
スク膜のＬＥＲ）は良好であり、さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターン
の解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（５−１）〜（５−６）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシート抵
抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティも
良好であった。
参考例（５−７）〜（５−８）では、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満
たしていたが、エッチングマスク膜中のＣｒ含有量は５０原子％と比較的高く、塩素系ガ
スに対するエッチングレートが遅いため、マイクロローディグ現象を抑制することができ
ず、またエッチングマスク膜も剥離しにくく、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティ
共に不良であった。
実施例（５−９）〜（５−１６）では、エッチングマスク膜のドライエッチング後のレ
ジスト膜厚が、最大５１．９ｎｍ（実施例５−１３）〜最小５０．４ｎｍ（実施例５−１
６）の範囲で変動し、並びに、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜厚
が、各々８．６ｎｍであった。
実施例（５−９）〜（５−１６）では、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ、レジスト倒れ等）は良好であり、また、エッチングマスク膜のＬＥＲは良好であり、さらに、得られたフォトマスクにおける遮光膜パターンの解像性は４０ｎｍ未満であった。
実施例（５−９）〜（５−１６）では、遮光膜のみのシート抵抗値及び積層膜のシート
抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たしており、ＣＤリニアリティも良好であったが、エッ
チングマスク膜中のＣｒ含有量が４０原子％、４５原子％のため、エッチングマスク膜を
剥離しにくく、ＣＤユニフォミティが不良であった。
比較例１
比較例１は、エッチングマスク膜２０はＣｒＯＣＮ膜（膜中のＣｒ含有量は３３原子％）であるものの、その膜厚が４ｎｍと薄く、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜厚が２．６ｎｍまで薄くなってしまうことに起因し、エッチングマスク膜のＬＥＲ）は不良であり、また、得られたフォトマスクにおいて遮光膜パターンの解像性４０ｎｍ未満は実現できなかった。
比較例１は、エッチングマスク膜２０はＣｒＯＣＮ膜（膜中のＣｒ含有量は３３原子％）であるものの、その膜厚が４ｎｍと薄く、遮光膜のドライエッチング後のエッチングマスク膜の膜厚が２．６ｎｍまで薄くなってしまうことに起因し、エッチングマスク膜のＬＥＲ）は不良であり、また、得られたフォトマスクにおいて遮光膜パターンの解像性４０ｎｍ未満は実現できなかった。
比較例２
比較例２は、エッチングマスク膜２０はＣｒＯＣＮ膜（膜中のＣｒ含有量は３３原子％）であるものの、その膜厚が３０ｎｍと厚く、エッチングマスク膜のドライエッチング後のレジスト膜の膜厚が４９．６ｎｍまで薄くなってしまうことに起因し、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ）は不良であり、また、得られたフォトマスクにおいて遮光膜パターンの解像性４０ｎｍ未満は実現できなかった。
比較例２は、エッチングマスク膜２０はＣｒＯＣＮ膜（膜中のＣｒ含有量は３３原子％）であるものの、その膜厚が３０ｎｍと厚く、エッチングマスク膜のドライエッチング後のレジスト膜の膜厚が４９．６ｎｍまで薄くなってしまうことに起因し、レジスト膜の解像性（４０ｎｍ未満でのＬＥＲ）は不良であり、また、得られたフォトマスクにおいて遮光膜パターンの解像性４０ｎｍ未満は実現できなかった。
比較例３〜４
比較例３〜４は、レジスト５０の膜厚が１２０ｎｍと厚く、アスペクト比が１：１．３
と大きいため、レジストパターンの倒れが発生し、また、得られたフォトマスクにおいて
遮光膜パターンの解像性４０ｎｍ未満は実現できなかった。
比較例３〜４は、レジスト５０の膜厚が１２０ｎｍと厚く、アスペクト比が１：１．３
と大きいため、レジストパターンの倒れが発生し、また、得られたフォトマスクにおいて
遮光膜パターンの解像性４０ｎｍ未満は実現できなかった。
比較例５〜９、１３
比較例５〜９、１３は、エッチングマスク膜２０はＣｒＮ膜であり、膜中のＣｒ含有量
は５０原子％を超え、６０％、９０％と高く、塩素系ガスに対するエッチングレートが遅
い。このため、エッチングマスク膜のドライエッチング時におけるレジスト膜の消費量が
多く、ドライエッチング後のレジスト膜の膜厚が薄くなってしまうことに起因し、エッチ
ングマスク膜のＬＥＲ）は不良であり、また、得られたフォトマスクにおいて遮光膜パタ
ーンの解像性４０ｎｍ未満は実現できなかった。
さらに、比較例５〜９、１３は、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たして
いたが、エッチングマスク膜中のＣｒ含有量が高く、塩素系ガスに対するエッチングレー
トが遅いため、マイクロローディグ現象を抑制することができず、またエッチングマスク
膜も剥離しにくく、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティ共に不良であった。
比較例５〜９、１３は、エッチングマスク膜２０はＣｒＮ膜であり、膜中のＣｒ含有量
は５０原子％を超え、６０％、９０％と高く、塩素系ガスに対するエッチングレートが遅
い。このため、エッチングマスク膜のドライエッチング時におけるレジスト膜の消費量が
多く、ドライエッチング後のレジスト膜の膜厚が薄くなってしまうことに起因し、エッチ
ングマスク膜のＬＥＲ）は不良であり、また、得られたフォトマスクにおいて遮光膜パタ
ーンの解像性４０ｎｍ未満は実現できなかった。
さらに、比較例５〜９、１３は、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たして
いたが、エッチングマスク膜中のＣｒ含有量が高く、塩素系ガスに対するエッチングレー
トが遅いため、マイクロローディグ現象を抑制することができず、またエッチングマスク
膜も剥離しにくく、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティ共に不良であった。
比較例１０〜１１
比較例１０〜１１は、エッチングマスク膜２０はＣｒ膜であり、膜中のＣｒ含有量は１
００と高いため、塩素系ガスに対するエッチングレートが遅い。このため、エッチングマ
スク膜のドライエッチング時におけるレジスト膜の消費量が多く、ドライエッチング後の
レジスト膜の膜厚が薄くなってしまうことに起因し、エッチングマスク膜のＬＥＲは不良
であり、また、得られたフォトマスクにおいて遮光膜パターンの解像性４０ｎｍ未満は実
現できなかった。
さらに、比較例１０〜１１は、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たして
いたが、エッチングマスク膜中のＣｒ含有量が高く、塩素系ガスに対するエッチングレー
トが遅いため、マイクロローディグ現象を抑制することができず、またエッチングマスク
膜も剥離しにくく、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティ共に不良であった。
比較例１０〜１１は、エッチングマスク膜２０はＣｒ膜であり、膜中のＣｒ含有量は１
００と高いため、塩素系ガスに対するエッチングレートが遅い。このため、エッチングマ
スク膜のドライエッチング時におけるレジスト膜の消費量が多く、ドライエッチング後の
レジスト膜の膜厚が薄くなってしまうことに起因し、エッチングマスク膜のＬＥＲは不良
であり、また、得られたフォトマスクにおいて遮光膜パターンの解像性４０ｎｍ未満は実
現できなかった。
さらに、比較例１０〜１１は、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ／□以下を満たして
いたが、エッチングマスク膜中のＣｒ含有量が高く、塩素系ガスに対するエッチングレー
トが遅いため、マイクロローディグ現象を抑制することができず、またエッチングマスク
膜も剥離しにくく、ＣＤリニアリティ及びＣＤユニフォミティ共に不良であった。
比較例１２
比較例１２は、遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、膜中のＭｏ含有量は
６原子％と低く、その膜厚は６２ｎｍと厚く、遮光膜１０の合計膜厚も７０ｎｍと厚いた
め、遮光膜のフッ素系ガスによるドライエッチング時に、エッチングマスク膜が物理的な
エッチングを受ける時間が長くなる。遮光膜のドライエッチング後におけるエッチングマ
スク膜の膜厚が２．9ｎｍまで薄くなってしまうことに起因し、エッチングマスク膜のＬ
ＥＲは不良であり、また、得られたフォトマスクにおいて遮光膜パターンの解像性４０ｎ
ｍ未満は実現できなかった。
さらに、比較例１２、１４は、遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、膜中
のＭｏ含有量が６原子％、８原子％と各々低いため、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ
／□以下を満たしていなかった。
比較例１２は、遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、膜中のＭｏ含有量は
６原子％と低く、その膜厚は６２ｎｍと厚く、遮光膜１０の合計膜厚も７０ｎｍと厚いた
め、遮光膜のフッ素系ガスによるドライエッチング時に、エッチングマスク膜が物理的な
エッチングを受ける時間が長くなる。遮光膜のドライエッチング後におけるエッチングマ
スク膜の膜厚が２．9ｎｍまで薄くなってしまうことに起因し、エッチングマスク膜のＬ
ＥＲは不良であり、また、得られたフォトマスクにおいて遮光膜パターンの解像性４０ｎ
ｍ未満は実現できなかった。
さらに、比較例１２、１４は、遮光膜１０におけるＭｏＳｉＮ（遮光層）１２は、膜中
のＭｏ含有量が６原子％、８原子％と各々低いため、積層膜のシート抵抗値は３．０ｋΩ
／□以下を満たしていなかった。
以上のことから、本発明によれば、ｈｐ３２ｎｍ世代、更にはｈｐ２２ｎｍ以降の世代
に適した高品質のフォトマスクが得られた。
また、マスク上に形成される転写パターンの解像性に関しては、４０ｎｍ未満の転写パ
ターンの解像が可能となった。
に適した高品質のフォトマスクが得られた。
また、マスク上に形成される転写パターンの解像性に関しては、４０ｎｍ未満の転写パ
ターンの解像が可能となった。
以上、本発明を実施例を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は、上記実施例に記載
の範囲には限定されない。上記実施例に、多様な変更又は改良を加えることが可能である
ことは、当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範
囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
の範囲には限定されない。上記実施例に、多様な変更又は改良を加えることが可能である
ことは、当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範
囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
１ 透光性基板
１０ 遮光膜
１１ 裏面反射防止層
１２ 遮光層
１３ 表面反射防止層
２０ エッチングマスク膜
５０ レジスト膜
１００ フォトマスク
１０ 遮光膜
１１ 裏面反射防止層
１２ 遮光層
１３ 表面反射防止層
２０ エッチングマスク膜
５０ レジスト膜
１００ フォトマスク
Claims (13)
- 波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクであって、
前記フォトマスクブランクは、透光性基板と、前記透光性基板の上に形成される遮光膜と、前記遮光膜の上に接して形成されるエッチングマスク膜とを備え、
前記遮光膜は、前記透光性基板側から下層と上層とをこの順に積層した構造を有し、
前記下層は、モリブデン、シリコン及び窒素を含有する材料で形成され、
前記上層は、モリブデン及びシリコンを含有し、さらに酸素及び窒素のうちの少なくともいずれかを含有する材料であり、モリブデンとシリコンとの間での比率が１：６以上であり、かつモリブデンの含有量が１．６原子％以上１０原子％未満である材料で形成され、
前記エッチングマスク膜は、クロム、酸素および炭素を含有する材料であり、クロムの含有量が２０原子％以上４５原子％以下であり、酸素の含有量が２０原子％以上であり、炭素の含有量が５原子％以上２０原子％以下である材料で形成されている
ことを特徴とするフォトマスクブランク。 - 前記エッチングマスク膜は、酸化炭化窒化クロムからなることを特徴とする請求項１記載のフォトマスクブランク。
- 前記エッチングマスク膜は、クロムターゲットを用い、ＣＯ２ガス、Ｎ２ガスおよび希ガスを含む混合気体を用い、メタルモードから反応モードへの移行が始まる付近の条件、または反応モード寄りの条件で形成されたものであることを特徴とする請求項２記載のフォトマスクブランク。
- 前記上層は、窒素及び酸素の合計含有量が３０原子％以上であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜に占める下層の割合は、０．６以上、０．９以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光膜およびエッチングマスク膜からなる積層膜のシート抵抗値が３．０ｋΩ／□以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記エッチングマスク膜は、膜厚が５ｎｍ以上２０ｎｍ以下であり、
前記遮光膜は、膜厚が６０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のフォトマスクブランク。 - 前記エッチングマスク膜は、フォトマスクを作製したときに除去される膜であることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 前記エッチングマスク膜の上に膜厚が１００ｎｍ以下のレジスト膜を有することを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載のフォトマスクブランク。
- 請求項１から請求項９のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いて作製されるフォトマスク。
- 請求項１から請求項９のいずれかに記載のフォトマスクブランクを用いるフォトマスクの製造方法であって、
前記エッチングマスク膜上に形成されたレジストパターンをマスクとして、前記エッチングマスク膜に対して酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行うことによって、前記エッチングマスク膜にパターンを形成する工程と、
前記エッチングマスク膜に形成されたパターンをマスクとして、前記遮光膜にフッ素系ガスを用いるドライエッチングを行うことによって、前記遮光膜にパターンを形成する工程と、
前記遮光膜へのパターン形成後、酸素を含む塩素系ガスを用いるドライエッチングを行うことによって、前記エッチングマスク膜を除去する工程と
を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 前記エッチングマスク膜にパターンを形成する工程と前記遮光膜にパターンを形成する工程の間に、前記レジストパターンを除去する工程を有することを特徴とする請求項１１記載のフォトマスクの製造方法。
- 請求項１０記載のフォトマスクのパターンを転写することにより、半導体デバイスを製造することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014115492A JP5797812B2 (ja) | 2008-09-30 | 2014-06-04 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008252416 | 2008-09-30 | ||
| JP2008252416 | 2008-09-30 | ||
| JP2014115492A JP5797812B2 (ja) | 2008-09-30 | 2014-06-04 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010531744A Division JP5558359B2 (ja) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014197215A JP2014197215A (ja) | 2014-10-16 |
| JP5797812B2 true JP5797812B2 (ja) | 2015-10-21 |
Family
ID=42073226
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010531744A Active JP5558359B2 (ja) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
| JP2010531743A Active JP5554239B2 (ja) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
| JP2014115492A Active JP5797812B2 (ja) | 2008-09-30 | 2014-06-04 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
Family Applications Before (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010531744A Active JP5558359B2 (ja) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 |
| JP2010531743A Active JP5554239B2 (ja) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8940462B2 (ja) |
| JP (3) | JP5558359B2 (ja) |
| KR (3) | KR20110066207A (ja) |
| CN (1) | CN102165369A (ja) |
| DE (1) | DE112009002348T5 (ja) |
| TW (3) | TWI446103B (ja) |
| WO (2) | WO2010038444A1 (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4853684B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2012-01-11 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JP5653888B2 (ja) * | 2010-12-17 | 2015-01-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP5541265B2 (ja) * | 2011-11-18 | 2014-07-09 | 信越化学工業株式会社 | エッチングマスク膜の評価方法 |
| WO2013111631A1 (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | 旭硝子株式会社 | ナノインプリントモールド用ブランク、ナノインプリントモールドおよびそれらの製造方法 |
| JP5906143B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2016-04-20 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 |
| KR101497593B1 (ko) * | 2012-08-27 | 2015-03-03 | 주식회사 에스앤에스텍 | 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조 방법 |
| JP5596111B2 (ja) * | 2012-12-05 | 2014-09-24 | Ｈｏｙａ株式会社 | 半導体デバイスの製造方法 |
| EP2824511A1 (en) * | 2013-07-11 | 2015-01-14 | Basf Se | The use of surfactants having at least three short-chain perfluorinated groups in formulations for photo mask cleaning |
| KR102046729B1 (ko) * | 2013-09-24 | 2019-11-19 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 전사용 마스크, 및 반도체 디바이스의 제조방법 |
| JP6229466B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2017-11-15 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
| JP6394496B2 (ja) * | 2014-07-15 | 2018-09-26 | 信越化学工業株式会社 | バイナリフォトマスクブランク、その製造方法、及びバイナリフォトマスクの製造方法 |
| JP5775631B2 (ja) * | 2014-08-06 | 2015-09-09 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 |
| JP6287932B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2018-03-07 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法 |
| EP3086174B1 (en) * | 2015-03-31 | 2017-11-15 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing halftone phase shift photomask blank |
| EP3125041B1 (en) | 2015-07-27 | 2020-08-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method for preparing a photomask |
| JP6398927B2 (ja) * | 2015-09-18 | 2018-10-03 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、その製造方法及びフォトマスク |
| JP6158460B1 (ja) | 2015-11-06 | 2017-07-05 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法 |
| KR20180114895A (ko) * | 2016-02-15 | 2018-10-19 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP6900872B2 (ja) * | 2016-12-26 | 2021-07-07 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びその製造方法 |
| US11048160B2 (en) * | 2017-06-14 | 2021-06-29 | Hoya Corporation | Mask blank, phase shift mask and method for manufacturing semiconductor device |
| JP6463536B1 (ja) * | 2018-05-09 | 2019-02-06 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | プロキシミティ露光用フォトマスクとその製造方法 |
| JP6988697B2 (ja) | 2018-05-31 | 2022-01-05 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| JP7044095B2 (ja) | 2019-05-31 | 2022-03-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| JP7280171B2 (ja) | 2019-12-05 | 2023-05-23 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| JP7331793B2 (ja) * | 2020-06-30 | 2023-08-23 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク |
| CN112981316A (zh) * | 2021-02-05 | 2021-06-18 | 上海传芯半导体有限公司 | 相移反位膜掩模基版的制作方法 |
| US11763062B2 (en) | 2021-05-10 | 2023-09-19 | GBT Tokenize Corp. | Systems and methods for eliminating electromigration and self-heat violations in a mask layout block |
| CN113311660B (zh) * | 2021-06-03 | 2023-07-18 | 上海传芯半导体有限公司 | 掩模基版的制作方法及具有等离子体加热装置的涂胶设备 |
| US11853682B2 (en) | 2021-06-07 | 2023-12-26 | GBT Tokenize Corp. | Systems and methods for identification and elimination of geometrical design rule violations of a mask layout block |
| US11586799B1 (en) | 2021-09-27 | 2023-02-21 | GBT Technologies, Inc. | Systems and methods of eliminating connectivity mismatches in a mask layout block |
| US11741284B2 (en) | 2021-09-28 | 2023-08-29 | GBT Technologies, Inc. | Systems and methods of automatic generation of integrated circuit IP blocks |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61240243A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-25 | Asahi Glass Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
| JPS6270849A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-04-01 | Hoya Corp | フオトマスクブランクとフオトマスク |
| JPH0239153A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JPH04371954A (ja) * | 1991-06-20 | 1992-12-24 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| EP0585872B1 (en) * | 1992-09-01 | 2000-03-29 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Process for fabricating a phase shift photomask or phase shift photomask blank |
| JP2000114246A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-04-21 | Ulvac Seimaku Kk | ドライエッチング方法および装置、フォトマスクおよびその作製方法、ならびに半導体回路およびその製作方法 |
| KR20020009410A (ko) * | 2000-07-25 | 2002-02-01 | 포만 제프리 엘 | 3원 리소그래픽 ａｔｔ-ＰＳＭ 포토마스크 및 그 제조 방법 |
| TW498435B (en) | 2000-08-15 | 2002-08-11 | Hitachi Ltd | Method of producing semiconductor integrated circuit device and method of producing multi-chip module |
| JP2002122980A (ja) | 2000-10-17 | 2002-04-26 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法およびフォトマスクの製造方法 |
| JP3572053B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2004-09-29 | 株式会社東芝 | 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法およびサーバー |
| JP2004053663A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクブランク、フォトマスク及びフォトマスクブランクの選定方法 |
| JP4025267B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2007-12-19 | 株式会社神戸製鋼所 | α型結晶構造主体のアルミナ皮膜の製造方法 |
| EP2657768B1 (en) * | 2004-06-16 | 2020-08-05 | Hoya Corporation | Photomask blank and photomask |
| JP4407815B2 (ja) | 2004-09-10 | 2010-02-03 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| TWI297101B (en) * | 2005-04-20 | 2008-05-21 | Nanya Technology Corp | Phase shifting mask for equal line/space dense line patterns |
| JP4933754B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2012-05-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
| DE602006021102D1 (de) | 2005-07-21 | 2011-05-19 | Shinetsu Chemical Co | Photomaskenrohling, Photomaske und deren Herstellungsverfahren |
| KR100725371B1 (ko) * | 2006-01-13 | 2007-06-07 | 삼성전자주식회사 | 다층의 차광 패턴을 포함하는 포토마스크와 그 제조방법 및블랭크 포토마스크 |
| JP4883278B2 (ja) | 2006-03-10 | 2012-02-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| JP4764214B2 (ja) | 2006-03-10 | 2011-08-31 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造方法 |
| JP4509050B2 (ja) | 2006-03-10 | 2010-07-21 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JP4737426B2 (ja) | 2006-04-21 | 2011-08-03 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク |
| JP5294227B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2013-09-18 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク及び転写マスクの製造方法 |
| TWI457696B (zh) * | 2008-03-31 | 2014-10-21 | Hoya Corp | 空白光罩、光罩及空白光罩之製造方法 |
| JP5530075B2 (ja) * | 2008-03-31 | 2014-06-25 | Ｈｏｙａ株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法 |
-
2009
- 2009-09-30 TW TW098133236A patent/TWI446103B/zh active
- 2009-09-30 WO PCT/JP2009/005020 patent/WO2010038444A1/ja active Application Filing
- 2009-09-30 JP JP2010531744A patent/JP5558359B2/ja active Active
- 2009-09-30 KR KR1020117009908A patent/KR20110066207A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-09-30 US US13/121,851 patent/US8940462B2/en active Active
- 2009-09-30 WO PCT/JP2009/005021 patent/WO2010038445A1/ja active Application Filing
- 2009-09-30 KR KR1020167032784A patent/KR20160138586A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-09-30 TW TW098133230A patent/TWI476507B/zh active
- 2009-09-30 CN CN2009801383111A patent/CN102165369A/zh active Pending
- 2009-09-30 JP JP2010531743A patent/JP5554239B2/ja active Active
- 2009-09-30 DE DE112009002348T patent/DE112009002348T5/de not_active Withdrawn
- 2009-09-30 TW TW104103827A patent/TWI567483B/zh active
- 2009-09-30 KR KR1020117009907A patent/KR101681335B1/ko active IP Right Grant
-
2014
- 2014-06-04 JP JP2014115492A patent/JP5797812B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2010038445A1 (ja) | 2010-04-08 |
| US8940462B2 (en) | 2015-01-27 |
| KR20160138586A (ko) | 2016-12-05 |
| TW201028790A (en) | 2010-08-01 |
| KR101681335B1 (ko) | 2016-11-30 |
| TWI476507B (zh) | 2015-03-11 |
| JP2014197215A (ja) | 2014-10-16 |
| TW201520684A (zh) | 2015-06-01 |
| KR20110066207A (ko) | 2011-06-16 |
| WO2010038444A1 (ja) | 2010-04-08 |
| US20110229807A1 (en) | 2011-09-22 |
| JPWO2010038445A1 (ja) | 2012-03-01 |
| JP5558359B2 (ja) | 2014-07-23 |
| JPWO2010038444A1 (ja) | 2012-03-01 |
| TWI446103B (zh) | 2014-07-21 |
| JP5554239B2 (ja) | 2014-07-23 |
| TW201027237A (en) | 2010-07-16 |
| TWI567483B (zh) | 2017-01-21 |
| DE112009002348T5 (de) | 2012-01-19 |
| CN102165369A (zh) | 2011-08-24 |
| KR20110066206A (ko) | 2011-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5797812B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法、並びに半導体デバイスの製造方法 | |
| US9651859B2 (en) | Mask blank, transfer mask and method of manufacturing transfer mask | |
| JP5602930B2 (ja) | マスクブランクおよび転写用マスク | |
| JP6264238B2 (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法 | |
| JP6599281B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法および半導体デバイスの製造方法 | |
| US9017902B2 (en) | Mask blank, transfer mask, and method of manufacturing a transfer mask | |
| CN106019809B (zh) | 半色调相移掩模坯，半色调相移掩模，和图案曝光方法 | |
| JP6287932B2 (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法 | |
| JP2011102968A (ja) | 転写用マスク、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP6332109B2 (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法 | |
| TWI807597B (zh) | 半色調相移型空白光罩、其製造方法及半色調相移型光罩 | |
| JP4739461B2 (ja) | 転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2020052195A (ja) | 位相シフト型フォトマスクブランク及び位相シフト型フォトマスク | |
| JP2018063441A (ja) | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク、ハーフトーン位相シフト型フォトマスク及びパターン露光方法 | |
| JP6627926B2 (ja) | 位相シフトマスクブランクスの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150325 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150325 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150522 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150805 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150819 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5797812 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |