JP5745360B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の半導体装置に適用可能な回路について図1(A)、図1(B)及び図2を用いて説明する。
本実施の形態では、図3(A)、図3(B)、図4(A)、及び図4(B)を参照して、アンテナ、整流回路、および保護回路に適用可能な回路が実施の形態1とは異なる構成について説明する。
本実施の形態では、図5(A)、図5(B)を参照して、アンテナ、整流回路、および保護回路に適用可能な回路が実施の形態1及び実施の形態2とは異なる構成について説明する。
本実施の形態では、図6を参照して、保護回路に適用可能な回路が上記実施の形態とは異なる構成について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態1乃至4において、トランジスタの半導体層に用いる酸化物半導体層を用いたトランジスタの他の一例を、図7を用いて説明する。なお、トランジスタの構造は特に限定されず、例えば、トップゲート構造またはボトムゲート構造の、スタガ型またはプレーナ型など、適当な構造を採用することができる。また、トランジスタはチャネル形成領域を一つ有するシングルゲート構造でも、二つ有するダブルゲート構造であっても、三つ有するトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された2つのゲート電極を有する、デュアルゲート型でもよい。なお、以下に説明する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、実施の形態1において、図2に示した酸化物半導体層を用いたトランジスタの作製方法の一例を、図8を用いて詳細に説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る保護回路を備えたRFIDの使用例について図9を用いながら説明する。RFIDの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図9(A)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図9(C)参照)、記録媒体(DVDソフトやビデオテープ等、図9(B)参照)、乗り物類(自転車等、図9(D)参照)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、または電子機器(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、または携帯電話)等の物品、若しくは各物品に取り付ける荷札(図9(E)、図9(F)参照)等に設けて使用することができる。
102 整流回路
103 復調回路
104 定電圧回路
105 論理回路
106 変調回路
107 保護回路
201 トランジスタ
202 トランジスタ
300 トランジスタ
301 基板
302 ゲート電極
303 ゲート絶縁層
304 酸化物半導体層
305a ソース電極またはドレイン電極
305b ソース電極またはドレイン電極
306 絶縁層
307 保護絶縁層
401 アンテナ
402 整流回路
403 復調回路
404 定電圧回路
405 論理回路
406 変調回路
407 保護回路
501 トランジスタ
502 トランジスタ
505 基板
507 保護回路
516 絶縁層
600 トランジスタ
601 基板
602 ゲート電極
603 ゲート絶縁層
604 酸化物半導体層
605a ソース電極またはドレイン電極
605b ソース電極またはドレイン電極
606 絶縁層
607 ゲート電極
609 保護絶縁層
701 アンテナ
702 整流回路
703 復調回路
704 定電圧回路
705 論理回路
706 変調回路
707 保護回路
708 スイッチング回路
801 トランジスタ
802 トランジスタ
803 トランジスタ
901 アンテナ
902 整流回路
903 復調回路
904 定電圧回路
905 論理回路
906 変調回路
907 保護回路
908 クロック生成回路
1000 基板
1001 ゲート電極
1002 ゲート絶縁層
1003 酸化物半導体層
1005a ソース電極またはドレイン電極
1005b ソース電極またはドレイン電極
1007 絶縁層
1009 保護絶縁層
1020 トランジスタ
1027 絶縁層
1030 トランジスタ
1036a 配線
1036b 配線
1037 絶縁層
1040 トランジスタ
1105 基板
1106 保護絶縁層
1107 ゲート絶縁層
1110 トランジスタ
1111 ゲート電極
1115a ソース電極またはドレイン電極
1115b ソース電極またはドレイン電極
1116 絶縁層
1130 酸化物半導体層
1131 酸化物半導体層
1200 トランジスタ
1201 基板
1202 ゲート電極
1203 ゲート絶縁層
1204 酸化物半導体層
1205a ソース電極
1205b ドレイン電極
1206 絶縁層
1207 ゲート電極
1208 絶縁層
1209 保護絶縁層
1301 実線
1302 実線
1303 実線
1304 実線
4000 RFID
Claims (4)
- 第1の回路と、第2の回路と、を有し、
前記第1の回路は、アンテナを介して受信した無線信号を整流し、内部電圧を生成する機能を有し、
前記第2の回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、第1のゲート電極と、第1のソース電極と、第1のドレイン電極と、酸化物半導体を有する第1の半導体層と、を有し、
前記第1のゲート電極は、前記アンテナに電気的に接続され、
前記第1のドレイン電極は、前記アンテナに電気的に接続され、
前記第1のソース電極は、接地され、
前記第2のトランジスタは、第2のゲート電極と、第2のソース電極と、第2のドレイン電極と、酸化物半導体を有する第2の半導体層と、を有し、
前記第2のゲート電極は、接地され、
前記第2のソース電極は、前記アンテナに電気的に接続され、
前記第2のドレイン電極は、接地され、
前記第1のゲート電極に供給される電圧が所定の正の電圧以上になると、前記第1のトランジスタが導通し、
前記第2のソース電極に供給される電圧が所定の負の電圧以下になると、前記第2のトランジスタが導通することを特徴とする半導体装置。 - 第1の回路と、第2の回路と、第3の回路と、第4の回路と、第5の回路と、第6の回路と、を有し、
前記第1の回路は、アンテナを介して受信した無線信号を整流し、内部電圧を生成する機能を有し、
前記第2の回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、第1のゲート電極と、第1のソース電極と、第1のドレイン電極と、酸化物半導体を有する第1の半導体層と、を有し、
前記第1のゲート電極は、前記アンテナに電気的に接続され、
前記第1のドレイン電極は、前記アンテナに電気的に接続され、
前記第1のソース電極は、接地され、
前記第2のトランジスタは、第2のゲート電極と、第2のソース電極と、第2のドレイン電極と、酸化物半導体を有する第2の半導体層と、を有し、
前記第2のゲート電極は、接地され、
前記第2のソース電極は、前記アンテナに電気的に接続され、
前記第2のドレイン電極は、接地され、
前記第3の回路は、前記無線信号を復調し、内部信号を生成する機能を有し、
前記第4の回路は、前記第1の回路にて生成された前記内部電圧を定電圧化して電源電圧として出力する機能を有し、
前記第5の回路は、前記第4の回路にて生成された前記電源電圧と、前記第3の回路にて生成された前記内部信号と、を用いて解析を行い、応答信号を生成する機能を有し、
前記第6の回路は、前記第5の回路にて生成された前記応答信号を変調し、前記アンテナに変調信号を出力する機能を有し、
前記第1のゲート電極に供給される電圧が所定の正の電圧以上になると、前記第1のトランジスタが導通し、
前記第2のソース電極に供給される電圧が所定の負の電圧以下になると、前記第2のトランジスタが導通することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記第1のトランジスタは、第3のゲート電極を有し、
前記第2のトランジスタは、第4のゲート電極を有し、
前記第1の半導体層は、前記第1のゲート電極と前記第3のゲート電極との間に設けられ、
前記第2の半導体層は、前記第2のゲート電極と前記第4のゲート電極との間に設けられることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記無線信号は、搬送波または振幅変調波であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011169031A JP5745360B2 (ja) | 2010-08-04 | 2011-08-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010175416 | 2010-08-04 | ||
JP2010175416 | 2010-08-04 | ||
JP2011169031A JP5745360B2 (ja) | 2010-08-04 | 2011-08-02 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012053866A JP2012053866A (ja) | 2012-03-15 |
JP2012053866A5 JP2012053866A5 (ja) | 2014-08-28 |
JP5745360B2 true JP5745360B2 (ja) | 2015-07-08 |
Family
ID=45555737
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011169031A Expired - Fee Related JP5745360B2 (ja) | 2010-08-04 | 2011-08-02 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8928466B2 (ja) |
JP (1) | JP5745360B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012153697A1 (en) | 2011-05-06 | 2012-11-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor memory device |
TWI568181B (zh) | 2011-05-06 | 2017-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 邏輯電路及半導體裝置 |
TWI536502B (zh) | 2011-05-13 | 2016-06-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 記憶體電路及電子裝置 |
US8508256B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit |
JP5951351B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 加算器及び全加算器 |
JP5890251B2 (ja) | 2011-06-08 | 2016-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 通信方法 |
US8698137B2 (en) * | 2011-09-14 | 2014-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US9502920B2 (en) | 2011-11-16 | 2016-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power receiving device, power transmission device, and power feeding system |
US9817032B2 (en) * | 2012-05-23 | 2017-11-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Measurement device |
US9135182B2 (en) * | 2012-06-01 | 2015-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Central processing unit and driving method thereof |
US9937124B2 (en) | 2014-09-11 | 2018-04-10 | International Business Machines Corporation | Microchip substance delivery devices having low-power electromechanical release mechanisms |
US9755701B2 (en) * | 2015-03-31 | 2017-09-05 | International Business Machines Corporation | Hybrid tag for radio frequency identification system |
US9734371B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-08-15 | International Business Machines Corporation | Hybrid tag for radio frequency identification system |
JP2016201069A (ja) | 2015-04-14 | 2016-12-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 整流回路、電源回路及びrfidタグ |
JP6566316B2 (ja) * | 2015-10-23 | 2019-08-28 | Tianma Japan株式会社 | 保護回路および電子機器 |
US10881788B2 (en) | 2015-10-30 | 2021-01-05 | International Business Machines Corporation | Delivery device including reactive material for programmable discrete delivery of a substance |
US10286198B2 (en) | 2016-04-08 | 2019-05-14 | International Business Machines Corporation | Microchip medical substance delivery devices |
SG10201607275YA (en) | 2016-09-01 | 2018-04-27 | Huawei Int Pte Ltd | Method and device for radio frequency voltage limiting |
CN109659303A (zh) | 2017-10-10 | 2019-04-19 | 群创光电股份有限公司 | 面板装置 |
Family Cites Families (135)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
JPH11505377A (ja) | 1995-08-03 | 1999-05-18 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 半導体装置 |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2003069028A (ja) * | 2001-08-27 | 2003-03-07 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタパネル |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
EP1443130B1 (en) | 2001-11-05 | 2011-09-28 | Japan Science and Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
JP4474900B2 (ja) * | 2003-10-29 | 2010-06-09 | カシオ計算機株式会社 | 静電気保護回路およびそれを備えた電子回路 |
US7494066B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20050156656A1 (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-21 | Rotzoll Robert R. | Non-quasistatic rectifier circuit |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
WO2005088726A1 (ja) | 2004-03-12 | 2005-09-22 | Japan Science And Technology Agency | アモルファス酸化物及び薄膜トランジスタ |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
KR100998527B1 (ko) | 2004-11-10 | 2010-12-07 | 고쿠리츠다이가쿠호진 토쿄고교 다이가꾸 | 비정질 산화물 및 전계 효과 트랜지스터 |
CN101057333B (zh) | 2004-11-10 | 2011-11-16 | 佳能株式会社 | 发光器件 |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
CN101057338B (zh) | 2004-11-10 | 2011-03-16 | 佳能株式会社 | 采用无定形氧化物的场效应晶体管 |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
JP2006180073A (ja) | 2004-12-21 | 2006-07-06 | Okayama Prefecture | 無線icタグ |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
US7608531B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
US7978787B2 (en) * | 2005-05-27 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
KR101103374B1 (ko) | 2005-11-15 | 2012-01-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
KR101233639B1 (ko) * | 2005-12-27 | 2013-02-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
JP4901284B2 (ja) * | 2006-04-21 | 2012-03-21 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置及びそれを用いた非接触型電子装置 |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
WO2007139205A1 (en) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and ic label, ic tag, and ic card having the same |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
US7832647B2 (en) * | 2006-06-30 | 2010-11-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
US9022293B2 (en) * | 2006-08-31 | 2015-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and power receiving device |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
JP4314258B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2009-08-12 | 株式会社東芝 | 整流回路およびこれを用いた無線通信装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
TWI481195B (zh) * | 2006-10-31 | 2015-04-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 振盪器電路及包含該振盪器電路的半導體裝置 |
US7889528B2 (en) * | 2006-11-29 | 2011-02-15 | Semiconductor Energy Laroratory Co., Ltd. | Rectifier circuit, power supply circuit, and semiconductor device |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
JP5325415B2 (ja) * | 2006-12-18 | 2013-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US8358202B2 (en) * | 2006-12-26 | 2013-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8570151B2 (en) * | 2007-01-10 | 2013-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
EP1973069B1 (en) * | 2007-03-22 | 2013-01-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
US7923733B2 (en) * | 2008-02-07 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
EP2329429A4 (en) * | 2008-09-17 | 2015-07-29 | Semiconductor Energy Lab | SEMICONDUCTOR COMPONENT |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
WO2010032603A1 (en) | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and wireless tag using the same |
US8224277B2 (en) | 2008-09-26 | 2012-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR20110063668A (ko) * | 2008-09-30 | 2011-06-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
WO2010038582A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Reset signal generation circuit and semiconductor device |
CN102171812B (zh) * | 2008-10-02 | 2014-02-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
CN102171710B (zh) * | 2008-10-02 | 2014-01-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及使用该半导体器件的rfid标签 |
KR101595755B1 (ko) * | 2008-10-03 | 2016-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP5319469B2 (ja) | 2008-10-03 | 2013-10-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Rfidタグ |
WO2010038596A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Modulation circuit and semiconductor device including the same |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5470054B2 (ja) * | 2009-01-22 | 2014-04-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5455753B2 (ja) | 2009-04-06 | 2014-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Icカード |
JP5728171B2 (ja) | 2009-06-29 | 2015-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2011052437A1 (en) | 2009-10-30 | 2011-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Non-linear element, display device including non-linear element, and electronic device including display device |
CN102668377B (zh) | 2009-12-18 | 2015-04-08 | 株式会社半导体能源研究所 | 非易失性锁存电路和逻辑电路以及使用它们的半导体器件 |
US8664658B2 (en) | 2010-05-14 | 2014-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
2011
- 2011-07-27 US US13/191,940 patent/US8928466B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-08-02 JP JP2011169031A patent/JP5745360B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8928466B2 (en) | 2015-01-06 |
US20120032785A1 (en) | 2012-02-09 |
JP2012053866A (ja) | 2012-03-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140714 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150428 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |