JP5677394B2 - パスゲート及び半導体記憶装置 - Google Patents
パスゲート及び半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5677394B2 JP5677394B2 JP2012216733A JP2012216733A JP5677394B2 JP 5677394 B2 JP5677394 B2 JP 5677394B2 JP 2012216733 A JP2012216733 A JP 2012216733A JP 2012216733 A JP2012216733 A JP 2012216733A JP 5677394 B2 JP5677394 B2 JP 5677394B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- tunnel transistor
- type
- tunnel
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 44
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 5
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/41—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger
- G11C11/412—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming static cells with positive feedback, i.e. cells not needing refreshing or charge regeneration, e.g. bistable multivibrator or Schmitt trigger using field-effect transistors only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7391—Gated diode structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B10/00—Static random access memory [SRAM] devices
- H10B10/12—Static random access memory [SRAM] devices comprising a MOSFET load element
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
102 素子分離絶縁膜
103 ウェル領域
104 チャネル領域
105 ゲート絶縁膜
106 ゲート電極
107 第1ゲート側壁膜
109 n型領域
110 p型領域
111 第2ゲート側壁膜
112 p型高濃度拡散層
113 n型高濃度拡散層
114 第3ゲート側壁膜
115 p型高濃度拡散層
116 シリサイド層
Claims (8)
- SRAMセルのデータ保持部とビット線との間に設けられるパスゲートであって、
前記データ保持部と前記ビット線との間において直列に接続された第1トンネルトランジスタ及び第1ダイオードと、
前記データ保持部と前記ビット線との間において直列に接続され、前記第1トンネルトランジスタ及び前記第1ダイオードと並列に接続された第2トンネルトランジスタ及び第2ダイオードと、
を備え、
前記第1トンネルトランジスタ及び第2トンネルトランジスタのゲート電極はワード線に接続され、
前記第1トンネルトランジスタ及び第2トンネルトランジスタは、n型ドレイン領域及びp型ソース領域を有するn型トンネルトランジスタであり、
前記第1ダイオードは、前記第1トンネルトランジスタのn型ドレイン領域と前記ビット線との間に設けられ、前記第1トンネルトランジスタの動作方向と同方向の整流性を有し、
前記第2ダイオードは、前記第2トンネルトランジスタのn型ドレイン領域と前記データ保持部との間に設けられ、前記第2トンネルトランジスタの動作方向と同方向かつ前記第1ダイオードとは逆方向の整流性を有し、
前記第1トンネルトランジスタ及び前記第1ダイオードは半導体基板の異なる領域に設けられており、前記第1トンネルトランジスタのn型ドレイン領域は、コンタクトプラグ及び配線層を介して前記第1ダイオードに接続されており、
前記第2トンネルトランジスタ及び前記第2ダイオードは半導体基板の異なる領域に設けられており、前記第2トンネルトランジスタのn型ドレイン領域は、コンタクトプラグ及び配線層を介して前記第2ダイオードに接続されていることを特徴とするパスゲート。 - SRAMセルのデータ保持部とビット線との間に設けられるパスゲートであって、
前記データ保持部と前記ビット線との間において直列に接続された第1トンネルトランジスタ及び第1ダイオードと、
前記データ保持部と前記ビット線との間において直列に接続され、前記第1トンネルトランジスタ及び前記第1ダイオードと並列に接続された第2トンネルトランジスタ及び第2ダイオードと、
を備え、
前記第1トンネルトランジスタ及び第2トンネルトランジスタのゲート電極はワード線に接続され、
前記第1ダイオードと前記第2ダイオードとは前記データ保持部と前記ビット線との間において逆方向の整流性を有し、
前記第1のダイオードは、前記第1のトンネルトランジスタの動作方向と同方向の整流性を有し、
前記第2のダイオードは、前記第2のトンネルトランジスタの動作方向と同方向の整流性を有することを特徴とするパスゲート。 - 前記第1トンネルトランジスタ及び前記第2トンネルトランジスタはn型ドレイン領域及びp型ソース領域を有するn型トンネルトランジスタであり、
前記第1ダイオードは、前記第1トンネルトランジスタのn型ドレイン領域と前記ビット線との間に設けられ、前記第1トンネルトランジスタの動作方向と同方向の整流性を有し、
前記第2ダイオードは、前記第2トンネルトランジスタのn型ドレイン領域と前記データ保持部との間に設けられ、前記第2トンネルトランジスタの動作方向と同方向の整流性を有することを特徴とする請求項2に記載のパスゲート。 - 前記第1トンネルトランジスタ及び前記第1ダイオードは半導体基板の異なる領域に設けられており、
前記第1トンネルトランジスタのn型ドレイン領域は、コンタクトプラグ及び配線層を介して前記第1ダイオードに接続されていることを特徴とする請求項3に記載のパスゲート。 - 半導体基板に前記第1トンネルトランジスタのn型ドレイン領域及びp型ソース領域が設けられており、
前記n型ドレイン領域の表面部にp型不純物拡散層が形成されていることを特徴とする請求項3に記載のパスゲート。 - 半導体基板に前記第1トンネルトランジスタのn型ドレイン領域及びp型ソース領域が設けられており、
前記n型ドレイン領域の表面部に、前記n型ドレイン領域より不純物濃度が低いn型不純物拡散層が形成されており、
前記n型不純物拡散層の表面にシリサイド層が形成されていることを特徴とする請求項3に記載のパスゲート。 - 前記第1トンネルトランジスタ及び前記第2トンネルトランジスタはn型ドレイン領域及びp型ソース領域を有するn型トンネルトランジスタであり、
前記第1ダイオードは、前記第1トンネルトランジスタのp型ソース領域と前記データ保持部との間に設けられ、前記第1トンネルトランジスタの動作方向と同方向の整流性を有し、
前記第2ダイオードは、前記第2トンネルトランジスタのp型ソース領域と前記ビット線との間に設けられ、前記第2トンネルトランジスタの動作方向と同方向の整流性を有することを特徴とする請求項2に記載のパスゲート。 - 複数のビット線と、
前記複数のビット線と直交する方向に配設された複数のワード線と、
前記複数のビット線と前記複数のワード線との各交差部に設けられ、データ保持部及び前記データ保持部と前記ビット線との間に設けられるパスゲートを有するSRAMセルと、
を備え、
前記パスゲートは、
前記データ保持部と前記ビット線との間において直列に接続された第1トンネルトランジスタ及び第1ダイオードと、
前記データ保持部と前記ビット線との間において直列に接続され、前記第1トンネルトランジスタ及び前記第1ダイオードと並列に接続された第2トンネルトランジスタ及び第2ダイオードと、
を有し、
前記第1トンネルトランジスタ及び第2トンネルトランジスタのゲート電極は前記ワード線に接続され、
前記第1ダイオードと前記第2ダイオードとは前記データ保持部と前記ビット線との間において逆方向の整流性を有し、
前記第1のダイオードは、前記第1のトンネルトランジスタの動作方向と同方向の整流性を有し、
前記第2のダイオードは、前記第2のトンネルトランジスタの動作方向と同方向の整流性を有することを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012216733A JP5677394B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | パスゲート及び半導体記憶装置 |
US13/758,540 US8872271B2 (en) | 2012-09-28 | 2013-02-04 | Pass gate, semiconductor memory, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012216733A JP5677394B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | パスゲート及び半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014072338A JP2014072338A (ja) | 2014-04-21 |
JP5677394B2 true JP5677394B2 (ja) | 2015-02-25 |
Family
ID=50384371
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012216733A Expired - Fee Related JP5677394B2 (ja) | 2012-09-28 | 2012-09-28 | パスゲート及び半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8872271B2 (ja) |
JP (1) | JP5677394B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5701831B2 (ja) * | 2012-09-06 | 2015-04-15 | 株式会社東芝 | パスゲートを備えた半導体記憶装置 |
JP6122819B2 (ja) * | 2014-09-19 | 2017-04-26 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
JP2016126809A (ja) | 2015-01-06 | 2016-07-11 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置とその駆動方法 |
JP2016126811A (ja) * | 2015-01-07 | 2016-07-11 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置とその駆動方法 |
JP6377556B2 (ja) | 2015-03-19 | 2018-08-22 | 株式会社東芝 | 半導体デバイス及び半導体メモリデバイス |
US9786364B1 (en) * | 2016-12-16 | 2017-10-10 | Stmicroelectronics International N.V. | Low voltage selftime tracking circuitry for write assist based memory operation |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63299755A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-07 | Secoh Giken Inc | 小型半導体電動機 |
US5046044A (en) * | 1988-12-21 | 1991-09-03 | Texas Instruments Incorporated | SEU hardened memory cell |
JPH04113587A (ja) | 1990-09-04 | 1992-04-15 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2773474B2 (ja) * | 1991-08-06 | 1998-07-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US5592415A (en) * | 1992-07-06 | 1997-01-07 | Hitachi, Ltd. | Non-volatile semiconductor memory |
KR970011744B1 (ko) * | 1992-11-04 | 1997-07-15 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 상보형 반도체장치 및 그 제조방법 |
US5665993A (en) * | 1994-09-29 | 1997-09-09 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit including a FET device and Schottky diode |
US5691935A (en) * | 1995-07-13 | 1997-11-25 | Douglass; Barry G. | Memory element and method of operation thereof |
US5831897A (en) * | 1996-12-12 | 1998-11-03 | Stmicroelectronics, Inc. | SRAM memory cell design having complementary dual pass gates |
KR100287892B1 (ko) * | 1997-04-15 | 2001-08-07 | 김영환 | 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 |
JP3783360B2 (ja) * | 1997-09-02 | 2006-06-07 | 株式会社ニコン | 光電変換素子及び光電変換装置 |
US20030015708A1 (en) * | 2001-07-23 | 2003-01-23 | Primit Parikh | Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation |
JP4805655B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2011-11-02 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP5151370B2 (ja) | 2007-09-28 | 2013-02-27 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
JP2011040458A (ja) * | 2009-08-07 | 2011-02-24 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2011153451A2 (en) * | 2010-06-04 | 2011-12-08 | The Penn State Research Foundation | Tfet based 4t memory devices |
JP5588298B2 (ja) * | 2010-10-14 | 2014-09-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US8526228B2 (en) * | 2012-01-06 | 2013-09-03 | International Business Machines Corporation | 8-transistor SRAM cell design with outer pass-gate diodes |
US8619465B2 (en) * | 2012-01-06 | 2013-12-31 | International Business Machines Corporation | 8-transistor SRAM cell design with inner pass-gate junction diodes |
-
2012
- 2012-09-28 JP JP2012216733A patent/JP5677394B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-02-04 US US13/758,540 patent/US8872271B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8872271B2 (en) | 2014-10-28 |
US20140091396A1 (en) | 2014-04-03 |
JP2014072338A (ja) | 2014-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4773169B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4342970B2 (ja) | 半導体メモリ装置及びその製造方法 | |
JP5677394B2 (ja) | パスゲート及び半導体記憶装置 | |
JP2006059880A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2014103204A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP2010147392A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPWO2007069292A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US10170597B2 (en) | Method for forming flash memory unit | |
US20170077105A1 (en) | Semiconductor device | |
JP2008060421A (ja) | 不揮発性半導体メモリ | |
JP2019050270A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2003158195A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
KR101498170B1 (ko) | 반도체 기억 장치 및 그의 제조 방법 | |
KR100979235B1 (ko) | 상변화 기억 소자 및 그의 제조방법 | |
JPWO2012077178A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP5861196B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10062702B2 (en) | Mask read-only memory device | |
TWI505270B (zh) | 記憶格以及使用此記憶格的記憶陣列 | |
JP2005236135A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4451095B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2011096727A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR102075722B1 (ko) | 반도체 소자 및 그의 제조 방법 | |
JP4633125B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012060090A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5581853B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140821 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141111 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141226 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |