JP5665919B2 - 基板処理装置及び方法 - Google Patents

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Description

本発明は基板処理装置及び方法に関し、より詳細にはプラズマを利用して基板を処理する装置及び方法に関する。
半導体素子の製造のためには多様な工程が要求される。一例として、基板上に薄膜を除去する蝕刻工程、基板上に残っている感光膜を除去するアッシング工程、及び基板の縁部領域又は基板の後面領域に残留する副産物及びパーティクルを除去する洗浄工程が順次的に遂行される。最近には上述した蝕刻工程、アッシング工程、及び洗浄工程の各々はプラズマを使用して多く行っている。
一般的に蝕刻工程、アッシング工程、及び洗浄工程は使用するプラズマのソースの種類、処理が行われる基板の領域、又は使用される処理ガスの種類等が互いに異なることによって、独立的に提供された各々の装置で遂行される。したがって、基板は蝕刻装置、アッシング装置、及び洗浄装置をロボット又は作業者によって順次的に搬送されながら、蝕刻工程、アッシング工程、及び洗浄工程が順次的に行われる。
しかし、上述した一般的な方法は多い数の装置が必要し、各装置らの間に基板の搬送によって工程において、長い時間が所要される。
韓国特許公開第１０−２０１２−０１２０４００号公報
本発明の実施形態は新しい構造の基板処理装置を提供しようとする。
また、本発明の実施形態は多数のプラズマ処理工程を１つの工程チャンバー内で遂行できる基板処理装置を提供しようとする。
また、本発明の実施形態は多数のプラズマ処理工程を遂行する時、全体工程に所要される時間を減らすことができる基板処理方法を提供しようとする。
本発明が解決しようとする課題はここに制限されなく、言及されないその他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解され得る。
本発明は基板処理装置を提供する。本発明の一実施形態によれば、前記基板処理装置は工程チャンバーと、前記工程チャンバー内で基板を支持する支持板と、前記工程チャンバーへガスを供給するガス供給ユニットと、前記工程チャンバー内でプラズマを発生させるように提供される第１プラズマ発生ユニットと、前記工程チャンバー外部でプラズマを発生させるように提供される第２プラズマ発生ユニットと、を含む。前記ガス供給ユニットはアッシング処理ガスを供給するアッシングガス供給部材、蝕刻処理ガスを供給する蝕刻ガス供給部材、及び洗浄処理ガスを供給する洗浄ガス供給部材の中で少なくとも２つを含む。前記第１プラズマ発生ユニットは前記支持板に提供される下部電極と、前記下部電極と対向されるように前記工程チャンバー内に提供される上部電極と、前記下部電極へ電力を印加する電源と、を含む。前記上部電極は上下方向に貫通された複数の噴射ホールが形成され導電性材質で提供され、接地されたバッフルを含む。
一例によれば、前記バッフルは前記基板より小さい大きさに提供され、前記基板処理装置は前記バッフルと前記支持板との相対距離調節が可能するように前記支持板を上下に駆動する支持板駆動器をさらに包含できる。
一例によれば、前記基板処理装置は基板を前記支持板から持ち上げるか、或いは前記支持板に下ろすように提供されるリフトユニットをさらに包含できる。
一例によれば、前記リフトユニットは支持アセンブリーを含み、前記支持アセンブリーは前記支持板の外側に提供され、前記支持板上に置かれる基板を上下に移動させる支持ピンと、前記支持ピンを駆動する支持ピン駆動器と、を有し、前記支持ピンは前記基板の縁部領域に接触できるように提供され得る。
一例によれば、前記第１プラズマ発生ユニットは前記バッフルを有する第１電極と、前記支持板内に提供される第２電極と、前記第１電極又は前記第２電極へ電力を印加する第１電源と、を有し、前記第２プラズマ発生ユニットは本体と、前記本体の外側周辺を囲むように提供されるアンテナと、前記アンテナへ電力を印加する第２電源と、を有し、前記アッシングガス供給部材と前記蝕刻ガス供給部材は前記本体のガスポートを通じてアッシング処理ガスと蝕刻処理ガスを供給するように提供され得る。
本発明の他の実施形態によれば、基板処理装置は工程チャンバーと、前記工程チャンバー内で基板を支持する支持板と、前記工程チャンバーへガスを供給するガス供給ユニットと、前記工程チャンバー内でプラズマを発生させるように提供される第１プラズマ発生ユニットと、前記工程チャンバー外部でプラズマを発生させるように提供される第２プラズマ発生ユニットと、基板を前記支持板から持ち上げるか、或いは前記支持板に下ろすように提供されるリフトユニットと、を含む。
一例によれば、前記第１プラズマ発生ユニットは前記工程チャンバー内に提供される第１電極と、前記第１電極と対向されるように前記支持板に提供される第２電極と、前記第２電極へ電力を印加する第１電源と、を含み、前記第１電極は上下方向に貫通された複数の噴射ホールが形成されたバッフルを包含することができる。
一例によれば、前記第２プラズマ発生ユニットは本体と、前記本体の外側周辺を囲むように提供されるアンテナと、前記アンテナへ電力を印加する第２電源と、を有することができる。
一例によれば、前記ガス供給ユニットはアッシング処理ガスを供給するアッシングガス供給部材、蝕刻処理ガスを供給する蝕刻ガス供給部材、及び洗浄処理ガスを供給する洗浄ガス供給部材の中で少なくとも２つを包含することができる。
前記本体はガスポート、放電室、及び誘導管を含み、前記ガスポート、前記放電室、及び前記誘導管は順次的に提供され、前記誘導管は前記工程チャンバーに結合され、前記アンテナは前記放電室の外側を囲むように提供され、前記アッシング処理ガス、前記洗浄処理ガス、及び前記蝕刻処理ガスは前記ガスポートを通じて供給され得る。
一例によれば、前記バッフルは導電性材質で提供され、前記バッフルは接地され得る。前記バッフルは前記基板の中央領域と対応される大きさを有することができる。前記支持板は前記基板の中央領域と対応される大きさを有することができる。
一例によれば、前記基板処理装置は前記支持板を上下に移動させる支持板駆動器をさらに包含できる。
一例によれば、前記リフトユニットは支持アセンブリーを含み、前記支持アセンブリーは前記支持板に外側に提供され、前記支持板上に置かれる基板を上下に移動させる支持ピンと、前記支持ピンを駆動する支持ピン駆動器と、を有し、前記支持ピンは前記基板の縁部領域に接触できるように提供され得る。
一例によれば、前記リフトユニットはリフトアセンブリーをさらに含み、前記リフトアセンブリーは前記支持板内に提供されたピンホールに挿入されるリフトピンと、前記リフトピンを駆動するリフトピン駆動器と、を有し、前記リフトピンは基板の中央領域に接触可能するように提供され得る。
また、本発明は基板を処理する方法を提供する。本発明の一実施形態によれば、基板処理方法は蝕刻工程、アッシング工程、及び洗浄工程の中で少なくとも２つの工程を同一の工程チャンバー内に基板が提供された状態で順次的に遂行し、前記蝕刻工程は前記工程チャンバー内で第１プラズマ発生ユニットを利用して蝕刻処理ガスからプラズマを発生させて遂行し、前記アッシング工程は前記工程チャンバー外部で第２プラズマ発生ユニットを利用してアッシング処理ガスからプラズマを発生させた後、これを前記工程チャンバー内へ供給して遂行し、前記洗浄工程は前記工程チャンバー内で前記第１プラズマ発生ユニットを利用して洗浄処理ガスからプラズマを発生させて遂行する。
一例によれば、前記蝕刻工程は前記工程チャンバー外部で前記第２プラズマ発生ユニットを利用して１次的にプラズマを発生させることをさらに含むことができる。
一例によれば、前記アッシング工程は前記工程チャンバー内で前記第１プラズマ発生ユニットを利用して２次的にプラズマを発生させることをさらに含むことができる。
一例によれば、前記工程チャンバー内には上下方向に噴射ホールが形成され、接地されたバッフルが提供され、前記蝕刻処理ガス又は前記アッシング処理ガスは前記バッフルの噴射ホールを通じて前記基板へ供給され得る。
一例によれば、前記第１プラズマ発生ユニットは前記工程チャンバー内に提供される第１電極と前記工程チャンバー内に前記第１電極と対向されるように提供される第２電極を含み、前記第１電極は上下方向に貫通された噴射ホールが形成され、接地されたバッフルを含み、前記第２電極は前記基板を支持する支持板内に提供され、前記洗浄工程は基板の縁部領域を洗浄する縁部洗浄工程をさらに含み、前記バッフルは前記基板の中央領域と対応される大きさを有し、前記基板の中央領域と対向されるように配置され、前記縁部洗浄工程遂行の時、前記基板と前記バッフルとの間の距離はプラズマシース領域より小さい距離に提供され得る。
一例によれば、前記第１プラズマ発生ユニットは前記工程チャンバー内に提供される第１電極と前記工程チャンバー内に前記第１電極と対向されるように提供される第２電極を含み、前記第１電極は上下方向に貫通された噴射ホールが形成され、接地されたバッフルを含み、前記第２電極は前記基板を支持する支持板内に提供され、前記洗浄工程は基板の後面を洗浄する後面洗浄工程をさらに含み、前記後面洗浄工程遂行の時、前記基板はプラズマシース領域より大きい距離に前記支持板から離隔されるように提供され得る。
一例によれば、前記後面洗浄工程遂行の時、前記基板は前記支持板の外側周囲に提供されるピンによって、その縁部領域が支持され得る。
本発明の他の実施形態によれば、基板処理方法は基板を工程チャンバー内に搬入し、前記工程チャンバー内で蝕刻処理ガスからプラズマを発生させて前記基板に対して蝕刻工程を遂行し、前記工程チャンバー外部でアッシング処理ガスからプラズマを発生させ、これを前記工程チャンバー内へ供給して前記基板に対してアッシング工程を遂行し、前記工程チャンバー内で洗浄処理ガスからプラズマを発生させて前記基板に対して洗浄工程を遂行し、前記基板を前記工程チャンバー外部へ搬出する。
一例によれば、前記洗浄工程は基板の縁部領域を洗浄する縁部洗浄工程を含み、前記工程チャンバー内には上下方向に噴射ホールが形成され、接地されたバッフルが提供され、前記バッフルは前記基板の中央領域と対応される大きさを有し、前記縁部洗浄工程遂行の時、前記基板と前記バッフルの距離は前記蝕刻工程及び前記アッシング工程遂行の時、前記基板と前記バッフルの距離より近く提供され得る。
一例によれば、前記縁部洗浄工程遂行の時、前記基板と前記バッフルの距離はプラズマシース領域より短く提供され、前記蝕刻工程と前記アッシング工程遂行の時、前記基板と前記バッフルの距離はプラズマシース領域より長く提供され得る。
一例によれば、前記洗浄工程は基板の後面領域を洗浄する後面領域を洗浄する後面洗浄工程をさらに含み、前記蝕刻工程と前記アッシング工程遂行の時、前記基板は支持板上に置かれた状態に工程が行われ、前記後面洗浄工程遂行の時、前記基板は前記支持板から離隔された状態に工程が行われ得る。
前記後面洗浄工程遂行の時、前記基板は前記支持板の外側周囲に提供されたピンによって、その縁部領域が支持された状態に提供され得る。
本発明の一実施形態によれば、多数のプラズマ処理工程を１つの工程チャンバー内で遂行できるようになる。
また、本発明の一実施形態によれば、多数のプラズマ処理工程を遂行する時、全体工程に所要される時間を減らすことができるようになる。
本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図面である。 図１の基板処理装置を利用して基板を処理する過程を順次的に示すフローチャートである。 各々図１の基板処理装置で蝕刻工程が遂行される状態を示す図面である。 各々図１の基板処理装置でアッシング工程が遂行される状態を示す図面である。 各々図１の基板処理装置で縁部洗浄工程が遂行される状態を示す図面である。 各々図１の基板処理装置で後面洗浄工程が遂行される状態を示す図面である。 図１の基板処理装置の変形された例を示す図面である。 図１の基板処理装置の変形された例を示す図面である。
以下添付された図面を参照して本発明の一実施形態を詳細に説明する。本発明を説明することにおいて、関連された公知構成又は機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を曇ることがあり得ると判断される場合にはその詳細な説明は省略する。
本発明の実施形態で基板は半導体ウエハーであり得る。しかし、これに限定されなく、基板はガラス基板等のように他の種類の基板であり得る。
また、本発明の実施形態で基板の中央領域は基板で有効チップ（ｖａｌｉｄ ｃｈｉｐ）が形成された領域を意味し、基板の縁部領域は基板で有効チップが形成されない領域を意味する。
図１は本発明の一実施形態による基板処理装置１を示す図面である。
基板処理装置１はプラズマを利用して基板Ｗ上に多数の工程を遂行する。一例によれば、基板処理装置１はプラズマを利用して蝕刻工程、アッシング工程、及び洗浄工程を順次的に遂行する。洗浄工程は縁部洗浄工程と後面洗浄工程を順次的に遂行する。
図１を参照すれば、基板処理装置１は工程チャンバー１００、支持ユニット２００、リフトユニット３００、ガス供給ユニット４００、第１プラズマ発生ユニット５００、及び第２プラズマ発生ユニット６００を有する。
工程チャンバー１００はハウジング１２０とカバー１４０を有する。
ハウジング１２０は内部に上部が開放された処理空間１２２を有する。工程遂行の時、基板Ｗは処理空間１２２に位置され、処理空間１２２内で多数の工程が遂行される。ハウジング１２０は大体に円筒形状に提供され得る。ハウジング１２０の側壁には開口（図示せず）が形成される。基板Ｗは開口を通じてハウジング１２０の内部へ出入する。開口はドア（図示せず）のような開閉部材（図示せず）によって開閉され得る。ハウジング１２０の底面には排気ホール１２４が形成される。排気ホール１２４には排気ライン１２６が連結される。排気ライン１２６にはポンプ１２８が設置される。ポンプ１２８はハウジング１２０内の圧力を工程圧力に調節する。ハウジング１２０内の残留ガス及び反応副産物は排気ライン１２６を通じてハウジング１２０の外部へ排出される。ハウジング１２０の外側にはウォールヒーター１２９が提供され得る。ウォールヒーター１２９はコイル形状に提供され得る。選択的にウォールヒーター１２９はハウジング１２０の外壁内部に提供され得る。
カバー１４０はハウジング１２０の上端に接触されるように位置され、ハウジング１２０の開放された上部を外部から密閉する。カバー１４０内には流入空間１４２が形成される。カバー１４０の上端には流入口１４４が形成される。ガス又は工程チャンバー１００の外部で発生されたプラズマは流入口１４４を通じて工程チャンバー１００内へ流入される。流入空間１４２は下に行くほど、ガスが流れる通路が広くなるように提供される。一例によれば、カバー１４０は大体に円錐形状に提供され得る。
工程チャンバー１００は導電性材質で提供される。工程チャンバー１００は接地ライン１０２を通じて接地され得る。ハウジング１２０とカバー１４０は全て導電性材質で提供され得る。一例として、ハウジング１２０とカバー１４０はアルミニウム材質で提供され得る。
支持ユニット２００は基板Ｗを支持する。支持ユニット２００は支持板２２０、支持軸２４０、及び支持板駆動器２６０を有する。支持板２２０は処理空間１２２内に位置され、円板形状に提供される。支持板２２０は支持軸２４０によって支持される。基板Ｗは支持板２２０の上面に置かれる。支持板２２０の上面は基板Ｗより小さい大きさに提供され得る。一例によれば、支持板２２０の上面は基板Ｗの中央領域に対応される大きさに提供される。支持板２２０の内部には加熱部材２２２が提供され得る。一例によれば、加熱部材２２２は熱線で提供され得る。加熱部材は基板Ｗを約３００℃又はその以上まで加熱できるように提供される。また、支持板２２０の内部には冷却部材２２４が提供され得る。一例によれば、冷却部材２２４は冷却水が流れる冷却ラインで提供され得る。加熱部材２２２は基板Ｗを既設定された温度に加熱し、冷却部材２２４は基板Ｗを強制冷却させる。
支持板駆動器２６０は支持板２２０を上下方向に移動させる。支持板２２０の上下方向の移動によって、支持板２２０に置かれる基板Ｗと後述するバッフル５２０との間の間隔が調節される。支持板駆動器２６０としてはモーター又はシリンダー等のような多様な種類の駆動器が使用され得る。支持板駆動器２６０は図１に示したように支持軸２４０と直接結合されて支持板２２０を移動させ得る。選択的に支持板駆動器２６０は支持板２２０と直接結合されて支持板２２０を移動させ得る。
リフトユニット３００はリフトアセンブリー３２０と支持アセンブリー３４０を有する。
リフトアセンブリー３２０は外部で工程チャンバー１００内へ搬送されたロボット（図示せず）から基板Ｗを受け入れてこれを支持板２２０の上にローディングするか、或いは工程が完了された基板Ｗを支持板２２０からアンローディングし、これをロボットで引き渡す。リフトアセンブリー３２０は複数のリフトピン３２２、ベース３２４、及びリフトピン駆動器３２６を有する。ベース３２４は大体に弧形状に提供され得る。一例によれば、ベース３２４は支持軸２４０を囲むように位置され得る。複数のリフトピン３２２はベース３２４の上面に設置される。複数のリフトピン３２２は互いに同一の形状及び大きさに提供され得る。各々のリフトピン３２２は大体に一字形状に提供され、その上端は上へ膨らんでいる形状に提供され得る。リフトピン３２２は絶縁材質で提供される。一例によれば、リフトピン３２２はセラミック材質で提供され得る。リフトピン３２２は基板Ｗと接触の時、基板Ｗの中央領域と接触され得る。支持板２２０には上下方向に貫通されるように提供された複数のピンホール２２６が提供される。複数のピンホール２２６は複数のリフトピン３２２に対応される位置に形成され、１つのリフトピン３２２は１つのピンホール２２６へ挿入される。ピンホール２２６が待機位置と支持位置との間に移動されるようにリフトピン駆動器３２６はベース３２４を乗下降させる。待機位置はピンホール２２６の上端がピンホール２２６内に挿入された位置であり、支持位置はピンホール２２６の上端が支持板２２０の上面から上へ突出された位置である。
支持アセンブリー３４０は後述する洗浄工程遂行の時、基板Ｗを支持する。支持アセンブリー３４０は複数の支持ピン３４２、ベース３４４、及び支持ピン駆動器３４６を有する。ベース３４４は大体に弧形状に提供され得る。一例によれば、ベース３４４は支持軸２４０を囲むように位置され得る。複数の支持ピン３４２はベース３４４の上面に設置される。複数の支持ピン３４２は支持板２２０の外側に提供される。支持ピン３４２は基板Ｗの縁部領域と接触されるように提供される。複数の支持ピン３４２は互いに同一の形状及び大きさに提供され得る。支持ピン３４２は絶縁材質で提供される。例えば、支持ピン３４２はリフトピン３２２と同一な材質で提供され得る。各々の支持ピン３４２は垂直部３４２ａと支持部３４２ｂを有する。垂直部３４２ａはベース３４４から上方向に一直線に突出されるように提供される。支持部３４２ｂは垂直部３４２ａの上端から支持板２２０に向かう方向に突出されるように提供される。支持部３４２ｂの上端は大体に平面に提供され得る。
ガス供給ユニット４００は工程に使用されるガスを供給する。ガス供給ユニット４００は蝕刻ガス供給部材４２０、アッシングガス供給部材４４０、及び洗浄ガス供給部材４６０を有する。
蝕刻ガス供給部材４２０は基板Ｗに対して蝕刻工程を遂行する時、使用される蝕刻処理ガスを供給する。蝕刻処理ガスは弗素ガスＦ、弗素を含むガス、塩素ガスＣｌ、塩素を含むガス、又はこれらの組合されたガスを包含することができる。蝕刻ガス供給部材４２０は蝕刻ガス供給ライン４２２と蝕刻ガス格納部４２４を有する。蝕刻ガス供給ライン４２２は後述する第２プラズマ発生ユニット６００のガスポート６２２に連結され得る。蝕刻ガス供給ライン４２２にはその内部のガス流れ通路を開閉するか、或いはガス流量を調節するバルブ４２３が設置される。
アッシングガス供給部材４４０は基板Ｗに対してアッシング工程を遂行する時、使用されるアッシング処理ガスを供給する。アッシング処理ガスは酸素ガスＯ２、窒素ガスＮ２、水素ガスＨ２、アンモニウムガスＮＨ３、又はこれらの組合されたガスを包含することができる。アッシングガス供給部材４４０はアッシングガス供給ライン４４２とアッシングガス格納部４４４を有する。アッシングガス供給ライン４４２は後述する第２プラズマ発生ユニット６００のガスポート６２２に連結され得る。アッシングガス供給ライン４４２にはその内部のガス流れ通路を開閉するか、或いはガス流量を調節するバルブ４４３が設置される。
洗浄ガス供給部材４６０は基板Ｗに対して洗浄工程を遂行する時、使用される洗浄処理ガスを供給する。洗浄処理ガスは酸素ガスＯ２、窒素ガスＮ２、アルゴンガスＡｒ又はこれらの組合されたガスを包含することができる。洗浄処理ガスは洗浄ガス供給ライン４６２と洗浄ガス格納部４６４を有する。洗浄ガス供給ライン４６２は後述する第２プラズマ発生ユニット６００のガスポート６２２に連結され得る。洗浄ガス供給ライン４６２にはその内部のガス流れ通路を開閉するか、或いはガス流量を調節するバルブ４６３が設置される。
一例によれば、図１に示したようにガスポート６２２にはメーンライン４８０が直接連結され、蝕刻ガス供給ライン４２２、アッシングガス供給ライン４４２、及び洗浄ガス供給ライン４６２は各々メーンライン４８０から分岐されるように提供され得る。選択的に蝕刻ガス供給ライン４２２、アッシングガス供給ライン４４２、及び洗浄ガス供給ライン４６２は各々ガスポート６２２に直接連結され得る。
また、図１では蝕刻ガス供給部材４２０、アッシングガス供給部材４４０、及び洗浄ガス供給部材４６０は各々１つのガスラインとガス格納部を有することと図示した。しかし、各々の工程で使用されるガスの種類が複数である場合、蝕刻ガス供給部材４２０、アッシングガス供給部材４４０、及び洗浄ガス供給部材４６０は各々複数のガスラインとガス格納部を有することができる。
また、蝕刻処理ガス、アッシング処理ガス、及び洗浄処理ガスの中で一部が互いに同一の種類のガスを使用する場合、蝕刻ガス供給部材４２０、アッシングガス供給部材４４０、及び洗浄ガス供給部材４６０の中で一部は提供されないことがあり得る。
第１プラズマ発生ユニット５００はハウジング１２０内で蝕刻処理ガス、アッシング処理ガス、及び洗浄処理ガスからプラズマを発生させるために使用され得る。
第１プラズマ発生ユニット５００は第１電極５２０、第２電極５４０、及び第１電源５６０を有する。第１電極５２０と第２電極５４０は上下に互いに対向されるように配置される。第１電極５２０は第２電極５４０より上部に位置される。一例によれば、第１電極５２０は導電性材質のバッフル５２０へ提供され得る。バッフル５２０は円板形状を有する。バッフル５２０はカバー１４０の底面に結合され得る。バッフル５２０はカバー１４０と電気的に通じるようにカバー１４０に接触されるように提供され得る。一例によれば、バッフル５２０はアルミニウムＡｌ又は陽極処理されたアルミニウム（Ａｎｏｄｉｚｉｎｇ Ａｌ）材質で提供され得る。バッフル５２０は基板Ｗより小さい大きさに提供される。一例によれば、バッフル５２０は基板Ｗの中央領域と対応される大きさを有することができる。
選択的に工程チャンバー１００とバッフル５２０との間には導電性構造物が提供され、導電性構造物を通じてバッフル５２０は工程チャンバー１００に結合され得る。バッフル５２０にはその上端でその下端まで延長された複数の噴射ホール５２２が形成される。外部からカバー１４０内の流入空間１４２へ供給されたガスは噴射ホール５２２を通じてハウジング１２０内の処理空間１２２へ流れ得る。第２電極５４０は支持板２２０内に提供され得る。第２電極５４０は導電性板で提供され得る。
第１電源５６０は第１電極５２０又は第２電極５４０へ電力を印加する。一例によれば、第１電極５２０は接地され、第２電極５４０には第１電源５６０が高周波ライン５６２を通じて連結される。高周波ライン５６２にはスイッチ５６４が提供され得る。第１電源５６０は第２電極５４０へＲＦバイアス（ＲＦ ｂｉａｓ）を印加することができる。
選択的にバッフル５２０は絶縁材質で提供され得る。例えば、バッフル５２０は石英材質で提供され得る。この場合、第１プラズマ発生ユニット５００は第１電極無しで第２電極５４０と第１電源５６０を具備することができる。
第２プラズマ発生ユニット６００は蝕刻処理ガス、及びアッシング処理ガスからプラズマを発生させるために使用され得る。第２プラズマ発生ユニット６００は工程チャンバー１００の外部に位置される。一例によれば、第２プラズマ発生ユニット６００は本体６２０、アンテナ６４０、及び第２電源６６０を有する。本体６２０はガスポート６２２、放電室６２４、及び誘導管（６２６、ｇｕｉｄｅ ｐｉｐｅ）を有する。ガスポート６２２、放電室６２４、及び誘導管６２６は上から下に向かう方向に順次的に提供される。ガスポート６２２はガス供給ユニット４００から多様な種類のガスを供給受ける。放電室６２４は中空の円筒形状を有する。上部から見る時、放電室６２４内の空間はハウジング１２０内の空間より狭く提供される。放電室６２４内でアッシング処理ガス又は蝕刻処理ガスからプラズマが発生される。誘導管６２６は放電室６２４で発生されたプラズマをハウジング１２０へ供給する。誘導管６２６はカバー１４０に結合される。放電室６２４と誘導管６２６は独立的に製造された後、互いに結合され得る。選択的に誘導管６２６は放電室６２４と一体に提供され、放電室６２４から下に延長されるように提供され得る。
アンテナ６４０は放電室６２４の外部に提供され、放電室６２４を複数回に囲むように提供される。アンテナ６４０の一端は第２電源６６０に連結され、他端は接地される。第２電源６６０は高周波ライン６６２を通じてアンテナ６４０へ電力を印加する。高周波ライン６６２にはスイッチ６６４が提供され得る。一例によれば、第２電源６６０はアンテナ６４０へ高周波電力又はマイクロ波を印加することができる。
アッシング処理ガスは三フッ化窒素ガスＮＦ３をさらに包含できる。三フッ化窒素ガスは上述したガスポート６２２を通じて流れ込まれて放電室６２４内でプラズマとして励起されることができる。選択的に三フッ化窒素ガスは放電室６２４で発生されたプラズマが工程チャンバー１００へ供給される経路に供給され得る。一例によれば、三フッ化窒素ガスはアンテナ６４０より下位置で放電室６２４へ供給され得る。
一般的にプラズマはイオン、電子、及びラジカルを含む。第２プラズマ発生ユニット６００で工程チャンバー１００へ供給されたプラズマでイオンと電子は上述したバッフル５２０によって処理空間１２２へ流入されることが防止され、ラジカルはバッフル５２０の噴射ホール５２２を通じて処理空間１２２へ供給される。
次には図１の基板処理装置１を利用してプラズマ工程を遂行する方法に対して説明する。制御器は基板処理装置１の構成を制御する。例えば、制御器は第１プラズマ発生ユニット５００と第２プラズマ発生ユニット６００で電力の印加の可否、電力の大きさ、ガス供給ユニット３００へ提供されたバルブ４２３、４４３、４６３の開閉及び流量調節、及びリフトピン駆動器３２６、支持ピン駆動器３４６、支持板駆動器２６０の動作等を制御する。
図２は基板Ｗ処理過程を順次的に示すフローチャートであり、図３乃至図６は各々基板Ｗ処理過程を順次的に示す図面である。図３は蝕刻工程が遂行される状態を示す図面であり、図４はアッシング工程が遂行される状態を示す図面であり、図５は縁部洗浄工程が遂行される状態を示す図面であり、図６は後面洗浄工程が遂行される状態を示す図面である。図３乃至図６で内部が満たされたバルブは閉じた状態であり、内部が開放されたバルブは開かれた状態を示す。また、図３乃至図６で‘Ａ’領域はプラズマが発生された領域であり、‘Ｂ’領域はプラズマシース（ｓｈｅａｔｈ）領域である。
先ず、搬送ロボットによって、基板Ｗが工程チャンバー１００内に搬送される（ステップＳ１０）。この時、リフトピン２２６は支持板２２０から上部に突出されるように位置される。搬送ロボットの下降によって、基板Ｗがリフトピン２２６に引き渡される。搬送ロボットは工程チャンバー１００の外部へ移動され、リフトピン２２６は下降して基板Ｗは支持板２２０上に置かれる。
次に基板Ｗに対して蝕刻工程が遂行される（ステップＳ２０）。蝕刻工程で基板Ｗ上の蝕刻対象膜が除去される。蝕刻対象膜はポリシリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又は自然酸化膜等の多様な種類の膜であり得る。
図３を参照すれば、蝕刻工程遂行の時、基板Ｗは支持板２２０上に置かれた状態を維持する。蝕刻処理ガスが蝕刻ガス供給部材４２０から第２プラズマ発生ユニット６００へ供給され、第２電源６６０からアンテナ６４０へ電力が印加される。放電室６２４で蝕刻処理ガスから１次にプラズマ‘Ａ’が発生され、プラズマは工程チャンバー１００へ流れる。バッフル５２０によって、イオン及び電子が処理空間１２２へ流入されることが遮断され、ラジカルはバッフル５２０の噴射ホール５２２を通じて処理空間１２２内へ流入される。第１電源５６０から第２電極５４０へＲＦバイアス（ＲＦ ｂｉａｓ）が印加される。処理空間１２２で蝕刻処理ガスから２次にプラズマ‘Ａ’が発生される。
基板Ｗとバッフル５２０は第１距離を維持する。ここで、第１距離は基板Ｗの上部に形成されたプラズマシース領域‘Ｂ’より大きい距離である。一般的に多様な工程変数にしたがって異なるが、プラズマシース領域Ｂは約０．５ｍｍに約３ｍｍに形成される。したがって、第１距離は約３ｍｍより大きい距離に提供され得る。蝕刻処理ガスから発生されたプラズマは基板Ｗ上の蝕刻対象膜と反応して蝕刻対象膜を除去する。
蝕刻工程遂行の時、工程チャンバー１００の内部温度は約常温乃至６０℃であり、工程チャンバー１００の内部圧力は約数百ｍＴｏｒｒに維持され得る。しかし、温度及び圧力はこれに限定されない。
以後、アッシング工程が遂行される（ステップＳ３０）。アッシング工程で基板Ｗ上のフォトレジスト膜が除去される。
アッシング工程遂行の時、アッシング処理ガスが第２プラズマ発生ユニット６００へ供給される。アッシング処理ガスがアッシングガス供給部材４４０から第２プラズマ発生ユニット６００へ供給され、第２電源６６０からアンテナ６４０へ電力が印加される。放電室６２４内でアッシング処理ガスから１次にプラズマ‘Ａ’が発生され、プラズマは工程チャンバー１００へ流れる。バッフル５２０によって、イオン及び電子は処理空間１２２へ流入されることが遮断され、ラジカルはバッフル５２０の噴射ホール５２２を通じて処理空間１２２内へ流入される。第１電源５６０から第２電極５４０へＲＦバイアスが印加される。処理空間１２２で蝕刻処理ガスから２次にプラズマ‘Ａ’が発生される。
図４を参照すれば、アッシング工程遂行の時、基板Ｗは支持板２２０上に置かれた状態を維持する。また、支持板２２０上の基板Ｗとバッフル５２０は上述した第１距離を維持することができる。一例によれば、アッシング工程遂行の時、工程チャンバー１００の内部温度は約２５０℃乃至３００℃であり、工程チャンバー１００の内部圧力は約数百ｍＴｏｒｒに維持され得る。しかし、温度及び圧力はこれに限定されない。
以後、洗浄工程が遂行される（ステップＳ４０）。先ず、縁部洗浄工程が遂行される（ステップＳ４２）。縁部洗浄工程では基板Ｗの縁部領域に残留する副産物及びパーティクルが除去される。
図５を参照すれば、縁部洗浄工程遂行の時、基板Ｗは支持板２２０上に置かれた状態を維持し、支持板２２０は支持板駆動器２６０によって昇降される。基板Ｗとバッフル５２０は第２距離を維持する。第２距離は第１距離より短い距離である。一例によれば、第２距離はバッフル５２０と基板Ｗとの間にはプラズマが存在しないプラズマシース領域‘Ｂ’のみが形成される距離であり得る。例えば、第２距離は約０．５ｍｍ乃至３ｍｍへ提供され得る。
洗浄処理ガスは洗浄ガス供給部材４６０から第２プラズマ発生ユニット６００へ供給される。この時、スイッチ６６４はオフ（ｏｆｆ）されてアンテナ６４０には電力が印加されない。洗浄処理ガスはガス状態に工程チャンバー１００へ流れる洗浄処理ガスはバッフル５２０の噴射ホール５２２を通じて処理空間１２２の内部の全体領域に均一に分散される。第１電源５６０が第２電極５４０へ電力を印加する。この時、バッフル５２０は陽極（ａｎｏｄｅ）として作用し、基板の縁部領域で洗浄処理ガスからプラズマが発生される。
基板Ｗとバッフル５２０との間にはプラズマシースＢ領域であるので、基板Ｗの中央領域はプラズマに露出されない。これに反して基板Ｗの縁部領域はプラズマシース領域Ｂから外れ、プラズマに露出される。これによって、基板Ｗの中央領域を除外した基板Ｗの縁部領域のみでプラズマ処理が行われて、基板Ｗの縁部領域がプラズマによって、洗浄される。一例によれば、縁部洗浄工程遂行の時、工程チャンバー１００の内部温度は約３０℃乃至６０℃であり、工程チャンバー１００の内部圧力は約数百ｍＴｏｒｒに維持され得る。しかし、温度及び圧力はこれに限定されない。
以後、後面洗浄工程が遂行される（ステップＳ４４）。後面洗浄工程では基板Ｗの後面に残留する副産物及びパーティクルが除去される。
この時、支持板２２０とバッフル５２０は第２距離に維持され得る。しかし、支持板２２０とバッフル５２０の距離はこれに限定されない。図６を参照すれば、基板Ｗは支持アセンブリー３４０によって、支持板２２０から昇降される。後面洗浄工程の時、リフトピン３２２によって、基板Ｗを支持する場合、リフトピン３２２と接触される領域で洗浄不良が発生され得る。しかし、本実施形態のように支持ピン３４２によって、基板Ｗの縁部領域が支持される場合、基板Ｗの中央領域の全体で洗浄が行われる。基板Ｗと支持板２２０との間の距離はプラズマシース領域‘Ｂ’より大きく提供される。
洗浄処理ガスは第２プラズマ発生ユニット６００へ供給される。この時、スイッチ６６４はオフ（ｏｆｆ）され、アンテナ６４０には電力が印加されない。洗浄処理ガスはガス状態に工程チャンバー１００へ流れる洗浄処理ガスはバッフル５２０の噴射ホール５２２を通じてハウジング１２０の内部の全体領域に均一に分散される。洗浄処理ガスが工程チャンバー１００内へ供給され、第２電源６６０が第２電極５４０へ電力を印加する。この時、基板Ｗが陽極（ａｎｏｄｅ）として作用し、基板Ｗと支持板２２０との間に洗浄処理ガスからプラズマが発生される。したがって、基板Ｗの底面はプラズマに露出されてプラズマによって、洗浄される。一例によれば、後面洗浄工程遂行の時、工程チャンバー１００の内部温度は約３０℃乃至６０℃であり、工程チャンバー１００の内部圧力は約数百ｍＴｏｒｒであり得る。しかし、温度及び圧力はこれに限定されない。
以後基板Ｗが工程チャンバーから搬出される（ステップＳ５０）。リフトピン２２６は支持板２２０から上部に突出されるように位置される。搬送ロボットが工程チャンバー１００内へ流入され、搬送ロボットの昇降によって、基板Ｗが搬送ロボットに引き渡される。搬送ロボットは工程チャンバー１００の外部へ移動される。
上述した例では縁部洗浄工程が先ず遂行され、以後に後面洗浄工程が遂行されることと説明した。しかし、これと異なりに後面洗浄工程が先ず遂行され、以後に縁部洗浄工程が遂行できる。
また、上述した例では蝕刻工程及びアッシング工程遂行の時、蝕刻処理ガス及びアッシング処理ガスが各々第２プラズマ発生ユニット６００内で１次にプラズマに形成され、以後工程チャンバー１００内で第１プラズマ発生ユニット５００によって２次にプラズマに形成されることと説明した。しかし、これと異なりに、蝕刻工程の時、第２電源６６０からアンテナ６４０へ電力印加は遮断され、蝕刻処理ガスはプラズマではないガス状態に工程チャンバー１００の内部に供給され、工程チャンバー１００内で第１プラズマ発生ユニット５００によってプラズマに形成され得る。また、アッシング工程遂行の時、第１電源５６０から第２電極５４０へ電力印加は遮断され、アッシング処理ガスは第２プラズマ発生ユニット６００のみでプラズマに形成され得る。
上述した実施形態では洗浄工程が縁部洗浄工程と後面洗浄工程を含むことと説明した。しかし、これと異なりに基板Ｗ洗浄工程は縁部洗浄工程と後面洗浄工程の中でいずれか１つのみを包含することができる。
また、上述した実施形態では基板処理工程が蝕刻工程、アッシング工程、及び洗浄工程を含むことと説明した。しかし、これと異なりに基板処理工程は上述した３つの工程の中で２つの工程のみを包含することができる。例えば、基板処理工程は蝕刻工程とアッシング工程のみを包含することができる。又は基板処理工程はアッシング工程と洗浄工程のみを包含することができる。
基板処理工程が後面洗浄工程を包含しない場合、選択的に支持板は基板と対応される大きさに提供されるか、或いは支持アセンブリーは提供されないことがあり得る。また、基板処理工程が洗浄工程が縁部洗浄工程を包含しない場合、選択的にバッフルは基板と対応される大きさに提供され得る。
図７は基板処理装置２の他の例を示す。図７を参照すれば、リフトユニット３００はリフトアセンブリー３２０を有する。図１の支持アセンブリーは図７の基板処理装置２に提供されない。この場合、搬送ロボットとの基板Ｗの引受引継及び後面洗浄工程の時、基板Ｗの乗降及支持はリフトアセンブリー３２０によって、行われ得る。
図８は基板処理装置３のその他の例を示す。図８を参照すれば、リフトユニット３００は支持アセンブリー３４０を有する。図１のリフトアセンブリーは図８の基板処理装置３には提供されない。この場合、搬送ロボットとの基板Ｗの引受引継及び後面洗浄工程の時、基板Ｗの乗降及び支持は支持アセンブリー３４０によって、行われ得る。
図７又は図８の基板処理装置２、３の使用の時、リフトユニット３００はリフトアセンブリーと支持アセンブリーの中でいずれか１つのみを具備するので、図１の基板処理装置１に比べて構造が単純である。また、図７の基板処理装置２使用の時、後面洗浄工程遂行する時、基板Ｗの中央領域全体で後面洗浄が行われ得る。また、図８の基板処理装置３使用の時、支持ピン３４２が基板Ｗの中央領域を支持するので、基板Ｗのアップ／ダウン動作が安定的に行われ得る。
また、図１の基板処理装置１では洗浄処理ガスが第２プラズマ発生ユニット６００のガスポート６２２を通じて工程チャンバー１００内へ供給されることと図示された。しかし、これと異なりに洗浄処理ガスは工程チャンバー１００に直接連結されて工程チャンバー１００内へ供給され得る。この場合、洗浄ガス供給ラインは工程チャンバー１００のカバー１４０に直接連結させるか、或いは工程チャンバー１００のハウジング１２０に直接連結され得る。
以上の説明は本発明の技術思想を例示的に説明した物に過ぎないので、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の本質的な特性で逸脱しない範囲で多様な修正及び変形が可能である。したがって、本発明に開示された実施形態は本発明の技術思想を限定することではなく単なる説明するためのことであり、このような実施形態によって本発明の技術思想の範囲が限定されない。本発明の保護範囲は下の請求の範囲によって解釈しなければならないし、それと同等な範囲内にある全て技術思想は本発明の権利範囲に含まれることとして解釈するべきである。
１００・・・工程チャンバー
２００・・・支持ユニット
３００・・・リフトユニット
３２０・・・リフトアセンブリー
３４０・・・支持アセンブリー
４００・・・ガス供給ユニット
４２０・・・蝕刻ガス供給部材
４４０・・・アッシングガス供給部材
４６０・・・洗浄ガス供給部材
５００・・・第１プラズマ発生ユニット
５２０・・・バッフル（上部電極）
５４０・・・下部電極
６００・・・第２プラズマ発生ユニット
６４０・・・アンテナ

Claims (28)

  1. 工程チャンバーと、
    前記工程チャンバー内で基板を支持する支持板と、
    前記工程チャンバーへガスを供給するガス供給ユニットと、
    前記工程チャンバー内でプラズマを発生させるように提供される第１プラズマ発生ユニットと、
    前記工程チャンバー外部でプラズマを発生させるように提供される第２プラズマ発生ユニットと、を含み、
    前記ガス供給ユニットはアッシング処理ガスを供給するアッシングガス供給部材、蝕刻処理ガスを供給する蝕刻ガス供給部材、及び洗浄処理ガスを供給する洗浄ガス供給部材の中で少なくとも２つを含み、
    前記第１プラズマ発生ユニットは、
    前記支持板に提供される下部電極と、
    前記下部電極と対向されるように前記工程チャンバー内に提供される上部電極と、
    前記下部電極へ電力を印加する電源と、を含み、
    前記上部電極は上下方向に貫通された複数の噴射ホールが形成され、かつ、導電性材質からなる、接地されたバッフルを含み、
    前記基板と前記バッフルとの間の距離は、縁部洗浄工程遂行の時に、プラズマシース領域より小さい距離とされるように構成される、基板処理装置。
  2. 前記バッフルの大きさは前記基板より小さく、
    前記基板処理装置は前記バッフルと前記支持板との相対距離調節が可能するように前記支持板を上下に駆動する支持板駆動器をさらに含む請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記基板処理装置は基板を前記支持板から持ち上げるか、或いは前記支持板に下ろすように提供されるリフトユニットをさらに含む請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記リフトユニットは支持アセンブリーを含み、
    前記支持アセンブリーは、
    前記支持板の外側に提供され、前記支持板上に置かれる基板を上下に移動させる支持ピンと、
    前記支持ピンを駆動する支持ピン駆動器と、を有し、
    前記支持ピンは前記基板の縁部領域に接触できるように提供される請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記第１プラズマ発生ユニットは、
    前記バッフルを有する上部電極と、
    前記支持板内に提供される下部電極と、
    前記上部電極又は前記下部電極へ電力を印加する第１電源と、を有し、
    前記第２プラズマ発生ユニットは、
    本体と、
    前記本体の外側周辺を囲むように提供されるアンテナと、
    前記アンテナへ電力を印加する第２電源と、を有し、
    前記アッシングガス供給部材と前記蝕刻ガス供給部材は前記本体のガスポートを通じてアッシング処理ガスと蝕刻処理ガスを供給するように提供される請求項１に記載の基板処理装置。
  6. 工程チャンバーと、
    前記工程チャンバー内で基板を支持する支持板と、
    前記工程チャンバーへガスを供給するガス供給ユニットと、
    前記工程チャンバー内でプラズマを発生させるように提供される第１プラズマ発生ユニットと、
    前記工程チャンバー外部でプラズマを発生させるように提供される第２プラズマ発生ユニットと、
    基板を前記支持板から持ち上げるか、或いは前記支持板に下ろすように提供されるリフトユニットと、を含み、
    前記工程チャンバー内には上下方向に噴射ホールが形成され、接地されたバッフルが提供され、
    前記基板と前記バッフルとの間の距離は、縁部洗浄工程遂行の時に、プラズマシース領域より小さい距離とされるように構成される、基板処理装置。
  7. 前記第１プラズマ発生ユニットは、
    前記工程チャンバー内に提供される上部電極と、
    前記上部電極と対向されるように前記支持板に提供される下部電極と、
    前記下部電極へ電力を印加する第１電源と、を含み、
    前記上部電極は上下方向に貫通された複数の噴射ホールが形成されたバッフルを含む請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記第２プラズマ発生ユニットは、
    本体と、
    前記本体の外側周辺を囲むように提供されるアンテナと、
    前記アンテナへ電力を印加する第２電源と、を有する請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記ガス供給ユニットはアッシング処理ガスを供給するアッシングガス供給部材、蝕刻処理ガスを供給する蝕刻ガス供給部材、及び洗浄処理ガスを供給する洗浄ガス供給部材の中で少なくとも２つを含む請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記本体はガスポート、放電室、及び誘導管を含み、
    前記ガスポート、前記放電室、及び前記誘導管は順次的に提供され、
    前記誘導管は前記工程チャンバーに結合され、
    前記アンテナは前記放電室の外側を囲むように提供され、
    前記アッシング処理ガス、前記洗浄処理ガス、及び前記蝕刻処理ガスは前記ガスポートを通じて供給される請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記バッフルは導電性材質で提供され、
    前記バッフルは接地される請求項６に記載の基板処理装置。
  12. 前記バッフルは前記基板の中央領域と対応される大きさを有する請求項１１に記載の基板処理装置。
  13. 前記支持板は前記基板の中央領域と対応される大きさを有する請求項６に記載の基板処理装置。
  14. 前記基板処理装置は前記支持板を上下に移動させる支持板駆動器をさらに含む請求項６乃至請求項１３のいずれかに記載の基板処理装置。
  15. 前記リフトユニットは支持アセンブリーを含み、
    前記支持アセンブリーは、
    前記支持板に外側に提供され、前記支持板上に置かれる基板を上下に移動させる支持ピンと、
    前記支持ピンを駆動する支持ピン駆動器と、を有し、
    前記支持ピンは前記基板の縁部領域に接触できるように提供される請求項６乃至請求項１３のいずれかに記載の基板処理装置。
  16. 前記リフトユニットはリフトアセンブリーをさらに含み、
    前記リフトアセンブリーは、
    前記支持板内に提供されたピンホールに挿入されるリフトピンと、
    前記リフトピンを駆動するリフトピン駆動器と、を有し、
    前記リフトピンは基板の中央領域に接触可能するように提供される請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 基板を処理する方法において、
    蝕刻工程、アッシング工程、及び洗浄工程の中で少なくとも２つの工程を同一の工程チャンバー内に基板が提供された状態で順次的に遂行し、
    前記蝕刻工程は前記工程チャンバー内で第１プラズマ発生ユニットを利用して蝕刻処理ガスからプラズマを発生させて遂行し、
    前記アッシング工程は前記工程チャンバー外部で第２プラズマ発生ユニットを利用してアッシング処理ガスからプラズマを発生させた後、これを前記工程チャンバー内へ供給して遂行し、
    前記洗浄工程は前記工程チャンバー内で前記第１プラズマ発生ユニットを利用して洗浄処理ガスからプラズマを発生させて遂行し、
    前記工程チャンバー内には上下方向に噴射ホールが形成され、接地されたバッフルが提供され、
    前記洗浄工程は基板の縁領域を洗浄する縁部洗浄工程をさらに含み、
    前記縁部洗浄工程遂行の時の、前記基板と前記バッフルとの間の距離はプラズマシース領域より小さい距離とされる基板処理方法。
  18. 前記蝕刻工程は前記工程チャンバー外部で前記第２プラズマ発生ユニットを利用して１次的にプラズマを発生させることをさらに含む請求項１７に記載の基板処理方法。
  19. 前記アッシング工程は前記工程チャンバー内で前記第１プラズマ発生ユニットを利用して２次的にプラズマを発生させることをさらに含む請求項１７に記載の基板処理方法。
  20. 前記蝕刻処理ガス又は前記アッシング処理ガスは前記バッフルの噴射ホールを通じて前記基板へ供給される請求項１８又は請求項１９に記載の基板処理方法。
  21. 前記第１プラズマ発生ユニットは前記工程チャンバー内に提供される上部電極と前記工程チャンバー内に前記上部電極と対向されるように提供される下部電極を含み、前記上部電極は上下方向に貫通された噴射ホールが形成され、接地されたバッフルを含み、前記下部電極は前記基板を支持する支持板内に提供され、
    前記バッフルは前記基板の中央領域と対応される大きさを有し、前記基板の中央領域と対向されるように配置される、請求項１７に記載の基板処理方法。
  22. 前記第１プラズマ発生ユニットは前記工程チャンバー内に提供される上部電極と前記工程チャンバー内に前記上部電極と対向されるように提供される下部電極を含み、前記上部電極は上下方向に貫通された噴射ホールが形成され、接地されたバッフルを含み、前記下部電極は前記基板を支持する支持板内に提供され、
    前記洗浄工程は基板の後面を洗浄する後面洗浄工程をさらに含み、
    前記後面洗浄工程遂行の時、前記基板はプラズマシース領域より大きい距離に前記支持板から離隔される請求項２１に記載の基板処理方法。
  23. 前記後面洗浄工程遂行の時、前記基板は前記支持板の外側周囲に提供されるピンによってその縁部領域が支持される請求項２２に記載の基板処理方法。
  24. 基板を処理する方法において、
    基板を工程チャンバー内に搬入し、
    前記工程チャンバー内で蝕刻処理ガスからプラズマを発生させて前記基板に対して蝕刻工程を遂行し、
    前記工程チャンバー外部でアッシング処理ガスからプラズマを発生させ、これを前記工程チャンバー内へ供給して前記基板に対してアッシング工程を遂行し、
    前記工程チャンバー内で洗浄処理ガスからプラズマを発生させて前記基板に対して洗浄工程を遂行し、
    前記基板を前記工程チャンバー外部へ搬出し、
    前記工程チャンバー内には上下方向に噴射ホールが形成され、接地されたバッフルが提供され、
    前記洗浄工程は基板の縁領域を洗浄する縁部洗浄工程をさらに含み、
    前記縁部洗浄工程遂行の時の、前記基板と前記バッフルとの間の距離はプラズマシース領域より小さい距離とされる基板処理方法。
  25. 前記洗浄工程は基板の縁部領域を洗浄する縁部洗浄工程を含み、
    前記工程チャンバー内には上下方向に噴射ホールが形成され、接地されたバッフルが提供され、前記バッフルは前記基板の中央領域と対応される大きさを有し、
    前記縁部洗浄工程遂行の時の前記基板と前記バッフルの距離は前記蝕刻工程及び前記アッシング工程遂行の時の前記基板と前記バッフルの距離より近くされる請求項２４に記載の基板処理方法。
  26. 前記縁部洗浄工程遂行の時、前記基板と前記バッフルの距離はプラズマシース領域より短くされ、前記蝕刻工程と前記アッシング工程遂行の時、前記基板と前記バッフルの距離はプラズマシース領域より長くされる請求項２５に記載の基板処理方法。
  27. 前記洗浄工程は基板の後面領域を洗浄する後面領域を洗浄する後面洗浄工程をさらに含み、
    前記蝕刻工程と前記アッシング工程との遂行の時、前記基板は支持板上に置かれた状態で工程が行われ、
    前記後面洗浄工程遂行の時、前記基板は前記支持板から離隔された状態で工程が行われる請求項２４に記載の基板処理方法。
  28. 前記後面洗浄工程遂行の時、前記基板は前記支持板の外側周囲に提供されたピンによって、その縁部領域が支持された状態にされる請求項２７に記載の基板処理方法。
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