KR102327270B1 - 지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법 - Google Patents

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조형신
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Abstract

본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치가 가지는 지지 유닛을 제공한다. 지지 유닛은, 기판의 하면을 지지하는 척; 상부에서 바라볼 때 상기 척을 둘러싸도록 제공되는 무빙 플레이트; 및 상기 무빙 플레이트를 상기 척에 대하여 상대적으로 위 또는 아래 방향으로 이동시켜, 상기 척에 지지된 상기 기판의 가장자리 영역의 처리 공간에 대한 노출 면적을 변경하는 승강 부재를 포함할 수 있다.

Description

지지 유닛, 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 방법{SUPPORT UNIT, APPARATUS FOR TREATING A SUBSTRATE AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}
본 발명은 지지 유닛 및 기판 처리 장치, 그리고 기판을 처리하는 방법에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 이용하여 웨이퍼 등의 기판 상의 막질을 제거하는 애싱, 식각, 또는 하드 마스크를 제거하는 스트립 공정을 포함한다. 애싱, 식각, 또는 스트립 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및 라디칼 입자들이 기판 상의 막질과 충돌 또는 반응함으로써 수행된다.
최근, 반도체 집적도가 높아짐에 따라 하나의 기판(예컨대, 웨이퍼)로부터 제조될 수 있는 칩(Chip)의 수가 증가하고 있다. 이에, 하나의 기판으로부터 제조될 수 있는 칩의 수를 최대한 늘릴 수 있도록 기판의 에지 부분을 효과적으로 처리할 수 있는 에지 처리 공정이 관심 받고 있다. 하나의 기판으로부터 제조될 수 있는 칩의 수를 늘리기 위해서는 기판의 에지 부분에 대한 정밀한 처리가 요구된다.
하지만, 화학적 기상 증착법(CVD, Chemical Vapor Deposition)과 같은 증착 공정을 진행시, 기판의 후면 에지 부분은 반응성 가스에 노출되어 박막이 형성되는 문제점이 있다. 이러한 박막은 후속 공정에서 문제가 되어 상술한 칩 생산시 문제를 발생시킨다.
예컨대, 도 1에서는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 제공되는 일반적인 서셉터(1000)의 모습을 보여준다. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 제공되는 일반적인 서셉터(1000)는 지지 판(1100), 지지 축(1200), 그리고 리프트 핀(1300)을 포함한다. 지지 판(1100)은 기판(W)이 놓이는 안착 면을 가지고, 지지 축(1200)은 지지 판(1100)을 지지한다. 또한, 리프트 핀(1300)은 기판(W)을 위, 그리고 아래 방향으로 이동시켜, 기판(W)을 지지 판(1100)에 로딩 또는 언로딩시킨다.
지지 판(1100)의 상면은, 그 중앙 영역의 높이가 가장자리 영역의 높이보다 낮도록 단차진 형상을 가진다. 이에, 지지 판(1100)에 놓이는 기판(W)이 측 방향으로 슬라이딩 되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같은 서셉터(1000)에 놓인 기판(W)의 후면은 하드웨어적으로 외부에 노출되지 않기 때문에, 기판(W)의 하면으로 플라즈마가 유입되는 것이 거의 불가능하다. 즉, 서셉터(1000)에 놓인 기판(W)은 상면만 플라즈마에 노출되기에, 기판(W)의 하면에 부착된 박막을 제거할 수 없다. 또한, 기판(W)의 하면에 플라즈마가 유입될 수 있도록, 리프트 핀(1300)이 기판(W)을 들어 올리는 방안을 고려할 수 있으나, 물리적으로 지지 판(1100)의 위치가 한정되어 있기 때문에 공정 제어에 한계가 있다. 또한, 기판(W)의 후면 에지에 부착된 박막을 제거하기 위하여 기판(W)의 후면 에지에 부착된 박막을 제거하는 공정을 수행하는 별도의 기판 처리 장치로 기판(W)이 반송되는 방안을 고려할 수 있으나, 이와 같은 기판(W) 처리 방식은, 기판(W) 반송에 추가적인 시간이 소요되어 기판(W) 처리의 생산성을 떨어뜨린다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 가장자리 영역에 부착된 막질을 효과적으로 제거할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 가장자리 영역의 하면에 부착된 막질을 효과적으로 제거할 수 있는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 하나의 기판 처리 장치에서 기판의 상면, 그리고 기판의 가장자리 영역의 하면에 부착된 막질 모두를 제거 가능케하는 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 처리 공간을 가지는 챔버; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및 상기 처리 공간에 전계를 발생시켜, 상기 처리 공간으로 공급되는 공정 가스 또는 처리 유체로부터 플라즈마를 발생시키는 전원 유닛을 포함하고, 상기 지지 유닛은, 상기 기판의 하면을 지지하는 척; 상부에서 바라볼 때 상기 척을 둘러싸도록 제공되는 무빙 플레이트; 및 상기 무빙 플레이트를 상기 척에 대하여 상대적으로 위 또는 아래 방향으로 이동시켜, 상기 척에 지지된 상기 기판의 가장자리 영역의 상기 처리 공간에 대한 노출 면적을 변경하는 승강 부재를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때, 상기 척의 직경은, 상기 척에 놓이는 상기 기판의 직경보다 작을 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 무빙 플레이트는, 상부에서 바라볼 때, 링 형상을 가지고, 내측 상면의 높이가 외측 상면의 높이보다 낮도록 단차진 형상을 가질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 지지 유닛에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역은, 상부에서 바라볼 때, 상기 무빙 플레이트의 내측 상면과 서로 중첩될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 척의 측면에는, 상기 무빙 플레이트에 제공되는 가이드 부재에 삽입되어 상기 무빙 플레이트의 상하 방향 이동을 가이드하는 가이드 부가 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부재는, 'ㄱ' 형상을 가지는 한 쌍의 가이드 컴포넌트의 등 부분이 서로 마주하는 형상을 가질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 가장자리 영역의 하면에 대한 처리 효율을 높이고자 하는 경우, 상기 무빙 플레이트를 아래 방향으로 이동시키도록 상기 승강 부재를 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 승강 부재는, 상기 척을 상하 방향으로 이동시키는 제1승강 부재; 및 상기 무빙 플레이트를 상하 방향으로 이동시키는 제2승강 부재를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 기판이 상기 척에 놓인 이후, 상기 척 및 상기 무빙 플레이트를 위 방향으로 이동시켜 상기 기판과 상기 척의 상부에 배치되는 배플 사이의 간격을 좁히고, 상기 기판의 가장자리 영역의 하면으로 상기 플라즈마가 유입되어 상기 기판의 가장자리 영역의 하면, 그리고 상기 기판의 측면에 부착된 막질을 제거하기 위해 상기 무빙 플레이트를 아래 방향으로 이동시키도록 상기 제1승강 부재, 그리고 제2승강 부재를 제어할 수 있다.
또한, 본 발명은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치가 가지는 지지 유닛을 제공한다. 지지 유닛은, 기판의 하면을 지지하는 척; 상부에서 바라볼 때 상기 척을 둘러싸도록 제공되는 무빙 플레이트; 및 상기 무빙 플레이트를 상기 척에 대하여 상대적으로 위 또는 아래 방향으로 이동시켜, 상기 척에 지지된 상기 기판의 가장자리 영역의 처리 공간에 대한 노출 면적을 변경하는 승강 부재를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때, 상기 척의 직경은, 상기 척에 놓이는 상기 기판의 직경보다 작을 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 무빙 플레이트는, 상부에서 바라볼 때, 링 형상을 가지고, 상기 척에 놓이는 상기 기판의 슬라이딩을 방지할 수 있도록 그 내측 상면의 높이가 외측 상면의 높이보다 낮도록 단차진 형상을 가질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 내측 상면은, 상부에서 바라볼 때, 상기 기판의 가장자리 영역과 서로 중첩되도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 척의 측면에는, 상기 무빙 플레이트에 제공되는 가이드 부재에 삽입되어 상기 무빙 플레이트의 상하 방향 이동을 가이드하는 가이드 부가 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가이드 부재는, 'ㄱ' 형상을 가지는 한 쌍의 가이드 컴포넌트의 등 부분이 서로 마주하는 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 가장자리 영역에 부착된 막질을 효과적으로 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판의 가장자리 영역의 하면에 부착된 막질을 효과적으로 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 하나의 기판 처리 장치에서 기판의 상면, 그리고 기판의 가장자리 영역의 하면에 부착된 막질 모두를 제거 가능케 한다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 제공되는 일반적인 서셉터의 모습을 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 지지 유닛의 단면도이다.
도 4는 도 2의 지지 유닛을 상부에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 2의 지지 유닛에 기판이 안착되는 모습을 보여주는 도면이다.
도 6은 도 2의 지지 유닛에 지지된 기판의 상면을 플라즈마를 이용하여 처리하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 2의 지지 유닛에 지지된 기판의 가장자리 영역의 하면을 플라즈마를 이용하여 처리하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 지지 유닛을 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로 사용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미이다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미인 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하에서는 도 2 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.
우선, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)가 처리하는 기판(W)은 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)가 처리하는 기판(W)에는 하드 마스크(Hardmask)가 형성되어 있을 수 있다. 예컨대, 기판 처리 장치(10)는 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크를 제거하는, 하드 마스크 스트립 공정을 수행할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(10)에 반입되는 기판(W)은 CVD 등과 같은 증착 공정이 수행된 기판(W)일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(10)는 챔버(100), 지지 유닛(200), 배플(300), 유체 공급 유닛(400), 가스 공급 유닛(500), 배기 유닛(600), 전원 유닛(700), 그리고 제어기(800)를 포함할 수 있다.
챔버(100)는 처리 공간(102)을 가질 수 있다. 챔버(100)는 접지될 수 있다. 챔버(100)가 가지는 처리 공간(102)은 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크를 제거하는 박막 제거 공정이 수행되는 공간일 수 있다. 챔버(100)의 일 측에는 기판(W)이 처리 공간(102)으로 반입 또는 기판(W)이 처리 공간(102)으로부터 반출되는 반입구(미도시)가 형성될 수 있다. 반입구는 도어(미도시)에 의해 선택적으로 개폐될 수 있다. 또한, 챔버(100)의 바닥면에는 후술하는 배기 유닛(600)과 연결되는 배기 홀(104)이 형성될 수 있다.
또한, 챔버(100)에는 냉각 부재(110)가 제공될 수 있다. 냉각 부재(110)는 챔버(100)의 온도를 조절할 수 있다. 냉각 부재(110)는 처리 공간(102)의 온도를 조절할 수 있다. 냉각 부재(110)는 냉각 유체를 공급하는 냉각 유체 공급원과 연결된 유로일 수 있다. 냉각 부재(110)에 공급되는 냉각 유체는, 냉각 수이거나 냉각 가스일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 냉각 부재(110)는 챔버(100)에 냉열을 전달할 수 있는 공지된 기재로 다양하게 변형될 수 있다.
지지 유닛(200)은 처리 공간(102)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(200)은 기판(W) 상에 형성된 하드 마스크가 플라즈마(P)에 의해 제거되는 동안 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(200)은 지지된 기판(W)의 온도를 조절할 수 있다. 예컨대, 지지 유닛(200)은 지지된 기판(W)을 가열하여 플라즈마(P)에 의한 처리 효율(예컨대, 스트립 레이트)을 보다 높일 수 있다. 또한, 지지 유닛(200)은 기판(W)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 예컨대, 지지 유닛(200)은 기판(W)을 위 방향 또는 아래 방향으로 이동시켜, 기판(W)의 상면과 후술하는 배플(300) 사이의 간격을 조절할 수 있다. 또한, 지지 유닛(200)은 접지될 수 있다. 지지 유닛(200)의 상세한 설명은 후술한다.
배플(300)은 처리 공간(102)으로 공정 가스 및/또는 처리 유체를 공급할 수 있다. 배플(300)은 내부 공간(302)을 가지는 통 형상으로 제공될 수 있다. 또한, 배플(300)의 하면에는 공정 가스 및/또는 처리 유체가 흐르는 분사 홀(304)이 형성될 수 있다. 배플(300)의 상부에는 후술하는 유체 공급 라인(440), 그리고 가스 공급 라인(530)이 연결되는 주입 포트가 형성될 수 있다. 유체 공급 라인(440)이 공급하는 처리 유체, 그리고 가스 공급 라인(530)이 공급하는 공정 가스는 주입 포트를 통해 내부 공간(302)으로 유입될 수 있다. 내부 공간(302)으로 유입된 공정 가스 및/또는 처리 유체는 분사 홀(304)을 통해 처리 공간(102)으로 유입될 수 있다. 또한, 배플(300)의 하면은 가장자리 영역의 하면이 중앙 영역의 하면보다 낮은 단차진 형상을 가질 수 있다. 이에, 배플(300)은 챔버(100)의 상부에 형성된 개구에 삽입되어 설치될 수 있다. 또한, 배플(300)은 접지될 수 있다.
유체 공급 유닛(400)은 처리 공간(102)으로 처리 유체를 공급할 수 있다. 유체 공급 유닛(400)이 공급하는 처리 유체는 물(H20) 또는 알코올 등을 포함할 수 있다. 알코올은 메탄올(MeOH, 제1알코올의 일 예), 또는 에탄올(EtOH, 제2알코올의 일 예)일 수 있다. 또한, 유체 공급 유닛(400)은 처리 유체 공급원(410), 기화기(420, Vaporizer), 유량 조절 부재(430), 그리고 유체 공급 라인(440)을 포함할 수 있다.
처리 유체 공급원(410)은 기화기(420)로 물(H2O)을 포함하는 처리 유체를 기화기(420)로 전달할 수 있다. 또한, 처리 유체 공급원(410)은 액상의 처리 유체를 기화기(420)로 전달할 수 있다. 기화기(420)에서는 전달 받은 처리 유체를 고온으로 가열하는 등의 방식으로 처리 유체를 기화된 상태로 변화시킬 수 있다. 기화기(420)에서 기화된 상태로 변화된 고온의 처리 유체는 배플(300)과 연결되는 유체 공급 라인(440)을 통해 배플(300)로 전달될 수 있다. 또한, 배플(300)로 전달된 처리 유체는 분사 홀(304)을 통해 처리 공간(102)으로 주입될 수 있다. 또한, 유량 조절 부재(430)는 배플(300)로 전달되는 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량을 변경할 수 있다. 유량 조절 부재(430)는 레귤레이터(Regulator)이거나, 유량 조절 밸브 일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 유량 조절 부재(430)는 처리 유체의 단위 시간당 공급 유량을 변경할 수 있는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다.
가스 공급 유닛(500)은 처리 공간(102)으로 공정 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 유닛(500)이 처리 공간(102)으로 공급하는 공정 가스는, N2, Ar, H2, O2, O* 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
가스 공급 유닛(500)은 가스 공급원(510), 유량 제어 부재(520), 그리고 가스 공급 라인(530)을 포함할 수 있다.
가스 공급원(510)은 가스 공급 라인(530)을 통해 배플(300)로 공정 가스를 공급할 수 있다. 배플(300)로 공급된 공정 가스는 분사 홀(304)을 통해 처리 공간(102)으로 공급될 수 있다. 가스 공급원(510)은 제1가스 공급원(511), 제2가스 공급원(512), 그리고 제3가스 공급원(513)을 포함할 수 있다. 제1가스 공급원(511)은 질소(N2) 가스를 공급할 수 있다. 제2가스 공급원(512)은 아르곤(Ar) 가스를 공급할 수 있다. 제3가스 공급원(513)은 수소(H2) 가스를 공급할 수 있다. 또한, 가스 공급원(510)이 공급하는 공정 가스의 단위 시간당 공급 유량은 유량 제어 부재(520)에 의해 조절될 수 있다. 예컨대, 유량 제어 부재(520)는 제1유량 제어 부재(521), 제2유량 제어 부재(522), 그리고 제3유량 제어 부재(523)를 포함할 수 있다. 또한, 제1가스 공급원(511)이 공급하는 공정 가스의 단위 시간당 공급 유량은 가스 공급 라인(530)에 설치되는 제1유량 제어 부재(521)에 의해 조절될 수 있다. 또한, 제2가스 공급원(512)이 공급하는 공정 가스의 단위 시간당 공급 유량은 가스 공급 라인(530)에 설치되는 제2유량 제어 부재(522)에 의해 조절될 수 있다. 또한, 제3가스 공급원(513)이 공급하는 공정 가스의 단위 시간당 공급 유량은 가스 공급 라인(530)에 설치되는 제3유량 제어 부재(523)에 의해 조절될 수 있다. 유량 제어 부재(520)는 레귤레이터이거나, 유량 조절 밸브일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 유량 제어 부재(520)는 공정 가스의 단위 시간당 공급 유량을 조절하는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다.
배기 유닛(600)은 처리 공간(102)을 배기할 수 있다. 배기 유닛(600)은 기판(W)이 처리되기 전, 기판(W)이 처리되고 난 후, 기판(W)이 처리되는 동안 중 적어도 하나 이상의 시기에 처리 공간(102)을 배기할 수 있다. 배기 유닛(600)은 처리 공간(102)을 배기하여, 처리 공간(102)으로 공급된 공정 가스, 처리 유체, 기판(W)을 처리하는 과정에서 발생될 수 있는 부산물(또는 불순물)을 처리 공간(102)의 외부로 배출할 수 있다. 배기 유닛(600)은 배기 홀(104)과 연결되는 배기 라인(602), 그리고 배기 라인(602)에 감압을 제공하는 배기 부재(604)를 포함할 수 있다. 배기 부재(604)는 펌프일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 배기 부재(604)는 처리 공간(102)에 감압을 제공하여 처리 공간(102)을 배기하는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다.
전원 유닛(700)은 처리 공간(102)에 전계를 발생시킬 수 있다. 전원 유닛(700)은 처리 공간(102)에 전계를 발생시켜, 처리 공간(102)으로 공급되는 공정 가스 또는 처리 유체로부터 플라즈마를 발생시킬 수 있다. 전원 유닛(700)은 고주파 전원(702), 그리고 정합기(704)를 포함할 수 있다. 고주파 전원(702)은 RF 전원일 수 있다. 정합기(704)는 고주파 전원(702)에 대한 정합을 수행할 수 있다.
제어기(800)는 기판 처리 장치(10)를 제어할 수 있다. 제어기(800)는 기판 처리 장치(10)가 기판(W) 상의 박막을 제거하는 박막 제거 공정(예컨대, 하드 마스크 스트립 공정)을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(10)를 제어할 수 있다. 또한, 제어기(800)는 기판 처리 장치(10)의 제어를 실행하는 마이크로프로세서(컴퓨터)로 이루어지는 프로세스 컨트롤러와, 오퍼레이터가 기판 처리 장치(10)를 관리하기 위해서 커맨드 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 기판 처리 장치(10)의 가동 상황을 가시화해서 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 유저 인터페이스와, 기판 처리 장치(10)에서 실행되는 처리를 프로세스 컨트롤러의 제어로 실행하기 위한 제어 프로그램이나, 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 각 구성부에 처리를 실행시키기 위한 프로그램, 즉 처리 레시피가 저장된 기억부를 구비할 수 있다. 또한, 유저 인터페이스 및 기억부는 프로세스 컨트롤러에 접속되어 있을 수 있다. 처리 레시피는 기억 부 중 기억 매체에 기억되어 있을 수 있고, 기억 매체는, 하드 디스크이어도 되고, CD-ROM, DVD 등의 가반성 디스크나, 플래시 메모리 등의 반도체 메모리 일 수도 있다.
도 3은 도 2의 지지 유닛의 단면도이고, 도 4는 도 2의 지지 유닛을 상부에서 바라본 도면이다. 도 3, 그리고 도 4를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 지지 유닛(200)은 척(210), 가열 부재(220), 리프트 핀(230), 무빙 플레이트(240), 가이드 부재(250), 승강 플레이트(260), 그리고 승강 부재(270)를 포함할 수 있다.
척(210)의 상부에는 기판(W)이 놓일 수 있다. 예컨대, 척(210)은 기판(W)이 놓이는 안착 면을 가질 수 있다. 척(210)은 기판(W)의 하면을 지지할 수 있다. 척(210)은 지지 플레이트(212), 그리고 승강 샤프트(214)를 포함할 수 있다. 지지 플레이트(212)는 기판(W)의 하면을 지지할 수 있다. 승강 샤프트(214)는 지지 플레이트(212)의 아래에 배치되어, 지지 플레이트(212)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 예컨대, 승강 샤프트(214)는 후술하는 제1승강 부재(271)가 발생시키는 구동력에 의해 상하 방향으로 이동될 수 있다. 승강 샤프트(214)가 상하 방향으로 이동되면, 지지 플레이트(212)로 상하 방향으로 이동될 수 있다. 또한, 지지 플레이트(212)는 접지될 수 있다. 예컨대, 지지 플레이트(212) 내에는 전극이 제공되고, 지지 플레이트(212) 내에 제공되는 전극은 승강 샤프트 내에 제공되는 접지 로드와 연결될 수 있다.
또한, 상부에서 바라볼 때, 척(210)의 직경은 척(210)에 놓이는 기판(W)의 직경보다 작을 수 있다. 예컨대, 지지 플레이트(212)의 직경은 지지 플레이트(212)에 놓이는 기판(W)의 직경보다 작을 수 있다. 이에, 지지 플레이트(212)에 기판(W)이 놓이면, 기판(W)의 가장자리 영역은 지지 플레이트(212)의 외측으로 돌출될 수 있다.
또한, 척(210)은 메탈, 또는 세라믹을 포함하는 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 척(210)의 지지 플레이트(212)는 메탈, 또는 세라믹을 포함하는 소재로 제공될 수 있다.
또한, 척(210)의 측면에는 후술하는 가이드 부재(250)에 삽입되어, 후술하는 무빙 플레이트(240)의 상하 방향 이동을 가이드하는 가이드 부(213)가 형성될 수 있다. 가이드 부(213)는 후술하는 가이드 부재(250)와 대응하는 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 가이드 부(213)는 후술하는 가이드 컴포넌트(251, 252)들이 삽입되는 홈 부, 그리고 가이드 컴포넌트(251, 252)들 사이 공간으로 삽입되는 돌출 부를 포함할 수 있다.
척(210)에는 가열 부재(220)가 제공될 수 있다. 예컨대, 가열 부재(220)는 척(210)의 지지 플레이트(212) 내에 제공될 수 있다. 가열 부재(220)는 지지 유닛(200)에 지지되는 기판(W)을 가열할 수 있다. 예컨대, 가열 부재(220)는 지지 유닛(200)에 지지되는 기판(W)으로 냉열 또는 온열을 전달하여 기판(W)의 온도를 조절할 수 있다. 또한, 가열 부재(220)는 가열 부재(220)로 전력을 인가하는 가열 전원(미도시)과 연결될 수 있다. 또한, 가열 부재(220)는 히터일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 가열 부재(220)는 기판(W)의 온도를 조절할 수 있는 공지된 장치로 다양하게 변형될 수 있다.
리프트 핀(230)은 기판(W)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 리프트 핀(230)은 적어도 하나 이상이 제공될 수 있다. 예컨대, 리프트 핀(230)은 복수 개로 제공될 수 있다. 리프트 핀(230)은 지지 플레이트(212)에 형성된 리프트 핀 홀을 따라 상하 방향으로 이동될 수 있다. 리프트 핀(230)은 상하 방향으로 이동되어, 기판(W)을 지지 플레이트(212)에 로딩(Loading)시키거나, 기판(W)을 지지 플레이트(212)로부터 언로딩(Unloading) 시킬 수 있다.
무빙 플레이트(240)는 상부에서 바라볼 때, 척(210)을 둘러싸도록 제공될 수 있다. 무빙 플레이트(240)는 후술하는 제2승강 부재(272)에 의해 상하 방향으로 이동 가능할 수 있다. 무빙 플레이트(240)는 링 형상을 가질 수 있다. 무빙 플레이트(240)의 상면은, 내측 상면(240a), 그리고 외측 상면(240b)을 포함할 수 있다. 내측 상면(240a)의 높이는 외측 상면(240b)의 높이보다 낮을 수 있다. 즉, 무빙 플레이트(240)의 상면은 단차진 형상을 가질 수 있다. 이에, 무빙 플레이트(240)는 기판(W)이 지지 플레이트(212)에 놓이면, 기판(W)이 측 방향으로 슬라이딩 되는 것을 방지하는 슬라이딩 배리어(Sliding Barrier)로써 역할을 수행할 수 있다. 또한, 지지 유닛(200)에 놓인 기판(W)의 가장자리 영역은, 상부에서 바라볼 때, 무빙 플레이트(240)의 내측 상면(240a)과 서로 중첩될 수 있다.
또한, 무빙 플레이트(240)는 상술한 척(210), 예컨대 지지 플레이트(212)와 동일 또는 유사한 소재로 제공될 수 있다. 예컨대, 무빙 플레이트(240)는 메탈, 또는 세라믹을 포함하는 소재로 제공될 수 있다. 또한, 무빙 플레이트(240)는 상술한 척(210), 예컨대 지지 플레이트(212)와 상이한 소재로 제공될 수도 있다. 예컨대, 지지 플레이트(212)가 메탈을 포함하는 소재로 제공되는 경우, 무빙 플레이트(240)는 세라믹을 포함하는 소재로 제공될 수 있다. 또한, 지지 플레이트(212)가 세라믹을 포함하는 소재로 제공되는 경우, 무빙 플레이트(240)는 메탈을 포함하는 소재로 제공될 수 있다.
가이드 부재(250)는 무빙 플레이트(240)가 상하 방향으로 이동되는 경우, 무빙 플레이트(240)의 상하 방향 이동을 가이드 할 수 있다. 예컨대, 가이드 부재(250)는 상술한 지지 플레이트(212)의 가이드 부(213)에 삽입되어 무빙 플레이트(240)의 상하 방향 이동을 가이드 할 수 있다. 가이드 부재(250)는 상부에서 바라볼 때, 무빙 플레이트(240)의 내측 면에 제공될 수 있다. 예컨대, 가이드 부재(250)는 지지 플레이트(212)의 측면에 대응하는 무빙 플레이트(240)의 내측 면에 제공될 수 있다. 가이드 부재(250)는 적어도 하나 이상이 무빙 플레이트(240)에 제공될 수 있다. 예컨대, 가이드 부재(250)는 복수 개가 무빙 플레이트(240)에 제공될 수 있다. 예컨대, 가이드 부재(250)는 2 개가 무빙 플레이트(240)에 제공될 수 있다. 복수 개의 가이드 부재(250)가 제공되는 경우, 무빙 플레이트(240)의 상하 방향 운동을 제외한, 나머지 운동에 대한 자유도를 구속하여 무빙 플레이트(240)의 상하 방향 운동을 적절히 가이드 할 수 있다.
가이드 부재(250)는 한 쌍의 가이드 컴포넌트(251, 252)들로 구성될 수 있다. 예컨대, 제1가이드 컴포넌트(251), 그리고 제2가이드 컴포넌트(252)는 각각 'ㄱ' 형상을 가질 수 있다. 그리고, 제1가이드 컴포넌트(251), 그리고 제2가이드 컴포넌트(252)는 그 등 부분이 서로 마주할 수 있다. 제1가이드 컴포넌트(251), 그리고 제2가이드 컴포넌트(252)는 서로 이격될 수 있다. 제1가이드 컴포넌트(251)와 제2가이드 컴포넌트(252)의 사이 공간에는 상술한 가이드 부(213)의 돌출 부가 삽입될 수 있고, 제1가이드 컴포넌트(251)와 제2가이드 컴포넌트(252)는 상술한 가이드 부(213)의 홈 부에 삽입될 수 있다.
승강 플레이트(260)는 무빙 플레이트(250)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 승강 플레이트(260)는 후술하는 제2승강 부재(272)에 의해 상하 방향으로 이동될 수 있다. 승강 플레이트(260)는 무빙 플레이트(240)의 하면에 결합될 수 있다. 이에, 제2승강 부재(272)가 승강 플레이트(260)를 상하 방향으로 이동시키면, 무빙 플레이트(250)는 상하 방향으로 이동될 수 있다. 승강 플레이트(260)는 상부가 개방된 통 형상을 가질 수 있다. 또한, 상부에서 바라볼 때, 승강 플레이트(260)의 중심 영역에는 승강 샤프트(214)가 삽입될 수 있는 개구가 형성될 수 있다. 승강 플레이트(260)는 무빙 플레이트(240)를 이동시키는 제2승강 부재(272)가 하나만 제공되더라도, 무빙 플레이트(240)에 처짐 현상 또는 기울어짐 현상 등이 발생되는 것을 최소화 할 수 있다.
승강 부재(270)는 무빙 플레이트(240)를 척(210)에 대하여 상대적으로 위 또는 아래 방향으로 이동시킬 수 있다. 승강 부재(270)는 무빙 플레이트(240)를 이동시켜, 척(210)에 지지된 기판(W)의 가장자리 영역의 처리 공간(102)에 대한 노출 면적을 변경할 수 있다. 또한, 승강 부재(270)는 무빙 플레이트(240)를 척(210)에 대하여 상대적으로 이동시켜, 기판(W)의 가장자리 영역 하부에 플라즈마(P)가 유입될 수 있는 유입 공간의 체적을 변경할 수 있다.
승강 부재(270)는 제1승강 부재(271), 그리고 제2승강 부재(272)를 포함할 수 있다. 제1승강 부재(271)는 척(210)의 승강 샤프트(214)와 연결되어, 척(210), 예컨대, 지지 플레이트(212)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 제2승강 부재(272)는 승강 플레이트(260)와 연결되어, 무빙 플레이트(240)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 승강 부재(270)는 모터, 그리고 모터에 결합되는 이동 축을 포함할 수 있고, 승강 부재(270)가 포함하는 모터는 처리 공간(102)의 외부에 배치될 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 기판 처리 장치(10)가 수행하도록, 제어기(800)는 기판 처리 장치(10)가 가지는 구성들을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(800)는 기판 처리 장치(10)가 후술하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록, 기판 처리 장치(10)가 가지는 제1승강 부재(271), 제2승강 부재(272), 가스 공급 유닛(500), 유체 공급 유닛(400), 전원 유닛(700), 그리고 배기 유닛(600) 중 적어도 어느 하나를 제어할 수 있다.
우선, 처리 공간(102)으로 기판(W)이 반입되면, 지지 유닛(200)의 리프트 핀(230)들은 위 방향으로 이동되어 처리 공간(102)에 반입된 기판(W)의 하면을 지지할 수 있다. 리프트 핀(230)들에 기판(W)이 놓이면, 리프트 핀(230)은 아래 방향으로 이동되어, 기판(W)을 지지 플레이트(212)의 상면에 안착시킬 수 있다(도 5 참조).
이후, 제어기(800)는 제1승강 부재(271), 그리고 제2승강 부재(272)를 제어하여 척(210), 그리고 무빙 플레이트(240)를 모두 위 방향으로 이동시킬 수 있다. 이에, 지지 유닛(200)에 놓인 기판(W)의 상면과 배플(300)의 하면 사이의 간격(G)은 좁아질 수 있다(도 6 참조). 이후, 처리 공간(102)으로는 가스 공급 유닛(500), 또는 유체 공급 유닛(400)이 공정 가스 또는 처리 유체를 공급할 수 있다. 공정 가스 또는 처리 유체는 전원 유닛(700)이 발생시키는 전계에 의해 플라즈마(P) 상태로 여기될 수 있다. 이에, 기판(W)의 상면에 제공되는 막질(예컨대, 기판(W)의 상부에 형성되는 하드 마스크)는 플라즈마(P)에 의해 제거될 수 있다.
기판(W)의 상면에 제공되는 막질이 제거된 이후, 제2승강 부재(272)는 무빙 플레이트(240)를 아래 방향으로 이동시킬 수 있다(도 7 참조). 무빙 플레이트(240)가 아래 방향으로 이동되면, 기판(W)의 하면과 무빙 플레이트(240)의 내측 상면(240a)은 서로 이격될 수 있다. 이에, 기판(W)의 하면과 무빙 플레이트(240)의 사이 공간으로 플라즈마(P)가 유입될 수 있다. 기판(W)의 하면으로 플라즈마(P)가 유입되면, 기판(W)의 가장자리 영역의 하면, 그리고 기판(W)의 측면에 부착된 막질은 플라즈마(P)와 반응하여 제거될 수 있다.
이때, 척(210)이 아닌 무빙 플레이트(240)가 아래 방향으로 이동되면, 기판(W)은 척(210)에 지지된 상태로 기판(W)의 가장자리 영역의 하면이 처리 공간(102)에 노출된다. 즉, 기판(W)의 높이는 그대로 유지된다. 다시 말해, 기판(W)과 배플(300) 사이의 간격은 그대로 유지된다. 기판(W)의 가장자리 영역의 하면을 처리 공간(102)에 노출시키기 위해 척(210)을 위 방향으로 이동시키면, 기판(W)과 배플(300) 사이의 간격이 변경되면서, 기판(W) 상의 막질 제거 효율에 영향을 미치는 또 다른 인자가 변경되는 것인데, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 무빙 플레이트(240)를 아래 방향으로 이동시키면서, 기판(W) 상의 막질 제거 효율에 영향을 미치는 또 다른 인자가 변경되는 것을 최소화 할 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 척(210)이 위 방향으로 이동되어 기판(W)의 가장자리 영역의 하면을 처리 공간(102)에 노출시키는 것도 가능하다.
일반적인 기판 처리 장치에서는 하드웨어 적으로 서셉터(1000)에 놓인 기판(W)의 하면으로 플라즈마(P)의 유입이 거의 불가능하여, 기판(W)의 가장자리 영역의 하면에 부착된 막질을 제거하는 것이 매우 어려웠다. 기판(W)의 하면에 부착된 막질을 제거하기 위해 리프트 핀(1300)을 이용하여 기판(W)을 지지 판(1100)으로부터 이격시켜, 기판(W)의 하면으로 플라즈마(P)를 유입시키는 방안을 고려할 수 있으나, 이 경우 플라즈마(P)가 기판(W) 상의 막질을 제거하면서 발생되는 공정 부산물이 기판(W)의 하면, 그리고 지지 판(1100)의 상면에 재 부착될 우려가 있다. 또한, 기판(W)과 지지 판(1100) 사이의 간격은 리프트 핀(1300)의 핀업 높이로 한정되어 기판(W)의 하면에 부착된 막질 제거를 제어하는데 한계가 있다.
그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 무빙 플레이트(240)를 상하 방향으로 이동시켜, 기판(W)의 가장자리 영역의 하면만을 처리 공간(102)에 노출시킴으로써, 기판(W)의 가장자리 영역 하면에 부착된 막질을 효과적으로 제거할 수 있다. 또한, 플라즈마(P)에 의해 기판(W)이 처리되면서 발생되는 공정 부산물이 기판(W)의 하면, 또는 지지 플레이트(212)의 상면에 재 부착되는 문제 또한 해소할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 지지 플레이트(212)와 무빙 플레이트(240) 모두가 상하 방향으로 이동될 수 있다. 이에, 기판(W)의 하면과 무빙 플레이트(240)의 상면 사이의 간격은 지지 플레이트(212)의 이동 범위 뿐 아니라, 무빙 플레이트(240)의 이동 범위에 의해 결정될 수 있다. 즉, 기판(W)의 가장자리 영역 하면과, 무빙 플레이트(240) 상면 사이의 간격은 보다 넓은 범위에서 제어될 수 있으며, 기판(W)의 하면과 무빙 플레이트(240) 상면 사이의 간격을 적절히 조절하여 기판(W)의 가장자리 영역의 하면에 부착된 막질을 고선택비로 제거할 수 있다.
상술한 예에서는, 무빙 플레이트(240)가 승강 플레이트(260)를 매개로 제2승강 부재(272)에 의해 상하 방향으로 이동되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 무빙 플레이트(240)는 상술한 제2승강 부재(272)와 대체로 동일/유사한 구조를 가지는 제3승강 부재(273)와 직접적으로 연결되어 제3승강 부재(273)에 의해 상하 방향으로 이동될 수 있다. 또한, 제3승강 부재(273)는 복수 개로 제공될 수 있다.
상술한 예에서는, 승강 부재(270)가 모터를 포함하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 승강 부재(270)는 척(210) 또는 무빙 플레이트(240)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있는 공지된 장치(예컨대, 공압/유압 실린더 등)로 다양하게 변형될 수 있다.
상술한 예에서는, 가열 부재(220)가 지지 플레이트(212)에 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 가열 부재(220)는 무빙 플레이트(240)에 제공될 수도 있다. 또한, 가열 부재(220)는 무빙 플레이트(240), 그리고 지지 플레이트(212)에 제공될 수도 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
서셉터 : 1000
지지 판 : 1100
지지 축 : 1200
리프트 핀 : 1300
기판 : W
챔버 : 100
처리 공간 : 102
지지 유닛 : 200
척 : 210
지지 플레이트 : 212
가이드 부 : 213
승강 샤프트 : 214
가열 부재 : 220
리프트 핀 : 230
무빙 플레이트 : 240
가이드 부재 : 250
제1가이드 컴포넌트 : 251
제2가이드 컴포넌트 : 252
승강 플레이트 : 260
승강 부재 : 270
제1승강 부재 : 271
제2승강 부재 : 272
제2가이드 컴포넌트 : 252
배플 : 300
유체 공급 유닛 : 400
가스 공급 유닛 : 500
배기 유닛 : 600
전원 유닛 : 700
제어기 : 800

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    처리 공간을 가지는 챔버;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
    상기 처리 공간에 전계를 발생시켜, 상기 처리 공간으로 공급되는 공정 가스 또는 처리 유체로부터 플라즈마를 발생시키는 전원 유닛을 포함하고,
    상기 지지 유닛은,
    상기 기판의 하면을 지지하는 척;
    상부에서 바라볼 때 상기 척을 둘러싸도록 제공되는 무빙 플레이트; 및
    상기 무빙 플레이트를 상기 척에 대하여 상대적으로 위 또는 아래 방향으로 이동시켜, 상기 척에 지지된 상기 기판의 가장자리 영역의 상기 처리 공간에 대한 노출 면적을 변경하는 승강 부재를 포함하되,
    상기 척의 측면에는,
    상기 무빙 플레이트에 제공되는 가이드 부재에 삽입되어 상기 무빙 플레이트의 상하 방향 이동을 가이드하는 가이드 부가 형성되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때, 상기 척의 직경은,
    상기 척에 놓이는 상기 기판의 직경보다 작은 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 무빙 플레이트는,
    상부에서 바라볼 때, 링 형상을 가지고,
    내측 상면의 높이가 외측 상면의 높이보다 낮도록 단차진 형상을 가지는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 지지 유닛에 놓인 상기 기판의 가장자리 영역은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 무빙 플레이트의 내측 상면과 서로 중첩되는 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가이드 부재는,
    'ㄱ' 형상을 가지는 한 쌍의 가이드 컴포넌트의 등 부분이 서로 마주하는 형상을 가지는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는,
    제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 지지 유닛에 지지된 상기 기판의 가장자리 영역의 하면에 대한 처리 효율을 높이고자 하는 경우, 상기 무빙 플레이트를 아래 방향으로 이동시키도록 상기 승강 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 승강 부재는,
    상기 척을 상하 방향으로 이동시키는 제1승강 부재; 및
    상기 무빙 플레이트를 상하 방향으로 이동시키는 제2승강 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 기판이 상기 척에 놓인 이후, 상기 척 및 상기 무빙 플레이트를 위 방향으로 이동시켜 상기 기판과 상기 척의 상부에 배치되는 배플 사이의 간격을 좁히고,
    상기 기판의 가장자리 영역의 하면으로 상기 플라즈마가 유입되어 상기 기판의 가장자리 영역의 하면, 그리고 상기 기판의 측면에 부착된 막질을 제거하기 위해 상기 무빙 플레이트를 아래 방향으로 이동시키도록 상기 제1승강 부재, 그리고 제2승강 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  10. 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치가 가지는 지지 유닛에 있어서,
    기판의 하면을 지지하는 척;
    상부에서 바라볼 때 상기 척을 둘러싸도록 제공되는 무빙 플레이트; 및
    상기 무빙 플레이트를 상기 척에 대하여 상대적으로 위 또는 아래 방향으로 이동시켜, 상기 척에 지지된 상기 기판의 가장자리 영역의 처리 공간에 대한 노출 면적을 변경하는 승강 부재를 포함하되,
    상기 척의 측면에는,
    상기 무빙 플레이트에 제공되는 가이드 부재에 삽입되어 상기 무빙 플레이트의 상하 방향 이동을 가이드하는 가이드 부가 형성되는 지지 유닛.
  11. 제10항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때, 상기 척의 직경은,
    상기 척에 놓이는 상기 기판의 직경보다 작은 지지 유닛.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 무빙 플레이트는,
    상부에서 바라볼 때, 링 형상을 가지고,
    상기 척에 놓이는 상기 기판의 슬라이딩을 방지할 수 있도록 그 내측 상면의 높이가 외측 상면의 높이보다 낮도록 단차진 형상을 가지는 지지 유닛.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 내측 상면은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 기판의 가장자리 영역과 서로 중첩되도록 제공되는 지지 유닛.
  14. 삭제
  15. 제10항에 있어서,
    상기 가이드 부재는,
    'ㄱ' 형상을 가지는 한 쌍의 가이드 컴포넌트의 등 부분이 서로 마주하는 형상을 가지는 지지 유닛.
  16. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 처리 공간에서 상기 척으로 기판의 하면을 지지하고, 상기 처리 공간에 전계를 발생시켜 상기 처리 공간으로 공급되는 공정 가스 또는 처리 유체로부터 플라즈마를 발생시켜 상기 기판을 처리하되,
    상기 플라즈마로 상기 기판을 처리하는 도중에 상기 무빙 플레이트를 상하 방향으로 이동시켜 상기 기판의 가장자리 영역 하면과 상기 무빙 플레이트 상면 사이의 간격을 조절하는 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 플라즈마로 상기 기판의 상면에 제공되는 막질을 제거한 이후, 상기 무빙 플레이트를 아래 방향으로 이동시켜 상기 기판의 하면과 상기 무빙 플레이트의 상면 사이를 서로 이격시켜 상기 플라즈마로 상기 기판의 가장자리 하면에 부착된 막질을 제거하는 기판 처리 방법.
  18. 제16항 또는 제17항에 있어서,
    상기 무빙 플레이트의 상면은 내측 상면 및 외측 상면을 가지고,
    상기 내측 상면의 높이는 상기 외측 상면의 높이보다 낮게 제공되고,
    상기 간격은 상기 기판의 하면과 상기 무빙 플레이트의 내측 상면 사이의 간격인 기판 처리 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때 상기 내측 상면은 상기 기판의 가장자리 영역과 서로 중첩되도록 제공되는 기판 처리 방법.
  20. 제16항 또는 제17항에 있어서,
    상기 기판의 상면에 제공되는 막질은 하드 마스크인 기판 처리 방법.
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