JP5665692B2 - 半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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Description
を含む皮膜を作製する工程と、前記皮膜上に、構造式(1)で表されるII族錯体を含む半導体層形成用液を被着する工程と、該皮膜を加熱して、II−B族元素がドープされたI−III−VI族化合物を含む半導体層を作製する工程とを具備する。
錯体を含む半導体層形成用液を被着する工程と、前記皮膜を加熱して、前記電極とは反対側の表面部にII−B族元素がドープされたI−III−VI族化合物を含む半導体層を作製す
る工程とを具備する。
図1は、本発明の実施形態に係る半導体層の製造方法を用いて作製した光電変換装置の一例を示す斜視図であり、図2はその断面図である。光電変換装置11は、基板1と、第1の電極層2と、I−III−VI族化合物を含む半導体層である第1の半導体層3と、第2の半導体層4と、第2の電極層5とを具備している。なお、これに限定されず、第2の半導体層4がI−III−VI族化合物を含む半導体層であってもよい。
このような第1の半導体層3は、例えば、以下のような方法で作製される。まず、本体部3aと成る第1の皮膜が原料溶液を用いて形成される。
成る単一源錯体を含んだものが用いられてもよい。単一源錯体の例としては、構造式(3)に示されるような化合物が挙げられる(単一源錯体の例としては、例えば、米国特許第6992202号明細書を参照できる)。
いう)を用いて形成される。
0℃の温度で熱処理されることによって、第2の皮膜中の有機成分が熱分解されてもよい。
上記第1の半導体層3は、以下のような第2の方法で作製されてもよい。まず、上記第1の方法と同様にして、原料溶液を用いて、第1の皮膜が形成される。次に、この第1の皮膜上に、II−B族錯体が主に含まれる半導体層形成用液(以下、第2の方法で用いられる半導体層形成用液を第2の半導体層形成用液という)が被着される。ここで第2の半導体層形成用液は、第1の半導体層形成用液と異なり、I−B族元素およびIII−B族元素を含んでいなくてもよい。つまり、第2の半導体層形成用液が第1の皮膜上に被着されることにより、II−B族錯体が第1の皮膜のI−B族元素およびIII−B族元素と接近した状態となる。
2:第1の電極層
3:第1の半導体層
4:第2の半導体層
5:第2の電極層
10:光電変換セル
11:光電変換装置
Claims (2)
- I−B族元素およびIII−B族元素を含む皮膜を作製する工程と、
該皮膜上に、構造式(1)で表されるII族錯体を含む半導体層形成用液を被着する工程と、
前記皮膜を加熱して、II−B族元素がドープされたI−III−VI族化合物を含む半導体層
を作製する工程と
を具備することを特徴とする半導体層の製造方法。
。) - 電極上にI−B族元素およびIII−B族元素を含む皮膜を作製する工程と、
該皮膜上に、構造式(1)で表されるII族錯体を含む半導体層形成用液を被着する工程と、
前記皮膜を加熱して、前記電極とは反対側の表面部にII−B族元素がドープされたI−III−VI族化合物を含む半導体層を作製する工程と
を具備することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
。)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011181443A JP5665692B2 (ja) | 2011-08-23 | 2011-08-23 | 半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法 |
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JP2013045831A JP2013045831A (ja) | 2013-03-04 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP5665692B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11322500A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-24 | Asahi Chem Ind Co Ltd | p型半導体、p型半導体の製造方法、半導体装置 |
JP2000150932A (ja) * | 1998-11-11 | 2000-05-30 | Fujikura Ltd | 太陽電池の製造方法 |
JP2003179237A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体薄膜の製造方法および太陽電池 |
JP2005228974A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池とその製造方法 |
AT503838B1 (de) * | 2006-06-22 | 2008-11-15 | Isovolta | Verfahren zum herstellen einer anorganische halbleiterpartikel enthaltenden schicht sowie bauelemente umfassend diese schicht |
KR101724648B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2017-04-07 | 나노코 테크놀로지스 리미티드 | 나노입자 물질의 조제 |
JP2013501128A (ja) * | 2009-08-04 | 2013-01-10 | プリカーサー エナジェティクス, インコーポレイテッド | Cisおよびcigs光起電性装置のためのポリマー前駆体 |
CN102652367B (zh) * | 2010-01-29 | 2015-01-28 | 京瓷株式会社 | 半导体层的制造方法,光电转换装置的制造方法及半导体层形成用溶液 |
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2011
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Publication number | Publication date |
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JP2013045831A (ja) | 2013-03-04 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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