JP5646130B2 - マルチレーザー用途のレーザー・アセンブリ - Google Patents

Description

本発明は、概してレーザー・アセンブリに関し、より詳細には、複数のレーザーを含むレーザー・アセンブリに関する。

近年、複数の半導体レーザーを単一の光デバイスに集積できることがますます望まれてきている。例えばコンパクト・ディスク（ＣＤ）、デジタル多用途ディスク（ＤＶＤ）およびブルーレイ・ディスク（商標）などの様々な異なった光ディスク形式が、デジタル・データの記録用に普及してきており、娯楽の対象となってきている。しかし、これらの光ディスク形式のそれぞれは、その実装のためには異なった波長の半導体レーザーが必要となる。したがって、複数の光ディスク形式への読み込みおよび書き込みのできる光ディスク・ドライブを形成するには、２つ以上の半導体レーザーが単一の光ディスク・ドライブに含まれることが必要となる。

さらに、レーザー・プリンタが、画像が後で用紙に転写できるように感光体ドラム上に画像を形成するために、単一の半導体レーザーを使用する。レーザー・プリンタが１ページを印刷することのできる速度は、概して、その半導体レーザーの出力パワーの関数である。レーザーの出力パワーが高くなるほど、印刷速度は速くなる。結果的には、印刷速度を上げるために、１台のレーザー・プリンタにおいて複数の半導体レーザーの出力パワーを合わせることが有利となる。

光ディスク・ドライブまたはレーザー・プリンタなどの光デバイスは、典型的には、光操作用光学機器のセットを使用して、その半導体レーザーの出力をそのそれぞれの目標（例えば光学ディスク媒体または感光体ドラム）に向ける。この種の光操作用光学機器は、例えば固定および可動のミラー、プリズム、格子およびレンズを含むことができる。複数の半導体レーザーが使用されるこれらの光デバイスでは、概して、各半導体レーザー毎に光操作用光学機器のセットを個別に設けるのではなく、すべての半導体レーザーに対して単一の光操作用光学機器セットを設ける方が有益である。単一の光操作用光学機器セットを有することにより、光デバイスの複雑さ、サイズおよびコストが大幅に削減される。

マルチレーザー光デバイスで単一の光操作用光学機器セットを実装するには、通常、マルチレーザーによる複数のレーザー・ビームが互いに極めて近接させられ、実質的に同一方向に向けられて、それにより単一のレーザー光源から発せられたレーザー・ビームの形をとるようにされることが必要となる。単一の光デバイスに２つの半導体レーザーを実装することに関しては、例えば「Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｏｕｒｃｅ Ｍｏｄｕｌｅ ｆｏｒ Ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ Ｂｅａｍｓ ｗｉｔｈ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔ Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｓ」という表題の米国特許第６，０３８，２０４号で、基板に実装された２つの対向する半導体レーザー間に配置された三角形の断面を有するパターン形状部を備えたシリコン基板を含むレーザー・アセンブリが記載されている。２つの対向する半導体レーザーのレーザー・ビームがパターン形状部の傾斜面で反射し、それにより、反射したそれらのレーザー・ビームは１つのレーザーから発せられた光に近いものを形成する。しかし、この種の設計が一見単純そうであるにもかかわらず、従来のシリコン基板およびプロセスの技術を使用して、基板面に対して４５°の角度をなす傾斜角度でシリコン基板に三角形の形状をパターニングすることは、通常大変困難である。したがって、この種のレーザー・アセンブリは、容易には量産と結び付かない。この問題に対処するために、「Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｉｃｋｕｐ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｎｇ Ｔｗｏ Ｌａｓｅｒ Ｂｅａｍｓ ｆｒｏｍ Ａｐｐａｒｅｎｔｌｙ Ａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｄ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｐｏｉｎｔｓ」という表題の米国特許第６，９３７，４０５号で、２つの対向する半導体レーザー間にシリコンの個別立方体を配置して、２つの半導体レーザーからのレーザー・ビームが４５°の角度でその立方体の２つの面から反射するようにすることが示唆されている。もちろん、この種の解決方法は、レーザー・アセンブリの形成にかなりの複雑さおよび費用をもたらす。さらに、上記解決方法のいずれも、３つ以上のレーザーからの出力の光結合は容易にできない。
米国特許第６，０３８，２０４号 米国特許第６，９３７，４０５号 Ｐ．Ｈｏｌｌｏｗａｙら、「Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ」、Ｗｉｌｌｉａｍ Ａｎｄｒｅｗｓ Ｉｎｃ．、１９９６年 Ｅ．Ｋａｐｏｎ、「Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌａｓｅｒｓ ＩＩ」、Ｅｌｓｅｖｉｅｒ、１９９８年

したがって、従来技術に見られた付随する問題点を伴うことなく、２つ以上のレーザーからの複数のレーザー・ビームが単一のレーザー光源から発せられたレーザー・ビームに近いものを形成することができるレーザー・アセンブリが必要となる。

本発明の実施形態は、２つ以上のレーザーからの複数のレーザー・ビームが単一のレーザー光源から発せられたレーザー・ビームに近いものを形成することのできるレーザー・アセンブリを提供することにより、上述の必要性に対処する。この種のレーザー・アセンブリは、従来の基板および半導体プロセスの技術を使用して容易に製造することができるので有利である。

本発明の一態様によると、レーザー・アセンブリが、基板および２つ以上のレーザーを含む。基板は、実質的な平坦面領域および隆起形状部を有する。隆起形状部は、２つ以上の反射面を含む。２つ以上のレーザーのそれぞれは、実質的な平坦面領域に実装され、実質的な平坦面領域に対してゼロでない傾斜角度で隆起形状部の方に向けられるレーザー・ビームを発するよう構成される。

例示の実施形態では、シリコン基板が、隆起形状部を囲む実質的な平坦面領域を含む。次に、隆起形状部は、実質的な平坦面領域に対して約５５°の角度をなす４つの反射面を含む。４つの端面発光の半導体レーザーが、そのそれぞれのレーザー・ビームが反射面で反射されるように、配向される。半導体レーザーは、リフローはんだの組合せで新規のブロック状形状部を使用することにより、実質的な平坦面領域に対して約１０°だけ上向きに傾斜される。半導体レーザーのこの傾斜により、複数のレーザー・ビームが互いに極めて近接させられ、基板の平坦面領域に対して実質的に垂直である共通な方向に反射することが可能となる。
添付の図面と併せて読まれる以下の詳細な説明で、本発明のこれらおよび他の特徴および利点が明らかになろう。

本発明は、例示のレーザー・アセンブリと併せて本明細書に示される。しかし、本発明は、本明細書で示し、説明するレーザー、構成、材料、塗膜層および処理工程の特定のタイプに限定されないということを理解されたい。当業者になら例示の実施形態に対する変更は明らかになろう。

添付の図面に示す様々な形状が、寸法比率に従って図示されない場合があるということも理解されたい。さらに、説明を簡潔にするために、これらの図面は、本発明の態様を示すため必要となる要素のみに限定される。実際の用途では、本発明の態様によるレーザー・アセンブリは、本明細書に示す要素よりもっと多くの要素を含んでよい。これらのより広範囲なレーザー・アセンブリもまた、本発明の範囲内に入るものとする。

図１は、本発明の態様によるレーザー・アセンブリ１００の平面図を示している。図２は、図１に示すライン１Ａ〜１Ａ’に沿って切断した図１のレーザー・アセンブリの断面図である。
レーザー・アセンブリ１００は、結晶シリコン基板１１０を含む。基板は、４つの接合パッド１２０−ｉ（ただしｉは１、２、３、および４）が実装された実質的な平坦面領域を有する。４つの半導体レーザー１３０−ｉが、次に、基板に最も近いそれらの活性面で接合パッドに実装される。隆起形状部１４０が基板の中央に形成される。隆起形状部は、４つの反射面１４５−ｉを含む。

本発明の態様により、半導体レーザー１３０−ｉは、基板１１０の実質的な平坦面領域に対して約１０°だけ上向きに傾斜するように実装される。図２に示すように、この傾斜は、それぞれの半導体レーザーの一端部を持ち上げるよう働くブロック形状部１５０−ｉを使用することによって達成される。所定量のはんだ１６０−ｉが、それぞれの半導体レーザーおよびそのそれぞれの接合パッド１２０−ｉとの間に置かれる。その所定量のはんだは、半導体レーザーの傾斜によって生じた空隙を埋め、半導体レーザーをそれらのそれぞれの接合パッドに固定するよう働く。

例示の光学アセンブリ１００の半導体レーザー１３０−ｉのそれぞれは、端面発光の半導体レーザーである。半導体レーザーは、それらのレーザー・ビームが入射し、隆起形状部１４０の反射面１４５−ｉで反射するように配向される。それにより、隆起形状部は、様々な半導体レーザーから発せられた複数のレーザー・ビームを互いに極めて近接させ、これらのレーザー・ビームを実質的に同一の方向に向ける。

図１および図２に示す例示の実施形態に関しては、例示のレーザー・アセンブリ１００は端面発光の半導体レーザー１３０−ｉを含むが、他のタイプのレーザーが使用されてもよく、その結果形成されたレーザー・アセンブリもまた本発明の範囲内に入るものとする、ということを留意されたい。例えばレーザーは、それらが発したレーザー・ビームが隆起形状部１４０（任意の必要な傾斜を有する）の方に向くように配向される垂直共振器面発光レーザーであることができる。さらに、例示の実施形態の半導体レーザーは、機能するためには様々な制御信号を必要とするということも認識されたい。これらの制御信号は図１および図２に明示されてはいないが、当業者にならよく知られているであろう追加配線によって供給される。

レーザー・アセンブリ１００では、半導体レーザー１３０−ｉはそれぞれ、長さが約５００マイクロメートルであり、これは端面発光の半導体レーザーでは典型的である。加えて、半導体レーザーは、それらの発光端面が隆起形状部１４０から約１００マイクロメートルの位置になるよう配置される。この構成に対しては、隆起形状部は高さが約２５０マイクロメートルあることが好ましい。この高さにより、様々な半導体レーザーから発せられた複数のレーザー・ビームは、そのそれぞれの反射面１４５−ｉにその反射面の中央近傍で入射することが可能となる。さらに、この高さは下記のシリコン基板および半導体プロセスの技術を使用して容易に達成される。

半導体レーザー１３０−ｉを傾斜する利点は、隆起形状部１４０の特性を考えると明らかになる。製造を容易にするために（より詳細が後述される）、例示のレーザー・アセンブリ１００の隆起形状部は、従来のフォトリソグラフィおよび異方性エッチングの技術を使用して、＜１００＞結晶面配向を有する結晶シリコンの異方性エッチングによって形成されることが好ましい。この好ましい製造方法のために、基板１１０の実質的な平坦面領域は＜１００＞結晶面配向を引き続き有する一方、反射面１４５−ｉはそれぞれ、実質的に＜１１１＞の結晶面配向を有する。これにより傾斜面が、＜１００＞結晶シリコンの異方性エッチングの角度特性で、すなわち約５５°で配向されることになる。

仮に、半導体レーザー１３０−ｉが傾斜されず、複数のレーザー・ビームが基板１１０の実質的な平坦面領域に平行に発せられた場合には、それぞれのレーザー・ビームは、それらのそれぞれの反射面１４５−ｉに約３５°と等しい入射角度で入射することになろう。入射角度は、典型的には、反射角度と等しいので、それぞれのレーザー・ビームは、続いて実質的な平坦面領域に対して約７０°の角度で反射するであろう。言い換えれば、これらのレーザー・ビームは、実質的な平坦面領域に垂直に反射することはないであろう。これにより、レーザー・ビームは反射後、互いから発散することになろう。

一方、半導体レーザー１３０−ｉから反射面１４５−ｉに約１０°の傾斜角度で進むようにレーザー・ビームを傾斜させることにより、反射面の５５°の角度が補償され、これらのレーザー・ビームは、それらのそれぞれの反射面に約４５°と等しい入射角度で入射することになる。このようにして、様々な半導体レーザーからの複数のレーザー・ビームはそれぞれ、実質的な平坦面領域にほぼ垂直な角度で反射する。それにより、反射後のレーザー・ビームの発散は減少し、これらのレーザー・ビームは単一のレーザー光源から発せられたレーザー・ビームに近いものを形成する。

反射面１４５−ｉは、基板１１０の実質的な平坦面領域に対して約５５°の角度を有することはよくあるが、本発明は、広い範囲の角度にわたって作用するということに留意されたい。さらに、概して、反射面が実質的な平坦面領域に対してｘ°の角度を有する場合、半導体レーザー１３０−ｉは約ｘ−４５°だけ傾斜されるのが好ましい。この構成により、半導体レーザーから発せられたレーザー・ビームは、実質的な平坦面領域にほぼ垂直な角度で隆起形状部１４０で反射することが可能となる。

レーザー・アセンブリ１００は、従来の基板および半導体プロセスの技術を使用して容易に製造されることができる。図３〜図６は様々な形成段階（形成段階１、２、３および４）中のレーザー・アセンブリ１００の断面図である。図３に示すように、最初に、マスキング層２１０がシリコン基板１１０に付着される。次に、従来のフォトリソグラフィおよび反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）の技術を使用してマスキング層をパターニングし、隆起形状部１４０の所望の位置を覆うマスキング形状部２２０を形成するようにする。その結果形成されたフィルム・スタックは図４に示す。

前述のように、基板１１０は、＜１００＞結晶面配向を有することが好ましい。現在の半導体産業では、シリコン系の半導体デバイスを製造する場合に、＜１００＞結晶面配向を有するシリコン基板が主に使用されるので有利である。さらに、一般的に使用されるこれらのシリコン基板は、典型的には、約７００から７５０マイクロメートルの間の厚みを有する。結果的には、本出願に適合するシリコン基板は、民間業者から容易に入手でき、それほどよく使用されない基板構造と比べて比較的安価である。

次の処理工程では、マスキングされたフィルム・スタックが異方性エッチング処理を受ける。この種の異方性エッチング処理は、ある種のエッチング液が結晶シリコンの異なった結晶面を実質的に異なったエッチング速度でエッチングする傾向がある、ということに依存している。例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）は、シリコンの＜１００＞結晶面をシリコンの＜１１１＞結晶面より約４００倍速くエッチングする。結果的には、本出願の異方性エッチング処理は、フィルム・スタックをＫＯＨ、エチレングリコールおよび水からなる溶液など、ＫＯＨ含有のウェット溶液にさらすことによって達成されることができる。ＫＯＨの代替としては、エチレンジアミンピロカテコール（ＥＤＰ）が使用されて、選択的にシリコンをエッチングすることができる。加えて、結晶シリコンについては、いくつかの他の選択的エッチング液があるが、これらは当業者によく知られており、本発明の範囲内に入るものとする。

異方性エッチング処理により、マスキング層が存在しないシリコンが除去される。異方性エッチング処理に適用できるためには、二酸化ケイ素または窒化ケイ素などの誘電体からマスキング形状部２２０を形成することが好ましい。これらの誘電体の双方は、ＫＯＨおよびＥＤＰの双方で緩やかなエッチング速度を示す。フィルム・スタックを異方性エッチングし、マスキング形状部を除去した後には、フィルム・スタックは図５に示すように現れる。異方性エッチング処理により、４つの反射面１４５−ｉを備えたレーザー・アセンブリ１００の隆起形状部１４０が形成されることが分かるであろう。隆起形状部の高さは、主に、異方性エッチング処理時間の関数である。

処理のこの段階では、場合により、隆起形状部１４０は、効率的にレーザー・ビームを反射することを助けるための反射コーティング剤でコーティングされることができる。この反射コーティング剤は、例えばチタンの薄い層に付着した金の薄い層を含むことができる。チタンは金をシリコンに接着するよう働き、一方、金は優れた反射体として働く。しかし、材料のこの組合せは、実行可能な一例に過ぎない。他の材料、例えば、銀およびアルミニウム（これらに限定されない）が反射コーティング剤として使用されてもよいと考えられる。

続いて、接合パッド材料のブランケット層をフィルム・スタックに付着させ、次に、従来のフォトリソグラフィおよびＲＩＥの技術を使用して、接合パッド材料を個別の接合パッドにパターニングすることにより、接合パッド１２０−ｉが形成されることができる。続いて、ブロック形状部１５０−ｉも従来の付着、フォトリソグラフィおよびＲＩＥの技術によって形成されることができる。接合パッドおよびブロック形状部を形成した後には、アセンブリは図６のように現れる。接合パッドおよびブロック形状部は金、銀または銅を含むことが好ましいが、他の適切な材料が使用されてもよい。半導体レーザー１３０−ｉが約５００マイクロメートルの長さを有する場合には、ブロック形状部は、半導体レーザーを約１０°だけ傾斜させるために約８０マイクロメートルの高さを有する。

前述のように、接合パッド１２０−ｉへの半導体レーザー１３０−ｉの取付けは、所定量のはんだ材料１６０−ｉを使用することにより達成される。この取付けは、例えば従来のはんだプリフォームの使用により容易に達成されることができる。はんだプリフォームは、いくつかの各種形状（例えばリボン、ディスクおよびペレット）をとることのできる予め製造されたはんだ合金である。特定の形状が具体的な用途にカスタマイズされることができる。

半導体レーザー１３０−ｉは、はんだプリフォームを半導体レーザーおよび接合パッドの間に配置し、加熱してはんだプリフォームをリフローすることにより、その接合パッド１２０−ｉに固着される。熱は、例えばトンネル炉でアセンブリを処理することによって、アセンブリに加えられることができる。はんだ材料のリフローに必要とされる温度は、使用されるはんだ材料の特定のタイプによるが、典型的には、１８０℃から３６０℃の間になるであろう。選定されるはんだ材料は、接合パッドおよび半導体レーザーの双方によく接着するものが好ましい。はんだ材料は、例えば、集積回路のパッケージ技術で従来使用のようなスズ鉛合金（例えば、Ｓｎ６３／Ｐｂ３７およびＰｂ９０／Ｓｎ１０）を含んでよく、または、代替としては、多くの他のタイプの鉛フリー合金（例えば、Ｓｎ９６．５／Ａｇ３．５、Ｓｎ９０／Ａｇ９０およびＡｕ８８／Ｇｅ１２）を含んでよい。

半導体レーザー１３０−ｉが図６に示すアセンブリに取り付けられると、アセンブリは、図１および図２に示すレーザー・アセンブリ１００と全く同じに現れる。この段階では、半導体レーザーへの電気的接続が従来の配線技術を使用して行われることができる（図示せず）。

図７は、本発明の例示の一実施形態による光デバイス３００のレーザー・アセンブリ１００の実装構成図である。レーザー・アセンブリに加えて、光デバイスは制御回路３１０をさらに含む。光デバイスの半導体レーザー１３０−ｉの操作は、概ね一般的であり、当業者に知られている。さらに、半導体レーザーの操作は、例えばＰ．Ｈｏｌｌｏｗａｙら、「Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ」、Ｗｉｌｌｉａｍ Ａｎｄｒｅｗｓ Ｉｎｃ．、１９９６年、およびＥ．Ｋａｐｏｎ、「Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｌａｓｅｒｓ ＩＩ」、Ｅｌｓｅｖｉｅｒ、１９９８年、などのいくつかの容易に入手可能な参考文献に詳述されており、これらは参照することにより本明細書に組み込まれる。

半導体レーザー１３０−ｉは、電気的制御電圧を与えることによって電力が供給される。概して、印加される制御電圧の大きさが大きくなるほど、光出力の量も大きくなる。光デバイス３００では、制御回路３１０が制御電圧を半導体レーザーに印加する。場合により、半導体レーザーの出力パワーを測定し、この測定値を制御回路にフィードバックする１つまたは複数のモニタ・フォトダイオードを使用することによって、精密レーザーの出力パワーが保持されてよい。制御回路は光デバイス内の個別の回路部分であってよく、または対照的に、デバイスの他の回路に集積されてもよい。

レーザー・アセンブリ１００などのマルチレーザー・アセンブリの半導体レーザー１３０−ｉは同じ波長で光を発し、もしくは異なった波長で光を発し、またはそれらの組合せで光を発することができる。前述のように、マルチレーザー・アセンブリは、ＣＤ、ＤＶＤおよびブルーレイ・ディスク（商標）などのいくつかの光ディスク形式によりデータを記録および再生することのできる光記憶ドライブに有用であることができる。この種のマルチレーザー・アセンブリは、異なった波長で互いから光を発する半導体レーザーを使用することになろう。ブルーレイ・ディスク（商標）は、例えば高解像度放送から高解像度コンテンツを記録および再生することのできる比較的新しい光ディスク形式である。ブルーレイ・ディスク（商標）用途の半導体レーザーは、典型的には、４０５ナノメートルの波長で発する。ＤＶＤおよびＣＤの用途の半導体レーザーは、典型的には、それぞれ６６０および７８５ナノメートルの波長で発する。

加えて、ある種の高出力用途のためには、半導体レーザー１３０−ｉに同じ波長で発光するようにさせ、それらの出力を合わせることが望ましいであろう。したがって、本発明の態様によるマルチレーザー・アセンブリは、任意の単一の半導体レーザーだけで生成されることができるパワーよりも、より大きなパワーを有するレーザー・ビームを生成するのに有用である。前述のように、この種のマルチレーザー・アセンブリはプリンタに有用であり、さらに、例えば光ファイバー通信を含む用途などの他の用途にも有用であることができる。

重要なことであるが、本発明の例示の実施形態を添付の図面を参照しながら本明細書で説明してきたが、本発明はそれらの厳密な実施形態に限定されない、ということを理解されたい。例えば、本明細書に記載の特定のレーザー、実装構造、回路および他の特徴が他の実施形態で変更されることができる。当業者なら特許請求項の範囲から逸脱することなく行うことができる様々な他の変更および修正を理解するであろう。

本発明の例示の実施形態によるレーザー・アセンブリの平面図である。 図１に示す面で切断した図１のレーザー・アセンブリの断面図である。 形成段階１における図１のレーザー・アセンブリの断面図である。 形成段階２における図１のレーザー・アセンブリの断面図である。 形成段階３における図１のレーザー・アセンブリの断面図である。 形成段階４における図１のレーザー・アセンブリの断面図である。 図１のレーザー・アセンブリを含む例示の光デバイスの構成図である。

Claims (9)

1. レーザー・アセンブリにおいて、
   実質的に平坦な面領域と隆起形状部とを有する基板であって、前記隆起形状部は２つ以上の反射面を含む基板、
   ２つ以上のレーザーであって、前記２つ以上のレーザーの各々が、前記実質的に平坦な面領域に実装され、かつ、前記実質的に平坦な面領域に対してゼロでない傾斜角度で、前記隆起形状部の方に向けられたレーザー・ビームを発するよう構成されている、２つ以上のレーザー、および
   前記２つ以上のレーザーのそれぞれについてのブロック形状部であって、各ブロック形状部は、そのそれぞれのレーザーと前記実質的に平坦な面領域との間に配置され、前記実質的に平坦な面領域に対して、そのそれぞれのレーザーを傾斜させるよう働く、ブロック形状部、
   からなり、
   前記ブロック形状部は、それぞれの前記反射面の実際の角度と、実質的に平坦な面領域に対して実質的に垂直な角度で、レーザー・ビームが前記それぞれの反射面で反射されることを保証するのに必要な反射面の角度との間のそれぞれの違いを相殺する傾斜角度を、それぞれのレーザーに与えることを特徴とする、レーザー・アセンブリ。
2. 前記２つ以上のレーザーの前記傾斜角度は、前記レーザー・ビームが前記実質的に平坦な面領域に実質的に垂直な角度で前記隆起形状部で反射されるようになされた、請求項１に記載のレーザー・アセンブリ。
3. 前記２つ以上の反射面は、前記実質的に平坦な面領域に対して約５５度配向される、請求項１に記載のレーザー・アセンブリ。
4. 前記実質的に平坦な面領域は、実質的に＜１００＞の結晶面配向を有する結晶シリコンを含む、請求項１に記載のレーザー・アセンブリ。
5. 前記２つ以上の反射面は、実質的に＜１１１＞の結晶面配向を有する結晶シリコンを含む、請求項１に記載のレーザー・アセンブリ。
6. 装置において、前記装置は、
   レーザー・アセンブリを含み、前記レーザー・アセンブリは、
   実質的に平坦な面領域と隆起形状部とを有する基板であって、前記隆起形状部は２つ以上の反射面を含む基板、
   ２つ以上のレーザーであって、前記２つ以上のレーザーの各々が、前記実質的に平坦な面領域に実装され、かつ、前記実質的に平坦な面領域に対してゼロでない傾斜角度で、前記隆起形状部の方に向けられたレーザー・ビームを発するよう構成されている、２つ以上のレーザー、および
   前記２つ以上のレーザーのそれぞれについてのブロック形状部であって、各ブロック形状部は、そのそれぞれのレーザーと前記実質的に平坦な面領域との間に配置され、前記実質的に平坦な面領域に対して、そのそれぞれのレーザーを傾斜させるよう働く、ブロック形状部、
   からなり、
   前記ブロック形状部は、それぞれの前記反射面の実際の角度と、実質的に平坦な面領域に対して実質的に垂直な角度で、レーザー・ビームが前記それぞれの反射面で反射されることを保証するのに必要な反射面の角度との間のそれぞれの違いを相殺する傾斜角度を、それぞれのレーザーに与え、
   前記装置はさらに、
   前記２つ以上のレーザーに結合され、前記２つ以上のレーザーを制御するよう動作する制御回路、を含むことを特徴とする装置。
7. 前記２つ以上のレーザーのうち少なくとも２つが互いと同じ波長で発光する、請求項６に記載の装置。
8. レーザー・アセンブリを形成する方法において、
   実質的に平坦な面領域と隆起形状部とを有する基板を形成する工程であって、前記隆起形状部は２つ以上の反射面を含む、工程、
   実質的に平坦な面領域に実装するのに適合した２つ以上のレーザーを形成する工程であって、前記２つ以上のレーザーの各々が、前記実質的に平坦な面領域に対してゼロでない傾斜角度で、前記隆起形状部の方に向けられたレーザー・ビームを発するよう構成されている、工程、および、
   前記２つ以上のレーザーのそれぞれについてのブロック形状部を形成する工程であって、各ブロック形状部は、そのそれぞれのレーザーと前記実質的に平坦な面領域との間に配置され、前記実質的に平坦な面領域に対して、そのそれぞれのレーザーを傾斜させるよう働く、工程、
   を有し、
   前記ブロック形状部は、それぞれの前記反射面の実際の角度と、実質的に平坦な面領域に対して実質的に垂直な角度で、レーザー・ビームが前記それぞれの反射面で反射されることを保証するのに必要な反射面の角度との間のそれぞれの違いを相殺する傾斜角度を、それぞれのレーザーに与える、
   ことを特徴とする、方法。
9. 前記基板を形成する前記工程は異方性エッチングを含む、請求項８に記載の方法。

Images