WO2019116547A1

WO2019116547A1 - 半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法

Info

Publication number: WO2019116547A1
Application number: PCT/JP2017/045138
Authority: WO
Inventors: 尚希小坂; 誠希中村; 剛境野; 奥貫　雄一郎; 田中　秀幸
Original assignee: 三菱電機株式会社
Priority date: 2017-12-15
Filing date: 2017-12-15
Publication date: 2019-06-20

Abstract

半導体レーザ装置（１００、１０１、１０２、１０３）において、ステム（１）と、このステム（１）を貫通してステム（１）の上面側まで伸びたリード（２）と、ステム上面（１ａ）に実装したサブマウント基板（５）と、このサブマウント基板（５）上に所定の角度で集積したミラー面（８ａ）を持つミラー集積レーザダイオードチップ（６）と、前記ミラー面（８ａ）により、前記ミラー集積レーザダイオードチップ（６）からのレーザ光を、前記ステム（１）の上面側であって前記ステム上面（１ａ）に対して垂直方向に導くため、前記ミラー集積レーザダイオードチップ（６）とサブマウント基板（５）を搭載するとともに、前記ステム上面（１ａ）に対して傾斜した面を持つスロープ体（４）と、を備えるようにした。

Description

半導体レーザ装置および半導体レーザ装置の製造方法

　この発明は、半導体を用いたレーザ装置及びその製造方法に関するものである。

　従来の半導体レーザ装置を図１０に示す。サブマウントとレーザダイオードチップはステム上面に配置したブロック（ヒートシンク）にステム上面に対して垂直方向に実装し、サブマウントとフォトダイオードチップはステム上面に実装しており、レーザダイオードチップとフォトダイオードチップはステムから突き出た長いリードと金ワイヤで接続された構成である（例えば、特許文献１の図６参照）。

　また、サブマウントとレーザダイオードチップをステムに実装し、レーザ光をミラーで９０度反射して出射する半導体レーザ装置が知られている（例えば、特許文献２の図１、および図２５参照）。

特開２００４－３４２８８２号公報特開２０１０－３８８３号公報特開２００６－１９６５０５号公報

　図１０に示す従来の半導体レーザ装置では、リード２０ａおよびリード２０ｂにレーザダイオードチップ２２を駆動させるためのＤＣバイアス信号と矩形の変調信号（例えば図１１参照）が入力される。なお、リード２０ｃには、フォトダイオードチップ９を駆動させるための信号が入力される。

　この変調信号は、これらのリード（リード２０ａおよびリード２０ｂ）とワイヤ２３、サブマウント基板５を介して、ブロック（ヒートシンク）２１に搭載されたレーザダイオードチップ２２に入力され、レーザダイオードチップ２２は、上記変調信号のオンオフに追随するように、レーザ光をオンオフする。この時、リード２０ａおよびリード２０ｂに入力される信号は、図１１に示すような理想的な矩形波であっても、これらのリードやワイヤ２３の寄生インダクタンス（浮遊インダクタンスと同義。以下同様）が原因で、インピーダンス不整合が大きくなってしまい、レーザダイオードチップ２２から得られるレーザ光の変調光波形は、図１２に示すように、一点鎖線間の時間間隔で示される立ち上がり時間（ｔｒ）や、破線間の時間間隔で示される立ち下り時間（ｔｆ）が長くなり、波形は劣化してしまう。なお、立ち上がり時間（ｔｒ）および立ち下り時間（ｔｆ）の具体的な定義は後述する。

　波形の劣化が著しいと、受信側で光信号のオンオフの区別がつかなくなり、信号の復調が困難になる。特に変調周波数が高くなるほどインピーダンス不整合の影響が大きくなり、光波形は大きく劣化する。

　図１３に、半導体レーザ装置に用いるレーザ光の光変調度の周波数依存性を示す。横軸は周波数を示しており、ｆｒは緩和振動周波数、ｆｃは遮断周波数を表す。縦軸は、Ｓパラメータ（Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇパラメータ）で表した光変調度を示している。ここでは、この光変調度をＳ２１パラメータで定義している。ここで「２１」は、入力（「２１」のうちの「１」）に対する出力（「２１」のうちの「２」）の比で表される量であることを意味する。

　上述の光変調度は、半導体レーザチップにパルス電流を入力したとき、増加したキャリア密度が定常状態に落ち着くまで振動を繰り返す緩和振動の影響を受けて緩和振動周波数ｆｒで大きくなるが、それより高い変調周波数では光変調度は小さくなっていく。光変調度が低周波における変調度より１．５ｄＢ低下したときの周波数をｆｃ（この周波数を以下では遮断周波数と呼ぶ）、変調光波形が１０％から９０％まで立ち上がるのにかかる時間をｔｒ、９０％から１０％まで立ち下がるのにかかる時間をｔｆとすると、ｆｃ、ｔｒおよびｔｆの関係はｔｒ＝ｔｆ＝０．３５／ｆｃで与えられる。よって、ｆｃが大きいほどｔｒ、ｔｆは小さくなり、良好な変調光波形が得られるようになる。

　従って、変調光波形を改善するためには、寄生インダクタンスを低減して、インピーダンス不整合を抑制し、遮断周波数ｆｃを大きくする（向上させる）ことが有効であることが経験的に知られている。寄生インダクタンスを低減するためには、リードやワイヤの短縮が有効であるが、図１０に示す従来構造では、チップ位置までリードあるいはワイヤを伸ばす必要があり、長いリードや金ワイヤが変調光波形を劣化させるという問題点がある。

　また、レーザダイオードチップ２２の位置をステム上面１ａに近づければ、リードやワイヤの短縮化ができる（図１４参照）が、この構造は一般的な半導体レーザ装置の組立装置を用いた場合、図１４に示すように、チップ実装時にチップ吸着用コレット２４とステム１が干渉してしまうため（この時、レーザダイオードチップ２２の位置をステム上面１ａに近づくようにすると、チップ吸着用コレット２４が図中の矢印方向に移動してステム１に近づく）、実現性に乏しい。

　さらに、特許文献２には、傾角基板などを用いて４５°のミラー面を作り、レーザダイオードチップを水平に配置しステム上面に近づける構造が開示されているが、特殊な半導体プロセスが必要になり、容易ではない。

　この発明は上記のような課題を解消するためになされたものであり、特殊な半導体プロセス等を必要としないで、容易にリードの短縮化を実現し良好な変調光波形を得ることを目的としている。

　この発明に係る半導体レーザ装置は、
レーザ光を出射するためのレーザダイオードチップを備えた半導体レーザ装置であって、
前記レーザダイオードチップを搭載するためのステム、
前記レーザダイオードチップと離隔して配置され前記レーザダイオードチップから出射されたレーザ光を反射するミラーと、前記レーザダイオードチップとが一体化して集積されたミラー集積レーザダイオードチップ、
このミラー集積レーザダイオードチップを搭載したサブマウント基板が上面に実装されるとともに、前記ステムの上面に対して傾斜した傾斜面を有し、前記ステムに設置されたスロープ体、
を備え、
前記ミラーは、前記サブマウント基板に対して傾斜するミラー面を有し、
前記レーザ光の光路は、前記レーザダイオードチップの側面から出射されたレーザ光が、当該レーザダイオードチップの側面と前記ミラー面の間の空間を前記サブマウント基板の表面に対して平行に前記ミラー面まで進んだ後、当該ミラー面で反射して前記ステムの上面側に進行するように構成されているとともに、
前記スロープ体の傾斜面の傾斜角と前記ミラー面の前記サブマウント基板に対する傾斜角との組合せ角度が予め設定された角度で構成されているものである。

　この発明の半導体レーザ装置は、特殊な半導体プロセスを用いることなく、前記ミラーのミラー面により、前記ステムの上面に対して直交する方向であって前記ステムの上面側に、前記ミラー集積レーザダイオードチップからのレーザ光を容易に導くことができる。この結果、特殊な半導体プロセス等を必要としないで、容易に、リードあるいはワイヤの短縮化等ができ、良好な変調光波形を得ることが可能となる。

この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置の一例を示す図である。この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置におけるミラー集積レーザダイオードチップの一例を示す図である。この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置での、ミラー集積レーザダイオードチップのミラー面の角度、スロープ体のスロープ角度、およびレーザ光の進行方向を説明するための図である。この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置でのミラー集積レーザダイオードチップのミラー面におけるレーザ光の進行方向の角度を説明するための図である。この発明の実施の形態１に係る半導体レーザ装置の他の例を示す図である。この発明の実施の形態２に係る半導体レーザ装置の一例を示す図である。この発明の実施の形態４に係る半導体レーザ装置の一例を示す図である。この発明の実施の形態５に係る半導体レーザ装置における、ステム上面から突き出たリードとステム上面との距離に対するレーザ光の光変調度の遮断周波数ｆｃとの関係を示すシミュレーション結果の一例を示す図である。この発明の実施の形態６に係る半導体レーザ装置の一例を示す図である。従来の半導体レーザ装置の装置構成の一例を示す図である。半導体レーザ装置のリードに入力される理想的な矩形波信号の一例を示す図である。半導体レーザ装置のレーザ光の変調光波形の一例を示す図である。半導体レーザ装置の光変調度の周波数依存性の一例を示す図である。一般的な半導体レーザ装置の組立装置を用いた場合の、チップ実装時における、チップ吸着用コレットとステムとの干渉を説明するための図である。

実施の形態１．
　本発明に係る実施の形態１の半導体レーザ装置について以下図を用いて説明する。
図１は、本実施の形態１の半導体レーザ装置１００の一例を示す図である。半導体レーザ装置のベース材となるステム１には、リード２（図では２つのリード２ａ、２ｂで表示）を通すための穴が開けてあり、リード２は穴の内部で、ガラスなどの封着材３を用いてステム１に固定され、リード２はステム１の上面に１ｍｍ未満の高さだけ突き出ている。
　また、ステム上面１ａにはステム上面に対して傾斜を持たせたスロープ体４にサブマウント基板５と、このサブマウント基板５上に、ミラー集積レーザダイオードチップ６が実装されている。

　ミラー集積レーザダイオードチップ６には、図２に示すようにレーザ光の光路を曲げるためのミラーが搭載され（従来は、レーザダイオードチップは図１０の符号２２で示す位置に配置されているため、レーザダイオードチップからのレーザ光は真上に出射されレーザ光の光路を曲げる必要はなかった）、図３に示すように、ミラー集積レーザダイオードチップのミラー面８ａのミラー面角度θ_１は５５°、ミラー集積レーザダイオードチップを実装するスロープ体４のスロープ角度θ_２は２０°である。なお、この図で、矢印はレーザ光の進行方向を示す。また、図１に示すように、リード２ａとリード２ｂは、金ワイヤ７を介して、ミラー集積レーザダイオードチップ６と電気的に接続されている。

　図１に示す半導体レーザ装置は、図１０に示す従来の半導体レーザ装置の構造に比べて、レーザダイオードチップをステムの上面近傍に配置したこと、ステム上面１ａからのリード２の突き出し量が小さく、金ワイヤ７は、リード２の先端部に接続されていること、さらにレーザダイオードチップは、ミラー８を集積したミラー集積レーザダイオードチップ６であるところが異なる。レーザダイオードチップをステムの上面近傍に配置することで、レーザダイオードチップがステム上面に近くなり、リードを短くすることができるためである。ただし、このように配置するためには、光路を曲げるミラーが必要になるが、従来は、４５°のミラーを集積したレーザダイオードチップを作ることが困難であり、ミラーを集積する代わりにプリズムを用いるとコストが増大するといった課題があったため、実現できていなかった。

　また、特許文献２に記載の従来の半導体レーザ装置の構造に比べて、ミラー集積レーザダイオードチップ６に搭載されたミラー８のミラー面８ａの角度が異なる。つまり、特許文献２では傾角基板を用いることでレーザダイオードチップに１３５°あるいは４５°のミラー面を形成しているが、本発明では特殊な基板を用いる必要はなく、ミラー面８ａの角度は５５°であり、その構造は従来のものとは異なる。

　なお、傾角基板は、角度のオフセットがエピタキシャル成長など、他のウエハプロセスに影響する懸念があるが、本実施の形態における半導体レーザ装置は、傾角基板を用いることなく、一般的に用いられる基板に、一般的に用いられる半導体プロセスを適用して作製するため、比較的容易に、ミラー集積レーザダイオードチップ６を得ることができるという特長を持つ。

　次に、実施の形態１で得られる作用について、以下説明する。本実施の形態では図１に示すように、サブマウント基板を介して、レーザダイオードチップをステム上面側のスロープ体４に実装している。このように、レーザダイオードチップがステム上面近傍にあるため、従来構造を用いた場合（例えば図１０参照）のように、リード２を、ステム上面側の接続点から長い距離にわたって引き渡す必要がなくなり、従来に比べて、リードの寄生インダクタンスを低減することができる。

　ここで、一般的なレーザダイオードチップのレーザ発光点は、チップの側面にあるため、レーザダイオードチップをステム上面に平置きすると、レーザをステム上面に対して垂直方向に取り出すことができない。

　そこで、図２に示すように、レーザダイオードチップにレーザ光を曲げるためのミラーを集積したミラー集積レーザダイオードチップ６を形成する。図２に示したように、ミラー集積レーザダイオードチップ６には、レーザ光を曲げるためのミラー８が、ミラー面８ａのミラー面角度θ_１で集積されており、図３に示したように、レーザ光はミラー面８ａで曲げられて図の上側へ取り出される。ミラー面８ａはウェットエッチングなど、一般的な半導体プロセスで形成し、金属蒸着膜などで反射面を作ることで容易に得られる。すなわち、前記レーザダイオードチップの一部をウェットエッチングにより、前記ミラー面をレーザダイオードチップの基準面（上記サブマウント基板への取付面）に対して傾斜させて形成し、このウェットエッチングにより形成したミラー面上にスパッタ法、蒸着法、あるいはＣＶＤ法により、金属膜、またはＳｉとＳｉＯ２を交互に積層した多層誘電膜のいずれかを形成することでミラー集積レーザダイオードチップ６を形成する。

　しかしながら、ウェットエッチングで形成したミラー面の角度は、基板の格子面に従い５５°となることから（たとえば特許文献２の図７参照）、ステム上面にレーザダイオードチップを平置きした場合には、レーザ光はステム上面の垂直方向ではなく、２０°の角度で出射される。従来、レーザ光を垂直方向に取り出すために、例えば、特許文献２には傾角基板などを用いて４５°のミラー面を作る技術が開示されているが、特殊な半導体プロセスが必要になり、容易ではない。

　そこで本実施の形態１では、図３、図４に示すように、ステム１に２０°のスロープ角度θ_２（＝２０°）を設けている。この構造であれば、一般的な半導体プロセスにより、レーザダイオードチップにミラー面８ａを形成し、２０°のスロープ角度θ_２を形成したスロープ体に、所定のミラー面を形成したミラー集積レーザダイオードチップ６を実装するだけで、容易にレーザ光を真上に（ステム上面に垂直な方向であって図３の上側に）取り出すことが可能となる。つまり、図４でθ_１＝５５°のとき、α＝２０°となる。よってステム上面に対して、スロープ角度θ_２を２０°とすれば、α＝２０°で示した矢印は、ステム上面に対して上側、垂直方向に向く。

　なお、本実施の形態１で用いるミラー集積レーザダイオードチップとして、図５に示すように、ミラー集積レーザダイオードチップの裏面６ａから光を取り出す方式のものを用いても良い。この場合、ミラー集積レーザダイオードチップ６はジャンクションダウン方式（チップのＰＮ接合（ＰＮジャンクション）を融着側である下側にして組み立てる方式）で、ステム１上のサブマウント基板５に実装される。この図において、ミラー集積レーザダイオードチップ６の左側斜め下の外形線は、ミラー集積レーザダイオードチップ６のミラー面８ａに相当し、一番上の外形線はミラー集積レーザダイオードチップ６の裏面６ａを表し、矢印はレーザ光線の進行方向を表している。

　以上説明したように、実施の形態１に係る半導体レーザ装置１００においては、図１に示すように、リードのステム上面１ａからの突き出し量が小さいため、リードの寄生インダクタンスが低減し、良好な変調光波形が得られる。

実施の形態２．
　本発明に係る実施の形態２の半導体レーザ装置について以下図を用いて説明する。
図６は、本実施の形態２の半導体レーザ装置１０１の一例を示す図である。この図に示すように、実施の形態１に対して、本実施の形態の半導体レーザ装置１０１においては、ミラー集積レーザダイオードチップ６とサブマウント基板５を実装するスロープ体４をステム内部に埋め込んだことが特徴である。

　この図のように、スロープ体４を埋め込むことで、ミラー集積レーザダイオードチップ６とサブマウント基板５がステム上面１ａに近くなるため、リード２とサブマウント基板５を接続する金ワイヤのループ高さが低くなり、実施の形態１の場合よりも、さらに金ワイヤを短くすることができる。

　図６に示すように、リード２ａおよびリード２ｂと、ミラー集積レーザダイオードチップ６が載っているサブマウント基板５を接続する金ワイヤ７が短くなるので、寄生インダクタンスが低減し、良好な変調光波形が得られる。

実施の形態３．
　本発明に係る実施の形態３の半導体レーザ装置１０２について以下図を用いて説明する。　半導体レーザの活性層の上下の半導体層における実効的な屈折率分布を非対称にすると、半導体レーザから出射されるレーザ光が、半導体基板に対して、最大±５°程度、傾斜して出射されることが知られている（例えば、特許文献３参照）。
　半導体レーザの活性層をこのような設計にした場合、図４におけるミラー面８ａのミラー面角度θ_１が、５５°を中心値として、５０°～６０°の範囲で変化するので、これに対応して（θ_２＝２θ_１－９０°の関係から）、ステムのスロープ角度θ_２を１０°（θ_１＝５０°のとき）から３０°（θ_１＝６０°のとき）の範囲で調整し、レーザ光を真上に取り出す。

実施の形態４．
　本発明に係る実施の形態４の半導体レーザ装置について以下図を用いて説明する。
図７は、本実施の形態４の半導体レーザ装置１０２の一例を示す図である。この図に示すように、ステム上面側には、ミラー集積レーザダイオードチップ６以外に、ステム上面１ａに配置したブロック部１０に、サブマウント基板５、及びサブマウント基板５を介したフォトダイオードチップ９が、ステム上面１ａに対して垂直な面上に実装されている。
　また、フォトダイオードチップ９は、金ワイヤを介してリード２ｃと接続されている。なお、フォトダイオードチップ９は、図７のような構成ではなく、図１に示すミラー集積レーザダイオードチップ６に、モノリシックに集積しても良い。

　図７において、フォトダイオードチップ９はミラー集積レーザダイオードチップの背面光を容易に受けることできるため、半導体レーザ装置の光出力を調整することができる。

　すなわち、図７の構成にすることで、容易にミラー集積レーザダイオードチップの光出力を調整できる半導体レーザ装置を得ることができる。

実施の形態５．
　図８に、実施の形態５として、ステム上面から突き出たリードの高さとステム上面との距離（以下、単に、リード突き出し量、あるいは突き出し量と呼ぶ。横軸にｍｍ単位で表わす）に対する遮断周波数ｆｃ（縦軸にＧＨｚ単位で表わす）のシミュレーション結果を示す。

　本シミュレーションにおいては、実施の形態１の半導体レーザ装置におけるミラー集積レーザダイオードチップを載せたサブマウント基板５の厚みとして、製造可能な最も薄い基板の厚みである０．１ｍｍを採用し、この場合について計算した。一般には、基板の厚みが薄いほど遮断周波数ｆｃは高くなり、厚いほどｆｃは低くなる。例えば、基板の厚み０．１ｍｍを０．２ｍｍに変更すると、ｆｃは２～５ＧＨｚ程度低くなる。

　変調周波数を２５ＧＨｚとした時、ｔｒ＝ｔｆが１５ｐｓｅｃ～２０ｐｓｅｃであれば理想的な変調した光波形が得られる。これより、ｔｒ＝ｔｆ＝０．３５／ｆｃの条件式において、ｔｒ＝ｔｆ＝２０ｐｓｅｃとしてｆｃを求めると、ｆｃ＞１７．５ＧＨｚで良好な変調光波形が得られることがわかる。図中の点線はｆｃ＝１７．５ＧＨｚを示している。なお、ｔｒ＝ｔｆ＝１５ｐｓｅｃでのｆｃを求めると２３．３ＧＨｚ＞ｆｃとなる。

　よって、図８より、ｆｃ＞１７．５ＧＨｚを満たすリード突き出し量は０．５ｍｍ以内であることが望ましいことがわかる。
　逆に、図８より、リード突き出し量が０．５ｍｍ以内であれば、良好な変調光波形を得るために必要なｆｃ＞１７．５ＧＨｚを満たすことがわかる。

　以上まとめると、図８より、リード突き出し量を０．５ｍｍ以内とすることで、ｆｃが向上し良好な変調光波形を得ることができる、と結論付けられる。

実施の形態６．
　本発明に係る実施の形態６の半導体レーザ装置について以下図を用いて説明する。
図９は、本実施の形態６の半導体レーザ装置１０３の一例を示す図である。
本実施の形態の半導体レーザ装置１０３は、実施の形態４の半導体レーザ装置１０２と比較して、ミラー集積レーザダイオードチップ６とサブマウント基板５を実装するスロープ体４をステム内部に埋め込んだ点（実施の形態２参照）が異なる。その他の特徴は、実施の形態４と同じであるので、詳しい説明は省略する。この実施の形態６の半導体レーザ装置１０３では、実施の形態４の半導体レーザ装置１０２と比較して、リード２ａおよびリード２ｂと、ミラー集積レーザダイオードチップ６が載っているサブマウント基板５を接続する金ワイヤ７が短くなるので、寄生インダクタンスが低減し、良好な変調光波形が得られる。

　なお、本発明はその実施の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。例えば、以上においてはリード２ａ、２ｂとミラー集積レーザダイオードチップ６とは、金ワイヤ７によって接続されている場合について説明したが、電気的に接続するものであれば、金ワイヤ以外でも適用可能なことは言うまでもない。

　１　ステム、１ａ　ステム上面、２、２ａ、２ｂ、２ｃ　リード、３　封着材、４　スロープ体、５　サブマウント基板、６　ミラー集積レーザダイオードチップ、６ａ　ミラー集積レーザダイオードチップの裏面、７　金ワイヤ、８　ミラー、８ａ　ミラー面、９　フォトダイオードチップ、１０　ブロック部、１００、１０１、１０２、１０３　半導体レーザ装置、θ_１　ミラー面角度、θ_２　スロープ角度

Claims

レーザ光を出射するためのレーザダイオードチップを備えた半導体レーザ装置であって、
前記レーザダイオードチップを搭載するためのステム、
前記レーザダイオードチップと離隔して配置され前記レーザダイオードチップから出射されたレーザ光を反射するミラーと、前記レーザダイオードチップとが一体化して集積されたミラー集積レーザダイオードチップ、
このミラー集積レーザダイオードチップを搭載したサブマウント基板が上面に実装されるとともに、前記ステムの上面に対して傾斜した傾斜面を有し、前記ステムに設置されたスロープ体、
を備え、
前記ミラーは、前記サブマウント基板に対して傾斜するミラー面を有し、
前記レーザ光の光路は、前記レーザダイオードチップの側面から出射されたレーザ光が、当該レーザダイオードチップの側面と前記ミラー面の間の空間を前記サブマウント基板の表面に対して平行に前記ミラー面まで進んだ後、当該ミラー面で反射して前記ステムの上面側に進行するように構成されているとともに、
前記スロープ体の傾斜面の傾斜角と前記ミラー面の前記サブマウント基板に対する傾斜角との組合せ角度が予め設定された角度で構成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
前記組合せ角度を前記ミラー面の傾斜角の２倍と前記スロープ体の傾斜角との差とし、前記予め設定された角度は９０°であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
前記サブマウント基板の厚みが０．１ｍｍの場合において、前記レーザダイオードチップを駆動するための信号を入力するリードの、前記ステムの上面からの突き出し量が０．５ｍｍ以内に設定されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体レーザ装置。
前記ステムの上面にブロック部が設けられ、当該ブロック部を構成する外形面のうち前記ステムの上面に対して直交する面を、フォトダイオードチップの設置面としたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
前記スロープ体の傾斜面の傾斜角は、前記ステムの上面に対し１０°から３０°の角度範囲で変更可能なことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
レーザ光を出射するためのレーザダイオードチップを備えた半導体レーザ装置であって、
前記レーザダイオードチップを搭載するためのステム、
前記レーザダイオードチップと離隔して配置され前記レーザダイオードチップから出射されたレーザ光を反射するミラーと、前記レーザダイオードチップとが一体化して集積されたミラー集積レーザダイオードチップ、
このミラー集積レーザダイオードチップを搭載したサブマウント基板が上面に実装されるとともに、前記ステムの上面に対して傾斜した傾斜面を有し、前記ステムに設置されたスロープ体、を備えた半導体レーザ装置の製造方法であって、
前記レーザダイオードチップの一部をウェットエッチングすることにより、前記ミラーの表面であるミラー面をレーザダイオードチップの基準面に対して傾斜させて形成し、
このウェットエッチングにより形成したミラー面上にスパッタ法、蒸着法、あるいはＣＶＤ法により、金属膜、またはＳｉとＳｉＯ２を交互に積層した多層誘電膜のいずれかを形成することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。