JP2005223333A - 光学ベンチ、これを使用した光ピックアップ及び光学ベンチの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光ディスクに情報を記録または再生するための光を発生させるための光源及び光を受光するための光検出器を配置するための光学ベンチにおいて、光源を装着するための光源スタンド120と、光源スタンド120の前方に形成されるミラー面124と、光源スタンド120とミラー面124との間に形成される底面130とを含み、光検出器が形成される面と光源スタンド120とは、第1傾斜面126によって連結され、光源スタンド120と底面130とは、第2傾斜面131によって連結されることを特徴とする光学ベンチである。
【選択図】図3A
Description
図1Aと図1Bとに図示した従来の光学ベンチは、光源とその他の光学部品とを装着するためのものであり、シリコン基板12、光源スタンド20、シリコン基板12及び光源スタンド20上に形成された金属電極配線14、ボンディングパッド22及びソルダーバンパー16を含む。
図2Aに図示したように、金属電極配線14を形成するためにシリコン基板12上にメタル層を形成した後、メタル層を金属電極配線14でパターニングするためにフォトレジストをスピンコーティングやスプレーコーティングを利用して塗布する時、円で示した角部分A,Bにフォトレジストが残らずに剥げる。
図2Bは、図2Aに示した湿式食刻の問題点を回避するためにリフト−オフ工程を使用する時の問題点を示す。シリコン基板12上の絶縁膜18上にフォトレジストを塗布した後、金属電極配線14の反対形状にフォトレジストをパターニングし、その上に金属層を蒸着する。この時、シリコン基板12の表面との段差が大きいトレンチ底面において、フォトレジストは一般的に厚く塗布され、到達する光量も不足して現像ができなくなるか、現像できても時間が長くかかる。このトレンチのフォトレジストを除去するために過剰現像をすれば、シリコン基板12表面のフォトレジストの過剰現像がおきて配線の線幅が大きくなるため、設計による配線間隔を維持し難い。過剰現像を発生しないようにすると、深いトレンチCに残っていたフォトレジストが除去されないから、後のリフト−オフ工程時にフォトレジストが除去されて金属電極配線14が残らず、金属電極配線14が切れる。
また、本発明の光学ベンチでは、従来の湿式食刻と乾式食刻とを連続的に使用して光源スタンドを形成した光学ベンチに比して、トレンチがなくなる分、光学ベンチのサイズ(例えば、幅)を小さくできる。これは、例えば、モバイル分野のようにモーターの駆動性能を最小限の電力で効率的にする必要がある分野などにおいて、非常に重要な利点になる。
また、本発明の光学ベンチ形成方法では、従来の湿式食刻と乾式食刻とを連続的に使用して光源スタンドを形成する方法に比べて、形成された光学ベンチでは、トレンチを有さない。このため、よりサイズ(例えば、幅)の小さい光学ベンチを形成することが可能となる。
また、本発明の光学ベンチ形成方法では、形成された光学ベンチは、光源スタンドの周辺に深いトレンチを有さず、滑らかに連結した構造を有するので、後工程で発生しうる問題点を除去できて工程の再現性及び量産性を大きく向上させる効果がある。
図3A及び図3Bに図示したように、本発明の望ましい実施形態に係る光学ベンチ100は、多重分割光検出器及びモニタリングフォトダイオードが形成されたシリコン基板112上に、光源スタンド120とミラー面124と底面130とを備えている。また、光検出器が形成される面(図1における上面)と光源スタンド120とは、傾斜面126によって連結され、光源スタンド120と底面130とは、第2傾斜面131によって連結される。本発明の望ましい実施形態によれば、ミラー面124は、9.74゜傾いたSi{100}シリコンウェハーを用いて湿式食刻することによって自然に形成された45゜傾斜のSi{111}結晶面である。すなわち、一般的なSi{100}結晶面を異方性湿式食刻すれば、傾斜面の角度が54.74°になる。そこで、45°の傾斜面を得るために、9.74゜傾いたSi{100}シリコンウェハーを用いている。
次いで、図4Bに図示したように、光源スタンド120をシリコン基板112の表面と平行に形成するために乾式食刻用マスク113をシリコン基板112上に形成する。このマスク113は、フォトレジストでできており、リソグラフィ工程により形成される。続けて、図4Cに図示したように、このシリコン基板112をRIEなどの方法を利用して乾式食刻して光源スタンド領域115を形成する。
212は、45゜傾斜したSi{111}ミラー面が形成される領域を示しており、214は、ミラー面に対向して、基板表面に対して64.48゜の角度を有する傾斜面が形成される所である。ミラー面の左右の傾斜面は、基板の表面に対し55.6゜の角度を有する。したがって、湿式食刻により形成される傾斜面の線と乾式食刻された傾斜面の線とが一致するように、食刻深さdと湿式食刻幅w,w’とは一定の関係を有する。
まず、光源512から放出されたレーザービームが傾斜ミラー514に入射されて基板と垂直の方向に全反射される。この時、放射角が大きいレーザービームは、傾斜ミラー514に入射されず、モニタリングフォトダイオード534の前方に設置されたモニタリングミラー511により反射されてモニタリングフォトダイオード534に受光されることで、光源512の光量をモニタリングするのに使われる。
112 シリコン基板
114 金属電極配線
116 ソルダーバンパー
118 絶縁層
120 光源スタンド
122 ボンディングパッド
124 ミラー面
126 傾斜面
Claims (19)
- 光ディスクに情報を記録または再生するために光を発生させる光源及び前記光を受光する光検出器を配置するための光学ベンチにおいて、
前記光源を装着するための光源スタンドと、
前記光源スタンドの前方に形成されるミラー面と、
前記光源スタンドと前記ミラー面との間に形成される底面とを含み、
前記光検出器が形成される面と前記光源スタンドとは、第1傾斜面によって連結され、前記光源スタンドと前記底面とは、第2傾斜面によって連結される、
ことを特徴とする光学ベンチ。 - 前記光学ベンチは、実質的に9.74゜傾いたSi{100}結晶面を有するシリコンウェハーを使用して形成される、
ことを特徴とする請求項1に記載の光学ベンチ。 - 前記ミラー面は、45゜傾いたSi{111}結晶面を有するシリコンウェハーを使用して形成される、
ことを特徴とする請求項2に記載の光学ベンチ。 - 外部と電気的に連結するために、前記光検出器が形成される面と同じ面に形成される多数のボンディングパッドをさらに含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の光学ベンチ。 - 前記光源スタンド上に形成される前記光源の電極と前記ボンディングパッドとを電気的に連結するためのメタルラインが前記第1傾斜面に沿って形成された、
ことを特徴とする請求項4に記載の光学ベンチ。 - 前記ミラー方向を除いた前記光源スタンドの他の三辺は、屈曲のない一定の傾きを有する傾斜面を介して前記光検出器が形成される基板表面と連結される、
ことを特徴とする請求項1に記載の光学ベンチ。 - 基板表面に光検出器が配置されるシリコン基板に光源を装着するための光源スタンドを形成するため、シリコン基板の領域を第1深さに乾式食刻する段階と、
前記乾式食刻されたシリコン基板を所定の補償パターンを有する湿式食刻用マスクを使用して湿式食刻し、前記光源スタンド前方にミラー面及び底面を形成する段階とを含み、
前記光検出器が形成される前記基板表面と前記光源スタンドとは、第1傾斜面によって連結され、前記光源スタンドと前記底面とは、第2傾斜面によって連結される、
ことを特徴とする光学ベンチ形成方法。 - 前記シリコン基板は、実質的に9.74゜傾いたSi{100}結晶面を有するシリコンウェハーを使用して形成される、
ことを特徴とする請求項7に記載の光学ベンチ形成方法。 - 前記ミラー面は、45゜傾いたSi{111}結晶面を有するシリコンウェハーを使用して形成される、
ことを特徴とする請求項8に記載の光学ベンチ形成方法。 - 外部と電気的に連結するために、前記光検出器が形成される面と同じ面に形成される多数のボンディングパッドをさらに含む、
ことを特徴とする請求項7に記載の光学ベンチ形成方法。 - 前記光源スタンド上に形成される前記光源の電極と前記ボンディングパッドとを電気的に連結するためのメタルラインが、前記第1傾斜面に沿って形成された、
ことを特徴とする請求項10に記載の光学ベンチ形成方法。 - 前記ミラー方向を除いた前記光源スタンドの他の三辺は、屈曲のない一定の傾きを有する傾斜面を介して前記光検出器が形成された前記基板表面と連結される、
ことを特徴とする請求項7に記載の光学ベンチ形成方法。 - 光ディスクに情報を記録または再生するための光ピックアップにおいて、
光を発生させる光源と、
前記光を前記光ディスクに入射するための光学素子と、
前記光を受光する光検出器と、
前記光源と前記光検出器とを配置するための光学ベンチであって、前記光源を装着するための光源スタンドと、前記光を前記光学素子に反射させるために前記光源スタンドの前方に形成されるミラー面と、前記光源スタンドと前記ミラー面との間に形成される底面とを有する光学ベンチと、
前記光学ベンチの一面に結合され、多数の支持手段側ボンディングパッドを具備する支持手段と、
前記支持手段を挟んで前記光学ベンチと対向するように配置される、あるいは前記光学ベンチを挟んで前記支持手段と対向するように配置される放熱手段と、
前記光検出器が形成される面と前記光源スタンドとは、第1傾斜面によって連結され、前記光源スタンドと前記底面とは、第2傾斜面によって連結される、
ことを特徴とする光ピックアップ。 - 前記光学ベンチは、実質的に9.74゜傾いたSi{100}結晶面を有するシリコンウェハーを使用して形成される、
ことを特徴とする請求項13に記載の光ピックアップ。 - 前記ミラー面は、45゜傾いたSi{111}結晶面を有するシリコンウェハーを使用して形成される、
ことを特徴とする請求項13に記載の光ピックアップ。 - 前記光学ベンチは、外部と電気的に連結するために、前記光検出器が形成される面と同じ面に形成される多数のボンディングパッドをさらに含む、
ことを特徴とする請求項13に記載の光ピックアップ。 - 前記光源スタンド上に形成される前記光源の電極と前記ボンディングパッドとを電気的に連結するためのメタルラインが、前記第1傾斜面に沿って形成された、
ことを特徴とする請求項16に記載の光ピックアップ。 - 第1及び第2反射面と偏光ビーム分離器とを具備し、前記光検出器に対向するように配置される偏光素子と、
前記光学ベンチと前記偏光素子との間に配置されるスペーサと、
ホログラム光学素子と、
対物レンズと、
をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の光ピックアップ。 - 前記ミラー方向を除いた前記光源スタンドの他の三辺は、屈曲のない一定の傾きを有する傾斜面を介して前記光検出器が形成される基板表面と連結される、
ことを特徴とする請求項13に記載の光ピックアップ。
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Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4356683B2 (ja) * | 2005-01-25 | 2009-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | デバイス実装構造とデバイス実装方法、液滴吐出ヘッド及びコネクタ並びに半導体装置 |
US7481545B2 (en) * | 2005-10-13 | 2009-01-27 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Method of forming and mounting an angled reflector |
JP5171489B2 (ja) * | 2008-09-04 | 2013-03-27 | キヤノン株式会社 | 異方性エッチングによる構造体の作製方法、及びエッチングマスク付きシリコン基板 |
KR101132680B1 (ko) * | 2010-03-19 | 2012-04-03 | 김영혜 | 광전소자 패키지 |
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US8736080B2 (en) * | 2012-04-30 | 2014-05-27 | Apple Inc. | Sensor array package |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0981063A3 (en) * | 1992-07-14 | 2003-09-17 | Seiko Epson Corporation | Polarizer, optical element, and optical head |
KR100253810B1 (ko) * | 1997-07-10 | 2000-04-15 | 구자홍 | 이파장 광원모듈 및 그를 이용한 광픽업장치 |
JPH11134703A (ja) | 1997-11-04 | 1999-05-21 | Toshiba Corp | 部品及びその製造方法 |
CN1132164C (zh) * | 1999-08-04 | 2003-12-24 | 株式会社日立制作所 | 激光模块和使用它的光头、光学信息记录再现装置 |
JP2001102676A (ja) * | 1999-09-27 | 2001-04-13 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 光集積ユニット、光ピックアップ及び光記録媒体駆動装置 |
JP4471508B2 (ja) | 2001-01-31 | 2010-06-02 | 京セラ株式会社 | 光部品実装用基板の製造方法 |
JP2004178755A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 光学デバイス、光ピックアップおよび光ディスク装置 |
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