JP2005223333A - 光学ベンチ、これを使用した光ピックアップ及び光学ベンチの製造方法 - Google Patents

光学ベンチ、これを使用した光ピックアップ及び光学ベンチの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 一度のリソグラフィ工程によって、光学ベンチとシリコン基板の表面との間の金属配線を滑らかに連結できる光学ベンチの構造及びこれを使用した光ピックアップ及び光学ベンチの製造方法を提供する。
【解決手段】光ディスクに情報を記録または再生するための光を発生させるための光源及び光を受光するための光検出器を配置するための光学ベンチにおいて、光源を装着するための光源スタンド120と、光源スタンド120の前方に形成されるミラー面124と、光源スタンド120とミラー面124との間に形成される底面130とを含み、光検出器が形成される面と光源スタンド120とは、第1傾斜面126によって連結され、光源スタンド120と底面130とは、第2傾斜面131によって連結されることを特徴とする光学ベンチである。
【選択図】図3A

Description

本発明は、光ピックアップに係り、より詳細には、光検出器とシリコン光学ベンチ(SiOB;Silicon Optical Bench)とが一体に形成される半導体基板上に金属配線及び光学部品を配置するための光学ベンチ、前記光学ベンチを用いた光ピックアップ及び前記光学ベンチの製造方法に関する。
近年、PDA、携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラなどのような携帯用情報機器の使用が急速に増加しつつある。このような携帯用情報機器でディスクのデータを記録して読取るためには、光ピックアップ装置が必須である。小型化及びスリム化がだんだんなされて行く携帯用情報機器に光ピックアップを適用するために、光ピックアップもこのような要求に合せて薄型に製作しようという研究が活発に進行している(例えば、特許文献1〜4参照)。
図1A及び図1Bは、従来の薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチを説明するための斜視図及び断面図である。
図1Aと図1Bとに図示した従来の光学ベンチは、光源とその他の光学部品とを装着するためのものであり、シリコン基板12、光源スタンド20、シリコン基板12及び光源スタンド20上に形成された金属電極配線14、ボンディングパッド22及びソルダーバンパー16を含む。
従来の技術によるシリコン光学ベンチでは、光源スタンド20の上部にはレーザーダイオードなどの光源が装着され、光源から発生された光はシリコン基板12の結晶面が{111}方向になるように食刻された45゜ミラー面24に入射する。すなわち、光源から出射された光ビームは一定角度に広まり、Si{111}ミラー面24に一定のスポットサイズで入射される。したがって、光源スタンド20が前記光源スタンド20とミラー面24との間の底面30に対し所定の高さを持たないと、光源から発生された光ビームのうち下方に広まったビームが、ミラー面24に到達せず底面30にぶつかって消失されてしまう。
したがって、光源から一定角度に広まって出射される光を損失なしでミラー面24に入射させるためには、光源スタンド20がそのミラー面24方向に形成されるシリコン基板12の底面30から一定の高さ以上にならなければならない。この光源スタンド20上には、レーザーダイオードに電流を供給するための電極が形成され、この電極上の普通Au/Snからなるソルダーバンパー16により、レーザーダイオードの光源がフリップチップボンディングされる。
光源スタンド20と、そのミラー面24方向に形成されたシリコン基板12の底面30との間に段差を形成するためには、シリコン基板12に反応性イオン食刻(RIE;Reactive Ion Etching)のような乾式食刻により光源スタンド20を形成した後、湿式食刻により、傾斜角45゜のSi{111}ミラー面24と、底面30と、その他シリコン基板表面と光源ベンチとの間の傾斜面と、を形成するのが良い。光源スタンド20を乾式食刻する理由は、シリコン基板12の表面に平行な凹形の溝が形成されるのを防ぐためである。しかし、従来の技術では、このような工程の順序のために、光源スタンド20の周辺に必然的に深いトレンチが形成される。
図2Aは、従来の薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチに湿式食刻を用いてメタル配線を形成する場合に発生する問題点を説明するための断面図である。
図2Aに図示したように、金属電極配線14を形成するためにシリコン基板12上にメタル層を形成した後、メタル層を金属電極配線14でパターニングするためにフォトレジストをスピンコーティングやスプレーコーティングを利用して塗布する時、円で示した角部分A,Bにフォトレジストが残らずに剥げる。
次いで、リソグラフィ工程によってフォトレジストを金属電極配線14の形状にパターニングした後、パターニングされたフォトレジストをマスクとして使用して金属層を湿式食刻しなければならない。この時、円で示した角部分A,Bに露出された金属層が除去される。したがって、角部分A,Bで金属電極配線14が切れて配線連結ができない。また、光源スタンド20の周辺に形成された深いトレンチには、フォトレジストが十分に露光されずに現像後にも残留する。
図2Bは、従来の薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチに金属配線を形成するために、リフト−オフ工程を行った場合に発生する問題点を説明するための断面図である。
図2Bは、図2Aに示した湿式食刻の問題点を回避するためにリフト−オフ工程を使用する時の問題点を示す。シリコン基板12上の絶縁膜18上にフォトレジストを塗布した後、金属電極配線14の反対形状にフォトレジストをパターニングし、その上に金属層を蒸着する。この時、シリコン基板12の表面との段差が大きいトレンチ底面において、フォトレジストは一般的に厚く塗布され、到達する光量も不足して現像ができなくなるか、現像できても時間が長くかかる。このトレンチのフォトレジストを除去するために過剰現像をすれば、シリコン基板12表面のフォトレジストの過剰現像がおきて配線の線幅が大きくなるため、設計による配線間隔を維持し難い。過剰現像を発生しないようにすると、深いトレンチCに残っていたフォトレジストが除去されないから、後のリフト−オフ工程時にフォトレジストが除去されて金属電極配線14が残らず、金属電極配線14が切れる。
特開2001−319356号公報 米国特許第4906839号明細書 米国特許第6314063号明細書 国際公開第01/43126号パンフレット
本発明の目的は、一度のリソグラフィ工程によって、光学ベンチとシリコン基板の表面との間の金属配線を滑らかに連結できる光学ベンチの構造及びこれを使用した光ピックアップ及び光学ベンチの製造方法を提供することである。
本発明の一つの類型によれば、光ディスクに情報を記録または再生するために光を発生させるための光源及び光を受光するための光検出器を配置するための光学ベンチにおいて、光源を装着するための光源スタンド、光源スタンドの前方に形成されるミラー面と、光源スタンドとミラー面との間に形成される底面とを含み、光検出器が形成される面と光源スタンドとは、第1傾斜面によって連結され、光源スタンドと底面とは、第2傾斜面によって連結されることを特徴とする光学ベンチが提供される。
本発明の光学ベンチでは、例えば、レーザーダイオードなどの光源を装着するための光源スタンドと光検出器が形成される面との間が、第1傾斜面により形成されるので、第1傾斜面に沿って金属配線を形成しても、一回のリソグラフィ工程で切れずに連結できる。
ここで、第1傾斜面とは、例えば、深いトレンチや屈曲を有さない、所定の傾きを有する傾斜面である。
また、本発明の光学ベンチでは、従来の湿式食刻と乾式食刻とを連続的に使用して光源スタンドを形成した光学ベンチに比して、トレンチがなくなる分、光学ベンチのサイズ(例えば、幅)を小さくできる。これは、例えば、モバイル分野のようにモーターの駆動性能を最小限の電力で効率的にする必要がある分野などにおいて、非常に重要な利点になる。
また、本発明の光学ベンチでは、配線(例えば、LD配線)のために必要な長さが短くなり、さらには、配線抵抗を減少させうる。これは、例えば、熱問題と消費電力の面で、特に青色DVDピックアップの場合には非常に大きい利点になる。
また、本発明の光学ベンチでは、例えば、レーザーダイオードなどの光源を装着するための光源スタンドの周辺に深いトレンチを有さず、滑らかに連結した構造を有するので、後工程で発生しうる問題点を除去できて工程の再現性及び量産性を大きく向上させる効果がある。
本発明の他の類型によれば、基板表面に光検出器が配置されるシリコン基板に光源を装着するための光源スタンドを形成するため、シリコン基板の領域を第1深さに乾式食刻する段階と、乾式食刻されたシリコン基板に、所定の補償パターンを有する湿式食刻用マスクを使用して、湿式食刻し、光源スタンド前方にミラー面及び底面を形成する段階とを含み、光検出器が形成された基板表面と光源スタンドとは、第1傾斜面によって連結され、光源スタンドと底面とは、第2傾斜面によって連結されることを特徴とする光学ベンチ形成方法が提供される。
本発明の光学ベンチ形成方法では、形成される光学ベンチは、例えば、レーザーダイオードなどの光源を装着するための光源スタンドと光検出器が形成される面との間が、第1傾斜面により形成される。このため、第1傾斜面に沿って金属配線を形成しても、一回のリソグラフィ工程で切れずに連結できる。
ここで、第1傾斜面とは、例えば、深いトレンチや屈曲を有さない、所定の傾きを有する傾斜面である。
また、本発明の光学ベンチ形成方法では、従来の湿式食刻と乾式食刻とを連続的に使用して光源スタンドを形成する方法に比べて、形成された光学ベンチでは、トレンチを有さない。このため、よりサイズ(例えば、幅)の小さい光学ベンチを形成することが可能となる。
また、本発明の光学ベンチ形成方法では、形成された光学ベンチにおいて、配線(例えば、LD配線)のために必要な長さが短くなり、さらには、配線抵抗を減少させうる。
また、本発明の光学ベンチ形成方法では、形成された光学ベンチは、光源スタンドの周辺に深いトレンチを有さず、滑らかに連結した構造を有するので、後工程で発生しうる問題点を除去できて工程の再現性及び量産性を大きく向上させる効果がある。
本発明のさらに他の類型によれば、光ディスクに情報を記録または再生するための光ピックアップにおいて、光を発生させる光源と、光を受光するための光検出器と、光を光ディスクに入射するための光学素子と、前記光源と前記光検出器とを配置するための光学ベンチであって、光源を装着するための光源スタンド、光を光学素子に反射させるために光源スタンドの前方に形成されたミラー面、及び光源スタンドとミラー面との間に形成される底面、を有する光学ベンチと、光学ベンチの一面に結合され、多数の支持手段側ボンディングパッドを具備する支持手段と、支持手段を挟んで光学ベンチと対向するように配置される、あるいは前記光学ベンチを挟んで前記支持手段と対向するように配置される放熱手段と、を含み、光検出器が形成される面と光源スタンドとは、第1傾斜面によって連結され、光源スタンドと底面とは、第2傾斜面によって連結されることを特徴とする光ピックアップが提供される。
本発明の光ピックアップでは、上記した光学ベンチの効果と同様の効果を得ることができる。
一度のリソグラフィ工程によって、光学ベンチとシリコン基板の表面との間の金属配線を滑らかに連結できる光学ベンチの構造及びこれを使用した光ピックアップ及び光学ベンチの製造方法を提供することが可能となる。
以下、添付された図面を参照しながら本発明に係る光学ベンチ、これを採用した薄型光ピックアップ及びその製造方法に関する望ましい実施形態を詳細に説明する。以下の図面で同じ参照符号は同じ構成要素を示す。
図3A及び図3Bは、本発明の望ましい実施形態に係る薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチを製造する方法を説明するための斜視図及び断面図である。
図3A及び図3Bに図示したように、本発明の望ましい実施形態に係る光学ベンチ100は、多重分割光検出器及びモニタリングフォトダイオードが形成されたシリコン基板112上に、光源スタンド120とミラー面124と底面130とを備えている。また、光検出器が形成される面(図1における上面)と光源スタンド120とは、傾斜面126によって連結され、光源スタンド120と底面130とは、第2傾斜面131によって連結される。本発明の望ましい実施形態によれば、ミラー面124は、9.74゜傾いたSi{100}シリコンウェハーを用いて湿式食刻することによって自然に形成された45゜傾斜のSi{111}結晶面である。すなわち、一般的なSi{100}結晶面を異方性湿式食刻すれば、傾斜面の角度が54.74°になる。そこで、45°の傾斜面を得るために、9.74゜傾いたSi{100}シリコンウェハーを用いている。
本発明の望ましい実施形態を説明するための図3A及び図3Bでは、説明を簡単にするために多重分割光検出器及びモニタリングフォトダイオードを図示しない。これについては、後で薄型光ピックアップを説明するための図7で詳細に説明する。また、図3A及び図3Bでは、光源スタンド120上のレーザーダイオードのための金属電極配線114が、ミラー面124方向を基準に光源スタンド120の左右にある傾斜面に沿って形成された様子を図示している。金属電極配線114の、光検出器が形成される面と同じ面上の一端には、外部と電気的に連結するためのボンディングパッド122が形成される。さらに、金属電極配線114の、光源スタンド120上の他端には、光源を接続するためのソルダーバンパー116が形成される。これにより、光源スタンド120上に形成される光源の電極とボンディングパッドとは、金属電極配線114を介して電気的に連結される。
なお、この金属電極配線114は、光源スタンド120のミラー面124方向を除いた光源スタンド120の三面のいかなる傾斜面126に沿っても形成されうる。また、シリコン基板112表面での多重分割光検出器とボンドパッドとのレイアウトも設計によって多少の差はありうる。
図4A〜図4Fは、本発明の望ましい実施形態に係る薄型光ピックアップ用の光学ベンチを製造する方法を説明するための一連の断面図である。左側に図示した図面は図3Aでの線A−A’による断面図であり、右側に図示した図面は図3Aでの線B−B’による断面図である。
まず、図4Aに図示したように、9.74゜傾いたSi{100}結晶面を有するシリコン基板112を準備する。
次いで、図4Bに図示したように、光源スタンド120をシリコン基板112の表面と平行に形成するために乾式食刻用マスク113をシリコン基板112上に形成する。このマスク113は、フォトレジストでできており、リソグラフィ工程により形成される。続けて、図4Cに図示したように、このシリコン基板112をRIEなどの方法を利用して乾式食刻して光源スタンド領域115を形成する。
次の段階で、図4Dに図示したように、湿式食刻保護マスク117を乾式食刻されたシリコン基板112上に形成する。本発明の望ましい実施形態に係る湿式食刻保護マスク117は、図5A〜図6Bで詳細に説明される。
その後、図4Eに図示したように、乾式食刻されたシリコン基板112を湿式食刻すれば、シリコン基板112上に自然にミラー面124及び光学スタンド120及び傾斜面126,126’が形成される。
次の段階で、図4Fに図示したように、湿式食刻されたシリコン基板112上に絶縁層118を形成した後、この絶縁層118上に、金属電極配線114及びレーザーダイオードをフリップチップボンディングするためのソルダーバンパー116を順次形成する。
図5A及び図5Bは、本発明の望ましい他の実施形態に係る光学ベンチ100を製造するためのフォトマスクを示す図面であり、シリコン基板の形状、この基板上に形成された湿式食刻保護膜の形状、及び基板に乾式食刻工程を実施した後にこの保護膜を形成するための角補償パターンの形状を示す図面である。角補償パターンは、角部分に湿式食刻液が侵入して食刻されることを防止するための保護障壁としての役割を果たす。
図5A及び図5Bに図示したように、200は、シリコン基板112の乾式食刻によって食刻された領域を示し、202は、湿式食刻によって食刻される領域を示す。
212は、45゜傾斜したSi{111}ミラー面が形成される領域を示しており、214は、ミラー面に対向して、基板表面に対して64.48゜の角度を有する傾斜面が形成される所である。ミラー面の左右の傾斜面は、基板の表面に対し55.6゜の角度を有する。したがって、湿式食刻により形成される傾斜面の線と乾式食刻された傾斜面の線とが一致するように、食刻深さdと湿式食刻幅w,w’とは一定の関係を有する。
図5Aにおいて、シリコン基板が{100}結晶面を有しており、9.74゜の傾きを有するシリコンウェハーであり、領域212が45゜傾斜したSi{111}ミラー面が形成される領域である場合、湿式食刻される領域202に示された湿式食刻幅w,w’と乾式食刻深さdとの関係は、以下の(数1)によって決定される。
Figure 2005223333
ここで、yがwである時にθ=55.6゜であり、yがw’である時にθ=64.48゜である。
図5Bは、湿式食刻保護フォトマスクパターンの望ましい一実施形態を示す。204及び208は、湿式食刻保護膜が残っている領域である。208の歯車の模様にジグザグになった線は、湿式食刻によるSi{111}結晶面の形成が始まることを防止するためのもので、この部分は直線でない形状として多様に設計しうる。
図6A及び図6Bは、本発明の望ましい他の実施形態に係る光学ベンチを製造するために用いられるフォトマスクパターンを示す図面である。フォトマスクは、乾式食刻されたシリコン基板の一部を覆うものであり、シリコン基板に形成された湿式食刻保護膜の形状と、湿式食刻保護膜を形成するために用いられ、角部分を保護するための補償パターンの形状との輪郭を示すものである。
300は、乾式食刻された領域であり、302は、湿式食刻される領域であり、312は、ミラー面が形成される部分であり、314は、ミラー反対面が形成される部分である。湿式食刻幅w,w’と乾式食刻深さdとの関係は、同様に(数1)によって決まる。図5A及び図5Bとの差異点は、湿式食刻保護膜パターンが乾式食刻面に形成されないことである。この場合、ミラー側の乾式食刻辺は湿式食刻による第2傾斜面が始まる線として作用する。乾式食刻が正しく行われ、その食刻辺が湿式食刻によるSi{111}の傾斜面が始まる食刻停止線として作用するならば、図5に示すように段差がある乾式食刻断面にパターンを形成しなくても良いために、リソグラフィ工程が非常に有利になる。
たとえ本発明の望ましい実施形態として湿式食刻保護膜パターンのためのフォトマスクの形状を歯車の模様に具現するとしたが、Si{111}断面の形成を防止することができるならば歯車以外にも多様な形状に具現されてもよい。フォトマスクは、乾式食刻領域200,300より大きくしてもよく、湿式食刻される領域202,302に置かれる。
図7は、本発明の望ましい実施形態に係る光学ベンチを利用した薄型光ピックアップを説明するための斜視図であり、図8は、図7に図示した薄型光ピックアップを説明するための断面図である。
図7及び図8に図示したように、薄型光ピックアップ500は、レーザーダイオードなどの光源512、モニタリングフォトダイオード534、傾斜ミラー514及び多重分割光検出器538を具備するSiOB530と、偏光ビーム分離器516と、第1及び第2反射面513,518を具備するプリズム素子519と、ホログラム光学素子(HOE;Hologram Optical Element)520と、SiOB530の背面の所定部分にHOE520と対向するように付着された対物レンズ526と、SiOB530の背面に付着された板スプリング540と、板スプリング540の一側に形成された放熱板550とを有する。
この構造では、9.74゜傾いた{100}結晶面のシリコンウェハーからなる基板本体532上に多重分割光検出器538及びモニタリングフォトダイオード534を形成した後、乾式食刻と湿式食刻とを行ってレーザーダイオードのような光源512が置かれる光源スタンドとSi{111}結晶面からなる傾斜ミラー514とを形成する。
本発明の望ましい実施形態に係るレーザーダイオードなどの光源512は、光源スタンド上にフリップチップボンドで接合される。そして、多重分割フォトダイオードからなる多重分割光検出器538及びレーザーダイオード配線のための金属電極配線536は、SiOB530上のそれぞれのボンドパッド533で繋がっている。
板スプリング540は、SUS(Stainless Steel)であり、これに結合されたモーターと共にヘッドを制御するのに使われ、SiOB530の背面に接合される。板スプリング540の上面(SiOB側の面)にはボンドパッド544が形成され、SiOB530のボンドパッド533とワイヤーボンディングされる。このように連結された配線は、SiOB530上に形成された金属電極配線536に沿って外部と電気的に連結される。
SiOB530上には、モニタリングフォトダイオード534の前方にモニタリングミラー511が形成される第2スペーサ517と、多重分割光検出器538の周辺に装着される第1スペーサ515とが接合される。
両端に第1及び第2反射面513,518が各々形成され、中央に偏光ビーム分離器516が形成されたプリズム素子519は、第1及び第2スペーサ515,517上に装着される。この時、HOE520は、プリズム素子519の第1反射面513側とSiOB530との間に配置される。HOE520の反対側のSiOB530上には対物レンズ526が接合される。
板スプリング540の、SiOB530が配置される面とは反対面には、放熱板550が接合される。本発明の望ましい実施形態では、放熱板550とSiOB530との間に板スプリング540が結合された構造を有する薄型光ピックアップ500を例として説明したが、板スプリングがSiOBの上面(放熱板550とは反対側の面)に結合される構造にも適用しうる。
以下で、本発明の望ましい実施形態に係る薄型光ピックアップ500の動作原理を説明する。
まず、光源512から放出されたレーザービームが傾斜ミラー514に入射されて基板と垂直の方向に全反射される。この時、放射角が大きいレーザービームは、傾斜ミラー514に入射されず、モニタリングフォトダイオード534の前方に設置されたモニタリングミラー511により反射されてモニタリングフォトダイオード534に受光されることで、光源512の光量をモニタリングするのに使われる。
SiOB530の傾斜ミラー514により垂直に反射された光は、プリズム素子519の偏光ビーム分離器516に反射された後、第1反射面513によってHOE520に入射される。HOE520に入射されたレーザービームは、HOE520を通過した後、対物レンズ526によって光ディスクD上の一点に集束される。
一方、光ディスクDで反射されたレーザービームは、HOE520によって3本のビーム(0次と1次)に分かれてプリズム素子519の第1反射面513によって反射された後、偏光ビーム分離器516に入射される。偏光ビーム分離器516に入射されたレーザービームは、偏光ビーム分離器516を通過した後、第2反射面518によって多重分割光検出器538に受光される。受光されたレーザービームは、多重分割光検出器538によって電気信号に変換され、トラックキングエラー、フォーカシングエラー、RF信号を得るのに使われる。
前記のように構成された本発明の望ましい実施形態によれば、レーザーダイオードなどの光源を装着するための光源スタンドとSiOB表面との間が、深いトレンチや屈曲ない一つの傾きを有する傾斜面により連結されるので、金属配線を形成するのに一回のリソグラフィ工程で切れずに連結しうる利点がある。
さらに、本発明の望ましい実施形態によれば、従来の湿式食刻と乾式食刻とを連続的に使用して光源スタンドを形成する方法に比べて、光源トレンチがなくなる分、SiOBの幅をより小さくしうる利点がある。これはモバイル分野のようにモーターの駆動性能を最小限の電力で効率的にする必要がある分野では非常に重要な利点になる。
さらに、LD配線のための必要長さが短くなるため、配線抵抗を減少させうる。これも熱問題と消耗電力の面で、特に青色DVDピックアップの場合には非常に大きい利点になる。
さらに、本発明の望ましい実施形態によれば、レーザーダイオードなどの光源を装着するための光源スタンドの周辺に深いトレンチをなくして滑らかに連結した構造を有するので、後工程で発生しうる問題点を除去できて工程の再現性及び量産性を大きく向上させうる効果がある。
本発明は、図面に図示された実施形態を参考に説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当該分野の当業者であれば、これより多様な変形及び均等な他実施形態への変形が可能である。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、詳細な説明の範囲内に決まるのではなく特許請求範囲で決まらなければならない。
本発明は、PDA、携帯電話、デジタルカメラ、ビデオカメラなどのような携帯用情報機器の光ピックアップ装置に適用できる。
従来の薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチを説明するための斜視図である。 従来の薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチを説明するための断面図である。 従来の薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチに金属配線を形成するために湿式食刻を行う場合に発生する問題点を説明するための断面図である。 従来の薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチに金属配線を形成するため、リフト−オフ工程を行う場合に発生する問題点を説明するための断面図である。 本発明の望ましい実施形態に係る薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチを製造する方法を説明するための斜視図である。 本発明の望ましい実施形態に係る薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチを製造する方法を説明するための断面図である。 本発明の望ましい実施形態に係る薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチを製造する方法を説明するための断面図を図示する。 本発明の望ましい実施形態に係る薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチを製造する方法を説明するための断面図を図示する。 本発明の望ましい実施形態に係る薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチを製造する方法を説明するための断面図を図示する。 本発明の望ましい実施形態に係る薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチを製造する方法を説明するための断面図を図示する。 本発明の望ましい実施形態に係る薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチを製造する方法を説明するための断面図を図示する。 本発明の望ましい実施形態に係る薄型光ピックアップに用いられる光学ベンチを製造する方法を説明するための断面図を図示する。 本発明の望ましい他の実施形態に係る光学ベンチを製造するために乾式食刻工程を行なった後に形成される湿式食刻保護層の形状、及びこの湿式食刻保護層を作るために使われた角部分保護のための補償パターンを有するフォトマスクパターンの一例を説明するための図面である。 本発明の望ましい他の実施形態に係る光学ベンチを製造するために乾式食刻工程を行なった後に形成される湿式食刻保護層の形状、及びこの湿式食刻保護層を作るために使われた角部分保護のための補償パターンを有するフォトマスクパターンの一例を説明するための図面である。 本発明の望ましい他の実施形態に係る光学ベンチを製造するため、乾式食刻工程を行なった後に形成される湿式食刻保護層の形状、及びこの保護層を作るために使われた角部分保護のための補償パターンを有するフォトマスクパターンの図面である。 本発明の望ましい他の実施形態に係る光学ベンチを製造するため、乾式食刻工程を行なった後に形成される湿式食刻保護層の形状、及びこの保護層を作るために使われた角部分保護のための補償パターンを有するフォトマスクパターンの図面である。 本発明の望ましい実施形態に係る光学ベンチを利用した薄型光ピックアップを説明するための斜視図である。 図7に図示した本発明の望ましい実施形態に係る薄型光ピックアップを説明するための断面図である。
符号の説明
100 光学ベンチ
112 シリコン基板
114 金属電極配線
116 ソルダーバンパー
118 絶縁層
120 光源スタンド
122 ボンディングパッド
124 ミラー面
126 傾斜面

Claims (19)

  1. 光ディスクに情報を記録または再生するために光を発生させる光源及び前記光を受光する光検出器を配置するための光学ベンチにおいて、
    前記光源を装着するための光源スタンドと、
    前記光源スタンドの前方に形成されるミラー面と、
    前記光源スタンドと前記ミラー面との間に形成される底面とを含み、
    前記光検出器が形成される面と前記光源スタンドとは、第1傾斜面によって連結され、前記光源スタンドと前記底面とは、第2傾斜面によって連結される、
    ことを特徴とする光学ベンチ。
  2. 前記光学ベンチは、実質的に9.74゜傾いたSi{100}結晶面を有するシリコンウェハーを使用して形成される、
    ことを特徴とする請求項1に記載の光学ベンチ。
  3. 前記ミラー面は、45゜傾いたSi{111}結晶面を有するシリコンウェハーを使用して形成される、
    ことを特徴とする請求項2に記載の光学ベンチ。
  4. 外部と電気的に連結するために、前記光検出器が形成される面と同じ面に形成される多数のボンディングパッドをさらに含む、
    ことを特徴とする請求項1に記載の光学ベンチ。
  5. 前記光源スタンド上に形成される前記光源の電極と前記ボンディングパッドとを電気的に連結するためのメタルラインが前記第1傾斜面に沿って形成された、
    ことを特徴とする請求項4に記載の光学ベンチ。
  6. 前記ミラー方向を除いた前記光源スタンドの他の三辺は、屈曲のない一定の傾きを有する傾斜面を介して前記光検出器が形成される基板表面と連結される、
    ことを特徴とする請求項1に記載の光学ベンチ。
  7. 基板表面に光検出器が配置されるシリコン基板に光源を装着するための光源スタンドを形成するため、シリコン基板の領域を第1深さに乾式食刻する段階と、
    前記乾式食刻されたシリコン基板を所定の補償パターンを有する湿式食刻用マスクを使用して湿式食刻し、前記光源スタンド前方にミラー面及び底面を形成する段階とを含み、
    前記光検出器が形成される前記基板表面と前記光源スタンドとは、第1傾斜面によって連結され、前記光源スタンドと前記底面とは、第2傾斜面によって連結される、
    ことを特徴とする光学ベンチ形成方法。
  8. 前記シリコン基板は、実質的に9.74゜傾いたSi{100}結晶面を有するシリコンウェハーを使用して形成される、
    ことを特徴とする請求項7に記載の光学ベンチ形成方法。
  9. 前記ミラー面は、45゜傾いたSi{111}結晶面を有するシリコンウェハーを使用して形成される、
    ことを特徴とする請求項8に記載の光学ベンチ形成方法。
  10. 外部と電気的に連結するために、前記光検出器が形成される面と同じ面に形成される多数のボンディングパッドをさらに含む、
    ことを特徴とする請求項7に記載の光学ベンチ形成方法。
  11. 前記光源スタンド上に形成される前記光源の電極と前記ボンディングパッドとを電気的に連結するためのメタルラインが、前記第1傾斜面に沿って形成された、
    ことを特徴とする請求項10に記載の光学ベンチ形成方法。
  12. 前記ミラー方向を除いた前記光源スタンドの他の三辺は、屈曲のない一定の傾きを有する傾斜面を介して前記光検出器が形成された前記基板表面と連結される、
    ことを特徴とする請求項7に記載の光学ベンチ形成方法。
  13. 光ディスクに情報を記録または再生するための光ピックアップにおいて、
    光を発生させる光源と、
    前記光を前記光ディスクに入射するための光学素子と、
    前記光を受光する光検出器と、
    前記光源と前記光検出器とを配置するための光学ベンチであって、前記光源を装着するための光源スタンドと、前記光を前記光学素子に反射させるために前記光源スタンドの前方に形成されるミラー面と、前記光源スタンドと前記ミラー面との間に形成される底面とを有する光学ベンチと、
    前記光学ベンチの一面に結合され、多数の支持手段側ボンディングパッドを具備する支持手段と、
    前記支持手段を挟んで前記光学ベンチと対向するように配置される、あるいは前記光学ベンチを挟んで前記支持手段と対向するように配置される放熱手段と、
    前記光検出器が形成される面と前記光源スタンドとは、第1傾斜面によって連結され、前記光源スタンドと前記底面とは、第2傾斜面によって連結される、
    ことを特徴とする光ピックアップ。
  14. 前記光学ベンチは、実質的に9.74゜傾いたSi{100}結晶面を有するシリコンウェハーを使用して形成される、
    ことを特徴とする請求項13に記載の光ピックアップ。
  15. 前記ミラー面は、45゜傾いたSi{111}結晶面を有するシリコンウェハーを使用して形成される、
    ことを特徴とする請求項13に記載の光ピックアップ。
  16. 前記光学ベンチは、外部と電気的に連結するために、前記光検出器が形成される面と同じ面に形成される多数のボンディングパッドをさらに含む、
    ことを特徴とする請求項13に記載の光ピックアップ。
  17. 前記光源スタンド上に形成される前記光源の電極と前記ボンディングパッドとを電気的に連結するためのメタルラインが、前記第1傾斜面に沿って形成された、
    ことを特徴とする請求項16に記載の光ピックアップ。
  18. 第1及び第2反射面と偏光ビーム分離器とを具備し、前記光検出器に対向するように配置される偏光素子と、
    前記光学ベンチと前記偏光素子との間に配置されるスペーサと、
    ホログラム光学素子と、
    対物レンズと、
    をさらに含むことを特徴とする請求項13に記載の光ピックアップ。
  19. 前記ミラー方向を除いた前記光源スタンドの他の三辺は、屈曲のない一定の傾きを有する傾斜面を介して前記光検出器が形成される基板表面と連結される、
    ことを特徴とする請求項13に記載の光ピックアップ。

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