JPH08249715A

JPH08249715A - 光学デバイスとその製造方法及び光ピックアップ

Info

Publication number: JPH08249715A
Application number: JP7048448A
Authority: JP
Inventors: Tatsuo Ito; 達男伊藤; Teruhiro Shiono; 照弘塩野
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1995-03-08
Filing date: 1995-03-08
Publication date: 1996-09-27

Abstract

(57)【要約】【目的】光ディスク等の信号の記録・再生に用いられ
る光学デバイスにおいて半導体レーザや光検出器のリー
ド線の取り出しを基板裏面から行えるようにして組立・
調整や封止を容易にすると共に、基板裏面をエッチング
することで、放熱面積を拡大し、高出力半導体レーザを
用いることができるようにする。【構成】シリコン基板１１３に穴１１５を形成し、一
つの側面に半導体レーザ１０１を設け、穴１１５に対向
する面から異方性エッチングで貫通穴１１８を形成し、
貫通穴１１８に充填した導電性物質と半導体レーザ１０
１の一方の電極とをワイヤ１２０で接続して、シリコン
基板１１３の裏面側から半導体レーザ１０１のリード線
の取り出しを可能にする。またシリコン基板１１３の裏
面にエッチングしてエッチング穴１２３を設け、表面積
を拡大し放熱効果を増大させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ジグザグ光路を用いた
平板形の光学デバイス及び光ピックアップに関するもの
であり、特に半導体レーザのリード線の取り出しが容易
で、放熱効果が大きい光学デバイスとその光学デバイス
を用いた光ピックアップに関する。

【０００２】

【従来の技術】平板形の集積化光学デバイス（平板形光
集積回路）は、ガラス等の透明な平板（基板）上に光学
素子を集積化し、光路を各光学素子を結ぶように平板界
面の反射を利用してジグザグにとり、光情報処理を行な
うものである。この回路構成によれば、光応用システム
の小形・安定・軽量化が実現できるものとして注目され
ている。従来の平板形光集積回路方式を用いた光学デバ
イスとして、図５に示すものがあった（特開平６ー２５
９８００号公報（特願平５−４４８３３号））。図５
（ａ）は、従来の光学デバイスの基本構成と、光の伝
搬、集光の様子を示す断面図および（ｂ）は同平面図で
あり、図６（ａ）（ｂ）は、同じく従来の光学デバイス
のシリコン基板の形状を示す断面図と平面図である。こ
の従来例の光学デバイスは、コンパクトディスク（Ｃ
Ｄ）や光ディスク、光カードメモリ等の光学的記録素子
の信号を読み出す光学ヘッドの例である。

【０００３】図５において、透明基板２の表面（光ディ
スクがある側）と裏面には、反射層１１ａと１１ｂを形
成している。この透明基板２が、表面と裏面の反射を利
用しジグザグ状に光が伝搬する光伝搬路となっている。
透明基板２の裏面左部には、面方位が（１００）のシリ
コン基板１３を一体化している。

【０００４】図６に示すように、シリコン基板１３は表
面に光検出器６、電極パッド１４、電極線１７をそれぞ
れ形成し、その右側に、逆ピラミッド状の穴１５を異方
性エッチングにより形成し、その穴１５の側面のうちの
１つの斜め方向側面に、半導体レーザ１を設置してい
る。このシリコン基板１３を、穴１５の形成した面を透
明基板２に対向させ、穴１５を密閉するように透明基板
２に接着し、一体化した構造をしている。穴１５の形成
は、シリコン基板１３に例えばレジストで全面マスク
し、その後穴１５のサイズに相当する分だけ、マスクを
開け、異方性エッチングを行ない、θ₁＝３５.２６゜の
斜めの角度を形成してある。

【０００５】このように設置した、例えば波長０.７８
μmの半導体レーザ１の表面出射端から、光軸の角度が
ｚ軸から例えばθ₁＝３５.２６゜斜め方向に出射された
光は、空中を通過して透明基板２に入射し、界面で屈折
して、光軸の角度が、例えば、θ＝２２.５° の伝搬光
８となり、反射形コリメータレンズ３に入射し、光軸の
角度（伝搬角θ）はそのまま（例えば２２.５゜）で反
射・コリメートされる。コリメートされた光は、ジグザ
グ状に伝搬し、同じく透明基板２上に設けた反射形ツイ
ンレンズ５を経由し、その透過光（０次回折光）が、光
集光素子である透過形対物レンズ４により、垂直方向に
集光出力され光ディスク７への出射光９となる。光ディ
スク７から反射された光１０は、同じく透過形対物レン
ズ４に入射してコリメートされて伝搬光８’となり、ジ
グザグ状に伝搬して、透明基板２上に形成した位置信号
検出素子（フォーカス／トラック誤差信号検出素子）で
ある反射形ツインレンズ５に入射する。反射形ツインレ
ンズ５は、放物線状のグレーティングから構成された同
じ仕様を有する反射形レンズ５ａ、５ｂを２つアレイ状
に配列した構造を有し、伝搬光８’はこのレンズ５によ
り１次回折光が２分割されて、光軸の伝搬角が例えば３
２°でジグザグ状に伝搬し、光検出器６に集光する。光
検出器６から検出された信号により、再生信号及び位置
信号であるフォーカス誤差信号とトラック誤差信号が読
み出しされるものである。

【０００６】また、半導体集積回路に貫通穴を異方性エ
ッチングにより加工する方法は、特開昭６２−９６３６
号公報に開示された方法として、半導体集積回路の一部
をなす高濃度不純物層の直下に裏面側からエッチング穴
を開ける方法がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示した従来の光学ヘッドでは、半導体レーザ１は透明基
板２と、穴１５により密閉されてしまうため、電気的接
続を行うためのリード線の取り出しが困難であるという
課題があり、また半導体レーザの放熱も不十分であると
いう課題を有していた。また、特開昭６２−９６３６号
公報に開示された方法では、貫通穴のエッチングストッ
パとして高濃度不純物層を用いるためにイオン注入装置
や不純物拡散装置等の大がかりな設備が必要であるとい
う問題点があった。

【０００８】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
で、簡便な加工手段により半導体レーザのリード線の取
り出しを容易にすることができ、また放熱効果を大きく
してヒートシンクとなるシリコン基板の小型化が可能と
なり、また高出力の半導体レーザを用いることのできる
光デバイスを提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に第一の発明は、基板と、基板の一方の面に設けられた
凹部と、前記凹部内に設けられた半導体レーザと、前記
凹部に対向する、基板のもう一方の面から前記凹部まで
貫通する貫通穴と、前記貫通穴に充填される導電性物質
と、前記凹部内で前記半導体レーザと前記導電性物質と
を接続する手段を備えた構成である。

【００１０】また、第二の発明は、シリコン基板と、前
記シリコン基板の一方の面に設けられた凹部と、前記凹
部内に設けられた半導体レーザと、前記凹部に対向す
る、前記シリコン基板のもう一方の面に２次元的に配列
されたエッチング穴とを備えた構成である。

【００１１】また、第三の発明は第一の発明または第二
の発明を実現するためにシリコン基板の一方の面に設け
られた凹部と、他方の面に設けられた貫通穴と、または
２次元的に配列されたエッチング穴とを異方性エッチン
グにより加工する工程からなる第一の発明の光デバイス
の製造方法である。

【００１２】また、第四の発明は、透明基板と、前記透
明基板の表面または裏面の少なくとも一方に形成した複
数個の光学素子と、光検出器と、第一の発明の光デバイ
スとから成る。

【００１３】

【作用】第一の発明の作用は、基板に設けられた凹部に
半導体レーザを設け、前記凹部に対して基板の対向面か
ら貫通穴をあけて、前記貫通穴に導電性物質を充填し、
前記凹部内で半導体レーザと導電性物質を例えば金線等
でワイヤーボンディングすることにより、基板の半導体
レーザに対向する面からリード線を取り出すことができ
るものである。

【００１４】第二の発明の作用は、半導体レーザが設置
されるシリコン基板の一方の面にエッチングにより凹凸
を設け表面積を大きくすることにより放熱効果を高める
ものである。

【００１５】第三の発明の作用は、シリコン基板の表・
裏面を例えば水酸化カリウム水溶液等のアルカリ性エッ
チング液に不溶のマスク材（例えばシリコン窒化膜）で
被膜し、その後、半導体レーザを設置する凹部と貫通穴
と、または２次元的に配列されたエッチング穴の必要な
部分だけをマスク材を除去した後に、上述したアルカリ
性エッチング液により、シリコン基板をエッチングする
ことにより、上記凹部と貫通穴と、または２次元的に配
列されたエッチング穴を形成するものである。

【００１６】第四の発明の作用は、集光機能やビーム分
割機能をもつ光学素子を形成した透明基板に第一の発明
の光学デバイスから出射したレーザ光を伝搬させること
により、半導体レーザのリード線の取り出しが容易で、
組立が容易な光ピックアップが得られるものである。

【００１７】

【実施例】

（実施例１）以下本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。図１は、本発明の第一の実施例の
光学デバイスの基本構成と、光の伝搬、集光の様子を示
す断面図（ａ）および平面図（ｂ）であり、図２は、同
じく本発明の第一の実施例の光学デバイスのシリコン基
板の形状を示す断面図（ａ）と平面図（ｂ）である。本
発明の第一の実施例の光学デバイスは、コンパクトディ
スク（ＣＤ）や光ディスク、光カードメモリ等の光学的
記録素子の信号を読み出す光ピックアップの例である。

【００１８】図１、図２において、１０１は半導体レー
ザであり、１０２は透明基板、１０３は反射形コリメー
タレンズ、１０４は透過形対物レンズ、１０５は反射形
ツインレンズ、１０６は光検出器、１０７は光ディス
ク、１０８は伝搬光、１０９は出射光、１１０は反射
光、１１１は反射層、１１３はシリコン基板、１１４は
電極パッド、１１７は電極線であり、以上の構成と構成
要素間の関係は基本的に従来例で述べたものと同じであ
る。透明基板１０２として、例えば厚さ（ｚ方向サイ
ズ）３ｍｍ、幅（ｘ方向サイズ）５ｍｍ、長さ（ｙ方向
サイズ）１０ｍｍの、例えばＢＫ７のガラスを用い、透
明基板１０２の表面（光ディスクがある側）と裏面に、
例えばＡｇやＡｌ、Ａｕ等の金属層または誘電体の多層
膜である反射層１１１ａと１１１ｂを形成している。こ
の透明基板１０２が、表面と裏面の反射を利用しジグザ
グ状に光が伝搬する光伝搬路となっている。透明基板１
０２としては、使用波長に対して透明であれば良い。特
に、石英やＢＫ７等のガラス基板は、温度的にも安定で
ある。

【００１９】透明基板１０２の裏面左部には、例えば厚
さが６００μｍ、幅５ｍｍ、長さ３ｍｍのシリコン基板
１１３を、例えば、陽極接合や紫外線硬化樹脂または熱
硬化樹脂等により一体化している。陽極接合の場合に
は、透明基板１０２とシリコン基板１１３を窒素雰囲気
中で、所定の位置に密着させ透明基板１０２を陰極側、
シリコン基板１１３を陽極側として約２００Ｖの電圧を
印加すると共に、全体を約３００℃に加熱することによ
り接合できた。図２に示すように、シリコン基板１１３
の透明基板１０２との対向面には、２分割の光検出器が
２組（１０６ａと１０６ｂ、１０６ｃと１０６ｄ）形成
してあり、光検出器１０６からの信号を電極線１１７を
介して取り出す電極パッド１１４をシリコン基板１１３
表面に形成している。

【００２０】このように構成すれば、シリコン基板１１
３の光検出器１０６の信号の取り出しが容易になり、こ
の電極パッド１１４から光ディスク１０７の再生信号
や、フォーカス／トラッキング誤差信号を取り出すこと
ができる。また、このシリコン基板１１３上に、光検出
器１０６からの信号を処理できる演算回路をさらに形成
することにより、外部回路を減らし一層コンパクトにす
ることもできる。

【００２１】次に本発明の特徴を図２を用いて説明す
る。図２において図１と同一物については同一番号を賦
し説明を省略する。穴１１５には、窒素ガス等の不活性
ガスを封入して半導体レーザ１０１の温度上昇による酸
化を防止している。１１４ａ〜ｄは電極パッドであり、
それぞれ電極線１１７ａ〜ｄに接続されている。１１８
は貫通穴であり、中には図示しない導電性ポリイミド、
導電性エポキシ、導電性ペースト等の導電性物質が充填
されている。１１９も貫通穴であり、一方の開口部がそ
れぞれ電極パッド１１４ａ〜ｄに接触するように４個設
けてあり、貫通穴１１８と同様に導電性物質が充填され
ている。１２０はワイヤであり、半導体レーザ１０１の
一方の電極と貫通穴１１８に充填された導電性物質とを
電気的に接続するものである。１２１は絶縁層であり、
シリコン基板１１３と導電性物質との絶縁を保持する。

【００２２】次に図３を用いて、シリコン基板１１３の
加工方法について詳述する。図３はシリコン基板の異方
性エッチング穴を示す図である。図中、１１３はシリコ
ン基板、１１５は穴、１１８は貫通穴であって以上は図
２で説明したものと同一である。１２２はエッチングマ
スクであって、例えば、減圧ＣＶＤ法により成膜したシ
リコン窒化膜である。エッチングマスク１２２にはエッ
チングすべき箇所に所定の大きさの矩形開口を、例えば
ドライエッチングにより設けてあり、図３ではその一辺
の大きさをそれぞれａ、ｂとしている。シリコン基板を
水酸化カリウム水溶液や、エチレンジアミンピロカテコ
ール（ＥＤＰ）、ヒドラジン等のアルカリ溶液でエッチ
ングすると（１００）面のエッチング速度が速く、（１
１１）面のエッチング速度は非常に遅いのでエッチング
穴は側面が（１１１）面で囲まれた四角錐の形状になる
ことが知られている（例えば、シリコンアズアメ
カニカルマテリアル（Ｋ．Ｅ．ピーターセンＰｒｏ
ｃ．ｏｆｔｈｅＩＥＥＥ７０巻５号ｐ４２０
〜１９８２））。

【００２３】図３において、穴１１５と貫通穴１１８の
側面は（１１１）面であり、（１１１）面どうしがなす
角θ３は常に７０．５２゜である。穴１１５と貫通穴１
１８とが丁度穴の頂点で接するときの条件はシリコン基
板の厚みをｔとして以下のようにして求められる。 θ１＋θ２＝１８０゜−θ３＝１０９．４８゜ｔ１／ａ１＝ｔａｎθ１ｔ１／ａ２＝ｔａｎθ２＝ｔａｎ（１０９．４８゜−θ
１）＝ｃｏｔ（θ１−１９．４８゜）三角形の相似によりｂ１＝ａ１×（ｔ−ｔ１）／ｔ１ｂ２＝ａ２×（ｔ−ｔ１）／ｔ１ａ＝ａ１＋ａ２、ｂ＝ｂ１＋ｂ２だからａ＋ｂ＝ｔ×（１／ｔａｎθ１＋ｔａｎ（θ１−１９．
４８゜））従って、穴１１５と貫通穴１１８とが面で接するために
はａ＋ｂ＞ｔ×（１／ｔａｎθ１＋ｔａｎ（θ１−１９．
４８゜））であれば良いことが判る。

【００２４】以上の考察に基づいて、本実施例ではｔ＝
６００μｍの（１００）面のシリコン基板を用い、θ１
＝５４．７４゜となるので、ａ＝２ｍｍ、ｂ＝０．４ｍ
ｍとした。エッチングをする際、シリコン基板１１３の
表面（光検出器１０６の形成面）と裏面全体を、例え
ば、シリコン窒化膜でマスクし、表面には２ｍｍ×２ｍ
ｍの矩形の開口部を、裏面においては、穴１１５の底面
部分に開口が開くように０．４ｍｍ×０．４ｍｍの矩形
開口部を、例えばドライエッチングによりシリコン窒化
膜にパターニングした後３０．６ｗｔ％水酸化カリウム
水溶液により６時間弱程度エッチングすることにより、
深さ４００μｍ程度の逆台形の穴１１５と深さ２００μ
ｍ程度の貫通穴１１８を同時に形成した。

【００２５】次に表面をワックス等で保護すると共に、
電極パッド１１４ａ〜ｄの直下に開口が開くようにそれ
ぞれ０．９×０．９ｍｍの矩形開口部をシリコン窒化膜
にパターニングして水酸化カリウム水溶液によりエッチ
ングすることにより貫通穴１１９を形成した。その後、
シリコン基板１１３を毎分４０００回転で回転させなが
ら、貫通穴１１８及び貫通穴１１９の表面に、２酸化シ
リコンを有機溶剤に溶かした溶液を回転塗布後、焼成し
て絶縁層１２１を形成した後、導電性ポリイミド等の導
電性物質を充填し、貫通穴１１５に充填した導電性物質
と半導体レーザ１０１の一方の電極とをワイヤボンディ
ングにより、接続した。上記の構成及び製造方法によ
り、半導体レーザ１０１の電力供給や光検出器１０６の
信号の取り出しをシリコン基板１１３の裏面側から行う
ことができた。

【００２６】以上のように本実施例によれば、半導体レ
ーザ１０１を設置するシリコン基板１１３の裏面側から
異方性エッチングにより貫通穴１１８および貫通穴１１
９を設け、導電性物質を充填すると共に前記導電性物質
と、半導体レーザ１０１や光検出器１０６をワイヤ１２
０や電極パッド１１４により接続することにより、シリ
コン基板１１３の裏面側からリード線を取り出すことが
できる。

【００２７】（実施例２）以下本発明の第２の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。本発明の第二の実
施例の光学デバイスも、第一の実施例の光学デバイスと
同じく光学的記録素子の信号を読み出す光学ヘッドの例
である。本発明の第二の実施例の光学デバイスは、シリ
コン基板の構造についてのみ第一の実施例の光学デバイ
スと異なるため、本実施例のシリコン基板についてのみ
説明する。

【００２８】図４は、本発明の第二の実施例の光学デバ
イスのシリコン基板の形状を示す断面図（ａ）と平面図
（ｂ）である。図４において図２と同一物については同
一番号を賦して説明を省略する。１２３はエッチング穴
であってシリコン基板１１３の裏面に２次元的に配列さ
れている。エッチング穴１２３は実施例１の貫通穴と同
時に異方性エッチングにより形成したが、シリコン基板
１１３として面方位が（１００）のシリコン基板を用い
ると四角錐の穴が形成され底面と各側面のなす角度はす
べて５４．７度であった。簡単な幾何学計算により、穴
の全側面と底面の面積比は１．７３であることが判る。
従って２次元的に配列されたエッチング穴１２３を設け
ることにより、シリコン基板１１３の裏面の表面積が増
大して放熱効果が向上するものである。

【００２９】以上のようにシリコン基板１１３の裏面に
２次元的に配列されたエッチング穴１２３を設けること
により、放熱効果が向上し小型のシリコン基板を用いて
も半導体レーザ１０１の温度上昇を抑えることができ
る。

【００３０】尚、第１の実施例において貫通穴１１８と
貫通穴１１９は異方性エッチングにより加工したが、レ
ーザー加工等の他の加工手段で製作することも可能であ
る。また、貫通穴１１８に充填した導電性物質と半導体
レーザ１０１とを直接ワイヤ１２０により接続したが、
ワイヤ１２０と導電性物質の間に配線パターンを介在さ
せることも可能である。また、第１の実施例において
は、（１００）面のシリコン基板を用いたが、（１０
０）面から少し傾けた面を有するシリコン基板を用いて
も構わない。

【００３１】さらに、穴１１５に窒素ガスを封入する代
わりに透明基板１０２と屈折率の近いパーフロロカーボ
ンの不活性の液体を満たせば、透明基板１０２との屈折
率整合性が良くなり、透明基板１０２との界面に於ける
反射率を下げることができるとともに放熱効果も上がる
という利点がある。また、第２の実施例においてエッチ
ング穴１２３を異方性エッチングにより加工したが、等
方性エッチングや他の加工手段によって加工しても良い
ことは言うまでもない。

【００３２】

【発明の効果】以上のように第一の発明によれば、基板
と、基板の一方の面に設けられた凹部と、前記凹部内に
設けられた半導体レーザと、前記凹部に対向する、前記
基板のもう一方の面から前記凹部まで貫通する貫通穴
と、前記貫通穴に充填される導電性物質と、前記凹部内
で前記半導体レーザと前記導電性物質とを接続する手段
を設けることによって、半導体レーザのリード線を基板
裏面より取り出すことができ、光学素子の形成された他
の透明基板との組立・位置合わせの調整や不活性ガスに
よる封止が容易にできる。

【００３３】また、第二の発明によれば、基板の一方の
面にエッチング穴を配することにより表面積を増大し、
半導体レーザの温度上昇を防止できるので、ヒートシン
クとなるシリコン基板の小型化が可能となり、また高出
力の半導体レーザを劣化なく用いることができる。

【００３４】また、第三の発明によれば、異方性エッチ
ングによりシリコン基板に半導体レーザを設置する凹部
と貫通穴と、または２次元的に配列されたエッチング穴
を形成することによって、寸法及び位置精度の良好な加
工を、少ない工程数で行えるという利点がある。

【００３５】第四の発明によれば、透明基板と前記透明
基板の表面または裏面の少なくとも一方に形成した複数
個の光学素子と光検出器と第一の発明の光学デバイスと
を備えることにより、組立・調整が容易で小型・軽量の
光ピックアップを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の第一の実施例における光学デ
バイスの基本構成を示す断面図（ｂ）は同平面図

【図２】（ａ）は同第一の実施例の光学デバイスのシリ
コン基板の形状を示す断面図（ｂ）は同平面図

【図３】同シリコン基板の異方性エッチング穴を示す図

【図４】（ａ）は本発明の第二の実施例のシリコン基板
の形状を示す断面図（ｂ）は同平面図

【図５】（ａ）は従来の光学デバイスの基本構成と、光
の伝搬、集光の様子を示す断面図（ｂ）は同平面図

【図６】（ａ）は従来の光学デバイスのシリコン基板の
形状を示す断面図（ｂ）は同平面図

【符号の説明】

１０１半導体レーザ１０２透明基板１０３反射形コリメータレンズ１０４透過形対物レンズ１０５反射形ツインレンズ１０６光検出器１０７光ディスク１０８伝搬光１０９出射光１１０反射光１１１反射層１１３シリコン基板１１４電極パッド１１５穴１１７電極線１１８貫通穴１１９貫通穴１２０ワイヤ１２２エッチングマスク１２３エッチング穴

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、前記基板の一方の面に設けられた
凹部と、前記凹部内に設けられた半導体レーザと、前記
凹部に対向する、前記基板のもう一方の面から前記凹部
まで貫通する貫通穴と、前記貫通穴に充填される導電性
物質と、前記凹部内で前記半導体レーザと前記導電性物
質とを接続する手段とからなる光学デバイス。
【請求項２】凹部内に設けられた配線パターンと前記配
線パターンまで貫通する貫通穴と前記半導体レーザと前
記配線パターンとを接続する手段を備えたことを特徴と
する請求項１記載の光学デバイス。
【請求項３】シリコン基板と、前記シリコン基板の一方
の面に設けられた凹部と、前記凹部内に設けられた半導
体レーザと、前記凹部に対向する、前記シリコン基板の
もう一方の面に、２次元的に配列されたエッチング穴を
設けたことを特徴とする光学デバイス。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の光学デバ
イスを製造する方法であって、基板としてシリコン基板
を用い、凹部と貫通穴と、または２次元的に配列された
エッチング穴を異方性エッチングにより形成することを
特徴とする光学デバイスの製造方法。
【請求項５】貫通穴表面に絶縁材料を塗布し焼成するこ
とにより絶縁層を形成することを特徴とする請求項４記
載の光学デバイスの製造方法。
【請求項６】シリコン基板の厚みがｔであって、前記シ
リコン基板と凹部の一つの側面のなす角がθであって、
前記凹部の一辺の長さａと前記貫通穴の一辺の長さｂと
の和がａ＋ｂ＞ｔ×（１／ｔａｎθ＋ｔａｎ（θ−１
９．４８゜））であることを特徴とする請求項４記載の
光学デバイスの製造方法。
【請求項７】凹部と貫通穴とまたは、２次元的に配列さ
れたエッチング穴とを同時に形成することを特徴とする
請求項４記載の光学デバイスの製造方法。
【請求項８】透明基板と、前記透明基板の表面または裏
面の少なくとも一方に形成した複数個の光学素子と、光
検出器と、請求項１記載の光学デバイスを備えた光ピッ
クアップ。
【請求項９】透明基板の一方の面に請求項１記載の光学
デバイスを貼合わせ、凹部内に不活性ガスまたは不活性
の液体を満たしたことを特徴とする請求項８記載の光ピ
ックアップ。