JP5638739B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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この半導体装置の製造方法は、第1導電型炭化珪素の基板上に、炭化珪素の第1導電型の第1の半導体層と該第1の半導体層よりも薄い炭化珪素であって、主面がSi面から10度以内に傾いた面である第2導電型の第2の半導体層とをこの順にエピタキシャル成長で形成する工程と、前記第2の半導体層上に、パターン化されたマスク層を形成する工程と、前記マスク層をマスクとして、前記第2の半導体層に、前記第2の半導体層の前記主面に対して垂直に不活性元素イオンを注入してからパイロジェニック酸化処理を行い、前記マスクで覆われていない領域の前記第2の半導体層を酸化膜に置き換える工程と、前記マスク層の内周側の前記第2の半導体層が酸化された領域をエッチングし、前記第1の半導体層上と、前記基板の前記第1の半導体層が形成された反対側とに金属層を形成する工程と、を有する。
図1は、実施の形態の概要を説明する概念図である。なお、図1は、半導体装置の各製造プロセスの要部断面を模式的に示している。
次いで、図1(C)を参照しながら説明する。マスク層14の形成後、酸化処理を行う。すると、半導体層13aのマスク層14で覆った領域以外が酸化される。そして、マスク層14の下部はp型の半導体層13aのままであるので、p型のフローティングガードリング13が形成される。また、酸化処理とともに、パッシベーション膜16をフローティングガードリング13の周囲に形成するようにしてもよい。なお、図1(C)では、パッシベーション膜16を形成した場合について示している。以上により図1(C)に示す構成が得られる。
<第1の実施の形態>
第1の実施の形態では、上記概要を踏まえ、SiCで構成され、さらに、半導体層の主面がC面である半導体装置の製造方法について図面を参照しながら説明する。2種類の元素(Si、C)からなる化合物半導体においては、表面と裏面とで、原子配列の違いが生じるため、同様の条件下において酸化を行っても、酸化速度が大幅に変わってしまう。例えば、通常Si面と呼ばれる(0001)面と、通常C面と呼ばれる(000−1)面とでは、酸化速度はC面の方が一桁近く速いことが知られている。
半導体装置100は、ショットキーバリアダイオードであって、具体的には以下に示す構成をなしている。n型のSiC基板101、n型のエピタキシャル層102が順に積層されている。エピタキシャル層102上にはフローティングガードリング103、窒化シリコン(SiN)によって構成されるマスク層104が形成されて、これらの周辺がパッシベーション膜106で覆われている。さらに、フローティングガードリング103の内周側のコンタクト領域および基板101の裏面にコンタクト電極105a,105bがそれぞれ形成されている。なお、基板101、エピタキシャル層102およびフローティングガードリング103はSiCにより構成されている。
まず、基板を形成する。
図3は、第1の実施の形態における半導体装置の基板の形成工程を説明する要部断面模式図である。
図4は、第1の実施の形態における半導体装置のマスク層の形成工程を説明する要部断面模式図である。
図5は、第1の実施の形態における半導体装置のフローティングガードリングおよびパッシベーション膜の形成工程を説明する要部断面模式図である。
図6は、第1の実施の形態における半導体装置のコンタクト領域の形成工程を説明する要部断面模式図である。
図2に示したように、コンタクトホール106bに、Niにより金属層を形成して、ショットキーコンタクト電極105aを形成する。以上の製造工程によって、半導体装置100が形成される。
第1の実施の形態では、SiCで構成され、半導体層の主面が酸化速度の速いC面であった場合を例に挙げて説明した。一方、第2の実施の形態では、半導体層の主面が酸化速度の遅いSi面である場合を例に挙げて、図面を参照しながら説明する。なお、第2の実施の形態で用いた図面を利用する。その場合は、図面の説明は省略する。
図7は、第2の実施の形態における半導体装置のマスク層の形成工程の要部断面模式図である。
図5に示したように、イオンの注入後、温度が1200℃程度で、水素と酸素とを流しながら、パイロジェニック酸化を4.5時間程度行うとともに、パッシベーション膜106aを形成した。既述の通り、マスク層104によって覆われた領域以外のエピタキシャル層103aが酸化されて、SiO2膜から構成されるパッシベーション膜106aとなった。そして、マスク層104に覆われたエピタキシャル層103aからフローティングガードリング103が形成される。なお、TEGパターンを用いて、このようなパイロジェニック酸化により、p型のエピタキシャル層103aが層分離できていることが確認された。
図6に示したように、パッシベーション膜106aの形成後、コンタクト領域となるコンタクトホール106bをフローティングガードリング103の内周側のパッシベーション膜106aに形成する。以上により、図6に示す構成が得られる。
図2に示したように、コンタクトホール106bに、Niにより金属層を形成して、ショットキーコンタクト電極105aを形成する。以上の製造工程によって、半導体装置100が形成される。
11 基板
12,13a 半導体層
13 フローティングガードリング
14 マスク層
15a,15b 金属層
16 パッシベーション膜
Claims (3)
- 第1導電型炭化珪素の基板上に、炭化珪素の第1導電型の第1の半導体層と該第1の半導体層よりも薄い炭化珪素であって、主面がSi面から10度以内に傾いた面である第2導電型の第2の半導体層とをこの順にエピタキシャル成長で形成する工程と、
前記第2の半導体層上に、パターン化されたマスク層を形成する工程と、
前記マスク層をマスクとして、前記第2の半導体層に、前記第2の半導体層の前記主面に対して垂直に不活性元素イオンを注入してからパイロジェニック酸化処理を行い、前記マスクで覆われていない領域の前記第2の半導体層を酸化膜に置き換える工程と、
前記マスク層の内周側の前記第2の半導体層が酸化された領域をエッチングし、前記第1の半導体層上と、前記基板の前記第1の半導体層が形成された反対側とに金属層を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記マスク層の外周側の前記酸化膜をパッシベーション膜とすることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記マスク層は、酸化珪素膜で構成されていることを特徴とする請求項1乃至2のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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